JP2001153252A - 半導体マイクロバルブ - Google Patents
半導体マイクロバルブInfo
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- JP2001153252A JP2001153252A JP33506599A JP33506599A JP2001153252A JP 2001153252 A JP2001153252 A JP 2001153252A JP 33506599 A JP33506599 A JP 33506599A JP 33506599 A JP33506599 A JP 33506599A JP 2001153252 A JP2001153252 A JP 2001153252A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】可撓部を備えた第２の基板から第１の基板への
熱の流出を防いで熱効率を良くするとともに、良好なシ
ール性を有する半導体マイクロバルブを提供する。 【解決手段】可撓部３が加熱されると、可撓部３が撓み
可撓部３に連なって形成された弁体４が変位し、弁体４
の対向面４ａと弁座７ａとの距離が変化して、貫通孔７
に流れる流体の流量が制御される。弁体の対向面４ａと
弁座７ａの少なくとも一方には熱絶縁層５が形成されて
いる。
熱の流出を防いで熱効率を良くするとともに、良好なシ
ール性を有する半導体マイクロバルブを提供する。 【解決手段】可撓部３が加熱されると、可撓部３が撓み
可撓部３に連なって形成された弁体４が変位し、弁体４
の対向面４ａと弁座７ａとの距離が変化して、貫通孔７
に流れる流体の流量が制御される。弁体の対向面４ａと
弁座７ａの少なくとも一方には熱絶縁層５が形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流体の流量を制御
する半導体マイクロバルブに関するものである。
する半導体マイクロバルブに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体マイクロバルブとして、本
出願人が出願した特願平１１−４５６１５号等がある。
この特願平１１−４５６１５号の一部を変形した例を図
４に示す。
出願人が出願した特願平１１−４５６１５号等がある。
この特願平１１−４５６１５号の一部を変形した例を図
４に示す。
【０００３】図４は従来の半導体マイクロバルブの構造
を示す断面図であり、貫通孔７が略中央部に形成された
ガラス又はシリコンで構成されている第１の基板１の上
部に、シリコンからなる第２の基板２０が配置されてい
る。
を示す断面図であり、貫通孔７が略中央部に形成された
ガラス又はシリコンで構成されている第１の基板１の上
部に、シリコンからなる第２の基板２０が配置されてい
る。
【０００４】第２の基板２０は、枠体となる外周部２１
と、外周部２１の内方向に熱絶縁層２３を介して接合さ
れる薄肉に加工して形成される撓み可能な可撓部２２
と、可撓部２２に熱絶縁層２４を介して接合される弁体
２５とを備えている。
と、外周部２１の内方向に熱絶縁層２３を介して接合さ
れる薄肉に加工して形成される撓み可能な可撓部２２
と、可撓部２２に熱絶縁層２４を介して接合される弁体
２５とを備えている。
【０００５】この弁体２５は、上面が開口した中空形状
であり、第１の基板１に設けられた貫通孔７の上面開口
部７ｂの周囲に形成された弁座７ａと対向して第２の基
板２０の略中央部に設けられる。この弁体２５を挟んで
例えば十字形状となるように、４つの可撓部２２が外周
部２１の４ヶ所より内方向へ形成されている。
であり、第１の基板１に設けられた貫通孔７の上面開口
部７ｂの周囲に形成された弁座７ａと対向して第２の基
板２０の略中央部に設けられる。この弁体２５を挟んで
例えば十字形状となるように、４つの可撓部２２が外周
部２１の４ヶ所より内方向へ形成されている。
【０００６】各可撓部２２には、それを構成するシリコ
ンと異なる熱膨張係数を有する例えば金属薄膜（図示せ
ず）が近接配置されている。各可撓部２２の表面に形成
される例えば拡散抵抗からなるヒータ（図示せず）を加
熱することで、可撓部２２と金属薄膜の熱膨張係数差に
より可撓部２２が撓み、可撓部２２に熱絶縁層２４を介
して接合されている弁体２５が第２の基板２０の厚さ方
向に変位する。すなわち、この半導体マイクロバルブ
は、バイメタルを用いた熱駆動方式のものである。
ンと異なる熱膨張係数を有する例えば金属薄膜（図示せ
ず）が近接配置されている。各可撓部２２の表面に形成
される例えば拡散抵抗からなるヒータ（図示せず）を加
熱することで、可撓部２２と金属薄膜の熱膨張係数差に
より可撓部２２が撓み、可撓部２２に熱絶縁層２４を介
して接合されている弁体２５が第２の基板２０の厚さ方
向に変位する。すなわち、この半導体マイクロバルブ
は、バイメタルを用いた熱駆動方式のものである。
【０００７】この弁体２５の変位により、弁体２５の弁
座７ａに対向する対向面２５ａと弁座７ａとの距離が変
化し、貫通孔７を流れる流体の流量が変化する。
座７ａに対向する対向面２５ａと弁座７ａとの距離が変
化し、貫通孔７を流れる流体の流量が変化する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５は、弁体２５が変
位してその対向面２５ａと弁座７ａが接触し、貫通孔７
の上面開口部７ｂが閉じられた状態を示している。この
状態では、可撓部２２を加熱させるための熱が弁体２５
の対向面２５ａから弁座７ａを通って、第１の基板１側
に逃げるため、熱効率が低下するという問題があった。
位してその対向面２５ａと弁座７ａが接触し、貫通孔７
の上面開口部７ｂが閉じられた状態を示している。この
状態では、可撓部２２を加熱させるための熱が弁体２５
の対向面２５ａから弁座７ａを通って、第１の基板１側
に逃げるため、熱効率が低下するという問題があった。
【０００９】上記従来例では、可撓部２２両端に熱絶縁
層２３，２４を設けて（特願平１１−４５６１５号の発
明は、外周部２１と可撓部２２との間にのみ熱絶縁層が
設けられている）、可撓部２２を加熱するときの熱が外
周部２１や弁体２５に流出するのを抑えるようにしてい
たが、弁体２５ａから弁座７ａを通って第１の基板１へ
流出する熱を充分に抑えることができなかった。
層２３，２４を設けて（特願平１１−４５６１５号の発
明は、外周部２１と可撓部２２との間にのみ熱絶縁層が
設けられている）、可撓部２２を加熱するときの熱が外
周部２１や弁体２５に流出するのを抑えるようにしてい
たが、弁体２５ａから弁座７ａを通って第１の基板１へ
流出する熱を充分に抑えることができなかった。
【００１０】また、第１の基板１と第２の基板２０は、
ガラスやシリコンなど硬い材料で構成されているために
微小なきずや表面のざらつきが生じ、弁体２５で貫通孔
７の開口部７ｂを閉じるときに、きずや表面のざらつき
から流体がもれて、シール性が良くないという問題があ
った。
ガラスやシリコンなど硬い材料で構成されているために
微小なきずや表面のざらつきが生じ、弁体２５で貫通孔
７の開口部７ｂを閉じるときに、きずや表面のざらつき
から流体がもれて、シール性が良くないという問題があ
った。
【００１１】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は可撓部を備えた第２の基板から第１の
基板への熱の流出を防いで熱効率を良くするとともに、
良好なシール性を有する半導体マイクロバルブを提供す
ることにある。
あり、その目的は可撓部を備えた第２の基板から第１の
基板への熱の流出を防いで熱効率を良くするとともに、
良好なシール性を有する半導体マイクロバルブを提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、貫通孔およびその貫通孔の開口
部周囲に形成される弁座を有する第１の基板と、加熱さ
れることにより撓む可撓部、および前記貫通孔と対応す
る位置に前記可撓部に連なって形成され可撓部の撓みに
より変位する弁体を有する第２の基板とによって構成さ
れ、前記弁体の変位により、前記弁座と、前記弁体にお
ける弁座に対向し接触する対向面との距離が変化して、
前記貫通孔に流れる流体の流量制御を行う半導体マイク
ロバルブにおいて、前記弁体の対向面又は前記弁座の少
なくとも一方に熱絶縁層が形成されることを特徴とす
る。
に、請求項１の発明は、貫通孔およびその貫通孔の開口
部周囲に形成される弁座を有する第１の基板と、加熱さ
れることにより撓む可撓部、および前記貫通孔と対応す
る位置に前記可撓部に連なって形成され可撓部の撓みに
より変位する弁体を有する第２の基板とによって構成さ
れ、前記弁体の変位により、前記弁座と、前記弁体にお
ける弁座に対向し接触する対向面との距離が変化して、
前記貫通孔に流れる流体の流量制御を行う半導体マイク
ロバルブにおいて、前記弁体の対向面又は前記弁座の少
なくとも一方に熱絶縁層が形成されることを特徴とす
る。
【００１３】請求項１の発明によれば、可撓部を加熱す
るための熱が弁体から弁座を通って第１の基板に流出す
るのを抑えることで、可撓部を加熱するために消費され
る電力の低減を図る。
るための熱が弁体から弁座を通って第１の基板に流出す
るのを抑えることで、可撓部を加熱するために消費され
る電力の低減を図る。
【００１４】また請求項２の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン酸化膜であるこ
とを特徴とする。請求項２の発明によれば、請求項１と
同様の効果が得られる。
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン酸化膜であるこ
とを特徴とする。請求項２の発明によれば、請求項１と
同様の効果が得られる。
【００１５】また請求項３の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン窒化膜であるこ
とを特徴とする。請求項３の発明によれば、請求項１と
同様の効果が得られる。
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン窒化膜であるこ
とを特徴とする。請求項３の発明によれば、請求項１と
同様の効果が得られる。
【００１６】また請求項４の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記熱絶縁層の材料が有機系樹脂であることを
特徴とする。請求項４によれば、可撓部を加熱するため
の熱が弁体から弁座を通って第１の基板に流出するのを
抑えることで、可撓部を加熱するために消費される電力
の低減を図るとともに、弁体の対向面と弁座が接触する
際に、そこに形成された有機性樹脂が弾性変形するので
その間のシール性が向上する。
おいて、前記熱絶縁層の材料が有機系樹脂であることを
特徴とする。請求項４によれば、可撓部を加熱するため
の熱が弁体から弁座を通って第１の基板に流出するのを
抑えることで、可撓部を加熱するために消費される電力
の低減を図るとともに、弁体の対向面と弁座が接触する
際に、そこに形成された有機性樹脂が弾性変形するので
その間のシール性が向上する。
【００１７】また請求項５の発明は、請求項４の発明に
おいて、前記有機系樹脂がポリイミドであることを特徴
とする。請求項５の発明によれば、請求項４と同様の効
果が得られる。
おいて、前記有機系樹脂がポリイミドであることを特徴
とする。請求項５の発明によれば、請求項４と同様の効
果が得られる。
【００１８】また請求項６の発明は、請求項４の発明に
おいて、前記有機系樹脂がフッ素樹脂であることを特徴
とする。請求項６の発明によれば、請求項４と同様の効
果が得られる。
おいて、前記有機系樹脂がフッ素樹脂であることを特徴
とする。請求項６の発明によれば、請求項４と同様の効
果が得られる。
【００１９】また請求項７の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記弁体の対向面と前記弁座の両方に、有機系
樹脂を材料とする熱絶縁層が形成されることを特徴とす
る。請求項７の発明によれば、弁体の対向面と弁座の両
方に熱絶縁層が形成されているため、どちらか一方に熱
絶縁層が形成されているのに比べて、可撓部を加熱する
ための熱が弁体の対向面から弁座を通って第１の基板に
流出するのをより効果的に抑えることができる。そのた
めに、可撓部を加熱するために消費される電力の低減を
図ることができる。また、弁体の対向面と弁座が接触す
る際に、そこに形成された有機性樹脂が弾性変形するの
でその間のシール性が向上する。
おいて、前記弁体の対向面と前記弁座の両方に、有機系
樹脂を材料とする熱絶縁層が形成されることを特徴とす
る。請求項７の発明によれば、弁体の対向面と弁座の両
方に熱絶縁層が形成されているため、どちらか一方に熱
絶縁層が形成されているのに比べて、可撓部を加熱する
ための熱が弁体の対向面から弁座を通って第１の基板に
流出するのをより効果的に抑えることができる。そのた
めに、可撓部を加熱するために消費される電力の低減を
図ることができる。また、弁体の対向面と弁座が接触す
る際に、そこに形成された有機性樹脂が弾性変形するの
でその間のシール性が向上する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を説明する。図１は半導体マイクロバルブの構造を
示す断面図であり、図４と同じものには同じ符号を付し
ている。
形態を説明する。図１は半導体マイクロバルブの構造を
示す断面図であり、図４と同じものには同じ符号を付し
ている。
【００２１】図１において、略中央部に貫通孔７が形成
されたガラス又はシリコンで構成されている第１の基板
１の上部に、シリコンからなる第２の基板２が配置され
ている。
されたガラス又はシリコンで構成されている第１の基板
１の上部に、シリコンからなる第２の基板２が配置され
ている。
【００２２】第２の基板２は、枠体となる外周部６と、
第２の基板２を加工して薄膜に形成され、外周部６の内
方向に延出される撓み可能な可撓部３（ビーム部）と、
上記貫通孔７と対応する位置に可撓部３に連なって形成
される上面が開口した中空の弁体４とを有している。可
撓部３は、第２の基板２の略中央部にある弁体４を挟ん
で例えば十字形状となるように４つ、外周部６の４ヶ所
のそれぞれより内方向へ延出している。
第２の基板２を加工して薄膜に形成され、外周部６の内
方向に延出される撓み可能な可撓部３（ビーム部）と、
上記貫通孔７と対応する位置に可撓部３に連なって形成
される上面が開口した中空の弁体４とを有している。可
撓部３は、第２の基板２の略中央部にある弁体４を挟ん
で例えば十字形状となるように４つ、外周部６の４ヶ所
のそれぞれより内方向へ延出している。
【００２３】各可撓部３はそれを構成するシリコンと異
なる熱膨張係数を有する例えば金属薄膜（図示せず）が
近接配置されている。各可撓部３の表面に形成される例
えば拡散抵抗からなるヒータ（図示せず）を加熱するこ
とで、可撓部３と金属薄膜の熱膨張係数差により可撓部
３が撓み、可撓部３に連なって形成された弁体４が第２
の基板２の厚さ方向に変位する。すなわち、バイメタル
を用いた熱駆動方式となっている。
なる熱膨張係数を有する例えば金属薄膜（図示せず）が
近接配置されている。各可撓部３の表面に形成される例
えば拡散抵抗からなるヒータ（図示せず）を加熱するこ
とで、可撓部３と金属薄膜の熱膨張係数差により可撓部
３が撓み、可撓部３に連なって形成された弁体４が第２
の基板２の厚さ方向に変位する。すなわち、バイメタル
を用いた熱駆動方式となっている。
【００２４】第１の基板１に形成された貫通孔７は、両
開口面から中間部に向かうにつれて径の小さくなる形状
をしており、その上面開口部７ｂの外周部には周囲より
高くなっている弁座７ａが形成されている。
開口面から中間部に向かうにつれて径の小さくなる形状
をしており、その上面開口部７ｂの外周部には周囲より
高くなっている弁座７ａが形成されている。
【００２５】上述したように各可撓部３が撓んで弁体４
が変位することで、弁体４における弁座７ａに対向し接
触する対向面４ａと、弁座７ａとの距離が変化して、例
えば第１の基板１の貫通孔７から入り第２の基板２に設
けられた孔部（図示せず）へ抜ける流体の流量、すなわ
ち貫通孔７に流れる流体の流量が制御される。
が変位することで、弁体４における弁座７ａに対向し接
触する対向面４ａと、弁座７ａとの距離が変化して、例
えば第１の基板１の貫通孔７から入り第２の基板２に設
けられた孔部（図示せず）へ抜ける流体の流量、すなわ
ち貫通孔７に流れる流体の流量が制御される。
【００２６】この弁体４の対向面４ａにはシリコン酸化
膜からなる熱絶縁層５が形成されている。このため、弁
体４が変位して、弁体４の対向面４ａが弁座７ａに接触
し、弁体４により貫通孔７の開口部７ｂが閉じられたと
き、可撓部３を加熱するための熱が弁体４の対向面４ａ
から弁座７ａを通って第１の基板１側に流出するのを抑
えることができる。よって、効率よく可撓部３を加熱す
ることができ、それを加熱するための消費電力を低減で
きる。
膜からなる熱絶縁層５が形成されている。このため、弁
体４が変位して、弁体４の対向面４ａが弁座７ａに接触
し、弁体４により貫通孔７の開口部７ｂが閉じられたと
き、可撓部３を加熱するための熱が弁体４の対向面４ａ
から弁座７ａを通って第１の基板１側に流出するのを抑
えることができる。よって、効率よく可撓部３を加熱す
ることができ、それを加熱するための消費電力を低減で
きる。
【００２７】この熱絶縁層５として、弁体４の対向面４
ａにシリコン窒化膜を形成してもよい。
ａにシリコン窒化膜を形成してもよい。
【００２８】また、熱絶縁層５として、テフロン（商品
名）樹脂などのフッ素樹脂およびポリイミドなどの有機
系樹脂を弁体４の対向面４ａに形成してもよい。
名）樹脂などのフッ素樹脂およびポリイミドなどの有機
系樹脂を弁体４の対向面４ａに形成してもよい。
【００２９】このように、有機系樹脂を弁体４の対向面
４ａに設けることで、上記したように効率よく可撓部３
を加熱することができるとともに、弁体４の対向面４ａ
と弁座７ａが接触する際に、有機性樹脂が弾性変形する
ので、弁体４と弁座７ａの間のシール性が向上する。
４ａに設けることで、上記したように効率よく可撓部３
を加熱することができるとともに、弁体４の対向面４ａ
と弁座７ａが接触する際に、有機性樹脂が弾性変形する
ので、弁体４と弁座７ａの間のシール性が向上する。
【００３０】尚、図１では、弁体４の対向面４ａに熱絶
縁層５を形成するようにしたが、図２に示すように弁座
７ａに熱絶縁層５を形成するようにしてもよく、また図
３に示すように弁体４の対向面４ａと弁座７ａの両方に
熱絶縁層５を形成するようにしてもよい。このように、
弁体４の対向面４ａと弁座７ａの両方に熱絶縁層５を形
成することにより、一方に設ける場合に比べて熱効率が
向上する。
縁層５を形成するようにしたが、図２に示すように弁座
７ａに熱絶縁層５を形成するようにしてもよく、また図
３に示すように弁体４の対向面４ａと弁座７ａの両方に
熱絶縁層５を形成するようにしてもよい。このように、
弁体４の対向面４ａと弁座７ａの両方に熱絶縁層５を形
成することにより、一方に設ける場合に比べて熱効率が
向上する。
【００３１】上記有機系樹脂は半導体プロセスとの適合
性からポリイミドやフッ素樹脂を用いることが多いが、
他の種類のものでもよい。また、半導体プロセスとの整
合性から、第１の基板１の材料としては主にガラスやシ
リコンが好適であり、第２の基板２の材料としてはシリ
コンが好適である。
性からポリイミドやフッ素樹脂を用いることが多いが、
他の種類のものでもよい。また、半導体プロセスとの整
合性から、第１の基板１の材料としては主にガラスやシ
リコンが好適であり、第２の基板２の材料としてはシリ
コンが好適である。
【００３２】
【発明の効果】上記したように、請求項１の発明は、貫
通孔およびその貫通孔の開口部周囲に形成される弁座を
有する第１の基板と、加熱されることにより撓む可撓
部、および前記貫通孔と対応する位置に前記可撓部に連
なって形成され可撓部の撓みにより変位する弁体を有す
る第２の基板とによって構成され、前記弁体の変位によ
り、前記弁座と、前記弁体における弁座に対向し接触す
る対向面との距離が変化して、前記貫通孔に流れる流体
の流量制御を行う半導体マイクロバルブにおいて、前記
弁体の対向面又は前記弁座の少なくとも一方に熱絶縁層
が形成されるため、可撓部を加熱するための熱が弁体か
ら弁座を通って第１の基板に流出するのを抑えること
で、可撓部を加熱するために消費される電力の低減を図
る。
通孔およびその貫通孔の開口部周囲に形成される弁座を
有する第１の基板と、加熱されることにより撓む可撓
部、および前記貫通孔と対応する位置に前記可撓部に連
なって形成され可撓部の撓みにより変位する弁体を有す
る第２の基板とによって構成され、前記弁体の変位によ
り、前記弁座と、前記弁体における弁座に対向し接触す
る対向面との距離が変化して、前記貫通孔に流れる流体
の流量制御を行う半導体マイクロバルブにおいて、前記
弁体の対向面又は前記弁座の少なくとも一方に熱絶縁層
が形成されるため、可撓部を加熱するための熱が弁体か
ら弁座を通って第１の基板に流出するのを抑えること
で、可撓部を加熱するために消費される電力の低減を図
る。
【００３３】また請求項２の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン酸化膜であるた
め、請求項１と同様の効果が得られる。
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン酸化膜であるた
め、請求項１と同様の効果が得られる。
【００３４】また請求項３の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン窒化膜であるた
め、請求項１と同様の効果が得られる。
おいて、前記熱絶縁層の材料がシリコン窒化膜であるた
め、請求項１と同様の効果が得られる。
【００３５】また請求項４の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記熱絶縁層の材料が有機系樹脂であるため、
可撓部を加熱するための熱が弁体から弁座を通って第１
の基板に流出するのを抑えることで、可撓部を加熱する
ために消費される電力の低減を図るとともに、弁体の対
向面と弁座が接触する際に、そこに形成された有機性樹
脂が弾性変形するのでその間のシール性が向上する。
おいて、前記熱絶縁層の材料が有機系樹脂であるため、
可撓部を加熱するための熱が弁体から弁座を通って第１
の基板に流出するのを抑えることで、可撓部を加熱する
ために消費される電力の低減を図るとともに、弁体の対
向面と弁座が接触する際に、そこに形成された有機性樹
脂が弾性変形するのでその間のシール性が向上する。
【００３６】また請求項５の発明は、請求項４の発明に
おいて、前記有機系樹脂がポリイミドであるため、請求
項４と同様の効果が得られる。
おいて、前記有機系樹脂がポリイミドであるため、請求
項４と同様の効果が得られる。
【００３７】また請求項６の発明は、請求項４の発明に
おいて、前記有機系樹脂がフッ素樹脂であるため、請求
項４と同様の効果が得られる。
おいて、前記有機系樹脂がフッ素樹脂であるため、請求
項４と同様の効果が得られる。
【００３８】また請求項７の発明は、請求項１の発明に
おいて、前記弁体の対向面と前記弁座の両方に、有機系
樹脂を材料とする熱絶縁層が形成されるため、どちらか
一方に熱絶縁層が形成されているのに比べて、可撓部を
加熱するための熱が弁体の対向面から弁座を通って第１
の基板に流出するのをより効果的に抑えることができ
る。そのために、可撓部を加熱するために消費される電
力の低減を図ることができる。また、弁体の対向面と弁
座が接触する際に、そこに形成された有機性樹脂が弾性
変形するのでその間のシール性が向上する。
おいて、前記弁体の対向面と前記弁座の両方に、有機系
樹脂を材料とする熱絶縁層が形成されるため、どちらか
一方に熱絶縁層が形成されているのに比べて、可撓部を
加熱するための熱が弁体の対向面から弁座を通って第１
の基板に流出するのをより効果的に抑えることができ
る。そのために、可撓部を加熱するために消費される電
力の低減を図ることができる。また、弁体の対向面と弁
座が接触する際に、そこに形成された有機性樹脂が弾性
変形するのでその間のシール性が向上する。
【図１】本発明の半導体マイクロバルブの構造を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の半導体マイクロバルブの構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明のさらに他の半導体マイクロバルブの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図４】従来の半導体マイクロバルブの構造を示す断面
図である。
図である。
【図５】従来の半導体マイクロバルブの弁体と弁座が接
触した状態を示す断面図である。
触した状態を示す断面図である。
１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ 可撓部 ４ 弁体 ４ａ 対向面 ５ 熱絶縁層 ６ 外周部 ７ 貫通孔 ７ａ 弁座 ７ｂ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河田 裕志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 吉田 仁 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 吉田 和司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 片山 弘典 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 齊藤 公昭 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 藤井 圭子 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 豊田 憲治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 3H062 AA04 AA12 BB28 BB33 CC08 FF23 FF39 HH02 HH10
Claims (7)
- 【請求項１】 貫通孔およびその貫通孔の開口部周囲に
形成される弁座を有する第１の基板と、加熱されること
により撓む可撓部、および前記貫通孔と対応する位置に
前記可撓部に連なって形成され可撓部の撓みにより変位
する弁体を有する第２の基板とによって構成され、前記
弁体の変位により、前記弁座と、前記弁体における弁座
に対向し接触する対向面との距離が変化して、前記貫通
孔に流れる流体の流量制御を行う半導体マイクロバルブ
において、 前記弁体の対向面又は前記弁座の少なくとも一方に熱絶
縁層が形成されることを特徴とする半導体マイクロバル
ブ。 - 【請求項２】 前記熱絶縁層の材料がシリコン酸化膜で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体マイクロバ
ルブ。 - 【請求項３】 前記熱絶縁層の材料がシリコン窒化膜で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体マイクロバ
ルブ。 - 【請求項４】 前記熱絶縁層の材料が有機系樹脂である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体マイクロバル
ブ。 - 【請求項５】 前記有機系樹脂がポリイミドであること
を特徴とする請求項４記載の半導体マイクロバルブ。 - 【請求項６】 前記有機系樹脂がフッ素樹脂であること
を特徴とする請求項４記載の半導体マイクロバルブ。 - 【請求項７】 前記弁体の対向面と前記弁座の両方に、
有機系樹脂を材料とする熱絶縁層が形成されることを特
徴とする請求項１記載の半導体マイクロバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33506599A JP2001153252A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体マイクロバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33506599A JP2001153252A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体マイクロバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001153252A true JP2001153252A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18284376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33506599A Withdrawn JP2001153252A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体マイクロバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001153252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791233B2 (en) * | 1999-02-23 | 2004-09-14 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33506599A patent/JP2001153252A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791233B2 (en) * | 1999-02-23 | 2004-09-14 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |