JP2001185426A

JP2001185426A - ノイズ吸収素子

Info

Publication number: JP2001185426A
Application number: JP37048499A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Kosara; 恒小更; Ryoei Shinohara; 良栄篠原
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-12-27
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2001-07-06

Abstract

(57)【要約】【課題】阻止周波数帯域の広いノイズ吸収素子を提供す
る。【解決手段】絶縁基体１は、磁性層１１を含む。コイル
導体２１、２２のそれぞれは、磁性層１１の層厚方向の
両面に平面状に配置され、電気的に直列に接続されてい
る。コイル導体２１、２２のそれぞれに流れる電流によ
って生じる磁束Φ１、Φ２に対する磁路は、磁性層１１
を境界として互いに実質的に分離される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ノイズ吸収素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】パソコンを始めとするデジタル機器で
は、データ転送速度、及び、処理速度の高速化に伴い、
信号が高周波化され、周波数自体も多周波化されつつあ
る。その結果として生じるノイズも、従来のＭＨｚ帯か
ら、ＧＨｚ帯の周波数成分を含む領域まで、高周波化及
び広帯域化される方向にある。

【０００３】上述したデジタル機器におけるノイズを吸
収する手段としては、従来より、低域通過型フィルタと
して動作する積層型ノイズ吸収素子が知られている。積
層型ノイズ吸収素子は、フェライトでなる磁性層の内部
に導体を埋設した構造を持ち、フェライトペーストと、
導体ペーストまたは金属箔とを、印刷技術または厚膜シ
ート積層法等によって積層することによって得られる。

【０００４】磁性層を構成するフェライト磁性材料とし
て、低直流抵抗であるＡｇ及びＡｇ合金と同時焼成する
目的で、低温焼結の可能なＮｉ／Ｃｕ／Ｚｎ系フェライ
トを用いたものが知られている。しかし、Ｎｉ／Ｃｕ／
Ｚｎ系フェライトは誘電率が１０〜１５程度であり、導
体パターン間に発生する浮遊容量が大きくなる。このた
め、自己共振周波数を高くすることができず、高周波で
の使用に制限を受ける。

【０００５】別のフェライト磁性材料の例として、高透
磁率材料であるＭｎ系、高周波材料であるプラナー系な
どがあるが、焼成温度が高く、また、焼成雰囲気の制御
などが必要なために、金属内部導体との同時焼成には適
さない。

【０００６】しかも、フェライトチップビーズの形態を
採る積層形ノイズ吸収素子の場合、インピーダンスのピ
ークは比透磁率μの低い材料を用いても７００〜８００
ＭＨｚ程度であり、ＧＨｚ帯域でのノイズ吸収はできな
い。インピーダンス値を増加するのに、巻数を増加させ
たり、高透磁率材料を使用すればよいが、そのピーク値
が低周波側にシフトする。

【０００７】特開平８ー７８２１８号公報は、強磁性金
属粉と絶縁樹脂とを混合した複合部材でなる絶縁基体の
内部に信号線用電極を設け、絶縁基体の表面にアース用
電極を設けたノイズ吸収素子を開示している。このノイ
ズ吸収素子によれば、１ＧＨｚ以上の高周波成分を吸収
できる高域阻止及び低域通過特性を有するノイズ吸収素
子が得られる。しかし、このノイズ吸収素子は強磁性金
属粉を用いるため、高域阻止周波数特性がシャープであ
り、阻止周波数領域を拡大するのに向いていない。

【０００８】特開平１０ー２７０２５５号公報に開示さ
れた高周波チップビーズ素子は、金属磁性粉またはフェ
ライト粉と絶縁樹脂とを混合した磁性絶縁基体を用い、
この磁性絶縁基体の内部に信号導体を螺旋状に埋設して
ある。この高周波チップビーズ素子は、フェライトの残
留損失を利用し、強磁性金属粉を用いた場合と比較し
て、阻止周波数領域が広くなるという利点がある。しか
し、インピーダンスのピークは１つであるから、阻止周
波数領域の拡大には限界がある。

