JP2001160510A - コイル装置 - Google Patents

コイル装置

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JP2001160510A
JP2001160510A JP34262499A JP34262499A JP2001160510A JP 2001160510 A JP2001160510 A JP 2001160510A JP 34262499 A JP34262499 A JP 34262499A JP 34262499 A JP34262499 A JP 34262499A JP 2001160510 A JP2001160510 A JP 2001160510A
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coil
base
circuit board
coil device
insulating layer
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Hisashi Kosara
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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造組み立ての容易で、高周波特性に優れたコ
イル装置を提供する。 【解決手段】第1及び第2の基体7、17は、樹脂と、
強磁性粉末とを含む複合磁性体で構成されている。第1
及び第2のコイル9、19は第1及び第2の基体7、1
7の一面上に渦巻き状に形成され、内端がスルーホール
導体を介して第1及び第2の基体7、17の他面側に導
かれている。第1の回路基板7および第2の回路基板1
7は、第1のコイル9を有する面と、第2のコイル19
を有する面とが、互いに対向するように配置されてい
る。非磁性絶縁層5は第1の回路基板1と第2の回路基
板3との間に備えられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コイル装置に関す
る。本発明に係るコイル装置は、特に、コモンモードチ
ョークコイルとして用いるのに適したものである。その
他、トランスとしても用いることができる。
【0002】
【従来の技術】従来、よく知られていたコモンモードチ
ョークコイルは、トロイダルコアに線材を巻回した構造
のものが一般的であったが、最近、小型化、量産化及び
磁気特性の改善等の観点から、積層構造のコモンモード
チョークコイルが提案され、実用に供されている。
【0003】積層型のコイル装置(コモンモードチョー
クコイル)を製造する場合、連続するプロセスによっ
て、必要な磁性層、電極パターン及び絶縁層を順次に積
層するのが一般的であった。例えば、特開平8−335
517号公報に開示されているコモンモードチョークコ
イルでは、フェライトでなる磁性体基板を用い、その上
にうず巻き状の第1のコイルを形成する。
【0004】フェライトでなる第1の磁性体基板はその
表面性が悪く、高精度のパターンを有する第1のコイル
を形成することが困難である。そこで、フェライトでな
る第1の磁性体基板の上に、第1の絶縁層を形成した
後、この第1の絶縁層の上に、第1のコイルを形成す
る。
【0005】次に、上述のようにして形成された第1の
コイルを覆うように、第2の絶縁層を積層し、更に第2
の絶縁層の上に、うず巻き状の第2のコイルを形成す
る。第2のコイルは、第2の絶縁層によって、第1のコ
イルから電気的に絶縁される。
【0006】次に、第2のコイルを覆うように、第3の
絶縁層を形成する。第3の絶縁層の上には、フェライト
でなる第2の磁性体基板が積層される。第2の磁性体基
板は、第3の絶縁層と対面する側の表面に、第1のコイ
ルの取り出し電極の1つと、第2のコイルの取り出し電
極の1つとが設けられている。
【0007】第1のコイル及び第2のコイルは、うず巻
き状であるので、その内端はコイル形成面を通って外部
に引き出すことができない。上述した公知文献に記載の
発明では、第2の絶縁層及び第3の絶縁層を順次に貫通
するスルーホール導体を設け、このスルーホール導体に
よって、第1のコイルの内端を、第2の磁性体基板上に
設けられた取り出し電極に導通させてある。第2のコイ
ルの内端は、第3の絶縁層に設けられたスルーホール導
体を介して、第2の磁性体基板の上に設けられた取り出
し電極に導通される。
【0008】第2の磁性体基板の上に設けられた取り出
し電極と、第3の絶縁層に設けられたスルーホール導体
とは、相互に対向させ、位置を合わせ、押圧して接触さ
せる。
【0009】上述した積層工程は、第1の磁性体基板の
上で、連続するプロセスとして実行される。また、第1
のコイル、第2のコイル及び取り出し電極は、スッパッ
タによって導体膜を形成した後、フォトリソグラフィ工
程によってパターニングすることによって得られる。
【0010】上述したように、従来、積層型のコイル装
置(コモンモードチョークコイル)を製造する場合、連
続するプロセスによって、必要な磁性層、電極パターン
