JP2001142014A - 光学走査装置及び光軸調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置を構成する光学部品の取付位置に誤差が
あっても、２本のビームの中心とアパーチャーの中心と
を一致させ、かつアパーチャーから出射された２本のビ
ームをそれぞれ精度よく感光体上の目標位置へ入射させ
る。 【解決手段】 ビーム合成素子１２の取付位置の誤差に
起因してレーザビームＬ ₂には、主としてＺ−Ｘ平面に
直交する主調整方向へのずれが生じる。従って、アパー
チャー１０から出射されるレーザビームＬ１，Ｌ２の進
行方向を一致させ感光体上で所定の位置関係とするため
には、ビーム発生部２２の半導体レーザ２４及びコリメ
ータレンズ２６の一方についてはビーム発生手段２２の
光軸に対する光軸直交面に沿った方向へ位置調整可能と
し、他方につては主調整方向へのみ位置調整可能とすれ
ば、光量低下を抑制すると共にビーム合成素子１２の取
付位置の誤差に起因するレーザビームＬ₂の位置及び傾
きのずれを十分小さくできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル複写機、
レーザプリンタ等の光書込み系として適用され、２個の
半導体レーザから出射された２本のビームにより感光体
を走査する光学走査装置及びこの光学走査装置における
光軸調整調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学走査装置としては、半導体レーザか
ら出射されたレーザ光を回転多面鏡で偏向し、このレー
ザ光により感光体上を走査するものが知られている。ま
た、このような光学走査装置には、２個の半導体レーザ
からそれぞれ出射された２本のレーザ光により感光体を
同時に走査し、これにより、感光体に対する記録速度の
高速化を図ったものがある。

【０００３】光学走査装置における複数本のレーザ光を
発生可能な光源部としては、単一の半導体レーザ素子か
ら複数のレーザ光を発生できる半導体レーザアレイを用
いたものがあるが、このような半導体レーザアレイで光
源部として実用的に適用可能なものは供給が限定されて
いる。そこで半導体レーザアレイを用いることなく、複
数本のレーザ光による感光体への走査を可能とするた
め、複数の半導体レーザから出射される複数本のレーザ
光により感光体を走査する光学走査装置が提案されてい
る。

【０００４】上記のような複数の半導体レーザを備えた
光学走査装置では、感光体上での２本のレーザ光の相対
的な位置関係を精度よく位置合わせすることが重要とな
り、２本のレーザ光の位置関係を精度よく位置合わせす
ることを目的として、例えば次のような発明が提案され
ている。

【０００５】特開平７−２０９５９６号公報には、装置
と感光体の距離が変動しても感光体上における２本のレ
ーザビームの間隔が変化しないように、２本のレーザビ
ームレーザ光を感光体に平行に入射させ、２本のビーム
が交差する位置が感光体に対して光学的に無限遠となる
ようにした回転ポリゴン式の光学システムが開示されて
いる。

【０００６】また特開平９−２７４１５２号公報には、
感光体上での２本のレーザビームの走査線曲がりや走査
線曲がり差を低減させるために、回転多面鏡前で２本の
レーザ光が交差する位置と回転多面鏡により偏向された
２本のレーザ光に対する結像光学系を共役関係としたマ
ルチビーム走査装置が開示されている。

【０００７】上記のような構成では、光源と回転多面鏡
との間で２本のレーザビームが交差する位置が重要とな
る。すなわち、特開平９−２７４１５２号公報のマルチ
ビーム走査装置では、２個の光源からそれぞれ出射され
た２本のレーザビームが所定の位置で交差するように光
源部を調整する必要がある。一方、特開平７−２０９５
９６号公報の回転ポリゴン式の光学システムでは、２本
のレーザビームが交差すべき所定の２位置にはそれぞれ
アパーチャーが設けられ、これら２個のアパーチャーの
位置が強制的に２本のレーザビームが交差すべき２位置
となる。従って、この光学システムのようにアパーチャ
ーを２本のレーザビームが交差する位置に配置すれば、
２本のレーザビームの光軸調整機構を簡略化できる。

【０００８】また特開平９−４３５２３号公報には、２
個の複数の半導体レーザから出射された２本のレーザビ
ームをビーム合成手段（ビーム合成素子）により互いに
近接した光路上を進行する２本のレーザビームとし、ビ
ーム合成素子から出射された２本のレーザビームを１個
のアパーチャーにより整形するマルチビーム走査装置が
開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ビーム
合成素子から出射された２本のレーザビームが交差する
位置にアパーチャーが設けられた光学走査装置では、ビ
ーム合成素子がコリメータレンズとアパーチャーとの間
に配置される。このため、半導体レーザアレイを用いた
場合と比較し、半導体レーザからアパーチャーまでの光
路長が増大すると共に、ビーム合成素子の部品精度や取
付誤差によるレーザビームの光路変動が不可避的に増大
するので、アパーチャーの中心とレーザビームの中心と
の間のずれが増加しやすくなる。

【００１０】ここで、半導体レーザから出射されるレー
ザビームの光量分布は略ガウス分布していることから、
アパーチャーの中心とレーザビームの中心とのがずれが
増加するに従ってアパーチャーによる光量損失が大きく
なる。図４にはアパーチャーの中心とレーザビームの中
心とのずれ量とレーザビームの光量変化との関係が示さ
れている。図４（Ａ）はアパーチャー１０の中心Ｃ_Aと
レーザビームＬの中心Ｃ_Bとが一致している場合を示し
ており、レーザビームＬの中心領域（実線によるハッチ
ング部）がアパーチャー１０によって切り出され、アパ
ーチャー１０から出射されるレーザビームＬの光量は最
大となる。

【００１１】また図４（Ｂ）はアパーチャー１０の中心
Ｃ_AとレーザビームＬの中心Ｃ_Bがずれている場合を示し
ており、アパーチャー１０によりレーザビームＬのすそ
側の外周領域（破線によるハッチング部）が切り出され
るため、すれ量が増加するに従ってレーザビームの光量
損失が増加する。

【００１２】アパーチャーの中心とレーザビームの中心
とのずれを図５に示される光学走査装置の構成に基づい
て説明する。図５に示される構成では、特開平９−４３
５２３号公報に示されているものと同様のビーム合成素
子１２を用いている。このビーム合成素子１２は、断面
が略直角三角形とされたプリズム１４と断面が略平行四
辺形とされたプリズム１６を貼り合わせ、その貼合面を
ビーム合成面１８としたものである。これらのプリズム
１４,１６には２個のビーム発生部２０，２２から出射
されたレーザビームＬ₁,Ｌ₂がそれぞれ入射する。

【００１３】ここで、２個のビーム発生部２０，２２は
それぞれ半導体レーザ２４及びコリメータレンズ２６を
備え、ビーム合成素子１２に入射する２本のレーザビー
ムＬ ₁，Ｌ₂が互いに略平行となるように配置されてい
る。但し、厳密には、ーザビームＬ₂は感光体上におけ
る副走査方向に沿ったレーザビームＬ₁，Ｌ₂の設定間隔
（ビームスポット間隔）に対応する微小角度だけレーザ
ビームＬ₁に対してＸ軸方向に沿って傾いている。

【００１４】一方のレーザビームＬ₁（実線で示される
レーザビーム）はプリズム１４に入射してビーム合成面
１８を透過し、またレーザビームＬ₂（破線で示される
レーザビーム）はプリズム１６の内部反射面１７により
反射されてビーム合成面１８に入射し、更にビーム合成
面１８を透過するレーザビームＬ₁と合成される。ここ
で、ビーム合成素子１２から出射された２本のレーザビ
ームＬ₁，Ｌ₂は、ビーム合成素子１２の取付位置等に誤
差がない理想的な状態では、図５（Ａ）に示されるよう
に見かけ上略一致する。

【００１５】また、ビーム合成素子１２が図５（Ａ）に
示される回転軸Ｓを中心として回転移動する場合を考え
る。ここで、ビーム合成素子１２を回転させると、図５
（Ｂ）に示されるようにレーザビームＬ₂のみが影響を
受け、ビーム合成素子１２から出射されたレーザビーム
Ｌ₂の位置がずれる。このレーザビームＬ₂は、アパーチ
ャー１０を通過してビームの断面積が制限されること
で、レーザビームＬ₁と重なるが、レーザビームＬ₂の中
心とアパーチャー１０の中心とがずれているため、アパ
ーチャー１０によるレーザビームＬ₁の光量損失が大き
くなる（図４（Ｂ）参照）。

【００１６】図５（Ｂ）に示される状態から、レーザビ
ームＬ₂の光量損失を減らすためにビーム発生部２２の
半導体レーザ２４の位置のみを調整してレーザビームＬ
₂の中心とアパーチャー１０の中心とを一致させると、
図５（Ｃ）に示されるようにアパーチャー１０による光
量損失は小さくなるが、アパーチャー１０を通過したレ
ーザビームＬ₂の方向がレーザビームＬ₁の方向からずれ
てしまうため、感光体上での２本のレーザビームＬ₁，
Ｌ₂の位置関係が狙いから外れてしまう。

【００１７】本発明の目的は、上記事実を考慮し、装置
を構成する光学部品の取付位置に誤差があっても、２本
のビームの中心とアパーチャーの中心とが一致し、かつ
アパーチャーから出射された２本のビームがそれぞれ精
度よく感光体上の目標位置へ入射するように２個のビー
ム発生手段の光軸を調整できる光学走査装置及び光軸調
整方法を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】請求項1記載の光学走査
装置は、発散光を出射する半導体レーザ及び該半導体レ
ーザから出射された発散光を略平行光である第１ビーム
とするコリメータレンズを具備した第１のビーム発生手
段と、発散光を出射する半導体レーザ及び該半導体レー
ザから出射された発散光を略平行光である第２ビームと
するコリメータレンズを具備した第２のビーム発生手段
と、前記第１及び第２のビーム発生手段から出射された
第１及び第２ビームが互いに近接した光路上を進行する
ように第１及び第２ビームの少なくとも一方を偏向する
ビーム合成素子と、前記ビーム合成素子から出射された
第１及び第２のビームにより感光体が走査されるように
該第１及び第２ビームを偏向する光偏向器と、前記ビー
ム合成素子と前記光偏向器との間に設けられ前記ビーム
合成素子から出射された第１及び第２ビームの断面形状
を整形するアパーチャーとを有し、前記第１及び第２の
ビーム発生手段の少なくとも一方における半導体レーザ
及びコリメータレンズをそれぞれその光軸と直交する光
軸直交面に沿って位置調整可能としたものである。

【００１９】上記の光学走査装置によれば、前記第１及
び第２のビーム発生手段の少なくとも一方における半導
体レーザ及びコリメータレンズをそれぞれその光軸と直
交する光軸直交面に沿って位置調整可能とすることによ
り、少なくとも一方のビーム発生手段から出射されビー
ム合成素子により合成されたビームの光軸直交面に沿っ
た位置及びアパーチャーの中心に対する傾き（方向）を
それぞれ独立して調整できるようになるので、ビーム合
成素子等の光学部品の取付位置に誤差があっても、ビー
ムの中心をアパーチャーの中心と一致させ、かつアパー
チャーから出射された２本のビームをそれぞれ感光体上
の目標位置に入射させることができる。

【００２０】例えば、図５（Ｂ）に示されるようにレー
ザビームＬ₂（第２ビーム）の中心がアパーチャーの中
心と一致していない場合には、ビーム発生手段（ビーム
発生部２２）の半導体レーザ２４とコリメータレンズ２
６の双方をレーザビームＬ₂の中心とアパーチャー１０
の中心とのずれ量に対応する距離だけずれ方向に対応す
る方向へそれぞれ移動させれば、図６に示されるように
ビーム合成素子１２により合成されたレーザビームＬ₂
の中心がアパーチャーの中心と一致し、かつアパーチャ
ーから出射されるレーザビームＬ₁，Ｌ₂の方向が略一致
する。

【００２１】請求項２記載の光学走査装置は、請求項１
記載の光学走査装置において、前記第２のビーム発生手
段は、前記第２ビームが前記第１ビームと略平行となる
ように配置されると共に、半導体レーザ及びコリメータ
レンズがそれぞれ前記光軸直交面に沿って位置調整可能
とされ、前記光ビーム合成素子は、互いに貼り合わされ
た第１及び第２のプリズムと、該第１及び第２のプリズ
ムの貼合面に構成され前記第１のビーム発生手段から第
１のプリズムに入射した第１ビームを透過させると共
に、前記第２のビーム発生手段から前記第２のプリズム
に入射し該第２のプリズムの内部反射面により反射され
た第２ビームを反射する光合成面とを有するものであ
る。

【００２２】上記の光学走査装置によれば、第２のビー
ム発生手段の半導体レーザ及びコリメータレンズがそれ
ぞれ光軸直交面に沿って位置調整可能とされていること
により、ビーム合成素子の光合成面を透過する第１ビー
ムと比較し、ビーム合成素子の内部反射面及び光合成面
による反射偏向により誤差が増幅される第２ビームの光
軸直交面に沿った位置及びアパーチャーの中心に対する
傾き（方向）をそれぞれ独立して調整できるようになる
ので、ビーム合成素子等の光学部品の取付位置に誤差に
よる悪影響を効果的に抑制できる。

