JP2001141541A - 質量流量センサー - Google Patents
質量流量センサーInfo
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- JP2001141541A JP2001141541A JP2000325438A JP2000325438A JP2001141541A JP 2001141541 A JP2001141541 A JP 2001141541A JP 2000325438 A JP2000325438 A JP 2000325438A JP 2000325438 A JP2000325438 A JP 2000325438A JP 2001141541 A JP2001141541 A JP 2001141541A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少なくとも部分的にシリコン２により形成さ
れているフレーム、フレーム６により保持されている
膜、フレーム６の上方に配置されている金属層１０、第
一の構造により金属層１０中に形成されている加熱素
子、および第二の構造により金属層１０中に形成されて
いる少なくとも１つの温度測定素子からなる質量流量セ
ンサーを提供する。 【解決手段】 金属層の上方に防湿層を配置する。 【効果】 該質量流量センサーは公知の膜と比べて改善
された膜安定性を有する。
れているフレーム、フレーム６により保持されている
膜、フレーム６の上方に配置されている金属層１０、第
一の構造により金属層１０中に形成されている加熱素
子、および第二の構造により金属層１０中に形成されて
いる少なくとも１つの温度測定素子からなる質量流量セ
ンサーを提供する。 【解決手段】 金属層の上方に防湿層を配置する。 【効果】 該質量流量センサーは公知の膜と比べて改善
された膜安定性を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、図１に記載されて
いる、少なくとも部分的にケイ素により形成されている
フレーム、フレームにより保持されている膜、フレーム
の上方に配置されている金属層１０、第一の構造により
金属層中に形成されている加熱素子、および第二の構造
により金属層中に形成されている少なくとも１つの温度
測定素子からなる質量流量センサーに関する。
いる、少なくとも部分的にケイ素により形成されている
フレーム、フレームにより保持されている膜、フレーム
の上方に配置されている金属層１０、第一の構造により
金属層中に形成されている加熱素子、および第二の構造
により金属層中に形成されている少なくとも１つの温度
測定素子からなる質量流量センサーに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】公知の質量流量センサ
ーの膜に対して改善された膜安定性を有する膜を有する
質量流量センサーを提供する。
ーの膜に対して改善された膜安定性を有する膜を有する
質量流量センサーを提供する。
【０００３】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明により
質量流量センサーの金属層の上方に防湿層を配置して膜
の全膜厚を増大することにより解決される。本発明の有
利な実施態様は請求項２以降に記載されている。
質量流量センサーの金属層の上方に防湿層を配置して膜
の全膜厚を増大することにより解決される。本発明の有
利な実施態様は請求項２以降に記載されている。
【０００４】本発明の有利な１実施態様では質量流量セ
ンサーもしくは膜の最上層が防湿層として存在し、かつ
被覆層の形で形成されている。このことは全膜厚の向上
およびこれに伴う公知の膜安定性の改善以外に、膜へ
の、ひいては質量流量センサーへの水分の侵入を少なく
とも明らかに減少するという利点を有する。水分を吸収
した場合、１つ以上の水分吸収層がその下に存在する層
もしくはフレームからはく離するか、またはその機械的
特性を明らかに劣化させるという危険が生じる。従って
本発明による防湿層の使用は、膜を水分から保護する作
用以外に、膜安定性をさらに改善するという利点を有す
る。水分は特に質量流量センサーを介して流れる空気中
の空気湿度により被覆層もしくは膜に到達する可能性が
ある。
ンサーもしくは膜の最上層が防湿層として存在し、かつ
被覆層の形で形成されている。このことは全膜厚の向上
およびこれに伴う公知の膜安定性の改善以外に、膜へ
の、ひいては質量流量センサーへの水分の侵入を少なく
とも明らかに減少するという利点を有する。水分を吸収
した場合、１つ以上の水分吸収層がその下に存在する層
もしくはフレームからはく離するか、またはその機械的
特性を明らかに劣化させるという危険が生じる。従って
本発明による防湿層の使用は、膜を水分から保護する作
用以外に、膜安定性をさらに改善するという利点を有す
る。水分は特に質量流量センサーを介して流れる空気中
の空気湿度により被覆層もしくは膜に到達する可能性が
ある。
【０００５】防湿層は本発明の有利な実施態様の場合、
窒化物層により形成され、これはさらに膜に衝突する空
気流中の粒子に対する本発明による膜の安定性を改善す
る。有利にはＬＰＣＶＤ−またはＰＥＣＶＤ−窒化物層
を防湿層として使用する。
窒化物層により形成され、これはさらに膜に衝突する空
気流中の粒子に対する本発明による膜の安定性を改善す
る。有利にはＬＰＣＶＤ−またはＰＥＣＶＤ−窒化物層
を防湿層として使用する。
【０００６】しかしその代わりに、または補足的に防湿
層は炭化ケイ素層、有利にはＰＥＣＶＤ炭化ケイ素、耐
薬品性の金属、例えば白金、金などにより、または１種
以上の金属酸化物からなる層により形成されてもよい。
層は炭化ケイ素層、有利にはＰＥＣＶＤ炭化ケイ素、耐
薬品性の金属、例えば白金、金などにより、または１種
以上の金属酸化物からなる層により形成されてもよい。
【０００７】本発明による膜の機械的安定性をさらに改
善するために、および／または侵入する水分に対する膜
の保護をさらに改善するために本発明のその他の有利な
実施態様の場合、膜の上の領域に、少なくとも１つの酸
化物層および少なくとも１つの窒化物層を有する上のサ
ンドイッチシステムが配置されていてもよい。有利には
該サンドイッチシステムは膜の金属層の上方に配置され
ている。さらに有利には酸化ケイ素層および窒化ケイ素
層を使用する。
善するために、および／または侵入する水分に対する膜
の保護をさらに改善するために本発明のその他の有利な
実施態様の場合、膜の上の領域に、少なくとも１つの酸
化物層および少なくとも１つの窒化物層を有する上のサ
ンドイッチシステムが配置されていてもよい。有利には
該サンドイッチシステムは膜の金属層の上方に配置され
ている。さらに有利には酸化ケイ素層および窒化ケイ素
層を使用する。
【０００８】本発明のもう１つの実施態様は、その代わ
りに、または補足的に少なくとも１つの酸化物層および
少なくとも１つの窒化物層を有する下のサンドイッチシ
ステムを質量流量センサーの金属層の下方およびフレー
ムの上方に堆積させることを考慮する。この下のサンド
イッチシステムの場合にもまた、酸化ケイ素層および窒
化ケイ素層を有利に使用する。
りに、または補足的に少なくとも１つの酸化物層および
少なくとも１つの窒化物層を有する下のサンドイッチシ
ステムを質量流量センサーの金属層の下方およびフレー
ムの上方に堆積させることを考慮する。この下のサンド
イッチシステムの場合にもまた、酸化ケイ素層および窒
化ケイ素層を有利に使用する。
【０００９】本発明による膜において１つ以上のサンド
イッチシステムを使用することは、最上部の防湿層を形
成する層が損傷された場合でさえも、センサー中に侵入
する水分からの充分な保護が保証されるという利点を有
する。１つ以上のサンドイッチシステムを使用すること
によりさらに膜張力および膜の熱伝導度を、種々の層に
基づいて広い範囲で調整できることが可能である。
イッチシステムを使用することは、最上部の防湿層を形
成する層が損傷された場合でさえも、センサー中に侵入
する水分からの充分な保護が保証されるという利点を有
する。１つ以上のサンドイッチシステムを使用すること
によりさらに膜張力および膜の熱伝導度を、種々の層に
基づいて広い範囲で調整できることが可能である。
【００１０】本発明のもう１つの有利な実施態様によれ
ば、膜の金属層の直接下方にＣＶＤ酸化物層、有利には
ＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素層が配置されている。ＣＶＤ−
酸化物層は本発明によれば図１に記載されている公知の
膜のリオキシド層(Reoxidschicht)に代えられる。リオ
キシド層は窒化ケイ素層の表面を酸化ケイ素層へと変え
ることにより製造するので、公知の膜の場合、製造可能
な最大膜厚に関してプロセス技術的な制限が生じる。図
１に記載されている公知の膜の場合に単にリオキシド層
をより厚いＣＶＤ−もしくはＰＥＣＶＤ−酸化物層によ
り置き換えることにより、本発明によれば公知の膜と比
較してより厚い膜を製造することが容易な方法で可能で
ある。
ば、膜の金属層の直接下方にＣＶＤ酸化物層、有利には
ＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素層が配置されている。ＣＶＤ−
酸化物層は本発明によれば図１に記載されている公知の
膜のリオキシド層(Reoxidschicht)に代えられる。リオ
キシド層は窒化ケイ素層の表面を酸化ケイ素層へと変え
ることにより製造するので、公知の膜の場合、製造可能
な最大膜厚に関してプロセス技術的な制限が生じる。図
１に記載されている公知の膜の場合に単にリオキシド層
をより厚いＣＶＤ−もしくはＰＥＣＶＤ−酸化物層によ
り置き換えることにより、本発明によれば公知の膜と比
較してより厚い膜を製造することが容易な方法で可能で
ある。
【００１１】さらに公知のリオキシド層は本発明によれ
ばＣＶＤ−酸化物層の代わりに、有利にはＰＥＣＶＤ−
酸化物層およびＰＥＣＶＤ−窒化物層からなるサンドイ
ッチシステムにより置き換えることができる。特に有利
な本発明の実施態様の場合、ＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素層
およびＰＥＣＶＤ−窒化ケイ素層を堆積させる。
ばＣＶＤ−酸化物層の代わりに、有利にはＰＥＣＶＤ−
酸化物層およびＰＥＣＶＤ−窒化物層からなるサンドイ
ッチシステムにより置き換えることができる。特に有利
な本発明の実施態様の場合、ＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素層
およびＰＥＣＶＤ−窒化ケイ素層を堆積させる。
【００１２】本発明のもう１つの特に有利な実施態様
は、図１のフレームと公知の膜のリオキシド層との間の
ＬＰＣＶＤ−窒化物層をＰＥＣＶＤ−窒化物層、有利に
はＰＥＣＶＤ窒化ケイ素層により置き換えることが考慮
される。さらに公知の膜の場合、リオキシド層を前記の
ように置き換えることにより、本発明による膜もしくは
本発明による質量流量センサーをＰＥＣＶＤ法の枠内で
製造することが可能である。本発明による膜もしくはセ
ンサーを製造するためのＰＥＣＶＤ法は一般にＬＰＣＶ
Ｄ法により可能であるよりも低い温度で実施することが
できる。低温法、例えばＰＥＣＶＤ法は、ケイ素結晶中
での酸素析出物の形成ひいては水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）を用いたエッチングの際の寸法安定性に関してその
不利な作用を明らかに減少させるという利点を有する。
は、図１のフレームと公知の膜のリオキシド層との間の
ＬＰＣＶＤ−窒化物層をＰＥＣＶＤ−窒化物層、有利に
はＰＥＣＶＤ窒化ケイ素層により置き換えることが考慮
される。さらに公知の膜の場合、リオキシド層を前記の
ように置き換えることにより、本発明による膜もしくは
本発明による質量流量センサーをＰＥＣＶＤ法の枠内で
製造することが可能である。本発明による膜もしくはセ
ンサーを製造するためのＰＥＣＶＤ法は一般にＬＰＣＶ
Ｄ法により可能であるよりも低い温度で実施することが
できる。低温法、例えばＰＥＣＶＤ法は、ケイ素結晶中
での酸素析出物の形成ひいては水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）を用いたエッチングの際の寸法安定性に関してその
不利な作用を明らかに減少させるという利点を有する。
【００１３】図面に基づいて本発明を以下でさらに詳細
に説明するが、これらは必ずしも縮尺に従っているとは
限らず、その際、同一の参照番号は同一または同じ作用
の層または部分を示している。図面は次のものを示して
いる：図１は、膜を有する公知の半導体−質量流量セン
サーの断面図を示し、図２は、公知の膜に対して機械的
に丈夫に作られた膜ならびに該膜の上に配置された防湿
層を有する本発明による半導体−質量流量センサーの断
面図を示し、図３は、図２に記載されている質量流量セ
ンサーとは異なって膜の上方の部分に酸化ケイ素および
窒化ケイ素からなるサンドイッチシステムを有する本発
明による半導体−質量流量センサーの断面図を示し、図
４は、図３のサンドイッチシステムが膜の上部ではなく
下部に配置されている本発明による半導体−質量流量セ
ンサーの断面図を示し、かつ図５は、図３および４に記
載されているサンドイッチシステムが膜の上部および下
部に配置されている本発明による半導体−質量流量セン
サーの断面図を示す。
に説明するが、これらは必ずしも縮尺に従っているとは
限らず、その際、同一の参照番号は同一または同じ作用
の層または部分を示している。図面は次のものを示して
いる：図１は、膜を有する公知の半導体−質量流量セン
サーの断面図を示し、図２は、公知の膜に対して機械的
に丈夫に作られた膜ならびに該膜の上に配置された防湿
層を有する本発明による半導体−質量流量センサーの断
面図を示し、図３は、図２に記載されている質量流量セ
ンサーとは異なって膜の上方の部分に酸化ケイ素および
