JP2008210512A - 磁気転写用マスター担体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】第１強磁性薄膜とＮｉを主成分とする第３強磁性厚膜間の密着力を向上させ、磁性層破損の生じない磁気転写用マスター担体を提供する。
【解決手段】所望の情報に応じた凹凸パターンを表面に有する基板に対して、該基板の凹凸パターン上に第１強磁性薄膜（Ｆ１）を形成し、この第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に該第１強磁性薄膜（Ｆ１）を電導層として第３強磁性厚膜（Ｆ３）を電気メッキにより形成し、これを前記凹凸パターンを有する基板から剥離することで転写情報担持面の形成された磁気転写用マスター担体を得る磁気転写用マスター担体の製造方法であって、基板表面に凹凸パターンをレジストにより形成し、第３強磁性厚膜（Ｆ３）を、凹凸パターンによる凹凸を有する第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に形成し、基板から剥離した後に第１強磁性薄膜（Ｆ１）に付着したレジストを除去することで凹凸状の転写情報担持面を形成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、スレーブ媒体に密着して所望の磁気パターンを該スレーブ媒体に磁気転写するための凸凹パターンを有する磁気転写用マスター担体の製造方法に関する。

磁気記録媒体においては一般に、情報量の増加と共に多くの情報を記録する大容量で安価で、さらに好ましくは短時間で必要な箇所が読み出せるような、いわゆる高速アクセスが可能な媒体が望まれている。それらの一例としてハードディスク装置やフレキシブルディスク（以下、ＦＤと言う。）装置に用いられる高密度磁気ディスク媒体が知られ、その大容量を実現するためには、狭いトラック幅を正確に磁気ヘッドが走査し、高いＳ／Ｎ比で信号を再生するいわゆるトラッキングサーボ技術が大きな役割を担っている。
ディスクの１周の中で、ある間隔でトラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等が、いわるプリフォーマットとして記録されており、磁気ヘッドはこのようなプリフォーマットの信号を読み取って自らの位置を修正することにより正確にトラック上を走行することが可能に設定されている。

現在、上述のようなプリフォーマットは、専用のサーボ記録装置を用い、ディスク１枚ずつ、またその１トラックずつ信号を書き込むことにより作成される。サーボ記録装置は、例えばトラックピッチの７５％程度のヘッド幅を持つ磁気ヘッドを備えており、まず、磁気ヘッドをディスクに近接させた状態でディスクを回転させて、磁気ヘッドを半トラックピッチ毎に移動させつつ各トラックの信号書き込みを行う。

上記のようなサーボ記録装置は高価であり、またプリフォーマット作成に時間が掛かるために、この工程が製造コストの大きな部分を占めることになり、その低コスト化が望まれている。

そこで、１トラックずつプリフォーマットを書き込むのではなく、磁気転写によりそれを実現する方法も提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。

この磁気転写は、被磁気転写媒体である磁気ディスク媒体等のスレーブ媒体に対して転写すべき情報に対応する凹凸パターンを有するマスター担体を用意し、このマスター担体とスレーブ媒体を密着させた状態で、転写用磁界を印加することにより、マスター担体の凹凸パターンが担持する情報（例えばサーボ信号）に対応する磁気パターンをスレーブ媒体に転写するもので、マスター担体とスレーブ媒体との相対的な位置を変化させることなく静的に記録を行うことができ、正確なプリフォーマット記録が可能であり、しかも記録に要する時間も極めて短時間である。

上記のような磁気転写における転写品質を高めるためには、いかにマスター担体が破損せずに密着良好状態で数千枚オーダーまで持ち堪えるかが重要である。つまり密着不良であると磁気転写が起こらない領域が生じ、磁気転写が起こらないとスレーブ媒体に転写された磁気情報に信号抜けが発生して信号品位が低下し、記録した信号がサーボ信号の場合にはトラッキング機能が十分に得られず信頼性が低下する。

