JP3520151B2

JP3520151B2 - マルチビーム走査装置

Info

Publication number: JP3520151B2
Application number: JP06898296A
Authority: JP
Inventors: 智宏中島
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1996-03-01
Filing date: 1996-03-01
Publication date: 2004-04-19
Anticipated expiration: 2016-03-01
Also published as: JPH09236763A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマルチビーム走査装
置に関し，より詳細には，レーザプリンタ，デジタル複
写機などにおいて情報を高速に記録するために用いるマ
ルチビーム走査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光走査装置では，感光体上を１本
の光ビームで走査するのが一般的であったが，現在で
は，１本の光ビームで走査する場合よりも記録速度を速
くするために２本の光ビーム（以下「マルチビーム」と
いう）を同時に走査させるマルチビーム走査装置が実用
化されている。

【０００３】このマルチビーム走査装置は，１台でレー
ザプリンタ，複写機，ファクシミリなどの諸機能を合わ
せ持つディジタル複写機，多機能レーザプリンタなどに
広く使用されている。

【０００４】その一方，上記のような多用途化が進むに
つれて更なる記録の高速化，高密度化が要求され，３ビ
ーム，４ビーム化することが必要となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ここでマルチビーム走
査装置を３ビーム，４ビーム化する方式としては，一般
的に，ビームスプリッタを用いてビームを合成する方
式，半導体レーザアレイを用いる方式が挙げられる。

【０００６】例えば，前記ビームスプリッタを用いて合
成する方式としては，特開昭６０−３２０１９号公報に
記載の技術が知られている。また，前記半導体レーザア
レイを用いる方式では，特開平２−５４２１１号公報に
記載の技術が知られている。

【０００７】しかし，前記ビームスプリッタを用いて合
成する方式では，３本以上のビームを合成する場合，ビ
ームスプリッタを複数段に重ねて使用する必要がある。
このため，装置が複雑化，大型化する問題点がある。

【０００８】一方，半導体レーザアレイを用いる方式で
は，３個以上のレーザ発光源を１チップ上に実装可能だ
が，レーザ発光源間の距離が固定されてしまうのでビー
ム間隔を独立して調節することができない問題点があ
る。かかる場合には，レーザ発光源の実装位置の誤差が
そのままビーム間のピッチの誤差となり，当該誤差の補
正が困難になる。また，すべてのビームを１つのコリメ
ートレンズで賄うため，レーザ発光源の数が増えるに従
い，結像性能のバラツキが大きくなる問題点がある。更
に，半導体レーザアレイは，高価である問題点がある。

【０００９】そこで，本発明は上記に鑑みてなされたも
のであって，簡易かつコンパクトに構成でき，ビーム間
隔が独立して調節可能なマルチビーム走査装置を提供す
ることを目的とする。

【００１０】また，結像性能が安定し，安価に構成でき
るマルチビーム走査装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，請求項１では，マルチビームを出射するマルチビ
ーム光源を有し，前記マルチビーム光源を光軸中心に回
動させて情報の記録密度を変化させるマルチビーム走査
装置において，前記マルチビーム光源は，２個のレーザ
発光源をアレイ状に配設した半導体レーザアレイと，単
光源の半導体レーザとを有し，前記単光源の前記半導体
レーザは，そのビームスポットが，前記半導体レーザア
レイの２個のビームスポットの略中央に位置するように
配設されていることを特徴とするマルチビーム走査装置
を提供する。

【００１２】すなわち，２個の半導体レーザで３ビーム
のマルチビーム光源を構成できるので，ビームスプリッ
タを複数段設ける必要がない。このため，マルチビーム
走査装置の構成が簡単になり，全体的にコンパクト化で
きる。また，半導体レーザごとに別個のコリメータレン
ズを使用できるので，結像性能が安定する。

【００１３】また，上記の如く３個のレーザ発光源を１
チップ上に実装した半導体レーザアレイのみではビーム
間隔を独立して調節できないが，本発明では半導体レー
ザアレイと半導体レーザとでマルチビームを構成するの
で，これら半導体レーザアレイと半導体レーザとの相対
位置関係を変えることにより，ビーム間隔が独立して調
節可能となる。

【００１４】更に，２個のレーザ発光源を有する半導体
レーザアレイは，３個以上のレーザ発光源を有する半導
体レーザアレイよりも比較的入手し易く，低廉なので，
マルチビーム走査装置を安価に構成できる。

【００１５】また，前記単光源の半導体レーザのビーム
スポットを，前記半導体レーザアレイの２個のビームス
ポットの略中央に位置させれば，当該中央のビームスポ
ットを中心に回転させることで，ビーム間隔の調節が独
立して行える。このため，ビーム間隔の調節が容易に行
え，組立効率が向上する。

【００１６】また，請求項２では，上記マルチビーム走
査装置（請求項１）において，前記単光源の半導体レー
ザの光軸を中心として前記マルチビーム光源を回動させ
るマルチビーム光源回動手段を具備することを特徴とす
るマルチビーム走査装置を提供する。

【００１７】このように，ビーム間隔の調節をするため
のマルチビーム光源回動手段を予め設けたので，前記ビ
ーム間隔の調節を容易に行うことが出来る。

【００１８】また，請求項３では，上記マルチビーム走
査装置（請求項１または請求項２）において，前記単光
源の半導体レーザのビームスポット径が，前記半導体レ
ーザアレイのビームスポット径より大きいことを特徴と
するマルチビーム走査装置を提供する。

【００１９】上述のように，マルチビーム走査装置の組
立時には，前記単光源の半導体レーザのビームスポット
を前記半導体レーザアレイの２個のビームスポットの略
中央に位置させるが，後の諸要因（機械振動に起因する
歪みなど）により前記ビームスポットの位置が変動する
場合がある。かかる場合，組立時に調節したビーム間隔
が変動してしまうが，前記単光源の半導体レーザのビー
ムスポット径を前記半導体レーザアレイの２個のビーム
スポット径よりも若干大きめに設定していれば，前記ビ
ーム間隔の変動が判別されにくい。このため，経時的に
安定した画像品質が得られる。

【００２０】また，請求項４では，マルチビームを出射
するマルチビーム光源を有し，前記マルチビーム光源を
光軸中心に回動させて情報の記録密度を変化させるマル
チビーム走査装置において，前記マルチビーム光源は，
２つの半導体レーザアレイを有し，一方の前記半導体レ
ーザアレイは，アレイ状に配設した２個のレーザ発光源
を有し，かつ前記一方の半導体レーザアレイの２個のビ
ームスポットが，光軸に対して対称となるように配置さ
れ，他方の前記半導体レーザアレイは，アレイ状に配設
した２個のレーザ発光源を有し，かつ前記他方の半導体
レーザアレイの２個のビームスポットが，前記光軸に対
して対称となるように配置されていることを特徴とする
マルチビーム走査装置を提供する。

【００２１】すなわち，２個の半導体レーザで４ビーム
のマルチビーム光源を構成できるので，ビームスプリッ
タを複数段設ける必要がない。このため，マルチビーム
走査装置の構成が簡単になり，全体的にコンパクト化で
きる。また，半導体レーザごとに別個のコリメータレン
ズを使用できるので，結像性能が安定する。

【００２２】また，上記の如く４個のレーザ発光源を１
チップ上に実装した半導体レーザアレイのみではビーム
間隔を独立して調節できないが，本発明では２つの半導
体レーザアレイでマルチビームを構成するので，これら
２つの半導体レーザアレイの相対位置関係を変えること
により，ビーム間隔が独立して調節可能となる。

【００２３】更に，２個のレーザ発光源を有する半導体
レーザアレイは，３個以上のレーザ発光源を有する半導
体レーザアレイよりも比較的入手し易く，低廉なので，
マルチビーム走査装置を安価に構成できる。

【００２４】また，前記２つの半導体レーザアレイの２
個のビームスポットを，同一の光軸に対して各々対称に
位置させれば，当該光軸を中心に回転させることで，ビ
ーム間隔の調節が独立して行える。このため，ビーム間
隔の調節が容易に行え，組立効率が向上する。

【００２５】また，請求項５では，上記マルチビーム走
査装置（請求項４）において，同一の前記光軸を中心と
して前記マルチビーム光源を回転させるマルチビーム光
源回動手段をさらに有することを特徴とするマルチビー
ム走査装置を提供する。

【００２６】このように，ビーム間隔の調節をするため
のマルチビーム光源回動手段を予め設けたので，前記ビ
ーム間隔の調節を容易に行うことが出来る。

【００２７】また，請求項６では，マルチビームを出射
するマルチビーム光源を有し，前記マルチビーム光源を
光軸中心に回動させて情報の記録密度を変化させるマル
チビーム走査装置において，前記マルチビーム光源を２
つ設け，当該マルチビーム光源が，２個のレーザ発光源
をアレイ状に配設した半導体レーザアレイと各々の光ビ
ームを平行光束とするコリメートレンズとから構成さ
れ，一方のコリメートレンズの焦点距離が，他方のコリ
メートレンズの焦点距離と異なることを特徴とするマル
チビーム走査装置を提供する。