窒化ケイ素からなるサンドイッチシステムを有する本発
明による半導体−質量流量センサーの断面図を示し、図
４は、図３のサンドイッチシステムが膜の上部ではなく
下部に配置されている本発明による半導体−質量流量セ
ンサーの断面図を示し、かつ図５は、図３および４に記
載されているサンドイッチシステムが膜の上部および下
部に配置されている本発明による半導体−質量流量セン
サーの断面図を示す。
【００１４】
【実施例】図１に記載されている質量流量センサー１
は、フレーム６、フレーム６上に配置された、空気流の
測定のための有利に使用される膜２３、および膜２３中
に配置されている金属層、有利には白金層１０を有す
る。
は、フレーム６、フレーム６上に配置された、空気流の
測定のための有利に使用される膜２３、および膜２３中
に配置されている金属層、有利には白金層１０を有す
る。
【００１５】図１に記載されている公知の質量流量セン
サー１を製造するために（１００）−配向を有するシリ
コン基板２を例えば横型オーブン中で公知の方法により
酸素の供給によりその表面上で酸化させ、その際、シリ
コン基板２の表側に酸化ケイ素層３が、およびシリコン
基板２の裏側に酸化ケイ素層４が生じる。
サー１を製造するために（１００）−配向を有するシリ
コン基板２を例えば横型オーブン中で公知の方法により
酸素の供給によりその表面上で酸化させ、その際、シリ
コン基板２の表側に酸化ケイ素層３が、およびシリコン
基板２の裏側に酸化ケイ素層４が生じる。
【００１６】シリコン基板２、下の酸化ケイ素層３およ
び上の酸化ケイ素層４からなる層系の上側および下側に
窒化ケイ素層７および窒化ケイ素層８が堆積する。窒化
ケイ素層７および８は、公知の膜２３の場合、いわゆる
「化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition)」（ＣＶ
Ｄ）により、より正確に言うならば「減圧化学蒸着法(L
ow-Pressure Chemical Vapor Deposition)」（ＬＰＣＶ
Ｄ）により得られる。
び上の酸化ケイ素層４からなる層系の上側および下側に
窒化ケイ素層７および窒化ケイ素層８が堆積する。窒化
ケイ素層７および８は、公知の膜２３の場合、いわゆる
「化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition)」（ＣＶ
Ｄ）により、より正確に言うならば「減圧化学蒸着法(L
ow-Pressure Chemical Vapor Deposition)」（ＬＰＣＶ
Ｄ）により得られる。
【００１７】窒化ケイ素層を下側および上側に配置した
後で、フレーム６の上方に存在する窒化ケイ素層８の表
面を酸化ケイ素層に変える。この酸化ケイ素層を以下で
はリオキシド層９と呼ぶが、これは該リオキシド層９を
充分に被覆する白金層のための土台を形成する。
後で、フレーム６の上方に存在する窒化ケイ素層８の表
面を酸化ケイ素層に変える。この酸化ケイ素層を以下で
はリオキシド層９と呼ぶが、これは該リオキシド層９を
充分に被覆する白金層のための土台を形成する。
【００１８】白金層１０中に公知の方法で電気的に相互
に絶縁された構造（記載せず）をエッチングにより製造
する。電気的な接続を製造するためにそれぞれ２つの接
続（記載せず）を備えた構造は、質量流量センサーの製
造のために少なくとも１つの加熱素子（記載せず）およ
び２つの温度測定素子（記載せず）を形成し、このうち
有利には１つが加熱素子の左側に、および１つが加熱素
子の右側に配置されている。
に絶縁された構造（記載せず）をエッチングにより製造
する。電気的な接続を製造するためにそれぞれ２つの接
続（記載せず）を備えた構造は、質量流量センサーの製
造のために少なくとも１つの加熱素子（記載せず）およ
び２つの温度測定素子（記載せず）を形成し、このうち
有利には１つが加熱素子の左側に、および１つが加熱素
子の右側に配置されている。
【００１９】その後、白金層１０はさらなるＣＶＤプロ
セス工程の枠内で酸化ケイ素層１１を有する。酸化ケイ
素層１１を形成するためのＣＶＤプロセス工程の場合、
有利にはいわゆる「プラズマＣＶＤ(Plasma-Enhanced C
hemical Vapor Deposition)」法（ＰＥＣＶＤ）を使用
する。ＰＥＣＶＤ法は公知であり、かつここで詳細に説
明する必要はない。
セス工程の枠内で酸化ケイ素層１１を有する。酸化ケイ
素層１１を形成するためのＣＶＤプロセス工程の場合、
有利にはいわゆる「プラズマＣＶＤ(Plasma-Enhanced C
hemical Vapor Deposition)」法（ＰＥＣＶＤ）を使用
する。ＰＥＣＶＤ法は公知であり、かつここで詳細に説
明する必要はない。
【００２０】白金層１０を酸化ケイ素層１１で被覆した
後で、白金層１０中に配置された構造が加熱素子または
１つもしくは複数の温度測定素子の形成のために電気的
に接触できるように酸化ケイ素層１１をエッチングす
る。相応するエッチホールを酸化ケイ素層１１中に製造
後、公知の方法で白金層１０中の構造に接触し、かつ質
量流量センサー１の外部で電気的な接続のために役立つ
アルミニウムコンタクト接続（そのうち例えば唯一アル
ミニウムコンタクト接続１２のみが図１に記載されてい
る）を形成する。
後で、白金層１０中に配置された構造が加熱素子または
１つもしくは複数の温度測定素子の形成のために電気的
に接触できるように酸化ケイ素層１１をエッチングす
る。相応するエッチホールを酸化ケイ素層１１中に製造
後、公知の方法で白金層１０中の構造に接触し、かつ質
量流量センサー１の外部で電気的な接続のために役立つ
アルミニウムコンタクト接続（そのうち例えば唯一アル
ミニウムコンタクト接続１２のみが図１に記載されてい
る）を形成する。
【００２１】次いでシリコン基板２および酸化ケイ素層
３および４から生じる層系を有利には水酸化カリウム
（ＫＯＨ）を用いて、ＫＯＨの異なったエッチング速度
に基づいてシリコンの［１００］−および［１１１］−
結晶方向で膜の方へ向かって先が細くなってゆく切頭角
錐で、台形の断面を有する切欠５をシリコン基板２中に
形成し、これによりフレーム６が生じ、かつ膜２３が形
成されるようにエッチングする。
３および４から生じる層系を有利には水酸化カリウム
（ＫＯＨ）を用いて、ＫＯＨの異なったエッチング速度
に基づいてシリコンの［１００］−および［１１１］−
結晶方向で膜の方へ向かって先が細くなってゆく切頭角
錐で、台形の断面を有する切欠５をシリコン基板２中に
形成し、これによりフレーム６が生じ、かつ膜２３が形
成されるようにエッチングする。
【００２２】図１の質量流量センサー１ならびにその他
の図面に記載されている本発明による質量流量センサー
２００、３００、４００、５００は一般に内燃機関に供
給される空気量およびその流れ方向を測定するための内
燃機関の吸入管中で使用される。内燃機関に供給される
空気はしばしば粒子を含有しているので、該粒子が質量
流量センサー１もしくは膜２３に衝突し、かつ膜２３を
破壊する。
