JP2001144124A - 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Info

Publication number
JP2001144124A
JP2001144124A JP2000281162A JP2000281162A JP2001144124A JP 2001144124 A JP2001144124 A JP 2001144124A JP 2000281162 A JP2000281162 A JP 2000281162A JP 2000281162 A JP2000281162 A JP 2000281162A JP 2001144124 A JP2001144124 A JP 2001144124A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
cavity
mold
sealing
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000281162A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3886327B2 (ja
JP2001144124A5 (ja
Inventor
Fumio Miyajima
文夫 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apic Yamada Corp filed Critical Apic Yamada Corp
Priority to JP2000281162A priority Critical patent/JP3886327B2/ja
Publication of JP2001144124A publication Critical patent/JP2001144124A/ja
Publication of JP2001144124A5 publication Critical patent/JP2001144124A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3886327B2 publication Critical patent/JP3886327B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＳＯＮ型等の半導体装置を樹脂ばりを発生さ
せずに確実に樹脂成形可能とする。 【解決手段】 半導体チップ１２の電極と電気的に接続
されたリード１４が、半導体チップ１２を封止する封止
樹脂の外面に沿って表面実装可能に露出して樹脂封止さ
れた半導体装置の樹脂封止方法において、前記半導体チ
ップ１２のチップ面にリード１４の一端側が接合された
被成形品を、前記リード１４の露出面に耐熱性を有する
リリースフィルム３２を押接して金型４０、４２により
クランプし、キャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳＯＮ（Small Outl
ine Non Lead) パッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＮパッケージは半導体チップと略同
サイズに形成したいわゆるチップサイズパッケージの一
つである。図７、８はＳＯＮパッケージの断面図及び底
面図を示す。図７で１０は半導体チップ、１２はダイパ
ッド、１４は半導体チップ１０と実装基板とを電気的に
接続するためのリードである。リード１４は半導体チッ
プ１０の中央部で半導体チップ１０に接合され、接合部
分の表面は半導体チップ１０の電極とワイヤボンディン
グによって電気的に接続するボンディング１４ａとして
形成される。ボンディング部１４ａの外側部分はチップ
面から若干浮き上がりチップ面と平行に延出して実装基
板に接続する接続部１４ｂとして形成されている。
【０００３】接続部１４ｂは半導体チップ１０のチップ
面内に配置され、パッケージ全体が略チップサイズに形
成されている。１６は半導体チップ１０の電極とリード
１４とを電気的に接続するボンディングワイヤである。
１８は半導体チップ１０のリード１４との接合面を封止
する封止樹脂である。封止樹脂１８は半導体チップ１０
とリード１４とのワイヤボンディング部分をを封止する
とともに、リード１４の接続部１４ｂを所定位置で支持
する作用を有する。
【０００４】リード１４の接続部１４ｂは実装基板とは
んだ等で接続するため封止樹脂１８の外面に露出する。
図７、８に示す例では、接続部１４ｂは封止樹脂１８の
外面で対向する２辺の各々で一定間隔で平行に配置され
ている。接続部１４ｂは実装基板の接続部にはんだ付け
等で接続できるよう平坦面に形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなＳＯＮパ
ッケージの製造工程で、半導体チップ１０とリード１４
との接合面を樹脂封止する場合、通常のトランスファモ
ールド法によるとするとリード１４の表面に樹脂ばりが
生じたりするため、通常のトランスファモールド法が使
用できず、従来はポッティング法によって樹脂封止して
いる。ＳＯＮパッケージではチップ面に平行に多数本の
リード１４が配置されるから、パッケージを縦型に配置
してポッティング樹脂を流し込む方法がとられる。
【０００６】しかしながら、ポッティング法は樹脂が硬
化するまでに時間がかかり、量産性が悪いという問題が
あり、また、ポッィングの際にエアを巻き込みやすく、
これによってボイドが発生しやすくなるという問題、ま
た樹脂と半導体チップ１０との密着性が必ずしも十分で
