JP2001158856A - 半導電性シリコーンゴム組成物 - Google Patents

半導電性シリコーンゴム組成物

Info

Publication number
JP2001158856A
JP2001158856A JP2000177142A JP2000177142A JP2001158856A JP 2001158856 A JP2001158856 A JP 2001158856A JP 2000177142 A JP2000177142 A JP 2000177142A JP 2000177142 A JP2000177142 A JP 2000177142A JP 2001158856 A JP2001158856 A JP 2001158856A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicone rubber
rubber composition
carbon
parts
resistance value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000177142A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3649383B2 (ja
Inventor
Wataru Matsumoto
亘 松本
Tetsuya Nakamura
哲也 中村
Koji Sawada
宏治 澤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tigers Polymer Corp
Original Assignee
Tigers Polymer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tigers Polymer Corp filed Critical Tigers Polymer Corp
Priority to JP2000177142A priority Critical patent/JP3649383B2/ja
Priority to US09/662,040 priority patent/US6444323B1/en
Priority to DE2000633101 priority patent/DE60033101T2/de
Priority to EP20000120156 priority patent/EP1088849B1/en
Publication of JP2001158856A publication Critical patent/JP2001158856A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3649383B2 publication Critical patent/JP3649383B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カーボン配合量をはじめとして諸
要素の変化に対する依存性が小さく、抵抗値が種々の局
面において安定している半導電性シリコーンゴム組成物
を提供する。 【解決手段】 カーボンブラックを含有する半導
電性シリコーンゴム組成物であって、前記カーボンブラ
ックは、窒素吸着比表面積が8.0〜10.0m 2
g、DBP吸油量が30〜40cm3/100g、平均
粒子径が200〜330nmの天然ガスの熱分解により
得られるサーマルブラックを含むこと。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導電性シリコー
ンゴム組成物に関し、特に広範な局面において安定した
導電性を示す半導電性シリコーンゴム組成物に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、硬化してシリコーンゴムとなるシ
リコーンゴム組成物であって、体積固有抵抗値が105
〜1012Ω・cm程度の半導電性領域の導電性を有する
ものは、電子写真装置における画像形成装置の一部材で
ある転写ローラをはじめとして、各種OA機器や電子部
品等に幅広く利用されている。
【0003】前記のような半導電性シリコーンゴム組成
物は、一般的には、絶縁性であるシリコーンゴムに導電
性カーボンブラックを添加することにより導電性が付与
されるもので、例えば特開昭54−139659号公報
にはファーネスブラックとアセチレンブラックを併用し
た導電性オルガノポリシロキサンエラストマーが記載さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようなカーボンブラックを配合分散させた半導電性シリ
コーンゴム組成物は、前記の半導電領域において抵抗値
が様々な要因に基づき著しく変動し易く、抵抗値の安定
性や再現性に欠ける問題を有していた。この抵抗値の変
動現象は、主に次の諸要因により生じるものである。 (1)温度や湿度等の環境変化 (2)カーボンブラック配合量の変化 (3)一定の高電圧印加中における経時的変化 (4)高電圧印加時の電圧変化 などである。
【0005】すなわち、前記(1)は、少量の導電性カ
