JP2001150584A - 導電性基板およびこれを用いた表示素子 - Google Patents
導電性基板およびこれを用いた表示素子Info
- Publication number
- JP2001150584A JP2001150584A JP33783899A JP33783899A JP2001150584A JP 2001150584 A JP2001150584 A JP 2001150584A JP 33783899 A JP33783899 A JP 33783899A JP 33783899 A JP33783899 A JP 33783899A JP 2001150584 A JP2001150584 A JP 2001150584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ene
- oxide
- conductive substrate
- transparent resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性および透明性に優れた導電性基板を提
供する。 【解決手段】 透明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面
に導電層（Ｂ）が形成してあり、前記層（Ａ）の他方の
面にガスバリアー層（Ｃ）が形成してあり、前記層
（Ａ）と前記層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）が形成して
ある導電性基板２である。
供する。 【解決手段】 透明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面
に導電層（Ｂ）が形成してあり、前記層（Ａ）の他方の
面にガスバリアー層（Ｃ）が形成してあり、前記層
（Ａ）と前記層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）が形成して
ある導電性基板２である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば液晶表示
素子用セルなど各種表示素子の基板に用いて好適な導電
性基板およびこれを用いた表示素子に関する。
素子用セルなど各種表示素子の基板に用いて好適な導電
性基板およびこれを用いた表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子（ＬＣＤ）は、従来、一方
の面に導電層（ＩＴＯ膜）を有するガラス基板２枚を、
該導電層が向い合うように重ね合わせ、その隙間に液晶
を充填して形成されているが、近年、ＬＣＤの大型化、
軽量化、耐衝撃性向上の観点より、ガラス基板に代え
て、プラスチック基板の使用が提案されている。
の面に導電層（ＩＴＯ膜）を有するガラス基板２枚を、
該導電層が向い合うように重ね合わせ、その隙間に液晶
を充填して形成されているが、近年、ＬＣＤの大型化、
軽量化、耐衝撃性向上の観点より、ガラス基板に代え
て、プラスチック基板の使用が提案されている。
【０００３】脂環式構造含有重合体などの非晶質ポリオ
レフィン樹脂は、透明性に優れるために、上記プラスチ
ック基板材料として提案されているが、耐熱性が十分で
はなく、導電層であるＩＴＯ膜の蒸着工程や、液晶配向
のための配向膜製造工程やラビング処理工程のごとく基
板に熱がかかる工程において基板の表面が変形し、導電
層が剥離してしまうという問題があった。
レフィン樹脂は、透明性に優れるために、上記プラスチ
ック基板材料として提案されているが、耐熱性が十分で
はなく、導電層であるＩＴＯ膜の蒸着工程や、液晶配向
のための配向膜製造工程やラビング処理工程のごとく基
板に熱がかかる工程において基板の表面が変形し、導電
層が剥離してしまうという問題があった。
【０００４】一方、耐熱性に優れる材料として、ポリエ
ーテルサルフォン（ＰＥＳ）が提案されているが、単独
で使用しても耐熱性は高いものの、透明性が十分ではな
く、ＬＣＤの輝度が低下するという問題があった。
ーテルサルフォン（ＰＥＳ）が提案されているが、単独
で使用しても耐熱性は高いものの、透明性が十分ではな
く、ＬＣＤの輝度が低下するという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性および透明性に優れた導電性基板、並びにこれを用い
た表示素子を提供することにある。
性および透明性に優れた導電性基板、並びにこれを用い
た表示素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、透明性樹脂層（Ａ）
の一方の面に導電層（Ｂ）が形成され、他方の面にガス
バリアー層（Ｃ）が形成されてなる導電性基板におい
て、前記層（Ａ）と層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）を形
成したものをＬＣＤ基板として使用した場合、導電層で
あるＩＴＯ膜の蒸着工程や、ラビング工程などの熱履歴
が加わる工程において、基板の表面が変形等せずに導電
膜が剥離しないことを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、透明性樹脂層（Ａ）
の一方の面に導電層（Ｂ）が形成され、他方の面にガス
バリアー層（Ｃ）が形成されてなる導電性基板におい
て、前記層（Ａ）と層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）を形
成したものをＬＣＤ基板として使用した場合、導電層で
あるＩＴＯ膜の蒸着工程や、ラビング工程などの熱履歴
が加わる工程において、基板の表面が変形等せずに導電
膜が剥離しないことを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】すなわち、本発明に係る導電性基板は、透
明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面に導電層（Ｂ）が
形成してあり、前記層（Ａ）の他方の面にガスバリアー
層（Ｃ）が形成してある導電性基板であって、前記層
（Ａ）と前記層（Ｂ）との間に少なくとも保護層（Ｄ）
が形成してあることを特徴とする。
明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面に導電層（Ｂ）が
形成してあり、前記層（Ａ）の他方の面にガスバリアー
層（Ｃ）が形成してある導電性基板であって、前記層
（Ａ）と前記層（Ｂ）との間に少なくとも保護層（Ｄ）
が形成してあることを特徴とする。
【０００８】本発明に係る導電性基板において、前記透
明性樹脂が、脂環式構造含有重合体であることが好まし
く、前記保護層（Ｄ）が、アクリル樹脂から構成されて
いることが好ましい。
明性樹脂が、脂環式構造含有重合体であることが好まし
く、前記保護層（Ｄ）が、アクリル樹脂から構成されて
いることが好ましい。
【０００９】本発明に係る導電性基板は、透明性樹脂か
らなる層（Ａ）と導電層（Ｂ）との間に少なくとも保護
層（Ｄ）が形成してあればよく、それ以外の層が介在す
るのを排除する趣旨ではない。したがって、層（Ａ）と
層（Ｂ）との間には、層（Ｄ）の他に、他の層が介在し
ていてもよい。他の層の具体例としては、たとえば、層
（Ａ）と層（Ｄ）との密着性を向上させる接着層やプラ
イマー層などが挙げられる。
らなる層（Ａ）と導電層（Ｂ）との間に少なくとも保護
層（Ｄ）が形成してあればよく、それ以外の層が介在す
るのを排除する趣旨ではない。したがって、層（Ａ）と
層（Ｂ）との間には、層（Ｄ）の他に、他の層が介在し
ていてもよい。他の層の具体例としては、たとえば、層
（Ａ）と層（Ｄ）との密着性を向上させる接着層やプラ
イマー層などが挙げられる。
【００１０】なお、本発明において、導電層（Ｂ）に
は、半導体層をも含まれる。また、導電層（Ｂ）は、透
明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面の全面に形成して
もよく、所定パターンで一部に形成してもよい。導電層
（Ｂ）は、単層でも複層でもよい。
は、半導体層をも含まれる。また、導電層（Ｂ）は、透
明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面の全面に形成して
もよく、所定パターンで一部に形成してもよい。導電層
（Ｂ）は、単層でも複層でもよい。
【００１１】
【作用】本発明に係る導電性基板によれば、透明性樹脂
からなる層（Ａ）と導電層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）
が形成してあるので、たとえば本発明の導電性基板を液
晶表示素子用セル基板として使用した場合、導電層の形
成工程や、配向膜層へのラビング工程などのように熱履
歴が加わる工程において、基板の表面が変形等せずに導
電層（Ｂ）が剥離することがない。
からなる層（Ａ）と導電層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）
が形成してあるので、たとえば本発明の導電性基板を液
晶表示素子用セル基板として使用した場合、導電層の形
成工程や、配向膜層へのラビング工程などのように熱履
歴が加わる工程において、基板の表面が変形等せずに導
電層（Ｂ）が剥離することがない。
【００１２】本発明に係る導電性基板は、たとえば、液
晶表示素子用セル、光導電性感光体、面発光体、有機エ
レクトロルミネッセンスなどの各種表示素子の基板に用
いることができる。
晶表示素子用セル、光導電性感光体、面発光体、有機エ
レクトロルミネッセンスなどの各種表示素子の基板に用
いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。
形態に基づき説明する。
【００１４】図１は本発明に係る導電性基板の一実施形
態を示す断面図、図２は図１の導電性基板を用いた表示
素子の一実施形態を示す液晶表示素子の要部断面図であ
る。
態を示す断面図、図２は図１の導電性基板を用いた表示
素子の一実施形態を示す液晶表示素子の要部断面図であ
る。
【００１５】液晶表示素子 図２に示されるように、本実施形態に係る液晶表示素子
２０は、２枚の基板２２ａ，２２ｂを有し、これら基板
２２ａ，２２ｂのパターン化された透明電極２３ａ，２
３ｂが相対向する面には、液晶分子を規則正しく配列さ
せるための役割を有する配向膜層２４ａ，２４ｂがそれ
ぞれ形成してある。
２０は、２枚の基板２２ａ，２２ｂを有し、これら基板
２２ａ，２２ｂのパターン化された透明電極２３ａ，２
３ｂが相対向する面には、液晶分子を規則正しく配列さ
せるための役割を有する配向膜層２４ａ，２４ｂがそれ
ぞれ形成してある。
【００１６】配向膜層２４ａ，２４ｂを構成する材料と
しては、たとえば、酸化珪素、酸化アルミニウム、ジル
コニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セ
リウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化
物等の無機物やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リイミドアミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリビニルクロライド、ポ
リスチレン、ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミ
ン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、中で
もポリイミドが好ましく用いられる。
しては、たとえば、酸化珪素、酸化アルミニウム、ジル
コニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セ
リウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化
物等の無機物やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リイミドアミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリビニルクロライド、ポ
リスチレン、ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミ
ン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、中で
もポリイミドが好ましく用いられる。
【００１７】また、両基板２２ａ，２２ｂは、シール材
２６を介して貼り合わせてある。シール材２６として
は、通常、有機系シール材が用いられる。これらシール
材２６の内側における両基板２２ａ，２２ｂ間には、液
晶材料２８が封入されている。
２６を介して貼り合わせてある。シール材２６として
は、通常、有機系シール材が用いられる。これらシール
材２６の内側における両基板２２ａ，２２ｂ間には、液
晶材料２８が封入されている。
【００１８】さらに、両基板２２ａ，２２ｂの配向膜層
２４ａ，２４ｂ間には、複数のスペーサ３０が設けてあ
る。スペーサ３０としては、棒状の無機系スペーサ、ま
たは球状の有機系スペーサなどが挙げられるが、本実施
形態では球状のスペーサを用いてある。
２４ａ，２４ｂ間には、複数のスペーサ３０が設けてあ
る。スペーサ３０としては、棒状の無機系スペーサ、ま
たは球状の有機系スペーサなどが挙げられるが、本実施
形態では球状のスペーサを用いてある。
【００１９】両基板２２ａ，２２ｂの各外面には、本実
施形態では、それぞれ偏光板３２が設けてあるが、これ
に限定されず、基板２２ａ，２２ｂの何れか一方の基板
の外面にのみ設けてあってもよい。なお、図１中、符号
「４０」は、たとえばエッジライト方式などのバックラ
イトである。
施形態では、それぞれ偏光板３２が設けてあるが、これ
に限定されず、基板２２ａ，２２ｂの何れか一方の基板
の外面にのみ設けてあってもよい。なお、図１中、符号
「４０」は、たとえばエッジライト方式などのバックラ
イトである。
【００２０】基板２２ａ，２２ｂ ２枚の基板２２ａ，２２ｂは、それぞれ本発明の導電性
基板２（図１参照）から構成されている。
基板２（図１参照）から構成されている。
【００２１】図１に示される導電性基板２は、透明性樹
脂からなる層（Ａ）の一方の面に保護層（Ｄ）を介して
導電層（Ｂ）（図２では、パターン化された透明電極２
３ａ，２３ｂに相当する）が形成してあり、前記層
（Ａ）の他方の面にガスバリアー層（Ｃ）が形成してあ
る。
脂からなる層（Ａ）の一方の面に保護層（Ｄ）を介して
導電層（Ｂ）（図２では、パターン化された透明電極２
３ａ，２３ｂに相当する）が形成してあり、前記層
（Ａ）の他方の面にガスバリアー層（Ｃ）が形成してあ
る。
【００２２】透明性樹脂からなる層（Ａ） 本発明における透明性樹脂からなる層（Ａ）とは、透明
性樹脂を含む層のことである。
性樹脂を含む層のことである。
【００２３】本発明で使用される透明性樹脂としては、
たとえば、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、
ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリサルフォン、
ポリアミド、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、脂
環式構造含有重合体などが挙げられ、これらは単独又は