はないという問題、またポッティングによる場合は金型
を用いる樹脂封止方法にくらべて樹脂の成形精度が低い
という問題点があった。パッケージ内に生じたボイドは
キュア時の熱によってクラックを発生する原因になった
り、実装後に外部環境の温度上昇、温度降下が繰り返し
作用することによってパッケージが破壊されたり、配線
パターンが短絡したりするといった問題の原因となる。
【０００７】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、樹脂ばりを
生じたりさせずに確実に樹脂封止することができ、ＳＯ
Ｎパッケージを容易に量産可能とするとともに、信頼性
の高いＳＯＮパッケージとして提供することができるＳ
ＯＮパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供
しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップの
電極と電気的に接続されたリードが、半導体チップを封
止する封止樹脂の外面に沿って表面実装可能に露出して
樹脂封止された半導体装置の樹脂封止方法において、前
記半導体チップのチップ面にリードの一端側が接合され
た被成形品を、前記リードの露出面に耐熱性を有するリ
リースフィルムを押接して金型によりクランプし、キャ
ビティ内に樹脂を充填して樹脂封止することを特徴とす
る。また、前記リリースフィルムを前記被成形品をセッ
トするキャビティ凹部が設けられた金型面に供給し、前
記キャビティ凹部の内底面側から前記リリースフィルム
をエア吸引して、該リリースフィルムをキャビティ凹部
の内面に吸着支持した後、前記被成形品をセットするこ
とを特徴とする。また、前記キャビティ凹部の側面を構
成する金型部分を金型面内で可動に設け、前記キャビテ
ィ凹部に被成形品をセットする際にはキャビティ凹部の
平面領域を前記半導体チップの外形寸法よりも大きく配
置し、キャビティ凹部に被成形品をセットした後、前記
キャビティ凹部の側面を構成する金型部分を移動し前記
被成形品を側面からクランプして樹脂封止することを特
徴とする。
【０００９】また、半導体チップの電極と電気的に接続
されたリードが、半導体チップを封止する封止樹脂の外
面に沿って表面実装可能に露出して樹脂封止される半導
体装置の樹脂封止装置において、前記半導体チップのチ
ップ面にリードの一端側が接合された被成形品をセット
するキャビティ凹部が形成された金型を設け、該金型の
前記キャビティ凹部を含む金型面にリリースフィルムを
エア吸着する吸着支持手段を設けたことを特徴とする。
また、前記吸着支持手段が、金型のクランプ面に開口す
る吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で加工するキャビ
ティ吸着孔と、前記吸着孔およびキャビティ吸着孔に連
絡するエア機構を備えたことを特徴とする。また、前記
被成形品をセットするキャビティ凹部の平面領域の大き
さを可変にすべく、キャビティ凹部を形成した金型を該
キャビティ凹部を構成する分割型に設け、該分割型に、
移動手段により金型面内において前記キャビティ凹部の
平面領域を可変にする向きに移動可能とする可動型を設
けたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。図１は樹脂封止で使用するＳＯＮパッ
ケージのリードフレーム２０の平面図である。図では、
リードフレーム２０に搭載する半導体チップ１０の配置
位置、ダイパッド１２、樹脂封止範囲、樹脂封止時のゲ
ート位置をあわせて示している。リード１４はリードフ
レーム２０に幅方向に設けたサポートバー２２に一端が
支持され、一対のサポートバー２２の各々から中央側に
向けてその先端が延出する。
【００１１】半導体チップ１０はリード１４のボンディ
ング部１４ａと位置合わせしてリード１４の下面に接合
した後、各々のボンディング部１４ａと半導体チップ１
０の電極とをワイヤボンディングする。ワイヤボンディ
ング後のリードフレーム２０は樹脂封止するが、本実施
形態ではリリースフィルムを用いる樹脂封止方法により
樹脂封止することを特徴とする。図２は半導体チップ１
０を搭載したリードフレーム２０を樹脂封止する樹脂封
止装置の主要部の構成を示す断面図である。３０はリー
ドフレーム２０に半導体チップ１０を搭載した被成形品
である。図３、４は被成形品３０を樹脂封止する状態を
拡大して示す。
【００１２】図２は中心線の左半部に被成形品３０を上
型４０と下型４２でクランプしてキャビティに樹脂を充
填する前の状態、中心線の右半部にキャビティに樹脂を
充填した状態を示す。５０はモールド用の樹脂を供給す
るポット、５２はプランジャである。被成形品３０を樹
脂封止するためのキャビティ凹部は、下型４２でポット
５０を挟む両側に配置される。
【００１３】６０はキャビティ凹部の内底面でスリット
状に開口するキャビティ吸着孔である。キャビティ吸着
孔６０は図のように、背面側でベース４４に形成したエ
ア流路に連絡し、エア流路が外部エア機構に連絡する。
６２はリリースフィルム３２を金型のクランプ面でエア
吸着して支持する吸着孔である。吸着孔６２もベース４
４に設けたエア流路を経由して外部エア機構に連絡す
る。
【００１４】リリースフィルム３２は、まず、吸着孔６
２により金型のクランプ面にエア吸着され、次いでキャ
ビティ吸着孔６０からエア吸引されてキャビティ凹部の
内面にならって吸着支持される。なお、実施形態では上
型４０にはリードフレーム２０をセットするためリード
フレーム２０の厚さ分のわずかな凹部のみが設けられて
いる。
