JP2001160713A - 電子回路ユニット - Google Patents

電子回路ユニット

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JP2001160713A
JP2001160713A JP34360299A JP34360299A JP2001160713A JP 2001160713 A JP2001160713 A JP 2001160713A JP 34360299 A JP34360299 A JP 34360299A JP 34360299 A JP34360299 A JP 34360299A JP 2001160713 A JP2001160713 A JP 2001160713A
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JP
Japan
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electronic circuit
circuit unit
microstrip line
layer
dielectric substrate
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JP34360299A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Nakano
一博 中野
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の電子回路ユニットでは、金属導電体板
などから成るシールドケース453は、比較的重量が重
く、この個別のシールドケースにそれぞれ覆われたふた
つの電子回路ユニット20を配設している携帯電話機
は、重量が増加するという問題があった。 【解決手段】 誘電体基板2に搭載した第1、第2電気
部品1a、1bを覆い、且つ、接地導体8aと接続され
たシールドケース9とを備えていること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機に使用
されるマイクロストリップラインを共振素子として用い
るマイクロストリップライン型電圧制御発振器などに適
用して好適な電子回路ユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来から携帯電話機(例えば、約800
MHz帯用)では、ふたつの異なる周波数の発振(例え
ば、RF用の約690MHzと、IF用の約260MH
zとの発振)を行う電圧制御発振器(VCO)を必要と
し、よって、異なる周波数の発振を行うそれぞれ別個の
VCOを構成するふたつの電子回路ユニットを個別に携
帯電話機に配設することが必要である。
【0003】ここで、従来の電子回路ユニットについて
図面を用いて説明する。図9は、従来の電子回路ユニッ
トを示す平面図、図10は、従来の電子回路ユニットか
らシールドケースを外した状態を示す平面図、図11
は、従来の電子回路ユニットを示す断面図である。
【0004】図9に示すように、従来の電子回路ユニッ
ト20は、導電線路から成る各マイクロストリップライ
ンを同調素子や共振素子として用いており、ひとつの高
周波の発振(例えば、約690MHzの発振)に用いら
れる。この電子回路ユニット20は、ひとつの発振回路
を形成する、例えば、チップ型コンデンサや集積回路素
子などの電気部品30と、例えば、樹脂やセラミックス
などから成り、前記電気部品30が搭載された誘電体基
板40と、前記誘電体基板40に搭載された前記電気部
品30を覆うシールドケース45とを有している。
【0005】また、誘電体基板40の内部には、図11
に示すように、誘電体基板40の上面側に設けられた第
一層41としての各第一、第二、及び第三マイクロスト
リップライン41a、41b、41cと、第一層41の
下側に設けられた第二層42としての第2接地導体42
aと、誘電体基板40の下面側であって、第二層42の
下側に設けられた第三層43としての第四マイクロスト
リップライン43aとの四つの層が形成されている。即
ち、この誘電体基板40は、いわゆる多層構造に形成さ
れている。また、誘電体基板40の下面のほぼ全面に
は、導電体から成る第1接地導体40aが形成されてい
る。
【0006】また、図示していないが、電気部品30
と、第一、第二、及び第三マイクロストリップライン4
1a、41b、41cと、第2接地導体42aと、第四
マイクロストリップライン43aと、第1接地導体40
aとのそれぞれは、相互に所定の箇所でスルーホール
(図示せず)などによって接続されている。
【0007】また、図9に示すようにシールドケース4
5は、例えば、リン青銅板などの金属製導電材料から成
り、例えばプレス加工や切断・折り曲げ加工などによっ
て、形成され、略矩形の上壁45aと、上壁45aから
略垂直に延設され、四方を囲む側壁45bとを有してい
る。このシールドケース45は、前記電気部品30を搭
載した前記誘電体基板40上に前記電気部品30を覆う
ように取り付られている。また、シールドケース45
は、前記各接地導体40a、42aと電気的接続(図示
せず)がされている。
【0008】即ち、このひとつの発振回路が形成された
