JP2001135836A - 薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュール - Google Patents
薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュールInfo
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- JP2001135836A JP2001135836A JP31240099A JP31240099A JP2001135836A JP 2001135836 A JP2001135836 A JP 2001135836A JP 31240099 A JP31240099 A JP 31240099A JP 31240099 A JP31240099 A JP 31240099A JP 2001135836 A JP2001135836 A JP 2001135836A
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は太陽電池モジュールの形成された
薄膜を能率よくスクライブできるようにしたスクライブ
方法を提供することにある。 【解決手段】 基板に形成された薄膜をレーザ光によっ
て所定の幅寸法の帯状にスクライブする薄膜のスクライ
ブ方法において、上記レーザ光を上記基板の所定方向に
沿って相対的に走査させる第１の工程と、上記レーザ光
が上記薄膜の有効領域から外れた位置で上記レーザ光を
上記所定方向と交差する方向へ所定距離だけ相対的に走
査させる第２の工程と、上記レーザ光を上記第１の工程
におけるレーザ光の走査方向と平行かつ逆方向に相対的
に走査させる第３の工程とを連続して行うことを特徴と
する。
薄膜を能率よくスクライブできるようにしたスクライブ
方法を提供することにある。 【解決手段】 基板に形成された薄膜をレーザ光によっ
て所定の幅寸法の帯状にスクライブする薄膜のスクライ
ブ方法において、上記レーザ光を上記基板の所定方向に
沿って相対的に走査させる第１の工程と、上記レーザ光
が上記薄膜の有効領域から外れた位置で上記レーザ光を
上記所定方向と交差する方向へ所定距離だけ相対的に走
査させる第２の工程と、上記レーザ光を上記第１の工程
におけるレーザ光の走査方向と平行かつ逆方向に相対的
に走査させる第３の工程とを連続して行うことを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は基板に形成された
薄膜をレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライ
ブするスクライブ方法、その装置及びスクライブされた
薄膜を備えた太陽電池モジュールに関する。
薄膜をレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライ
ブするスクライブ方法、その装置及びスクライブされた
薄膜を備えた太陽電池モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池モジュールは、図４に示すよう
にガラス製の基板１にＳＩＯ２膜２を設け、このＳＩＯ
２膜２に薄膜としての透明導電膜３、半導体層４及び裏
面電極層５が順次積層形成される。
にガラス製の基板１にＳＩＯ２膜２を設け、このＳＩＯ
２膜２に薄膜としての透明導電膜３、半導体層４及び裏
面電極層５が順次積層形成される。
【０００３】透明導電膜３、半導体層４及び裏面電極層
５はそれぞれレーザ光によって帯状にスクライブされ
る。つまり、透明導電膜３は第１の分断溝６によって帯
状に分断され、半導体層４は第２の分断溝７によって帯
状に分断される。さらに、半導体層４と裏面電極層５と
は第３の分断溝８によって分断される。
５はそれぞれレーザ光によって帯状にスクライブされ
る。つまり、透明導電膜３は第１の分断溝６によって帯
状に分断され、半導体層４は第２の分断溝７によって帯
状に分断される。さらに、半導体層４と裏面電極層５と
は第３の分断溝８によって分断される。
【０００４】それによって、上記基板１には透明導電膜
３と裏面電極層５とによって電気的に直列に接続された