【００２８】すなわち，異なる焦点距離にしておけば，
一方の半導体レーザアレイのビームスポットの間に，他
方の半導体レーザアレイのビームスポットを位置させる
ことが出来る。このようにすれば，４本ビームの場合で
も各ビーム間隔の調節が独立して行える。

【００２９】また，請求項７は，上記マルチビーム走査
装置において，前記一方のコリメートレンズの焦点距離
が，他方のコリメートレンズの焦点距離の３倍であるこ
とを特徴とするマルチビーム走査装置を提供する。

【００３０】上記焦点距離の具体例であるが，４本ビー
ムの場合は，一方の半導体レーザアレイの焦点距離を他
方の半導体レーザアレイの焦点距離の３倍とすれば，ビ
ーム間隔が均等になる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下，本発明について，図面を参
照して詳細に説明する。なお，これらの実施の形態によ
り本発明が限定されるものではない。

【００３２】（実施の形態１）図１は，本発明のマルチビーム走査装置を示す構成図で
ある。このマルチビーム走査装置１００は，マルチビー
ムを出射するマルチビーム光源ユニット１と，出射され
たマルチビームを副走査方向に絞りこむシリンダレンズ
２と，マルチビームのビーム間のピッチに応じて回転数
が切り換えられるポリゴンミラー３と，主走査方向のド
ットピッチを均等にするｆθレンズ４およびトロイダル
レンズ５と，ビームを反射する反射鏡６と，ビームの被
走査媒体である感光体ドラム７とを具備している。

【００３３】図２は，上記マルチビーム光源ユニット１
の構造説明図である。１０は，２個のレーザ発光源（図
示省略）が同一チップ内にアレイ状に配設され，パッケ
ージングされた半導体レーザアレイである。１１は，単
光源の半導体レーザである。

【００３４】前記半導体レーザアレイ１０および半導体
レーザ１１は，偏向方向を一致させて同一平面（ＸＹ平
面）上に配設されている。半導体レーザアレイ１０およ
び半導体レーザ１１から出射したレーザビームは，コリ
メータレンズ１２，１３によりそれぞれ平行なレーザビ
ーム１４，１５とされ，続いて，アパーチャ１６，１７
により所定のレーザビーム径に整形される。このレーザ
ビーム径については後述する。

【００３５】また，前記半導体レーザアレイ１０のレー
ザ発光源は，コリメータレンズ１２の光軸Ｚに対して均
等に偏心している。このため，レーザビーム１４ａ，１
４ｂは，図に示すように，所定角度（２θ）隔てて出射
される。

【００３６】一方，前記半導体レーザ１１のレーザビー
ム１５は，１／２波長板１８で偏向面を９０度回転し，
ビーム合成プリズム１９に入射する。続いて，斜面１９
ａで内面反射し，偏向ビームスプリッタ面１９ｂで反射
し，コリメートレンズ１２の光軸近傍に合成される。

【００３７】かかる状態で，前記マルチビーム光源ユニ
ット１を前記コリメートレンズ１２の光軸Ｚを中心に回
動させれば，レーザビーム１４ａ，１４ｂのビームスポ
ット１４ａ’，１４ｂ’がレーザビーム１５のビームス
ポット１５’を中心に回動し，副走査方向Ｙのビーム間
のピッチを変更することが出来る。

【００３８】ここで，前記ビームスポット１５’のビー
ムスポット径は，前記ビームスポット１４ａ’，１４
ｂ’のビームスポット径より大きく整形される。ビーム
スポット径は，前記アパーチャ１６，１７により定ま
る。

【００３９】図３は，マルチビーム光源ユニット１の組
立工程を示す説明図である。前記半導体レーザアレイ１
０は，コリメータレンズ１２の光軸と一致するように支
持体２３に固定される。

【００４０】同様に，半導体レーザ１１も，支持体２４
に固定される。

【００４１】次に，前記支持体２３，２４は，基体２５
に取り付けられる。当該取り付けは，ネジ３２〜３５に
より後述するフランジ部材２９と共に行われる。

【００４２】また，コリメータレンズ１２は，鏡筒に納
められ，基体２５の穴２５ａに緊合される。同様に，コ
リメータレンズ１３は，鏡筒に納められ，基体２５の穴
２５ｂに緊合される。続いて，半導体レーザアレイ１０
と半導体レーザ１１とに対する光軸方向の位置合わせを
行う。

【００４３】前記アパーチャ１６，１７は一体に構成さ
れ，半導体レーザアレイ１０用の整形スリット１６ａ
と，半導体レーザ１１用の整形スリット１７ａとを有し
ている。

【００４４】１／２波長板２０は，前記整形スリット１
７ａ上に配置される。また，フランジ部材２９には，前
記ビーム合成プリズム１９が内設される。

【００４５】前記アパーチャ１６，１７および１／２波
長板２０は，前記フランジ部材２９および前記基体２５
により把持される。

【００４６】３１は，半導体レーザアレイ１０および半
導体レーザ１１の駆動回路が形成される基板である。

【００４７】前記フランジ部材２９は，前記コリメータ
レンズ１２の光軸Ｚと同軸に形成された円筒状突起２９
ａを有する。この円筒状突起２９ａは，マルチビーム走
査装置１００のハウジング（図示省略）に回動可能に挿
入される。この円筒状突起２９ａを中心に前記マルチビ
ーム光源ユニット１自体を回転させ，ビーム間隔Ｐ（図
２）を調節し，固定する。なお，このビーム間隔の調節
は，自動的に行うようにしてもよい。

【００４８】次に，このマルチビーム走査装置１００の
情報記録動作について説明する。まず，マルチビーム光
源ユニット１から出射したマルチビームは，前記シリン
ダレンズ２で副走査方向に絞りこまれ，続いて，ポリゴ
ンミラー３により反射される。続いて，前記反射したビ
ームは，ｆθレンズ４およびトロイダルレンズ５を通る
ことで主走査方向のドットピッチが均等化される。かか
る処理がなされたマルチビームは，前記反射鏡６により
反射され，感光体ドラム７上を走査する。これにより情
報の記録が行われる。

【００４９】次に，記録密度を切り換える場合は，前記
マルチビーム光源ユニット１を回転させ，ビーム間のピ
ッチを変更する。これより，記録密度が切換えられる。

【００５０】ビーム間のピッチを変更した後は，上記同
様にマルチビームを前記マルチビーム光源ユニット１か
ら出射し，前記感光体ドラム７上を走査する。これによ
り切り換え後の記録密度で情報の記録が行われる。な
お，前記マルチビーム光源ユニット１の回転を自動制御
するようにしてもよい。

【００５１】以上，本発明のマルチビーム走査装置１０
０では，半導体レーザアレイ１０と半導体レーザ１１と
の２つを用いてレーザビームを出射するので，前記ビー
ム合成プリズム１９が１つで済む。このため，マルチビ
ーム走査装置１００の構成が簡単かつコンパクトにな
る。更に，半導体レーザアレイ１０は，比較的入手し易
く低廉なので，マルチビーム走査装置１００が安価にな
る。

【００５２】更に，前記半導体レーザ１１のビームスポ
ット１５’を，前記半導体レーザアレイ１０のビームス
ポット１４ａ’，１４ｂ’の中央に位置させるようにし
た。このため，前記ビームスポット１５’を中心に回転
させることで，ビーム間隔Ｐ，Ｐの調節が独立して行え
る。それゆえ，ビーム間隔Ｐ，Ｐの調節が容易になり，
組立効率が向上する。なお，前記ビームスポット１５’
の位置を移動することで，ビーム間隔Ｐを調節すること
も可能である。

【００５３】また，前記マルチビーム光源ユニット１を
回転させることで，ビーム間隔の調節を容易に行うこと
が出来る。また，前記マルチビーム光源ユニット１の回
転を自動制御すれば，ビーム間隔の調節が更に容易にな
る。

【００５４】また，半導体レーザ１１のビームスポット
１５’のビームスポット径を，前記半導体レーザアレイ
１０のビームスポット１４ａ，１４ｂのビームスポット
径より大きくしたので，後の諸要因により前記ビームス
ポットの位置が変動しても，前記ビーム間のピッチＰ，
Ｐの変動が判別されにくい。このため，経時的に安定し
た画像品質が得られる。

【００５５】（実施の形態２）実施の形態２では，上記半導体レーザアレイ１０を２つ
使用し，４本ビームのマルチビームを構成した。更に，
一方のコリメータレンズの焦点距離を他方のコリメート
レンズの焦点距離の３倍とした。その他の構成は上記実
施の形態１と略同様とした。