及び絶縁層を順次に積層するのが一般的であった。この
ため、多くのプロセスが必要になるという問題点があっ
た。
【0011】しかも、積層工程には、絶縁層の形成工程
―第1のコイルのためのスパッタ成膜、及び、フォトリ
ソグラフィの適用によるパターニング工程、第2の絶縁
層の形成工程、第2のコイルのためのスパッタ成膜工
程、フォトリソグラフィの適用によるパターニング工
程、第3の絶縁層の形成工程、取り出し電極のためのス
パッタ成膜工程、及び、フォトリソグラフィの適用によ
るパターニング工程等、異なるプロセスが含まれる。こ
のような異なるプロセスを、第1の磁性体基板の上で実
行しなければならない。このため、プロセスが複雑にな
る。
【0012】更に、第2の磁性体基板の上に設けられた
取り出し電極と、第3の絶縁層に設けられたスルーホー
ル導体とを、相互に対向させ、位置を合わせ、押圧して
接触させる必要がある。
【0013】しかし、取り出し電極およびスルーホール
導体のパターンが微細なため、両者を正確に位置合わせ
することが困難である。また、押圧する接続方法は、接
触不良等の問題が生じる。
【0014】プロセスの簡素化、短縮等を目的として、
第1の絶縁層及び第1のコイルを形成した第1の磁性体
基板と、取り出し電極、第3の絶縁層及び第2のコイル
を形成した第2の磁性体基板とを、第2の絶縁層を介し
て積層する工法が考えられる。しかし、この場合には、
第1の磁性体基板側に設けられたスルーホール導体と、
第2の磁性体基板側に設けられたスルーホール導体とを
位置合わせしなければならない。スルーホール導体は、
極微細であるから、このような位置合わせは、極めて困
難である。しかも、スルーホール導体を、正確に位置合
わせできたとしても、スルーホール導体の端面を電気的
に接触させて導通をとることになるので、接触不良等の
問題が生じやすい。
【0015】また、上述した公知文献に記載があるよう
に、従来はコアとなる磁性体基板を、フェライトで構成
するのが一般的であった。このため、高周波、特に、1
GHz以上の高周波数領域でノイズを吸収し得るコモン
モードチョークコイルを実現することができなかった。
【0016】即ち、最近のパソコン、或いは、その他の
電子情報機器においては、数100MHz以上の周波数
を持つパルスが用いられるようになり、装置内に発生す
る高調波ノイズは1GHz以上にも達する。発生した高
調波ノイズは、伝送線路を通り、コモンモードノイズと
して装置の内外に伝播する。コモンモードチョークコイ
ルはそのようなコモンモードノイズを除去するために用
いられるものであるが、フェライトでなる磁性体基板
は、1GHz以上の高調波ノイズは吸収することができ
ない。
【0017】更に、磁性体基板をフェライトによって構
成した場合、その表面性がよくないために、高精度パタ
ーンの電極を形成するには、磁性体基板に絶縁層を設
け、その上にコイル等を形成しなければならない。この
ため、コイルと、磁性体基板との間に絶縁層による間隔
が生じ、両者間の結合が悪くなる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、製造
組み立ての容易なコイル装置を提供することである。
【0019】本発明のもう一つの課題は、コイルの電気
的接続に関して、高い信頼性が得られるコイル装置を提
供することである。
【0020】本発明の更にもう一つの課題は、高精度の
導体パタ−ンを有するコイル装置を提供することであ
る。
【0021】本発明の更にもう一つの課題は、1GHz
以上の高調波領域でノイズを吸収し得るコイル装置、特
に、コモンモードチョークコイルを提供することであ
る。
【0022】本発明のさらにもう一つの課題は、コイル
間の結合、及び、コイルと磁性基板との間の結合度の高
いコイル装置を提供することである。
【0023】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るコイル装置は、第1の回路基板と、
第2の回路基板と、非磁性絶縁層とを含む。
【0024】前記第1の回路基板は、第1の基体と、第
1のコイルとを含む。前記第1の基体は、樹脂と、強磁
性粉末とを含む複合磁性体で構成されている。前記第1
のコイルは、前記第1の基体の一面上に渦巻き状に形成
されており、内端が前記第1の基体の厚み方向に貫通す
るスルーホール導体を介して前記第1の基体の他面側に
導かれている。
【0025】前記第2の回路基板は、第2の基体と、第
2のコイルとを含む。前記第2の基体は、樹脂と、強磁
性粉末とを含む複合磁性体で構成されている。前記第2
のコイルは、前記第2の基体の一面上に渦巻き状に形成
されており、内端が前記第2の基体の厚み方向に貫通す
るスルーホール導体を介して前記第2の基体の他面側に
導かれている。
【0026】前記第1の回路基板および前記第2の回路
基板は、前記第1のコイルを有する面と、前記第2のコ
イルを有する面とを互いに対向するように配置されてい
る。前記非磁性絶縁層は、前記第1の回路基板と、前記
第2の回路基板との間に備えられている上述したよう
に、第1の回路基板は、第1の基体と第1のコイルとを