複数のセル９が形成される。なお、図示しないがセル９
は封止部材によって液密に封止される。
３と裏面電極層５とによって電気的に直列に接続された
複数のセル９が形成される。なお、図示しないがセル９
は封止部材によって液密に封止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、上記透明導電
膜、半導体層及び裏面電極層などの薄膜をレーザ光によ
ってスクライブする場合、レーザ光を基板の所定方向に
沿って走査させて１本の分断溝を形成したならば、たと
えばシャッタなどによってレーザ光の照射を停止する。
そして、基板を上記所定方向と直交する方向へ所定寸法
移動させた後、上記シャッタを開放してレーザ光を上記
所定方向と逆方向へ走査することで、上記薄膜を所定の
幅寸法の帯状に分断するということが行われていた。
膜、半導体層及び裏面電極層などの薄膜をレーザ光によ
ってスクライブする場合、レーザ光を基板の所定方向に
沿って走査させて１本の分断溝を形成したならば、たと
えばシャッタなどによってレーザ光の照射を停止する。
そして、基板を上記所定方向と直交する方向へ所定寸法
移動させた後、上記シャッタを開放してレーザ光を上記
所定方向と逆方向へ走査することで、上記薄膜を所定の
幅寸法の帯状に分断するということが行われていた。
【０００６】しかしながら、従来のスクライブ方法は、
上述したように、１本の分断溝をスクライブしたなら
ば、次の分断溝をスクライブするまでの間、シャッタを
閉じてレーザ光の照射を遮断している。
上述したように、１本の分断溝をスクライブしたなら
ば、次の分断溝をスクライブするまでの間、シャッタを
閉じてレーザ光の照射を遮断している。
【０００７】そのため、その遮断、つまりシャッタの開
閉に余計な時間が掛かることになったり、レーザ光の走
査が一時的に停止することになるから、これらのことに
よって生産性の低下を招くということがあった。
閉に余計な時間が掛かることになったり、レーザ光の走
査が一時的に停止することになるから、これらのことに
よって生産性の低下を招くということがあった。
【０００８】この発明は、レーザ光の走査を停止させず
に薄膜をスクライブすることで、生産性の向上を図るこ
とができるようにした薄膜のスクライブ方法、その装置
及び太陽電池モジュールを提供することにある。
に薄膜をスクライブすることで、生産性の向上を図るこ
とができるようにした薄膜のスクライブ方法、その装置
及び太陽電池モジュールを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に形成された薄膜をレーザ光によって所定の幅寸法の帯
状にスクライブする薄膜のスクライブ方法において、上
記レーザ光を上記基板の所定方向に沿って相対的に走査
させる第１の工程と、上記レーザ光が上記薄膜の有効領
域から外れた位置で上記レーザ光を上記所定方向と交差
する方向へ所定距離だけ相対的に走査させる第２の工程
と、上記レーザ光を上記第１の工程におけるレーザ光の
走査方向と平行かつ逆方向に相対的に走査させる第３の
工程とを連続して行うことを特徴とする薄膜のスクライ
ブ方法にある。
に形成された薄膜をレーザ光によって所定の幅寸法の帯
状にスクライブする薄膜のスクライブ方法において、上
記レーザ光を上記基板の所定方向に沿って相対的に走査
させる第１の工程と、上記レーザ光が上記薄膜の有効領
域から外れた位置で上記レーザ光を上記所定方向と交差
する方向へ所定距離だけ相対的に走査させる第２の工程
と、上記レーザ光を上記第１の工程におけるレーザ光の
走査方向と平行かつ逆方向に相対的に走査させる第３の
工程とを連続して行うことを特徴とする薄膜のスクライ
ブ方法にある。
【００１０】請求項２の発明は、基板に形成された薄膜
をレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライブす
る薄膜のスクライブ装置において、上記基板が載置され
るテーブルと、上記薄膜をスクライブするレーザ光を出
力するレーザ発振器と、上記レーザ光を上記基板上で相
対的に走査させる駆動手段と、この駆動手段の駆動を制
御し上記レーザ光が上記薄膜を所定の幅寸法の帯状にス
クライブするよう一筆書きの要領で相対的に走査させる
制御手段とを具備したことを特徴とする薄膜のスクライ
ブ装置にある。
をレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライブす
る薄膜のスクライブ装置において、上記基板が載置され
るテーブルと、上記薄膜をスクライブするレーザ光を出
力するレーザ発振器と、上記レーザ光を上記基板上で相
対的に走査させる駆動手段と、この駆動手段の駆動を制
御し上記レーザ光が上記薄膜を所定の幅寸法の帯状にス
クライブするよう一筆書きの要領で相対的に走査させる
制御手段とを具備したことを特徴とする薄膜のスクライ
ブ装置にある。
【００１１】請求項３の発明は、基板に形成された薄膜
がレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライブさ
れた太陽電池モジュールにおいて、上記レーザ光を上記
基板の所定方向に沿って相対的に走査させる第１の工程
と、上記レーザ光が上記薄膜の有効領域から外れた位置
で上記レーザ光を上記所定方向と交差する方向へ所定距
離だけ相対的に走査させる第２の工程と、上記レーザ光
を上記第１の工程におけるレーザ光の走査方向と平行か
つ逆方向に相対的に走査させる第３の工程とを連続して
行うことで製造されることを特徴とする太陽電池モジュ
ールにある。
がレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライブさ
れた太陽電池モジュールにおいて、上記レーザ光を上記
基板の所定方向に沿って相対的に走査させる第１の工程
と、上記レーザ光が上記薄膜の有効領域から外れた位置
で上記レーザ光を上記所定方向と交差する方向へ所定距
離だけ相対的に走査させる第２の工程と、上記レーザ光
を上記第１の工程におけるレーザ光の走査方向と平行か
つ逆方向に相対的に走査させる第３の工程とを連続して
行うことで製造されることを特徴とする太陽電池モジュ
ールにある。
【００１２】請求項１乃至請求項３の発明によれば、基
板に対してレーザ光を一筆書きの要領で連続的に走査さ
せることができるため、基板に形成された薄膜を能率よ
くスクライブすることが可能となる。
板に対してレーザ光を一筆書きの要領で連続的に走査さ
せることができるため、基板に形成された薄膜を能率よ
くスクライブすることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１４】図１と図２はこの発明の一実施の形態を示
す。図１はスクライブ装置の概略的構成を示し、このス
クライブ装置はレーザ発振器１１を備えている。このレ
ーザ発振器１１から出力されたレーザ光１２は反射鏡１
３で反射して光路が変換されるようになっている。
す。図１はスクライブ装置の概略的構成を示し、このス
クライブ装置はレーザ発振器１１を備えている。このレ
ーザ発振器１１から出力されたレーザ光１２は反射鏡１
３で反射して光路が変換されるようになっている。
【００１５】光路が変換されたレーザ光１２の進行方向
にはＸＹ駆動装置１４が配設されている。このＸＹ駆動
装置１４は、ベース１５を有し、このベース１５上には
Ｘ駆動源１６によってＸ方向に駆動されるＸテーブル１
７及びこのＸテーブル１７上にＹ駆動源１８によってＸ
方向と直交するＹ方向に駆動されるＹテーブル１９が配
置されている。
にはＸＹ駆動装置１４が配設されている。このＸＹ駆動
装置１４は、ベース１５を有し、このベース１５上には
Ｘ駆動源１６によってＸ方向に駆動されるＸテーブル１
７及びこのＸテーブル１７上にＹ駆動源１８によってＸ
方向と直交するＹ方向に駆動されるＹテーブル１９が配
置されている。
【００１６】上記各駆動源１６，１８は制御装置２１に
よって予め設定されたプログラムに基づいて駆動が制御
されるようになっている。つまり、上記Ｙテーブル１９
はベース１５上でＸ方向とＹ方向とに駆動されることに
なる。
よって予め設定されたプログラムに基づいて駆動が制御
されるようになっている。つまり、上記Ｙテーブル１９
はベース１５上でＸ方向とＹ方向とに駆動されることに
なる。
【００１７】上記Ｙテーブル１９上には太陽電池モジュ
ールのガラス製の基板１が載置される。この基板１に
は、たとえば図４に示すＳＩＯ２膜２上に透明導電膜３