図５は従来法に係る磁気転写用マスター担体の製造工程を示している。
これによれば、その表面にサーボ信号等の情報に応じた凹凸パターンを、フォトレジストを使って形成したシリコン基板Ｇ１’の上にニッケル（Ｎｉ）電導層を形成した後、電気メッキ等によりニッケルを主成分とした第３強磁性厚膜Ｆ３を形成し（６）、これをレジストパターン基板Ｇ１’から剥離して、第３強磁性厚膜Ｆ３とレジストＲ１の少なくとも一部とからなる部分（ａ）と、シリコン基板Ｇ１’の部分（ｂ）とに分離する（７）。
分離後、第３強磁性厚膜Ｆ３側の部分（ａ）のレジストＲ１や塵埃をＯ₂アッシング等でクリーニング除去すれば、ニッケル原版Ｆ３が得られる（８）。この上に、スパッタリング法で磁性層膜Ｆ１を設けて、磁気転写用マスター担体Ｍが得られる。

その上にレジストパターンが形成される基板としては、上記シリコン以外に、ニッケル、石英板、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が用いられる。また、磁性層膜Ｆ１の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）が用いられる。
第３強磁性厚膜Ｆ３の材料としては、ＮｉもしくはＮｉ合金等を使用することができ、この基板を作製する前記メッキとしては、電気メッキの他に、無電解メッキ、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法を適用していた。
特開平１０−４０５４４号 特開平１０−２６９５６６号

このように従来法では、レジスト基板Ｇ１’上にＮｉ電導層を成膜し、これに電気メッキ等を実施して、パターン化Ｎｉ基板Ｆ３を作成し、その上に磁性層Ｆ１をスパッタリング法により形成し、磁気転写用マスター担体Ｍを作成したが、このようにして得られた磁気転写用マスター担体Ｍを用いて多数枚のスレーブ媒体に対し磁気転写を実施したところ、数千枚オーダーで転写不良、スレーブ媒体破損が発生することが起こった。

その原因はマスター破損に起因すると思われたので、マスターを解析した結果、パターン化Ｎｉ基板上に形成した磁性層Ｆ１から欠損していることが突きとめられた。
更なる検討の結果、磁性層などの膜厚をパラメーターとして実施した要因分離実験から判ったことは、基板と磁性層間の密着力よりも磁性層内部の内部応力が大きく、そこで磁性層剥がれが発生しているということが判った。
この現象は１００ｎｍ以下の微細パターンの場合、発生し易いことが判った。

密着力向上のためのＮｉ基板表面処理、磁性層成膜条件を変えて内部応力の低下を試み、一定の効果は確認できたが、大幅な向上には至らなかった。以上より、磁性層とＮｉ基板間の一定以上の密着力を確保した上で、パターン皮膜性の改善が必要であると結論した。

即ち、Ｎｉ電気メッキで形成した凹凸パターンの当該凹凸パターン上に、真空成膜法（例えばスパッタリング法）でＦｅＣｏよりなる軟磁性層を形成すると、ＦｅＣｏが（スパッタリング工程で）堆積していく過程で、凸部の上では、その凸部の幅を維持したままで堆積していくことは稀で、横方向にも広がって堆積する。そのため、１００ｎｍよりも微細な凹凸パターンでは、隣接した凸部同士の間で、堆積したＦｅＣｏ膜が接触して、パターン形状が乱れる結果となる。このようなパターン形状の乱れを改善する必要がある。

発明者はレジスト基板上に、これまで最終工程で作成した強磁性薄膜(Ｆ１)を先に形成し、同強磁性薄膜を電導層として、電気メッキを行なうことで、電気力学的な合金化過程を実現でき、大幅な密着力向上、加えてレジストパターン上へ強磁性薄膜（Ｆ１）を形成することで、強磁性薄膜（Ｆ１）形成によるパターン被覆性を改善できることを見い出した。

具体的には、
（１）表面に所望の情報に応じた凹凸パターンを有する基板の該凹凸パターン上に、第１強磁性薄膜（Ｆ１）を形成し、この第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に該第１強磁性薄膜（Ｆ１）を電導層として第３強磁性厚膜（Ｆ３）を電気メッキにより形成し、これを前記凹凸パターンを有する基板から剥離することで転写情報担持面の形成された磁気転写用マスター担体を得る磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
前記基板表面に前記凹凸パターンをレジストにより形成し、
前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）を、前記凹凸パターンによる凹凸を有する前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に形成し、
前記基板から剥離した後に前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）に付着した前記レジストを除去することで凹凸状の前記転写情報担持面を形成することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。
なお、上記の「表面に所望の情報に応じた凹凸パターンを有する基板」には、下記のものを含む。
（ａ）平滑な表面を有する支持体（例えば、ガラス板、シリコンウェハー等）の上に、フォトレジストを用いて凹凸パターンを形成したもの（凸部がフォトレジストで構成されているもの）、
（ｂ）上記（ａ）において、凸部フォトレジストをエッチングレジストとして更にエッチング処理し、レジストのない支持体表面をエッチングし、凸部を構成するフォトレジストを除去して、支持体表面そのものに凹凸が形成されているもの。
（ｃ）上記（ａ）又は（ｂ）を原盤として電鋳により作成した金属（例えばＮｉ）よりなる、その表面に凹凸を有するもの。