【００５６】図４は，４本ビームの場合のビーム間隔の
調節方式を示す説明図である。１０４，１０５は，半導
体レーザアレイである。半導体レーザアレイ１０４はレ
ーザビーム１４ａ，１４ｂを出射し，半導体レーザアレ
イ１０５はレーザビーム１５ａ，１５ｂを出射する。前
記半導体レーザアレイ１０４，１０５は，像画にてビー
ムスポット１４ａ’，１４ｂ’の中点と，ビームスポッ
ト１５ａ’，１５ｂ’の中点とが一致するように配置す
る。

【００５７】更に，前記半導体レーザアレイ１０４，１
０５を保持するマルチビーム光源ユニット（図示省略）
は，ビームスポット１４ａ’，１４ｂ’と，ビームスポ
ット１５ａ’，１５ｂ’とが前記中点を中心にして別個
独立に回転しうる構造となっている。

【００５８】ビーム間隔の調節は，上記実施の形態１と
同様に，前記マルチビーム光源ユニットを回転させるこ
とにより行う。すなわち，ビームスポット１４ａ’，１
４ｂ’の間隔を所定ピッチ（３Ｐ）となるように回転調
節して，固定する。次に，ビームスポット１５ａ’，１
５ｂ’の間隔を所定ピッチ（Ｐ）となるように調節し
て，固定する。

【００５９】なお，コリメータレンズによらず，半導体
レーザアレイのレーザ発光源の間隔を変更すれば，前記
焦点距離を異なるものとすることが出来る。

【００６０】また，一方が，２個のレーザ発光源を有す
る半導体レーザアレイであれば，他方が，３個以上のレ
ーザ発光源を有する半導体レーザアレイであっても，そ
のレーザ発光源の配列中心をコリメータレンズの光軸に
合わせることで上記同様に構成できる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように，本発明のマルチビ
ーム走査装置（請求項１）によれば，２個の半導体レー
ザで３ビームのマルチビーム光源を構成できるので，ビ
ームスプリッタを複数段設ける必要がない。このため，
マルチビーム走査装置の構成が簡単になり，全体的にコ
ンパクト化できる。また，２個のレーザ発光源を有する
半導体レーザアレイと，単光源の半導体レーザとでマル
チビームを構成するので，半導体レーザアレイと半導体
レーザとの相対位置関係を変えることによりビーム間隔
を独立して調節可能となる。更に，２個のレーザ発光源
を有する半導体レーザアレイは，比較的入手し易く且つ
低廉なので，マルチビーム走査装置を安価に構成でき
る。

【００６２】また，本発明のマルチビーム走査装置（請
求項１）によれば，前記単光源の半導体レーザのビーム
スポットを，前記半導体レーザアレイの２個のビームス
ポットの略中央に位置させるので，前記半導体レーザア
レイの２個のビームスポットを前記中央位置を中心に回
転させることで，ビーム間隔の調節が独立して行える。
このため，ビーム間隔の調節が容易になり，組立効率が
向上する。

【００６３】また，本発明のマルチビーム走査装置（請
求項２）によれば，前記単光源の半導体レーザの光軸を
中心として前記マルチビーム光源を回動させるマルチビ
ーム回動手段を設けたので，ビーム間隔の調節を容易に
行うことが出来る。

【００６４】また，本発明のマルチビーム走査装置（請
求項３）によれば，前記単光源の半導体レーザのビーム
スポット径を，前記半導体レーザアレイのビームスポッ
ト径より大きくした。このため，後の諸要因により前記
ビームスポットの位置が変動しても，前記ビーム間隔の
変動が判別されにくい。このため，経時的に安定した画
像品質が得られる。

【００６５】本発明のマルチビーム走査装置（請求項
４）によれば，２個の半導体レーザで４ビームのマルチ
ビーム光源を構成できるので，ビームスプリッタを複数
段設ける必要がない。このため，マルチビーム走査装置
の構成が簡単になり，全体的にコンパクト化できる。ま
た，２つの半導体レーザアレイでマルチビームを構成す
るので，２つの半導体レーザアレイの相対位置関係を変
えることによりビーム間隔を独立して調節可能となる。
更に，２個のレーザ発光源を有する半導体レーザアレイ
は，比較的入手し易く且つ低廉なので，マルチビーム走
査装置を安価に構成できる。

【００６６】また，本発明のマルチビーム走査装置（請
求項５）によれば，前記単光源の半導体レーザの光軸を
中心として前記マルチビーム光源を回動させるマルチビ
ーム回動手段を設けたので，ビーム間隔の調節を容易に
行うことが出来る。