の図面に記載されている本発明による質量流量センサー
２００、３００、４００、５００は一般に内燃機関に供
給される空気量およびその流れ方向を測定するための内
燃機関の吸入管中で使用される。内燃機関に供給される
空気はしばしば粒子を含有しているので、該粒子が質量
流量センサー１もしくは膜２３に衝突し、かつ膜２３を
破壊する。
【００２３】この問題に対処するために図２〜５に記載
されている本発明による質量流量センサー２００、３０
０、４００、５００はそれぞれ膜２４〜２７を有してお
り、これは図１の公知の質量流量センサー１の膜２３よ
りも機械的に丈夫である。
されている本発明による質量流量センサー２００、３０
０、４００、５００はそれぞれ膜２４〜２７を有してお
り、これは図１の公知の質量流量センサー１の膜２３よ
りも機械的に丈夫である。
【００２４】前記の粒子による衝撃に対する充分な強固
さは特に本発明によればその全膜厚が公知の膜２３の全
膜厚よりも厚い膜を形成し、このことにより本発明によ
る膜の充分な機械的安定性が達成され、かつ膜の損傷が
防止されることにより達成することができる。
さは特に本発明によればその全膜厚が公知の膜２３の全
膜厚よりも厚い膜を形成し、このことにより本発明によ
る膜の充分な機械的安定性が達成され、かつ膜の損傷が
防止されることにより達成することができる。
【００２５】しかし本発明による膜の全膜厚は膜もしく
は全センサーの具体的な層系に依存して選択することが
できることは自明である。つまり本発明による膜の全膜
厚は、具体的な層系が膜を形成する層のその配置および
／またはその組成に基づいて記載された粒子による衝撃
に対して充分な機械的安定性を有している場合には、公
知の膜と同一の厚さであるか、またはより薄くてもよ
い。
は全センサーの具体的な層系に依存して選択することが
できることは自明である。つまり本発明による膜の全膜
厚は、具体的な層系が膜を形成する層のその配置および
／またはその組成に基づいて記載された粒子による衝撃
に対して充分な機械的安定性を有している場合には、公
知の膜と同一の厚さであるか、またはより薄くてもよ
い。
【００２６】本発明による膜の層の順序もしくはその厚
さの具体的な形態は、通例、質量流量センサーがその中
に導入されるべき吸入管中で支配的である具体的な物理
的条件に対応させる。
さの具体的な形態は、通例、質量流量センサーがその中
に導入されるべき吸入管中で支配的である具体的な物理
的条件に対応させる。
【００２７】図１の公知の膜２３の機械的安定性を向上
するための可能性は、公知の膜２３の１つ以上の層をよ
り厚くし、このことにより膜のより厚い全膜厚を調整す
ることにある。
するための可能性は、公知の膜２３の１つ以上の層をよ
り厚くし、このことにより膜のより厚い全膜厚を調整す
ることにある。
【００２８】有利には図２の本発明による質量流量セン
サー２００の場合、白金層１０上に堆積する酸化ケイ素
層１１が図１の公知の質量流量センサー１の相応する酸
化ケイ素層１１よりも厚いことが考慮される。
サー２００の場合、白金層１０上に堆積する酸化ケイ素
層１１が図１の公知の質量流量センサー１の相応する酸
化ケイ素層１１よりも厚いことが考慮される。
【００２９】公知の膜に対してより厚い膜を製造するた
めの、代替的または補足的な可能性は、図２〜５にそれ
ぞれ記載されているように、公知の膜２３のリオキシド
層９をより厚い酸化ケイ素層１８により置き換えること
にある。公知のリオキシド層９は、すでに記載したよう
に、窒化ケイ素層の表面を酸化ケイ素層へと変えること
により製造することができるので、調整可能な膜厚に関
するプロセス技術的な制限が与えられている。この制限
は本発明によれば、酸化ケイ素層１８の使用により、特
に酸化ケイ素１８をＰＥＣＶＤにより製造する場合に克
服することができる。
めの、代替的または補足的な可能性は、図２〜５にそれ
ぞれ記載されているように、公知の膜２３のリオキシド
層９をより厚い酸化ケイ素層１８により置き換えること
にある。公知のリオキシド層９は、すでに記載したよう
に、窒化ケイ素層の表面を酸化ケイ素層へと変えること
により製造することができるので、調整可能な膜厚に関
するプロセス技術的な制限が与えられている。この制限
は本発明によれば、酸化ケイ素層１８の使用により、特
に酸化ケイ素１８をＰＥＣＶＤにより製造する場合に克
服することができる。
【００３０】しかしこれに対して酸化ケイ素、例えばＰ
ＥＣＶＤにより形成した酸化ケイ素は水分を吸収する傾
向があり、かつこのことにより土台への付着力を失う
か、またはその機械的特性が変化する。この状況はより
厚い酸化ケイ素層によりさらにいっそう有利になる。従
って図２〜５中に記載されている実施例の場合はそれぞ
れ膜２４〜２７を有しており、該膜は防湿層１３を形成
する被覆層を有している。防湿層として有利には例えば
ＬＰＣＶＤにより、またはＰＥＣＶＤにより製造されて
いてもよい窒化ケイ素層を使用する。防湿層は吸入管中
の空気湿度が有利には公知の膜２３に対してより厚く形
成されている酸化ケイ素層へ到達することを防止する。
ＥＣＶＤにより形成した酸化ケイ素は水分を吸収する傾
向があり、かつこのことにより土台への付着力を失う
か、またはその機械的特性が変化する。この状況はより
厚い酸化ケイ素層によりさらにいっそう有利になる。従
って図２〜５中に記載されている実施例の場合はそれぞ
れ膜２４〜２７を有しており、該膜は防湿層１３を形成
する被覆層を有している。防湿層として有利には例えば
ＬＰＣＶＤにより、またはＰＥＣＶＤにより製造されて
いてもよい窒化ケイ素層を使用する。防湿層は吸入管中
の空気湿度が有利には公知の膜２３に対してより厚く形
成されている酸化ケイ素層へ到達することを防止する。
【００３１】図１の公知の膜２３の機械的安定性を高め
るもう１つの実施態様の場合、公知の膜２３上に単に窒
化ケイ素層を析出させ、かつこれにより公知の膜２３の
全膜厚を増大することが考えられる。
るもう１つの実施態様の場合、公知の膜２３上に単に窒
化ケイ素層を析出させ、かつこれにより公知の膜２３の
全膜厚を増大することが考えられる。
【００３２】同様に公知の膜２３の酸化ケイ素層１１を
本発明による膜の場合、より薄く形成し、かつ得られた
本発明による膜を防湿層として窒化ケイ素層を設置する
ことが考慮される。つまりこのことによりその全膜厚に
おいて公知の膜２３よりも薄いか、同一であるか、また
はより厚い本発明による膜が生じる可能性がある。
本発明による膜の場合、より薄く形成し、かつ得られた
本発明による膜を防湿層として窒化ケイ素層を設置する
ことが考慮される。つまりこのことによりその全膜厚に
おいて公知の膜２３よりも薄いか、同一であるか、また
はより厚い本発明による膜が生じる可能性がある。
【００３３】図３に記載された本発明による膜２５は図
２の膜２４とは異なり、膜の上部に、つまり白金層１０
の上方に存在する膜の部分に酸化ケイ素層および窒化ケ
イ素層からなるサンドイッチシステムを有している。こ
れらを有利には同様にＰＥＣＶＤにより製造する。図３
