JP2001134936A - マスター情報担体およびその製造方法 - Google Patents
マスター情報担体およびその製造方法Info
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/86—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
- G11B5/865—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers by contact "printing"
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/82—Disk carriers
Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスター情報担体を用いた磁気ディスクへの
プリフォーマット記録において、内周側まで高密度にプ
リフォーマット信号を磁気転写でき、同時にゾーンテク
スチャを備えた磁気ディスクを安定して得ることが可能
なマスター情報担体を提供する。 【解決手段】 マスター情報担体１の転写情報信号の記
録領域２よりも内周側にゾーンテクスチャに対応する微
細な凹凸８を形成する。アルミ基板を用いた磁気ディス
クへの転写の際、マスター情報担体を押し当てることに
より、情報信号の転写と同時にゾーンテクスチャを磁気
ディスクに形成することができる。
プリフォーマット記録において、内周側まで高密度にプ
リフォーマット信号を磁気転写でき、同時にゾーンテク
スチャを備えた磁気ディスクを安定して得ることが可能
なマスター情報担体を提供する。 【解決手段】 マスター情報担体１の転写情報信号の記
録領域２よりも内周側にゾーンテクスチャに対応する微
細な凹凸８を形成する。アルミ基板を用いた磁気ディス
クへの転写の際、マスター情報担体を押し当てることに
より、情報信号の転写と同時にゾーンテクスチャを磁気
ディスクに形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大容量、高記録密
度の磁気記録再生装置に使用される磁気記録媒体へ情報
信号を記録するための、情報信号を備えたマスター情報
担体及びその製造方法に関する。
度の磁気記録再生装置に使用される磁気記録媒体へ情報
信号を記録するための、情報信号を備えたマスター情報
担体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ
大容量を実現するために、高記録密度化の傾向にある。
代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライ
ブの分野においては、すでに面記録密度が１０Gbit/in2
を超える装置が商品化されている。数年後には、１００
Gbit/in2の実用化が議論されるほどの急激な技術進歩が
認められる。
大容量を実現するために、高記録密度化の傾向にある。
代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライ
ブの分野においては、すでに面記録密度が１０Gbit/in2
を超える装置が商品化されている。数年後には、１００
Gbit/in2の実用化が議論されるほどの急激な技術進歩が
認められる。
【０００３】このような高記録密度化の実現のために
は、媒体性能、ヘッド・ディスクインターフェース性能
の向上や新規な信号処理方式の出現による線記録密度の
向上も大きな要因である。しかし、近年、トラック密度
の増加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面
記録密度向上のための主たる要因となっている。今後さ
らに面記録密度の向上が図られるとき、トラックピッチ
がサブミクロン領域に達するものと予想されている。
は、媒体性能、ヘッド・ディスクインターフェース性能
の向上や新規な信号処理方式の出現による線記録密度の
向上も大きな要因である。しかし、近年、トラック密度
の増加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面
記録密度向上のための主たる要因となっている。今後さ
らに面記録密度の向上が図られるとき、トラックピッチ
がサブミクロン領域に達するものと予想されている。
【０００４】現在のハードディスクドライブでは、ディ
スクの１周、すなわち角度にして360度中において、一
定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号やアドレス情
報信号、再生クロック信号等が記録された領域を設けて
いる（以下、このような信号を「プリフォーマット信
号」と称し、これを記録することを「プリフォーマット
記録」と称する）。トラック密度の増加により、トラッ
ク数が多くなるとプリフォーマットに要する時間は飛躍
的に長くなり、専用のサーボ記録装置が相当に高価であ
ることにも起因して、非常にコスト高となる。
スクの１周、すなわち角度にして360度中において、一
定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号やアドレス情
報信号、再生クロック信号等が記録された領域を設けて
いる（以下、このような信号を「プリフォーマット信
号」と称し、これを記録することを「プリフォーマット
記録」と称する）。トラック密度の増加により、トラッ
ク数が多くなるとプリフォーマットに要する時間は飛躍
的に長くなり、専用のサーボ記録装置が相当に高価であ
ることにも起因して、非常にコスト高となる。
【０００５】この対策として、ディスク面全面に一括し