含んでいる。第1のコイルは、第1の基体の一面上に形
成され、内端が第1の基体の厚み方向に貫通するスルー
ホール導体を介して第1の基体の他面側に導かれてい
る。従って、第1の回路基板は、それ自体、完成したコ
イル基板の形態を有する。
【0027】第2の回路基板は、第1の回路基板と同様
な構造を有しているから、第2の回路基板も、それ自
体、完成したコイル基板の形態を有する。
【0028】本発明に係るコイル装置では、上述した第
1の回路基板および第2の回路基板との間に、非磁性絶
縁層が備えられている。即ち、それ自体、完成したコイ
ル基板の形態を有する第1の回路基板及び第2の回路基
板の間に非磁性絶縁層を配置するだけでよい。このた
め、製造組立が容易になる。
【0029】第1の回路基板および第2の回路基板は、
第1のコイルを有する面と、第2のコイルを有する面と
が、互いに対向するように配置されているから、第1の
コイル及び第2のコイルの結合度が極めて高くなる。し
かも、第1のコイル及び第2のコイルは、渦巻き状に形
成されているから、必要なインダクタンスを得るのに必
要な線路長を確保することができる。更に、第1のコイ
ルは第1の基体の一面上に形成され、第2のコイルは第
2の基体の一面上に形成されているから、平面コイルと
なり、極めて薄くなる。
【0030】第1のコイルの内端は、第1の基体の厚み
方向に貫通するスルーホール導体を介して第1の基体の
他面側に導びかれているので、コイル端末の一つである
内端を、第1の基体の他面を通り、リード電極の付与さ
れる第1の基板上の側端面側に導くことができる。ま
た、第1のコイルの外端は、第1の基体の一面側にある
ので、コイル端末の他の1つである外端を、第1の基体
の一面を通り、リード電極の付与される第1の基板上の
側端面側に導くことができる。第2の回路基板も、第1
の回路基板と同様な構造を有しているから、第1の回路
基板と同様のコイル端末引出構造を採用することができ
る。したがって、電気的接続に関して高い信頼性が得ら
れる。
【0031】第1の基体および第2の基体は、樹脂と、
強磁性粉末とを含む複合磁性体で構成されているから、
表面性がよくなる。このため、微細なコイルパタ−ンを
断線させることなく形成することができる。
【0032】また、樹脂の種類、または強磁性粉末の種
類、含有量、もしくは配合比等の選択によって、必要な
磁気特性を得ることができる。例えば、高周波特性に優
れたトランスや、1GHz以上の高周波領域において、
優れたノイズ吸収特性を示すコモンモードチョークコイ
ルを得ることができる。
【0033】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係るコイル装置の
分解斜視図、図2は図1に示されたコイル装置の組み立
て斜視図、図3は図1の3−3線に沿った断面図であ
る。図示されたコイル装置は、コモンモードチョークコ
イルとして用いるのに適したものである。但し、高周波
トランスまたはインダクタ等として用いることもでき
る。図示されたコイル装置は、第1の回路基板1と、第
2の回路基板3と、非磁性絶縁層5とを含む。
【0034】第1の回路基板1は、第1の基体7と、第
1のコイル9とを含む。第1の基体7は、樹脂と、強磁
性粉末とを含む複合磁性体で構成されている。樹脂の種
類、または強磁性粉末の種類、含有量、もしくは配合比
等は、要求される特性に応じて選択される。例えば、高
周波特性の改善を目的とした場合は、樹脂としては、エ
ポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビスマレイイ
ミドトリアジン系またはフッ素系の少なくとも1種を用
いることができる。好ましくは、多官能エポキシ及びビ
スフェノ−ルA型高分子エポキシを用い、硬化剤とし
て、ビスフェノ−ルA型ノボラックを用いることができ
る。
【0035】強磁性粉末としては、Ni/Zn系フェラ
イト、プラナ系フェライトまたはMn/Zn系フェライ
トを用いることができる。更に、強磁性粉末として、F
e、NiもしくはCoから選択された少なくとも1種の
強磁性金属、またはこれらの合金を用いることができ
る。合金の例としては、FeCo合金、FeNi合金、NiCo合
金、FeCoNi合金、FeSi合金またはFeMn合金等がある。
【0036】第1の基体7は、更に無機質成分を含んで
いてもよい。無機質成分は、ガラスクロス、ガラス不織
布、アラミド不織布の少なくとも1種を含むことができ
る。
【0037】図4は第1の回路基板1の正面図、図5は
図4の5−5線に沿った拡大断面図である。図示された
第1のコイル9は、第1の基体7の一面上に、適当な巻
回数で、渦巻き状に形成されている。第1のコイル9の
内端24は、第1の基体7の厚み方向に貫通するスルー
ホール導体15を介して、第1の基体7の他面側13に
導かれている。第1のコイル9の内端24は、第1の基
体7の一面上11にあって、渦巻き状の導体パターンの
中心近傍に設けられ、スルーホール導体15によって他
面側13に導かれている。スルーホール導体15は、他
面側13のリード電極27に接続されている。リード電