２種以上組み合わせて用いられる。
たとえば、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、
ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリサルフォン、
ポリアミド、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、脂
環式構造含有重合体などが挙げられ、これらは単独又は
２種以上組み合わせて用いられる。
【００２４】これらの中でも、耐熱性の観点からは、透
明性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が好ましくは１００
℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましく
は１５０℃以上である。
明性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が好ましくは１００
℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましく
は１５０℃以上である。
【００２５】また、透明性および耐熱性の観点からは、
ポリカーボネートや脂環式構造含有重合体が好ましく、
脂環式構造含有重合体がより好ましい。
ポリカーボネートや脂環式構造含有重合体が好ましく、
脂環式構造含有重合体がより好ましい。
【００２６】本発明で使用可能な脂環式構造含有重合体
は、主鎖及び／又は側鎖に脂環式構造を有するものであ
り、透明性や耐熱性の観点からは、主鎖に脂環式構造を
含有するものが好ましい。
は、主鎖及び／又は側鎖に脂環式構造を有するものであ
り、透明性や耐熱性の観点からは、主鎖に脂環式構造を
含有するものが好ましい。
【００２７】重合体の脂環式構造としては、シクロアル
カン構造、シクロアルケン構造等が挙げられるが、機械
特性、耐熱性等の観点から、シクロアルカン構造やシク
ロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造
が最も好ましい。
カン構造、シクロアルケン構造等が挙げられるが、機械
特性、耐熱性等の観点から、シクロアルカン構造やシク
ロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造
が最も好ましい。
【００２８】脂環式構造を構成する炭素原子数は、格別
な制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０
個、より好ましくは５〜１５個の範囲であるときに、機
械特性、耐熱性等に優れ、好適である。
な制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０
個、より好ましくは５〜１５個の範囲であるときに、機
械特性、耐熱性等に優れ、好適である。
【００２９】本発明に使用される脂環式構造含有重合体
中の脂環式構造を有する繰り返し単位の割合は、使用目
的に応じて適宜選択されればよいが、通常３０重量％以
上、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重
量％以上である。脂環式構造を有する繰り返し単位の割
合が過度に少ないと耐熱性に劣る傾向がある。
中の脂環式構造を有する繰り返し単位の割合は、使用目
的に応じて適宜選択されればよいが、通常３０重量％以
上、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重
量％以上である。脂環式構造を有する繰り返し単位の割
合が過度に少ないと耐熱性に劣る傾向がある。
【００３０】また、脂環式構造中には、ノルボルナン構
造以外の環構造からなる繰り返し単位を含有することが
好ましい。脂環式構造中に含まれるノルボルナン構造以
外の環構造からなる繰り返し単位の割合は、通常１０重
量％以上、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは
３０重量％以上である。ノルボルナン構造以外の環構造
からなる繰り返し単位の割合が多い方が耐光性に優れる
からである。
造以外の環構造からなる繰り返し単位を含有することが
好ましい。脂環式構造中に含まれるノルボルナン構造以
外の環構造からなる繰り返し単位の割合は、通常１０重
量％以上、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは
３０重量％以上である。ノルボルナン構造以外の環構造
からなる繰り返し単位の割合が多い方が耐光性に優れる
からである。
【００３１】なお、脂環式構造含有重合体中の脂環式構
造を有する繰り返し単位以外の残部は、使用目的に応じ
て適宜選択される。
造を有する繰り返し単位以外の残部は、使用目的に応じ
て適宜選択される。
【００３２】こうした脂環式構造含有重合体の具体例と
しては、例えば、ノルボルネン系重合体、単環の環状オ
レフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂
環式炭化水素重合体、およびこれらの水素添加物などが
挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系重合体お
よびその水素添加物、環状共役ジエン系重合体およびそ
の水素添加物などが好ましく、ノルボルネン系重合体お
よびその水素添加物がより好ましい。
しては、例えば、ノルボルネン系重合体、単環の環状オ
レフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂
環式炭化水素重合体、およびこれらの水素添加物などが
挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系重合体お
よびその水素添加物、環状共役ジエン系重合体およびそ
の水素添加物などが好ましく、ノルボルネン系重合体お
よびその水素添加物がより好ましい。
【００３３】ノルボルネン系重合体としては、格別な制
限はなく、例えば、特開平３−１４８８２号公報や特開
平３−１２２１３７号公報などで開示される重合体が用
いられる。具体的には、ノルボルネン系モノマーの開環
重合体およびその水素添加物、ノルボルネン系モノマー
の付加重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと共重合
可能なビニル系モノマーとの付加型重合体などが挙げら
れる。中でも、耐熱性と成形加工性、機械的強度を高度
にバランスさせる上では、好ましくはノルボルネン系モ
ノマーの開環重合体水素添加物、ノルボルネン系モノマ
ーの付加型重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと共
重合可能なビニル系モノマーとの付加型共重合体、より
好ましくはノルボルネン系モノマーの開環重合体水素添
加物である。
限はなく、例えば、特開平３−１４８８２号公報や特開
平３−１２２１３７号公報などで開示される重合体が用
いられる。具体的には、ノルボルネン系モノマーの開環
重合体およびその水素添加物、ノルボルネン系モノマー
の付加重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと共重合
可能なビニル系モノマーとの付加型重合体などが挙げら
れる。中でも、耐熱性と成形加工性、機械的強度を高度
にバランスさせる上では、好ましくはノルボルネン系モ
ノマーの開環重合体水素添加物、ノルボルネン系モノマ
ーの付加型重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと共
重合可能なビニル系モノマーとの付加型共重合体、より
好ましくはノルボルネン系モノマーの開環重合体水素添
加物である。
【００３４】ノルボルネン系モノマーとしては、ノルボ
ルナン構造を有しないもの、ノルボルナン構造を１つ以
上有するものとが挙げられる。
ルナン構造を有しないもの、ノルボルナン構造を１つ以
上有するものとが挙げられる。
【００３５】ノルボルナン構造を有しないノルボルネン
系モノマーとしては、例えば、ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−メ
チル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、
５，５−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−
２−エン、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクタデシル
−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エ
チリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト
−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘ
プト−２−エン、５−プロペニル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−
ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シア
ノ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−
メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−メトキシカルボニル−ビ
シクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エトキ
シカルボニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−
エン、５−メチル−５−エトキシカルボニル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．
２．１］−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、ビシクロ［２．２．１］−ヘ
プト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒ
ドロキシメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２
−エン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−
ｉ−プロピル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−
エン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、
５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−
エン−５，６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチ
ル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−
シクロヘキシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２
−エン、５−シクロヘキセニル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−フェニル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、トリシクロ［４．
３．０．１２，５ ］−デカ−３，７−ジエン（慣用名
ジシクロペンタジエン）、トリシクロ［４．３．０．１
２，５ ］−デカ−３−エン、トリシクロ［４．４．
０．１２，５ ］−ウンデカ−３，７−ジエン、トリシ
クロ［４．４．０．１２，５ ］−ウンデカ−３，８−
ジエン、トリシクロ［４．４．０．１２，５ ］−ウン
デカ−３−エン、テトラシクロ［７．４．０．１
１０，１３ ．０２，７ ］−トリデカ−２，４，６−
１１−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９
ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）、テトラシクロ
［８．４．０．１１１，１４ ．０３，８ ］−テトラ
デカ−３，５，７，１２−１１−テトラエン（１，４−
メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒド
ロアントラセンともいう）などが挙げられる。
系モノマーとしては、例えば、ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−メ
チル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、
５，５−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−
２−エン、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクタデシル
−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エ
チリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト
−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘ
プト−２−エン、５−プロペニル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−
ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シア
ノ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−
メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−メトキシカルボニル−ビ
シクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エトキ
シカルボニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−
エン、５−メチル−５−エトキシカルボニル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．
２．１］−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、ビシクロ［２．２．１］−ヘ
プト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒ
ドロキシメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２
−エン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−
ｉ−プロピル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−
エン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、
５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−
エン−５，６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチ
ル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−
シクロヘキシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２
−エン、５−シクロヘキセニル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−フェニル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、トリシクロ［４．
３．０．１２，５ ］−デカ−３，７−ジエン（慣用名
ジシクロペンタジエン）、トリシクロ［４．３．０．１
２，５ ］−デカ−３−エン、トリシクロ［４．４．
０．１２，５ ］−ウンデカ−３，７−ジエン、トリシ
クロ［４．４．０．１２，５ ］−ウンデカ−３，８−
ジエン、トリシクロ［４．４．０．１２，５ ］−ウン
デカ−３−エン、テトラシクロ［７．４．０．１
１０，１３ ．０２，７ ］−トリデカ−２，４，６−
１１−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９
ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）、テトラシクロ
［８．４．０．１１１，１４ ．０３，８ ］−テトラ
デカ−３，５，７，１２−１１−テトラエン（１，４−
メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒド
ロアントラセンともいう）などが挙げられる。
【００３６】これらのノルボルナン構造を有しないノル
ボルネン系モノマーは、それぞれ単独で或いは２種以上
組み合わせて用いられる。ノルボルナン構造を有しない
ノルボルネン系モノマーの含有量は、前記ノルボルナン
構造を有さない脂環式構造からなる繰り返し単位の好ま
しい割合に応じて適宜選択すればよいが、通常１０重量
％以上、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３
０重量％以上である。
ボルネン系モノマーは、それぞれ単独で或いは２種以上
組み合わせて用いられる。ノルボルナン構造を有しない
ノルボルネン系モノマーの含有量は、前記ノルボルナン
構造を有さない脂環式構造からなる繰り返し単位の好ま
しい割合に応じて適宜選択すればよいが、通常１０重量
％以上、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３
０重量％以上である。
【００３７】ノルボルナン構造を１つ以上有するノルボ
ルネン系モノマーとしては、例えば、テトラシクロ
［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３
−エン（単にテトラシクロドデセンともいう）、８−メ
チル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５ ．１
７，１０］−ドデカ−３−エン、８−エチル−テトラシ
クロ［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ
−３−エン、８−メチリデン−テトラシクロ［４．４．
０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８
−エチリデン−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−ビ
ニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５ ．１
７，１０］−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３
−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラ
シクロ［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデ
カ−３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ
［４．４．０．１２ ，５ ．１７，１０］−ドデカ−３
−エン、８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シ
クロペンチル−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シ
クロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シ
クロヘキセニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，
５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−フェニル
−テトラシクロ［４．４．０．１２，５ ．
１７，１０］−ドデカ−３−エン、ペンタシクロ［６．
５．１．１３，６ ．０２，７ ．０９，１３］−ペン
タデカ−３，１０−ジエン、ペンタシクロ［７．４．
０．１３，６ ．１１０，１ ３ ．０２，７ ］−ペン
タデカ−４，１１−ジエンなどが挙げられる。
ルネン系モノマーとしては、例えば、テトラシクロ
［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３
−エン（単にテトラシクロドデセンともいう）、８−メ
チル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５ ．１
７，１０］−ドデカ−３−エン、８−エチル−テトラシ
クロ［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ
−３−エン、８−メチリデン−テトラシクロ［４．４．
０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８
−エチリデン−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−ビ
ニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５ ．１
７，１０］−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３
−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラ
シクロ［４．４．０．１２，５ ．１７，１０］−ドデ
カ−３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ
［４．４．０．１２ ，５ ．１７，１０］−ドデカ−３
−エン、８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シ
クロペンチル−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シ
クロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．
１２，５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シ
クロヘキセニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，
５ ．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−フェニル
−テトラシクロ［４．４．０．１２，５ ．
１７，１０］−ドデカ−３−エン、ペンタシクロ［６．
５．１．１３，６ ．０２，７ ．０９，１３］−ペン
タデカ−３，１０−ジエン、ペンタシクロ［７．４．
０．１３，６ ．１１０，１ ３ ．０２，７ ］−ペン
タデカ−４，１１−ジエンなどが挙げられる。
【００３８】これらのノルボルナン構造を１つ以上有す
るノルボルネン系モノマーは、それぞれ単独で、あるい
は２種以上を組み合わせて用いることができる。
るノルボルネン系モノマーは、それぞれ単独で、あるい
は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】ノルボルネン系モノマーと共重合可能なビ
ニル系モノマーとしては、たとえばエチレン、プロピレ
ン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メ
チル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エ
チル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−
メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセ
ン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１
−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテ
ン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１
−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンな
どの炭素数２〜２０のエチレンまたはα−オレフィン；
シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，
４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセ
ン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、
シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−
４，７−メタノ−１Ｈ−インデンなどのシクロオレフィ
ン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキ
サジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７
−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられ
る。
ニル系モノマーとしては、たとえばエチレン、プロピレ
ン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メ
チル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エ
チル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−
メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセ
ン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１
−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテ
ン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１
−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンな
どの炭素数２〜２０のエチレンまたはα−オレフィン；
シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，
４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセ
ン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、
シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−
４，７−メタノ−１Ｈ−インデンなどのシクロオレフィ
ン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキ
サジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７
−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられ
る。
【００４０】これらのビニル系モノマーは、それぞれ単
独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することが
できる。
独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することが
できる。
【００４１】ノルボルネン系モノマーまたはノルボルネ
ン系モノマーとこれと共重合可能なビニル系モノマーと
の重合方法および水素添加方法は、格別な制限はなく公
知の方法に従って行うことができる。
ン系モノマーとこれと共重合可能なビニル系モノマーと
の重合方法および水素添加方法は、格別な制限はなく公
知の方法に従って行うことができる。
【００４２】ノルボルネン系モノマーの開環（共）重合
体は、ノルボルネン系モノマーを、開環重合触媒とし
て、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、
イリジウム、白金などの金属のハロゲン化物、硝酸塩ま
たはアセチルアセトン化合物と、還元剤とからなる触媒
系、あるいは、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タ
ングステン、モリブデンなどの金属のハロゲン化物また
はアセチルアセトン化合物と、有機アルミニウム化合物
とからなる触媒系を用いて、溶媒中または無溶媒で、通
常、−５０〜１００℃の重合温度、０〜５０ｋｇ／ｃｍ
２ の重合圧力で開環（共）重合させることにより得る
ことができる。
体は、ノルボルネン系モノマーを、開環重合触媒とし
て、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、
イリジウム、白金などの金属のハロゲン化物、硝酸塩ま
たはアセチルアセトン化合物と、還元剤とからなる触媒
系、あるいは、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タ
ングステン、モリブデンなどの金属のハロゲン化物また
はアセチルアセトン化合物と、有機アルミニウム化合物
とからなる触媒系を用いて、溶媒中または無溶媒で、通
常、−５０〜１００℃の重合温度、０〜５０ｋｇ／ｃｍ
２ の重合圧力で開環（共）重合させることにより得る
ことができる。
【００４３】水素添加ノルボルネン系重合体は、常法に
従って、開環（共）重合体を水素添加触媒の存在下に水
素により水素化する方法により得ることができる。
従って、開環（共）重合体を水素添加触媒の存在下に水
素により水素化する方法により得ることができる。
【００４４】触媒系に、分子状酸素、アルコール、エー
テル、過酸化物、カルボン酸、酸無水物、酸クロリド、
エステル、ケトン、含窒素化合物、含硫黄化合物、含ハ
ロゲン化合物、分子状ヨウ素、その他のルイス酸などの
第三成分を加えて、重合活性や開環重合の選択性を高め
ることができる。
テル、過酸化物、カルボン酸、酸無水物、酸クロリド、
エステル、ケトン、含窒素化合物、含硫黄化合物、含ハ
ロゲン化合物、分子状ヨウ素、その他のルイス酸などの
第三成分を加えて、重合活性や開環重合の選択性を高め
ることができる。
【００４５】ノルボルネン系モノマー、またはノルボル
ネン系モノマーとこれと共重合可能なビニル系モノマー
との付加共重合体は、例えば、モノマー成分を、溶媒中
または無溶媒で、チタン、ジルコニウム、またはバナジ
ウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒系
の存在下で、通常、−５０〜１００℃の重合温度、０〜
５０ｋｇ／ｃｍ２ の重合圧力で共重合させる方法によ
り得ることができる。
ネン系モノマーとこれと共重合可能なビニル系モノマー
との付加共重合体は、例えば、モノマー成分を、溶媒中
または無溶媒で、チタン、ジルコニウム、またはバナジ
ウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒系
の存在下で、通常、−５０〜１００℃の重合温度、０〜
５０ｋｇ／ｃｍ２ の重合圧力で共重合させる方法によ
り得ることができる。
【００４６】単環の環状オレフィン系重合体としては、
たとえば、特開昭６４−６６２１６号公報に開示されて
いるシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン
などの単環の環状オレフィン系単量体の付加重合体など
を挙げることができる。
たとえば、特開昭６４−６６２１６号公報に開示されて
いるシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン
などの単環の環状オレフィン系単量体の付加重合体など
を挙げることができる。
【００４７】環状共役ジエン系重合体としては、たとえ
ば、特開平６−１３６０５７号公報や特開平７−２５８
３１８号公報に開示されているシクロペンタジエン、シ
クロヘキサジエンなどの環状共役ジエン系単量体を１，
２−または１，４−付加重合した重合体及びその水素添
加物などを挙げることができる。
ば、特開平６−１３６０５７号公報や特開平７−２５８
３１８号公報に開示されているシクロペンタジエン、シ
クロヘキサジエンなどの環状共役ジエン系単量体を１，
２−または１，４−付加重合した重合体及びその水素添
加物などを挙げることができる。
【００４８】ビニル脂環式炭化水素系重合体としては、
たとえば、特開昭５１−５９９８９号公報に開示されて
いるビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサンなど
のビニル脂環式炭化水素系単量体の重合体及びその水素
添加物、特開昭６３−４３９１０号公報、特開昭６４−
１７０６号公報などに開示されているスチレン、α−メ
チルスチレンなどのビニル芳香族系単量体の重合体の芳
香環部分の水素添加物などを挙げることができる。
たとえば、特開昭５１−５９９８９号公報に開示されて
いるビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサンなど
のビニル脂環式炭化水素系単量体の重合体及びその水素
添加物、特開昭６３−４３９１０号公報、特開昭６４−
１７０６号公報などに開示されているスチレン、α−メ
チルスチレンなどのビニル芳香族系単量体の重合体の芳
香環部分の水素添加物などを挙げることができる。
【００４９】脂環式構造含有重合体の分子量は、シクロ
ヘキサン溶液（重合体樹脂が溶解しない場合はトルエン
溶液）のゲル・パーミエーション・クロマトグラフ法で
測定したポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常５
０００以上、好ましくは５０００〜５０００００、より
好ましくは８０００〜２０００００、さらに好ましくは
１００００〜１０００００である。
ヘキサン溶液（重合体樹脂が溶解しない場合はトルエン
溶液）のゲル・パーミエーション・クロマトグラフ法で
測定したポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常５
０００以上、好ましくは５０００〜５０００００、より
好ましくは８０００〜２０００００、さらに好ましくは
１００００〜１０００００である。
【００５０】脂環式構造含有重合体のガラス転移温度
（Ｔｇ）は、通常７０°Ｃ以上、好ましくは９０°Ｃ以
上、より好ましくは１００°Ｃ以上である。
（Ｔｇ）は、通常７０°Ｃ以上、好ましくは９０°Ｃ以
上、より好ましくは１００°Ｃ以上である。
【００５１】脂環式構造含有重合体の、２８０°Ｃ、荷
重２．１６ｋｇｆにおけるＪＩＳ−Ｋ６７１９により測
定したメルトフローレートは、通常０．１〜１００ｇ／
１０ｍｉｎ．、好ましくは１〜５０ｇ／１０ｍｉｎ．で
ある。
重２．１６ｋｇｆにおけるＪＩＳ−Ｋ６７１９により測
定したメルトフローレートは、通常０．１〜１００ｇ／
１０ｍｉｎ．、好ましくは１〜５０ｇ／１０ｍｉｎ．で
ある。
【００５２】これらの脂環式構造含有重合体は、それぞ
れ単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。
れ単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。
【００５３】上述した透明性樹脂には、脂環式構造含有
重合体には、必要に応じて、軟質重合体やその他の熱可
塑性樹脂などのその他のポリマーや、酸化防止剤、滑
剤、帯電防止剤および樹脂工業で一般的に用いられる各
種配合剤を配合してもよい。
重合体には、必要に応じて、軟質重合体やその他の熱可
塑性樹脂などのその他のポリマーや、酸化防止剤、滑
剤、帯電防止剤および樹脂工業で一般的に用いられる各
種配合剤を配合してもよい。
【００５４】透明性樹脂層（Ａ）は、厚みが好ましくは
３０〜１０００μｍ程度、より好ましくは５０〜５００
μｍ程度で、光線透過率が好ましくは８５％以上、より
好ましくは９０％以上であり、表面平滑性が良好な透明
性樹脂フィルムが好適に用いられる。
３０〜１０００μｍ程度、より好ましくは５０〜５００
μｍ程度で、光線透過率が好ましくは８５％以上、より
好ましくは９０％以上であり、表面平滑性が良好な透明
性樹脂フィルムが好適に用いられる。
【００５５】透明性樹脂フィルムを得るには、上述した
透明性樹脂を溶融押出法や溶剤キャスト法、射出成形法
などの方法を用いて成形することができる。溶剤キャス
ト法は、異物を濾過したり、リターデーションを小さく
するには有利だが、生産性が低く、溶剤が残留する問題
があり、特に肉厚のもので残留溶剤の問題が大きいの
で、溶融押出法を用いることが好ましい。溶融押出法
は、リターデーションを小さくすることが難しいと言わ
れているが、成膜条件を精密に管理することでリターデ
ーションを小さくすることが可能である。
透明性樹脂を溶融押出法や溶剤キャスト法、射出成形法
などの方法を用いて成形することができる。溶剤キャス
ト法は、異物を濾過したり、リターデーションを小さく
するには有利だが、生産性が低く、溶剤が残留する問題
があり、特に肉厚のもので残留溶剤の問題が大きいの
で、溶融押出法を用いることが好ましい。溶融押出法
は、リターデーションを小さくすることが難しいと言わ
れているが、成膜条件を精密に管理することでリターデ
ーションを小さくすることが可能である。
【００５６】なお、透明性樹脂フィルムは、単一の基材
から構成されるフィルムに限定されるものではなく、各
種下塗や表面処理を施した複合フィルムであってもよ
い。複合化にあたっては、コーティングやスパッタリン
グなどの公知の方法を用いることができる。
から構成されるフィルムに限定されるものではなく、各
種下塗や表面処理を施した複合フィルムであってもよ
い。複合化にあたっては、コーティングやスパッタリン
グなどの公知の方法を用いることができる。
【００５７】保護層（Ｄ） 本発明における保護層（Ｄ）とは、保護膜形成材料から
構成される層のことである。
構成される層のことである。
【００５８】本発明で使用される保護膜形成材料として
は、一般に、保護コート剤、ハードコート剤として用い
られるものであれば特に限定されない。
は、一般に、保護コート剤、ハードコート剤として用い
られるものであれば特に限定されない。
【００５９】特に、保護膜形成材料のＴｇは、耐熱性の
観点からは、透明性樹脂からなる層（Ａ）のＴｇ付近以
上が好ましく、より好ましくは１６０℃以上、さらに好
ましくは１８０℃である。
観点からは、透明性樹脂からなる層（Ａ）のＴｇ付近以
上が好ましく、より好ましくは１６０℃以上、さらに好
ましくは１８０℃である。
【００６０】保護膜形成材料としては、たとえば、シリ
コーン系ハードコート剤や有機系ハードコート剤を挙げ
ることができる。
コーン系ハードコート剤や有機系ハードコート剤を挙げ
ることができる。
【００６１】シリコーン系ハードコート剤としては、た
とえば、シラン化合物の部分加水物などが挙げられる。
とえば、シラン化合物の部分加水物などが挙げられる。
【００６２】有機系ハードコート剤としては、たとえ
ば、アクリル系、メラミン系、アルキッド系、ウレタン
系などの紫外線硬化型、熱硬化型のハードコート剤、脂
環式構造含有重合体などの樹脂が挙げられる。
ば、アクリル系、メラミン系、アルキッド系、ウレタン
系などの紫外線硬化型、熱硬化型のハードコート剤、脂
環式構造含有重合体などの樹脂が挙げられる。
【００６３】中でも、透明性および耐熱性に優れ、しか
も隣接する層との密着性の観点からは、好ましくはアク
リル系、シリコン系のハードコート剤、より好ましくは
硬化型アクリル系のハードコート剤、さらに好ましくは
紫外線硬化型アクリル系のハードコート剤、特に好まし
くは多官能のアクリル系紫外線硬化型のハードコート剤
である。
も隣接する層との密着性の観点からは、好ましくはアク
リル系、シリコン系のハードコート剤、より好ましくは
硬化型アクリル系のハードコート剤、さらに好ましくは
紫外線硬化型アクリル系のハードコート剤、特に好まし
くは多官能のアクリル系紫外線硬化型のハードコート剤
である。
【００６４】本発明で使用可能なアクリル系紫外線型ハ
ードコート剤は、反応性モノマー及び／又は反応性オリ
ゴマーと、光重合開始剤とを含むものが用いられる。
ードコート剤は、反応性モノマー及び／又は反応性オリ
ゴマーと、光重合開始剤とを含むものが用いられる。
【００６５】反応性モノマーとしては、たとえば、シク
ロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、イソボルニルメタクリ
レート、その他の高級アルキルアクリレート等の単官能
アクリレートモノマー； エチレングリコール、ジエチ
レングリコール、トリプロピレングリコール、ブチレン
グリコール、テトラメチロールプロパン、トリメチロー
ルプロパン、ペンタエリストール等のポリオール類に２
個以上のアクリレートが結合した多官アクリレートモノ
マー； 等を挙げることができる。中でも、１〜６官能
アクリレートが好ましく、より好ましくは２，３官能ア
クリレート、さらに好ましくは脂環式構造含有アクリレ
ートである。
ロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、イソボルニルメタクリ
レート、その他の高級アルキルアクリレート等の単官能
アクリレートモノマー； エチレングリコール、ジエチ
レングリコール、トリプロピレングリコール、ブチレン
グリコール、テトラメチロールプロパン、トリメチロー
ルプロパン、ペンタエリストール等のポリオール類に２
個以上のアクリレートが結合した多官アクリレートモノ
マー； 等を挙げることができる。中でも、１〜６官能
アクリレートが好ましく、より好ましくは２，３官能ア
クリレート、さらに好ましくは脂環式構造含有アクリレ
ートである。
【００６６】反応性オリゴマーとしては、たとえば、末
端にアクロイル基を持つポリエステルアクリレート、分
子鎖中にエポキシ基かつ末端にアクリロイル基を持つエ
ポキシアクリレートまたはポリウレタンアクリレート、
分子鎖中に二重結合を持つ不飽和ポリエステル、１，２
−ポリブタジン、その他のエポキシ基を持つオリゴマー
を挙げることができる。
端にアクロイル基を持つポリエステルアクリレート、分
子鎖中にエポキシ基かつ末端にアクリロイル基を持つエ
ポキシアクリレートまたはポリウレタンアクリレート、
分子鎖中に二重結合を持つ不飽和ポリエステル、１，２
−ポリブタジン、その他のエポキシ基を持つオリゴマー
を挙げることができる。
【００６７】光重合開始剤としては、たとえば、２，２
−ジメトキシ−２フェニルアセトフェノン、２，２−ジ
エトキシ−２フェニルアセトフェノン、塩素化アセトフ
ェノン等のアセトフェノン類；ベンゾフェノン類；ベン
ジル、メチルオルソベンゾイルベンゾエート、ベンゾイ
ルアルキルエーテル等のベンゾインエーテル類；α，
α’−アゾイソブチルニトリル、２，２’−アゾビスプ
ロパン、ヒドラゾン等のアゾ化合物；ベンゾイルパーオ
キサイド、ジターシャリーブチルパーオキサイド等の有
機パーオキサイド類；ジフェニルサルファイド、ジベン
ゾイルサルファイト等のジフェニルジサルファイド類を
挙げることができる。
−ジメトキシ−２フェニルアセトフェノン、２，２−ジ
エトキシ−２フェニルアセトフェノン、塩素化アセトフ
ェノン等のアセトフェノン類；ベンゾフェノン類；ベン
ジル、メチルオルソベンゾイルベンゾエート、ベンゾイ
ルアルキルエーテル等のベンゾインエーテル類；α，
α’−アゾイソブチルニトリル、２，２’−アゾビスプ
ロパン、ヒドラゾン等のアゾ化合物；ベンゾイルパーオ
キサイド、ジターシャリーブチルパーオキサイド等の有
機パーオキサイド類；ジフェニルサルファイド、ジベン
ゾイルサルファイト等のジフェニルジサルファイド類を
挙げることができる。
【００６８】アクリル系紫外線硬化型ハードコート剤
は、溶剤で希釈してよく、溶剤の種類は、層（Ａ）を構
成する透明性樹脂やハードコート剤の種類に応じて適宜
選択できる。たとえば、層（Ａ）を構成する透明性樹脂
がノルボルネン系重合体である場合には、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環族炭
化水素系溶剤などが使用可能である。
は、溶剤で希釈してよく、溶剤の種類は、層（Ａ）を構
成する透明性樹脂やハードコート剤の種類に応じて適宜
選択できる。たとえば、層（Ａ）を構成する透明性樹脂
がノルボルネン系重合体である場合には、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環族炭
化水素系溶剤などが使用可能である。
【００６９】保護層（Ｄ）の厚さは、好ましくは透明性
樹脂層（Ａ）の厚さの５０％以下で、かつ２〜３００μ
ｍ程度、より好ましくは１０〜２００μｍ程度である。
樹脂層（Ａ）の厚さの５０％以下で、かつ２〜３００μ
ｍ程度、より好ましくは１０〜２００μｍ程度である。
【００７０】厚さが３００μｍを超えると、透明性な
ど、透明性樹脂層（Ａ）に要求されている諸物性が低下
するおそれがある。一方、厚さが２μｍ未満であると、
耐熱性が不十分である。
ど、透明性樹脂層（Ａ）に要求されている諸物性が低下
するおそれがある。一方、厚さが２μｍ未満であると、
耐熱性が不十分である。
【００７１】保護層（Ｄ）を得るには、上述した保護膜
形成材料を用いて、浸漬塗布、ロール塗布、バー塗布、
ウェブ塗布（グラビア、キス、キスメイヤバー、ダイ、
フレキソ、等）、刷毛塗り、スプレー塗布、スピンコー
ト、流し塗り等の方法を用いることができる。保護層の
塗布・乾燥後には、高圧水銀灯等の紫外線を発生する光
源から紫外線を照射することにより、硬化が短時間で起
こり、保護層（Ｄ）が形成される。
形成材料を用いて、浸漬塗布、ロール塗布、バー塗布、
ウェブ塗布（グラビア、キス、キスメイヤバー、ダイ、
フレキソ、等）、刷毛塗り、スプレー塗布、スピンコー
ト、流し塗り等の方法を用いることができる。保護層の
塗布・乾燥後には、高圧水銀灯等の紫外線を発生する光
源から紫外線を照射することにより、硬化が短時間で起
こり、保護層（Ｄ）が形成される。
【００７２】導電層（Ｂ） 本発明における導電層（Ｂ）は、厚さが好ましくは１０
〜４００ｎｍ程度、より好ましくは５０〜２００ｎｍ程
度、光線透過率が好ましくは８０％以上、より好ましく
は８５％以上であり、表面抵抗が好ましくは１００Ω／
□以下、より好ましくは５０Ω／□以下である。また、
導電層（Ｂ）は、膜厚分布の均一な透明導電性薄膜で好
適に形成できる。
〜４００ｎｍ程度、より好ましくは５０〜２００ｎｍ程
度、光線透過率が好ましくは８０％以上、より好ましく
は８５％以上であり、表面抵抗が好ましくは１００Ω／
□以下、より好ましくは５０Ω／□以下である。また、
導電層（Ｂ）は、膜厚分布の均一な透明導電性薄膜で好
適に形成できる。
【００７３】透明導電性薄膜としては、インジウム、
錫、アンチモン、亜鉛、カドミウムなどの酸化物および
これらの複合体、金、銀、パラジウムなどの金属が挙げ
られるが、中でもインジウム酸化物を主体とする金属酸
化物が好ましい。
錫、アンチモン、亜鉛、カドミウムなどの酸化物および
これらの複合体、金、銀、パラジウムなどの金属が挙げ
られるが、中でもインジウム酸化物を主体とする金属酸
化物が好ましい。
【００７４】インジウム酸化物を主体とする金属酸化物
は、酸化インジウム、または酸化インジニウムを、好ま
しくは８０重量％以上、より好ましくは９０〜９５重量
％含有し、酸化錫、酸化カドミウムなどの他の金属酸化
物の１種以上を好ましくは２０重量％以下、より好まし
くは５〜１０重量％含有する化合物であり、その具体例
としては、たとえば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、
ＣｄＩｎ２ Ｏ４ などが挙げられる。中でも、ＩＴＯ
が好ましく、より好ましくは、高透明性を維持しつつシ
ート抵抗を下げる観点から、金属換算で錫を好ましくは
１０重量％以下、より好ましくは５〜１０重量％含有す
るものを用いる。
は、酸化インジウム、または酸化インジニウムを、好ま
しくは８０重量％以上、より好ましくは９０〜９５重量
％含有し、酸化錫、酸化カドミウムなどの他の金属酸化
物の１種以上を好ましくは２０重量％以下、より好まし
くは５〜１０重量％含有する化合物であり、その具体例
としては、たとえば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、
ＣｄＩｎ２ Ｏ４ などが挙げられる。中でも、ＩＴＯ
が好ましく、より好ましくは、高透明性を維持しつつシ
ート抵抗を下げる観点から、金属換算で錫を好ましくは
１０重量％以下、より好ましくは５〜１０重量％含有す
るものを用いる。
【００７５】透明導電性薄膜を積層する方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、プラズマＣＶＤ法などが挙げられるが、ＩＴＯの薄
膜を積層する場合は、密着性、膜の均一性、膜厚コント
ロールの容易性、生産性などの観点から、通常はスパッ
タリング法（たとえばマグネトロンスパッタリング法）
が採用される。
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、プラズマＣＶＤ法などが挙げられるが、ＩＴＯの薄
膜を積層する場合は、密着性、膜の均一性、膜厚コント
ロールの容易性、生産性などの観点から、通常はスパッ
タリング法（たとえばマグネトロンスパッタリング法）
が採用される。
【００７６】ガスバリアー層（Ｃ） 本発明におけるガスバリアー層（Ｃ）とは、ガスバリア
ー膜形成材料から構成される層のことである。
ー膜形成材料から構成される層のことである。
【００７７】本発明で使用されるガスバリアー膜形成材
料としては、有機物でも、金属、非金属、亜金属の酸化
物等の無機酸化物でもよく、特に限定されない。
料としては、有機物でも、金属、非金属、亜金属の酸化
物等の無機酸化物でもよく、特に限定されない。
【００７８】有機物としては、たとえば、ポリビニルア
ルコール，エチレンビニルアルコール共重合体などが挙
げられる。無機酸化物としては、たとえば、酸化アルミ
ニウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化インジウム、
酸化カルシウム、酸化カドミウム、酸化銀、酸化金、酸
化クロム、珪素酸化物、酸化コバルト、酸化ジルコニウ
ム、酸化スズ、酸化チタン、酸化鉄、酸化銅、酸化ニッ
ケル、酸化白金、酸化パラジウム、酸化ビスマス、酸化
マグネシウム、酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化バ
ナジウム、酸化バリウム等が挙げられるが、珪素酸化
物、酸化アルミニウムが、高度な酸素ガスバリア性、水
蒸気バリア性及び透明性とを兼ね備え、かつ、工業的に
安価であるので特に好ましい。かかる珪素酸化物、酸化
アルミニウムは各々単独で使用してもよいし、混合物と
して使用してもよい。なお、無機酸化物には、微量の金
属、非金属、亜金属単体やそれらの水酸化物、また、可
撓性を向上させるために適宜炭素又はフッ素が含まれて
いてもよい。
ルコール，エチレンビニルアルコール共重合体などが挙
げられる。無機酸化物としては、たとえば、酸化アルミ
ニウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化インジウム、
酸化カルシウム、酸化カドミウム、酸化銀、酸化金、酸
化クロム、珪素酸化物、酸化コバルト、酸化ジルコニウ
ム、酸化スズ、酸化チタン、酸化鉄、酸化銅、酸化ニッ
ケル、酸化白金、酸化パラジウム、酸化ビスマス、酸化
マグネシウム、酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化バ
ナジウム、酸化バリウム等が挙げられるが、珪素酸化
物、酸化アルミニウムが、高度な酸素ガスバリア性、水
蒸気バリア性及び透明性とを兼ね備え、かつ、工業的に
安価であるので特に好ましい。かかる珪素酸化物、酸化
アルミニウムは各々単独で使用してもよいし、混合物と
して使用してもよい。なお、無機酸化物には、微量の金
属、非金属、亜金属単体やそれらの水酸化物、また、可
撓性を向上させるために適宜炭素又はフッ素が含まれて
いてもよい。
【００７９】有機物を用いる場合のガスバリアー層の厚
さは、特に限定されないが、好ましくは１〜３０μｍで
ある。無機酸化物を用いる場合のガスバリアー層の厚さ
は、特に限定されず、無機酸化物の種類や形成方法等に
よっても異なるが、酸素ガスバリア性及び水蒸気バリア
性、更には経済性を考慮すると、好ましくは１０〜２０
０ｎｍである。更に高度な酸素ガスバリアー性を得るた
めには薄膜の厚さを厚くすればよいが、薄膜の厚さが１
０ｎｍ未満では均一な膜が得られない傾向がある。
さは、特に限定されないが、好ましくは１〜３０μｍで
ある。無機酸化物を用いる場合のガスバリアー層の厚さ
は、特に限定されず、無機酸化物の種類や形成方法等に
よっても異なるが、酸素ガスバリア性及び水蒸気バリア
性、更には経済性を考慮すると、好ましくは１０〜２０
０ｎｍである。更に高度な酸素ガスバリアー性を得るた
めには薄膜の厚さを厚くすればよいが、薄膜の厚さが１
０ｎｍ未満では均一な膜が得られない傾向がある。
【００８０】有機物を用いる場合のガスバリアー層の形
成方法は、例えば、浸漬塗布、ロール塗布、バー塗布、
ウェブ塗布（グラビア、キス、キスメイヤバー、ダイ、
フレキソ、等）、刷毛塗り、スプレー塗布、スピンコー
ト、流し塗り等が用いられる。無機酸化物を用いる場合
のガスバリアー層の形成方法は、公知の蒸着方法、塗布
方法が採用できる。具体的な方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラ
ズマＣＶＤ法などが挙げられる。また、薄膜を形成する
蒸着材料としては、金属単体や無機酸化物又はそれらの
混合物が使用でき、金属単体の場合は、酸素ガスを導入
することにより、形成された薄膜が無機酸化物となる。
あるいは、上記無機物を塗料とし塗布によりガスバリア
ー層を形成してもよく、ポリシラザンを塗布し実質的に
無機酸化物（ＳｉＯ２）を形成してもよい。塗布方法と
しては、通常実施されている塗布方法、例えば、浸漬塗
布、ロール塗布、バー塗布、ウェブ塗布（グラビア、キ
ス、キスメイヤバー、ダイ、フレキソ、等）、刷毛塗
り、スプレー塗布、スピンコート、流し塗り等が用いら
れる。
成方法は、例えば、浸漬塗布、ロール塗布、バー塗布、
ウェブ塗布（グラビア、キス、キスメイヤバー、ダイ、
フレキソ、等）、刷毛塗り、スプレー塗布、スピンコー
ト、流し塗り等が用いられる。無機酸化物を用いる場合
のガスバリアー層の形成方法は、公知の蒸着方法、塗布
方法が採用できる。具体的な方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラ
ズマＣＶＤ法などが挙げられる。また、薄膜を形成する
蒸着材料としては、金属単体や無機酸化物又はそれらの
混合物が使用でき、金属単体の場合は、酸素ガスを導入
することにより、形成された薄膜が無機酸化物となる。
あるいは、上記無機物を塗料とし塗布によりガスバリア
ー層を形成してもよく、ポリシラザンを塗布し実質的に
無機酸化物（ＳｉＯ２）を形成してもよい。塗布方法と
しては、通常実施されている塗布方法、例えば、浸漬塗
布、ロール塗布、バー塗布、ウェブ塗布（グラビア、キ
ス、キスメイヤバー、ダイ、フレキソ、等）、刷毛塗
り、スプレー塗布、スピンコート、流し塗り等が用いら
れる。
【００８１】本発明におけるガスバリアー層（Ｃ）は、
酸素透過度が５ｃｃ／ｍ２ ／ｄａｙ以下が好ましく、
より好ましくは１ｃｃ／ｍ２ ／ｄａｙ以下であり、水
蒸気透過度が５ｇ／ｍ２ ／ｄａｙ以下が好ましく、よ
り好ましくは１ｇ／ｍ２ ／ｄａｙ以下である。
酸素透過度が５ｃｃ／ｍ２ ／ｄａｙ以下が好ましく、
より好ましくは１ｃｃ／ｍ２ ／ｄａｙ以下であり、水
蒸気透過度が５ｇ／ｍ２ ／ｄａｙ以下が好ましく、よ
り好ましくは１ｇ／ｍ２ ／ｄａｙ以下である。
【００８２】液晶表示素子の製造方法 以上のような構成の導電性基板を用いて、図２に示され
る液晶表示素子２０を製造する方法を説明する。
る液晶表示素子２０を製造する方法を説明する。
【００８３】まず、図１に示される導電性基板２を２枚
用意し、これら導電性基板２の導電層（Ｂ）をパターニ
ングすることにより、液晶分子に電圧を印加する役割を
有する透明電極２３ａ，２３ｂを形成する。
用意し、これら導電性基板２の導電層（Ｂ）をパターニ
ングすることにより、液晶分子に電圧を印加する役割を
有する透明電極２３ａ，２３ｂを形成する。
【００８４】次いで、導電性基板２の透明電極２３ａ，
２３ｂを含む保護層（Ｄ）の表面の表示領域に対応する
部分に配向膜層２４ａ，２４ｂを形成する。配向膜層２
４ａ，２４ｂは、本実施形態では、たとえば、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラ
ズマＣＶＤ法などにより形成されたポリイミド膜を、ビ
ロード、布、あるいは紙などの繊維状のものでラビング
処理することにより形成される。
２３ｂを含む保護層（Ｄ）の表面の表示領域に対応する
部分に配向膜層２４ａ，２４ｂを形成する。配向膜層２
４ａ，２４ｂは、本実施形態では、たとえば、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラ
ズマＣＶＤ法などにより形成されたポリイミド膜を、ビ
ロード、布、あるいは紙などの繊維状のものでラビング
処理することにより形成される。
【００８５】次いで、導電性基板２のいずれか一方の保
護層（Ｄ）の表面の表示領域に対応する部分の外側に、
２枚の基板２を接着するためのシール材２６を形成す
る。
護層（Ｄ）の表面の表示領域に対応する部分の外側に、
２枚の基板２を接着するためのシール材２６を形成す
る。
【００８６】次いで、両導電性基板２を、それぞれの保
護層（Ｄ）を相対向させてシール材２６を介して貼り合
わせ、その間に液晶材料２８を封入することにより、図
２に示される液晶表示素子２０が製造される。
護層（Ｄ）を相対向させてシール材２６を介して貼り合
わせ、その間に液晶材料２８を封入することにより、図
２に示される液晶表示素子２０が製造される。
【００８７】本実施形態に係る導電性基板２によれば、
透明性樹脂からなる層（Ａ）上に保護層（Ｄ）が形成し
てあるので、導電層（Ｂ）（パターン化された透明電極
２３ａ，２３ｂ）の蒸着工程や、配向膜層２４ａ，２４
ｂへのラビング工程によっても、透明性樹脂からなる層
（Ａ）の表面が熱変形せずに導電層（Ｂ）が剥離するお
それが少ない。
透明性樹脂からなる層（Ａ）上に保護層（Ｄ）が形成し
てあるので、導電層（Ｂ）（パターン化された透明電極
２３ａ，２３ｂ）の蒸着工程や、配向膜層２４ａ，２４
ｂへのラビング工程によっても、透明性樹脂からなる層
（Ａ）の表面が熱変形せずに導電層（Ｂ）が剥離するお
それが少ない。
【００８８】なお、本実施形態では、本発明の導電性基
板を、液晶表示素子２０に用いた場合を例に挙げたが、
この用途に限定されるものではなく、たとえば、光導電
性感光体、面発光体、有機エレクトロルミネッセンスな
どの基板に用いることもできる。
板を、液晶表示素子２０に用いた場合を例に挙げたが、
この用途に限定されるものではなく、たとえば、光導電
性感光体、面発光体、有機エレクトロルミネッセンスな
どの基板に用いることもできる。
【００８９】
【実施例】以下、本発明について、製造例、実施例、及
び比較例を挙げて、より具体的に説明するが、本発明の
範囲はこれらの例に限定されるものではない。
び比較例を挙げて、より具体的に説明するが、本発明の
範囲はこれらの例に限定されるものではない。
【００９０】これらの例において、［部］は、特に断り
のない限り、重量基準である。また、各種物性の測定法
は、次のとおりである。
のない限り、重量基準である。また、各種物性の測定法
は、次のとおりである。
【００９１】「ガラス転移温度（Ｔｇ）」は、示差走査
熱量計（ＤＳＣ法）により測定した。
熱量計（ＤＳＣ法）により測定した。
【００９２】「分子量」は、特に記載しない限り、シク
ロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマト
グラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリイソプレン換算
値である。
ロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマト
グラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリイソプレン換算
値である。
【００９３】「耐熱性試験１」は、透明基板表面（保護
層がある場合は保護層表面）上にＩＴＯ膜を形成した
後、以下に示す碁盤目剥離試験によりＩＴＯ膜の密着性
を評価した。碁盤目剥離試験は、基板表面に形成された
コート層の上から、カッターにより１ｍｍ間隔でタテ、
ヨコ各１１本の切れ目を入れて１ｍｍ四方の碁盤目を１
００個作り、セロハン粘着テープ（積水化学社製）を貼
り、粘着テープを基板面に対して９０°方向に剥し、コ
ート層が剥離しなかった碁盤の目の数を数え、％で評価
した。０％以上２０％未満を◎、２０％以上４０％未満
を○、４０％以上６０％未満を△、６０％以上を×とし
た。
層がある場合は保護層表面）上にＩＴＯ膜を形成した
後、以下に示す碁盤目剥離試験によりＩＴＯ膜の密着性
を評価した。碁盤目剥離試験は、基板表面に形成された
コート層の上から、カッターにより１ｍｍ間隔でタテ、
ヨコ各１１本の切れ目を入れて１ｍｍ四方の碁盤目を１
００個作り、セロハン粘着テープ（積水化学社製）を貼
り、粘着テープを基板面に対して９０°方向に剥し、コ
ート層が剥離しなかった碁盤の目の数を数え、％で評価
した。０％以上２０％未満を◎、２０％以上４０％未満
を○、４０％以上６０％未満を△、６０％以上を×とし
た。
【００９４】「耐熱性試験２」は、透明基板表面（コー
ト層がある場合はコート層表面）上にＩＴＯ膜を形成
し、さらにＩＴＯ膜表面にラビング処理を施した後、上
述した碁盤目剥離試験によりＩＴＯ膜の密着性を評価し
た。
ト層がある場合はコート層表面）上にＩＴＯ膜を形成
し、さらにＩＴＯ膜表面にラビング処理を施した後、上
述した碁盤目剥離試験によりＩＴＯ膜の密着性を評価し
た。
【００９５】液晶基板の「光線透過率」は、分光光度計
（日本分光社製の製品番号Ｕ−３０）により、波長４０
０〜９００ｎｍの範囲について波長を連続的に変化させ
て光透過率（％）を測定し、最小の透過率を液晶基板の
光線透過率とした。９０％以上を◎、８５％以上９０％
未満を○、８０％以上８５％未満を△、８０％未満を×
とした。
（日本分光社製の製品番号Ｕ−３０）により、波長４０
０〜９００ｎｍの範囲について波長を連続的に変化させ
て光透過率（％）を測定し、最小の透過率を液晶基板の
光線透過率とした。９０％以上を◎、８５％以上９０％
未満を○、８０％以上８５％未満を△、８０％未満を×
とした。
【００９６】実施例１ 透明性樹脂の製造 窒素雰囲気下、テトラシクロ〔７．４．０．１
１０，１３ ．０２，７ 〕トリデカ−２，４，６，１
１−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ
−テトラヒドロフルオレンともいう。以下、ＭＴＦと略
す）６０部、テトラシクロ〔４．４．０．１２，５ ．
１７，１０〕−ドデカ−３−エン（以下、ＴＣＤと略
す）４０部とを公知のメタセシス開環重合触媒系で重合
し、次いで公知の方法で水素添加しＭＴＦ／ＴＣＤ開環
共重合体水素添加物を得た。
１０，１３ ．０２，７ 〕トリデカ−２，４，６，１
１−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ
−テトラヒドロフルオレンともいう。以下、ＭＴＦと略
す）６０部、テトラシクロ〔４．４．０．１２，５ ．
１７，１０〕−ドデカ−３−エン（以下、ＴＣＤと略
す）４０部とを公知のメタセシス開環重合触媒系で重合
し、次いで公知の方法で水素添加しＭＴＦ／ＴＣＤ開環
共重合体水素添加物を得た。
【００９７】水素添加反応終了後、反応溶液から公知の
方法で水素添加触媒を除去し、この水素添加重合体溶液
に、酸化防止剤であるペンタエリスリチル−テトラキス
〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕を水素添加重合体１００部に対
して、０．２部加えてから、公知の方法で脱溶剤した後
ペレット化した。重合反応後の溶液をガスクロマトグラ
フィーで分析した結果、仕込みの単量体全てがポリマー
に転化していることが判った。この開環共重合体水素添
加物の水素添加率は９９．９％以上、Ｍｗは３２５０
０、Ｔｇは１６２℃であった。
方法で水素添加触媒を除去し、この水素添加重合体溶液
に、酸化防止剤であるペンタエリスリチル−テトラキス
〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕を水素添加重合体１００部に対
して、０．２部加えてから、公知の方法で脱溶剤した後
ペレット化した。重合反応後の溶液をガスクロマトグラ
フィーで分析した結果、仕込みの単量体全てがポリマー
に転化していることが判った。この開環共重合体水素添
加物の水素添加率は９９．９％以上、Ｍｗは３２５０
０、Ｔｇは１６２℃であった。
【００９８】透明性樹脂からなる層（Ａ）（基板用ベー
スフィルム）の製造 製造例１で得られたペレットを６５ｍｍφのスクリュー
を備えた樹脂溶融混練機を有するＴダイ式フィルム溶融
押出し成形機を使用し、溶融樹脂温度２２０℃、Ｔダイ
の幅５００ｍｍの成形条件にて、厚さ３００μｍで、１
００ｍｍ×１００ｍｍの基板用ベースフィルム（透明性
樹脂からなる層（Ａ））を押出成形した。
スフィルム）の製造 製造例１で得られたペレットを６５ｍｍφのスクリュー
を備えた樹脂溶融混練機を有するＴダイ式フィルム溶融
押出し成形機を使用し、溶融樹脂温度２２０℃、Ｔダイ
の幅５００ｍｍの成形条件にて、厚さ３００μｍで、１
００ｍｍ×１００ｍｍの基板用ベースフィルム（透明性
樹脂からなる層（Ａ））を押出成形した。
【００９９】保護層（Ｄ）の形成 得られたベースフィルムの一方の面上に、ハードコート
剤として、ジシクロペンタジエンジアクリレート（カヤ
ードＲ−６０４：日本化薬株式会社製）１００ｇに紫外
線硬化剤としてイルガキュア１８４（日本チバガイギー
株式会社製）５ｇを混合、溶解した液組成物（コート剤
Ａ）を塗布し、８０Ｗ／ｃｍ高圧水銀ランプを用い、照
射量１０００ｍＪ／ｃｍ２ にて硬化させ、厚さ１００
μｍの保護層（Ｄ）を形成した。
剤として、ジシクロペンタジエンジアクリレート（カヤ
ードＲ−６０４：日本化薬株式会社製）１００ｇに紫外
線硬化剤としてイルガキュア１８４（日本チバガイギー
株式会社製）５ｇを混合、溶解した液組成物（コート剤
Ａ）を塗布し、８０Ｗ／ｃｍ高圧水銀ランプを用い、照
射量１０００ｍＪ／ｃｍ２ にて硬化させ、厚さ１００
μｍの保護層（Ｄ）を形成した。
【０１００】導電層（Ｂ）の形成 上記保護層（Ｄ）上に、スパッタリング法により、厚さ
５０ｎｍのＩＴＯ膜（導電層（Ｂ））を形成した。
５０ｎｍのＩＴＯ膜（導電層（Ｂ））を形成した。
【０１０１】配向膜層の形成 まず、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラ
ニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジ
カルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミンとをモル比
１：１で常法により反応させて得たポリアミド酸のＮＭ
Ｐ溶液を、濃度が６重量％になるように調製した。
ニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジ
カルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミンとをモル比
１：１で常法により反応させて得たポリアミド酸のＮＭ
Ｐ溶液を、濃度が６重量％になるように調製した。
【０１０２】この溶液を、上記導電層（Ｂ）上にスピン
コートし、１６０℃で６０分間焼成して、厚膜５ｎｍの
配向膜層を形成した。
コートし、１６０℃で６０分間焼成して、厚膜５ｎｍの
配向膜層を形成した。
【０１０３】次いで、この配向膜層にナイロン膜による
ラビング処理を施した。ラビング処理条件は、径１０ｃ
ｍのロールにナイロンを貼り付けたラビングロールを用
い、押し込み量０．３ｍｍ、送り速度１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ、回転数１０００ｒｐｍ、送り回数４回とした。
ラビング処理を施した。ラビング処理条件は、径１０ｃ
ｍのロールにナイロンを貼り付けたラビングロールを用
い、押し込み量０．３ｍｍ、送り速度１０ｃｍ／ｓｅ
ｃ、回転数１０００ｒｐｍ、送り回数４回とした。
【０１０４】ガスバリアー層（Ｃ）の形成 上述のベースフィルムの保護層（Ｄ）、導電層（Ｂ）お
よび配向膜層が形成されていない他方の面上に、ＳｉＯ
２ を主体とした金属酸化物をスパッタリングし、厚み
５０ｎｍのガスバリアー層（Ｃ）を形成し、導電性基板
を得た。
よび配向膜層が形成されていない他方の面上に、ＳｉＯ
２ を主体とした金属酸化物をスパッタリングし、厚み
５０ｎｍのガスバリアー層（Ｃ）を形成し、導電性基板
を得た。
【０１０５】このようにして得られた導電性基板の光線
透過率、耐熱性試験１および耐熱性試験２を行った。結
果を表１に示す。
透過率、耐熱性試験１および耐熱性試験２を行った。結
果を表１に示す。
【０１０６】実施例２ 保護層（Ｄ）のハードコート剤（コート剤Ｂ）として、
３官能ポリエステルアクリレート（Ｍ−８０３０、Ｔｇ
２５０℃、東亜合成株式会社製、紫外線硬化剤は同一）
を用いた以外は、実施例１と同様にして導電性基板を得
て、光線透過率、耐熱性試験１および耐熱性試験２を行
った。結果を表１に示す。
３官能ポリエステルアクリレート（Ｍ−８０３０、Ｔｇ
２５０℃、東亜合成株式会社製、紫外線硬化剤は同一）
を用いた以外は、実施例１と同様にして導電性基板を得
て、光線透過率、耐熱性試験１および耐熱性試験２を行
った。結果を表１に示す。
【０１０７】実施例３ 保護層（Ｄ）のハードコート剤（コート剤Ｃ）として、
シリコンハードコート剤（ＵＶＨＣ１１０３：東芝シリ
コン株式会社製）を用い、さらに熱硬化により保護層
（Ｄ）を形成した以外は、実施例１と同様にして導電性
基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１および耐熱性試
験２を行った。結果を表１に示す。
シリコンハードコート剤（ＵＶＨＣ１１０３：東芝シリ
コン株式会社製）を用い、さらに熱硬化により保護層
（Ｄ）を形成した以外は、実施例１と同様にして導電性
基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１および耐熱性試
験２を行った。結果を表１に示す。
【０１０８】実施例４ 透明性樹脂からなる層（Ａ）の透明性樹脂として、ポリ
カーボネート（ＰＣ）を用いた以外は、実施例１と同様
にして導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１お
よび耐熱性試験２を行った。結果を表１に示す。
カーボネート（ＰＣ）を用いた以外は、実施例１と同様
にして導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１お
よび耐熱性試験２を行った。結果を表１に示す。
【０１０９】実施例５ 透明性樹脂からなる層（Ａ）の透明性樹脂として、以下
に示す透明性樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にし
て導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１および
耐熱性試験２を行った。結果を表１に示す。
に示す透明性樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にし
て導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１および
耐熱性試験２を行った。結果を表１に示す。
【０１１０】透明性樹脂の製造 ＭＴＦ６０部とＴＣＤ４０部に代えて、４−エチル−テ
トラシクロ〔４．４．０．１２，５ ．１７，１０〕−
ドデカ−３−エン（以下、ＥＴＤと略す）１００部を用
いた以外は、実施例１における透明性樹脂の製造と同様
に、重合、水添、ペレット化を実施した。得られた開環
重合体水素添加物の水素添加率は９９．９％以上、Ｍｗ
は３２５００、Ｔｇは１３９℃であった。
トラシクロ〔４．４．０．１２，５ ．１７，１０〕−
ドデカ−３−エン（以下、ＥＴＤと略す）１００部を用
いた以外は、実施例１における透明性樹脂の製造と同様
に、重合、水添、ペレット化を実施した。得られた開環
重合体水素添加物の水素添加率は９９．９％以上、Ｍｗ
は３２５００、Ｔｇは１３９℃であった。
【０１１１】比較例１ 保護層（Ｄ）を形成しなかった以外は、実施例１と同様
にして導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１お
よび耐熱性試験２を行った。結果を表１に示す。
にして導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性試験１お
よび耐熱性試験２を行った。結果を表１に示す。
【０１１２】比較例２ 透明性樹脂からなる層（Ａ）の透明性樹脂として、ポリ
エーテルサルフォン（ＰＥＳ）を用いた以外は、比較例
１と同様にして導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性
試験１および耐熱性試験２を行った。結果を表１に示
す。
エーテルサルフォン（ＰＥＳ）を用いた以外は、比較例
１と同様にして導電性基板を得て、光線透過率、耐熱性
試験１および耐熱性試験２を行った。結果を表１に示
す。
【０１１３】
【表１】
【０１１４】表１に示される結果から、比較例１では耐
熱性が劣り、比較例２では透明性が劣ることが確認でき
た。これに対し、実施例１〜５では、いずれも耐熱性お
よび透明に優れることが確認できた。
熱性が劣り、比較例２では透明性が劣ることが確認でき
た。これに対し、実施例１〜５では、いずれも耐熱性お
よび透明に優れることが確認できた。
【０１１５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、耐熱性および透明性に優れた導電性基板およびこれ
を用いた表示素子を提供することができる。
ば、耐熱性および透明性に優れた導電性基板およびこれ
を用いた表示素子を提供することができる。
【図１】 図１は本発明に係る導電性基板の一実施形態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 図２は図１の導電性基板を用いた表示素子の
一実施形態を示す液晶表示素子の要部断面図である。
一実施形態を示す液晶表示素子の要部断面図である。
【符号の説明】 ２… 導電性基板 Ａ… 透明性樹脂からなる層 Ｂ… 導電層 Ｃ… ガスバリアー層 Ｄ… 導電層 ２０… 液晶表示素子 ２２ａ，２２ｂ… 基板（＝導電性基板２） ２３ａ，２３ｂ… 透明電極（導電層（Ｂ）） ２４ａ，２４ｂ… 配向膜層 ２６… シール材 ２８… 液晶材料 ３０… スペーサ ３２… 偏光板 ４０… バックライト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１０ Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ Ｆターム(参考） 2H090 JA07 JB03 JD11 LA01 4F100 AA20C AA33B AK01A AK25D AK80A AR00B AR00D BA04 BA07 BA10B BA10C EH662 EJ081 EJ54 GB41 JD02C JG01B JJ03 JN01A 5C094 AA01 AA33 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 EA05 EB02 EC03 ED14 FB12 FB15 5G307 FA02 FB01 FC06 FC09 5G435 AA00 AA12 BB12 BB15 EE25 EE33 FF05 GG22 HH02 HH12 KK07
Claims (4)
- 【請求項１】 透明性樹脂からなる層（Ａ）の一方の面
に導電層（Ｂ）が形成してあり、前記層（Ａ）の他方の
面にガスバリアー層（Ｃ）が形成してある導電性基板で
あって、 前記層（Ａ）と前記層（Ｂ）との間に保護層（Ｄ）が形
成してある導電性基板。 - 【請求項２】 前記透明性樹脂が、脂環式構造含有重合
体である請求項１記載の導電性基板。 - 【請求項３】 前記保護層（Ｄ）が、アクリル樹脂から
構成されていることを特徴とする請求項１または２記載
の導電性基板。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れかに記載の導電性基
板を有する表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33783899A JP2001150584A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 導電性基板およびこれを用いた表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33783899A JP2001150584A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 導電性基板およびこれを用いた表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001150584A true JP2001150584A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18312459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33783899A Pending JP2001150584A (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 導電性基板およびこれを用いた表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001150584A (ja) |
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004252422A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明フィルム、透明導電性フィルムおよびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機ｅｌディスプレイおよびタッチパネル |
| EP1958981A2 (en) | 2007-02-15 | 2008-08-20 | FUJIFILM Corporation | Barriere laminate, barrier film substrate, methods for producing them, and device |
| EP2033988A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film, and method for sealing display device with gas-barrier film |
| EP2036717A2 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-18 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, and display device comprising the same |
| EP2040314A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device or display device, and method for producing them |
| EP2040318A2 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Patterning method and display device |
| EP2045355A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-04-08 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film and organic device comprising same |
| EP2050780A2 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-22 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, barrier film substrate, device, and method for producing barrier laminate |
| EP2055734A2 (en) | 2007-06-11 | 2009-05-06 | FUJIFILM Corporation | Gas barrier film and organic device using the same |
| EP2103646A1 (en) | 2008-03-21 | 2009-09-23 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and method for producing same, barrier film substrate, device and optical component |
| EP2103645A1 (en) | 2008-03-17 | 2009-09-23 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and method for producing same, device and optical component |
| EP2110403A1 (en) | 2008-04-14 | 2009-10-21 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, barrier film substrate and device |
| US7608309B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-10-27 | Fujifilm Corporation | Resin composition, film and image display device utilizing the resin composition |
| EP2128191A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-02 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, device, and method for producing barrier laminate |
| EP2128192A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device using the same |
| EP2138533A1 (en) | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device using the same |
| EP2138532A1 (en) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device |
| EP2141190A1 (en) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, device and method for producing barrier laminate |
| EP2172988A2 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-07 | Fujifilm Corporation | Organic solar cell device |
| WO2010101011A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-10 | Fujifilm Corporation | Method for producing light-emitting display device, light-emitting display device and light-emitting display |
| EP2228846A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-15 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, and device using the same |
| US7815983B2 (en) | 2006-03-27 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film, substrate film, and organic electroluminescent device |
| US7815982B2 (en) | 2005-04-12 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device |
| US7815981B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device |
| US7838092B2 (en) | 2005-07-11 | 2010-11-23 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device |
| US7868966B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-01-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a transparent plate disposed on both sides of the liquid crystal panel |
| EP2289983A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-02 | Fujifilm Corporation | Composite film |
| EP2289984A1 (en) | 2009-08-26 | 2011-03-02 | Fujifilm Corporation | Laminate film and composite film |
| WO2011027902A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and method for manufacturing the barrier laminate |
| EP2301748A1 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-30 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and gas barrier film using the same |
| WO2013027786A1 (ja) | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 富士フイルム株式会社 | バリア性積層体およびガスバリアフィルム |
| WO2017038823A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 液晶セルおよび３次元構造液晶セル |
| WO2017057721A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 三次元流体セルの製造方法 |
| WO2017082397A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | 富士フイルム株式会社 | 液晶セル、および三次元構造液晶セル |
| CN107850802A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-03-27 | 富士胶片株式会社 | 液晶单元、三维结构液晶单元前体以及三维结构液晶单元的制造方法 |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP33783899A patent/JP2001150584A/ja active Pending
Cited By (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4635435B2 (ja) * | 2003-01-27 | 2011-02-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明フィルム、透明導電性フィルムおよびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機ｅｌディスプレイおよびタッチパネル |
| JP2004252422A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明フィルム、透明導電性フィルムおよびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機ｅｌディスプレイおよびタッチパネル |
| US7608309B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-10-27 | Fujifilm Corporation | Resin composition, film and image display device utilizing the resin composition |
| US8692952B2 (en) | 2004-04-30 | 2014-04-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a transparent plate disposed on both sides of the liquid crystal panel |
| US7868966B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-01-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a transparent plate disposed on both sides of the liquid crystal panel |
| US7815981B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device |
| US7815982B2 (en) | 2005-04-12 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device |
| US7838092B2 (en) | 2005-07-11 | 2010-11-23 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device |
| US7815983B2 (en) | 2006-03-27 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film, substrate film, and organic electroluminescent device |
| EP1958981A2 (en) | 2007-02-15 | 2008-08-20 | FUJIFILM Corporation | Barriere laminate, barrier film substrate, methods for producing them, and device |
| EP2055734A2 (en) | 2007-06-11 | 2009-05-06 | FUJIFILM Corporation | Gas barrier film and organic device using the same |
| EP2033988A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film, and method for sealing display device with gas-barrier film |
| EP2036717A2 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-18 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, and display device comprising the same |
| EP2040318A2 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Patterning method and display device |
| EP2045355A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-04-08 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film and organic device comprising same |
| EP2040314A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device or display device, and method for producing them |
| EP2050780A2 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-22 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, barrier film substrate, device, and method for producing barrier laminate |
| EP2103645A1 (en) | 2008-03-17 | 2009-09-23 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and method for producing same, device and optical component |
| EP2103646A1 (en) | 2008-03-21 | 2009-09-23 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and method for producing same, barrier film substrate, device and optical component |
| EP2110403A1 (en) | 2008-04-14 | 2009-10-21 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, barrier film substrate and device |
| EP2128192A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device using the same |
| EP2128191A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-02 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, device, and method for producing barrier laminate |
| EP2138532A1 (en) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device |
| EP2138533A1 (en) | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and device using the same |
| EP2141190A1 (en) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, device and method for producing barrier laminate |
| EP2172988A2 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-07 | Fujifilm Corporation | Organic solar cell device |
| EP2228846A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-15 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, and device using the same |
| WO2010101011A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-10 | Fujifilm Corporation | Method for producing light-emitting display device, light-emitting display device and light-emitting display |
| US8329306B2 (en) | 2009-03-03 | 2012-12-11 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, and device using the same |
| EP2289984A1 (en) | 2009-08-26 | 2011-03-02 | Fujifilm Corporation | Laminate film and composite film |
| US8283020B2 (en) | 2009-08-26 | 2012-10-09 | Fujifilm Corporation | Laminate film and composite film |
| WO2011027902A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film and method for manufacturing the barrier laminate |
| EP2289983A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-02 | Fujifilm Corporation | Composite film |
| US8697235B2 (en) | 2009-09-14 | 2014-04-15 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and gas barrier film using the same |
| EP2301748A1 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-30 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate and gas barrier film using the same |
| WO2013027786A1 (ja) | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 富士フイルム株式会社 | バリア性積層体およびガスバリアフィルム |
| CN107850802A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-03-27 | 富士胶片株式会社 | 液晶单元、三维结构液晶单元前体以及三维结构液晶单元的制造方法 |
| JPWO2017038823A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2018-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 液晶セルおよび３次元構造液晶セル |
| CN107924081A (zh) * | 2015-08-31 | 2018-04-17 | 富士胶片株式会社 | 液晶单元以及三维结构液晶单元 |
| US20180164630A1 (en) * | 2015-08-31 | 2018-06-14 | Fujifilm Corporation | Liquid crystal cell and three-dimensional structural liquid crystal cell |
| WO2017038823A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 液晶セルおよび３次元構造液晶セル |
| WO2017057721A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 三次元流体セルの製造方法 |
| JPWO2017057721A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-12 | 富士フイルム株式会社 | 三次元流体セルの製造方法 |
| WO2017082397A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | 富士フイルム株式会社 | 液晶セル、および三次元構造液晶セル |
| CN108292056A (zh) * | 2015-11-12 | 2018-07-17 | 富士胶片株式会社 | 液晶单元及三维结构液晶单元 |
| JPWO2017082397A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2018-08-02 | 富士フイルム株式会社 | 液晶セル、および三次元構造液晶セル |
| US10656451B2 (en) | 2015-11-12 | 2020-05-19 | Fujifilm Corporation | Liquid crystal cell and three-dimensional liquid crystal cell |
| CN108292056B (zh) * | 2015-11-12 | 2021-09-14 | 富士胶片株式会社 | 液晶单元及三维结构液晶单元 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001150584A (ja) | 導電性基板およびこれを用いた表示素子 | |
| CN103129064B (zh) | 硬涂层膜、透明导电性层叠体和触摸面板 | |
| KR101931471B1 (ko) | 편광판의 제조 방법 | |
| TWI494223B (zh) | A hard coat film, a transparent conductive laminate, and a touch panel | |
| US20040114067A1 (en) | Lightguide plate and lighting unit | |
| CN107315216B (zh) | 一种相位差膜 | |
| US7354632B2 (en) | Optical laminate | |
| US10521062B2 (en) | Film sensor member and method for manufacturing same, circularly polarizing plate and method for manufacturing same, and image display device | |
| JP2008055691A (ja) | 光学フィルムロール、およびその製造方法 | |
| JP2010055944A (ja) | 導電性積層フィルムおよびそれを用いたタッチパネル | |
| EP3521348A1 (en) | Resin film, barrier film, and electrically conductive film, and production methods therefor | |
| JP2009025427A (ja) | 多層フィルム及び発光デバイス | |
| WO2011108494A1 (ja) | 導電性積層フィルムおよびそれを用いたタッチパネル | |
| JPH11282625A (ja) | タッチパネルおよび積層シート | |
| JP7308592B2 (ja) | 光学フィルムおよびその製造方法 | |
| JP2003059645A (ja) | 封止剤及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2001215320A (ja) | 光学フィルターおよびこれを用いた表示装置 | |
| JP2010237375A (ja) | 微細構造体およびそれを用いた光学素子 | |
| JP2008065061A (ja) | 光学フィルム、光学フィルムの製造方法、偏光板および液晶パネル | |
| JP2009126097A (ja) | 積層体 | |
| JP2008137175A (ja) | 光学フィルムの製造方法 | |
| JP6738448B1 (ja) | 透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JP2004230728A (ja) | 導光板の製造方法 | |
| JP2002228845A (ja) | 導光板 | |
| JP2004130736A (ja) | 易滑化フィルムの製造方法およびこれを用いた表示用プラスチック基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050810 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080408 |