【０００９】また、外部端子導体と、内部コイルとなる
信号導体との間や、コイル間に浮遊容量が発生し、自己
共振周波数をもつようになるから、高周波での使用に制
限を受けることがある。

【００１０】特開昭６２ー９８６０５号公報は、誘電体
基板の両面にコイル導体を設けた構造において、誘電体
基板の一方面に固着されたコイル導体の大きさを、誘電
体の他方面に固着されたコイル導体の大きさよりも小さ
くし、それによって、浮遊容量を低減させ、自己共振周
波数の低下を防止したプリントコイルを開示している。

【００１１】しかしながら、この公知文献に記載された
プリントコイルは、誘電体基板の両面に設けた導体コイ
ルを同一のコイルとして動作させるようにしたものであ
って、１つの周波数ーインピーダンス特性を示すだけで
あるから、阻止周波数領域の拡大には限界がある。しか
も、ＧＨｚ領域でノイズ吸収特性を示す旨の記載はな
い。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、阻止
周波数帯域の広いノイズ吸収素子を提供することであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るノイズ吸収素子は、絶縁基体と、少
なくとも２つのコイル導体とを含む。前記絶縁基体は、
少なくとも１つの磁性層を含む。前記コイル導体のそれ
ぞれは、前記磁性層の層厚方向の両面に平面状に配置さ
れ、電気的に直列に接続されている。前記コイル導体の
それぞれに流れる電流によって生じる磁束に対する磁路
は、前記磁性層を境界として互いに実質的に分離され
る。

【００１４】上述したように、本発明に係るノイズ吸収
装置において、コイル導体のそれぞれは、電気的に直列
に接続されており、コイル導体のそれぞれに流れる電流
によって生じる磁束に対する磁路は、磁性層を境界とし
て互いに実質的に分離されるから、両コイル導体間の相
互結合は、実質的に無視できる。即ち、２つのコイル導
体は、互いに、実質的に独立するインダクタンス素子と
して機能する。従って、ノイズ吸収素子の全体としての
特性は、実質的に独立するインダクタンス素子の特性を
合成した特性となる。このため、阻止周波数帯域が広く
なる。

【００１５】絶縁基体は、好ましい態様として、更に、
第２および第３の磁性層を含む。第２の磁性層は、磁性
層の層厚方向の一面側において、コイル導体の一方を覆
っている。第３の磁性層は、磁性層の層厚方向の前記一
面と対向する他面側において、コイル導体の他方を覆っ
ている。このような構造によれば、コイル導体のそれぞ
れに流れる電流によって生じる磁束が、磁性層の層厚方
向に拡がるのを、第２及び第３の磁性層によって抑える
ことができる。このため、磁気効率が高くなり、高イン
ピーダンス化を実現できる。

【００１６】好ましくは、磁性層および第２もしくは第
３の磁性層のそれぞれは、磁性粉と絶縁樹脂とを混合し
た複合磁性材料でなる。これによれば、磁性粉および絶
縁樹脂の選択により、２つのコイル導体を通る周波数信
号に含まれる高周波領域の不要な高周波成分を、絶縁基
体の吸収作用によって確実に吸収できる。具体的には、
１ＧＨｚ以上の高周波帯域において吸収作用（高域阻
止）を生じ、それよりも低い周波数帯域に属する信号は
通過させる（低域通過）ノイズ吸収素子となる。従っ
て、本発明に係るノイズ吸収素子は、低域通過型フィル
タとして用いることができる。

【００１７】磁性粉には、金属磁性粉やフェライト粉な
どを用いることができる。金属磁性粉を用いた場合は、
インダクタンス素子の個々の高域阻止周波数特性はシャ
ープになるが、本発明に係るノイズ吸収素子によれば、
独立するインダクタンス素子の特性を合成した特性を得
ることができる。このため、阻止周波数帯域は広くな
る。このような金属磁性粉の具体例としては、例えば、
カーボニル鉄またはパーマロイを挙げることができる。