極27は、第1の基体7の側端面に導かれている。第1
のコイル9の外端(巻き始端とする)はリード電極26
により、第1の基体7の側端面に導かれている。リード
電極26及びリード電極27は、第1の基体7の互いに
対向する両側端面に導かれている。
【0038】第2の回路基板3は、図1に図示されてい
るように、第2の基体17と、第2のコイル19とを含
む。第2の基体17は、樹脂と、強磁性粉末とを含む複
合磁性体で構成されている。第2の基体17を構成する
樹脂及び強磁性粉末としては、第1の基体7の構成材料
として述べた材料を用いることができる。
【0039】第2のコイル19は、第2の基体17の一
面21上に渦巻き状に形成されている。第2のコイル1
9の内端28は、第2の基体17の一面上21にあっ
て、渦巻き状の導体パターンの中心近傍に設けられ、ス
ルーホール導体37で他面側23に導かれている。スル
ーホール導体37は、他面側23のリード電極31に接
続されている。リード電極31は、第2の基体17の側
端面に導かれている。第2のコイル19の外端(巻き始
端とする)はリード電極29により、第2の基体17の
側端面に導かれている。リード電極29及びリード電極
31は、第2の基体17の互いに対向する両側端面に導
かれている。
【0040】更に、図1〜図5を参照すると明らかなよ
うに、第1のコイル9のリード電極25は外部端子75
に接続され、リード電極27は外部端子77に接続さ
れ、第2のコイル19のリード電極29は外部端子79
に接続され、リード電極31は外部端子81に接続され
ている。外部端子75、79は、同一の側端面に付着さ
れ、外部端子77、81は、外部端子75、79の付着
された側端面と対向する他の側端面に付着されている。
これらの外部端子は、回路基板等に実装する場合にはん
だ付け部分として利用される。
【0041】第1の回路基板1および第2の回路基板3
は、第1のコイル9を有する面11と、第2のコイル1
9を有する面21とが互いに対向するように配置されて
いる。実施例では、第1のコイル9及び第2のコイル1
9は、第1の回路基板1および第2の回路基板3を重ね
合わせた状態で、第1の基体7の他面側13からみて同
じ方向C1に巻かれている。
【0042】非磁性絶縁層5は、第1の回路基板1と、
第2の回路基板3との間に備えられている。これによ
り、複合磁性体でなる第1の基体7及び第2の基体17
を、非磁性絶縁層5によって磁気的に分離する共に、第
1のコイル9及び第2のコイル19の生じる磁束に対す
るコアとして機能させるコイル装置が得られる。第1の
基体7の他面側13に保護層33を積層し、第2の基体
17の他面側23に保護層35を積層してもよい。
【0043】図6は図1〜図5に示したコイル装置の電
気回路図である。図示するように、図1〜図5に示した
コイル装置において、第1のコイル9は、巻き始端(外
端)を外部端子75に接続し、巻き終端(内端)を外部
端子77に接続した構成となる。また、第2のコイル1
9は、巻き始端(外端)を外部端子79に接続し、巻き
終端(内端)を外部端子81に接続した構成となる。
【0044】上述したように、第1の回路基板1は、第
1の基体7と第1のコイル9とを含んでいる。第1のコ
イル9は、第1の基体7の一面側11に形成され、内端
24が第1の基体7の厚み方向に貫通するスルーホール
導体15を介して第1の基体7の他面側13に導かれて
いる。従って、第1の回路基板17は、それ自体、完成
したコイル基板の形態を有する。
【0045】第2の回路基板3も、第1の回路基板1と
同様な構造を有しているから、第2の回路基板3も、そ
れ自体、完成したコイル基板の形態を有する。本発明に
係るコイル装置では、図1に示されているように、第1
の回路基板1および第2の回路基板3との間に、非磁性
絶縁層5が備えられている。即ち、それ自体、完成した
コイル基板の形態を有する第1の回路基板1及び第2の
回路基板3の間に非磁性絶縁層5を配置するだけでよ
い。このため、製造組立が容易になる。
【0046】第1の回路基板1および第2の回路基板3
は、第1のコイル9を有する面11と、第2のコイル1
9を有する面21とが、互いに対向するように配置され
ているから、第1のコイル9及び第2のコイル19の結
合度が極めて高くなる。しかも、第1のコイル9及び第
2のコイル19は、渦巻き状に形成されているから、線
路長を巻回数によって調節し、必要なインダクタンスを
得ることができる。
【0047】第1のコイル9の内端24は、第1の基体
7の厚み方向に貫通するスルーホール導体15を介して
第1の基体7の他面側13に導びかれているので、コイ
ル端末の一つである内端24を、第1の基体7の他面側
13を通り、リード電極27の付与される第1の基板7
上の側端面側に導くことができる。
【0048】また、第1のコイル9の外端26は、第1
の基体7の一面側11にあるので、コイル端末の他の1
つである外端26を、第1の基体7の一面側11を通
り、外部端子79の付与される側端面側に導くことがで
きる。
【0049】第2の回路基板3は、第1の回路基板1と
同様な構造を有しているから、第1の回路基板1と同様