に記載されている質量流量センサー３００の場合、該サ
ンドイッチシステムは次の層序を有している（下から上
へ向かって）：酸化ケイ素層１１、窒化ケイ素層１４、
酸化ケイ素層１５、窒化ケイ素層１６および酸化ケイ素
層１７。
２の膜２４とは異なり、膜の上部に、つまり白金層１０
の上方に存在する膜の部分に酸化ケイ素層および窒化ケ
イ素層からなるサンドイッチシステムを有している。こ
れらを有利には同様にＰＥＣＶＤにより製造する。図３
に記載されている質量流量センサー３００の場合、該サ
ンドイッチシステムは次の層序を有している（下から上
へ向かって）：酸化ケイ素層１１、窒化ケイ素層１４、
酸化ケイ素層１５、窒化ケイ素層１６および酸化ケイ素
層１７。
【００３４】しかし層の順序はまた逆であってもよいこ
とは自明である。同様に該サンドイッチシステムまたは
全ての膜２５またはその一部を別のＣＶＤ法または堆積
法で製造することもできる。
とは自明である。同様に該サンドイッチシステムまたは
全ての膜２５またはその一部を別のＣＶＤ法または堆積
法で製造することもできる。
【００３５】図２の膜２４とは異なり膜２５の上部に配
置された図３のサンドイッチシステムは、窒化ケイ素層
１４および１６が防湿層に対して付加的に別の防湿層を
形成し、かつこれらの下に存在する酸化ケイ素層を水分
の吸収に対して保護するという利点を有する。該サンド
イッチシステムは例えば最上部の窒化ケイ素層１３が破
壊された場合に、複数の窒化物層の存在に基づいてさら
にまた膜へと侵入する水分に対するさらに有利な保護の
ために役立つ。
置された図３のサンドイッチシステムは、窒化ケイ素層
１４および１６が防湿層に対して付加的に別の防湿層を
形成し、かつこれらの下に存在する酸化ケイ素層を水分
の吸収に対して保護するという利点を有する。該サンド
イッチシステムは例えば最上部の窒化ケイ素層１３が破
壊された場合に、複数の窒化物層の存在に基づいてさら
にまた膜へと侵入する水分に対するさらに有利な保護の
ために役立つ。
【００３６】さらに膜中でのサンドイッチシステムの使
用は異なった層張力および熱伝導度を有する層の製造を
可能にする。このことにより定義した通りに調整可能な
膜張力および定義された熱伝導度を有する厚い膜の製造
が可能である。
用は異なった層張力および熱伝導度を有する層の製造を
可能にする。このことにより定義した通りに調整可能な
膜張力および定義された熱伝導度を有する厚い膜の製造
が可能である。
【００３７】図４の質量流量センサー４００の場合、図
３に記載された質量流量センサーとは異なり、代わりに
別のサンドイッチシステムを本発明による膜２６の下部
に備えている。図４において白金層１０の下方に被覆に
より得られたサンドイッチシステムは、この相違点まで
は図３に記載されたサンドイッチシステムと同一であ
り、これは窒化ケイ素層８の直接上方に次の層序を有す
る（下から上へ向かって）：酸化ケイ素層１８、窒化ケ
イ素層１９、酸化ケイ素層２０、窒化ケイ素層２１およ
び酸化ケイ素層２２。酸化ケイ素層２２の上方には直接
白金層１０が続く。
３に記載された質量流量センサーとは異なり、代わりに
別のサンドイッチシステムを本発明による膜２６の下部
に備えている。図４において白金層１０の下方に被覆に
より得られたサンドイッチシステムは、この相違点まで
は図３に記載されたサンドイッチシステムと同一であ
り、これは窒化ケイ素層８の直接上方に次の層序を有す
る（下から上へ向かって）：酸化ケイ素層１８、窒化ケ
イ素層１９、酸化ケイ素層２０、窒化ケイ素層２１およ
び酸化ケイ素層２２。酸化ケイ素層２２の上方には直接
白金層１０が続く。
【００３８】図３に対して代替的な本発明による膜の、
下のサンドイッチシステムを有するこの実施態様は図３
に記載されたサンドイッチシステムとほとんど同じ利点
を有する。
下のサンドイッチシステムを有するこの実施態様は図３
に記載されたサンドイッチシステムとほとんど同じ利点
を有する。
【００３９】図５に記載されている質量流量センサー５
００の場合、サンドイッチシステムは図３においてと同
様に直接、本発明による膜２７の白金層１０の上方に配
置された領域に、ならびにサンドイッチシステムは図４
においてと同様に、窒化ケイ素層８および白金層１０と
の間に配置されている。さらに図５に記載された質量流
量センサー５００は、図３および４の質量流量センサー
３００および４００に相応する。従ってこの膜２７はサ
ンドイッチ構造を有する膜の形成と関連して前記の利点
を有する。２つのサンドイッチシステムの配置により外
部から膜へと侵入する水分に対する保護のさらなる改善
ならびに膜張力の調整のための改善された可能性を達成
することができる。
００の場合、サンドイッチシステムは図３においてと同
様に直接、本発明による膜２７の白金層１０の上方に配
置された領域に、ならびにサンドイッチシステムは図４
においてと同様に、窒化ケイ素層８および白金層１０と
の間に配置されている。さらに図５に記載された質量流
量センサー５００は、図３および４の質量流量センサー
３００および４００に相応する。従ってこの膜２７はサ
ンドイッチ構造を有する膜の形成と関連して前記の利点
を有する。２つのサンドイッチシステムの配置により外
部から膜へと侵入する水分に対する保護のさらなる改善
ならびに膜張力の調整のための改善された可能性を達成
することができる。
【００４０】ＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素のサンドイッチシ
ステムの代わりに異なった（ＣＶＤ−）堆積法（ＬＰＣ
ＶＤ、ＡＰＣＶＤなど）を用いて製造される異なった層
張力を有する酸化ケイ素層を使用することもでき、この
ことにより同様に膜張力を広い範囲で調整することが可
能である。異なった層張力を有する酸化ケイ素層からな
るサンドイッチシステムはさらにＬＰＣＶＤ−またはＰ
ＥＣＶＤ−窒化ケイ素からなる被覆層と組み合わせるこ
とができる。サンドイッチシステムの酸化ケイ素層は、
有利にはＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素層である。
ステムの代わりに異なった（ＣＶＤ−）堆積法（ＬＰＣ
ＶＤ、ＡＰＣＶＤなど）を用いて製造される異なった層
張力を有する酸化ケイ素層を使用することもでき、この
ことにより同様に膜張力を広い範囲で調整することが可
能である。異なった層張力を有する酸化ケイ素層からな
るサンドイッチシステムはさらにＬＰＣＶＤ−またはＰ
ＥＣＶＤ−窒化ケイ素からなる被覆層と組み合わせるこ
とができる。サンドイッチシステムの酸化ケイ素層は、
有利にはＰＥＣＶＤ−酸化ケイ素層である。
【００４１】本発明のもう１つの有利な実施態様の場
合、図１の公知の膜２３の窒化ケイ素層８を、ＬＰＣＶ
Ｄによってではなく、ＰＥＣＶＤにより製造することが
考慮される。図２〜５の本発明によるＰＥＣＶＤ−窒化
ケイ素層は参照番号２８を有している。
合、図１の公知の膜２３の窒化ケイ素層８を、ＬＰＣＶ
Ｄによってではなく、ＰＥＣＶＤにより製造することが