【００２３】請求項３記載の光学走査装置は、請求項２
記載の光学走査装置において、前記第２のビーム発生手
段における半導体レーザ及びコリメータレンズの一方
は、その光軸及び前記内部反射面から前記光合成面まで
の前記第２ビームの光路により規定される平面と直交す
る主調整方向へ位置調整可能とされているものである。

【００２４】上記構成の光学走査装置によれば、第２の
ビーム発生手段における半導体レーザ及びコリメータレ
ンズの一方が主調整方向へ位置調整可能とされているこ
とにより、反射偏向により誤差が増幅される第２ビーム
の位置及び傾きを主調整方向に対応する方向に沿って調
整できる。

【００２５】ここで、ビーム合成素子の取付位置の誤差
に起因して第２ビームにはずれが生じるが、このずれが
主としてどのような方向で生じるかは、第１及び第２ビ
ームの進行方向及びビーム合成素子の形状及び構造とに
応じて定まる。このことを図５に基づいて説明する。ビ
ーム合成素子１２により合成されたレーザビームの進行
方向と平行な方向をＺ方向、半導体レーザ２４の配列方
向と平行な方向をＸ方向、Ｚ及びＸ方向により規定され
る平面（Ｚ−Ｘ平面）と直交する方向をＹ方向とそれぞ
れすると、ビーム合成素子１２の取付位置の誤差として
は、Ｘ、Ｙ及びＺ方向への偏移と、Ｘ、Ｙ及びＺ軸を中
心とする回転方向への偏移が考えられる。このような偏
移により生じるレーザビームＬ₂（第２ビーム）のずれ
方向を表１に示す。

【００２６】

【表１】

【００２７】図５に示されるビーム合成素子１２を用い
た場合には、表１から明らかなようにビーム合成素子１
２の取付位置の誤差により生じるレーザビームＬ₂（第
２ビーム）の光路変動は主にＹ方向に生じる。従って、
ビーム発生部２２（第２のビーム発生手段）における半
導体レーザ２４及びコリメータレンズ２６の一方につい
ては、所定の主調整方向（Ｙ方向）へのみ位置調整可能
とするだけで、ビーム合成素子１２の取付位置の誤差に
起因するレーザビームＬ₂の位置及び傾きのずれを十分
小さくできる。

【００２８】請求項４記載の光学走査装置は、請求項１
又は２記載の光学走査装置において、前記第１及び第２
のビーム発生手段における半導体レーザはそれぞれ単一
の支持基板に一体的となるように取り付けられ、前記支
持基板は、前記光軸直交面に沿った任意の方向へ位置調
整可能とされると共に、前記第１のビーム発生手段の光
軸を中心とする回転方向へ位置調整可能とされているも
のである。

【００２９】上記構成の光学走査装置によれば、第１及
び前記第２のビーム発生手段における半導体レーザが取
り付けられる支持基板が、前記光軸直交面に沿った任意
の方向へ位置調整可能とされていることにより、支持基
板を光軸直交面に沿って移動させれば第１のビームの中
心とアパーチャーとの中心が一致するように第１のビー
ム発生手段の半導体レーザを位置調整できる。

【００３０】また、支持基板を第１のビーム発生手段の
光軸を中心として回転させれば第２のビーム発生手段の
半導体レーザが前記光軸を中心とする回転軌跡に沿って
移動するが、このような回転方向への調整量は微小であ
るので、第２のビーム発生手段における半導体レーザの
移動は、近似的には表１のＹ方向への直線移動と見なす
ことができる。従って、支持基板を第１のビーム発生手
段の光軸を中心として回転させ半導体レーザを移動さ
せ、かつこの半導体レーザの移動に対応させて第２のビ
ーム発生手段のコリメータレンズを光軸直交面に沿って
移動させることにより、ビーム合成素子の取付位置の誤
差に起因する第２ビームの位置及び傾きのずれを十分小
さくできる。

【００３１】請求項５記載光学走査装置は、請求項１記
載の光学走査装置において、前記第２のビーム発生手段
は、第２ビームが前記第１のビーム発生手段から出射さ
れる第１ビームと略直交するように配置されると共に、
該第２のビーム発生手段における半導体レーザ及びコリ
メータレンズがそれぞれ前記光軸直交面に沿って位置調
整可能とされ、前記光ビーム合成素子は、互いに貼り合
わされた第１及び第２のプリズムと、該第１及び第２の
プリズムの貼合面に構成され前記第１のビーム発生手段
から第１のプリズムに入射した第１ビームを透過させる
と共に前記第２のビーム発生手段から前記第２のプリズ
ムに入射した第２ビームを反射する光合成面とを有する
ものである。

【００３２】上記の光学走査装置によれば、第２のビー
ム発生手段の半導体レーザ及びコリメータレンズがそれ
ぞれ光軸直交面に沿って位置調整可能とされていること
により、請求項２記載の光学走査装置の場合と同様に、
ビーム合成素子の光合成面を透過する第１ビームと比較
し、ビーム合成素子の光合成面による反射偏向により誤
差が増幅される第２ビームの光軸直交面に沿った位置及
びアパーチャーの中心に対する傾き（方向）をそれぞれ
独立して調整できるようになるので、ビーム合成素子等
の光学部品の取付位置に誤差による悪影響を効果的に抑
制できる。

【００３３】請求項６記載の光学走査装置は、請求項５
記載の光学走査装置において、前記第２のビーム発生手
段における半導体レーザ及びコリメータレンズの一方
は、前記第１のビーム発生手段の光軸に沿った主調整方
向へ位置調整可能とされたものである。

【００３４】上記構成の光学走査装置によれば、第２の
ビーム発生手段における半導体レーザ及びコリメータレ
ンズの一方が主調整方向へ位置調整可能とされているこ
とにより、反射偏向により誤差が増幅される第２ビーム
の位置及び傾きをそれぞれ主調整方向に対応する方向に
沿って調整できるようになる。

【００３５】ここで、ビーム合成素子の取付位置の誤差
に起因して第２ビームにはずれが生じるが、このずれが
主としてどのような方向で生じるかは、第１及び第２ビ
ームの進行方向とビーム合成素子の形状及び構造とに応
じて定まる。このことを図７に基づいて説明する。な
お、図７では図５と共通な部材については同一符号付し
て説明を省略する。

【００３６】ビーム発生部３６，３８は、ビーム合成素
子２８に入射するレーザビームＬ₁，Ｌ₂が直交するよう
に配置されている。ビーム合成素子２８は断面形状が直
角三角形とされた２個のプリズム３０，３２が貼り合わ
されて構成され、プリズム３０，３２の貼合面がハーフ
ミラー等からなるビーム合成面３４とされている。