（２） （１）記載の磁気転写用マスター担体の製造方法であって、前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）がニッケル（Ｎｉ）を含むことを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。

（３） （１）又は（２）記載の磁気転写用マスター担体の製造方法であって、前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）と、該第３強磁性厚膜（Ｆ３）のメッキ浴中に異物が混入する材料で構成される前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）との間に、前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）と同元素で構成される第２強磁性薄膜（Ｆ２）を真空成膜法で形成することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。

（４） （１）〜（３）のいずれか１項記載の磁気転写用マスター担体の製造方法であって、前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）の飽和磁化（ＭｓＦ１）と前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）の飽和磁化（ＭｓＦ３）が（ＭｓＦ１／ＭｓＦ３）＞１の関係にあることを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。

以上のように、強磁性薄膜(Ｆ１)を先に形成し、同強磁性薄膜を電導層として、電鋳を行なうことで、電気力学的な合金化過程を実現できるため、密着力が大幅に向上し、加えてレジストパターン上へ強磁性薄膜（Ｆ１）を形成することで強磁性薄膜（Ｆ１）形成によるパターン被覆性を改善できる。

以下、図面を用いて本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。
まず、マスター担体を用いてスレーブ媒体へ情報を転写する磁気転写の基本工程を図１および図２に基づき説明する。

図１は、スレーブ媒体２とマスター担体３、４とを示す斜視図である。
スレーブ媒体２は、例えば、円盤状の記録メディア２ａの中心部にハブ２ｂが固着されてなるフレキシブルディスクであり、記録メディア２ａはフレキシブルなポリエステルシート等の非磁性体からなる円盤状のベース２ｃの両面に磁性体層が形成された記録面２ｄ、２ｅを有するものである。

また、マスター担体３、４は、剛体により円環状ディスクに形成され、その片面に前記スレーブ媒体２の記録面２ｄ、２ｅに密着される微細凹凸パターンが形成されてなる転写情報担持面を有するものである。マスター担体３，４はそれぞれスレーブ媒体２の下側記録面２ｄ、上側記録面２ｅ用の凹凸パターンが形成されている。凹凸パターンは、マスター担体３を例に挙げると、図中点線で囲まれたドーナツ型の領域に形成されている。なお、図１に示すマスター担体３、４は、凹凸パターンが形成された基板３１、４１とその凹凸パターン上に形成された軟磁性層３２、４２とから構成されている。このように転写特性の良い磁性層を設けることでより良好な磁気転写を行うことができる。
基板が非磁性体の場合は磁性層を設ける必要がある。

また、強磁性金属による基板を用い、その凹凸パターン面に磁性層を被覆する場合には、基板の磁性の影響を断つために、基板と磁性層との間に非磁性層を設けることが好ましい。さらに最上層にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の保護膜を被覆すれば、この保護膜により接触耐久性が向上し、より一段と多数回の磁気転写が可能となる。さらにはＤＬＣ保護膜の下層にＳｉ膜をスパッタリング等で形成するようにしてもよい。

図２は、この磁気転写の基本工程を説明するための図であり、図２（ａ）は磁場を一方向に印加してスレーブ媒体を初期直流磁化する工程、（ｂ）はマスター担体とスレーブ媒体とを密着して反対方向磁界を印加する工程、（ｃ）は磁気転写後の状態をそれぞれ示す図である。なお、図２においてスレーブ媒体２についてはその下側記録面２ｄのみを示している。