電子回路ユニット20は、シールドケース45によって
電気部品30が覆われており、このシールドケース45
は、誘電体基板40の側面に半田付けされており、且
つ、各接地導体40a、42aと接続されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述の電子回路ユニッ
トでは、例えば、約690MHzの発振のみのひとつの
高周波の発振を行うように構成されており、このことか
ら、例えば、約800MHz帯の携帯電話機では、ふた
つの異なる周波数の発振(例えば、RF用の約690M
Hzと、IF用の約260MHzとの発振)を必要とす
るので、異なる周波数の発振を行うそれぞれ別個の電子
回路ユニットをふたつ配設することが必要となる。
【0010】このことから、従来では、携帯電話機内に
ふたつの電子回路ユニットが配設されている。このふた
つの電子回路ユニットは、それぞれ別個に形成されてい
ることから、金属導電体板などから成るそれぞれ別のシ
ールドケースに覆われている。
【0011】そして、この金属導電体板などから成るシ
ールドケースは、比較的重量が重く、この個別のシール
ドケースにそれぞれ覆われたふたつの電子回路ユニット
を配設している携帯電話機は、重量が増加し、且つ、ふ
たつの電子回路ユニットを携帯電話機のマザー基板に配
設することからふたつの電子回路ユニットの配置の自由
度が制限され、よって、携帯電話機の設計の自由度が損
なわれるという問題があった。
【0012】そこで、本発明の電子回路ユニットは、上
述の問題を解決するもので、その目的は、電子回路ユニ
ットを軽量化し、更に、電子回路ユニットの配置の自由
度を向上することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】電子回路ユニットは、第
1の発振回路を形成する第1電気部品と第2の発振回路
を形成する第2電気部品とを搭載した誘電体基板と、該
誘電体基板の内部における上面側に並設して設けられた
導電体から成り、制御電圧印加用の第一マイクロストリ
ップラインと発振同調用の第二マイクロストリップライ
ンとバッファアンプ出力同調用の第三マイクロストリッ
プラインとを有する上面側層と、誘電体基板の内部にお
ける下面側に設けられ、導電体から成り、共振用の第四
マイクロストリップラインを有する下面側層と、誘電体
基板の下面に設けられた導電体から成る接地導体と、誘
電体基板に搭載した第1、第2電気部品を覆い、且つ、
接地導体と接続されたシールドケースとを備えているこ
とである。
【0014】また、電子回路ユニットは、第四マイクロ
ストリップラインが第2電気部品と重なるように形成さ
れていることである。
【0015】また、電子回路ユニットは、第1の発振回
路が、高周波用の発振回路であり、第2の発振回路が、
中間周波用の発振回路であることである。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子回路ユニット
について図面を用いて説明する。図1は、本発明の電子
回路ユニットの実施の形態を示す平面図、図2は、本発
明の電子回路ユニットからシールドケースを外した状態
の実施の形態を示す平面図、図3は、本発明の電子回路
ユニットの第1の層の実施の形態を示す平面図、図4
は、本発明の電子回路ユニットの第2の層の実施の形態
を示す平面図、図5は、本発明の電子回路ユニットの第
3の層の実施の形態を示す平面図、図6は、本発明の電
子回路ユニットの第4の層の実施の形態を示す平面図、
図7は、本発明の電子回路ユニットの第5の層の実施の
形態を示す平面図、図8は、本発明の電子回路ユニット
の実施の形態を示す断面図である。
【0017】図1に示すように、本発明の電子回路ユニ
ット10は、導電線路から成る各マイクロストリップラ
インを同調素子や共振素子として用いており、ふたつの
高周波の発振(例えば、約690MHzと約260MH
zとの発振)に用いられる。この電子回路ユニット10
は、例えば、形状の比較的小さなチップ型コンデンサや
チップ型抵抗器やチップ型コイルやバラクタダイオード
や集積回路素子などの電気部品1と、例えば、樹脂やセ
ラミックスなどから成り、前記電気部品1が搭載された
多層構造に構成された誘電体基板2と、該誘電体基板2
に搭載した前記電気部品1を覆うシールドケース9とを
有している。
【0018】また、電気部品1は、図1に示すように、
例えば、高周波用(RF用)の約690MHzの第1高
周波の発振を行うための第1の発振回路を形成する第1
電気部品1aと、例えば、中間周波用(IF用)の約2
60MHzの第2高周波の発振を行うための第2の発振
回路を形成する第2電気部品1bとを有している。この
とき、前記第1高周波よりも低い周波数を発振する前記
第2の発振回路(約260MHz用)は、チップ型コイ
ルやバラクタダイオードや集積回路素子などの第2電気
部品1bのみによって構成されている。
【0019】また、誘電体基板2の内部には、図8に示
すように、誘電体基板2の上面側に設けられた第1の層
3と、該第1の層3の下側に設けられた第2の層4と、
該第2の層4の下側に設けられた第3の層5と、該第3
の層5の下側に設けられた第4の層6と、誘電体基板2
の下面側であって、前記第4の層6の下側に設けられた