のコイル端末引出構造を採用することができる。したが
って、電気的接続に関して高い信頼性が得られる。
【0050】第1の基体7および第2の基体17は、樹
脂と、強磁性粉末とを含む複合磁性体で構成されている
から、表面性がよくなる。このため、微細なコイルパタ
−ンを断線させることもなく、形成し得る。この点は、
例えば、従来より周知のプリント回路基板の例を思い浮
かべれば明らかである。
【0051】また、樹脂の種類または強磁性粉末の種
類、含有量、もしくは配合比等の選択によって、必要な
磁気特性を得ることができる。
【0052】図1〜図6は、第1の回路基板1及び第2
の回路基板3を互いに重ね合わせた状態において、第1
のコイル9及び第2のコイル19が、第1の基体7の他
面側13からみて、同じ方向C1に巻かれている具体例
を示した。これとは異なって、第1のコイル9及び第2
のコイル19は、第1の基体7の他面側13からみて、
互いに逆方向に巻かれていてもよい。
【0053】図7は第1のコイル9及び第2のコイル1
9が、第1の基体7の他面側13からみて、逆方向に巻
かれている場合の電気回路図である。図7において、第
1のコイル9は、巻き始端(外端)を外部端子75に接
続し、巻き終端(内端)を外部端子77に接続した構成
となる。第2のコイル19は、巻き始端(外端)を外部
端子81に接続し、巻き終端(内端)を外部端子79に
接続した構成となる。
【0054】図8は図1〜図6に示したコイル装置をコ
モンモードチョークコイルとして用いた場合の電気回路
図である。図において、図6に現れた構成部分と同一の
構成部分については、同一の参照符号を付してある。図
示するように、コモンモードチョークコイルとして用い
る場合は、外部端子75、79を入力側IN1、IN2
に接続し、外部端子77、81を出力側OUT1、OU
T2に接続する。外部端子75、79から同相で伝播さ
れたコモンモードノイズ電流Inは、第1のコイル9及
び第2のコイル19を通って流れる際、複合磁性体で構
成された第1の基板7及び第2の基板17による吸収作
用を受ける。出力側OUT1、OUT2から伝播してく
るコモンモードノイズに対しても、同様の吸収作用が得
られる。入力信号Isは、外部端子75と、外部端子7
9とに異なった位相で入力されるので、第1及び第2の
コイル9、19に流れる電流によって生じる磁界が互い
に打ち消しあい、インピーダンスを生じない。従って、
信号Isは、外部端子75、79から外部端子77、8
1に、減衰することなく伝播される。
【0055】図9は図1〜図6に示したコイル装置をト
ランスとして用いた場合の電気回路図である。図におい
て、図6に現れた構成部分と同一の構成部分について
は、同一の参照符号を付してある。図示するように、ト
ランスとして用いる場合は、外部端子79、81を入力
側IN1、IN2に接続し、外部端子75、77を出力
側OUT1、OUT2に接続する。または、これとは逆
に、外部端子75、77を入力側IN1、IN2に接続
し、外部端子79、81を出力側OUT1、OUT2に
接続してもよい。
【0056】図10は図7に示したコイル装置をコモン
モードチョークコイルとして用いた場合の電気回路図で
ある。図において、図7に現れた構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付してある。図示す
るように、図7に示したコイル装置をコモンモードチョ
ークコイルとして用いる場合は、外部端子75、81を
入力側IN1、IN2に接続し、外部端子77、79を
出力側OUT1、OUT2に接続する。外部端子75、
81から同相で伝播されたコモンモードノイズ電流In
は、第1のコイル9及び第2のコイル19を通って流れ
る際、複合磁性体で構成された第1の基板及び第2の基
板による吸収作用を受ける。出力側OUT1、OUT2
から出力端子77、79に伝播してくるコモンモードノ
イズに対しても、同様の吸収作用が得られる。入力信号
Isは、外部端子75と、外部端子81とに異なった位
相で入力されるので、互いに磁界が打ち消されてインピ
ーダンスを生じない。従って、信号Isは、外部端子7
5、81から外部端子77、79に減衰することなく、
伝播される。
【0057】図11は図7に示したコイル装置をトラン
スとして用いた場合の電気回路図である。図において、
図7に現れた構成部分と同一の構成部分については、同
一の参照符号を付してある。図示するように、図7に示
したコイル装置をトランスとして用いる場合は、外部端
子79、81を入力側IN1、IN2に接続し、外部端
子75、77を出力側OUT1、OUT2に接続する。
または、これとは逆に、外部端子75、77を入力側I
N1、IN2に接続し、外部端子79、81を出力側O
UT1、OUT2に接続してもよい。
【0058】次に、本発明に係るコイル装置において、
良好な磁気特性を得るためには、第1のコイル9と、第
2のコイル19との間の結合係数(M)は可能な限り、
1に近いことが理想である。実用的には0.9以上が必
要である。本発明に係るコイル装置において、結合係数
(M)は第1の基体7及び第2の基体17を構成する複