【００３７】ここで、ビーム合成素子２８により合成さ
れたレーザビームの進行方向と平行な方向をＺ方向、ビ
ーム発生部３８（第２のビーム発生手段）の光軸と平行
な方向をＸ方向、Ｚ及びＸ方向により規定される平面
（Ｚ−Ｘ平面）と直交する方向をＹ方向とそれぞれする
と、ビーム合成素子２８の取付位置の誤差としては、請
求項３の場合と同様に、Ｘ、Ｙ及びＺ方向への偏移と、
Ｘ、Ｙ及びＺ軸を中心とする回転方向への偏移が考えら
れる。このような偏移により生じるレーザビームＬ
₂（第２ビーム）のずれ方向を表２に示す。

【００３８】

【表２】

【００３９】図７に示されるビーム合成素子２８を用い
た場合には、表２から明らかなようにビーム合成素子２
８の取付位置の誤差により生じるレーザビームＬ₂（第
２ビーム）の光路変動は主にＸ方向に生じる。従って、
この場合にはビーム発生部３８（第２のビーム発生手
段）における半導体レーザ２４及びコリメータレンズ２
６の一方についてはビーム発生部３６の光軸方向と略一
致するＺ方向（主調整方向）へのみ位置調整可能とする
だけで、ビーム合成素子２８の取付位置の誤差に起因す
るレーザビームＬ₂の位置及び傾きのずれを十分小さく
できる。

【００４０】請求項７記載の光学走査装置は、請求項１
記載の光学走査装置において、前記第２のビーム発生手
段は、その半導体レーザから前記アパーチャーまでの光
路長が前記第１のビーム発生手段の半導体レーザから前
記アパーチャーまでの光路長より長くなるように配置さ
れ、該第２のビーム発生手段における半導体レーザ及び
コリメータレンズはそれぞれそ前記光軸直交面に沿って
位置調整可能とされたものである。

【００４１】上記構成の光学走査装置によれば、第１ビ
ーム発生手段と比較して半導体レーザからアパーチャー
までの光路長が長い第２のビーム発生手段における半導
体レーザ及びコリメータレンズをそれぞれそ前記光軸直
交面に沿って位置調整可能としたことにより、第１ビー
ムと比較して位置及び傾きの増幅率が大きくなる第２ビ
ームの位置及びアパーチャーの中心に対する傾きをそれ
ぞれ独立して調整できるようになるので、ビーム合成素
子等の光学部品の取付位置に誤差による悪影響を効果的
に抑制できる。

【００４２】請求項８記載の光軸調整方法は、請求項１
記載の光学走査装置における第２ビームの光軸調整方法
であって、前記第１のビーム発生手段から出射される第
１ビームの光軸を前記アパーチャーの中心と一致させた
後に、前記アパーチャーから出射された第２ビームの光
量が略最大となるように前記第２のビーム発生手段にお
ける半導体レーザ及びコリメータレンズの一方を前記光
軸直交面に沿って位置調整し、感光体上に形成されてい
る第１ビームのビームスポットと第２ビームのビームス
ポットとの位置関係を計測し、計測された位置関係と目
標とすべき位置関係との誤差を算出し、該算出誤差に対
応する距離だけ前記第２のビーム発生手段における半導
体レーザ及びコリメータレンズの他方を前記算出誤差に
対応する方向へ前記光軸直交面に沿って位置調整した
後、感光体上の第１ビームのビームスポットと第２ビー
ムのビームスポットとの位置関係を測定しつつ、これら
のビームスポットが目標とすべき位置関係となるように
前記第２のビーム発生手段における半導体レーザ及びコ
リメータレンズの一方を再び前記光軸直交面に沿って位
置調整するものである。

【００４３】上記構成の光軸調整方法によれば、先ず、
アパーチャーから出射された第２ビームの光量が略最大
となるように前記第２のビーム発生手段における半導体
レーザ及びコリメータレンズの一方を前記光軸直交面に
沿って位置調整することにより、アパーチャーを通過す
る第２ビームの中心とアパーチャーの中心とが一致す
る。

【００４４】このとき、感光体上での第１ビームのビー
ムスポットと第２ビームのビームスポットとの相対的な
位置関係が目標とする位置関係になっていない場合に
は、その誤差を算出して算出誤差に対応する距離だけ第
２のビーム発生手段における半導体レーザ及びコリメー
タレンズの他方を位置調整する。この後、感光体上の第
１ビームのビームスポットと第２ビームのビームスポッ
トとの位置関係を測定しつつ、これらのビームスポット
が目標とすべき位置関係となるように前記第２のビーム
発生手段における半導体レーザ及びコリメータレンズの
一方を再び前記光軸直交面に沿って位置調整する。これ
により、第２のビーム発生手段における半導体レーザ及
びコリメータレンズの一方を位置調整した結果、第２ビ
ームのアパーチャー中心に対する偏移又は傾きが生じ、
これを修正するために半導体レーザ及びコリメータレン
ズの他方を位置調整する作業を複数回繰り返す必要がな
くなるので、第２ビームの光軸調整作業を簡略化でき
る。

【００４５】請求項９記載の光学走査装置は、発散光を
出射する半導体レーザ及び該半導体レーザから出射され
た発散光を略平行光である第１ビームとするコリメータ
レンズを具備した第１のビーム発生手段と、発散光を出
射する半導体レーザ及び該半導体レーザから出射された
発散光を略平行光である第２ビームとするコリメータレ
ンズを具備した第２のビーム発生手段と、前記第１のビ
ーム発生手段から出射された第１ビームを透過させると
共に、前記第のビーム発生手段から出射された第２ビー
ムを反射する光合成面が設けられ、第１及び第２ビーム
を互いに近接した光路に沿って進行するように出射する
ビーム合成素子と、前記ビーム合成素子から出射された
第１及び第２のビームにより感光体が走査されるように
該第１及び第２ビームを偏向する光偏向器と、前記ビー
ム合成素子と前記光偏向器との間に設けられ前記ビーム
合成素子から出射された第１及び第２ビームの断面形状
を整形するアパーチャーとを有し、前記光合成面の前記
第２ビームに対する光反射率を前記第１ビームに対する
光透過率よりも大きくしたものである。

【００４６】上記構成の光学走査装置によれば、第１の
ビーム発生手段からの第１ビームと第２のビーム発生手
段からの第２ビームとを合成するビーム合成素子に第１
ビームを透過させると共に、前記第のビーム発生手段か
ら出射された第２ビームを反射する光合成面が設けら
れ、この光合成面の第２ビームに対する光反射率を第１
ビームに対する光透過率よりも大きくしたことにより、
ビーム合成素子の取付位置の誤差による影響が大きい第
２ビームの中心とアパーチャーの中心とのずれが第１ビ
ームの中心とアパーチャーの中心とのずれよりも大きく
なった場合でも、第２ビームの中心とアパーチャーの中
心とのずれとにより生じる光量低下を補ってアパーチャ
ーから出射される第１ビームと第２ビームの光量比を容
易にバランスさせることが可能になる。

【００４７】このとき、例えば、アパーチャーから出射
される第２ビームの光量が第１ビームの光量より大きく
なっても、第２のビーム発生手段の半導体レーザへの駆
動電流を減少させることで、第１ビームと第２ビームの
光量比をバランスさせることができる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
光走査装置について図面を参照して説明する。なお、以
下の本実施の形態に係る記載では必要に応じて図５〜図
７を参照して説明を行い、図５〜図７に示される部材と
共通の部材には同一符号を付して説明を省略する。

【００４９】（第1の実施の形態）図１には第1の実施の
形態に係るマルチビーム式の光学走査装置が示されてい
る。この光走査装置は２本のレーザビームによりドラム
状の感光体４０を走査（主走査）することにより、この
感光体４０の外周面に画像信号に対応する静電潜像を形
成するものである。ここで、レーザビームＬ₁，Ｌ₂は、
感光体４０上の副走査方向に沿って所定数のラインピッ
チ分だけ異なる位置をそれぞれ主走査する。

【００５０】光学走査装置には、アパーチャー１０から
出射されるレーザビームＬ₁，Ｌ₂の光路に沿ってシリン
ダレンズ４２及び多角柱状の回転多面鏡４４が配置され
ている。シリンダレンズ４２は副走査方向にのみレンズ
パワーを有し、このシリンダレンズ４２を通過したレー
ザビームＬ₁，Ｌ₂は回転多面鏡４４の反射面４５上で結
像して主走査方向へ長い楕円状のビームスポットを形成
する。回転多面鏡４４は主走査方向への走査速度に対応
する角速度で一方向へ回転している。回転多面鏡４４に
より反射偏向されるレーザビームＬ₁，Ｌ₂は走査光学系
４６に入射し、この走査光学系４６により感光体４０上
で結像してビームスポットを形成すると共に、レーザビ
ームＬ₁，Ｌ₂の移動速度を等角速度から略等線速度に変
換する。また走査光学系４６は、回転多面鏡４４の反射
面４５と感光体４０の結像面とを共役の関係とするよう
に設けられている。

【００５１】図２には光学走査装置におけるビーム発生
部２０，２２及びビーム合成素子１２の取付構造４８が
示されている。取付構造４８には、図１に示される回転
多面鏡４４等の光学部品が収納された光学箱（図示省
略）に固定されるベース基板５０が設けられている。ベ
ース基板５０には、図２に示されるようにビーム合成素
子１２が収納される凹状の収納部５２が形成されると共
に、この収納部５２内に収納されたビーム合成素子１２
のビーム出射部に面して貫通穴５４が穿設されている。
ベース基板５０の内側の面には、貫通穴５４の外周側の
一部を遮蔽するようにアパーチャー１０が固着されてい
る。ここで、ビーム合成素子１２は、２個のプリズム１
４，１６がＸ方向に沿って配列されるように配置されて
いる。また、本実施の形態では、２個のプリズム１４，
１６のビーム合成面１８がハーフミラーによって構成さ
れている。

【００５２】ベース基板５０の外側の面には、図２に示
されるようにホルダ部材５６が固定されている。ホルダ
部材５６には、光軸方向（Ｚ方向）へ貫通する一対のレ
ンズ収納部５８，５９が穿設されている。一方のレンズ
収納部５８はベース基板５０の貫通穴５４と同軸的とさ
れており、このレンズ収納部５８内には、薄肉円筒状の
レンズホルダ６０を介してビーム発生部２０のコリメー
タレンズ２６が収納されている。

【００５３】また他方のレンズ収納部５９は、ビーム合
成素子１２における一方のプリズム１６の側端部に面す
るようにレンズ収納部５８とはＸ方向へずらされて配置
されている。このレンズ収納部５９内には、薄肉円筒状
のレンズホルダ６１を介してビーム発生部２２のコリメ
ータレンズ２６が収納されている。

【００５４】レンズ収納部５８内のレンズホルダ６０
は、コリメータレンズ２６と一体となってＺ方向へ移動
可能に収納されている。具体的には、例えば、レンズ収
納部５８の内周面及びレンズホルダ６０の外周面にはそ
れぞれねじ山が形成され、レンズ収納部５８内にねじ込
まれたレンズホルダ６０を回転させることにより、レン
ズホルダ６０及びコリメータレンズ２６が光軸方向に沿
って一体的に移動するようになっている。

【００５５】またレンズ収納部５９内のレンズホルダ６
１は、コリメータレンズ２６と一体となってＸ、Ｙ及び
Ｚ方向へそれぞれ移動可能に収納されている。ここで、
レンズ収納部５９の内径はレンズホルダ６１の外径より
大きくされており、レンズホルダ６１はレンズ収納部５
９内で内外径の差だけ径方向（Ｘ及びＹ方向）へ移動で
き、また位置調整完了後には紫外線硬化型等の接着剤６
２により接着固定されるようになっている。

【００５６】ホルダ部材５６のベース基板５０とは逆側
の面には、図２に示されるようにＬＤ支持基板６４が配
置されている。ＬＤ支持基板６４には、レンズ収納部５
８，５９にそれぞれ面してＺ方向へ貫通する一対のＬＤ
収納部６６，６７が設けられている。これらのＬＤ収納
部６６，６７にはビーム発生部２０，２２の半導体レー
ザ２４がそれぞれ嵌挿固定されている。

【００５７】ここで、ＬＤ支持基板６４は一体構造とさ
れ十分な剛性を有している。これにより、ＬＤ支持基板
６４に固定された一対の半導体レーザ２４の相対的な位
置関係が精度よく位置決めされ、固定後も位置関係の変
化が生じない。またＬＤ支持基板６４は、ビーム発生部
２０の光軸がビーム合成素子１２におけるビーム合成面
１８の中心及びアパーチャー１０の中心と一致するよう
に設計上設けられている。

【００５８】ＬＤ支持基板６４はＺ方向と直交する光軸
直交面（Ｘ−Ｙ平面）に沿って、すなわちＸ方向及びＹ
方向の双方向へ移動可能とされると共に、ビーム発生部
２０の光軸を中心とする回転方向へ移動可能とされ、各
方向への位置調整完了後に固定できるようになってい
る。

【００５９】次に、第１の実施の形態に係る光学走査装
置における光軸調整方法について説明する。本実施の形
態の光学走査装置ではレーザビームＬ₁の光軸調整を先
行して行う。レーザビームＬ₁の光軸調整を行う際に
は、先ず、ビーム発生部２０の半導体レーザ２４を発光
させた状態でＬＤ支持基板６４を光軸直交面（Ｘ−Ｙ平
面）に沿って移動させることにより、アパーチャー１０
を通過したレーザビームＬ₁が所定の入射位置に入射す
るように位置調整する。このとき、レーザビームＬ₁の
入射位置は、例えば、回転多面鏡４４の反射面４５の中
心点に対応する位置に設定され、この位置に置かれた受
光素子等からなる光パワーメータ（図示省略）によりレ
ーザビームＬ₁の光量をモニタすることで、レーザビー
ムＬ₁と入射位置との一致を検出する。光軸直交面に沿
った位置調整が完了すると、ビーム発生部２０のコリメ
ータレンズ２６をレンズホルダ６０と共に光軸方向（Ｚ
方向）へ移動させ、レーザビームＬ₁が感光体４０上で
所定サイズのビームスポットとして結象するようにフォ
ーカス調整を行い、レーザビームＬ₁の光軸調整を完了
させる。このとき、レーザビームＬ₁により形成された
ビームスポットの感光体４０上での位置を測定してお
く。

【００６０】レーザビームＬ₁の光軸調整が完了する
と、レーザビームＬ₂の光軸調整を行う。先ず、光パワ
ーメータ（図示省略）をアパーチャー１０とシリンダレ
ンズ４２との間に配置し、この光パワーメータの受光部
中心をアパーチャー１０の中心と一致させる。この状態
で、ビーム発生部２２のコリメータレンズ２６をレンズ
ホルダ６１と共に光軸直交面（Ｘ−Ｙ平面）に沿って移
動させ、コリメータレンズ２６を光パワーメータからの
出力が最大となる位置に仮止め固定する。また、この光
軸直交面に沿った位置調整と平行し、レーザビームＬ₂
が感光体４０上で所定サイズのビームスポットとして結
象するようにコリメータレンズ２６及びレンズホルダ６
１を光軸方向へ位置調整（フォーカス調整）する。

【００６１】この後、光パワーメータを光路上から退避
させて、レーザビームＬ₂により感光体４０上に形成さ
れるビームスポットとレーザビームＬ₁により形成され
るビームスポットとの相対的な位置関係を測定する。こ
のとき、ビーム合成素子１２、ＬＤ支持基板６４等の部
品の取付位置に誤差が無ければ、レーザビームＬ₁のビ
ームスポットとレーザビームＬ₂のビームスポットの位
置関係は狙いとする位置関係になるが、取付位置に無視
できない誤差がある場合には、レーザビームＬ ₁のビー
ムスポットとレーザビームＬ₂のビームスポットは狙い
とする位置関係にならない。

【００６２】このとき、レーザビームＬ₁のビームスポ
ットとレーザビームＬ₂のビームスポットとの位置関係
のずれは、前述したようにビーム合成素子の形状及び構
造によって決まり、本実施の形態のビーム合成素子１２
による２個のビームスポットのずれは主としてＹ方向に
生じる。この２個のビームスポットのずれとビーム発生
部２０，２２の相対位置とは、互いに幾光何学的に関係
づけられているので、２個のビームスポットのずれ量を
測定すれば、その測定値に基づいてビーム発生部２２の
半導体レーザ２４を移動させるべき量（移動距離）と移
動方向とをそれぞれ算出できる。

【００６３】そこで、ビームスポットのずれ量に基づい
た算出結果に従ってＬＤ支持基板６４をビーム発生部２
０の光軸を中心とする回転方向へ位置調整して固定す
る。このとき、ＬＤ支持基板６４の回転量は僅かで、Ｘ
方向への移動量（Cosine成分）が微小であるので、ＬＤ
支持基板６４の回転時におけるビーム発生部２２の半導
体レーザ２４の移動方向は近似的にＹ方向への直線移動
であると考えることができる。次いで、レーザビームＬ
₂により感光体４０上に形成されるビームスポットの位
置をモニタしつつ、仮止め固定されていたビーム発生部
２２のコリメータレンズ２６を光軸直交面に沿って移動
させてレーザビームＬ₂のビームスポットとレーザビー
ムＬ₁のビームスポットとを狙いとする位置関係とし、
レンズホルダ６１を接着固定する。これにより、アパー
チャー１０から出射されたレーザビームＬ₁，Ｌ₂の光量
を略最大とすると共に、感光体４０上でレーザビームＬ
₁，Ｌ₂のビームスポットを精度よく狙いとする位置関係
にできる。

【００６４】以上説明した第１の実施の形態に係る光学
走査装置の光軸調整方向と光軸調整方向に対応して位置
調整される部材との関係を表３にまとめて示す。

【００６５】

【表３】

【００６６】（第２の実施の形態）図３には第２の実施
の形態に係る取付構造７０が示されている。この取付構
造７０は、図１に示される光学走査装置に第１の実施の
形態に係る取付構造４８に代えて配置される。

【００６７】取付構造７０には、図示を省略したベース
基板を介して光学箱（図示省略）に固定されるホルダ部
材７２が設けられている。ホルダ部材７２には直角に屈
曲した屈曲された折曲部７３が形成され、この折曲部７
３を挟んでＺ方向及びＸ方向へ貫通する一対のレンズ収
納部７４，７５が穿設されている。これらのレンズ収納
部７４，７５内には、それぞれ円筒状のレンズホルダ７
６，７７を介してコリメータレンズ２６が収納されてい
る。

【００６８】レンズ収納部７４内のレンズホルダ７６
は、第１の実施の形態に係るレンズホルダ６０と同様に
コリメータレンズ２６と一体となってＺ方向へ移動可能
に収納されている。またレンズ収納部７５内のレンズホ
ルダ７７は、コリメータレンズ２６と一体となって少な
くともＸ方向（フォーカス方向）及びＺ方向へそれぞれ
移動可能に収納され、位置調整完了後に接着剤６２によ
り接着固定されるようになっている。

【００６９】ベース基板上には、２個のコリメータレン
ズ２６に面するようにホルダ部材７２の内側にビーム合
成素子２８が配置されている。ここで、図７に示される
ように、ビーム合成素子２８は２個のプリズム３０，３
２が張り合わされて構成され、一方のプリズム３０の光
入射面がビーム発生部３６の光軸と直交し、かつ他方の
プリズム３２の光入射面がビーム発生部３８の光軸と直
交するように配置されている。

【００７０】ホルダ部材７２の外側の面には、折曲部７
３を介して両側にそれぞれＬＤ支持基板８２，８４がそ
れぞれ配置されている。これらのＬＤ支持基板８２，８
４には、それぞれレンズ収納部７４，７５に面して基板
厚さ方向へ貫通するＬＤ収納部８６，８７が設けられて
いる。これらのＬＤ収納部８６，８７にはビーム発生部
３６，３８の半導体レーザ２４がそれぞれ嵌挿固定され
ている。ここで、一方のＬＤ支持基板８２は、ビーム発
生部３６の光軸と直交する光軸直交面（Ｘ−Ｙ平面）に
沿って移動可能とされている。また他方のＬＤ支持基板
８４は、ビーム発生部３８の光軸と直交する光軸直交面
（Ｙ−Ｚ平面）に沿って移動可能とされている。

【００７１】ベース基板上には、ビーム合成素子２８の
光出射面に面するようにアパーチャー１０が配置され、
ビーム合成素子２８から出射されたレーザビームＬ₁，
Ｌ₂はアパーチャー１０を通過する。

【００７２】次に、第２の実施の形態に係る光学走査装
置における光軸調整方法について説明する。レーザビー
ムＬ₁の光軸調整を行う際には、先ず、ビーム発生部３
６の半導体レーザ２４を発光させた状態でＬＤ支持基板
８２をＸ−Ｙ平面に沿って移動させることにより、アパ
ーチャー１０を通過したレーザビームＬ₁が所定の入射
位置に入射するように位置調整する。この後、ビーム発
生部３６のコリメータレンズ２６をレンズホルダ７６と
共にＺ方向へ移動させてフォーカス調整を行い、レーザ
ビームＬ₁の光軸調整を完了させる。

【００７３】レーザビームＬ₁の光軸調整が完了する
と、レーザビームＬ₂の光軸調整を行う。先ず、ＬＤ支
持基板８４をＹ−Ｚ平面に沿って移動させてアパーチャ
ー１０と回転多面鏡４４との間の光路上に配置された光
パワーメータからの出力が最大となる位置に仮止め固定
する。また、このＹ−Ｚ平面に沿った位置調整と平行
し、レーザビームＬ₂が感光体４０上で所定サイズのビ
ームスポットとして結象するようにコリメータレンズ２
６及びレンズホルダ７７をＺ方向へ位置調整（フォーカ
ス調整）する。

【００７４】この後、感光体４０上にレーザビームＬ₂
により形成されるビームスポットとレーザビームＬ₁に
より形成されるビームスポットとの相対的な位置関係を
測定する。このとき、レーザビームＬ₁のビームスポッ
トとレーザビームＬ₂のビームスポットとの位置関係の
ずれは、前述したようにビーム合成素子の形状及び構造
によって決まり、本実施の形態のビーム合成素子２８に
よる２個のビームスポットのずれは主としてＸ方向に生
じる。この２個のビームスポットのずれとビーム発生部
３６，３８の相対位置とは、互いに幾光何学的に関係づ
けられているので、２個のビームスポットのずれ量を測
定すれば、その測定値に基づいてビーム発生部３８のコ
リメータレンズ２６を移動させるべき量（移動距離）と
移動方向とをそれぞれ算出できる。

【００７５】そこで、ビームスポットのずれ量に基づい
た算出結果に従ってレンズホルダ７７をＺ方向へ位置調
整して接着固定する。次いで、レーザビームＬ₂により
感光体４０上に形成されるビームスポットの位置をモニ
タしつつ、仮止め固定されていたＬＤ支持基板８４をＹ
−Ｚ平面に沿って移動させてレーザビームＬ₂のビーム
スポットとレーザビームＬ₁のビームスポットとを狙い
とする位置関係とし、ＬＤ支持基板８４を固定する。こ
れにより、アパーチャー１０から出射されたレーザビー
ムＬ₁，Ｌ₂の光量を略最大とすると共に、感光体４０上
でレーザビームＬ₁，Ｌ₂のビームスポットを精度よく狙
いとする位置関係にできる。

【００７６】以上説明した第２の実施の形態に係る光学
走査装置の光軸調整方向と光軸調整方向に対応して位置
調整される部材との関係を表４にまとめて示す。

【００７７】

【表４】

【００７８】（第３の実施の形態）第３の実施の形態に
係る光学走査装置は、第１及び第２の実施の形態に係る
光学走査装置においてビーム合成素子１２，２８のビー
ム合成面１８，３４のレーザビームＬ２に対する光反射
率をレーザビームＬ１に対する光透過率よりも大きくし
たものである。これにより、ビーム合成素子１２，１８
の取付位置の誤差による影響が大きいレーザビームＬ２
の中心とアパーチャー１０の中心とのずれがレーザビー
ムＬ１の中心とアパーチャー１０の中心とのずれよりも
大きくなった場合でも、レーザビームＬ２の中心とアパ
ーチャー１０の中心とのずれとにより生じる光量低下を
補ってアパーチャー１０から出射されるレーザビームＬ
１とレーザビームＬ２との光量比を容易に均等にでき
る。この結果、例えば、アパーチャー１０から出射され
るレーザビームＬ１の光量がレーザビームＬ１の光量よ
り大きくなっても、ビーム発生部２０，３６の半導体レ
ーザ２４への駆動電流を減少させるだけで、レーザビー
ムＬ１，Ｌ２の光量が均等になるように調整できるよう
になる。

【００７９】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光学走
査装置及び光軸調整方法によれば、装置を構成するビー
ム合成素子等の光学部品の取付位置に誤差があっても、
２本のビームの中心とアパーチャーの中心とを精度よく
一致させ、かつアパーチャーから出射された２本のビー
ムそれぞれ精度よく感光体上の目標位置へ入射するよう
に２個のビーム発生手段の光軸を簡単に調整できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による第1の実施の形態に係る光学走
査装置の概略構成を示す斜視図である。

【図２】 本発明による第1の実施の形態に係るビーム
発生部の取付構造を示す断面図である。

【図３】 本発明による第２の実施の形態に係るビーム
発生部の取付構造を示す断面図である。

【図４】 レーザビームの中心とアパーチャーの中心と
の位置ずれの影響を模式的に示した説明図である。

【図５】 本発明による第1の実施の形態に係る光軸調
整方法を説明するためのビーム発生部の平面図である。

【図６】 本発明による第1の実施の形態に係る光軸調
整方法により光軸調整された状態を示すビーム発生部の
平面図である。

【図７】 本発明による第２の実施の形態に係る光軸調
整方法を説明するためのビーム発生部の平面図である。

【符号の説明】

１０ アパーチャー １２ ビーム合成素子 １４，１６ プリズム １８ ビーム合成面（光合成面） ２０，２２ ビーム発生部（ビーム発生手段） ２４ 半導体レーザ ２６ コリメータレンズ ２８ ビーム合成面 ３０，３２ プリズム ３４ ビーム合成面（光合成面） ３６，３８ ビーム発生部（ビーム発生手段） ４０ 感光体