てプリフォーマット信号を記録する技術が開発されてい
る。たとえば、特開平１０−４０５４４号公報にある磁
気転写技術が有効である。
てプリフォーマット信号を記録する技術が開発されてい
る。たとえば、特開平１０−４０５４４号公報にある磁
気転写技術が有効である。
【０００６】このマスター情報担体を用いたプリフォー
マット記録について簡単に説明する。
マット記録について簡単に説明する。
【０００７】一方向に磁化されたマスター情報担体表面
に形成した磁性薄膜より発生する記録磁界により、磁化
パターンが磁気ディスクに記録される。この様子を図８
に示している。図８（ａ）はマスター情報担体を用いた
プリフォーマット記録を説明するためのトラック周方向
に沿った模式的断面図、図８（ｂ）はプリフォーマット
記録後の磁気ディスクの磁化状態を模式的に示してお
り、図８（ａ）の矢印Ａ−Ａ方向から見た平面図として
記載している。図８（ａ）に示すように、トラッキング
用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等
のプリフォーマット信号に対応して基体表面を所定の形
状パターンに加工し、そこに磁性薄膜２を形成してマス
ター情報担体１を得る。マスター情報担体１の磁性薄膜
２の形成面と磁気ディスク３の表面とを接触させて、外
部磁界を付与して形成された磁性薄膜２の磁化４によ
り、磁気ディスク３に記録磁界５が発生する。その後、
マスター情報担体１と磁気ディスク３とを分離すると、
図８（ｂ）に示すように、記録磁界５に対応する残留磁
化６が磁気ディスク３に残り、プリフォーマット記録さ
れる。
に形成した磁性薄膜より発生する記録磁界により、磁化
パターンが磁気ディスクに記録される。この様子を図８
に示している。図８（ａ）はマスター情報担体を用いた
プリフォーマット記録を説明するためのトラック周方向
に沿った模式的断面図、図８（ｂ）はプリフォーマット
記録後の磁気ディスクの磁化状態を模式的に示してお
り、図８（ａ）の矢印Ａ−Ａ方向から見た平面図として
記載している。図８（ａ）に示すように、トラッキング
用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等
のプリフォーマット信号に対応して基体表面を所定の形
状パターンに加工し、そこに磁性薄膜２を形成してマス
ター情報担体１を得る。マスター情報担体１の磁性薄膜
２の形成面と磁気ディスク３の表面とを接触させて、外
部磁界を付与して形成された磁性薄膜２の磁化４によ
り、磁気ディスク３に記録磁界５が発生する。その後、
マスター情報担体１と磁気ディスク３とを分離すると、
図８（ｂ）に示すように、記録磁界５に対応する残留磁
化６が磁気ディスク３に残り、プリフォーマット記録さ
れる。
【０００８】これによれば、プリフォーマット信号に対
応した形状パターンを有する磁性薄膜を配したマスター
情報担体を磁気ディスクに密着させ、外部磁界を与える
ことで全面に一括でプリフォーマット信号を転写するこ
とが可能となる。
応した形状パターンを有する磁性薄膜を配したマスター
情報担体を磁気ディスクに密着させ、外部磁界を与える
ことで全面に一括でプリフォーマット信号を転写するこ
とが可能となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１０Gb
it/in2オーダー以上の面記録密度におけるプリフォーマ
ット記録を実現する上で、マスター情報担体と磁気ディ
スクとの接触技術は非常に重要となってくる。
it/in2オーダー以上の面記録密度におけるプリフォーマ
ット記録を実現する上で、マスター情報担体と磁気ディ
スクとの接触技術は非常に重要となってくる。
【００１０】特に、ディスクの内周側のトラックでは線
記録密度が高くなるためマスター情報担体と磁気ディス
クとの接触が不十分であれば重要な欠陥の原因となる。
記録密度が高くなるためマスター情報担体と磁気ディス
クとの接触が不十分であれば重要な欠陥の原因となる。
【００１１】通常、ハードディスクでは、ディスクの回
転停止時に、ヘッドはディスク内周側に形成された凹凸
形成領域（「ゾーンテクスチャ」と呼ばれる）上で停止
する。ヘッドがこの凹凸形成領域上で停止することによ
り、ヘッドとディスクとの吸着が防止されている。
転停止時に、ヘッドはディスク内周側に形成された凹凸
形成領域（「ゾーンテクスチャ」と呼ばれる）上で停止
する。ヘッドがこの凹凸形成領域上で停止することによ
り、ヘッドとディスクとの吸着が防止されている。
【００１２】図９は、ゾーンテクスチャが形成された磁
気ディスクに、マスター情報担体を用いてプリフォーマ
ット記録（磁気転写）を行なっている状態を模式的に示
した断面図である。図９に示すように、ゾーンテクスチ
ャ７のためにマスター情報担体１と磁気ディスク３との
スペーシングが大きくなり、磁気転写が不完全となる。
これは、記録密度が高いほど、またゾーンテクスチャ７
に近い内周トラックほど顕著となる。
気ディスクに、マスター情報担体を用いてプリフォーマ
ット記録（磁気転写）を行なっている状態を模式的に示
した断面図である。図９に示すように、ゾーンテクスチ
ャ７のためにマスター情報担体１と磁気ディスク３との
スペーシングが大きくなり、磁気転写が不完全となる。
これは、記録密度が高いほど、またゾーンテクスチャ７
に近い内周トラックほど顕著となる。
【００１３】磁気転写技術によるプリフォーマット信号
の転写においては、ゾーンテクスチャをなくすことな
く、内周側トラックにおいても完全な信号パターンを転
写することが必要である。
の転写においては、ゾーンテクスチャをなくすことな
く、内周側トラックにおいても完全な信号パターンを転
写することが必要である。