考慮される。図２〜５の本発明によるＰＥＣＶＤ−窒化
ケイ素層は参照番号２８を有している。
【００４２】窒化ケイ素層または酸化ケイ素層を製造す
るためのＰＥＣＶＤは一般にＬＰＣＶＤまたは熱酸化よ
りも低い温度で進行するので、本発明による膜は比較的
低い温度で得られる。このことによりシリコン結晶中の
酸素析出物の形成は低減し、このことにより水酸化カリ
ウムを用いたエッチングの際に、またはその他の湿式化
学的なシリコンエッチングの際に、より急勾配で、かつ
より均一なエッチング側面を得ることができる。このこ
とは膜を張った領域におけるシリコン基板と膜との間の
均一な移行につながり、このことは膜安定性への有利な
効果を有する。
るためのＰＥＣＶＤは一般にＬＰＣＶＤまたは熱酸化よ
りも低い温度で進行するので、本発明による膜は比較的
低い温度で得られる。このことによりシリコン結晶中の
酸素析出物の形成は低減し、このことにより水酸化カリ
ウムを用いたエッチングの際に、またはその他の湿式化
学的なシリコンエッチングの際に、より急勾配で、かつ
より均一なエッチング側面を得ることができる。このこ
とは膜を張った領域におけるシリコン基板と膜との間の
均一な移行につながり、このことは膜安定性への有利な
効果を有する。
【００４３】さらに本発明による質量流量センサーの製
造のために、切欠領域５において酸化物４を完全に除去
し、かつ窒化物層２８をＫＯＨ耐性に形成する場合に
は、１工程のＫＯＨエッチングプロセスを必要とするの
みである。
造のために、切欠領域５において酸化物４を完全に除去
し、かつ窒化物層２８をＫＯＨ耐性に形成する場合に
は、１工程のＫＯＨエッチングプロセスを必要とするの
みである。
【図１】公知の膜を有する質量流量センサーを示す図。
【図２】本発明による膜を有する質量流量センサーを示
す図。
す図。
【図３】本発明による膜を有する質量流量センサーを示
す図。
す図。
【図４】本発明による膜を有する質量流量センサーを示
す図。
す図。
【図５】本発明による膜を有する質量流量センサーを示
す図。
す図。
１ 質量流量センサー、 ２ シリコン基板、 ３ 酸
化ケイ素層、 ４ 酸化ケイ素層、 ５ 切欠、 ６
フレーム、 ７ 窒化ケイ素層、 ８ ＬＰＣＶＤ−窒
化ケイ素層、 ９ リオキシド層、 １０ 白金層、
１１ 酸化ケイ素層、 １２ アルミニウム−コンタク
ト接続、 １３ 防湿層、 １４ 窒化ケイ素層、 １
５ 酸化ケイ素層、 １６ 窒化ケイ素層、 １７ 酸
化ケイ素層、 １８ 酸化ケイ素層、 １９ 窒化ケイ
素層、 ２０ 酸化ケイ素層、２１ 窒化ケイ素層、
２２ 酸化ケイ素層、 ２３ 膜、 ２４ 膜、 ２５
膜、 ２６ 膜、 ２７ 膜、 ２８ ＰＥＣＶＤ−窒
化ケイ素層、 ２００質量流量センサー、 ３００ 質
量流量センサー、 ４００ 質量流量センサー、 ５０
０ 質量流量センサー
化ケイ素層、 ４ 酸化ケイ素層、 ５ 切欠、 ６
フレーム、 ７ 窒化ケイ素層、 ８ ＬＰＣＶＤ−窒
化ケイ素層、 ９ リオキシド層、 １０ 白金層、
１１ 酸化ケイ素層、 １２ アルミニウム−コンタク
ト接続、 １３ 防湿層、 １４ 窒化ケイ素層、 １
５ 酸化ケイ素層、 １６ 窒化ケイ素層、 １７ 酸
化ケイ素層、 １８ 酸化ケイ素層、 １９ 窒化ケイ
素層、 ２０ 酸化ケイ素層、２１ 窒化ケイ素層、
２２ 酸化ケイ素層、 ２３ 膜、 ２４ 膜、 ２５
膜、 ２６ 膜、 ２７ 膜、 ２８ ＰＥＣＶＤ−窒
化ケイ素層、 ２００質量流量センサー、 ３００ 質
量流量センサー、 ４００ 質量流量センサー、 ５０
０ 質量流量センサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴェルナー シュタイナー ドイツ連邦共和国 ベープリンゲン ツァ イジヒヴェーク 17／１
Claims (11)
- 【請求項１】 以下のもの：少なくとも部分的にシリコ
ン（２）により形成されているフレーム（６）、フレー
ム（６）により保持されている膜（２３；２４；２５；
２６；２７）、フレーム（６）の上方に配置されている
金属層（１０）、第一の構造により金属層（１０）中に
形成されている加熱素子、および第二の構造により金属
層（１０）中に形成されている少なくとも１つの温度測
定素子からなる質量流量センサー（１００；２００；３
００；４００；５００）において、金属層の上方に配置
されている防湿層（１３）を特徴とする、質量流量セン
サー。 - 【請求項２】 防湿層（１３）が少なくとも部分的に窒
化物層により形成されている、請求項１記載の質量流量
センサー。 - 【請求項３】 窒化物層が窒化ケイ素層（１３）であ
る、請求項２記載の質量流量センサー。 - 【請求項４】 防湿層が質量流量センサー（１）の最上
層（１３）を形成する、および／または防湿層が少なく
とも１つの酸化ケイ素層（１１、１５、１７）および少
なくとも１つの窒化ケイ素層（１３、１４、１６）を有
する上のサンドイッチシステム（１１、１３、１４、１
５、１６、１７）により少なくとも部分的に形成されて
いる、および／または金属層（１０）の下方に少なくと
も１つの酸化ケイ素層（１８、２０、２２）および少な
くとも１つの窒化ケイ素層（１９、２１）を有する下の
サンドイッチシステム（１８、１９、２０、２１、２
２）が配置されている、請求項１または２記載の質量流
量センサー。 - 【請求項５】 サンドイッチシステムが少なくとも１つ
の炭化ケイ素層を有している、請求項４記載の質量流量
センサー。 - 【請求項６】 金属層（１０）の直接下方に酸化ケイ素
層（１８）が配置されている、請求項１記載の質量流量
センサー。 - 【請求項７】 フレーム（６）と金属層（１０）との間
に窒化物層（２８）が配置されている、請求項１記載の
質量流量センサー。 - 【請求項８】 窒化物層が窒化ケイ素（２８）である、
および／または窒化物層（２８）の下方に熱酸化により
製造された酸化ケイ素層（４）が配置されている、請求
項７記載の質量流量センサー。 - 【請求項９】 切欠領域（５）中で窒化物層（２８）の
下方に酸化物層が配置されている、および／または酸化
物層が切欠領域（５）中で窒化物層（８）の下方で除去
されている、請求項７または８記載の質量流量センサ
ー。 - 【請求項１０】 層がＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤまたはそ
の他のＣＶＤ法により製造されたものである、請求項３
または６から９までのいずれか１項記載の質量流量セン
サー。 - 【請求項１１】 少なくとも１つの酸化物層および／ま
たは窒化物層の代わりに炭化ケイ素層が配置されてい
る、請求項１から１０までのいずれか１項記載の質量流
量センサー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19952055.0 | 1999-10-28 | ||
