JP2001151988A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 充填性に優れ、バリの発生の少ない半導体装
置が得られ、かつ成形された半導体装置の耐半田性に優
れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）融点が７０〜１５０℃の結晶性エ
ポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に３０重量％以上含むエ
ポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）溶融シリカ
粉末、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とするエポキシ
樹脂組成物において、溶融シリカ粉末が全樹脂組成物中
に７５〜９３重量％含まれ、全溶融シリカ粉末中の球状
シリカ粉末が７０重量％以上で、平均粒子径が１０〜２
５μｍ、比表面積が２．５〜７．５ｍ²／ｇ、湿式篩法
による粒度分布が１５０μｍ以上が０．５重量％以下、
７５μｍ以上が２重量％以下、４５μｍ以上が２５重量
％以下であり、かつレーザー回折式粒度分布計による粒
度分布が４８μｍ以下が７０重量％以上、２４μｍ以下
が４０重量％以上、１２μｍ以下が２０重量％以上、６
μｍ以下が１０重量％以上であることを特徴とする半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、耐半田ク
ラック性に優れ、特に薄型半導体装置に好適な半導体封
止用エポキシ樹脂に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適した方法として採用されており、信
頼性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹
脂の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近
年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向に
おいて、半導体の高集積化も年々進み、又半導体装置の
表面実装化が増加する中で、半導体封止用エポキシ樹脂
組成物への要求はますます厳しいものとなってきてい
る。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決
できない問題点もでてきている。その最大の問題点は、
表面実装の採用により、半導体装置が半田浸漬、或いは
リフロー工程で急激に２００℃以上の高温にさらされ、
吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導
体装置にクラックが発生したり、チップ、リードフレー
ム、インナーリード上の各種メッキされた各接合部分、
或いはＬｅａｄＯｎ Ｃｈｉｐ構造の半導体装置では、
ポリイミドテープ接着剤等と樹脂組成物の硬化物との各
界面で、剥離が生じ信頼性が著しく低下する現象であ
る。

【０００３】更に、近年半導体装置の薄型化に伴い、半
導体装置中に占める樹脂硬化物の厚みが一段と薄くなっ
てきており、例えば、６４Ｍ、２５６ＭＤＲＡＭ用の半
導体装置は、１ｍｍ厚のＴＳＯＰが主流となりつつあ
り、耐半田性の要求はますます強くなっている。又これ
ら薄型半導体装置には、成形時の充填性が良好で、金線
変形が少なく、チップやリードフレームの変形（チップ
シフトやダイパッドシフトと呼ぶ）がない樹脂組成物が
要求され、そのため樹脂組成物は、成形時の流動性に優
れることが必要である。半田処理による信頼性の低下の
改良と、成形時の流動性向上を両立するために、樹脂組
成物中の溶融シリカ粉末の充填量を増加させることで低
吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し耐半田性を向上
させると共に、低溶融粘度の樹脂を使用して、成形時低
粘度で高流動性を維持させる手法が提案されている。こ
の手法におけるエポキシ樹脂としては、特に常温では固
体で、溶融時は粘度が極端に低下する結晶性のエポキシ
樹脂があり、特にその代表的な例として、ビフェニル型
エポキシ樹脂が広く使用され始めている。一方、低粘度
樹脂を用いた樹脂組成物では、成形時に金型のエアベン
ト部から樹脂組成物が漏れ出てしまう現象、いわゆるバ
リの発生が著しく、このため流動性の向上とバリの低減
との両立も大きな課題となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、薄型半導体
装置での充填性が良好で、金線変形、チップシフトやダ
イパッドシフトの少ない、即ち成形時に高流動性の特徴
を有し、かつ成形時にバリの発生が少なく、更に耐半田
クラック性等の硬化物特性の良好な半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止して
なる半導体装置を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、（Ａ）融
点が７０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ
樹脂中に３０重量％以上含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェ
ノール樹脂、（Ｃ）溶融シリカ粉末、及び（Ｄ）硬化促
進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、溶
融シリカ粉末が全樹脂組成物中に７５〜９３重量％含ま
れ、全溶融シリカ粉末中の球状シリカ粉末が７０重量％
以上で、平均粒子径が１０〜２５μｍ、比表面積が２．
５〜７．５ｍ²／ｇ、湿式篩法による粒度分布が１５０
μｍ以上が０．５重量％以下、７５μｍ以上が２重量％
以下、４５μｍ以上が２５重量％以下であり、かつレー
ザー回折式粒度分布計による粒度分布が４８μｍ以下が
７０重量％以上、２４μｍ以下が４０重量％以上、１２
μｍ以下が２０重量％以上、６μｍ以下が１０重量％以
上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなること
を特徴とする半導体装置である。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる結晶性エポキ
シ樹脂としては種々の構造のものがあるが、融点として
は、７０〜１５０℃が好ましい。７０℃未満だと得られ
たエポキシ樹脂組成物にべたつき等が発生し作業性が悪
化するので好ましくない。１５０℃を越えると、樹脂組
成物の製造時に樹脂が十分に溶融せず均一分散しないの
で、この溶融混合物を用いた樹脂組成物の成形品は不均
一となり、強度が各部分によって異なるために半導体装
置の特性が低下するので好ましくない。結晶性エポキシ
樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温
速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点の
温度を示す。これらの条件を満たす結晶性エポキシ樹脂
としては、一般式（１）のビフェニル型エポキシ樹脂、
一般式（２）のビスフェノール型エポキシ樹脂、一般式
（３）のスチルベン型エポキシ樹脂が好ましい。

【０００７】

【化４】 （式中のＲ₁は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
〜４の整数。）

【０００８】

【化５】 （式中のＲ₂は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
〜４の整数。Ｒ₃は水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基を表し、それらは互いに同一であっても異なっていて
もよい。）

【０００９】

【化６】 （式中のＲ₄は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基か
ら選択される原子又は基を表し、それらは互いに同一で
あっても異なっていてもよい。Ｒ₅は炭素数１〜６のア
ルキル基を表し、それらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ｍは０〜４の整数。）

【００１０】一般式（１）のビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェ
ニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，
５’−ジメチルビフェニル、又は４，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフ
ェニル等（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジ
ルエーテル化物が挙げられる。

【００１１】一般式（２）のビスフェノール型エポキシ
樹脂としては、例えば、４，４’−メチレンビス（２−
メチルフェノール）、４，４’−メチレンビス（２，６
−ジメチルフェノール）、４，４’−メチレンビス
（２，３，６−トリメチルフェノール）、４，４’−エ
チリデンビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，
４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェ
ノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス
（２，６−ジメチルフェノール）、４，４’−（１−メ
チルエチリデン）ビス［２−（１−メチルエチル）フェ
ノール］、又は４，４’−ビス（２，３−ヒドロキシプ
ロピルオキシ）−２，２’−ジメチル−５，５’−ジタ
ーシャリブチルジフェニルスルフィド等のグリシジルエ
ーテル化物が挙げられる。

【００１２】一般式（３）のスチルベン型エポキシ樹脂
としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−
ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−タ
ーシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−
ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベン、又は４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等
（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジルエーテ
ル化物が挙げられる。

【００１３】本発明に用いられる結晶性エポキシ樹脂と
併用可能なエポキシ樹脂としては、１分子内に２個以上
のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー
全般を指し、例えば、オルソクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナ
フトール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂等挙げられ、これらは単独でも混合して用いて
も良い。本発明に用いられる結晶性エポキシ樹脂の配合
割合は、全エポキシ樹脂中に３０重量％以上が望まし
い。３０重量％未満だと、結晶性エポキシ樹脂の特徴で
ある、成形時の高流動性が発現しないので好ましくな
い。

【００１４】本発明に用いられるフェノール樹脂として
は、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有する
モノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を指し、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、フェニレン骨格、又は
ジフェニレン骨格等を有するフェノール樹脂、ナフトー
ルアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、ナフトール樹脂
等が挙げられ、これらは単独でも併用しても良い。これ
らのフェノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸基当量等
に制限なく使用することができるが、軟化点１１０℃以
下の比較的低粘度のフェノール樹脂が好ましい。軟化点
が１１０℃を越えるとエポキシ樹脂の低粘度化の効果が
薄れるので好ましくない。

【００１５】本発明に用いられる溶融シリカ粉末は、例
えば、火炎中に溶融された天然シリカ、及び、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン等を加水分解して
得られる合成シリカを指す。又、その形状・製法により
球状シリカと破砕シリカに分類される。本発明に用いら
れる溶融シリカ粉末の配合量としては、全樹脂組成物中
に７５〜９３重量％が好ましい。７５重量％未満だと、
成形された半導体装置の吸湿量が増大し、半田処理温度
での強度が低下してしまうため、半田処理時に半導体装
置にクラックが発生し易くなり好ましくない。一方、９
３重量％を越えると、樹脂組成物の成形時の流動性が低
下し、未充填やチップシフト、ダイパッドシフトが発生
し易くなり好ましくない。又溶融シリカ粉末の粒度分布
を特定の範囲とすることにより、成形性の向上に大きな
効果があることが判明したので、以下に詳細に説明す
る。

【００１６】本発明に用いられる溶融シリカ粉末は、全
溶融シリカ粉末中の球状シリカ粉末が７０重量％以上
で、平均粒子径が１０〜２５μｍ、比表面積が２．５〜
７．５ｍ²／ｇ、湿式篩法による粒度分布が１５０μｍ
以上が０．５重量％以下、７５μｍ以上が２重量％以
下、４５μｍ以上が２５重量％以下であり、かつレーザ
ー回折式粒度分布計による粒度分布が４８μｍ以下が７
０重量％以上、２４μｍ以下が４０重量％以上、１２μ
ｍ以下が２０重量％以上、６μｍ以下が１０重量％以上
のものである。最近の薄型半導体装置は１ｍｍから１．
４ｍｍの厚みが主流となり、半導体装置中に占める素
子、リードフレームの合計厚み５００〜８００μｍを差
し引いた樹脂組成物の硬化物の厚さは、上下それぞれ１
００〜４５０μｍ程度となってきている。この薄い流路
に樹脂組成物を充填していくためには、溶融シリカ粉末
の最大粒子径が１５０μｍ以上のものが実質的に存在な
いことが必要である。更に最近広く採用されつつあるＬ
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ構造のＤＲＡＭ用ＴＳＯＰ半導
体装置では、チップとインナーリードとの間を５０〜１
５０μｍ厚のポリイミドテープで接着しており、この厚
みのギャップを樹脂組成物で充填しないと可撓性の高い
ポリイミドテープが変形し、チップがシフトし易くな
る。チップシフトを防止するためには、粒子径７５μｍ
以上の溶融シリカ粉末の存在割合も極力少ないことが望
ましい。具体的には、粒子径１５０μｍ以上の粒子が全
溶融シリカ粉末中０．５重量％を越えると、成形時に未
充填が発生し好ましくない。又粒子径７５μｍ以上の粒
子が全溶融シリカ粉末中２重量％を越えると、チップシ
フトを生じ易くなり好ましくない。

【００１７】更に樹脂組成物の成形時の溶融粘度を低減
し、金型内の流動性を高めるためには、粒子径が４５μ
ｍ以上の溶融シリカ粉末が、全溶融シリカ粉末中２５重
量％以下で、粒子径６μｍ以下の溶融シリカ粉末が、全
溶融シリカ粉末中１０重量％以上存在し、かつ全溶融シ
リカ粉末中に球状シリカ粉末を７０重量％以上含み、全
溶融シリカ粉末の平均粒子径を１０〜２５μｍ、比表面
積が２．５〜７．５ｍ ²／ｇとすることが必要である。
この範囲を外れると、樹脂組成物の流動性が低下し、チ
ップシフト等の半導体装置内部の素子の変形が起こる
他、素子を構成する各部材との濡れ性が低下するため、
各部材と樹脂組成物の硬化物との界面の接着力が著しく
低下したり、半導体装置の吸湿率が増大したりして、吸
湿後の半田処理で界面剥離や半導体装置のクラックを生
じ易くなり好ましくない。ところが、金型のエアベント
部のギャップ厚みが通常５〜１５μｍであるために粒子
径が６μｍ以下の溶融シリカ粉末はこのエアベント部の
ギャップから流出し易く、このため成形品にバリが発生
しやすい。

【００１８】バリの発生を防止するためには、このエア
ベント部のギャップからの溶融シリカ粉末及び樹脂の流
出を防止することが必要であり、このためにはエアベン
ト部のギャップに溶融シリカ粉末が密に充填して（最密
充填と呼ぶ）、エアベントを塞ぐことが効果的である。
即ち、エアベント部のギャップより粒子径の大きい大粒
子径の粒子の充填の隙間を、中粒子径の粒子が充填し、
更に、大粒子径と中粒子径による充填でなお残された隙
間を、小粒子径の粒子が充填する最密充填モデルを形成
することにより、小粒子径の粒子及び低粘度樹脂成分が
成形圧によりエアベント部から流出するのを防止でき
る。この最密充填モデルを形成するためには、粒子径６
μｍ以下の粒子が、全溶融シリカ粉末中１０重量％以上
存在する場合は、粒子径１２μｍ以下の粒子が２０重量
％以上、粒子径２４μｍ以下の粒子が４０重量％以上、
粒子径４８μｍ以下の粒子が７０重量％以上であること
が必要である。この範囲を外れる粒子径分布の溶融シリ
カ粉末では、バリを効果的に防止できず、流動性も低下
する。本発明の溶融シリカ粉末の粒子径及び比表面積の
測定方法としては、粒子径１５０μｍ以上、７５μｍ以
上、４５μｍ以上の粒子の存在割合の測定には、湿式篩
法による篩残粒子の重量測定法を、又、粒子径４８μｍ
以下、２４μｍ以下、１２μｍ以下、６μｍ以下の粒子
の存在割合及び平均粒径の測定には、レーザー回折式粒
度分布計（シーラス社・製、モデル７１５）を、更に比
表面積の測定には比表面積測定装置（ユアサアイオニク
ス社・製、ＭＯＮＯＳＯＲＢ）を用いた。

【００１９】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進
するものであればよく、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミジン系化合
物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォ
ニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合
物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。こ
れらの硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支え
ない。

【００２０】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成
分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪
酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸
化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発
明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及びその他の
添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、ニー
ダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕する
一般的な方法で得られる。本発明の樹脂組成物を用い
て、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製
造するには、トランスファーモールド、コンプレッショ
ンモールド、インジェクションモールド等の成形方法で
成形硬化すればよい。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。 実施例１ ４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テト ラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂（エポキシ当量１９１、融点１ ０５℃）（以下エポキシ樹脂Ａという） ６．４５重量部 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０５、軟化点８３℃） ３．５５重量部 表１に示される粒度分布を有する溶融球状シリカ粉末 ８７．０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量３５９） ０．５重量部 三酸化アンチモン １．０重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ０．５重量部 カーボンブラック ０．３重量部 カルナバワックス ０．５重量部 なお、表１に示す溶融シリカ粉末の粒度分布は、粒子径
１５０μｍ以上、７５μｍ以上、４５μｍ以上の粒子の
存在割合は、前記した湿式篩法（測定１という）によ
り、又４８μｍ以下、２４μｍ以下、１２μｍ以下、６
μｍ以下の粒子の存在割合は、前記したレーザー回折式
粒度分布計（測定２という）で測定した。更に比表面積
は、前記比表面積測定装置を用いて測定した。各成分を
ミキサーを用いて常温で混合した後、表面温度が９０℃
と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、冷却後粉
砕して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を以下
の方法で評価した。結果を表１に示す。

【００２２】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 チップシフト量：３２ピンのＬｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ
構造ＴＳＯＰ（パッケージサイズは１０×２１ｍｍ、厚
み１．０ｍｍ、シリコンチップサイズは９×１８ｍｍ、
リードフレームは４２アロイ製、チップとインナーリー
ド間は厚み１００μｍのポリイミドテープで接着されて
いる）を金型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃ
ｍ²、硬化時間２分でトランスファー成形を行った。成
形品を樹脂組成物の注入方向に沿ってパッケージ中心で
切断し、断面を観察することでチップ両端のパッケージ
成形品下面からの距離を求め、その差をチップシフト量
としてμｍ単位で表示した。 バリの長さ：チップシフト量評価で成形した３２ピンＴ
ＳＯＰパッケージに発生するバリの長さを測定し、ｍｍ
単位で表示した。 耐半田クラック性：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサ
イズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチッ
プサイズは８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは４２
アロイ製）を金型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃ
ｍ²、硬化時間２分でトランスファー成形し、１７５
℃、８時間で後硬化させた。得られた半導体パッケージ
を８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置
し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微
鏡でパッケージを観察し、外部クラック［（クラック発
生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を％
で表示した。又、チップと樹脂組成物の硬化物との剥離
面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率
［（剥離面積）／（チップ面積）×１００］として、５
個のパッケージの平均値を求め、％で表示した。 吸湿率：５０ｍｍφ、２ｍｍ厚の成形円盤を８５℃、相
対湿度８５％の環境下に１６８時間し、処理前後の重量
増加率により吸湿率を算出した。

【００２３】実施例２〜６、比較例１〜７ 表１、表２に示す割合で各成分を配合し、実施例１と同
様にして樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価
した。結果を表１、表２に示す。なお、実施例２〜６、
比較例１〜７で用いたエポキシ樹脂及びフェノール樹脂
の性状を以下に示す。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ
当量１９６、軟化点６２℃） 実施例４に用いた結晶性エポキシ樹脂は、４，４’−ビ
ス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，
５’−テトラメチルスチルベンを主成分とする樹脂６０
重量％と４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキ
シ）−５−ターシャリブチル−２，３’，５’−トリメ
チルスチルベンを主成分とする樹脂４０重量％との混合
物である（エポキシ当量２０９、融点１２０℃、以下エ
ポキシ樹脂Ｂという）。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】

【発明の効果】本発明の樹脂組成物を用いると、薄型半
導体装置の充填性に優れ、かつバリの発生がなく、半導
体装置の封止が可能となる。更にこれを用いて封止され
た半導体装置は、耐半田性に優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC043 CD041 CD042 CD051 CD061 CD071 CE003 DJ016 EU117 EU137 EW147 EW177 EY017 FD016 FD143 FD157 GQ05 4J036 AD04 AD07 AD08 AD15 AD20 DA02 FA01 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB03 EB13 EB16 EC01 EC03 EC05 EC20

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）融点が７０〜１５０℃の結晶性エ
   ポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に３０重量％以上含むエ
   ポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）溶融シリカ
   粉末、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とするエポキシ
   樹脂組成物において、溶融シリカ粉末が全樹脂組成物中
   に７５〜９３重量％含まれ、全溶融シリカ粉末中の球状
   シリカ粉末が７０重量％以上で、平均粒子径が１０〜２
   ５μｍ、比表面積が２．５〜７．５ｍ²／ｇ、湿式篩法
   による粒度分布が１５０μｍ以上が０．５重量％以下、
   ７５μｍ以上が２重量％以下、４５μｍ以上が２５重量
   ％以下であり、かつレーザー回折式粒度分布計による粒
   度分布が４８μｍ以下が７０重量％以上、２４μｍ以下
   が４０重量％以上、１２μｍ以下が２０重量％以上、６
   μｍ以下が１０重量％以上であることを特徴とする半導
   体封止用エポキシ樹脂組成物。
2. 【請求項２】 融点が７０〜１５０℃の結晶性エポキシ
   樹脂が、一般式（１）、一般式（２）又は一般式（３）
   から選ばれる一種以上である請求項１記載の半導体封止
   用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ₁は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
   らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
   〜４の整数。） 【化２】 （式中のＲ₂は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
   らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
   〜４の整数。Ｒ₃は水素原子、炭素数１〜６のアルキル
   基を表し、それらは互いに同一であっても異なっていて
   もよい。） 【化３】 （式中のＲ₄は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基か
   ら選択される原子又は基を表し、それらは互いに同一で
   あっても異なっていてもよい。Ｒ₅は炭素数１〜６のア
   ルキル基を表し、それらは互いに同一であっても異なっ
   ていてもよい。ｍは０〜４の整数。）
3. 【請求項３】 結晶性エポキシ樹脂が、４，４’−ジヒ
   ドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
   ３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−
   メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，
   ４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチ
   ルフェノール）、もしくは４，４’−ビス（２，３−ヒ
   ドロキシプロピルオキシ）−２，２’−ジメチル−５，
   ５’−ジターシャリブチルジフェニルスルフィドのグリ
   シジルエーテル化物、又は、３−ターシャリブチル−
   ２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチル
   スチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒド
   ロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、もし
   くは３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
   ３’，５，５’−トリメチルスチルベンのグリシジルエ
   ーテル化物の３種から選ばれる１種以上と４，４’−ジ
   ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチル
   ベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
   リブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−
   ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，
   ６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−
   ３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルス
   チルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，
   ５’−テトラメチルスチルベン、もしくは４，４’−ジ
   ヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’
   −ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物の６種
   から選ばれる１種以上との混合物である請求項１、又は
   ２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】 請求項１、２、又は３記載のいずれかの
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
   封止してなることを特徴とする半導体装置。