【００１４】本発明は、上記の問題を解決し、内周側ま
で高密度にプリフォーマット信号を磁気転写でき、同時
にゾーンテクスチャを備えた磁気ディスクを安定して得
ることが可能なマスター情報担体とその製造方法を提供
することを目的とする。
で高密度にプリフォーマット信号を磁気転写でき、同時
にゾーンテクスチャを備えた磁気ディスクを安定して得
ることが可能なマスター情報担体とその製造方法を提供
することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために以下の構成とする。
成するために以下の構成とする。
【００１６】本発明に係るマスター情報担体は、磁気デ
ィスクへの転写情報信号に対応する形状パターンを有す
る磁性薄膜が基体表面に配置されたマスター情報担体で
あって、前記磁性薄膜が配置された領域よりも内周側に
微細な凹凸が形成された領域を有することを特徴とす
る。係るマスター情報担体を平坦なアルミ基板を用いた
磁気ディスクに押し当てて磁気転写を実行するのと並行
して、微細な凹凸形状を磁気ディスクに転写することに
よってゾーンテクスチャを形成することが可能となる。
即ち、本発明のマスター情報担体によれば、磁気ディス
ク全面に情報信号を安定的に転写でき、同時に内周側に
ゾーンテクスチャを形成することができる。この結果、
将来の１０Gbit/in2オーダー以上の面記録密度に対応し
たプリフォーマット記録が実現可能となり、かつ磁気デ
ィスク内周部にヘッド・メディアの吸着を防止するため
のゾーンテクスチャも形成できるマスター情報担体を提
供できる。
ィスクへの転写情報信号に対応する形状パターンを有す
る磁性薄膜が基体表面に配置されたマスター情報担体で
あって、前記磁性薄膜が配置された領域よりも内周側に
微細な凹凸が形成された領域を有することを特徴とす
る。係るマスター情報担体を平坦なアルミ基板を用いた
磁気ディスクに押し当てて磁気転写を実行するのと並行
して、微細な凹凸形状を磁気ディスクに転写することに
よってゾーンテクスチャを形成することが可能となる。
即ち、本発明のマスター情報担体によれば、磁気ディス
ク全面に情報信号を安定的に転写でき、同時に内周側に
ゾーンテクスチャを形成することができる。この結果、
将来の１０Gbit/in2オーダー以上の面記録密度に対応し
たプリフォーマット記録が実現可能となり、かつ磁気デ
ィスク内周部にヘッド・メディアの吸着を防止するため
のゾーンテクスチャも形成できるマスター情報担体を提
供できる。
【００１７】また、上記のマスター情報担体の上記凹凸
形成の第１の方法は、基体表面にフォトレジストを塗布
し乾燥する工程と、フォトマスクを用いて所定のパター
ンを露光し現像する工程と、前記現像後の基体表面に金
属化合物の薄膜を成膜する工程と、前記フォトレジスト
を除去する工程とを有することを特徴とする。
形成の第１の方法は、基体表面にフォトレジストを塗布
し乾燥する工程と、フォトマスクを用いて所定のパター
ンを露光し現像する工程と、前記現像後の基体表面に金
属化合物の薄膜を成膜する工程と、前記フォトレジスト
を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】また、上記凹凸形成の第２の方法は、基体
表面にフォトレジストを塗布し乾燥する工程と、フォト
マスクを用いて所定のパターンを露光し現像する工程
と、前記現像後の基体をエッチングする工程と、前記フ
ォトレジストを除去する工程とを有することを特徴とす
る。
表面にフォトレジストを塗布し乾燥する工程と、フォト
マスクを用いて所定のパターンを露光し現像する工程
と、前記現像後の基体をエッチングする工程と、前記フ
ォトレジストを除去する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１９】また、上記凹凸形成の第３の方法は、基体
内周側の前記凹凸を形成しようとする領域全体に金属化
合物をスパッタにより島状に形成することにより前記凹
凸を得ることを特徴とする。
内周側の前記凹凸を形成しようとする領域全体に金属化
合物をスパッタにより島状に形成することにより前記凹
凸を得ることを特徴とする。
【００２０】また、上記凹凸形成の第４の方法は、基体
内周側の前記凹凸を形成しようとする領域に非磁性微粒
子を含む有機塗料を塗布し乾燥する工程と、前記非磁性
微粒子を固定する工程とを有することを特徴とする。
内周側の前記凹凸を形成しようとする領域に非磁性微粒
子を含む有機塗料を塗布し乾燥する工程と、前記非磁性
微粒子を固定する工程とを有することを特徴とする。
【００２１】係る第１〜第４の方法によれば、上記本発
明のマスター情報担体を効率よく容易に製造することが
できる。
明のマスター情報担体を効率よく容易に製造することが
できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）まず、本発明の
マスター情報担体の一構成例を図１に示す。
マスター情報担体の一構成例を図１に示す。
【００２３】マスター情報担体１の基体としてＳｉウエ
ハを用い、その表面の斜線を付した略放射線状の領域内
に、転写すべき情報信号に対応してパターニングされた
磁性薄膜２が形成されている。本実施の形態のマスター
情報担体は、磁性薄膜２が形成された領域より内周側で
あって、回転中心を中心とする半径の異なる２つの同心
円で挟まれた帯状（リング状）の領域８内に、ゾーンテ
クスチャに対応する微細な凹凸が形成されている。
ハを用い、その表面の斜線を付した略放射線状の領域内
に、転写すべき情報信号に対応してパターニングされた
磁性薄膜２が形成されている。本実施の形態のマスター
情報担体は、磁性薄膜２が形成された領域より内周側で