【００１８】フェライト粉を用いた場合は、金属粉を用
いた場合よりも、高域阻止周波数特性がブロードであ
る。このため、強磁性金属粉を用いた場合と比較して、
阻止周波数領域がより広くなる。また、フェライト粉を
用いた場合、フェライト粉の残留損失を積極的に利用
し、周波数阻止領域を拡大できる。フェライト粉は多結
晶体であり、強磁性金属粉と比較して、広い周波数領域
にわたって、残留損失を発生する。このようなフェライ
ト粉の具体例としては、例えば、Ｎｉ／Ｚｎ系、Ｍｎ／
Ｚｎ系、プラナー系またはＮｉ／Ｃｕ／Ｚｎ系のフェラ
イトを挙げることができる。

【００１９】絶縁樹脂は、特に種類は問わないが、エポ
キシ系、フェノール系、ポリイミド系、ＢＴ系またはフ
ッ素系の樹脂を用いることができる。これらの絶縁樹脂
は、単独で用いることもできるし、併用することもでき
る。

【００２０】上記絶縁樹脂の内、エポキシ樹脂の具体例
としては、例えば、多官能エポキシ樹脂とビスフェノー
ルＡ型高分子エポキシ樹脂との混合物を主成分とする材
料（特開平９−５９４８６号公報参照）を挙げることが
できる。

【００２１】磁性粉の含有量は、絶縁樹脂に対して１０
ｗｔ％〜９０ｗｔ％の範囲が好ましい。１０ｗｔ％未満
では、十分な磁気特性が得られない。９０ｗｔ％を超え
ると、絶縁樹脂と磁性粉とを均一に混合することが困難
になり、絶縁基体の機械的強度が大幅に低下する。

【００２２】好ましくは、コイル導体のそれぞれは、外
端が、前記磁性層の長さ方向の相対する両端縁まで導か
れ、取り出し電極部となる。この構造によれば、浮遊容
量が低減され、結果として、ノイズ吸収素子の自己共振
周波数が伸び、ノイズ除去効果が高周波域まで向上す
る。

【００２３】本発明に係るノイズ吸収素子は、好ましい
態様として、少なくとも２つの端子電極を含む。端子電
極のそれぞれは、磁性層の相対する両側端面に形成さ
れ、コイル導体の両端に電気的に接続されている。この
構造によれば、本発明に係るノイズ吸収素子は、表面実
装タイプの電子部品として用いることができる。

【００２４】本発明は、更に、上述した金属磁性粉、フ
ェライト粉および絶縁樹脂の詳細についても開示してい
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係るノイズ吸収素
子の分解斜視図、図２は図１に示したノイズ吸収素子の
斜視図、図３は図２の３−３線に沿った拡大断面図であ
る。図示されたノイズ吸収素子は、絶縁基体１と、コイ
ル導体２１、２２とを含む。

【００２６】絶縁基体１は、磁性層１１を含む。コイル
導体２１、２２のそれぞれは、磁性層１１の層厚方向の
両面に平面状に配置され、電気的に直列に接続されてい
る。コイル導体２１、２２のそれぞれに流れる電流によ
って生じる磁束Φ１、Φ２（図３参照）に対する磁路
は、磁性層１１を境界として互いに実質的に分離され
る。

【００２７】コイル導体２１、２２は、図示実施例で
は、渦巻き状に形成され、コイル内端部が、磁性層１１
を厚み方向に貫通する貫通導体１１０によって、互いに
接続されている。また、コイル導体２１、２２は、磁性
層１１の一面からみて、流れる電流に対する磁束Φ１、
Φ２が、互いに逆方向となるように形成されている。

【００２８】コイル導体２１、２２のそれぞれは、互い
のインピーダンス特性が異なればよい。そのパターン形
状、巻き数、巻き方向、線幅、線間スペース、膜厚など
については、特に限定はなく、種々の選択が可能であ
る。

【００２９】図４は図１〜図３に示されたノイズ吸収素
子の電気的等価回路図である。図４に示すように、図１
〜３に示したノイズ吸収素子は、コイル導体２１によっ
て発生するインダクタンスＬ１と、コイル導体２２によ
って発生するインダクタンスＬ２とを端子電極４１−４
２間に直列に挿入した等価回路となる。高周波回路にお
いて用いられた場合は、コイル導体２１、２２に発生す
る分布容量、及び、貫通導体１１０のインダクタンス分
を考慮する。

【００３０】図５は図１〜図３に図示されたノイズ吸収
素子の周波数−インピーダンス特性を示す図である。図
において、破線ａ１はインダクタンス素子Ｌ１の周波数
−インピーダンス特性を表し、破線ａ２はインダクタン
ス素子Ｌ２の周波数−インピーダンス特性を表し、実線
Ａはノイズ吸収素子Ｌの周波数−インピーダンス特性を
表す。

【００３１】上述したように、図１〜図３に図示された
ノイズ吸収装置において、コイル導体２１、２２のそれ
ぞれは、電気的に直列に接続されており、コイル導体２
１、２２のそれぞれに流れる電流によって生じる磁束Φ
１、Φ２（図３参照）に対する磁路は、磁性層１１を境
界として互いに実質的に分離されるから、両コイル導体
２１−２２間の相互結合は、実質的に無視できる。即
ち、２つのコイル導体２１、２２は、互いに、実質的に
独立するインダクタンス素子Ｌ１、Ｌ２として機能す
る。従って、ノイズ吸収素子Ｌの全体としての特性は、
図５に示すように、実質的に独立するインダクタンス素
子Ｌ１の特性（破線ａ１）とインダクタンス素子Ｌ２の
特性（破線ａ２）とを合成した特性（実線Ａ）となる。
このため、阻止周波数帯域が広くなる。

【００３２】図１〜３に示した実施例では、絶縁基体１
は、更に、第２の磁性層１２と、第３の磁性層１３とを
含む。第２の磁性層１２は、磁性層１１の層厚方向の一
面側において、コイル導体２１を覆っている。第３の磁
性層１３は、磁性層１１の層厚方向の前記一面と対向す
る他面側において、コイル導体２２を覆っている。この
ような構造によれば、磁束Φ１は、磁性層１１の層厚方
向に拡がるのを、第２の磁性層１２によって抑えられ、
磁束Φ２は、磁性層１１の層厚方向に拡がるのを、第３
の磁性層１３によって抑えられる。このため、ノイズ吸
収素子の磁気効率が高くなり、高インピーダンス化を実
現できる。

【００３３】図１〜３に示した実施例では、コイル導体
２１の外端は、絶縁基体１の長さ方向の一端縁まで導か
れ、取り出し電極部２１０となり、コイル導体２２の外
端は、絶縁基体１の長さ方向の他端縁まで導かれ、取り
出し電極部２２０となる。この構造によれば、浮遊容量
が低減され、結果として、ノイズ吸収素子の自己共振周
波数が伸び、ノイズ除去効果が高周波域まで向上する。

【００３４】このようなコイル導体２１、２２の形成手
段としては、フォトリソグラフィ工程およびエッチング
工程等を含む高精度パターン形成技術が適用される。こ
の高精度パターン形成技術の適用により、例えば、線幅
６０μｍ、線間スペース６０μｍ、膜厚２５μｍ程度の
コイル導体２１、２２が形成される。

【００３５】コイル導体２１、２２が銅でなる場合、こ
の後、コイル導体２１、２２の表面に、２μｍ程度の膜
厚を有するＮｉ膜、更にその上に０．１μｍ程度の膜厚
を有するＡｕ膜を付着させ、酸化防止膜とすることが好
ましい。

【００３６】図１〜３に示したノイズ吸収素子は、更に
端子電極４１、４２を含む。端子電極４１は、磁性層１
１の一端側の端面に形成され、コイル導体２１の一端に
電気的に接続されている。端子電極４２は、磁性層１１
の他端側の端面に形成され、コイル導体２２の一端に電
気的に接続されている。具体的には、図２、３に示すよ
うに、端子電極４１は、絶縁基体１の長さ方向の一端側
の端面に備えられ、コイル導体２１の取り出し電極部２
１０に接続される。端子電極４２は、絶縁基体１の長さ
方向の他端側の端面に備えられ、コイル導体２２の取り
出し電極部２２０に接続される。この構造によれば、本
発明に係るノイズ吸収素子は、表面実装タイプの電子部
品として用いることができる。