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発散光を出射する半導体レーザ及び該半
   導体レーザから出射された発散光を略平行光である第１
   ビームとするコリメータレンズを具備した第１のビーム
   発生手段と、 発散光を出射する半導体レーザ及び該半導体レーザから
   出射された発散光を略平行光である第２ビームとするコ
   リメータレンズを具備した第２のビーム発生手段と、 前記第１及び第２のビーム発生手段から出射された第１
   及び第２ビームが互いに近接した光路上を進行するよう
   に第１及び第２ビームの少なくとも一方を偏向するビー
   ム合成素子と、 前記ビーム合成素子から出射された第１及び第２のビー
   ムにより感光体が走査されるように該第１及び第２ビー
   ムを偏向する光偏向器と、 前記ビーム合成素子と前記光偏向器との間に設けられ前
   記ビーム合成素子から出射された第１及び第２ビームの
   断面形状を整形するアパーチャーとを有し、 前記第１及び第２のビーム発生手段の少なくとも一方に
   おける半導体レーザ及びコリメータレンズをそれぞれそ
   の光軸と直交する光軸直交面に沿って位置調整可能とし
   たことを特徴とする光学走査装置。
2. 【請求項２】 前記第２のビーム発生手段は、前記第２
   ビームが前記第１ビームと略平行となるように配置され
   ると共に、半導体レーザ及びコリメータレンズがそれぞ
   れ前記光軸直交面に沿って位置調整可能とされ、 前記光ビーム合成素子は、互いに貼り合わされた第１及
   び第２のプリズムと、該第１及び第２のプリズムの貼合
   面に構成され前記第１のビーム発生手段から第１のプリ
   ズムに入射した第１ビームを透過させると共に、前記第
   ２のビーム発生手段から前記第２のプリズムに入射し該
   第２のプリズムの内部反射面により反射された第２ビー
   ムを反射する光合成面とを有することを特徴とする請求
   項１記載の光学走査装置。
3. 【請求項３】 前記第２のビーム発生手段における半導
   体レーザ及びコリメータレンズの一方は、その光軸及び
   前記内部反射面から前記光合成面までの前記第２ビーム
   の光路により規定される平面と直交する主調整方向へ位
   置調整可能とされていることを特徴とする請求項２記載
   の光学走査装置。
4. 【請求項４】 前記第１及び第２のビーム発生手段にお
   ける半導体レーザはそれぞれ単一の支持基板に一体的と
   なるように取り付けられ、 前記支持基板は、前記光軸直交面に沿った任意の方向へ
   位置調整可能とされると共に、前記第１のビーム発生手
   段の光軸を中心とする回転方向へ位置調整可能とされて
   いることを特徴とする請求項１又は２記載の光学走査装
   置。
5. 【請求項５】 前記第２のビーム発生手段は、第２ビー
   ムが前記第１のビーム発生手段から出射される第１ビー
   ムと略直交するように配置されると共に、該第２のビー
   ム発生手段における半導体レーザ及びコリメータレンズ
   がそれぞれ前記光軸直交面に沿って位置調整可能とさ
   れ、 前記光ビーム合成素子は、互いに貼り合わされた第１及
   び第２のプリズムと、該第１及び第２のプリズムの貼合
   面に構成され前記第１のビーム発生手段から第１のプリ
   ズムに入射した第１ビームを透過させると共に前記第２
   のビーム発生手段から前記第２のプリズムに入射した第
   ２ビームを反射する光合成面とを有することを特徴とす
   る請求項１記載の光学走査装置。
6. 【請求項６】 前記第２のビーム発生手段における半導
   体レーザ及びコリメータレンズの一方は、前記第１のビ
   ーム発生手段の光軸に沿った主調整方向へ位置調整可能
   とされたことを特徴とする請求項５記載の光学走査装
   置。
7. 【請求項７】 前記第２のビーム発生手段は、その半導
   体レーザから前記アパーチャーまでの光路長が前記第１
   のビーム発生手段の半導体レーザから前記アパーチャー
   までの光路長より長くなるように配置され、該第２のビ
   ーム発生手段における半導体レーザ及びコリメータレン
   ズはそれぞれ前記光軸直交面に沿って位置調整可能とさ
   れたことを特徴とする請求項１記載の光学走査装置。
8. 【請求項８】 請求項１記載の光学走査装置における第
   ２ビームの光軸調整方法であって、 前記第１のビーム発生手段から出射される第１ビームの
   光軸を前記アパーチャーの中心と一致させた後に、前記
   アパーチャーから出射された第２ビームの光量が略最大
   となるように前記第２のビーム発生手段における半導体
   レーザ及びコリメータレンズの一方を前記光軸直交面に
   沿って位置調整し、 感光体上に形成されている第１ビームのビームスポット
   と第２ビームのビームスポットとの位置関係を計測し、
   計測された位置関係と目標とすべき位置関係との誤差を
   算出し、該算出誤差に対応する距離だけ前記第２のビー
   ム発生手段における半導体レーザ及びコリメータレンズ
   の他方を前記算出誤差に対応する方向へ前記光軸直交面
   に沿って位置調整した後、感光体上の第１ビームのビー
   ムスポットと第２ビームのビームスポットとの位置関係
   を測定しつつ、これらのビームスポットが目標とすべき
   位置関係となるように前記第２のビーム発生手段におけ
   る半導体レーザ及びコリメータレンズの一方を再び前記
   光軸直交面に沿って位置調整することを特徴とする光軸
   調整方法。
9. 【請求項９】 発散光を出射する半導体レーザ及び該半
   導体レーザから出射された発散光を略平行光である第１
   ビームとするコリメータレンズを具備した第１のビーム
   発生手段と、 発散光を出射する半導体レーザ及び該半導体レーザから
   出射された発散光を略平行光である第２ビームとするコ
   リメータレンズを具備した第２のビーム発生手段と、 前記第１のビーム発生手段から出射された第１ビームを
   透過させると共に、前記第のビーム発生手段から出射さ
   れた第２ビームを反射する光合成面が設けられ、第１及
   び第２ビームを互いに近接した光路に沿って進行するよ
   うに出射するビーム合成素子と、 前記ビーム合成素子から出射された第１及び第２ビーム
   により感光体が走査されるように該第１及び第２ビーム
   を偏向する光偏向器と、 前記ビーム合成素子と前記光偏向器との間に設けられ前
   記ビーム合成素子から出射された第１及び第２ビームの
   断面形状を整形するアパーチャーとを有し、 前記光合成面の前記第２ビームに対する光反射率を前記
   第１ビームに対する光透過率よりも大きくしたことを特
   徴とする光学走査装置。