合磁性体の比透磁率μに依存する。複合磁性体の比透磁
率μと結合係数(M)の関係を表1に示す。
【0059】表1に示すように、0.9以上の結合係数
(M)を得るためには、比透磁率μが、μ≧2を満たす
ことが必要である。本発明に係るコイル装置では、第1
の回路基板1を構成する第1の基体7、及び、第2の回
路基板3を構成する第2の基体17が、樹脂と、強磁性
粉末とを含む複合磁性体で構成されているので、樹脂の
種類、または強磁性粉末の種類、含有量もしくは配合比
等の選択によって、上述した条件を容易に満たすことが
できる。
【0060】次に、上述したような比透磁率μを有する
複合磁性体の具体例について説明する。
【0061】<強磁性粉>Ni/Cu/Zn系フェライ
ト組成物を、800℃の温度条件で、2時間で熱処理
し、所定の粒度まで粉砕した。具体的組成として、Fe20
3=64.33wt%、NiO=10.92wt%、CuO=
6.13wt%、ZnO=18.62wt%の混合比で、
比透磁率μ=230のフェライト磁性粉が得られた。
【0062】<樹脂>複合磁性体を構成する樹脂として
は、エポキシ系樹脂を用いた。具体的には、多官能エポ
キシ樹脂と、ビスフェノール樹脂と、ビスフェノールA
型高分子エポキシ樹脂とを用いた。硬化剤としては、ビ
スフェノールA型ノボラック樹脂を用いた。これらの樹
脂は特開平9−59486号公報に開示されている。
【0063】更に詳しくは、多官能エポキシ樹脂を30
〜80wt%、ビスフェノールA型高分子エポキシ樹脂
を10〜40wt%、テトラフェニロールエタン型エポ
キシ樹脂5〜35wt%を主成分とし、主成分100重
量部に対して、硬化剤としてピスフエノールA型ノボラ
ック樹脂を5〜30重量部、硬化促進剤としてイミダゾ
ール0.1〜5重量部を加えた。
【0064】多官能エポキシ樹脂として、エピピス型エ
ポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製エビコート100
1およびエビコート1007)をそれぞれ26.9wt
%ずつ含有させ、また、ピスフエノールA型高分子エポ
キシ樹脂(油化シェルエポキシ社製エビコート122
5)を23.1wt%、特殊骨格を持つエポキシ樹脂と
して、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂(油化
シェルエポキシ社製エビコート1031S)を23.1
wt%をそれぞれ含むものを主成分とし、硬化剤として
ピスフエノールA型ノボラック樹脂(油化シェルエポキ
シ社製Ym129B65)を加え、硬化促進剤としてイ
ミダゾール化合物(四国化成工業社製2E4MZ)を加
えたものを用いた。
【0065】<基体の成形>基体の成型に当たっては、
上述した樹脂および強磁性粉を所定の割合で混合し、有
機溶剤中で溶解、混合、分散した後、ドクターブレード
法によりシート状に成型した後、乾燥させた。その後、
所定の枚数を加圧し、加熱して、4mm以下の厚みの基
体を得た。このような方法によると、フェライトのよう
にもろくないので基体の板厚を薄くできる。また、表面
性がよいので微細な回路基板に供せられる基体が得られ
る。
【0066】<基体の比透磁率μ>このようにして得ら
れる基体の比透磁率μは、強磁性粉末の混合割合に応じ
て変化する。次に、強磁性粉末の混合割合(wt%)
と、比透磁率μとの関係について表2に示す。
【0067】表2によると、強磁性粉末の添加量が10
wt%以上であれば、比透磁率μ≧2を満たすことがで
きる。強磁性粉末の添加量が90wt%を越えると、比
透磁率μ≧9.8にもなるが、相対的に、複合磁性体中
の樹脂の割合が少なくなり、成形が困難になる。また、
強磁性粉末の添加量が10wt%未満の範囲では、比透
磁率μ<2となり、所定の磁気特性が得られなくなる。
【0068】図12は周波数に対するコイルの結合係数
(M)を示す図である。図において、曲線M1は、Ni
/Zn系焼結フェライトの強磁性粉末と、樹脂とを含む
複合磁性体を用いて第1の回路基板7及び第2の回路基
板17を構成した本発明に係るコイル装置の特性、曲線
M2はNi/Zn系焼結フェライト材料を用いて第1の
回路基板7及び第2の回路基板17を構成した従来のコ
イル装置の特性を示している。
【0069】図12を参照すると、従来のコイル装置の
場合、結合係数(M)は、特性曲線M2に示すように、
200MHzまでは初期値を維持しているが、それ以上
の周波数で急激に下降し、1GHzでは0.65まで低
下している。
【0070】これに対して、本発明に係るコイル装置の
場合、結合係数(M)は、特性曲線M1に示すように、
2GHzまで初期値を維持し、3GHzで0.8までし
か下降していない。従って、本発明に係るコイル装置に
よれば、1GHz以上の高周波に対しも、高い結合係数
(M)を確保し得る高周波用のトランスまたはコモンモ
ードチョークコイルを実現することができる。
【0071】図13は周波数に対するコイルのインピー
ダンスを示す図である。図において、曲線Z1は、Ni
/Zn系焼結フェライトの強磁性粉末と、樹脂とを含む
複合磁性体を用いて第1の回路基板7及び第2の回路基