第5の層8との六つの層が形成されている。即ち、この
誘電体基板2は、いわゆる多層構造(六層)に形成され
ている。
【0020】そして、誘電体基板2の前記第5の層8を
形成する下面のほぼ全面には、導電体から成り、電子回
路ユニット10をシールドするための第1接地導体8a
と、第1接地導体8aに近接して設けられた複数個の矩
形状の端子8bとが形成されている(図7参照)。ま
た、前記各端子8bは、誘電体基板2の対向する外縁部
の近傍にそれぞれ規則的に形成されている。
【0021】また、図3に示すように、第1の層3は、
導電線路から成り、それぞれ所定の形状に設けられ、例
えば、制御電圧印加用の第一マイクロストリップライン
3aと、第一マイクロストリップライン3aの隣りに設
けられ、例えば、バッファアンプ出力同調用の第二マイ
クロストリップライン3bと、前記第一、第二マイクロ
ストリップライン3a、3bの隣りに設けられ、例え
ば、発振同調用の第三マイクロストリップライン3c
と、導電体から成り、前記第三マイクロストリップライ
ン3cの隣りに設けられた第2接地導体3dとがほぼ並
設して形成されている。ここで、この第1の層3が誘電
体基板2内の上面側層を形成している。
【0022】このとき、第2接地導体3dは、前記第三
マイクロストリップライン3cのほぼ三方を囲むように
形成されている。また、前記第一、第二マイクロストリ
ップライン3a、3bは、前記第1電気部品1a全体の
占める領域とほぼ全てで対向し、そして、前記第三マイ
クロストリップライン3cの一部は、前記第2電気部品
1b全体の占める領域と対向するように形成されてい
る。このことから第一、第二、及び第三マイクロストリ
ップライン3a、3b、3cは、それぞれ比較的広い面
積に形成されている。
【0023】また、図4に示すように、第2の層4は、
導電体から成り、前記第1の層3のほぼ全面にて対向す
るように第3接地導体4aが形成されている。
【0024】また、図5に示すように、第3の層5は、
導電線路から成り、所定の形状に設けられ、例えば、共
振用の第四マイクロストリップライン5aが形成されて
いる。この第四マイクロストリップライン5aは、前述
の第1の層3を構成する第一、第二、及び第三マイクロ
ストリップライン3a、3b、3cの占める領域とほぼ
対向する位置に形成され、且つ、前記第1電気部品1a
全体の占める領域のほぼ全てと、更に、前記第2電気部
品1b全体の占める領域の一部とに対向する位置に形成
されている。
【0025】このことから第四マイクロストリップライ
ン5aは、比較的広い面積に形成されている。また、こ
の第四マイクロストリップライン5aは、その面積を調
整することによって、発振周波数を調整することが出来
るように形成されている。ここで、この第3の層5が誘
電体基板2内の下面側層を形成している。
【0026】また、図6に示すように、第4の層6は、
導電体から成り、前記第2の層4のほぼ全面にて対向す
るように第4接地導体6aが形成されている。
【0027】そして、上述の第1電気部品1aと、第
一、第二、及び第三マイクロストリップライン3a、3
b、3cと、第四マイクロストリップライン4aとのそ
れぞれは、相互に所定の箇所でスルーホール(図示せ
ず)などによって接続され、これによって、約690M
Hzの第1高周波の発振を行うための第1の発振回路が
形成されている。
【0028】また、図1に示すように、シールドケース
9は、例えば、リン青銅板などの金属製導電材料から成
り、例えばプレス加工や切断・折り曲げ加工などによっ
て、形成され、略矩形の上壁9aと、上壁9aから略垂
直に延設され、四方を囲む側壁9bとを有している。こ
のシールドケース9は、前記第1、第2電気部品1a、
1bを搭載した前記誘電体基板2上に前記電気部品1
a、1bを覆うように取り付られている。また、シール
ドケース9は、前記各接地導体8a、3d、4a、6a
と電気的接続(図示せず)がされている。
【0029】即ち、このふたつの発振回路が形成された
電子回路ユニット10は、ひとつのシールドケース9に
よって前記第1、第2電気部品1a、1bが覆われてお
り、このシールドケース9は、誘電体基板2の側面に半
田付けされており、且つ、第1、第2、第3、及び第4
接地導体8a、3d、4a、6aとにそれぞれ接続され
ている。
【0030】なお、上述の電子回路ユニットの第一、第
二、及び第三マイクロストリップライン3a、3b、3
cは、並接された実施の形態について説明したが、これ
に限定されず、各マイクロストリップライン3a、3
b、3cが同一平面状の所定の位置に設けられ、その位
置の占める領域に対応して、第四マイクロストリップラ
イン4aが配置されていれば良いことは勿論である。
【0031】なお、上述の電子回路ユニットでは、第1
の発振回路を約690MHzの発振をする高周波発振と
し、又、第2の発振回路を約260MHzの発振をする
中間周波発振としたが、これに限定されず、異なるふた
つの発振を行うふたつの発振回路が形成されていれば良
い。
【0032】
【発明の効果】以上のように、本発明の電子回路ユニッ
トは、ふたつの発振回路を形成する誘電体基板に搭載し
た第1、第2電気部品を覆い、且つ、接地導体と接続さ
れたシールドケースを備えていることによって、従来の
別個のシールドケースにそれぞれ覆われたふたつの電子
回路ユニットを合わせた重さに比較して、軽量化された
電子回路ユニットを提供できるという効果を奏する。
【0033】また、本発明の電子回路ユニットは、共振
用の前記第四マイクロストリップラインが前記第2電気
部品と対向するように形成されていることによって、第
四マイクロストリップラインが従来に比較して、充分大
きな面積にて形成できるので、第四マイクロストリップ
ラインによる発振周波数調整の範囲が広く成ることか
ら、安定した高い製品歩留まりの電子回路ユニットを提
供できる。
【0034】また、本発明の電子回路ユニットは、第1
の発振回路が、高周波用の発振回路であり、第2の発振
回路が、中間周波用の発振回路であることよって、この
ふたつの発振回路を備えた電圧制御発振器は携帯電話機
に用いるとが出来、この電圧制御発振器(VCO)の配
置の自由度が従来に比較して、より増加し、且つ、軽量
化された安価な電子回路ユニットが配設された携帯電話
機を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子回路ユニットの実施の形態を示す
平面図である。
【図2】本発明の電子回路ユニットからシールドケース
を外した状態の実施の形態を示す平面図である。
【図3】本発明の電子回路ユニットの第1の層の実施の
形態を示す平面図である。
【図4】本発明の電子回路ユニットの第2の層の実施の
形態を示す平面図である。
【図5】本発明の電子回路ユニットの第3の層の実施の
形態を示す平面図である。
【図6】本発明の電子回路ユニットの第4の層の実施の
形態を示す平面図である。
【図7】本発明の電子回路ユニットの第5の層の実施の
形態を示す平面図である。
【図8】本発明の電子回路ユニットの実施の形態を示す
断面図である。
【図9】従来の電子回路ユニットを示す平面図である。
【図10】従来の電子回路ユニットからシールドケース
を外した状態を示す平面図である。
【図11】従来の電子回路ユニットを示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 電気部品 1a 第1電気部品 1b 第2電気部品 2 誘電体基板 3 第1の層(上面側層) 3a 第一マイクロストリップライン 3b 第二マイクロストリップライン 3c 第三マイクロストリップライン 3d 第2接地導体 4 第2の層 4a 第3接地導体 5 第3の層(下面側層) 5a 第四マイクロストリップライン 8 第5の層 8a 第1接地導体 8b 端子 9 シールドケース 10 電子回路ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 Z 5K016 9/00 9/00 R 5K020 Fターム(参考) 5E321 AA02 AA17 CC12 GG05 5E338 AA03 BB75 CC02 EE13 5E346 BB02 BB04 BB16 HH01 5J014 CA00 5J081 AA11 AA19 BB01 BB06 BB10 CC42 EE02 EE03 EE09 EE14 EE18 JJ04 JJ12 JJ14 JJ19 LL01 MM07 MM08 5K016 AA08 AA14 BA06 CB05 DA02 EA09 GA02 HA05 HA06 HA09 5K020 DD11 GG04 HH03

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の発振回路を形成する第1電気部品と
    第2の発振回路を形成する第2電気部品とを搭載した誘
    電体基板と、 該誘電体基板の内部における上面側に並設して設けられ
    た導電体から成り、制御電圧印加用の第一マイクロスト
    リップラインと発振同調用の第二マイクロストリップラ
    インとバッファアンプ出力同調用の第三マイクロストリ
    ップラインとを有する上面側層と、 前記誘電体基板の内部における下面側に設けられ、導電
    体から成り、共振用の第四マイクロストリップラインを
    有する下面側層と、 前記誘電体基板の下面に設けられた導電体から成る接地
    導体と、 前記誘電体基板に搭載した前記第1、第2電気部品を覆
    い、且つ、前記接地導体と接続されたシールドケースと
    を備えていることを特徴とする電子回路ユニット。
  2. 【請求項2】前記第四マイクロストリップラインが前記
    第2電気部品と重なるように形成されていることを特徴
    とする請求項1記載の電子回路ユニット。
  3. 【請求項3】前記第1の発振回路が、高周波用の発振回
    路であり、前記第2の発振回路が、中間周波用の発振回
    路であることを特徴とする請求項1、又は2記載の電子
    回路ユニット。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727767B2 (en) 2001-09-28 2004-04-27 Seiko Epson Corp Voltage controlled oscillator with two layered mounting structure

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