【００１５】図２、図３、４はエア吸着によってリリー
スフィルム３２がキャビティ凹部の内面に吸着支持され
ている状態である。リリースフィルム３２は上型４０と
下型４２の各々に１枚ずつ供給され、それぞれの金型面
を被覆する。上型４０では吸着孔６２とキャビティ吸着
孔６０によってリリースフィルム３２は平坦状に吸着支
持され、下型４２ではキャビティ凹部の形状にならって
吸着支持される。
【００１６】本実施形態の樹脂封止操作で使用するリリ
ースフィルム３２はエア吸引によって容易にキャビティ
凹部の内面形状にならって吸着支持される柔軟性を有
し、金型の加熱温度に耐えられるものである。また、リ
リースフィルム３２は樹脂封止後に金型と容易に離型で
き、モールド樹脂と容易に剥離できるものである必要が
ある。このような特性を有するものとしては、ＦＥＰフ
ィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ＰＥＴフィルム、Ｅ
ＴＦＥフィルム、ポリ塩化ビニリジン等がある。
【００１７】上記のようにリリースフィルム３２を用い
て樹脂封止する理由の一つは、上型４０と下型４２の金
型面（樹脂封止面）にじかにモールド樹脂を付着させず
に樹脂封止できるようにするためである。本実施形態で
はさらに、ポット５０の内面部分についても樹脂が付着
しないようにするためにラッピングフィルムで樹脂を密
封したラッピング樹脂５４をポット５０に供給して樹脂
封止するようにしている。
【００１８】図５にラッピング樹脂５４の外形形状を示
す。実施形態のラッピング樹脂５４はスティック状に成
形した樹脂５４ａをラッピングフィルムで密封したもの
で、樹脂５４ａの上端からラッピングフィルム５４ｂが
所定幅で側方に延出し、端面形状がＴ形となっている。
ラッピングフィルム５４ｂが延出する部分はラッピング
フィルムを２枚合わせにしてシールした部分であるが、
樹脂封止時の樹脂圧によって剥離可能に形成されてい
る。ポット５０にラッピング樹脂５４をセットした状態
で、図２に示すように、ラッピング樹脂５４の延出片が
被成形品３０の側縁部分まで延出する。これにより、ポ
ット５０からキャビティに向けて樹脂を圧送した際に樹
脂路部分でも樹脂が金型に付着しないようになる。
【００１９】図３はリリースフィルム３２を介して上型
４０と下型４２とで被成形品３０をクランプした状態で
ある。被成形品３０を樹脂封止する際には、まず上型４
０と下型４２の金型面位置まで各々リリースフィルム３
２を送入し、上型４０と下型４２の吸着孔６２で金型面
にエア吸着した後、キャビティ吸着孔６０からエア吸引
してキャビティ凹部を形成した後、被成形品３０をキャ
ビティ凹部に位置合わせしてセットする。次いで、上型
４０と下型４２で被成形品をクランプし、ポット５０か
らキャビティに樹脂を充填する。
【００２０】図３は金型に被成形品３０をセットし、上
型４０と下型４２で被成形品３２をクランプした状態で
ある。図はリード１４の端面側からキャビティ部分を見
た断面図である。リード１４が多数本並設され先端がチ
ップ面に向けて折曲している。４６はキャビティに樹脂
を充填するためのゲートである。図１に示すように、ゲ
ート４６は多数本並設されたリード１４の側方に接続
し、リード１４の側面からキャビティに樹脂が充填され
るよう配置されている。図１ではキャビティの側縁の一
部にゲート４６を接続して樹脂を充填しているが、前記
ラッピング樹脂５４の延出片の側縁をキャビティの側縁
部分に一致させることによりキャビティの一辺全体から
キャビティに樹脂を充填することも可能である。
【００２１】被成形品３０は上型４０と下型４２とでク
ランプしてキャビティに樹脂を充填した際に、ダイパッ
ド１２の裏面やリード１４の接続部１４ａの外面に樹脂
ばりが生じないようにしなければならない。クランプ時
に被成形品３０に接するリリースフィルム３２はフィル
ム自体の柔軟性により、被成形品３０をいためずに確実
にクランプする作用をなす。ＳＯＮパッケージのように
リード１４がチップ面から浮いたものであってもリリー
スフィルムを用いる樹脂封止方法によれば確実に被成形
品３０を保持することが可能である。
【００２２】ＳＯＮパッケージは半導体チップ１０が露
出したままの状態で樹脂封止するから、半導体チップ１
０に損傷を与えないようにしなければならず、またパッ
ケージの側面部分での成形精度が要求され、ダイパッド
１２の裏面やリード１４の外面に樹脂ばりを生じさせな
いようにしなければならないことから、本実施形態で
は、被成形品３０をセットする下型４２に被成形品３０
を側面方向からクランプする機構を設けることと、被成
形品３０を下型４２のキャビティ面に押さえつけるよう
にする押さえ機構を設けたことを特徴とする。
【００２３】被成形品３０の側面をクランプする機構と
して、本実施形態では図６に示すように、キャビティ凹
部４８を構成する下型４２を分割型とし、分割型を可動
にした。すなわち、図６で４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４
２ｄはキャビティ凹部４８を構成する分割型で、４２ａ
が固定型、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄが可動型である。可
動型４２ｂ、４２ｃ、４２ｄは下型４２に被成形品３０
をセットする際に、半導体チップ３０の外形寸法よりも
若干後退した位置に配置され、キャビティ凹部４８に半
導体チップ３０をセットした後、半導体チップ１０の側
面部分をクランプする位置まで前進して被成形品３０を
４つの側面でクランプ支持する。可動型４２ｂ、４２
ｃ、４２ｄの移動はカム等を用いた移動手段による。