板17を構成した本発明に係るコイル装置の特性、曲線
Z2はNi/Zn系焼結フェライト材料を用いて第1の
回路基板7及び第2の回路基板17を構成した従来のコ
イル装置の特性を示している。
【0072】図13を参照すると、従来のコイル装置の
場合、インピーダンスは、特性曲線Z2に示すように、
200MHzで最高値1000(Ω)となり、1GHz
においては数10(Ω)まで低下した。
【0073】これに対して、本発明に係るコイル装置の
場合、インピーダンスは、特性曲線Z1に示すように、
1.5GHzで、従来のコイル装置の200MHzの場
合と、同程度のインピーダンスを得ることができ、3G
Hzでも数100(Ω)のインピーダンスを得ることが
できた。このような周波数ーインピーダンス特性は、本
発明に係るコイル装置をコモンモードチョークコイルに
用いた場合、1GHz以上のコモンモードノイズを吸収
できることを示している。
【0074】第1の基体7及び第2の基体17は、更に
無機質成分を含んでいてもよい。無機質成分は、ガラス
クロス、ガラス不織布またはアラミド不織布の少なくと
も1種を含むことができる。
【0075】表3は無機質成分の混入、混入される無機
質成分の種類及び非混入と不良発生数との関係を示して
いる。表3のデータを得るに当たっては、第1の基体7
(または第2の基体17)を、各データ採取サンプル毎
に10個用意した。第1の基体7(または第2の基体1
7)の厚みは200μmとした。この第1の基体7(ま
たは第2の基体17)の上に、第1のコイル9(または
第2のコイル19)を、フォトリソグラフィ工程及びエ
ッチング工程を通して形成した。表3には、このプロセ
スにおいて欠けを発生した第1の基体7(または第2の
基体17)の数を不良数として示した。
【0076】表3に示すように、無機質成分を含まない
サンプルでは、10個のサンプル中、3個のサンプル
が、基板欠けによる不良品となった。これに対して、無
機質成分として、ガラスクロス、ガラス不織布またはア
ラミド不織布を混入したサンプルでは、不良数は零であ
った。このデータから、第1の基体7(または第2の基
体17)に無機質成分を混入させることにより、歩留ま
りを著しく向上させ得ることは明らかである。従って、
歩留向上によるコストダウンに寄与することができる。
【0077】本発明に係るコイル装置において、非磁性
絶縁層5は、好ましくは、熱硬化型の有機樹脂材料で構
成する。この場合、非磁性絶縁層5の厚みは、好ましく
は、100μm以下に設定する。表4は、非磁性絶縁層
5の厚みと、結合係数(M)との関係を示している。表
4に示すデータは、第1の基体7及び第2の基体17
を、比透磁率μ=5の複合磁性体によって構成した場合
のデータである。
【0078】表4に示すように、非磁性絶縁層5の厚み
が100μm以下の範囲では、0.9以上の高い結合係
数(M)を示す。これに対して、非磁性絶縁層5の厚み
が100μmを越すと、結合係数(M)が0.8以下と
なり、結合係数(M)が著しく劣化する。しかも、非磁
性絶縁層5を、熱硬化型の有機樹脂材料によって構成す
ることにより、10μm以下の厚みを実現することがで
き、0.94以上の極めて高い結合係数(M)を確保す
ることができる。
【0079】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 (a)製造組み立ての容易なコイル装置を提供すること
ができる。 (b)コイルの電気的接続に関して、高い信頼性が得ら
れるコイル装置を提供することができる。 (c)高精度のプリントパタ−ンを複合磁性体基板に形
成することができるコイル装置を提供することができ
る。 (d)1GHz以上の高調波領域でノイズ吸収し得るコ
イル装置を提供することができる。 (e)コイルと、磁性体基板との間の結合度の高いコイ
ル装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るコイル装置の分解斜視図である。
【図2】図1に示されたコイル装置の組み立て斜視図で
ある。
【図3】図2の3−3線に沿った拡大断面図である。
【図4】本発明に係る回路基板の平面図である。
【図5】図4の5−5線に沿った拡大断面図である。
【図6】本発明に係るコイル装置の回路図である。
【図7】本発明に係るコイル装置の別の実施例における
回路図である。
【図8】図1〜図6に示したコイル装置をコモンモード
チョークコイルとして用いた場合の電気回路図である。
【図9】図1〜図6に示したコイル装置をトランスとし
て用いた場合の電気回路図である。
【図10】図7に示したコイル装置をコモンモードチョ
ークコイルとして用いた場合の電気回路図である。
【図11】図7に示したコイル装置をトランスとして用
いた場合の電気回路図である。
【図12】コイル装置の周波数と結合係数(M)との関
係を示すグラフである。
【図13】コイル装置の周波数とインピーダンスとの関
係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 第1の回路基板 3 第2の回路基板 5 非磁性絶縁層 7 第1の基体 9 第1のコイル 17 第2の基体 19 第2のコイル
フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA02 BB11 BB15 BB24 BB29 BB49 DD01 GG07 5E041 AA05 AA11 AA19 AB01 AB02 BB01 BB03 BB05 CA01 CA02 NN04 5E070 AA01 AA20 AB01 AB07 BA11 BB03 BB10 CB02 CB17

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の回路基板と、第2の回路基板と、
    非磁性絶縁層とを含むコイル装置であって、 前記第1の回路基板は、第1の基体と、第1のコイルと
    を含み、 前記第1の基体は、樹脂と、強磁性粉末とを含む複合磁
    性体で構成されており、 前記第1のコイルは、前記第1の基体の一面上に渦巻き
    状に形成され、内端が前記第1の基体の厚み方向に貫通
    するスルーホール導体を介して前記第1の基体の他面側
    に導かれており、 前記第2の回路基板は、第2の基体と、第2のコイルと
    を含み、 前記第2の基体は、樹脂と、強磁性粉末とを含む複合磁
    性体で構成されており、 前記第2のコイルは、前記第2の基体の一面上に渦巻き
    状に形成され、内端が前記第2の基体の厚み方向に貫通
    するスルーホール導体を介して前記第2の基体の他面側
    に導かれており、 前記第1の回路基板および前記第2の回路基板は、前記
    第1のコイルを有する面と、前記第2のコイルを有する
    面とが互いに対向するように配置されており、 前記非磁性絶縁層は、前記第1の回路基板と、前記第2
    の回路基板との間に備えられているコイル装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載されたコイル装置であっ
    て、 前記第1のコイルおよび前記第2のコイルは、前記第1
    の基体の他面側から見て互いに同一方向に巻かれている
    コイル装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載されたコイル装置であっ
    て、 前記第1のコイルおよび前記第2のコイルは、前記第1
    の基体の他面側から見て互いに反対方向に巻かれている
    コイル装置。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3の何れかに記載されたコ
    イル装置であって、 前記第1の基体および前記第2の基体は、1GHzにお
    ける実効比透磁率μeが、μe≧2を満たすコイル装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載されたコ
    イル装置であって、 前記強磁性粉末は、Ni/Zn系フェライト、プラナ系
    フェライトまたはMn/Zn系フェライトの少なくとも
    1種を含むコイル装置。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5の何れかに記載されたコ
    イル装置であって、 前記強磁性粉末は、Fe、NiまたはCoから選択され
    た少なくとも1種を含む磁性金属からなるコイル装置。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6の何れかに記載されたコ
    イル装置であって、 前記強磁性粉末は、Fe、NiまたはCoから選択され
    た少なくとも1種を含む合金であるコイル装置。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至7の何れかに記載されたコ
    イル装置であって、 前記強磁性粉末の含有量は、10〜90wt%であるコ
    イル装置。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至8の何れかに記載されたコ
    イル装置であって、 前記樹脂は、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール
    系、ビスマレイイミドトリアジン系またはフッ素系の少
    なくとも1種を含むコイル装置。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至9の何れかに記載された
    コイル装置であって、 前記第1の基体及び前記第2の基体は、更に無機質成分
    を含み、 前記無機質成分は、ガラスクロス、ガラス不織布または
    アラミド不織布の少なくとも1種を含むコイル装置。
  11. 【請求項11】 請求項1乃至10の何れかに記載され
    たコイル装置であって、 前記非磁性絶縁層は、熱硬化樹脂でなり、厚みが100
    μm以下であるコイル装置。
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