だけが全面にわたって形成されていて、この透明導電膜
３がレーザ光１２によって以下のような手順でスクライ
ブされる。
ールのガラス製の基板１が載置される。この基板１に
は、たとえば図４に示すＳＩＯ２膜２上に透明導電膜３
だけが全面にわたって形成されていて、この透明導電膜
３がレーザ光１２によって以下のような手順でスクライ
ブされる。
【００１８】なお、基板１に形成された透明導電膜３
は、図２に示すようにセルとして利用される有効領域３
ａと、この有効領域３ａの周辺部のマージン領域３ｂと
に分けられる。また、基板１を照射するレーザ光１２
は、図示しないレンズによって集束され、このレンズの
ほぼ焦点位置に上記透明導電膜３が位置するよう高さ方
向の位置決め行われる。
は、図２に示すようにセルとして利用される有効領域３
ａと、この有効領域３ａの周辺部のマージン領域３ｂと
に分けられる。また、基板１を照射するレーザ光１２
は、図示しないレンズによって集束され、このレンズの
ほぼ焦点位置に上記透明導電膜３が位置するよう高さ方
向の位置決め行われる。
【００１９】まず、基板１を透明導電膜３が形成された
面を上にして上記Ｙテーブル１９上に載置する。次に、
レーザ発振器１１から出力されるレーザ光１２の照射位
置が図２にＡで示す透明導電膜３の幅方向一端で、しか
も長手方向一端の上記マージン領域３ｂの一側よりもわ
ずかに内側になるようＹテーブル１９を位置決めする。
つまり、レーザ光１２をスクライブのスタート点Ａに位
置決めする。
面を上にして上記Ｙテーブル１９上に載置する。次に、
レーザ発振器１１から出力されるレーザ光１２の照射位
置が図２にＡで示す透明導電膜３の幅方向一端で、しか
も長手方向一端の上記マージン領域３ｂの一側よりもわ
ずかに内側になるようＹテーブル１９を位置決めする。
つまり、レーザ光１２をスクライブのスタート点Ａに位
置決めする。
【００２０】次に、Ｘ駆動源１６を作動させてＸテーブ
ル１７を駆動し、レーザ光１２を有効領域３ａの長手方
向に沿って走査させ、その有効領域３ａを第１のスクラ
イブ線３１によってスクライブする。レーザ光１２が基
板１の長手方向他端のマージン領域３ｂのＢ点に達した
ならば、レーザ光１２の照射を停止することなくＹテー
ブル１７をＹ方向へ所定寸法Ｐ駆動し、レーザ光１２に
よる照射位置をＣ点に移動させる。それによって、透明
導電膜３のマージン領域３ｂには第２のスクライブ線３
２によってＹ方向に沿うスクライブが行われる。
ル１７を駆動し、レーザ光１２を有効領域３ａの長手方
向に沿って走査させ、その有効領域３ａを第１のスクラ
イブ線３１によってスクライブする。レーザ光１２が基
板１の長手方向他端のマージン領域３ｂのＢ点に達した
ならば、レーザ光１２の照射を停止することなくＹテー
ブル１７をＹ方向へ所定寸法Ｐ駆動し、レーザ光１２に
よる照射位置をＣ点に移動させる。それによって、透明
導電膜３のマージン領域３ｂには第２のスクライブ線３
２によってＹ方向に沿うスクライブが行われる。
【００２１】このＹテーブル１７のＹ方向への駆動に連
続してＸ駆動源１６によりＸテーブル１７を先程とは逆
のＸ方向へ駆動する。それによって、レーザ光１２は基
板１の長手方向に沿って走査されるから、基板１の透明
導電膜３には上記第１のスクライブ線３１と平行な第２
のスクライブ線３３によって長手方向に沿うスクライブ
が行われる。
続してＸ駆動源１６によりＸテーブル１７を先程とは逆
のＸ方向へ駆動する。それによって、レーザ光１２は基
板１の長手方向に沿って走査されるから、基板１の透明
導電膜３には上記第１のスクライブ線３１と平行な第２
のスクライブ線３３によって長手方向に沿うスクライブ
が行われる。
【００２２】レーザ光１２が基板１の長手方向一端のマ
ージン領域３ｂのＤ点に到達したならば、Ｙテーブル１
９をＹ方向へ所定寸法Ｐ駆動し、レーザ光１２の照射位
置をＥ点へ移動する。それによって、マージン領域３ｂ
にはＹ方向に沿う第４のスクライブ線３４が形成され
る。
ージン領域３ｂのＤ点に到達したならば、Ｙテーブル１
９をＹ方向へ所定寸法Ｐ駆動し、レーザ光１２の照射位
置をＥ点へ移動する。それによって、マージン領域３ｂ
にはＹ方向に沿う第４のスクライブ線３４が形成され
る。
【００２３】上記第４のスクライブ線３４のスクライブ