【００２４】ゲート４６は固定型４２ａに設けられ、被
成形品３０を上型４０と下型４２とでクランプした後、
ゲート４６からキャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止
する。被成形品３０を下型４２にセットする際に可動型
４２ｂ、４２ｃ、４２ｄを後退させておくことにより、
キャビティ凹部４８に被成形品３０をセットする操作が
容易になり、セット時に半導体チップ１０を損傷させる
ことがなくなる。また、セット時に若干位置ずれしても
可動型４２ｂ、４２ｃ、４２ｄによるクランプ操作によ
って位置ずれを補正することができるという利点もあ
る。可動型４２ｂ、４２ｃ、４２ｄの開き量は適宜設定
すればよいが、実施形態では最終のクランプ位置よりも
０．５ｍｍ程度開くようにした。
【００２５】図４は被成形品３０を下型４２のキャビテ
ィ面に押さえつけるようにする押さえ機構として、上型
４０に可動ピン４９を設けた構成を示す。図では中心線
の左半部に下型４２に被成形品３０をセットした状態、
右半部に被成形品３０を上型４０と下型４２とでクラン
プした状態を示す。可動ピン４９は被成形品３０をクラ
ンプした際に半導体チップ１０のコーナー部の上面に当
接し、図４の中心線の右半部に示すように可動ピン４９
で半導体チップ１０を押さえた状態でキャビティ内に樹
脂を充填する。
【００２６】可動ピン４９で半導体チップ１０を押さえ
てキャビティ内に樹脂を充填する場合、可動ピン４９は
半導体チップ１０が浮き上がらない程度までキャビティ
内に樹脂が充填されたタイミングで、キャビティ内から
上型４０内に引き込み、最終的にキャビティ全体に樹脂
を充填する。可動ピン４９を引き込むタイミングは樹脂
の注入時間で判断してもよいし、光電センサ、圧力セン
サを金型内にセットして検知してもよい。可動ピン４９
はリリースフィルム３２で被覆されているから、可動ピ
ン４９を引き込むことにより可動ピン４９の跡ができず
に樹脂封止される。リリースフィルム３２はきわめて収
縮性に優れるから可動ピン４９を引き込むことにより上
型４０のキャビティ内面と同じ平坦面に容易に戻ること
ができる。
【００２７】このように可動ピン４９で被成形品３０を
キャビティ凹部４８の内底面に押圧しながら樹脂封止す
る方法は、半導体チップ１０の裏面すなわちダイパッド
１２の外面に樹脂を侵入させることなく樹脂モールドで
きるようにする方法として有効である。なお、前述した
ように、本実施形態では柔軟性を有するリリースフィル
ム３２でダイパッド１２を押さえるようにするから、こ
の点からもダイパッド１２の裏面側に樹脂が侵入するこ
とを防止している。
【００２８】本実施形態の樹脂封止装置は、上述したよ
うに、被成形品３０を収納するキャビティ凹部４８を構
成する下型４２を分割型とし、これによって被成形品３
０の側面部分のクランプが確実にできるようにしたこ
と、また被成形品３０の厚さ方向にはリリースフィルム
３２を介して被成形品３０をクランプするようにしてい
るから、樹脂ばりを生じさせずに確実に樹脂封止するこ
とが可能になる。リード１４の接続部１４ａについても
接続部１４ａの外面をリリースフィルム３２によって被
覆することにより、接続部１４ａの外面に樹脂ばりを生
じさせずに樹脂封止することが可能になる。
【００２９】本実施形態の樹脂封止方法のように、ＳＯ
Ｎパッケージの樹脂封止に、リリースフィルムを用いた
樹脂封止方法を適用すれば、ポッティング方法によるよ
りも樹脂封止に要する時間を短縮することができ、容易
に量産することが可能になる。また、樹脂封止金型を使
用して樹脂封止することから、パッケージの成形精度を
好適に向上させることが可能になる。また、ポッティン
グ法にくらべてパッケージ内でのボイド発生を好適に抑
えることができ、これによって信頼性の高いＳＯＮパッ
ケージとして提供することが可能になる。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法
及び樹脂封止装置によれば、上述したように、樹脂ばり
のない、成形精度の高い半導体装置を容易に得ることが
できる。また、ボイド等のない信頼性の高い半導体装置
を得ることが可能である。また、量産性に優れ、ＳＯＮ
パッケージ等の半導体装置の製造コストを有効に引き下
げることが可能になる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳＯＮパッケージを形成するリードフレームの
平面図である。
【図２】ＳＯＮパッケージを形成するリードフレームを
樹脂封止する樹脂封止装置の断面図である。
【図３】被成形品を上型と下型でクランプした状態の断
面図である。
【図４】上型に設けた可動ピンにより被成形品を押さえ
る方法を示す説明図である。
【図５】ラッピング樹脂の斜視図である。
【図６】下型の分割型の配置を示す平面図および断面図
である。
【図７】ＳＯＮパッケージの断面図である。
【図８】ＳＯＮパッケージの底面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ １２ ダイパッド １４ リード １４ａ ボンディング部 １４ｂ 接続部 １６ ボンディングワイヤ １８ 封止樹脂 ２０ リードフレーム ３０ 被成形品 ３２ リリースフィルム ４０ 上型 ４２ 下型 ４２ａ 固定型 ４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ 可動型 ４６ ゲート ４８ キャビティ凹部 ４９ 可動ピン ５０ ポット ５４ ラッピング樹脂 ６０ キャビティ吸着孔 ６２ 吸着孔