あって、回転中心を中心とする半径の異なる２つの同心
円で挟まれた帯状（リング状）の領域８内に、ゾーンテ
クスチャに対応する微細な凹凸が形成されている。
【００２４】このような本発明によるマスター情報担体
上に設けられた情報を、アルミ基板を用いた磁気ディス
クに転写するときの転写プロセスを図２に示す。
上に設けられた情報を、アルミ基板を用いた磁気ディス
クに転写するときの転写プロセスを図２に示す。
【００２５】まず、本発明によるマスター情報担体１を
ゾーンテクスチャの形成されていない磁気ディスク３に
押し当てて、外部磁界を付与して、磁気ディスク３に情
報信号を転写する（図２（ａ））。
ゾーンテクスチャの形成されていない磁気ディスク３に
押し当てて、外部磁界を付与して、磁気ディスク３に情
報信号を転写する（図２（ａ））。
【００２６】外部磁界を除いた後、マスター情報担体１
を磁気ディスク３から離せば、情報信号が磁気ディスク
３に転写されると同時に、マスター情報担体１の内周側
に形成したゾーンテクスチャに対応する凹凸８が磁気デ
ィスク３に形状転写され、ディスク上にゾーンテクスチ
ャ７が形成される（図２（ｂ））。
を磁気ディスク３から離せば、情報信号が磁気ディスク
３に転写されると同時に、マスター情報担体１の内周側
に形成したゾーンテクスチャに対応する凹凸８が磁気デ
ィスク３に形状転写され、ディスク上にゾーンテクスチ
ャ７が形成される（図２（ｂ））。
【００２７】（実施の形態２）本発明のマスター情報担
体の製造方法の一例を図３を用いて説明する。図３はマ
スター情報担体のゾーンテクスチャ形成部の断面を模式
的に示している。
体の製造方法の一例を図３を用いて説明する。図３はマ
スター情報担体のゾーンテクスチャ形成部の断面を模式
的に示している。
【００２８】周知の方法で予めプリフォーマット情報信
号が形成されたマスター情報担体にゾーンテクスチャに
対応する凹凸を形成する。
号が形成されたマスター情報担体にゾーンテクスチャに
対応する凹凸を形成する。
【００２９】マスター情報担体１の表面に感光性レジス
ト９をスピンコーターにて厚さ約１μｍ塗布し乾燥させ
る（図３（ａ））。
ト９をスピンコーターにて厚さ約１μｍ塗布し乾燥させ
る（図３（ａ））。
【００３０】これをゾーンテクスチャパターンに対応し
たマスクを用い露光し現像して、マスター情報担体上に
レジストパターンを形成する（図３（ｂ））。
たマスクを用い露光し現像して、マスター情報担体上に
レジストパターンを形成する（図３（ｂ））。
【００３１】レジストパターンを形成したマスター情報
担体上に、Ｓｉ3Ｏ4膜１０を約８０ｎｍ形成する（図３
（ｃ））。Ｓｉ3Ｏ4膜１０の作製条件は、たとえば、ス
パッタリング法を用いて、スパッタガス圧（Ａｒ＋
Ｎ2）約５ｍＴｏｒｒ、成膜速度約１０ｎｍ／ｍｉｎで
ある。
担体上に、Ｓｉ3Ｏ4膜１０を約８０ｎｍ形成する（図３
（ｃ））。Ｓｉ3Ｏ4膜１０の作製条件は、たとえば、ス
パッタリング法を用いて、スパッタガス圧（Ａｒ＋
Ｎ2）約５ｍＴｏｒｒ、成膜速度約１０ｎｍ／ｍｉｎで
ある。
【００３２】Ｓｉ3Ｏ4膜を形成した後、これを有機溶剤
中、たとえば、アセトン中で超音波洗浄すると、レジス
トとともにレジスト上に形成されたＳｉ3Ｏ4膜が除去さ
れ、マスター情報担体１上には、レジストの無かった部
分にのみＳｉ3Ｏ4が残る（図３（ｄ））。この残ったＳ
ｉ3Ｏ4がマスター情報担体１上のゾーンテクスチャに対
応する凹凸部８となる。
中、たとえば、アセトン中で超音波洗浄すると、レジス
トとともにレジスト上に形成されたＳｉ3Ｏ4膜が除去さ
れ、マスター情報担体１上には、レジストの無かった部
分にのみＳｉ3Ｏ4が残る（図３（ｄ））。この残ったＳ
ｉ3Ｏ4がマスター情報担体１上のゾーンテクスチャに対
応する凹凸部８となる。
【００３３】このようにして作製したマスター情報担体
１を磁気ディスク３に押し当てて形状転写すれば、ディ
スク３上にゾーンテクスチャ７が形成される（図３
（ｅ））。ディスク３上のゾーンテクスチャ７の形状
は、マスター情報担体３の押し当て圧力やＳｉ3Ｎ4膜の
高さによって左右される。
１を磁気ディスク３に押し当てて形状転写すれば、ディ
スク３上にゾーンテクスチャ７が形成される（図３
（ｅ））。ディスク３上のゾーンテクスチャ７の形状
は、マスター情報担体３の押し当て圧力やＳｉ3Ｎ4膜の
高さによって左右される。
【００３４】上記の例ではマスター情報担体１上のゾー
ンテクスチャに対応する凹凸の形成材料としてＳｉ3Ｏ4
を用いたが、もちろんこれに限定されずＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等の金属酸化物でもよいし、
ＡｌＮ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＮｂＮ等の金属窒化物やＳｉ
Ｃ等の金属炭化物でもよい。
ンテクスチャに対応する凹凸の形成材料としてＳｉ3Ｏ4
を用いたが、もちろんこれに限定されずＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等の金属酸化物でもよいし、
ＡｌＮ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＮｂＮ等の金属窒化物やＳｉ
Ｃ等の金属炭化物でもよい。
【００３５】（実施の形態３）本発明のマスター情報担
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図４を用いて説明する。図４は
マスター情報担体１のゾーンテクスチャ形成部の断面を
模式的に示している。
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図４を用いて説明する。図４は