と連続してＸテーブル１７をＸ方向へ駆動し、透明導電
膜３をスクライブすることで、上記第１、第３のスクラ
イブ線３１，３３と平行な第５のスクライブ線３５が形
成されることになる。
と連続してＸテーブル１７をＸ方向へ駆動し、透明導電
膜３をスクライブすることで、上記第１、第３のスクラ
イブ線３１，３３と平行な第５のスクライブ線３５が形
成されることになる。
【００２４】以下、同様にレーザ光１２の走査を繰り返
すことで、透明導電膜３を基板１の幅方向に沿って所定
の幅寸法Ｐの帯状にスクライブすることができる。
すことで、透明導電膜３を基板１の幅方向に沿って所定
の幅寸法Ｐの帯状にスクライブすることができる。
【００２５】すなわち、レーザ光１２の照射を途中で中
断することなく、レーザ光１２を透明導電膜３上で一筆
書きの要領で連続して走査させることで、上記透明導電
膜３を所定の幅寸法の帯状にスクライブするようにし
た。そのため、レーザ光１２の中断によるロス時間の発
生を招くことがなくなるから、生産性の向上を図ること
ができる。
断することなく、レーザ光１２を透明導電膜３上で一筆
書きの要領で連続して走査させることで、上記透明導電
膜３を所定の幅寸法の帯状にスクライブするようにし
た。そのため、レーザ光１２の中断によるロス時間の発
生を招くことがなくなるから、生産性の向上を図ること
ができる。
【００２６】とくに、太陽電池モジュールの場合、レー
ザ光１２による薄膜のスクライブは、透明導電膜３だけ
でなく、半導体層４や裏面電極層５にも行うばかりか、
太陽電池モジュールが大型の場合には形成されるセルの
数も多くなる。そのため、レーザ光１２による薄膜のス
クライブの能率向上は、太陽電池モジュールの生産性向
上に大きく寄与することになる。
ザ光１２による薄膜のスクライブは、透明導電膜３だけ
でなく、半導体層４や裏面電極層５にも行うばかりか、
太陽電池モジュールが大型の場合には形成されるセルの
数も多くなる。そのため、レーザ光１２による薄膜のス
クライブの能率向上は、太陽電池モジュールの生産性向
上に大きく寄与することになる。
【００２７】上記一実施の形態ではレーザ光１２の走査
方向の変換を透明導電膜３のマージン領域３ｂで行うよ
うにしたが、マージン領域３ｂが少ない場合などにはレ
ーザ光１２の走査方向の変換を図３に示すように基板１
の長手方向両端から外れた位置で行うようにしてもよ
い。
方向の変換を透明導電膜３のマージン領域３ｂで行うよ
うにしたが、マージン領域３ｂが少ない場合などにはレ
ーザ光１２の走査方向の変換を図３に示すように基板１
の長手方向両端から外れた位置で行うようにしてもよ
い。
【００２８】なお、この実施の形態において、上記一実
施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略す
る。
施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略す
る。
【００２９】また、上記一実施の形態では透明導電膜を
スクライブする場合について説明したが、この透明導電
膜上に形成される半導体層及び裏面電極層の場合も同様
なスクライブを行えばよい。なお、裏面電極層をスクラ
イブする場合、通常は基板の裏面電極層が形成された面
と逆の面側からレーザ光を照射してスクライブが行われ
るが、そのような場合もこの発明の範囲に含まれる。
スクライブする場合について説明したが、この透明導電
膜上に形成される半導体層及び裏面電極層の場合も同様
なスクライブを行えばよい。なお、裏面電極層をスクラ
イブする場合、通常は基板の裏面電極層が形成された面
と逆の面側からレーザ光を照射してスクライブが行われ
るが、そのような場合もこの発明の範囲に含まれる。
【００３０】さらに、レーザ光の走査は、基板をＸＹ駆
動装置によって駆動する代わりに、レーザ発振器をＸＹ
方向に駆動して行うようにしてもよい。
動装置によって駆動する代わりに、レーザ発振器をＸＹ
方向に駆動して行うようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項３の
発明によれば、基板に形成された薄膜をレーザ光によっ
てスクライブする場合、このレーザ光を一筆書きの要領