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの電極と電気的に接続され
    たリードが、半導体チップを封止する封止樹脂の外面に
    沿って表面実装可能に露出して樹脂封止された半導体装
    置の樹脂封止方法において、 前記半導体チップのチップ面にリードの一端側が接合さ
    れた被成形品を、前記リードの露出面に耐熱性を有する
    リリースフィルムを押接して金型によりクランプし、 キャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止することを特徴
    とするＳＯＮ型の半導体装置の樹脂封止方法。
  2. 【請求項２】 前記リリースフィルムを前記被成形品を
    セットするキャビティ凹部が設けられた金型面に供給
    し、 前記キャビティ凹部の内底面側から前記リリースフィル
    ムをエア吸引して、該リリースフィルムをキャビティ凹
    部の内面に吸着支持した後、 前記被成形品をセットすることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置。
  3. 【請求項３】 前記キャビティ凹部の側面を構成する金
    型部分を金型面内で可動に設け、 前記キャビティ凹部に被成形品をセットする際にはキャ
    ビティ凹部の平面領域を前記半導体チップの外形寸法よ
    りも大きく配置し、 キャビティ凹部に被成形品をセットした後、前記キャビ
    ティ凹部の側面を構成する金型部分を移動し前記被成形
    品を側面からクランプして樹脂封止することを特徴とす
    る請求項２記載の半導体装置の樹脂封止方法。
  4. 【請求項４】 半導体チップの電極と電気的に接続され
    たリードが、半導体チップを封止する封止樹脂の外面に
    沿って表面実装可能に露出して樹脂封止される半導体装
    置の樹脂封止装置において、 前記半導体チップのチップ面にリードの一端側が接合さ
    れた被成形品をセットするキャビティ凹部が形成された
    金型を設け、 該金型の前記キャビティ凹部を含む金型面にリリースフ
    ィルムをエア吸着する吸着支持手段を設けたことを特徴
    とする樹脂封止装置。
  5. 【請求項５】 吸着支持手段が、金型のクランプ面に開
    口する吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で加工するキ
    ャビティ吸着孔と、前記吸着孔およびキャビティ吸着孔
    に連絡するエア機構を備えたことを特徴とする請求項４
    記載の樹脂封止装置。
  6. 【請求項６】 被成形品をセットするキャビティ凹部の
    平面領域の大きさを可変にすべく、キャビティ凹部を形
    成した金型を該キャビティ凹部を構成する分割型に設
    け、 該分割型に、移動手段により金型面内において前記キャ
    ビティ凹部の平面領域を可変にする向きに移動可能とす
    る可動型を設けたことを特徴とする請求項４または５記
    載の樹脂封止装置。
JP2000281162A 2000-09-18 2000-09-18 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 Expired - Lifetime JP3886327B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000281162A JP3886327B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000281162A JP3886327B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08193492A Division JP3129660B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 Ｓｏｎパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001144124A true JP2001144124A (ja) 2001-05-25
JP2001144124A5 JP2001144124A5 (ja) 2004-08-12
JP3886327B2 JP3886327B2 (ja) 2007-02-28

Family

ID=18765863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000281162A Expired - Lifetime JP3886327B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3886327B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060562A (ja) * 2006-08-04 2008-03-13 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材、および積層型樹脂封止型半導体装置
CN109435146A (zh) * 2018-12-31 2019-03-08 欣灵电气股份有限公司 光电开关与其生产工艺以及对应的生产模具

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060562A (ja) * 2006-08-04 2008-03-13 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材、および積層型樹脂封止型半導体装置
CN109435146A (zh) * 2018-12-31 2019-03-08 欣灵电气股份有限公司 光电开关与其生产工艺以及对应的生产模具
CN109435146B (zh) * 2018-12-31 2023-04-25 欣灵电气股份有限公司 光电开关与其生产工艺以及对应的生产模具

Also Published As

Publication number Publication date
JP3886327B2 (ja) 2007-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6224360B1 (en) Resin sealing device for chip-size packages
US7727817B2 (en) Semiconductor integrated circuit package and method of packaging semiconductor integrated circuit
US5200366A (en) Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor
JP3246848B2 (ja) 汎用ゲート位置樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP3581814B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2002009096A (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2004134591A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP3129660B2 (ja) Ｓｏｎパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2001223229A (ja) 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材
JP2007036273A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US7265453B2 (en) Semiconductor component having dummy segments with trapped corner air
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
CN110828432A (zh) 功率半导体模块
JP2001144124A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JPH09121015A (ja) 半導体装置
JP2005085832A (ja) 樹脂モールド装置
JPH05243301A (ja) 半導体装置製造方法
JP3473231B2 (ja) ベアチップの封止方法および封止装置
JPH0936155A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06252188A (ja) 樹脂封止型半導体素子の製造方法および製造装置
CN210866170U (zh) 功率半导体模块
JPH01102947A (ja) 樹脂封止型半導体デバイスおよびリードフレーム
JP2005033043A (ja) リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法
KR20050091566A (ko) 반도체 패키지 제조용 양면 몰드
JP2005081695A (ja) 樹脂成形用金型

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060404

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060601

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060627

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060808

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131201

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term