【００３７】図６は本発明に係るノイズ吸収素子の別の
実施例を概略的に示す図である。図６に示したノイズ吸
収素子は、絶縁基体１の長さ方向の一端側の端面に端子
電極４１１、４２１、…、４ｎ１を備え、絶縁基体１の
長さ方向の他端側の端面に端子電極４１２、４２２、
…、４ｎ２を備える。

【００３８】端子電極４１１−４１２間には、ｍ個のコ
イル導体によって発生するインダクタンスＬ１１、Ｌ１
２、…、Ｌ１ｍが直列に挿入され、端子電極４２１−４
２２間には、ｍ個のコイル導体によって発生するインダ
クタンスＬ２１、Ｌ２２、…、Ｌ２ｍが直列に挿入さ
れ、端子電極４ｎ１−４ｎ２間には、ｍ個のコイル導体
によって発生するインダクタンスＬｎ１、Ｌｎ２、…、
Ｌｎｍが直列に挿入される。ｎ、ｍは自然数である。

【００３９】絶縁基体１に含まれる回路構成数は、個数
ｎによって決まり、阻止周波数帯域の広さは、各端子間
に挿入されるコイル導体の個数ｍを変えることによって
調整できる。ただし、個数ｎは必要に応じて任意に変更
できる。また、個数ｍは、ｍ≧２の条件を満たす範囲
で、任意に変更できる。

【００４０】図６に示す構成は、図１〜３に図示した構
造を、ノイズ吸収素子の厚さ方向（積層方向）に繰り返
すか、ノイズ吸収素子の面方向に繰り返すか、または、
両者を組み合わせることによって実現することができ
る。磁性層１１、第２の磁性層１２および第３の磁性
層１３のそれぞれは、磁性粉と絶縁樹脂とを混合した複
合磁性材料で構成することができる。これによれば、磁
性粉および絶縁樹脂の選択により、２つのコイル導体２
１、２２を通る周波数信号に含まれる高周波領域の不要
な高周波成分を、絶縁基体１の吸収作用によって確実に
吸収できる。具体的には、１ＧＨｚ以上の高周波帯域に
おいて吸収作用（高域阻止）を生じ、それよりも低い周
波数帯域に属する信号は通過させる（低域通過）ノイズ
吸収素子となる。したがって、本発明に係るノイズ吸収
素子は、低域通過型フィルタとして用いることができ
る。しかも、樹脂を用いることによって、従来のような
高温（約９００℃）でなく、１００℃〜２００℃の低温
で製品を得ることができるため、焼成温度や焼成雰囲気
の制限にとらわれず、絶縁基体１を容易に製造できる。

【００４１】磁性粉は、金属磁性粉もしくはフェライト
粉の少なくとも一種を含むことができる。金属磁性粉を
用いた場合は、インダクタンス素子の個々の高域阻止周
波数特性はシャープになるが、本発明に係るノイズ吸収
素子によれば、独立するインダクタンス素子の特性を合
成した特性を得ることができる。このため、阻止周波数
帯域は広くなる。このような金属磁性粉の具体例として
は、例えば、カーボニル鉄またはパーマロイを挙げるこ
とができる。

【００４２】フェライト粉を用いた場合は、金属磁性粉
を用いた場合よりも、高域阻止周波数特性がブロードで
ある。このため、強磁性金属粉を用いた場合と比較し
て、阻止周波数帯域がより広くなる。また、フェライト
粉を用いた場合、フェライト粉の残留損失を積極的に利
用し、阻止周波数帯域を拡大できる。フェライト粉は多
結晶体であり、強磁性金属粉と比較して、広い周波数帯
域にわたって、残留損失を発生する。このようなフェラ
イト粉の具体例としては、例えば、Ｎｉ／Ｚｎ系、Ｍｎ
／Ｚｎ系、プラナー系またはＮｉ／Ｃｕ／Ｚｎ系のフェ
ライトを挙げることができる。