マスター情報担体１のゾーンテクスチャ形成部の断面を
模式的に示している。
【００３６】マスター情報担体１の表面に感光性レジス
ト９をスピンコーターにて厚さ約１μｍ塗布し乾燥させ
る（図４（ａ））。
ト９をスピンコーターにて厚さ約１μｍ塗布し乾燥させ
る（図４（ａ））。
【００３７】これをゾーンテクスチャパターンに対応し
たマスクを用い露光し現像して、マスター情報担体１上
にレジストパターンを形成する（図４（ｂ））。
たマスクを用い露光し現像して、マスター情報担体１上
にレジストパターンを形成する（図４（ｂ））。
【００３８】レジストパターンを形成したマスター情報
担体１の表面を、イオンミリング装置を用いてエッチン
グする。このエッチングプロセスにより、レジストを除
去した部分においてはマスター情報担体１の表面がエッ
チングされる（図４（ｃ））。
担体１の表面を、イオンミリング装置を用いてエッチン
グする。このエッチングプロセスにより、レジストを除
去した部分においてはマスター情報担体１の表面がエッ
チングされる（図４（ｃ））。
【００３９】その後、剥離液などでレジスト９を除去す
れば、マスター情報担体１上にゾーンテクスチャに対応
する凹凸部８が形成される（図４（ｄ））。
れば、マスター情報担体１上にゾーンテクスチャに対応
する凹凸部８が形成される（図４（ｄ））。
【００４０】このようにして作製したマスター情報担体
１を磁気ディスク３に押し当てて形状転写すれば、ディ
スク３上にゾーンテクスチャ７が形成される（図４
（ｅ））。ディスク３上のゾーンテクスチャ７の形状
は、マスター情報担体１の押し当て圧力やエッチング深
さによって左右される。
１を磁気ディスク３に押し当てて形状転写すれば、ディ
スク３上にゾーンテクスチャ７が形成される（図４
（ｅ））。ディスク３上のゾーンテクスチャ７の形状
は、マスター情報担体１の押し当て圧力やエッチング深
さによって左右される。
【００４１】上記の例ではマスター情報担体１の表面の
エッチング方法として、イオンミリングによるエッチン
グを示したが、反応型イオンエッチング（ＲＩＥ）であ
っても、ケミカルエッチングであっても何ら問題はな
い。
エッチング方法として、イオンミリングによるエッチン
グを示したが、反応型イオンエッチング（ＲＩＥ）であ
っても、ケミカルエッチングであっても何ら問題はな
い。
【００４２】（実施の形態４）本発明のマスター情報担
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図５を用いて説明する。図５は
マスター情報担体のゾーンテクスチャ形成部の断面を模
式的に示している。
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図５を用いて説明する。図５は
マスター情報担体のゾーンテクスチャ形成部の断面を模
式的に示している。
【００４３】マスター情報担体１の表面に感光性レジス
ト９をスピンコーターにて厚さ約１μｍ塗布し乾燥させ
る（図５（ａ））。
ト９をスピンコーターにて厚さ約１μｍ塗布し乾燥させ
る（図５（ａ））。
【００４４】これを所定のパターンに対応したマスクを
用い露光し現像して、マスター情報担体１上にレジスト
パターンを形成する（図５（ｂ））。
用い露光し現像して、マスター情報担体１上にレジスト
パターンを形成する（図５（ｂ））。
【００４５】レジストパターンを形成したマスター情報
担体１の表面を、イオンミリング装置を用いてエッチン
グする。このエッチングプロセスにより、レジストを除
去した部分においてはマスター情報担体１の表面がエッ
チングされる（図５（ｃ））。
担体１の表面を、イオンミリング装置を用いてエッチン
グする。このエッチングプロセスにより、レジストを除
去した部分においてはマスター情報担体１の表面がエッ
チングされる（図５（ｃ））。
【００４６】その後、剥離液などでレジスト９を除去
し、再度スピンコーターでレジスト９を塗布し、別のパ
ターンで露光し現像する（図５（ｄ））。
し、再度スピンコーターでレジスト９を塗布し、別のパ
ターンで露光し現像する（図５（ｄ））。
【００４７】その後、実施の形態２と同様にスパッタ装
置でＳｉ3Ｏ4膜１０を成膜した後、剥離液でレジストを
除去する。レジストとともにレジスト上に形成されたＳ
ｉ3Ｏ4膜が除去され、マスター情報担体１上には、レジ
ストの無かった部分にのみＳｉ3Ｏ4が残る。この残った
Ｓｉ3Ｏ4がマスター情報担体１上のゾーンテクスチャに
対応する凹凸８となる。（図５（ｅ））。
置でＳｉ3Ｏ4膜１０を成膜した後、剥離液でレジストを
除去する。レジストとともにレジスト上に形成されたＳ
ｉ3Ｏ4膜が除去され、マスター情報担体１上には、レジ
ストの無かった部分にのみＳｉ3Ｏ4が残る。この残った
Ｓｉ3Ｏ4がマスター情報担体１上のゾーンテクスチャに
対応する凹凸８となる。（図５（ｅ））。
【００４８】このようにして作製したマスター情報担体
１を磁気ディスク３に押し当てて形状転写すれば、ディ
スク３上にゾーンテクスチャ７が形成される（図５
（ｆ））。カルデラ形状のテクスチャもこれを応用して
形成できる。ディスク３上のゾーンテクスチャ７の形状
は、マスター情報担体の押し当て圧力、エッチング深
さ、Ｓｉ3Ｎ4膜の高さによって左右される。
１を磁気ディスク３に押し当てて形状転写すれば、ディ
スク３上にゾーンテクスチャ７が形成される（図５
（ｆ））。カルデラ形状のテクスチャもこれを応用して
形成できる。ディスク３上のゾーンテクスチャ７の形状
は、マスター情報担体の押し当て圧力、エッチング深
さ、Ｓｉ3Ｎ4膜の高さによって左右される。
【００４９】上記の例ではマスター情報担体１の表面の
エッチング方法として、イオンミリングによるエッチン
グを示したが、反応型イオンエッチング（ＲＩＥ）であ
っても、ケミカルエッチングであっても何ら問題はな
い。
エッチング方法として、イオンミリングによるエッチン
グを示したが、反応型イオンエッチング（ＲＩＥ）であ
っても、ケミカルエッチングであっても何ら問題はな
い。
【００５０】また、マスター情報担体１上のゾーンテク
スチャに対応する凹凸の形成材料としては、Ｓｉ3Ｏ4に
限定されずＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等
の金属酸化物でもよいし、ＡｌＮ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、Ｎ
ｂＮ等の金属窒化物やＳｉＣ等の金属炭化物でもよい。
スチャに対応する凹凸の形成材料としては、Ｓｉ3Ｏ4に
限定されずＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等
の金属酸化物でもよいし、ＡｌＮ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、Ｎ
ｂＮ等の金属窒化物やＳｉＣ等の金属炭化物でもよい。
【００５１】（実施の形態５）本発明のマスター情報担
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図６を用いて説明する。図６は
マスター情報担体１のゾーンテクスチャ形成部の断面を
模式的に示している。
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図６を用いて説明する。図６は
マスター情報担体１のゾーンテクスチャ形成部の断面を
模式的に示している。
【００５２】本実施の形態では、先にゾーンテクスチャ
部の凹凸を形成した後、その後に転写情報信号に対応す
る磁性薄膜パターンの形成を行った。
部の凹凸を形成した後、その後に転写情報信号に対応す
る磁性薄膜パターンの形成を行った。
【００５３】マスター情報担体１の表面に、ゾーンテク
スチャを形成しようとする部分が開口したメタルマスク
を当て、表面にＡｌＮ１１を成膜する（図６）。この場
合の成膜装置はスパッタ装置であり、ターゲットにはＡ
ｌを用い、スパッタガスとしてＡｒとＮ2の混合ガスを
用いた。また、成膜時のマスター情報担体は２００℃に
加熱されている。ＡｌＮ１１の膜は、島状に形成され、
この形状がゾーンテクスチャに対応する凹凸部８とな
る。
スチャを形成しようとする部分が開口したメタルマスク
を当て、表面にＡｌＮ１１を成膜する（図６）。この場
合の成膜装置はスパッタ装置であり、ターゲットにはＡ
ｌを用い、スパッタガスとしてＡｒとＮ2の混合ガスを
用いた。また、成膜時のマスター情報担体は２００℃に
加熱されている。ＡｌＮ１１の膜は、島状に形成され、
この形状がゾーンテクスチャに対応する凹凸部８とな
る。
【００５４】スパッタ後、マスター情報担体１が室温に
なった後スパッタ装置から取り出して、ゾーンテクスチ
ャ用凹凸付きマスター情報担体を得る。
なった後スパッタ装置から取り出して、ゾーンテクスチ
ャ用凹凸付きマスター情報担体を得る。
【００５５】このときの島状のＡｌＮ１１の高さ、島の
密度は成膜時の温度、スパッタガス圧、スパッタ電力等
によって決まる。
密度は成膜時の温度、スパッタガス圧、スパッタ電力等
によって決まる。
【００５６】上記の例ではマスター情報担体１上のゾー
ンテクスチャに対応する凹凸の形成材料としてＡｌＮを
用いたが、もちろんこれに限定されずＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ
4、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等の金属酸化物でも
よいし、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＮｂＮ等の金属窒化物やＳｉ
Ｃ等の金属炭化物でもよい。
ンテクスチャに対応する凹凸の形成材料としてＡｌＮを
用いたが、もちろんこれに限定されずＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ
4、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等の金属酸化物でも
よいし、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＮｂＮ等の金属窒化物やＳｉ
Ｃ等の金属炭化物でもよい。
【００５７】（実施の形態６）本発明のマスター情報担
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図７を用いて説明する。図７は
マスター情報担体１のゾーンテクスチャ形成部の断面を
模式的に示している。
体の製造方法のうち、ゾーンテクスチャに対応する凹凸
の形成方法の別の一例を図７を用いて説明する。図７は
マスター情報担体１のゾーンテクスチャ形成部の断面を
模式的に示している。
【００５８】マスター情報担体１の表面のゾーンテクス
チャを付与したい部分に珪素アルコキシド１３にＳｉＯ
2粒子１２を分散させた液を塗布し３００℃で熱処理す
る。この場合のＳｉＯ2粒子１２の平均粒径は例えば５
０ｎｍである。熱処理により、珪素アルコキシド１３は
ＳｉＯ2になり、ＳｉＯ2粒子１２を強固にマスター情報
担体１に固定する。かくして、ゾーンテクスチャに対応
する凹凸部８が形成される。
チャを付与したい部分に珪素アルコキシド１３にＳｉＯ
2粒子１２を分散させた液を塗布し３００℃で熱処理す
る。この場合のＳｉＯ2粒子１２の平均粒径は例えば５
０ｎｍである。熱処理により、珪素アルコキシド１３は
ＳｉＯ2になり、ＳｉＯ2粒子１２を強固にマスター情報
担体１に固定する。かくして、ゾーンテクスチャに対応
する凹凸部８が形成される。
【００５９】上記の例においてマスター情報担体１上の
ゾーンテクスチャに対応する凹凸の形成材料はシリカ粒
子に限定されず、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等の非
磁性微粒子でも効果は同じである。また、これら粒子を
分散させる金属アルコキシド、又はその部分もしくは完
全加水分解物としては、テトラエトキシシラン、テトラ
メトキシシランなどがあるが、特にこれらに限定される
ものではない。また、上記粒子を分散させる液は、粒子
をマスター情報担体１上に密着固定することができれ
ば、金属アルコキシド又はその加水分解物に限定され
ず、他の有機塗料等であってもよい。
ゾーンテクスチャに対応する凹凸の形成材料はシリカ粒
子に限定されず、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等の非
磁性微粒子でも効果は同じである。また、これら粒子を
分散させる金属アルコキシド、又はその部分もしくは完
全加水分解物としては、テトラエトキシシラン、テトラ
メトキシシランなどがあるが、特にこれらに限定される
ものではない。また、上記粒子を分散させる液は、粒子
をマスター情報担体１上に密着固定することができれ
ば、金属アルコキシド又はその加水分解物に限定され
ず、他の有機塗料等であってもよい。
【００６０】以上の各実施の形態では、ゾーンテクスチ
ャに対応する凹凸部８をマスター情報担体の基体のＳｉ
ウエハ上に直接施したが、磁気ディスクとの接触状態を
考え、ゾーンテクスチャに対応する凹凸形成部全体にＳ
ｉＯ2等を成膜して全体を凸状態にしても良いし、また
該形成部全体をエッチングし凹状態にしておいてもよ
い。
ャに対応する凹凸部８をマスター情報担体の基体のＳｉ
ウエハ上に直接施したが、磁気ディスクとの接触状態を
考え、ゾーンテクスチャに対応する凹凸形成部全体にＳ
ｉＯ2等を成膜して全体を凸状態にしても良いし、また
該形成部全体をエッチングし凹状態にしておいてもよ
い。
【００６１】また、以上のように形成したゾーンテクス
チャに対応する凹凸形成部にイオンミリングなどで全体
をエッチングして状態の調整を行っても良い。
チャに対応する凹凸形成部にイオンミリングなどで全体
をエッチングして状態の調整を行っても良い。
【００６２】
【発明の効果】本発明によるマスター情報担体を用いる
ことによって、磁気ディスク全面に信号情報を安定に転
写でき、かつ内周側にはゾーンテクスチャーも付与する
ことが可能となる。
ことによって、磁気ディスク全面に信号情報を安定に転
写でき、かつ内周側にはゾーンテクスチャーも付与する
ことが可能となる。
【００６３】すなわち本発明によれば、磁気ディスク装
置における将来のギガビットオーダー以上の面記録密度
を担う磁気ディスクへのプリフォーマット手段におい
て、マスター情報担体と磁気ディスクとの密着性を向上
させ、効率よく、安定に、高密度のプリフォーマットを
行い、さらに、内周側にはゾーンテクスチャをも形成す
ることが可能となる。
置における将来のギガビットオーダー以上の面記録密度
を担う磁気ディスクへのプリフォーマット手段におい
て、マスター情報担体と磁気ディスクとの密着性を向上
させ、効率よく、安定に、高密度のプリフォーマットを
行い、さらに、内周側にはゾーンテクスチャをも形成す
ることが可能となる。
【図１】本発明のマスター情報担体の概略構成を示した
外観斜視図である。
外観斜視図である。
【図２】本発明のマスター情報担体を用いた磁気ディス
クへの磁気転写方法を示した断面図である。
クへの磁気転写方法を示した断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２のマスター情報担体の凹
凸部形成方法を示した工程図である。
凸部形成方法を示した工程図である。
【図４】本発明の実施の形態３のマスター情報担体の凹
凸部形成方法を示した工程図である。
凸部形成方法を示した工程図である。
【図５】本発明の実施の形態４のマスター情報担体の凹
凸部形成方法を示した工程図である。
凸部形成方法を示した工程図である。
【図６】本発明の実施の形態５のマスター情報担体の凹
凸部の模式的断面図である。
凸部の模式的断面図である。
【図７】本発明の実施の形態６のマスター情報担体の凹
凸部の模式的断面図である。
凸部の模式的断面図である。
【図８】マスター情報担体による磁気記録媒体への磁気
転写原理を模式的に表した図であり、図８（ａ）はトラ
ック周方向に沿った模式的断面図、図８（ｂ）はプリフ
ォーマット記録後の磁気ディスクの磁化状態を示した、
図８（ａ）の矢印Ａ−Ａ方向から見た平面図である。
転写原理を模式的に表した図であり、図８（ａ）はトラ
ック周方向に沿った模式的断面図、図８（ｂ）はプリフ
ォーマット記録後の磁気ディスクの磁化状態を示した、
図８（ａ）の矢印Ａ−Ａ方向から見た平面図である。
【図９】ゾーンテクスチャを有する磁気ディスクへの磁
気転写状態を模式的に表した断面図である。
気転写状態を模式的に表した断面図である。
１ マスター情報担体 ２ 磁性薄膜 ３ 磁気ディスク ４ 基体凹部磁性薄膜の磁化 ５ 記録磁界 ６ 磁気ディスクの残留磁化 ７ ゾーンテクスチャ ８ ゾーンテクスチャに対応する凹凸部 ９ 感光性レジスト １０ Ｓｉ3Ｏ4膜 １１ ＡｌＮ １２ ＳｉＯ2粒子 １３ 珪素アルコキシド
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気ディスクへの転写情報信号に対応す