ーボンブラックに併せて、導電オイルや可塑剤を配合す
るイオン導電タイプのゴム組成物である場合に、シリコ
ーンゴムの元来有する環境特性が阻害されて、ゴムの電
気抵抗が湿度や温度の環境変化に依存し、高温高湿下で
は抵抗値が大きく低下する問題である。前記(2)は、
導電性を付与するためにFEF,GPF等のファーネス
ブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック等
のカーボンブラックを添加したゴム組成物の場合に、添
加量のごく僅かの変化によって抵抗値が大きくばらつ
き、電気抵抗の制御が非常に困難になる問題である。前
記(3)は、(2)と同様のカーボンブラックを添加し
たゴム組成物を一定の高電圧で継続的に印加した場合、
印加時間中に抵抗値が大きく低下する問題である。前記
(4)は、(2)と同様のカーボンブラックを添加した
ゴム組成物に高電圧を変化させて印加した際に電圧依存
性が大きく、電圧変化に応じて抵抗値が著しく変動(電
圧上昇に伴い抵抗値が著しく低下)して、過大な電流が
流れてしまい電流値の制御が困難になる問題である。
【0006】上記のように、複数の要因により抵抗値の
変動が著しい半導電性シリコーンゴム組成物を用いて例
えば前述した転写ローラを形成した場合には、必要とさ
れる転写電流を制御するためより精密な印加電圧制御装
置を必要とし装置の複雑化やコスト上昇を招く問題があ
る。また、抵抗値の変動問題とは別に、導電性カーボン
ブラックは、ゴム硬度の上昇および作業性や加工性の悪
化を避けるため、比較的少量しか添加できない制約があ
り、カーボン量の調整により製品の用途に応じた抵抗値
を広範囲において任意に設定できない不都合があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、従来専ら低硬度
ゴム用の補強剤や充填剤として用いられ、導電性を付与
するカーボンブラックとしては全く考えられていなかっ
たある種のソフトカーボンが、意外にもシリコーンゴム
に対しては成形性に悪影響を与えることなく好適な範囲
で導電性を付与でき、しかもこれを配合したシリコーン
ゴム組成物は、カーボン配合量をはじめとして諸要素の
変化に対する依存性が小さく抵抗値が種々の局面におい
て安定しており、前述の問題をすべて同時に解消できる
ことを知見し本発明を完成するに至ったものである。
【0008】すなわち、本発明は、下記の構成を課題解
決の手段とするものである。 (1)カーボンブラックを含有する半導電性シリコーン
ゴム組成物であって、前記カーボンブラックは、窒素吸
着比表面積が8.0〜10.0m2/g、DBP吸油量
が30〜40cm3/100g、平均粒子径が200〜
330nmの天然ガスの熱分解により得られるサーマル
ブラックを含むこと。 (2)上記(1)に記載の半導電性シリコーンゴム組成
物において、シリコーンゴムがポリオルガノシロキサン
を主成分とするミラブル型であること。
【0009】本発明の半導電性シリコーンゴム組成物
は、基本的には常温または加熱等によって硬化させるこ
とによりゴム弾性体となるポリオルガノシロキサン組成
物に、少なくとも前記条件を満足するサーマルブラック
を添加したもので、必要に応じて各種添加剤等を配合す
ることができるものである。
【0010】本発明に用いられるサーマルブラックは、
サーマル(熱分解)法、すなわち燃料を燃焼させて熱分
解温度以上に加熱した炉内に天然ガスを導入し、天然ガ
スの熱分解によりカーボンブラックを生産したもので、
他のファーネスブラック等に比較して、大粒径で低スト
ラクチャーの比表面積が非常に小さいカーボンブラック
であり、完全燃焼法のため不純物が少ない特長を有し、
その窒素吸着比表面積は8.0〜10.0m2/g、D
BP吸油量は30〜40cm3/100g、平均粒子径
は200〜330nmの範囲(以下この範囲内のサーマ
ルブラックをMTカーボンという)にあることが必要で
ある。このMTカーボンは、大粒径で低ストラクチャー
のカーボンブラックが導電性付与剤としては不適である
との通念に反して、シリコーンゴムに対しては適度の導
電性を付与できる。その理由として、シリコーンゴムが
他のゴムに比べて格段に柔軟であることに起因して、ゴ
ム中に分散されたMTカーボン粒子の接触の程度が高ま
るためと推測される。このMTカーボンとしては、N9
91(キャンカーブ社製)、N908−UP(キャンカ
ーブ社製)、LPT(キャンカーブ社製)、アロスパー
ス(エンジニアドカーボン社製)などが挙げられる。
【0011】本発明における半導電性シリコーンゴム組
成物の主成分であるポリオルガノシロキサンベースポリ
マーとしては、ジメチル系シロキサン、フェニル系シロ
キサン等のミラブル型と称されるものが好適であり、こ
れらのシリコーン生ゴムを1種または2種以上組み合わ
せたものが使用できる。このポリオルガノシロキサンポ
リマーには、前記MTカーボンが必須成分として添加さ
れるほか、任意成分として、有機過酸化物加硫剤や付加
型架橋剤等の硬化剤、シリカ系補強充填剤、アゾジカル
ボンアミド系やアゾイソブチロニトリル系等の発泡剤、
その他耐熱用酸化防止剤、加工性改善助剤等の各種添加
剤を必要に応じて配合し均一に分散される。