図２（ａ）に示すように、予めスレーブ媒体２に初期磁界Ｈinをトラック方向の一方向に印加して初期磁化（直流消磁）を施しておく。その後、図２（ｂ）に示すように、このスレーブ媒体２の記録面２ｄとマスター担体３の基板３１の微細凹凸パターンに磁性層３２が被覆されてなる情報担持面とを密着させ、スレーブ媒体２のトラック方向に前記初期磁界Ｈinとは逆方向に転写用磁界Ｈduを印加して磁気転写を行う。その結果、図２（ｃ）に示すように、スレーブ媒体２の磁気記録面（トラック）にはマスター担体３の情報担持面の凹凸パターンに応じた情報（例えばサーボ信号）が磁気的に転写記録される。ここでは、スレーブ媒体２の下側記録面２ｄと下側マスター担体３とについて説明したが、図１に示すように、スレーブ媒体２の上側記録面２ｅについても上側マスター担体４と密着させて同様に磁気転写を行う。スレーブ媒体２の上下記録面２ｄ、２ｅへの磁気転写は同時になされてもよいし、片面ずつ順次なされてもよい。

また、マスター担体３の凹凸パターンが図２のポジパターンと逆の凹凸形状のネガパターンの場合であっても、初期磁界Ｈinの方向および転写用磁界Ｈduの方向を上記と逆方向にすることによって同様の情報を磁気的に転写記録することができる。なお、初期磁界および転写用磁界は、スレーブ媒体の保持力、マスター担体およびスレーブ媒体の比透磁率を勘案して定められた値を採用することにより、効果的な磁気転写を行うことができる。

図３は本発明の第１の実施の形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法である。以下、図に基づいて磁気転写用マスター担体の製造方法について説明する。
まず、シリコン円板（又はガラス円板）Ｇ１の表面を平滑に磨き（１）、その上にレジスト密着液を塗布した後、ポジ型レジスト液をスピンコート等で塗布してベーキング処理し、レジストＲ１を形成する（２）。

このレジストＲ１の特定部位にサーボ信号（又はその鏡面対称信号）に対応して変調したレーザビーム（又は電子ビーム）Ｌ１，Ｌ２，・・・，Ｌ５を照射して、円板Ｇ１の全面のレジストＲ１に所定のトラッキングパターンを露光描画する（３）（なお、レジストＲ１の特定部位を見易くするために、図（３）のみハッチングを省略しているが、本来は他の図と同じくハッチングがある。）。再度ベーキング処理した後、レジストＲ１を現像処理し、露光部分を除去して、レジストを凸部とする凹凸形状を形成する（４）。

このようにして凹凸状が形成された基板Ｇ１上にスパッタリング等の真空成膜法により、まず第１強磁性薄膜Ｆ１を形成する（５）。この工程が本発明の特徴である。第１強磁性薄膜Ｆ１としては、磁場の吸収性が良いＦｅＣｏ合金が適している。
さらに、この第１強磁性薄膜Ｆ１の上に電気メッキ等により第３強磁性厚膜Ｆ３を形成する（６）。第３強磁性厚膜Ｆ３はニッケル（Ｎｉ）を主成分として含むのが好ましく、ＮｉもしくはＮｉ合金等を使用することができる。なお、凹凸の高さは１００ｎｍオーダーであり、第３強磁性厚膜Ｆ３の厚さは３００μｍのオーダーである。

レジストパターン基板Ｇ１’としては、ニッケル、シリコン、石英板、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が用いられる。
磁性層膜Ｆ１の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）が用いられる。

次に、第３強磁性厚膜Ｆ３と第１強磁性薄膜Ｆ１とを基板Ｇ１から剥離する（７）。この剥離の際には、基板Ｇ１上に形成された凸部のレジストは第１強磁性薄膜Ｆ１に付着した状態で剥離される（図３の（７）の（ａ）参照）。
この引き剥がし時に、基体の物理的破壊を防止するために、Ｇ１（Ｒ１）基板／Ｆ１間に易剥離層を設けても良い。易剥離層としては化学的に不活性な材料で構成されていることが望ましい。特に炭素系易剥離層（ＤＬＣ、スパッタリングＣ）等が望ましい。
易剥離層の厚みは２〜１０ｎｍの範囲がよく、更に望ましくは３〜７ｎｍ程度である。なお、易剥離層の厚みが２ｎｍ未満の場合は易剥離層の役目を果たず、１０ｎｍより厚い場合はＦ１層の形状被覆性を低下させてしまう。また剥離後に、この易剥離層を保護膜として使用しても良い。

分離後、第１強磁性薄膜Ｆ１側の部分（ａ）のレジストＲ１をＯ₂アッシング等で除去すれば、反転した版である磁気転写用マスター担体Ｍが出来上がる。得られた磁気転写用マスター担体Ｍをみると、第３強磁性厚膜Ｆ３の凹凸部に第１強磁性薄膜Ｆ１がパターン形状のなまり（肩くずれ）なく（矢印部位Ｂを参照）、ほぼ原盤形状を反映した磁気転写用マスター担体が得られていることが判る（８）。
このように製造することにより、磁性層膜Ｆ１と第３強磁性厚膜Ｆ３間の密着力が向上して、パターン被覆性が改善された。

上記の製造方法においては、所望の情報に応じた凹凸パターンを有する基板（以下、「原盤」という。）として凹凸パターンの凸部がレジストで構成されたものを使用したが、前記レジストパターンが形成される基板Ｇ’をエッチング、レジストを除去してシリコン円板の表面そのものに凹凸パターンを形成したもの、上記の何れか一つの方法で作成した凹凸パターン表面を母型として電鋳により作成した金属（例えば、Ｎｉ等）よりなる、その表面に凹凸パターンを有する金属を作成し、これを原盤として使用することも可能である。

図４は本発明の第２の実施の形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法である。以下、図に基づいて磁気転写用マスター担体の製造方法について説明する。
第２の実施の形態に係る製造方法において、凹凸の形成された基板Ｇ１を製作するまでの工程（１）〜（５）は図３と同じなので、説明は省略する。
凹凸形成された基板Ｇ１上にスパッタリング法や気相法等によりＦｅＣｏ合金で第１強磁性薄膜Ｆ１を形成した（５）後、第２の実施の形態によれば、この第１強磁性薄膜Ｆ１の上に第３強磁性厚膜Ｆ３と同元素で構成された第２強磁性薄膜Ｆ２をスパッタリング法で形成するものである（５’）。第２強磁性薄膜Ｆ２の膜厚（ｄＦ２）は１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にあるのが好ましい。その後、第２強磁性薄膜Ｆ２の上に電気メッキによりニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第３強磁性厚膜Ｆ３を形成し（６）、これを基板Ｇ１から剥離して、第３強磁性厚膜Ｆ３側の部分（ａ）とレジストパターン基板Ｇ１の部分（ｂ）とに分離する（７）。分離後、第３強磁性厚膜Ｆ３側の部分（ａ）のレジストＲ１をＯ₂アッシング等で除去すれば、反転した版である磁気転写用マスター担体Ｍが出来上がる（８）。

以上のように、本発明の第２の実施の形態によれば、第１強磁性薄膜（ＦｅＣｏ）Ｆ１と第３強磁性厚膜Ｆ３との間に、第３強磁性厚膜Ｆ３と同元素で構成された第２強磁性薄膜Ｆ２をスパッタリング法で形成するものである。これは、メッキ浴は異物（例えば、ＦｅＣｏ）等が混入すると、還元して不純物を析出する虞があるので、予めＦｅＣｏの上にニッケルＮｉの薄層を設けておくことによりこの虞れを除去するためである。
得られた版をみると、第３強磁性厚膜Ｆ３の凹凸部に第１強磁性薄膜Ｆ１がパターン形状のなまり（肩くずれ）なく（矢印部位Ａを参照）直角状態で形成された磁気転写用マスター担体が得られていることが判る（８）。

また、第１強磁性薄膜（Ｆ１）の飽和磁化（ＭｓＦ１）と第３強磁性厚膜（Ｆ３）の飽和磁化（ＭｓＦ３）との関係は、式１の関係にあるのが好ましい。

（ＭｓＦ１／ＭｓＦ３）＞１ ・・・（式１）

その理由は、磁気転写によって信号記録を行う場合、マスター担体パターン部が多くの磁束を効率的に吸収、放出する必要があり、そのためには、最も信号記録に寄与するスレーブ近傍のマスター磁性層が磁気転写時に未飽和でかつ高い飽和磁化を有する必要があるからである。
したがって、上記式１の関係にすることで、第３強磁性厚膜（Ｆ３）が飽和したとしても第１強磁性薄膜（Ｆ１）の方は未だ飽和せず、高い磁束収束、放出特性を有するため、良好な信号品位を有する磁気転写を実現することができる。
以下、本発明の実施例について、説明する。

８吋Ｓｉウエハー上にポジ型の化学増感型電子線レジストを１００ｎｍ塗布し、電子線照射と現像を行って回転中心から半径方向２０ｍｍ〜４０ｍｍの位置までの半径域にビット長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ、トラックピッチ１．１μｍ、溝深さは０．１μｍである放射状ラインをレジストパターンを形成する。
その後、このレジストパターン上に軟磁性層：ＦｅＣｏ２５ａｔ％層を１００ｎｍ、基板温度２５℃で作成した。
Ａｒスパッタ圧は０．１５Ｐａ（１．０８ｍＴｏｒｒ）とした。投入電力は２．８０Ｗ／ｃｍ²とした。
ＦｅＣｏ２５ａｔ％を１００ｎｍ形成後に、Ｎｉ電気メッキを（Ｎｉ）基板厚みが０．３ｍｍとなるまで実施し、電鋳後レジスト基板より隔離、クリーニング実施したマスター担体を用いた。

真空成膜装置（芝浦メカトロニクス：Ｓ−５０Ｓスパッタ装置）において、室温にて１．３３×１０^-5Ｐａ（１．０×１０^-7Ｔｏｒｒ） まで減圧した後に、アルゴンを導入して０．４Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）とした条件下で、ガラス板を２００℃に加熱し、ＣｒＴｉ３０ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔ３０ｎｍ、Ｍｓ：５．７Ｔ（４５００Ｇａｕｓｓ）、保磁力Ｈｃ：１９９ｋＡ／ｍ（２５０００ｅ）の３．５インチ型の円盤状磁気記録媒体を作製し、面内スレーブ媒体として使用した。

１）マスター耐久性の評価方法：
同一マスター担体を使用し、スレーブ担体間の接触圧力を７．４×１０^-3Ｐａ（７．５ｋｇｆ／ｃｍ²）に設定し、１００００回の接触・剥離を繰り返した後、マスター表面を微分干渉微鏡で４８０倍の拡大率で、５００視野ランダムに観測する。この５００視野中に磁性層の析出物・亀裂箇所が、
（イ）３箇所未満であれば良（○）、
（ロ）３箇所以上であれば不良（×）と評価した。

２）電磁変換特性：
２−１）全スレーブ媒体を電磁変換特性測定装置（協同電子製ＳＳ−６０）に設置し（ヘッド：再生ヘッドギャップ：０．１２μｍ、再生トラック幅：０．４５μｍ、記録ヘッドギャップ：０．１８μｍ、記録トラック幅：０．５１μｍであるＧＭＲヘッド）、半径４０ｍｍでの線速度が１０ｍ／ｓｅｃの線速度に設定する。読み込み信号をスペクトロアナライザーで周波数分解し、１次信号のピーク強度（Ｃ）と外押した媒体ノズル（Ｎ）の差（Ｃ／Ｎ）を測定した。
ヘッド記録信号のＣ／Ｎ値を基準とした相対Ｃ／Ｎが、
（イ）−３．０ｄＢ未満で有れば良（○）、
（ロ）−３．０〜−４．０ｄＢで有れば可（△）、
（ハ）−４．０ｄＢ以上であれば不可（×）とした。

２−２）加えて、転写記録キャリアピーク線幅（Ｗｄｕｐ）とヘッド記録品（Ｗｈｅａｄ）の比（Ｗｄｕｐ／Ｗｈｅａｄ）が、
（イ）１以下であれば安定（○）、
（ロ）１を越えれば不安定（×）と判断した。

実施例１は、電鋳前にＦｅＣｏ（Ｃｏ２５％）で厚み１００ｎｍのＦ１層を形成した。
実施例２〜５は、Ｆ１の材質および厚みを表１のように変更した点を除き、実施例１と同様な磁気転写方法を行った。すなわち、実施例２はＦｅＣｏ（Ｃｏ２５％）で厚み２００ｎｍのＦ１層、実施例３はＦｅＣｏ（Ｃｏ３０％）で厚み１００ｎｍのＦ１層、実施例４はＦｅＣｏ（Ｃｏ３０％）で厚み５００ｎｍのＦ１層、実施例５はＮｉで厚み５００ｎｍのＦ１層とした。

また、実施例６は、レジストパターン基板にＲＩＥ法から基体自体にパターンを形成したもの（深さ１００ｎｍ）を原盤として用いる点を除き実施例１と同様な磁気転写用マスター担体とした。
実施例７は、レジストパターン基板元にメッキにより作成したＮｉ基盤を用いた点を除き実施例１と同様な磁気転写用マスター担体とした。
実施例８は、パターン基板／Ｆ１間にＤＬＣ膜を１ｎｍ形成した点を除き実施例６と同様な磁気転写用マスター担体とした。
実施例９は、パターン基板／Ｆ１間にＤＬＣ膜を５ｎｍ形成した点を除き実施例６と同様な磁気転写用マスター担体とした。
実施例１０は、パターン基板／Ｆ１間にＤＬＣ膜を１３ｎｍ形成した点を除き実施例６と同様な磁気転写用マスター担体とした。

比較例１は、Ｎｉ電鋳完了したパターン化基板上形成後に磁性層を形成した点を除き実施例１と同様な磁気転写方法を行った。
比較例２は、Ｎｉ電鋳完了したパターン化基板上形成後に磁性層を形成した点を除き実施例２と同様な磁気転写方法を行った。
比較例３は、Ｎｉ電鋳完了したパターン化基板上形成後に磁性層を形成した点を除き実施例４と同様な磁気転写方法を行った。

その結果を表１に示す。

表１において、実施例１〜４及び実施例６〜１０は密着性および電磁変換特性（相対Ｃ／Ｎ、Ｗｄｕｐ／Ｗｈｅａｄ）はともに○であり、実施例５は電磁変換特性の相対Ｃ／Ｎが△である以外はともに○である。
これに対して、比較例１〜３は密着性およびＷｄｕｐ／Ｗｈｅａｄ）が共に×であった。

この結果、レジストパターン基板上にスパッタリング法によりまず第１強磁性薄膜（Ｆ１）を形成し、この第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に電鋳により第３強磁性厚膜（Ｆ３）を形成する本発明の方法が極めて有効な方法であることが確認できた。
これに対して、従来法であるレジスト基板上にＮｉ電導層を成膜し、電鋳を実施して、パターン化Ｎｉ基板を作成し、その上に磁性層をスパッタリング法により形成する方法が劣っていることが実証できた。

スレーブ媒体２とマスター担体３、４とを示す斜視図である。 この磁気転写の基本工程を説明するための図であり、図２（ａ）は磁場を一方向に印加してスレーブ媒体を初期直流磁化する工程、（ｂ）はマスター担体とスレーブ媒体とを密着して反対方向磁界を印加する工程、（ｃ）は磁気転写後の状態をそれぞれ示す図である。 第１の実施の形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法である。 第２の実施の形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法である。 従来法に係る磁気転写用マスター担体の製造方法である。

符号の説明

２ スレーブ媒体
３，４ マスター担体
３１，４１ 凹凸パターンが形成されたマスター基板
３２、４２ 軟磁性層
Ｆ１ 第１強磁性薄膜
Ｆ２ 第２強磁性薄膜
Ｆ３ 第３強磁性厚膜
Ｇ１ シリコン円板（又はガラス円板）
Ｌ１，Ｌ２，・・・レーザビーム（又は電子ビーム）
Ｍ 磁気転写用マスター担体
Ｒ１ レジスト

Claims (4)

1. 所望の情報に応じた凹凸パターンを表面に有する基板に対して、該基板の凹凸パターン上に第１強磁性薄膜（Ｆ１）を形成し、この第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に該第１強磁性薄膜（Ｆ１）を電導層として第３強磁性厚膜（Ｆ３）を電気メッキにより形成し、これを前記凹凸パターンを有する基板から剥離することで転写情報担持面の形成された磁気転写用マスター担体を得る磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
   前記基板表面に前記凹凸パターンをレジストにより形成し、
   前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）を、前記凹凸パターンによる凹凸を有する前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に形成し、
   前記基板から剥離した後に前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）に付着した前記レジストを除去することで凹凸状の前記転写情報担持面を形成することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。
2. 前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）がニッケル（Ｎｉ）を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
3. 前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）と、該第３強磁性厚膜（Ｆ３）のメッキ浴中に異物が混入する材料で構成される前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）との間に、前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）と同元素で構成される第２強磁性薄膜（Ｆ２）を真空成膜法で形成することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
4. 前記第１強磁性薄膜（Ｆ１）の飽和磁化（ＭｓＦ１）と前記第３強磁性厚膜（Ｆ３）の飽和磁化（ＭｓＦ３）が（ＭｓＦ１／ＭｓＦ３）＞１の関係にあることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。

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