【００６７】また，本発明のマルチビーム走査装置（請
求項６）によれば，２つの半導体レーザアレイのビーム
スポットをそれぞれ異なる焦点距離にしておけば，一方
の半導体レーザアレイのビームスポットの間に，他方の
半導体レーザアレイのビームスポットを位置させること
が出来る。このため，４本ビームの場合でも各ビーム間
隔の調節が独立して行える。

【００６８】また，本発明のマルチビーム走査装置（請
求項７）によれば，前記一方のコリメートレンズの焦点
距離が，他方のコリメートレンズの焦点距離の３倍にな
るようにした。このため，ビーム間隔が均等になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかるマルチビーム走
査装置を示す構成図である。

【図２】マルチビーム光源ユニットの構造説明図であ
る。

【図３】マルチビーム光源ユニットの組立工程を示す説
明図である。

【図４】４本ビームの場合のビーム間隔の調節方式を示
す説明図である。

【符号の説明】

１００マルチビーム走査装置１マルチビーム光源ユニット２シリンダレンズ３ポリゴンミラー４ｆθレンズ５トロイダルレンズ６反射鏡７感光体ドラム１０半導体レーザアレイ１１半導体レーザ１２，１３コリメータレンズ１４，１５レーザビーム１４ａ’，１４ｂ’ビームスポット１５’ ビームスポット１６，１７アパーチャ１８１／２波長板１９ビーム合成プリズム１９ａ斜面１９ｂ偏向ビームスプリッタ面１６ａ，１７ａ整形スリット２３，２４支持体２５基体２５ａ，２５ｂ穴２９フランジ部材２９ａ円筒状突起３１基板３２〜３５ネジＰピッチ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】マルチビームを出射するマルチビーム光
源を有し，前記マルチビーム光源を光軸中心に回動させ
て情報の記録密度を変化させるマルチビーム走査装置に
おいて，前記マルチビーム光源は，２個のレーザ発光源をアレイ状に配設した半導体レーザ
アレイと，単光源の半導体レーザとを有し，前記単光源の前記半導体レーザは，そのビームスポット
が，前記半導体レーザアレイの２個のビームスポットの
略中央に位置するように配設されていることを特徴とす
るマルチビーム走査装置。
【請求項２】請求項１に記載のマルチビーム走査装置
において，前記単光源の半導体レーザの光軸を中心とし
て前記マルチビーム光源を回動させるマルチビーム光源
回動手段を具備することを特徴とするマルチビーム走査
装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載のマルチ
ビーム走査装置において，前記単光源の半導体レーザの
ビームスポット径が，前記半導体レーザアレイのビーム
スポット径より大きいことを特徴とするマルチビーム走
査装置。
【請求項４】マルチビームを出射するマルチビーム光
源を有し，前記マルチビーム光源を光軸中心に回動させ
て情報の記録密度を変化させるマルチビーム走査装置に
おいて，前記マルチビーム光源は，２つの半導体レーザアレイを
有し，一方の前記半導体レーザアレイは，アレイ状に配設した２個のレーザ発光源を有し，かつ前
記一方の半導体レーザアレイの２個のビームスポット
が，光軸に対して対称となるように配置され，他方の前記半導体レーザアレイは，アレイ状に配設した
２個のレーザ発光源を有し，かつ前記他方の半導体レー
ザアレイの２個のビームスポットが，前記光軸に対して
対称となるように配置されていることを特徴とするマル
チビーム走査装置。
【請求項５】請求項４に記載のマルチビーム走査装置
において，同一の前記光軸を中心として前記マルチビー
ム光源を回転させるマルチビーム光源回動手段をさらに
有することを特徴とするマルチビーム走査装置。
【請求項６】マルチビームを出射するマルチビーム光
源を有し，前記マルチビーム光源を光軸中心に回動させ
て情報の記録密度を変化させるマルチビーム走査装置に
おいて，前記マルチビーム光源を２つ設け，当該マルチビーム光源が，２個のレーザ発光源をアレイ
状に配設した半導体レーザアレイと各々の光ビームを平
行光束とするコリメートレンズとから構成され，一方の
コリメートレンズの焦点距離が，他方のコリメートレン
ズの焦点距離と異なることを特徴とするマルチビーム走
査装置。
【請求項７】請求項６に記載のマルチビーム走査装置
において，前記一方のコリメートレンズの焦点距離が，
他方のコリメートレンズの焦点距離の３倍であることを
特徴とするマルチビーム走査装置。