【0012】本発明の半導電性シリコーンゴム組成物
は、カーボン添加量の変動に対して抵抗値の変動が緩慢
であり、例えば1012Ωから104Ωまで抵抗値を変動
させるには、MTカーボンの25重量部程度の増量を必
要している。このことから、カーボンブラック添加量の
変動による抵抗値が急激に変化する半導電領域におい
て、混練時のロスにより生じるカーボンブラック含有量
の僅かの差異や押出成形等の成形加工時に生じるその分
散度の微妙な相違がたとえ生じたとしても、抵抗値の変
動にはほとんど影響を与えることがない。その結果、半
導電領域での抵抗値の再現性が高く、量産安定性に優れ
たシリコーンゴム組成物として各種の半導電性ゴム製品
に利用できる。また、一定の高電圧を長時間印加した際
にも印加時間中、抵抗値がほぼ安定しているという利点
を有する。
【0013】他方、本発明の半導電性シリコーンゴム組
成物は、印加電圧の変化に対して好ましい抵抗値の安定
性を示し、例えば1000V印加時の電流値をI1,2
000V印加時の電流値をI2とした場合に、I2/2I
1が1.2〜1.5の範囲に収まり、この範囲は印加電
圧にほぼ比例した電流値を得られることを示し、電圧依
存性が極めて小さいものである。
【0014】本発明の半導電性シリコーンゴム組成物
は、MTカーボンの多量配合が可能でかつ作業性や加工
性を悪化させることがないという特性を生かせるので、
その配合量を調整することにより、付与する導電性の程
度を広い範囲から任意に選択できる。このMTカーボン
の配合量は、特に限定されないが、用途に応じてシリコ
ーンゴム100重量部に対して30〜100重量部の範
囲で選択するのが好ましい。なお、本発明は、イオン導
電性タイプのゴム組成物でなく導電オイルや可塑剤を一
切含まず、MTカーボンを単独で添加して導電性を付与
したものなので、シリコーンゴムが本来有する優れた環
境特性を阻害せず、温度や湿度等の環境変化に対して影
響されず安定した抵抗値を保持することができる。
【0015】なお、窒素吸着比表面積、DBP吸油量お
よび平均粒子径のいずれかの値が前記範囲外のカーボン
ブラックや天然ガスの熱分解以外の製法により得られる
カーボンブラックは、前述した中抵抗領域における安定
した抵抗値や所望の電圧依存性などを得ることができ
ず、しかも多量配合時での良好な作業性を付与すること
ができない。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに説明
する。 [カーボン配合量と抵抗値] (実施例1)シリコーン生ゴムとしてTSE260−3
U(ジーイー東芝シリコーン株式会社製、商品名)50
重量部(以下単に「部」と略する)およびTSE260
−5U(ジーイー東芝シリコーン株式会社製、商品名)
50部に、有機過酸化物架橋剤としてTC−4(ジーイ
ー東芝シリコーン株式会社製、商品名)3部を加え、M
Tカーボンとして窒素吸着比表面積9.0m2/g、D
BP吸油量34cm3/100g、平均粒子径270n
mであるN991(キャンカーブ社製、商品名)を65
部加え、8インチオープンロールで混練を行い十分混合
分散させて得られた半導電性組成物を、プレス加硫機に
投入して170℃で15分間の1次加硫を行い、その後
200℃で2時間の2次加硫を行ってシート状(縦12
cm×横13cm×厚さ3mm)のサンプルを得た。次
いで、図1に示すように、このシート状サンプル1をそ
の上方に配置した主電極2およびガード電極3と下方に
配置した対向電極4とで挟持した状態で、常温常湿下、
電圧500V印加時の電流値を電流計Aにより測定する
と共に、オームの法則によりサンプル1の抵抗値Ωを求
めた。同様に、上記N991の配合量をそれぞれ70
部、75部、80部に変更して得られる抵抗値の結果を
表1および図2に示した。
【0017】(実施例2)実施例1におけるMTカーボ
ンを、窒素吸着比表面積9.5m2/g、DBP吸油量
37cm3/100g、平均粒子径240nmであるN
908−UP(キャンカーブ社製、商品名)に替えた以
外は、実施例1と同様に各カーボン配合量についてサン
プルの作成および測定を行い、表1および図2に示す結
果を得た。
【0018】(実施例3)実施例1におけるMTカーボ
ンを、窒素吸着比表面積8.5m2/g、DBP吸油量
34cm3/100g、平均粒子径305nmであるL
PT(キャンカーブ社製、商品名)に替えるとともに、
その配合量をそれぞれ55部、60部、65部、70部
とし、それ以外は実施例1と同様に各カーボン配合量に
ついてサンプルの作成および測定を行い、表1および図
2に示す結果を得た。
【0019】
【表1】
【0020】(比較例1)本発明との比較のため、実施
例1におけるカーボンブラックを、窒素吸着比表面積2
54m2/g、DBP吸油量174cm3/100g、平
均粒子径30nmであるバルカンXC−72(キャボッ
ト社製、商品名)に替えるとともに、その配合量をそれ
ぞれ8部、10部、12部、14部とし、それ以外は実
施例1と同様に各カーボン配合量についてサンプルの作
成および測定を行い、表2および図3に示す結果を得
た。
【0021】
【表2】
【0022】(比較例2)実施例1におけるカーボンブ
ラックを、オイルファーネス法による窒素吸着比表面積
24.0m2/g、DBP吸油量28cm3/100g、
平均粒子径80nmであるアサヒサーマル(旭カーボン
社製、商品名)に替えるとともに、その配合量をそれぞ
れ30部、35部、40部、45部とし、それ以外は実
施例1と同様に各カーボン配合量についてサンプルの作
成および測定を行い、表3および図4に示す結果を得
た。
【0023】
【表3】
【0024】(比較例3)実施例1におけるカーボンブ
ラックを、オイルファーネス法による窒素吸着比表面積
8.0m2/g、DBP吸油量41cm3/100g、平
均粒子径350nmであるSevacarb MT−C
I(コロンビヤン・カーボン社製、商品名)に替えると
ともに、その配合量をそれぞれ45部、50部、55
部、60部とし、それ以外は実施例1と同様に各カーボ
ン配合量についてサンプルの作成および測定を行い、表
4および図5に示す結果を得た。
【0025】
【表4】
【0026】表1ないし表4および図2ないし図5よ
り、MTカーボンを用いた実施例1,実施例2および実
施例3は、カーボン配合量を増大させても急激には抵抗
値が低下せず、シリコーンゴム100部に対してMTカ
ーボンを25部程度増量しても、抵抗値はこれにほぼ比
例して低下しその割合は緩慢であることが確認された。
これに対し、各比較例では、ごく僅かの部数の変更(例
えば比較例1では12部から14部への2部の増加)に
より、抵抗値が急激に低下する領域が存在することが確
認された。
【0027】[一定電圧印加時の経時変化](実施例
4)実施例1におけるシリコーン生ゴムをTSE260
−3U 100部に替え、前記N991を70部加えた
以外は、実施例1と同様にサンプルの作成および測定を
行い、500Vの電圧印加を継続した状態で30分およ
び1時間経過時の抵抗値を求め図6に示す結果を得た。
【0028】(比較例4)実施例4におけるN991
を、窒素吸着比表面積24.0m2/g、DBP吸油量
50cm3/100g、平均粒子径78nmであるSR
F−L#35(旭カーボン社製、商品名)40部に替え
た以外は、実施例4と同様にサンプルの作成および測定
を行い、図6に示す結果を得た。
【0029】(実施例5)実施例1におけるシリコーン
生ゴムに前記N991を75部加えた以外は、実施例1
と同様にサンプルの作成および測定を行い、500Vの
電圧印加を継続した状態で30分、1時間、その後毎時
間4時間経過時までの抵抗値を求め図7に示す結果を得
た。
【0030】(比較例5)実施例5におけるN991
を、前記Sevacarb MT−CI(コロンビアン
・カーボン社製、商品名)60部に替えた以外は、実施
例5と同様にサンプルの作成および測定を行い、図7に
示す結果を得た。
【0031】図6および図7から、実施例4および実施
例5は電圧印加中ほとんど抵抗値が変化していないのに
対し、比較例4および比較例5では、30分ないし1時
間経過後の抵抗値の大幅な低下が確認された。
【0032】[電圧変化に対する依存性](実施例6)
実施例1におけるシリコーン生ゴムとしてTSE201
(ジーイー東芝シリコーン株式会社製、商品名)100
部)に、前記N991を45部加えた以外は実施例1と
同様にしてサンプルを作成し、常温常湿下、印加電圧を
0〜2000Vまで変化させた際の電流値を電流計によ
り測定すると共に、オームの法則により500V印加時
のサンプルの抵抗値R(Ω・cm)を求めた。その結果
を表5および図8に示した。
【0033】(実施例7)実施例6におけるシリコーン
生ゴムを前記TSE260−5Uとし、前記N991の
配合量を75部に替えた以外は、実施例6と同様にサン
プルの作成および測定を行い、表5に示す結果を得た。
【0034】(実施例8)実施例6におけるN991
を、前記LPT45部に替えた以外は、実施例6と同様
にサンプルの作成および測定を行い、表5に示す結果を
得た。
【0035】(実施例9)実施例8における前記LPT
の配合量を70部に替えた以外は、実施例6と同様にサ
ンプルの作成および測定を行い、表5に示す結果を得
た。
【0036】(実施例10)実施例6におけるシリコー
ン生ゴムをTSE260−5Uとし、前記N991を前
記N908−UP70部に替えた以外は、実施例6と同
様にサンプルの作成および測定を行い、表5に示す結果
を得た。
【0037】(比較例6)実施例6におけるシリコーン
生ゴムをTSE260−5Uとし、カーボンブラックを
前記Sevacarb MT−CI60部に替えた以外
は、実施例6と同様にサンプルの作成および測定を行
い、表5および図8に示す結果を得た。
【0038】(比較例7)比較例6におけるカーボンブ
ラックを、前記SRF−L#35(旭カーボン社製、商
品名)40部に替えた以外は、比較例6と同様にサンプ
ルの作成および測定を行い、表5に示す結果を得た。
【0039】(比較例8)比較例6におけるカーボンブ
ラックを、窒素吸着比表面積77.0m2/g、DBP
吸油量101cm3/100g、平均粒子径26nmで
あるHAF#70(旭カーボン社製、商品名)18部に
替えた以外は、比較例6と同様にサンプルの作成および
測定を行い、表5に示す結果を得た。
【0040】(比較例9)比較例6におけるカーボンブ