| DE19952055A DE19952055A1 (de) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Massenflußsensor mit verbesserter Membranstabilität |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001141541A true JP2001141541A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=7927246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000325438A Pending JP2001141541A (ja) | 1999-10-28 | 2000-10-25 | 質量流量センサー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6820481B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001141541A (ja) |
| DE (1) | DE19952055A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7363810B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-04-29 | Fujikin Incorporated | Corrosion resistant metal made thermal type mass flow rate sensor and a fluid supply device using the same |
| US7654137B2 (en) | 2004-02-24 | 2010-02-02 | Fujikin Incorporated | Corrosion-resistant metal made sensor for fluid and a fluid supply device for which the sensor is employed |
| JP2010223746A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 熱式空気流量センサ |
| JP2011197013A (ja) * | 2011-06-28 | 2011-10-06 | Denso Corp | センサの製造方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031579A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Denso Corp | センサ及びその製造方法 |
| JP3678180B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2005-08-03 | 株式会社デンソー | フローセンサ |
| JP5108234B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2012-12-26 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロヒータ及びセンサ |
| US8175835B2 (en) * | 2006-05-17 | 2012-05-08 | Honeywell International Inc. | Flow sensor with conditioning-coefficient memory |
| US7277802B1 (en) | 2006-05-18 | 2007-10-02 | Honeywell International Inc. | Method and system for providing a linear signal from a mass flow transducer |
| US20070295082A1 (en) * | 2006-06-06 | 2007-12-27 | Honeywell International Inc. | Flow sensor transducer with dual spiral wheatstone bridge elements |
| US7280927B1 (en) | 2006-10-11 | 2007-10-09 | Honeywell International Inc. | Method and system for providing a linear signal from a mass airflow and/or liquid flow transducer |
| US7832269B2 (en) * | 2007-06-22 | 2010-11-16 | Honeywell International Inc. | Packaging multiple measurands into a combinational sensor system using elastomeric seals |
| US7712347B2 (en) | 2007-08-29 | 2010-05-11 | Honeywell International Inc. | Self diagnostic measurement method to detect microbridge null drift and performance |
| US8132546B2 (en) * | 2008-05-08 | 2012-03-13 | Ford Global Technologies, Llc | Control strategy for multi-stroke engine system |
| JP5526065B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-06-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式センサおよびその製造方法 |
| US8718981B2 (en) | 2011-05-09 | 2014-05-06 | Honeywell International Inc. | Modular sensor assembly including removable sensing module |
| DE102016206549A1 (de) * | 2016-04-19 | 2017-10-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement für thermische Anemometrie |
| DE102016222913A1 (de) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Gassensor mit einem Halbleitersubstrat mit mindestens einer Isolationsschicht und einer Leiterbahn |
| DE102017130950A1 (de) | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Thermischer Strömungssensor zum Bestimmen der Temperatur und der Strömungsgeschwindigkeit eines strömenden Messmediums |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0112945B1 (en) * | 1982-12-30 | 1987-05-06 | International Business Machines Corporation | Liquid filled electro-optic display cell and method of filling and sealing same |
| US4542650A (en) * | 1983-08-26 | 1985-09-24 | Innovus | Thermal mass flow meter |
| US4682503A (en) * | 1986-05-16 | 1987-07-28 | Honeywell Inc. | Microscopic size, thermal conductivity type, air or gas absolute pressure sensor |
| US5237867A (en) * | 1990-06-29 | 1993-08-24 | Siemens Automotive L.P. | Thin-film air flow sensor using temperature-biasing resistive element |
| US5393351A (en) * | 1993-01-13 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multilayer film multijunction thermal converters |
| US5423212A (en) * | 1993-06-18 | 1995-06-13 | Ricoh Seiki Company, Ltd. | Flow sensor |
| DE19511590A1 (de) * | 1995-03-29 | 1996-10-02 | Bosch Gmbh Robert | Meßelement für einen Durchflußsensor und Herstellungsverfahren |
| DE19601791A1 (de) * | 1996-01-19 | 1997-07-24 | Bosch Gmbh Robert | Sensor mit einer Membran und Verfahren zur Herstellung eines Sensors mit einer Membran |
| US5852239A (en) * | 1996-06-12 | 1998-12-22 | Ricoh Company, Ltd. | Flow sensor having an intermediate heater between two temperature-sensing heating portions |
| JP3333712B2 (ja) * | 1997-06-19 | 2002-10-15 | 三菱電機株式会社 | 流量検出素子およびそれを用いた流量センサ |
| DE19743409A1 (de) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Bosch Gmbh Robert | Meßvorrichtung zur Messung der Masse eines strömenden Mediums |
| DE19744228C1 (de) * | 1997-10-07 | 1998-11-26 | Bosch Gmbh Robert | Sensor mit einer Membran |
| US6290388B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-09-18 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Multi-purpose integrated intensive variable sensor |
| US5965813A (en) * | 1998-07-23 | 1999-10-12 | Industry Technology Research Institute | Integrated flow sensor |
-
1999
- 1999-10-28 DE DE19952055A patent/DE19952055A1/de not_active Ceased
-
2000
- 2000-10-25 JP JP2000325438A patent/JP2001141541A/ja active Pending
- 2000-10-30 US US09/699,704 patent/US6820481B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7363810B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-04-29 | Fujikin Incorporated | Corrosion resistant metal made thermal type mass flow rate sensor and a fluid supply device using the same |
| US7654137B2 (en) | 2004-02-24 | 2010-02-02 | Fujikin Incorporated | Corrosion-resistant metal made sensor for fluid and a fluid supply device for which the sensor is employed |
| JP2010223746A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 熱式空気流量センサ |
| JP2011197013A (ja) * | 2011-06-28 | 2011-10-06 | Denso Corp | センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19952055A1 (de) | 2001-05-17 |
| US6820481B1 (en) | 2004-11-23 |
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