【００４３】しかも、カーボニル鉄等の金属磁性粉に比
べ、フェライト材料は、フェライト系及びフェライト組
成の選択幅が広く、磁気的特性を、必要に応じて、広い
範囲で設計できる利点が得られる。

【００４４】更に、金属磁性粉（カーボニル鉄）と絶縁
樹脂とを混合させた複合材料の場合、絶縁性を確保する
ために、カーボニル鉄の表面を酸化処理し、高抵抗膜を
形成しなければならない。これに対して、フェライトを
用いた場合は、そのような前処理が不要であるから、製
造工程を短縮することができる。

【００４５】金属磁性粉及びフェライト粉の両者を含む
場合は、その含有量によって、両者の合成特性またはい
ずれかの特性を優先させたノイズ吸収素子を得ることが
できる。

【００４６】絶縁樹脂は、特に種類は問わないが、エポ
キシ系、フェノール系、ポリイミド系、ＢＴ系またはフ
ッ素系の樹脂において、良好な特性が得られることを確
認している。これらの絶縁樹脂は、単独で用いることも
できるし、併用することもできる。上記絶縁樹脂の内、
エポキシ系樹脂の具体例としては、例えば、多官能エポ
キシ樹脂とビスフェノールＡ型高分子エポキシ樹脂との
混合物を主成分とする材料（特開平９−５９４８６号公
報参照）を挙げることができる。

【００４７】具体的には、上記混合物は、多官能エポキ
シ樹脂を３０〜８０ｗｔ％含有し、ビスフェノールＡ型
高分子エポキシ樹脂を１０〜４０ｗｔ％含有し、テトラ
フェニロールエタン型エポキシ樹脂を５〜３５ｗｔ％含
有する。この混合物の他に、硬化剤としてビスフェノー
ルＡ型ノボラック樹脂が添加され、硬化促進剤としてイ
ミダゾールが添加される。その配合比率は、上記混合物
１００重量部に対して、硬化剤が５〜３０重量部であ
り、硬化促進剤が０．１〜５重量部である。

【００４８】絶縁樹脂と磁性粉との混合比は、磁気特性
及び機械的強度に大きな影響を与える。絶縁樹脂に対す
る磁性粉の添加量を変化させたときの、絶縁基体１の比
透磁率と、その機械的強度との関係を表１に示す。表１
のデータを得るに当たっては、磁性粉として、Ｎｉ／Ｃ
ｕ／Ｚｎ系フェライト粉を用い、絶縁樹脂として、上記
エポキシ系樹脂を用いた。そして、エポキシ系樹脂に対
するフェライト粉の含有量を０ｗｔ％、１０ｗｔ％、４
０ｗｔ％、８０ｗｔ％、９０ｗｔ％及び９５ｗｔ％の６
段階に選定した。

【００４９】表１に示すように、絶縁樹脂に対する磁性
粉の添加量を多くする程、比透磁率が高くなり、優れた
ノイズフィルタ作用が得られる。しかし、磁性粉の添加
量が１０ｗｔ％未満では、比透磁率μが２より小さくな
り、十分な磁気特性が得られない。また、磁性粉の添加
量が９５ｗｔ％になると、絶縁樹脂と磁性粉とを均一に
混合することが困難になり、成型が困難になる。絶縁基
体１に成型できたとしても、十分な機械的強度が得られ
ないため、実用には適さない。この結果から、磁性粉の
好ましい添加量が１０〜９０ｗｔ％程度であることは、
明らかである。

【００５０】更に、絶縁基体１は、更に無機質成分を含
んでいてもよい。無機質成分は、ガラスクロス、ガラス
不織布またはアラミド不織布の少なくとも一種を含んで
いてもよい。これらの無機質成分は、補強材の役割を果
たし、絶縁基体１に欠け、クラック等のトラブルが発生
するのを確実に防止する。したがって、歩留りを著しく
向上させることができ、コストダウンに大きく寄与す
る。

【００５１】次に、複合磁性材料の組成を変えたノイズ
吸収素子のサンプルを２つ用意し、それぞれのサンプル
について、周波数−インピーダンス特性を調べた。（ａ）サンプル１サンプル１は、絶縁基体１が図１〜４に図示された構造
を有する直方体状であって、長さ寸法が３．２ｍｍで、
幅寸法が１．６ｍｍで、厚さ寸法が０．５５ｍｍであ
る。

【００５２】複合磁性材料を構成する磁性粉には、フェ
ライト粉を用いた。具体的には、比透磁率２３０のＮｉ
／Ｃｕ／Ｚｎ系フェライト組成物を８００℃の温度条件
で、２時間熱処理し、所定の粒度まで粉砕したものを使
用した。その具体的な配合比率は、Ｆｅ₂Ｏ₃＝６４．３
３ｗｔ％、ＮｉＯ＝１０．９２ｗｔ％、ＣｕＯ＝６．１
３ｗｔ％、ＺｎＯ＝１８．６２ｗｔ％である。

【００５３】また、絶縁樹脂には、エポキシ系樹脂を用
いた。具体的には、多官能エポキシ樹脂として、エピビ
ス型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製エピコート
１００１およびエピコート１００７）をそれぞれ２６．
９ｗｔ％ずつ含有し、ビスフェノールＡ型高分子エポキ
シ樹脂（油化シェルエポキシ社製エピコート１２２５）
を２３．１ｗｔ％含有し、特殊骨格を持つエポキシ樹脂
として、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂（油
化シェルエポキシ社製エピコート１０３１Ｓ）を２３．
１ｗｔ％含有するものを主成分とし、硬化剤としてビス
フェノールＡ型ノボラック樹脂（油化シェルエポキシ社
製ＹＬＨ１２９Ｂ６５）を加え、硬化促進剤としてイミ
ダゾール化合物（四国化成工業社製２Ｅ４ＭＺ）を加え
たものを用いた。

【００５４】絶縁樹脂に対する磁性粉の添加量は、７８
ｗｔ％とした。これによって得られた複合磁性材料の比
透磁率は５であった。

【００５５】図７はサンプル１の周波数−インピーダン
ス特性を示す図である。図示するように、サンプル１の
場合、５ＧＨｚ程度の周波数においてピークＰ１が発生
し、９ＧＨｚ程度の周波数において、もう一つのピーク
Ｐ２が発生する。ピークＰ１におけるインピーダンス値
は４５０Ω程度であり、ピークＰ２におけるインピーダ
ンス値は６４０Ω程度である。したがって、ＧＨｚ領域
の高周波数帯域でノイズをカットすることができる。（ｂ）サンプル２サンプル２は、サンプル１と同じ形状であって、その寸
法も同じである。また、複合磁性材料を構成する絶縁樹
脂には、サンプル１と同じエポキシ系樹脂を用いた。

【００５６】磁性粉には、金属磁性粉を用いた。具体的
には、ＢＡＳＦ社製カーボニル鉄ＥＷ−１を使用した。
絶縁樹脂に対する磁性粉の含有量は、８０ｗｔ％に選定
した。

【００５７】図８はサンプル２の周波数−インピーダン
ス特性を示す図である。図示するように、サンプル２の
場合、４ＧＨｚ程度の周波数においてピークＰ１が発生
し、８ＧＨｚ程度の周波数においてピークＰ２が発生し
ている。ピークＰ１におけるインピーダンス値は７２０
Ω程度であり、ピークＰ２におけるインピーダンス値は
５２０Ω程度である。このため、サンプル２のノイズ吸
収素子も、ＧＨｚ領域の高周波数帯域でノイズをカット
することができる。

【００５８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、阻
止周波数帯域の広いノイズ吸収素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るノイズ吸収素子の分解斜視図であ
る。