ラックを、窒素吸着比表面積22.0m2/g、DBP
吸油量113cm3/100g、平均粒子径83nmで
あるRaven22(コロンビアン・カーボン社製、商
品名)30部に替えた以外は、比較例6と同様にサンプ
ルの作成および測定を行い、表5に示す結果を得た。
【0041】
【表5】
【0042】表5および図8より、MTカーボンを用い
た実施例6〜10は、印加電圧を上昇させても抵抗値が
ほぼ一定であり、1000V印加時の電流値をI1,2
000V印加時の電流値をI2とした場合に、I2/2I
1で表した線形性倍率が1.2〜1.5の範囲に収ま
り、電圧依存性が極めて小さくなっていることが確認さ
れた。これに対し、MTカーボンを用いない比較例6〜
9は、印加電圧の増大に伴い抵抗値が非常に低下してし
まい、2000V印加時には過大電流が流れて電流値I
2が測定不能となり、前記線形性倍率を算出できなかっ
た。
【0043】
【発明の効果】本発明の半導電性シリコーンゴム組成物
によれば、環境変化に対して電気抵抗が安定しているシ
リコーンゴムの優れた環境特性を保持しつつ、半導電性
領域における抵抗値の安定性を広範な面において大幅に
改善することができる。従って、本発明の半導電性シリ
コーンゴム組成物は、導電性ローラ等の導電部材として
の用途に好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例および比較例により得られたシ
ート状サンプルの電流値の測定方法を説明する図であ
る。
【図2】実施例1,2,3で得られたシート状サンプル
のカーボン配合量と抵抗値の関係を示すグラフである。
【図3】比較例1で得られたシート状サンプルのカーボ
ン配合量と抵抗値の関係を示すグラフである。
【図4】比較例2で得られたシート状サンプルのカーボ
ン配合量と抵抗値の関係を示すグラフである。
【図5】比較例3で得られたシート状サンプルのカーボ
ン配合量と抵抗値の関係を示すグラフである。
【図6】実施例4および比較例4で得られたシート状サ
ンプルの電圧印加時間と抵抗値の関係を示すグラフであ
る。
【図7】実施例5および比較例5で得られたシート状サ
ンプルの電圧印加時間と抵抗値の関係を示すグラフであ
る。
【図8】実施例6および比較例6で得られたシート状サ
ンプルの電圧と電流の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 サンプル 2 主電極 3 ガード電極 4 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澤田 宏治 兵庫県神戸市西区高塚台2丁目1番6号 タイガースポリマー株式会社開発研究所内 Fターム(参考) 4J002 CP031 DA036 FD016 FD116 GQ00 5G301 DA18 DA42 DD08 DD10

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カーボンブラックを含有する半導電性シ
    リコーンゴム組成物であって、前記カーボンブラック
    は、窒素吸着比表面積が8.0〜10.0m2/g、D
    BP吸油量が30〜40cm3/100g、平均粒子径
    が200〜330nmの天然ガスの熱分解により得られ
    るサーマルブラックを含むことを特徴とする半導電性シ
    リコーンゴム組成物。
  2. 【請求項2】 シリコーンゴムがポリオルガノシロキサ
    ンを主成分とするミラブル型である請求項1に記載の半
    導電性シリコーンゴム組成物。
JP2000177142A 1999-09-21 2000-06-08 半導電性シリコーンゴム組成物の抵抗値安定化方法 Expired - Fee Related JP3649383B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000177142A JP3649383B2 (ja) 1999-09-21 2000-06-08 半導電性シリコーンゴム組成物の抵抗値安定化方法
US09/662,040 US6444323B1 (en) 1999-09-21 2000-09-14 Semi-conductive silicone rubber composition
DE2000633101 DE60033101T2 (de) 1999-09-21 2000-09-21 Halbleitende Siliconkautschukzusammensetzung
EP20000120156 EP1088849B1 (en) 1999-09-21 2000-09-21 Semi-conductive silicone rubber composition

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-266610 1999-09-21
JP26661099 1999-09-21
JP2000177142A JP3649383B2 (ja) 1999-09-21 2000-06-08 半導電性シリコーンゴム組成物の抵抗値安定化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001158856A true JP2001158856A (ja) 2001-06-12
