JP2001168253A - 半導体素子の実装構造及び給電側充電装置 - Google Patents
半導体素子の実装構造及び給電側充電装置Info
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板上の設置面積に対する半導体素子の
冷却効率を向上する。 【解決手段】 給電側充電装置において電力変換回路が
形成された電力用回路基板１８には、回路基板１８が固
定された放熱用ダクト１６に当接する熱伝達体２３が固
定されている。熱伝達体２３には、電力用回路基板１８
に実装した複数のＭＯＳＦＥＴ２１の各本体２２が、シ
リコンシート２４を介在した状態で当接されている。
冷却効率を向上する。 【解決手段】 給電側充電装置において電力変換回路が
形成された電力用回路基板１８には、回路基板１８が固
定された放熱用ダクト１６に当接する熱伝達体２３が固
定されている。熱伝達体２３には、電力用回路基板１８
に実装した複数のＭＯＳＦＥＴ２１の各本体２２が、シ
リコンシート２４を介在した状態で当接されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ等の半導体素子の実装構造、及び、同半導体素子の実
装構造を備えた給電側充電装置に関するものである。
Ｔ等の半導体素子の実装構造、及び、同半導体素子の実
装構造を備えた給電側充電装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、電気自動車のバッテリを
充電するために使用される電磁誘導式の給電側充電装置
は、商用交流を高電圧高周波交流に変換するための電力
変換回路が形成された電力用回路基板を備えている。電
力変換回路は、例えば、整流・力率改善回路及び共振コ
ンバータからなる。共振コンバータは、ブリッジ接続さ
れた４個あるいは８個のパワーＭＯＳＦＥＴで形成され
ている。
充電するために使用される電磁誘導式の給電側充電装置
は、商用交流を高電圧高周波交流に変換するための電力
変換回路が形成された電力用回路基板を備えている。電
力変換回路は、例えば、整流・力率改善回路及び共振コ
ンバータからなる。共振コンバータは、ブリッジ接続さ
れた４個あるいは８個のパワーＭＯＳＦＥＴで形成され
ている。
【０００３】ところで、各ＭＯＳＦＥＴは作動時に多量
の熱を発生する。このため、各ＭＯＳＦＥＴは、回路基
板上に固定された放熱体上に実装されている。この放熱
体は、例えば、熱伝達性に優れたアルミニウム合金で形
成されるとともに、ＭＯＳＦＥＴから伝達された熱を大
気中に放熱するための放熱用フィンを備えている。放熱
体は、ＭＯＳＦＥＴから伝達される熱を大気中に放熱す
ることでＭＯＳＦＥＴを持続的に冷却する。そして、放
熱体は、放熱フィンからの放熱量を十分に確保するため
にその設置面積がＭＯＳＦＥＴの本体の設置面積に比較
して顕著に大きくなっている。
の熱を発生する。このため、各ＭＯＳＦＥＴは、回路基
板上に固定された放熱体上に実装されている。この放熱
体は、例えば、熱伝達性に優れたアルミニウム合金で形
成されるとともに、ＭＯＳＦＥＴから伝達された熱を大
気中に放熱するための放熱用フィンを備えている。放熱
体は、ＭＯＳＦＥＴから伝達される熱を大気中に放熱す
ることでＭＯＳＦＥＴを持続的に冷却する。そして、放
熱体は、放熱フィンからの放熱量を十分に確保するため
にその設置面積がＭＯＳＦＥＴの本体の設置面積に比較
して顕著に大きくなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、給電側充電
装置は小型化が要求されているため、給電側充電装置の
大きさを決定している電力用回路基板の小型化が必要と
なっている。このため、回路基板上で大きな設置面積を
占める各ＭＯＳＦＥＴの放熱体の設置面積を縮小するこ
とが必要となっている。
装置は小型化が要求されているため、給電側充電装置の
大きさを決定している電力用回路基板の小型化が必要と
なっている。このため、回路基板上で大きな設置面積を
占める各ＭＯＳＦＥＴの放熱体の設置面積を縮小するこ
とが必要となっている。
【０００５】しかしながら、放熱体の設置面積の小さな
放熱体を使用すると各ＭＯＳＦＥＦＴを十分に冷却する
ことができず、各ＭＯＳＦＥＴの実装密度を上げること
ができない。そのため、各パワーＭＯＳＦＥＴの設置面
積を縮小することができなかった。これは、複数のＭＯ
ＳＦＥＴを実装する場合に限らず、１個の電力用半導体
素子を実装する場合にも同様の問題となる。
放熱体を使用すると各ＭＯＳＦＥＦＴを十分に冷却する
ことができず、各ＭＯＳＦＥＴの実装密度を上げること
ができない。そのため、各パワーＭＯＳＦＥＴの設置面
積を縮小することができなかった。これは、複数のＭＯ
ＳＦＥＴを実装する場合に限らず、１個の電力用半導体
素子を実装する場合にも同様の問題となる。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、回路基板上の設置面
積に対する半導体素子の冷却効率を向上させ、実装密度
を上げることができる半導体素子の実装構造、及び、同
半導体素子の実装構造を備えた給電側充電装置を提供す
ることにある。
されたものであって、その目的は、回路基板上の設置面
積に対する半導体素子の冷却効率を向上させ、実装密度
を上げることができる半導体素子の実装構造、及び、同
半導体素子の実装構造を備えた給電側充電装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、半導体素子が実装される
回路基板上に、該回路基板に隣接して設けられた放熱体
に対して当接する熱伝達体を固定し、該熱伝達体には、
前記回路基板に実装した前記半導体素子の本体を当接さ
せた半導体素子の実装構造である。
め、請求項１に記載の発明は、半導体素子が実装される
回路基板上に、該回路基板に隣接して設けられた放熱体
に対して当接する熱伝達体を固定し、該熱伝達体には、
前記回路基板に実装した前記半導体素子の本体を当接さ
せた半導体素子の実装構造である。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記熱伝達体と前記半導体素子との間
には、熱伝達性がある絶縁シートを介在させた。請求項
３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明
において、前記半導体素子はモールド型であって、前記
熱伝達体に固定される固定部材によって前記本体が該熱
伝達体に対して圧せられた状態で当接される。
の発明において、前記熱伝達体と前記半導体素子との間
には、熱伝達性がある絶縁シートを介在させた。請求項
３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明
において、前記半導体素子はモールド型であって、前記
熱伝達体に固定される固定部材によって前記本体が該熱
伝達体に対して圧せられた状態で当接される。
【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記熱伝達体は、前記回路基板に沿っ
て延びる四角柱状に形成されるとともに、該回路基板に
当接する固定面に隣り合う長手方向に平行な両側面を前
記半導体素子の当接面とし、その各当接面にそれぞれ同
数ずつ前記半導体素子が当接されている。
の発明において、前記熱伝達体は、前記回路基板に沿っ
て延びる四角柱状に形成されるとともに、該回路基板に
当接する固定面に隣り合う長手方向に平行な両側面を前
記半導体素子の当接面とし、その各当接面にそれぞれ同
数ずつ前記半導体素子が当接されている。
【００１０】請求項５に記載の発明は、商用交流を高周
波交流に変換する電力変換回路が形成された前記電力用
回路基板と、前記放熱体としての放熱用ダクトとを備
え、前記電力用回路基板は、前記放熱用ダクトの一面に
対して平行となるように配置されるとともに、前記電力
変換回路に実装された電力用半導体素子は、請求項１〜
請求項４のいずれか一項に記載の半導体素子の実装構造
によって前記電力用回路基板に実装されている給電側充
電装置である。
波交流に変換する電力変換回路が形成された前記電力用
回路基板と、前記放熱体としての放熱用ダクトとを備
え、前記電力用回路基板は、前記放熱用ダクトの一面に
対して平行となるように配置されるとともに、前記電力
変換回路に実装された電力用半導体素子は、請求項１〜
請求項４のいずれか一項に記載の半導体素子の実装構造
によって前記電力用回路基板に実装されている給電側充
電装置である。
【００１１】（作用）請求項１に記載の発明によれば、
半導体素子の動作時に本体で発生した熱は、本体が当接
する熱伝達体に伝達され、さらに熱伝達体から放熱体に
伝達されて放熱される。従って、回路基板上に直接固定
した放熱体によって半導体素子からの放熱が行われる従
来の実装構造に比較して、回路基板上の設置面積に関係
なく設けることができる放熱能力の大きな放熱体によっ
て半導体素子からの放熱が行われるので、従来の放熱体
に代わる熱伝達体の回路基板上の設置面積当たりの放熱
量が大きくなる。
半導体素子の動作時に本体で発生した熱は、本体が当接
する熱伝達体に伝達され、さらに熱伝達体から放熱体に
伝達されて放熱される。従って、回路基板上に直接固定
した放熱体によって半導体素子からの放熱が行われる従
来の実装構造に比較して、回路基板上の設置面積に関係
なく設けることができる放熱能力の大きな放熱体によっ
て半導体素子からの放熱が行われるので、従来の放熱体
に代わる熱伝達体の回路基板上の設置面積当たりの放熱
量が大きくなる。
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加えて、半導体素子の本体に不具
合が起こったとき、半導体素子と熱伝達体の間に介在さ
れている絶縁シートによって、半導体素子と放熱体との
間が絶縁される。従って、半導体素子に不具合が起きて
も放熱体に電流が流れない。
に記載の発明の作用に加えて、半導体素子の本体に不具
合が起こったとき、半導体素子と熱伝達体の間に介在さ
れている絶縁シートによって、半導体素子と放熱体との
間が絶縁される。従って、半導体素子に不具合が起きて
も放熱体に電流が流れない。
【００１３】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
又は請求項２に記載の発明の作用に加えて、モールド型
の半導体素子の本体で発生した熱が、熱伝達体に固定さ
れた固定部材によって熱伝達体に圧せられた状態で当接
された本体から熱伝達体に効率良く伝達される。従っ
て、モールド型の半導体素子を使用する場合に、熱伝達
体の回路基板上の設置面積当たりの放熱量が大きくな
る。
又は請求項２に記載の発明の作用に加えて、モールド型
の半導体素子の本体で発生した熱が、熱伝達体に固定さ
れた固定部材によって熱伝達体に圧せられた状態で当接
された本体から熱伝達体に効率良く伝達される。従っ
て、モールド型の半導体素子を使用する場合に、熱伝達
体の回路基板上の設置面積当たりの放熱量が大きくな
る。
【００１４】請求項４に記載の発明によれば、請求項３
に記載の発明の作用に加えて、回路基板に沿って延びる
四角柱状の熱伝達体の固定面に隣り合う長手方向に平行
な各側面にモールド型の半導体素子を同数ずつ複数当接
させるようにした場合には、回路基板に垂直な中心軸を
有する円板状あるいは正多角形の熱伝達体において回路
基板に直交する各側面に複数の半導体素子を当接させる
ようにした場合に比較して、各半導体素子の冷却能力に
対する熱伝達体の設置面積が小さくなる。従って、複数
の半導体素子と熱伝達体とを合わせた設置面積がより小
さくなる。
に記載の発明の作用に加えて、回路基板に沿って延びる
四角柱状の熱伝達体の固定面に隣り合う長手方向に平行
な各側面にモールド型の半導体素子を同数ずつ複数当接
させるようにした場合には、回路基板に垂直な中心軸を
有する円板状あるいは正多角形の熱伝達体において回路
基板に直交する各側面に複数の半導体素子を当接させる
ようにした場合に比較して、各半導体素子の冷却能力に
対する熱伝達体の設置面積が小さくなる。従って、複数
の半導体素子と熱伝達体とを合わせた設置面積がより小
さくなる。
【００１５】請求項５に記載の発明によれば、給電側充
電装置の電力用回路基板に形成された電力変換回路の電
力用半導体素子の実装構造が、一面が電力用回路基板に
平行となるように配置された放熱用ダクトを放熱体とし
て請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の作用をな
す。
電装置の電力用回路基板に形成された電力変換回路の電
力用半導体素子の実装構造が、一面が電力用回路基板に
平行となるように配置された放熱用ダクトを放熱体とし
て請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の作用をな
す。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を電磁誘導方式の給
電側充電装置に設けられた電力用回路基板に実装した電
力用半導体素子に具体化した一実施の形態を図１〜図９
に従って説明する。
電側充電装置に設けられた電力用回路基板に実装した電
力用半導体素子に具体化した一実施の形態を図１〜図９
に従って説明する。
【００１７】電磁誘導方式の充電装置は、図２に示すよ
うに、所定の充電場所に設置される給電側充電装置１０
と、車両に搭載される図示しない受電側充電装置とから
なる。給電側充電装置１０は、商用交流を高電圧高周波
交流に変換し、電磁誘導で受電側充電装置に給電する。
受電側充電装置は、給電側充電装置から電磁誘導によっ
て給電される高周波交流を直流に変換し、バッテリに充
電する。
うに、所定の充電場所に設置される給電側充電装置１０
と、車両に搭載される図示しない受電側充電装置とから
なる。給電側充電装置１０は、商用交流を高電圧高周波
交流に変換し、電磁誘導で受電側充電装置に給電する。
受電側充電装置は、給電側充電装置から電磁誘導によっ
て給電される高周波交流を直流に変換し、バッテリに充
電する。
【００１８】図２に示すように、給電側充電装置１０
は、その本体が、下部フレーム１１と、下部フレーム１
１の上部を覆う本体カバー１２とで形成されている。給
電側充電装置１０は、受電側充電装置に接続する給電カ
プラ１３を備えている。本体の側面には、カプラカバー
１４で覆われたカプラ収容部１５が設けられている。
は、その本体が、下部フレーム１１と、下部フレーム１
１の上部を覆う本体カバー１２とで形成されている。給
電側充電装置１０は、受電側充電装置に接続する給電カ
プラ１３を備えている。本体の側面には、カプラカバー
１４で覆われたカプラ収容部１５が設けられている。
【００１９】図３に示すように、給電側充電装置１０の
本体内部には、鉛直方向に延びる放熱体としての放熱用
ダクト１６が下部フレーム１１の底面後部に固定されて
いる。放熱用ダクト１６は、アルミニウム合金で形成さ
れ、その内側には複数の放熱フィン１６ａ（図１に図
示）が形成されている。放熱用ダクト１６は、その下端
開口部が下部フレーム１１の底面に設けられた図示しな
い排出用開口部を介して外部に連通され、その上端開口
部には放熱用ダクト１６内に空気を送り込むための電動
ファン１７が設けられている。
本体内部には、鉛直方向に延びる放熱体としての放熱用
ダクト１６が下部フレーム１１の底面後部に固定されて
いる。放熱用ダクト１６は、アルミニウム合金で形成さ
れ、その内側には複数の放熱フィン１６ａ（図１に図
示）が形成されている。放熱用ダクト１６は、その下端
開口部が下部フレーム１１の底面に設けられた図示しな
い排出用開口部を介して外部に連通され、その上端開口
部には放熱用ダクト１６内に空気を送り込むための電動
ファン１７が設けられている。
【００２０】電動ファン１７は、下部フレーム１１の底
面前部に設けられた図示しない導入用開口部から外部の
空気を本体カバー１２内に導入し、放熱用ダクト１６の
前面１６ｂ側を通して放熱用ダクト１６内に送り込む。
面前部に設けられた図示しない導入用開口部から外部の
空気を本体カバー１２内に導入し、放熱用ダクト１６の
前面１６ｂ側を通して放熱用ダクト１６内に送り込む。
【００２１】放熱用ダクト１６の前側には、電力用回路
基板１８が固定されている。電力用回路基板１８には、
商用交流を高電圧高周波交流に変換する電力変換回路が
形成されている。電力変換回路は、整流・力率改善回路
及び共振コンバータを有している。整流・力率改善回路
は、平滑用電解コンデンサ１９を備えている。共振コン
バータは、半導体素子及び電力用半導体素子としての並
列接続されたパワーＭＯＳＦＥＴ２１（図１，４に図
示）からなるブリッジ回路と、共振コイル２０とを備え
ている。平滑用電解コンデンサ１９及び共振コイル２０
は、放熱用ダクト１６の側面１６ｃに固定されている。
平滑用電解コンデンサ１９以外の整流・力率改善回路の
各電子部品は、図１に示すように、電力用回路基板１８
の表面１８ａに実装されている。
基板１８が固定されている。電力用回路基板１８には、
商用交流を高電圧高周波交流に変換する電力変換回路が
形成されている。電力変換回路は、整流・力率改善回路
及び共振コンバータを有している。整流・力率改善回路
は、平滑用電解コンデンサ１９を備えている。共振コン
バータは、半導体素子及び電力用半導体素子としての並
列接続されたパワーＭＯＳＦＥＴ２１（図１，４に図
示）からなるブリッジ回路と、共振コイル２０とを備え
ている。平滑用電解コンデンサ１９及び共振コイル２０
は、放熱用ダクト１６の側面１６ｃに固定されている。
平滑用電解コンデンサ１９以外の整流・力率改善回路の
各電子部品は、図１に示すように、電力用回路基板１８
の表面１８ａに実装されている。
【００２２】図１に示すように、ブリッジ回路を構成す
る８個のＭＯＳＦＥＴ２１はモールド型であって、電力
用回路基板１８の裏面１８ｂに実装されている。詳述す
ると、各ＭＯＳＦＥＴ２１は、その本体２２が電力用回
路基板１８の裏面１８ｂ上に立設するように、その端子
２１ａが基板１８に半田付けされて実装されている。
尚、共振コイル２０及び各ＭＯＳＦＥＴ２１以外の電力
変換回路の各電子部品は、電力用回路基板１８の表面１
８ａに実装されている。
る８個のＭＯＳＦＥＴ２１はモールド型であって、電力
用回路基板１８の裏面１８ｂに実装されている。詳述す
ると、各ＭＯＳＦＥＴ２１は、その本体２２が電力用回
路基板１８の裏面１８ｂ上に立設するように、その端子
２１ａが基板１８に半田付けされて実装されている。
尚、共振コイル２０及び各ＭＯＳＦＥＴ２１以外の電力
変換回路の各電子部品は、電力用回路基板１８の表面１
８ａに実装されている。
【００２３】各ＭＯＳＦＥＴ２１が実装される電力用回
路基板１８の裏面１８ｂには、熱伝達体２３が絶縁シー
トとしてのシリコンシート２４を介在した状態で固定さ
れている。熱伝達体２３はアルミニウム合金のブロック
からなり、図４に示すように、電力用回路基板１８に沿
って延びる四角柱状に形成されている。熱伝達体２３
は、電力用回路基板１８の裏面１８ｂに当接される固定
面としての第１固定面２３ａに対し反対側の第２固定面
２３ｂが、前記放熱用ダクト１６の前面１６ｂに当接さ
れている。又、第１固定面２３ａには、一対の第１固定
孔２３ｃ、及び、一対の第２固定孔２３ｄが設けられて
いる。
路基板１８の裏面１８ｂには、熱伝達体２３が絶縁シー
トとしてのシリコンシート２４を介在した状態で固定さ
れている。熱伝達体２３はアルミニウム合金のブロック
からなり、図４に示すように、電力用回路基板１８に沿
って延びる四角柱状に形成されている。熱伝達体２３
は、電力用回路基板１８の裏面１８ｂに当接される固定
面としての第１固定面２３ａに対し反対側の第２固定面
２３ｂが、前記放熱用ダクト１６の前面１６ｂに当接さ
れている。又、第１固定面２３ａには、一対の第１固定
孔２３ｃ、及び、一対の第２固定孔２３ｄが設けられて
いる。
【００２４】さらに、熱伝達体２３の第１固定面２３ａ
に隣り合う長手方向に平行な両当接面２３ｅには、シリ
コンシート２４を介して各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２
がそれぞれ４個ずつ当接されている。詳述すると、各Ｍ
ＯＳＦＥＴ２１は、本体２２に設けられた放熱部２２ａ
（図４に図示）が熱伝達体２３に対しシリコンシート２
４を介在した状態で当接されている。尚、熱伝達体２３
の長手方向に直交しかつ電力用回路基板１８に直交する
両側面２３ｆには、ＭＯＳＦＥＴ２１は当接されていな
い。
に隣り合う長手方向に平行な両当接面２３ｅには、シリ
コンシート２４を介して各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２
がそれぞれ４個ずつ当接されている。詳述すると、各Ｍ
ＯＳＦＥＴ２１は、本体２２に設けられた放熱部２２ａ
（図４に図示）が熱伝達体２３に対しシリコンシート２
４を介在した状態で当接されている。尚、熱伝達体２３
の長手方向に直交しかつ電力用回路基板１８に直交する
両側面２３ｆには、ＭＯＳＦＥＴ２１は当接されていな
い。
【００２５】各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２は、固定部
材としてのアングル材２５によって熱伝達体２３に対し
シリコンシート２４を介在した状態で圧接固定されてい
る。詳述すると、各ＭＯＳＦＥＴ２１は、本体２２に設
けられた放熱部２２ａがアングル材２５に対しシリコン
シート２４を介在した状態で当接されている。アングル
材２５は熱伝達体２３と同じアルミニウム合金からな
り、図４に示すように、Ｌ字形状の同一断面で延びるよ
うに形成されている。そして、アングル材２５は、放熱
用ダクト１６の前面１６ｂに当接しない状態で熱伝達体
２３に固定されている。
材としてのアングル材２５によって熱伝達体２３に対し
シリコンシート２４を介在した状態で圧接固定されてい
る。詳述すると、各ＭＯＳＦＥＴ２１は、本体２２に設
けられた放熱部２２ａがアングル材２５に対しシリコン
シート２４を介在した状態で当接されている。アングル
材２５は熱伝達体２３と同じアルミニウム合金からな
り、図４に示すように、Ｌ字形状の同一断面で延びるよ
うに形成されている。そして、アングル材２５は、放熱
用ダクト１６の前面１６ｂに当接しない状態で熱伝達体
２３に固定されている。
【００２６】各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３との
間、及び、熱伝達体２３と電力用回路基板１８との間に
介在された前記シリコンシート２４は、熱伝達性が高い
絶縁シート（例えば、信越化学製の放熱シート）であ
る。シリコンシート２４は、図４に示すように、熱伝達
体２３の第１固定面２３ａを覆う大きさの四角形の中央
部２６と、この中央部２６の各長辺に設けられた長辺側
袖部２７と、同じく各短辺に設けられた短辺側袖部２８
とを備える。
間、及び、熱伝達体２３と電力用回路基板１８との間に
介在された前記シリコンシート２４は、熱伝達性が高い
絶縁シート（例えば、信越化学製の放熱シート）であ
る。シリコンシート２４は、図４に示すように、熱伝達
体２３の第１固定面２３ａを覆う大きさの四角形の中央
部２６と、この中央部２６の各長辺に設けられた長辺側
袖部２７と、同じく各短辺に設けられた短辺側袖部２８
とを備える。
【００２７】中央部２６には、熱伝達体２３の第１固定
孔２３ｃに対応する第１貫通孔２６ａと、第２固定孔２
３ｄに対応する第２貫通孔２６ｂとが設けられている。
各長辺側袖部２７は、中央部２６から外側に順に第１袖
部２７ａ、第２袖部２７ｂ及び第３袖部２７ｃを備えて
いる。又、各短辺側袖部２８は、その両側に、折り曲げ
部２８ａを備えている。
孔２３ｃに対応する第１貫通孔２６ａと、第２固定孔２
３ｄに対応する第２貫通孔２６ｂとが設けられている。
各長辺側袖部２７は、中央部２６から外側に順に第１袖
部２７ａ、第２袖部２７ｂ及び第３袖部２７ｃを備えて
いる。又、各短辺側袖部２８は、その両側に、折り曲げ
部２８ａを備えている。
【００２８】次に、各ＭＯＳＦＥＴの実装構造の組み立
て工程を図５〜図９に従って説明する。ＭＯＳＦＥＴ２
１の実装時には、図５に示すように、先ず、電力用回路
基板１８の裏面１８ｂに配置したシリコンシート２４の
中央部２６を、電力用回路基板１８の表面１８ａに当接
させた第１固定部材２９と、熱伝達体２３の各第１固定
孔２３ｃに嵌入可能な第２固定部材３０とを嵌め合わせ
ることで回路基板１８の裏面１８ｂに固定する。
て工程を図５〜図９に従って説明する。ＭＯＳＦＥＴ２
１の実装時には、図５に示すように、先ず、電力用回路
基板１８の裏面１８ｂに配置したシリコンシート２４の
中央部２６を、電力用回路基板１８の表面１８ａに当接
させた第１固定部材２９と、熱伝達体２３の各第１固定
孔２３ｃに嵌入可能な第２固定部材３０とを嵌め合わせ
ることで回路基板１８の裏面１８ｂに固定する。
【００２９】次に、図６に示すように、熱伝達体２３の
各第２固定孔２３ｄに第２固定部材３０を嵌入させると
ともに、電力用回路基板１８に固定した第１固定部材２
９及び第２固定部材３０を貫通させた固定ねじ３２を各
第２固定孔２３ｄの底面に形成した雌ねじ孔に螺合させ
ることで、回路基板１８の裏面１８ｂにシリコンシート
２４の中央部２６を介在させた状態で熱伝達体２３を固
定する。
各第２固定孔２３ｄに第２固定部材３０を嵌入させると
ともに、電力用回路基板１８に固定した第１固定部材２
９及び第２固定部材３０を貫通させた固定ねじ３２を各
第２固定孔２３ｄの底面に形成した雌ねじ孔に螺合させ
ることで、回路基板１８の裏面１８ｂにシリコンシート
２４の中央部２６を介在させた状態で熱伝達体２３を固
定する。
【００３０】次に、図７に示すように、前記シリコンシ
ート２４の各長辺側袖部２７を下方に折り曲げてその第
１袖部２７ａを熱伝達体２３の各当接面２３ｅに当接さ
せた状態で、各ＭＯＳＦＥＴ２１を端子２１ａを半田付
けして電力用回路基板１８の裏面１８ｂに実装する。そ
して、各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２は、第１袖部２７
ａを介して熱伝達体２３の各当接面２３ｅに当接する。
ート２４の各長辺側袖部２７を下方に折り曲げてその第
１袖部２７ａを熱伝達体２３の各当接面２３ｅに当接さ
せた状態で、各ＭＯＳＦＥＴ２１を端子２１ａを半田付
けして電力用回路基板１８の裏面１８ｂに実装する。そ
して、各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２は、第１袖部２７
ａを介して熱伝達体２３の各当接面２３ｅに当接する。
【００３１】次に、図８に示すように、各長辺側袖部２
７を上方に折り返し、第２袖部２７ｂを各ＭＯＳＦＥＴ
２１との間に介在させた状態で、各アングル材２５を熱
伝達体２３に螺合する固定ねじ３３で固定する。このと
き、各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２は、上方に折り返さ
れた第２袖部２７ｂを介してアングル材２５にて圧せら
れた状態で、第１袖部２７ａを介して熱伝達体２３の当
接面２３ｅに当接する。
７を上方に折り返し、第２袖部２７ｂを各ＭＯＳＦＥＴ
２１との間に介在させた状態で、各アングル材２５を熱
伝達体２３に螺合する固定ねじ３３で固定する。このと
き、各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２は、上方に折り返さ
れた第２袖部２７ｂを介してアングル材２５にて圧せら
れた状態で、第１袖部２７ａを介して熱伝達体２３の当
接面２３ｅに当接する。
【００３２】次に、図９に示すように、シリコンシート
２４の各短辺側袖部２８を下方に折り曲げ、熱伝達体２
３の各側面２３ｆに螺合する固定ねじ３４で固定する。
さらに、各長辺側袖部２７を下方に折り返し、第３袖部
２７ｃをアングル材２５の外面２５ａに当接させるとと
もに、各短辺側袖部２８の各折り曲げ部２８ａを、第３
袖部２７ｃの外側からアングル材２５の外面２５ａに当
接させる。そして、アングル材２５の外面２５ａに重ね
た第３袖部２７ｃと折り曲げ部２８ａとを、アングル材
２５の内面２５ｂに当接する第２袖部２７ｂと共に、ア
ングル材２５に貫通させたナイロン製のリベット３５で
挟持する。最後に、電力用回路基板１８に設けられた孔
１８ｃから熱伝達体２３の各第１固定孔２３ｃに挿通さ
せた固定ねじ３６を放熱用ダクト１６に螺合させること
で、熱伝達体２３の第２固定面２３ｂを放熱用ダクト１
６の前面１６ｂに圧接させる。
２４の各短辺側袖部２８を下方に折り曲げ、熱伝達体２
３の各側面２３ｆに螺合する固定ねじ３４で固定する。
さらに、各長辺側袖部２７を下方に折り返し、第３袖部
２７ｃをアングル材２５の外面２５ａに当接させるとと
もに、各短辺側袖部２８の各折り曲げ部２８ａを、第３
袖部２７ｃの外側からアングル材２５の外面２５ａに当
接させる。そして、アングル材２５の外面２５ａに重ね
た第３袖部２７ｃと折り曲げ部２８ａとを、アングル材
２５の内面２５ｂに当接する第２袖部２７ｂと共に、ア
ングル材２５に貫通させたナイロン製のリベット３５で
挟持する。最後に、電力用回路基板１８に設けられた孔
１８ｃから熱伝達体２３の各第１固定孔２３ｃに挿通さ
せた固定ねじ３６を放熱用ダクト１６に螺合させること
で、熱伝達体２３の第２固定面２３ｂを放熱用ダクト１
６の前面１６ｂに圧接させる。
【００３３】次に、以上のように構成された半導体素子
の実装構造が有する各作用及び効果について説明する。 （１） 各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２で発生した熱
は、シリコンシート２４を介して熱伝達体２３に伝達さ
れ、さらに熱伝達体２３が圧接された放熱用ダクト１６
に伝達されて放熱される。従って、電力用回路基板１８
上に直接固定した放熱体によってＭＯＳＦＥＴからの放
熱が行われる従来の実装構造に比較して、電力用回路基
板１８上の設置面積に関係なく設けることができる放熱
能力の大きな放熱用ダクト１６によってＭＯＳＦＥＴ２
１から放熱されるので、従来の放熱体に代わる熱伝達体
２３の電力用回路基板１８上の設置面積当たりの放熱量
が大きくなる。
の実装構造が有する各作用及び効果について説明する。 （１） 各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２で発生した熱
は、シリコンシート２４を介して熱伝達体２３に伝達さ
れ、さらに熱伝達体２３が圧接された放熱用ダクト１６
に伝達されて放熱される。従って、電力用回路基板１８
上に直接固定した放熱体によってＭＯＳＦＥＴからの放
熱が行われる従来の実装構造に比較して、電力用回路基
板１８上の設置面積に関係なく設けることができる放熱
能力の大きな放熱用ダクト１６によってＭＯＳＦＥＴ２
１から放熱されるので、従来の放熱体に代わる熱伝達体
２３の電力用回路基板１８上の設置面積当たりの放熱量
が大きくなる。
【００３４】その結果、電力用回路基板１８上に設置面
積に対する各ＭＯＳＦＥＴ２１の冷却効率が向上して、
各ＭＯＳＦＥＴ２１をより一層冷却したり、複数のＭＯ
ＳＦＥＴ２１の実装密度を上げて電力用回路基板１８を
小型化することができる。
積に対する各ＭＯＳＦＥＴ２１の冷却効率が向上して、
各ＭＯＳＦＥＴ２１をより一層冷却したり、複数のＭＯ
ＳＦＥＴ２１の実装密度を上げて電力用回路基板１８を
小型化することができる。
【００３５】又、電磁誘導方式の給電側充電装置１０に
おいては、電力用回路基板１８の小型化によって、装置
本体を小型化することができる。 （２） ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２に不具合が起こっ
たとき、各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３の間に介在
されている絶縁性のあるシリコンシート２４によって、
各ＭＯＳＦＥＴ２１と放熱用ダクト１６との間が絶縁さ
れる。従って、ＭＯＳＦＥＴ２１に不具合が起きても放
熱用ダクト１６に電流が流れない。
おいては、電力用回路基板１８の小型化によって、装置
本体を小型化することができる。 （２） ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２に不具合が起こっ
たとき、各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３の間に介在
されている絶縁性のあるシリコンシート２４によって、
各ＭＯＳＦＥＴ２１と放熱用ダクト１６との間が絶縁さ
れる。従って、ＭＯＳＦＥＴ２１に不具合が起きても放
熱用ダクト１６に電流が流れない。
【００３６】（３） 各ＭＯＳＦＥＴ２１の本体２２が
当接する熱伝達体２３及びアングル材２５との間に介在
させたシリコンシート２４は、本体２２の当接面の面積
範囲よりも十分な広さの面積範囲で、熱伝達体２３の当
接面２３ｅと、アングル材２５の内面とに当接するよう
に設けた。従って、各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２
３、及び、各ＭＯＳＦＥＴ２１とアングル材２５との間
の、シリコンシート２４の表面に沿った最短の沿面距離
が、各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３、及び、各ＭＯ
ＳＦＥＴ２１とアングル材２５との間の最短距離に対し
て著しく長くなる。その結果、ＭＯＳＦＥＴ２１に不具
合が起こったときに、シリコンシート２４を介した沿面
放電が起き難く、放熱用ダクト１６又はアングル材２５
に電流が流れ難い。このため、電力用回路基板１８にお
ける各ＭＯＳＦＥＴ２１の実装密度を上げても、優れた
絶縁性を確保することができる。
当接する熱伝達体２３及びアングル材２５との間に介在
させたシリコンシート２４は、本体２２の当接面の面積
範囲よりも十分な広さの面積範囲で、熱伝達体２３の当
接面２３ｅと、アングル材２５の内面とに当接するよう
に設けた。従って、各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２
３、及び、各ＭＯＳＦＥＴ２１とアングル材２５との間
の、シリコンシート２４の表面に沿った最短の沿面距離
が、各ＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３、及び、各ＭＯ
ＳＦＥＴ２１とアングル材２５との間の最短距離に対し
て著しく長くなる。その結果、ＭＯＳＦＥＴ２１に不具
合が起こったときに、シリコンシート２４を介した沿面
放電が起き難く、放熱用ダクト１６又はアングル材２５
に電流が流れ難い。このため、電力用回路基板１８にお
ける各ＭＯＳＦＥＴ２１の実装密度を上げても、優れた
絶縁性を確保することができる。
【００３７】（４） モールド型のＭＯＳＦＥＴ２１の
本体２２で発生した熱が、熱伝達体２３に固定されたア
ングル材２５によって熱伝達体２３に圧せられた状態で
当接された本体２２から熱伝達体２３に効率良く伝達さ
れる。従って、モールド型のＭＯＳＦＥＴ２１を使用す
る場合に、熱伝達体２３の電力用回路基板１８上の設置
面積当たりの放熱量が大きくなる。
本体２２で発生した熱が、熱伝達体２３に固定されたア
ングル材２５によって熱伝達体２３に圧せられた状態で
当接された本体２２から熱伝達体２３に効率良く伝達さ
れる。従って、モールド型のＭＯＳＦＥＴ２１を使用す
る場合に、熱伝達体２３の電力用回路基板１８上の設置
面積当たりの放熱量が大きくなる。
【００３８】（５） 電力用回路基板１８に沿って延び
る四角柱状の熱伝達体２３の第１固定面２３ａに隣り合
う長手方向に平行な各当接面２３ｅにモールド型のＭＯ
ＳＦＥＴ２１を同数ずつ複数当接させるようにした。こ
の場合、電力用回路基板１８に垂直な中心軸を有する円
板状あるいは正多角形の熱伝達体において電力用回路基
板１８に直交する各側面に複数のＭＯＳＦＥＴ２１を当
接させるようにした場合に比較して、各ＭＯＳＦＥＴ２
１の冷却能力に対する熱伝達体の設置面積が小さくな
る。従って、複数のＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３と
を合わせた設置面積がより小さくなる。その結果、複数
のＭＯＳＦＥＴ２１をできるだけ小さい設置面積内に実
装することができる。
る四角柱状の熱伝達体２３の第１固定面２３ａに隣り合
う長手方向に平行な各当接面２３ｅにモールド型のＭＯ
ＳＦＥＴ２１を同数ずつ複数当接させるようにした。こ
の場合、電力用回路基板１８に垂直な中心軸を有する円
板状あるいは正多角形の熱伝達体において電力用回路基
板１８に直交する各側面に複数のＭＯＳＦＥＴ２１を当
接させるようにした場合に比較して、各ＭＯＳＦＥＴ２
１の冷却能力に対する熱伝達体の設置面積が小さくな
る。従って、複数のＭＯＳＦＥＴ２１と熱伝達体２３と
を合わせた設置面積がより小さくなる。その結果、複数
のＭＯＳＦＥＴ２１をできるだけ小さい設置面積内に実
装することができる。
【００３９】以下、本発明を具体化した上記実施の形態
以外の実施の形態を別例として列挙する。 ○ 上記実施の形態で、熱伝達体は、四角柱状に形成さ
れ、その長手方向に平行な各面に複数のモールド型の半
導体素子の本体が当接されるものに限らない。その他例
えば、電力用回路基板１８に垂直な中心軸を有する円板
状あるいは正多角形等に形成され、電力用回路基板１８
に直交する各周面に複数のモールド型の半導体素子の本
体が当接されるものであってもよい。この場合にも、モ
ールド型の半導体素子の冷却効率を向上させることがで
きる。
以外の実施の形態を別例として列挙する。 ○ 上記実施の形態で、熱伝達体は、四角柱状に形成さ
れ、その長手方向に平行な各面に複数のモールド型の半
導体素子の本体が当接されるものに限らない。その他例
えば、電力用回路基板１８に垂直な中心軸を有する円板
状あるいは正多角形等に形成され、電力用回路基板１８
に直交する各周面に複数のモールド型の半導体素子の本
体が当接されるものであってもよい。この場合にも、モ
ールド型の半導体素子の冷却効率を向上させることがで
きる。
【００４０】○ 半導体素子は、パワーＭＯＳＦＥＴに
限らず、バイポーラ・パワー・トランジスタ、ＩＧＢ
Ｔ、整流素子、サイリスタ、ＧＴＯサイリスタ、光トリ
ガサイリスタ、トライアック、ＳＩＴ等の電力用半導体
素子であってもよい。又、電力用以外の半導体素子の実
装構造に実施してもよい。
限らず、バイポーラ・パワー・トランジスタ、ＩＧＢ
Ｔ、整流素子、サイリスタ、ＧＴＯサイリスタ、光トリ
ガサイリスタ、トライアック、ＳＩＴ等の電力用半導体
素子であってもよい。又、電力用以外の半導体素子の実
装構造に実施してもよい。
【００４１】○ モールド型の半導体素子の実装構造に
限らず、キャンド型の半導体素子に実施してもよい。 ○ 本発明の半導体素子の実装構造を実施する回路基板
は、電磁誘導方式の給電側充電装置において、商用交流
を高周波交流に変換する電力変換回路が形成された電力
用回路基板１８に限らない。半導体素子が実装される回
路基板であれば、例えば、バッテリから供給される直流
電源によって走行及び荷役動作を行うフォークリフトに
おいて、直流から所定周波数の交流を生成する三相イン
バータ回路が形成された電力用回路基板における電力用
半導体素子の実装構造に実施してもよい。
限らず、キャンド型の半導体素子に実施してもよい。 ○ 本発明の半導体素子の実装構造を実施する回路基板
は、電磁誘導方式の給電側充電装置において、商用交流
を高周波交流に変換する電力変換回路が形成された電力
用回路基板１８に限らない。半導体素子が実装される回
路基板であれば、例えば、バッテリから供給される直流
電源によって走行及び荷役動作を行うフォークリフトに
おいて、直流から所定周波数の交流を生成する三相イン
バータ回路が形成された電力用回路基板における電力用
半導体素子の実装構造に実施してもよい。
【００４２】
【発明の効果】請求項１〜請求項５に記載の発明によれ
ば、回路基板上に設置面積に対する半導体素子の冷却効
率を向上させ、実装密度を上げることができる。
ば、回路基板上に設置面積に対する半導体素子の冷却効
率を向上させ、実装密度を上げることができる。
【００４３】加えて請求項２〜請求項５に記載の発明に
よれば、半導体素子に不具合が起こったときに放熱体側
に電流が流れないようにし、実装密度を上げても優れた
絶縁性を確保することができる。
よれば、半導体素子に不具合が起こったときに放熱体側
に電流が流れないようにし、実装密度を上げても優れた
絶縁性を確保することができる。
【００４４】加えて請求項５に記載の発明によれば、回
路基板の小型化によって、装置全体を小型化することが
できる。
路基板の小型化によって、装置全体を小型化することが
できる。
【図１】 ＭＯＳＦＥＴの実装構造を示す模式斜視図。
【図２】 給電側充電装置の斜視図。
【図３】 同じく本体内部を示す模式斜視図。
【図４】 ＭＯＳＦＥＴの実装構造を示す分解斜視図。
【図５】 ＭＯＳＦＥＴの実装構造の組み立て工程を示
す正面図。
す正面図。
【図６】 同じく組み立て工程を示す正面図。
【図７】 同じく組み立て工程を示す正面図。
【図８】 同じく組み立て工程を示す正面図。
【図９】 同じく組み立て工程を示す正面図。
１０…給電側充電装置、１６…放熱体としての放熱用ダ
クト、２１…半導体素子及び電力用半導体素子としての
パワーＭＯＳＦＥＴ、２２…（半導体素子の）本体、２
３…熱伝達体、２３ａ…固定面としての第１固定面、２
３ｅ…当接面、２４…絶縁シートとしてのシリコンシー
ト、２５…固定部材としてのアングル材。
クト、２１…半導体素子及び電力用半導体素子としての
パワーＭＯＳＦＥＴ、２２…（半導体素子の）本体、２
３…熱伝達体、２３ａ…固定面としての第１固定面、２
３ｅ…当接面、２４…絶縁シートとしてのシリコンシー
ト、２５…固定部材としてのアングル材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA04 BA24 BB05 BB21 BB35 BC01 BC23 BC33 BE01
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子が実装される回路基板上に、
該回路基板に隣接して設けられた放熱体に対して当接す
る熱伝達体を固定し、 該熱伝達体には、前記回路基板に実装した前記半導体素
子の本体を当接させた半導体素子の実装構造。 - 【請求項２】 前記熱伝達体と前記半導体素子との間に
は、熱伝達性がある絶縁シートを介在させた請求項１に
記載の半導体素子の実装構造。 - 【請求項３】 前記半導体素子はモールド型であって、
前記熱伝達体に固定される固定部材によって前記本体が
該熱伝達体に対して圧せられた状態で当接される請求項
１又は請求項２に記載の半導体素子の実装構造。 - 【請求項４】 前記熱伝達体は、前記回路基板に沿って
延びる四角柱状に形成されるとともに、該回路基板に当
接する固定面に隣り合う長手方向に平行な両側面を前記
半導体素子の当接面とし、 その各当接面にそれぞれ同数ずつ前記半導体素子が当接
されている請求項３に記載の半導体素子の実装構造。 - 【請求項５】 商用交流を高周波交流に変換する電力変
換回路が形成された前記電力用回路基板と、前記放熱体
としての放熱用ダクトとを備え、 前記電力用回路基板は、前記放熱用ダクトの一面に対し
て平行となるように配置されるとともに、前記電力変換
回路に実装された電力用半導体素子は、請求項１〜請求
項４のいずれか一項に記載の半導体素子の実装構造によ
って前記電力用回路基板に実装されている給電側充電装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35208299A JP2001168253A (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | 半導体素子の実装構造及び給電側充電装置 |
| US09/730,016 US6426874B2 (en) | 1999-12-10 | 2000-12-05 | Semiconductor device mounting structure and feeding-side charger with heat radiating unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35208299A JP2001168253A (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | 半導体素子の実装構造及び給電側充電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168253A true JP2001168253A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18421668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35208299A Pending JP2001168253A (ja) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | 半導体素子の実装構造及び給電側充電装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6426874B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001168253A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102884710A (zh) * | 2011-01-28 | 2013-01-16 | 向智勇 | 一种无线充电装置 |
| CN104781554A (zh) * | 2012-12-28 | 2015-07-15 | 三菱重工汽车空调系统株式会社 | 逆变器一体式电动压缩机 |
| JP2020078951A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | トヨタ自動車株式会社 | 制御ユニット |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4260407B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-04-30 | 東芝ライテック株式会社 | 電気機器 |
| JP2004356492A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | 電子機器 |
| JP2005044953A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd | 電力変換装置 |
| US20060196639A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Inventec Corporation | Heatsink assembly |
| US20080112134A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Brandon Rubenstein | Dust accumulation resistant heat sink |
| DE102011009689B4 (de) * | 2010-02-25 | 2012-09-13 | Sms Meer Gmbh | Strangpresse zum Herstellen von Profilen aus Nichteisenmetall |
| JP2012199469A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
| US9035597B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-05-19 | Lear Corporation | Charger assembly with heat transfer duct |
| US8885360B2 (en) | 2011-11-30 | 2014-11-11 | Lear Corporation | Charger assembly and electromagnetic interference shield assembly |
| CN103475071B (zh) * | 2013-10-16 | 2016-03-02 | 珠海英搏尔电气股份有限公司 | 充电机 |
| CN106004498A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-10-12 | 盐城工学院 | 充电桩 |
| DE102017206775A1 (de) * | 2017-04-21 | 2018-10-25 | Lenze Automation Gmbh | Elektrisches Steuergerät |
| US10757809B1 (en) | 2017-11-13 | 2020-08-25 | Telephonics Corporation | Air-cooled heat exchanger and thermal arrangement for stacked electronics |
| CN111315182B (zh) * | 2018-12-12 | 2022-02-08 | 台达电子工业股份有限公司 | 整合式电子装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568238Y2 (ja) * | 1976-02-14 | 1981-02-23 | ||
| JPH0563385A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | ヒートパイプ付き電子機器及び計算機 |
| EP0552737A1 (en) | 1992-01-22 | 1993-07-28 | Hughes Aircraft Company | Weatherized curb-side charger |
| JPH0629683A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-02-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用ヒートパイプ式放熱ユニット |
| JP3454888B2 (ja) * | 1993-11-24 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | 電子部品ユニット及びその製造方法 |
| US6082433A (en) * | 1997-11-21 | 2000-07-04 | Overhead Door Corporation | Control system and method for roll-up door |
| US5946188A (en) * | 1998-07-29 | 1999-08-31 | Epsilon Electronics, Inc. | Car amplifier incorporating a peltier device for cooling |
-
1999
- 1999-12-10 JP JP35208299A patent/JP2001168253A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-05 US US09/730,016 patent/US6426874B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102884710A (zh) * | 2011-01-28 | 2013-01-16 | 向智勇 | 一种无线充电装置 |
| JP2014504142A (ja) * | 2011-01-28 | 2014-02-13 | ジヨン シャン | ワイヤレス充電装置 |
| CN104781554A (zh) * | 2012-12-28 | 2015-07-15 | 三菱重工汽车空调系统株式会社 | 逆变器一体式电动压缩机 |
| US10156239B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-12-18 | Mitsubishi Heavy Industries Thermal Systems, Ltd. | Inverter-integrated electrical compressor |
| CN104781554B (zh) * | 2012-12-28 | 2019-01-11 | 三菱重工制冷空调系统株式会社 | 逆变器一体式电动压缩机 |
| JP2020078951A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | トヨタ自動車株式会社 | 制御ユニット |
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Also Published As
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