【図２】図１に示したノイズ吸収素子の斜視図である。

【図３】図２の３−３線に沿った拡大断面図である。

【図４】図１〜３に示したノイズ吸収素子の電気的等価
回路図である。

【図５】図１〜３に示したノイズ吸収素子の周波数−イ
ンピーダンス特性を概略的に示す図である。

【図６】本発明に係るノイズ吸収素子の別の実施例を概
略的に示す図である。

【図７】サンプル１の周波数−インピーダンス特性を示
す図である。

【図８】サンプル２の周波数−インピーダンス特性を示
す図である。

【符号の説明】

１絶縁基体１１磁性層１２第２の磁性層１３第３の磁性層２１、２２コイル導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E043 AA08 BA01 5E058 BB09 BB20 5E070 AA01 AB02 BA12 BB03 CB13 CB18 EA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基体と、少なくとも２つのコイル導
体とを含むノイズ吸収素子であって、前記絶縁基体は、少なくとも１つの磁性層を含み、前記コイル導体のそれぞれは、前記磁性層の層厚方向の
両面に配置され、電気的に直列に接続されており、前記コイル導体のそれぞれに流れる電流によって生じる
磁束に対する磁路は、前記磁性層を境界として互いに実
質的に分離されるノイズ吸収素子。
【請求項２】請求項１に記載されたノイズ吸収素子で
あって、前記絶縁基体は、更に、第２および第３の磁性層を含ん
でおり、前記第２の磁性層は、前記磁性層の層厚方向の前記一面
側において、前記コイル導体の一方を覆っており、前記第３の磁性層は、前記磁性層の層厚方向の前記一面
と対向する他面側において、前記コイル導体の他方を覆
っているノイズ吸収素子。
【請求項３】請求項１または２の何れかに記載された
ノイズ吸収素子であって、前記磁性層および前記第２もしくは第３の磁性層のそれ
ぞれは、絶縁樹脂と磁性粉とを混合した複合磁性材料で
なるノイズ吸収素子。
【請求項４】請求項３に記載されたノイズ吸収素子で
あって、前記磁性粉の含有量は、前記絶縁樹脂に対して１０ｗｔ
％〜９０ｗｔ％の範囲であるノイズ吸収素子。
【請求項５】請求項１乃至４の何れかに記載されたノ
イズ吸収素子であって、前記磁性層または前記第２もしくは第３の磁性層の少な
くとも一種は、前記磁性粉が金属磁性粉を含むノイズ吸
収素子。
【請求項６】請求項４に記載されたノイズ吸収素子で
あって、前記金属磁性粉は、カーボニル鉄またはパーマロイの少
なくとも一種を含むノイズ吸収素子。
【請求項７】請求項１乃至４の何れかに記載されたノ
イズ吸収素子であって、前記磁性層または前記第２もしくは第３の磁性層の少な
くとも一種は、前記磁性粉がフェライト粉を含むノイズ
吸収素子。
【請求項８】請求項７に記載されたノイズ吸収素子で
あって、前記フェライト粉は、Ｎｉ／Ｚｎ系、Ｍｎ／Ｚｎ系、プ
ラナー系またはＮｉ／Ｃｕ／Ｚｎ系のフェライトから選
択された少なくとも一種を含むノイズ吸収素子。
【請求項９】請求項１乃至８の何れかに記載されたノ
イズ吸収素子であって、前記コイル導体のそれぞれは、内端が、前記磁性層を貫
通する導体によって、電気的に接続されているノイズ吸
収素子。
【請求項１０】請求項１乃至９の何れかに記載された
ノイズ吸収素子であって、前記コイル導体のそれぞれは、外端が、前記磁性層の長
さ方向の相対する両端縁まで導かれているノイズ吸収素
子。
【請求項１１】請求項１乃至１０の何れかに記載され
たノイズ吸収素子であって、少なくとも２つの端子電極を含み、前記端子電極のそれ
ぞれは、前記磁性層の相対する両側端面に形成され、前
記コイル導体の両端に電気的に接続されているノイズ吸
収素子。