JP3649383B2 JP3649383B2 (ja) 2005-05-18

Family

ID=26547508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000177142A Expired - Fee Related JP3649383B2 (ja) 1999-09-21 2000-06-08 半導電性シリコーンゴム組成物の抵抗値安定化方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3649383B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138090B2 (en) 2003-04-11 2006-11-21 Therm-O-Disc, Incorporated Vapor sensor and materials therefor
JP2008162594A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Momentive Performance Materials Japan Kk 導電性シリコーンゴムコンパウンド包装体および導電性シリコーンゴムコンパウンドの保管方法
US7645422B2 (en) 2003-04-11 2010-01-12 Therm-O-Disc, Incorporated Vapor sensor and materials therefor
US7708947B2 (en) 2005-11-01 2010-05-04 Therm-O-Disc, Incorporated Methods of minimizing temperature cross-sensitivity in vapor sensors and compositions therefor
US8012420B2 (en) 2006-07-18 2011-09-06 Therm-O-Disc, Incorporated Robust low resistance vapor sensor materials
WO2013121478A1 (ja) 2012-02-17 2013-08-22 キヤノン株式会社 現像部材、プロセスカートリッジ、および電子写真画像形成装置
US8691390B2 (en) 2007-11-20 2014-04-08 Therm-O-Disc, Incorporated Single-use flammable vapor sensor films
WO2018193705A1 (ja) * 2017-04-18 2018-10-25 信越化学工業株式会社 高誘電絶縁性シリコーンゴム組成物及び電界緩和層
CN116041961A (zh) * 2023-02-06 2023-05-02 上海润平电子材料有限公司 一种硅胶复合材料及其制备方法与应用

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138090B2 (en) 2003-04-11 2006-11-21 Therm-O-Disc, Incorporated Vapor sensor and materials therefor
US7645422B2 (en) 2003-04-11 2010-01-12 Therm-O-Disc, Incorporated Vapor sensor and materials therefor
US7708947B2 (en) 2005-11-01 2010-05-04 Therm-O-Disc, Incorporated Methods of minimizing temperature cross-sensitivity in vapor sensors and compositions therefor
US8012420B2 (en) 2006-07-18 2011-09-06 Therm-O-Disc, Incorporated Robust low resistance vapor sensor materials
US8105538B2 (en) 2006-07-18 2012-01-31 Therm-O-Disc Incorporated Robust low resistance vapor sensor materials
JP2008162594A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Momentive Performance Materials Japan Kk 導電性シリコーンゴムコンパウンド包装体および導電性シリコーンゴムコンパウンドの保管方法
US8691390B2 (en) 2007-11-20 2014-04-08 Therm-O-Disc, Incorporated Single-use flammable vapor sensor films