る形状パターンを有する磁性薄膜が基体表面に配置され
たマスター情報担体であって、前記磁性薄膜が配置され
た領域よりも内周側に微細な凹凸が形成された領域を有
することを特徴とするマスター情報担体。 - 【請求項２】 請求項１に記載のマスター情報担体の製
造方法であって、前記凹凸の製造工程が、基体表面にフ
ォトレジストを塗布し乾燥する工程と、フォトマスクを
用いて所定のパターンを露光し現像する工程と、前記現
像後の基体表面に金属化合物の薄膜を成膜する工程と、
前記フォトレジストを除去する工程とを有することを特
徴とするマスター情報担体の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属化合物が、金属酸化物、金属窒
化物、及び金属炭化物から選ばれた少なくとも１種であ
る請求項２に記載のマスター情報担体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のマスター情報担体の製
造方法であって、前記凹凸の製造工程が、基体表面にフ
ォトレジストを塗布し乾燥する工程と、フォトマスクを
用いて所定のパターンを露光し現像する工程と、前記現
像後の基体をエッチングする工程と、前記フォトレジス
トを除去する工程とを有することを特徴とするマスター
情報担体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載のマスター情報担体の製
造方法であって、基体内周側の前記凹凸を形成しようと
する領域全体に金属化合物をスパッタにより島状に形成
することにより前記凹凸を得ることを特徴とするマスタ
ー情報担体の製造方法。 - 【請求項６】 前記金属化合物が、金属酸化物、金属窒
化物、及び金属炭化物から選ばれた少なくとも１種であ
る請求項５に記載のマスター情報担体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載のマスター情報担体の製
造方法であって、前記凹凸の製造工程が、基体内周側の
前記凹凸を形成しようとする領域に非磁性微粒子を含む
有機塗料を塗布し乾燥する工程と、前記非磁性微粒子を
固定する工程とを有することを特徴とするマスター情報
担体の製造方法。 - 【請求項８】 前記非磁性微粒子が、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ
3、Ａｌ2Ｏ3、及びＦｅ2Ｏ3から選ばれた少なくとも１
種からなり、前記非磁性微粒子を分散させる液が、金属
アルコキシド、又はその部分もしくは完全加水分解物で
ある請求項７に記載のマスター情報担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31365099A JP2001134936A (ja) | 1999-11-04 | 1999-11-04 | マスター情報担体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31365099A JP2001134936A (ja) | 1999-11-04 | 1999-11-04 | マスター情報担体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001134936A true JP2001134936A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18043870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31365099A Pending JP2001134936A (ja) | 1999-11-04 | 1999-11-04 | マスター情報担体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001134936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG101999A1 (en) * | 2000-09-04 | 2004-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic transfer method |
| US7203014B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-04-10 | Fujitsu Limited | Preformat method for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus |
-
1999
- 1999-11-04 JP JP31365099A patent/JP2001134936A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG101999A1 (en) * | 2000-09-04 | 2004-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic transfer method |
| US7203014B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-04-10 | Fujitsu Limited | Preformat method for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus |
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