で連続して走査させるようにした。
発明によれば、基板に形成された薄膜をレーザ光によっ
てスクライブする場合、このレーザ光を一筆書きの要領
で連続して走査させるようにした。
【００３２】そのため、たとえばレーザ光の照射をスク
ライブの折り返し点で中断する場合に比べて生産性の向
上を図ることができる。
ライブの折り返し点で中断する場合に比べて生産性の向
上を図ることができる。
【図１】この発明の一実施の形態を示すスクライブ装置
の概略的構成図。
の概略的構成図。
【図２】同じく基板を走査するレーザ光の軌跡を示した
説明図。
説明図。
【図３】この発明の他の実施の形態を示す基板を走査す
るレーザ光の軌跡を示した説明図。
るレーザ光の軌跡を示した説明図。
【図４】一般的な太陽電池モジュールの構成の一部を示
す断面図。
す断面図。
１…基板 ３…透明導電膜（薄膜） ４…半導体層（薄膜） ５…裏面電極（薄膜） １１…レーザ発振器 １２…レーザ光 １６…Ｘ駆動源（駆動手段） １８…Ｙ駆動源（駆動手段９） ２１…制御装置（制御手段）
Claims (3)
- 【請求項１】 基板に形成された薄膜をレーザ光によっ
て所定の幅寸法の帯状にスクライブする薄膜のスクライ
ブ方法において、 上記レーザ光を上記基板の所定方向に沿って相対的に走
査させる第１の工程と、 上記レーザ光が上記薄膜の有効領域から外れた位置で上
記レーザ光を上記所定方向と交差する方向へ所定距離だ
け相対的に走査させる第２の工程と、 上記レーザ光を上記第１の工程におけるレーザ光の走査
方向と平行かつ逆方向に相対的に走査させる第３の工程
とを連続して行うことを特徴とする薄膜のスクライブ方
法。 - 【請求項２】 基板に形成された薄膜をレーザ光によっ
て所定の幅寸法の帯状にスクライブする薄膜のスクライ
ブ装置において、 上記基板が載置されるテーブルと、 上記薄膜をスクライブするレーザ光を出力するレーザ発
振器と、 上記レーザ光を上記基板上で相対的に走査させる駆動手
段と、 この駆動手段の駆動を制御し上記レーザ光が上記薄膜を
所定の幅寸法の帯状にスクライブするよう一筆書きの要
領で相対的に走査させる制御手段とを具備したことを特
徴とする薄膜のスクライブ装置。 - 【請求項３】 基板に形成された薄膜がレーザ光によっ
て所定の幅寸法の帯状にスクライブされた太陽電池モジ
ュールにおいて、 上記レーザ光を上記基板の所定方向に沿って相対的に走
査させる第１の工程と、 上記レーザ光が上記薄膜の有効領域から外れた位置で上
記レーザ光を上記所定方向と交差する方向へ所定距離だ
け相対的に走査させる第２の工程と、 上記レーザ光を上記第１の工程におけるレーザ光の走査
方向と平行かつ逆方向に相対的に走査させる第３の工程
とを連続して行うことで製造されることを特徴とする太
陽電池モジュール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31240099A JP2001135836A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュール |
| US09/525,494 US6455347B1 (en) | 1999-06-14 | 2000-03-15 | Method of fabricating thin-film photovoltaic module |
| AU22333/00A AU766727B2 (en) | 1999-06-14 | 2000-03-15 | Method of fabricating thin-film photovoltaic module |
| EP00105304A EP1061589A3 (en) | 1999-06-14 | 2000-03-15 | Method of fabricating thin-film photovoltaic module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31240099A JP2001135836A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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