US8655222B2 (en) 2012-02-17 2014-02-18 Canon Kabushiki Kaisha Developing member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus
WO2013121478A1 (ja) 2012-02-17 2013-08-22 キヤノン株式会社 現像部材、プロセスカートリッジ、および電子写真画像形成装置
KR20140127865A (ko) 2012-02-17 2014-11-04 캐논 가부시끼가이샤 현상 부재, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 화상 형성 장치
WO2018193705A1 (ja) * 2017-04-18 2018-10-25 信越化学工業株式会社 高誘電絶縁性シリコーンゴム組成物及び電界緩和層
CN110520481A (zh) * 2017-04-18 2019-11-29 信越化学工业株式会社 高介电绝缘性硅橡胶组合物和电场缓和层
JPWO2018193705A1 (ja) * 2017-04-18 2020-01-16 信越化学工業株式会社 高誘電絶縁性シリコーンゴム組成物及び電界緩和層
US11434345B2 (en) 2017-04-18 2022-09-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. High dielectric insulating silicone rubber composition and electric field relaxation layer
JP7210433B2 (ja) 2017-04-18 2023-01-23 信越化学工業株式会社 高誘電絶縁性シリコーンゴム組成物及び電界緩和層
CN116041961A (zh) * 2023-02-06 2023-05-02 上海润平电子材料有限公司 一种硅胶复合材料及其制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP3649383B2 (ja) 2005-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5082596A (en) Electroconductive silicone rubber composition and cured silicone rubber article thereof
JP2646953B2 (ja) 半導電ロール
KR100683180B1 (ko) 탄소나노튜브를 포함하는 전자사진장치용 현상 롤러 및 그제조 방법
JP3649383B2 (ja) 半導電性シリコーンゴム組成物の抵抗値安定化方法
US6013201A (en) Semiconductive silicone rubber compositions and semiconductive silicone rubber rolls
US6444323B1 (en) Semi-conductive silicone rubber composition
JP3638008B2 (ja) 半導電性シリコーンゴムロール
JP4196779B2 (ja) 電子写真機器用導電性組成物の製法
JP3501055B2 (ja) 半導電性シリコーンゴム組成物及びシリコーンゴムロール
JP2005220317A (ja) 電子写真機器用導電性組成物およびその製法、ならびにそれを用いた電子写真機器用導電性部材
JP3158879B2 (ja) 事務機用半導電性シリコーンゴム部材
JPH0816195B2 (ja) ゴム組成物の製造方法
JP3503454B2 (ja) 半導電性シリコーンゴム組成物及び半導電性シリコーンゴムロール
JP3656904B2 (ja) 導電性ゴムローラ
JP2004263059A (ja) 導電性ゴムローラ
JP3500927B2 (ja) 半導電性シリコーンゴム組成物及び半導電性シリコーンゴムロール
JPH0990714A (ja) 導電性ロールおよびその製造方法
JP3166026B2 (ja) 半導電性シリコーンゴム組成物及びシリコーンゴムロール
JP3748133B2 (ja) ゴム組成物
JP2885651B2 (ja) 半導電性ゴム組成物
JP2011236290A (ja) 導電性ゴム組成物
JP2003049071A (ja) スイッチ用接点部材
JPH07201510A (ja) 弾性抵抗体
JPH05156165A (ja) 導電性シリコーンゴム組成物
JPH072869B2 (ja) ゴム組成物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040922

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050105

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050210

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3649383

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees