JP2001127332A - フォトダイオード - Google Patents
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- JP2001127332A JP2001127332A JP30421499A JP30421499A JP2001127332A JP 2001127332 A JP2001127332 A JP 2001127332A JP 30421499 A JP30421499 A JP 30421499A JP 30421499 A JP30421499 A JP 30421499A JP 2001127332 A JP2001127332 A JP 2001127332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い受光感度と、高速な応答特性と、高い信
号分離特性を兼ね備えたフォトダイオードを提供するこ
と。 【解決手段】 第一導電型の半導体基板と、半導体基板
上に形成される低不純物濃度の第二導電型のエピタキシ
ャル層と、半導体基板とエピタキシャル層との間に形成
された高不純物濃度の第二導電型の第一埋込層と、エピ
タキシャル層の表面に形成される高不純物濃度の第一導
電型のアノード層と、エピタキシャル層の表面から埋込
層に達する高不純物濃度の第二導電型のカソード層と、
アノード層の一部から第一埋込層の一部に達する高不純
物濃度の第一導電型の第二埋込層と、を具備することを
特徴とする。
号分離特性を兼ね備えたフォトダイオードを提供するこ
と。 【解決手段】 第一導電型の半導体基板と、半導体基板
上に形成される低不純物濃度の第二導電型のエピタキシ
ャル層と、半導体基板とエピタキシャル層との間に形成
された高不純物濃度の第二導電型の第一埋込層と、エピ
タキシャル層の表面に形成される高不純物濃度の第一導
電型のアノード層と、エピタキシャル層の表面から埋込
層に達する高不純物濃度の第二導電型のカソード層と、
アノード層の一部から第一埋込層の一部に達する高不純
物濃度の第一導電型の第二埋込層と、を具備することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光感度を向上さ
せたフォトダイオードに関するものである。
せたフォトダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の光ピックアッ
プに用いられるフォトダイオードは、内蔵される半導体
回路を駆動するために高い受光感度、高速応答性を持つ
ことが望まれている。
プに用いられるフォトダイオードは、内蔵される半導体
回路を駆動するために高い受光感度、高速応答性を持つ
ことが望まれている。
【０００３】図２（ａ）は、従来のフォトダイオードの
構成を示す断面図であり、図２（ｂ）はこのフォトダイ
オードの回路図である。図２（ａ）において、フォトダ
イオードは、半導体基板１に形成されたエピタキシャル
層２と、埋込層３ａ，３ｂと、アノード層５と、拡散領
域５ｂと、カソード層６ａ，６ｂとからなっている。
構成を示す断面図であり、図２（ｂ）はこのフォトダイ
オードの回路図である。図２（ａ）において、フォトダ
イオードは、半導体基板１に形成されたエピタキシャル
層２と、埋込層３ａ，３ｂと、アノード層５と、拡散領
域５ｂと、カソード層６ａ，６ｂとからなっている。
【０００４】エピタキシャル層２は、Ｐ型の半導体基板
１上に低濃度のN型（以下、Ｎ-と記す）不純物がドープ
された半導体層がエピタキシャル成長されてなり、埋込
層３ａ，３ｂは、半導体基板１とエピタキシャル層２の
間に高濃度のＮ型（以下、Ｎ+と記す）不純物が拡散さ
れて形成され、それぞれが離間されて配置されている。
１上に低濃度のN型（以下、Ｎ-と記す）不純物がドープ
された半導体層がエピタキシャル成長されてなり、埋込
層３ａ，３ｂは、半導体基板１とエピタキシャル層２の
間に高濃度のＮ型（以下、Ｎ+と記す）不純物が拡散さ
れて形成され、それぞれが離間されて配置されている。
【０００５】アノード層５は、エピタキシャル層２の表
面に高濃度のＰ型（以下、Ｐ+と記す）不純物が拡散さ
れて形成され、拡散領域５ｂは、アノード層５を半導体
基板１にショートさせるように、エピタキシャル層２の
表面から半導体基板１に達し、その左右に埋込層３ａ，
３ｂが配置されるようにＰ+の不純物が拡散されて形成
されている。
面に高濃度のＰ型（以下、Ｐ+と記す）不純物が拡散さ
れて形成され、拡散領域５ｂは、アノード層５を半導体
基板１にショートさせるように、エピタキシャル層２の
表面から半導体基板１に達し、その左右に埋込層３ａ，
３ｂが配置されるようにＰ+の不純物が拡散されて形成
されている。
【０００６】カソード層６ａは、エピタキシャル層２の
表面から埋込層３ａに達するように、カソード層６ｂ
は、エピタキシャル層２の表面から埋込層３ｂに達する
ように、Ｎ+の不純物が拡散されて形成されている。
表面から埋込層３ａに達するように、カソード層６ｂ
は、エピタキシャル層２の表面から埋込層３ｂに達する
ように、Ｎ+の不純物が拡散されて形成されている。
【０００７】このようにして、アノード層５を共通とし
てカソード層６ａ，６ｂから出力信号を取り出す２つに
分離されたフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を形成して
いる。
てカソード層６ａ，６ｂから出力信号を取り出す２つに
分離されたフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を形成して
いる。
【０００８】このような構成において、フォトダイオー
ドＰＤ１，ＰＤ２に光が照射されると、その光の強さに
対応した電流がアノード層５とカソード層６ａ，６ｂの
間に流れ、この電流をカソード６ａ，６ｂからそれぞれ
取り出す。
ドＰＤ１，ＰＤ２に光が照射されると、その光の強さに
対応した電流がアノード層５とカソード層６ａ，６ｂの
間に流れ、この電流をカソード６ａ，６ｂからそれぞれ
取り出す。
【０００９】この場合、アノード層５とエピタキシャル
層２の間に広がる空乏層で発生した光キャリアと、拡散
領域５ｂとエピタキシャル層２の間に広がる空乏層で発
生した光キャリアとがフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２
の出力信号に寄与するため、その受光感度を高くするこ
とができる。
層２の間に広がる空乏層で発生した光キャリアと、拡散
領域５ｂとエピタキシャル層２の間に広がる空乏層で発
生した光キャリアとがフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２
の出力信号に寄与するため、その受光感度を高くするこ
とができる。
【００１０】しかし、アノード層５と半導体基板１が分
離されていないため、カソード層６ａ，６ｂと半導体基
板１の間に低速の寄生フォトダイオードＰＤP1，ＰＤP2
が形成される。
離されていないため、カソード層６ａ，６ｂと半導体基
板１の間に低速の寄生フォトダイオードＰＤP1，ＰＤP2
が形成される。
【００１１】寄生フォトダイオードＰＤP1は、図２
（ｂ）に示すように、フォトダイオードＰＤ１と並列に
半導体回路７に接続された場合、フォトダイオードＰＤ
１の動作速度は、この低速の寄生フォトダイオードＰＤ
P1によって制限されてしまい、高速動作を確保すること
ができなかった。
（ｂ）に示すように、フォトダイオードＰＤ１と並列に
半導体回路７に接続された場合、フォトダイオードＰＤ
１の動作速度は、この低速の寄生フォトダイオードＰＤ
P1によって制限されてしまい、高速動作を確保すること
ができなかった。
【００１２】また、フォトダイオードに光が照射された
場合は、基板の深い部分で発生したキャリアが拡散によ
りランダムな方向へ走行し迷走キャリアとなる。この迷
走キャリアはフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２にそれぞ
れ存在する寄生フォトダイオードＰＤP1，ＰＤP2を動作
させる成分となるので、結果としてフォトダイオードＰ
Ｄ１とフォトダイオードＰＤ２との間にクロストークを
発生させ、その信号分離特性が劣化するという問題があ
った。
場合は、基板の深い部分で発生したキャリアが拡散によ
りランダムな方向へ走行し迷走キャリアとなる。この迷
走キャリアはフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２にそれぞ
れ存在する寄生フォトダイオードＰＤP1，ＰＤP2を動作
させる成分となるので、結果としてフォトダイオードＰ
Ｄ１とフォトダイオードＰＤ２との間にクロストークを
発生させ、その信号分離特性が劣化するという問題があ
った。
【００１３】次に、図２に示したフォトダイオードの問
題点を改善したフォトダイオードについて図３を用いて
説明する。尚、図２と重複する部分は同一番号を付して
その説明は適宜に省略する。
題点を改善したフォトダイオードについて図３を用いて
説明する。尚、図２と重複する部分は同一番号を付して
その説明は適宜に省略する。
【００１４】図３は、従来のフォトダイオードの構成を
示す断面図であり、図３（ｂ）はこのフォトダイオード
の回路図である。図３において、フォトダイオードは、
半導体基板１形成された、エピタキシャル層２と、第一
埋込層３と、アノード層５ａ，５ｂと、カソード層６と
からなっている。
示す断面図であり、図３（ｂ）はこのフォトダイオード
の回路図である。図３において、フォトダイオードは、
半導体基板１形成された、エピタキシャル層２と、第一
埋込層３と、アノード層５ａ，５ｂと、カソード層６と
からなっている。
【００１５】Ｎ-型のエピタキシャル層２は、Ｐ型の半
導体基板１上にエピタキシャル成長されてなり、Ｎ+型
の第一埋込層３は、半導体基板１とエピタキシャル層２
の間に形成されている。
導体基板１上にエピタキシャル成長されてなり、Ｎ+型
の第一埋込層３は、半導体基板１とエピタキシャル層２
の間に形成されている。
【００１６】Ｐ+型のアノード層５ａ，５ｂは、エピタ
キシャル層２の表面にそれぞれ離間されて配置され、Ｎ
+型のカソード層６は、エピタキシャル層２の表面から
第一埋込層３に達するように形成されている。
キシャル層２の表面にそれぞれ離間されて配置され、Ｎ
+型のカソード層６は、エピタキシャル層２の表面から
第一埋込層３に達するように形成されている。
【００１７】このようにして、カソード層６を共通とし
てアノード層５ａ，５ｂから出力信号を取り出す２つに
分離されたフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を形成して
いる。
てアノード層５ａ，５ｂから出力信号を取り出す２つに
分離されたフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を形成して
いる。
【００１８】この場合、カソード層６と半導体基板１の
間に、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ
２に共通な寄生フォトダイオードＰＤP12が形成される
が、アノード５ａ，５ｂと半導体基板１が分離されてい
るため、図３（ｂ）に示すように、フォトダイオードＰ
Ｄ１と寄生フォトダイオードＰＤP12は、半導体回路７
に対して並列接続とならない。従ってフォトダイオード
ＰＤ１，ＰＤ２は、低速の寄生フォトダイオードＰＤP1
2の影響を受けずに高速の動作が可能となっている。
間に、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ
２に共通な寄生フォトダイオードＰＤP12が形成される
が、アノード５ａ，５ｂと半導体基板１が分離されてい
るため、図３（ｂ）に示すように、フォトダイオードＰ
Ｄ１と寄生フォトダイオードＰＤP12は、半導体回路７
に対して並列接続とならない。従ってフォトダイオード
ＰＤ１，ＰＤ２は、低速の寄生フォトダイオードＰＤP1
2の影響を受けずに高速の動作が可能となっている。
【００１９】また、この寄生フォトダイオードＰＤP12
は、フォトダイオードＰＤ１及びフォトダイオードＰＤ
２に入射した光により発生する迷走キャリアを吸い上げ
るため、この迷走キャリアが隣のフォトダイオードに到
達することを抑制している。従って、フォトダイオード
ＰＤ１とフォトダイオードＰＤ２間の信号の分離特性を
良くすることができる。このように、図２に示したフォ
トダイオードの欠点である、高速応答性、信号分離特性
を改善することができる。
は、フォトダイオードＰＤ１及びフォトダイオードＰＤ
２に入射した光により発生する迷走キャリアを吸い上げ
るため、この迷走キャリアが隣のフォトダイオードに到
達することを抑制している。従って、フォトダイオード
ＰＤ１とフォトダイオードＰＤ２間の信号の分離特性を
良くすることができる。このように、図２に示したフォ
トダイオードの欠点である、高速応答性、信号分離特性
を改善することができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３に示した
フォトダイオードにおいては、次のような問題点があっ
た。フォトダイオードに光が照射されて出力される電流
信号の成分となるのは、アノード層５ａ，５ｂとエピタ
キシャル層２の間に広がる空乏層で発生する光キャリア
のみで、その受光感度は小さい。つまり、図２に示した
フォトダイオードの欠点である、高速応答性、信号分離
特性を改善することができるが、逆に受光感度が高いと
いう利点を実現することができない。
フォトダイオードにおいては、次のような問題点があっ
た。フォトダイオードに光が照射されて出力される電流
信号の成分となるのは、アノード層５ａ，５ｂとエピタ
キシャル層２の間に広がる空乏層で発生する光キャリア
のみで、その受光感度は小さい。つまり、図２に示した
フォトダイオードの欠点である、高速応答性、信号分離
特性を改善することができるが、逆に受光感度が高いと
いう利点を実現することができない。
【００２１】そして、フォトダイオードと同一の製造プ
ロセスによって半導体回路７を形成し、フォトダイオー
ドの出力信号に基づいてこの半導体回路７を駆動するよ
うな場合、このように表面近傍のみで発生した光キャリ
アによって発生した信号を出力する受光感度の小さいフ
ォトダイオードからは、その半導体回路７を動作させる
ために必要な大きさの信号を得ることができなかった。
ロセスによって半導体回路７を形成し、フォトダイオー
ドの出力信号に基づいてこの半導体回路７を駆動するよ
うな場合、このように表面近傍のみで発生した光キャリ
アによって発生した信号を出力する受光感度の小さいフ
ォトダイオードからは、その半導体回路７を動作させる
ために必要な大きさの信号を得ることができなかった。
【００２２】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、高い受光感度と、高速な応答特性
と、高い信号分離特性を兼ね備えたフォトダイオードを
提供することを目的とする。
なされたものであり、高い受光感度と、高速な応答特性
と、高い信号分離特性を兼ね備えたフォトダイオードを
提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１におい
ては、第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に
形成される低不純物濃度の第二導電型のエピタキシャル
層と、前記半導体基板と前記エピタキシャル層との間に
形成された高不純物濃度の第二導電型の第一埋込層と、
前記エピタキシャル層の表面に形成される高不純物濃度
の第一導電型のアノード層と、前記エピタキシャル層の
表面から前記第一埋込層に達する高不純物濃度の第二導
電型のカソード層と、前記アノード層の一部から前記第
一埋込層の一部に達する高不純物濃度の第一導電型の第
二埋込層と、を具備することを特徴とするフォトダイオ
ードである。
ては、第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に
形成される低不純物濃度の第二導電型のエピタキシャル
層と、前記半導体基板と前記エピタキシャル層との間に
形成された高不純物濃度の第二導電型の第一埋込層と、
前記エピタキシャル層の表面に形成される高不純物濃度
の第一導電型のアノード層と、前記エピタキシャル層の
表面から前記第一埋込層に達する高不純物濃度の第二導
電型のカソード層と、前記アノード層の一部から前記第
一埋込層の一部に達する高不純物濃度の第一導電型の第
二埋込層と、を具備することを特徴とするフォトダイオ
ードである。
【００２４】請求項２においては、前記第二埋込層は、
前記エピタキシャル層と前記第一埋込層との間に形成さ
れる高不純物濃度の第一導電型の第一半導体層と、前記
アノード層の一部から前記第一半導体層の一部に達する
高不純物濃度の第一導電型の第二半導体層と、からなる
ことを特徴とする請求項１記載のフォトダイオードであ
る。
前記エピタキシャル層と前記第一埋込層との間に形成さ
れる高不純物濃度の第一導電型の第一半導体層と、前記
アノード層の一部から前記第一半導体層の一部に達する
高不純物濃度の第一導電型の第二半導体層と、からなる
ことを特徴とする請求項１記載のフォトダイオードであ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図２、
３と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に
省略する。図１は本発明の実施例の構成を示す断面図で
ある。
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図２、
３と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に
省略する。図１は本発明の実施例の構成を示す断面図で
ある。
【００２６】図１において、フォトダイオードは、半導
体基板１に形成されたエピタキシャル層２、第一埋込層
３、第二埋込層４ａ，４ｂ、アノード層５ａ，５ｂとか
らなっている。
体基板１に形成されたエピタキシャル層２、第一埋込層
３、第二埋込層４ａ，４ｂ、アノード層５ａ，５ｂとか
らなっている。
【００２７】エピタキシャル層２は、Ｐ型の半導体基板
１上に低濃度のＮ-型の半導体層がエピタキシャル成長
されてなり、第一埋込層３は、半導体基板１とエピタキ
シャル層２の間に高濃度の不純物が拡散されて形成され
たＮ+型の半導体層である。
１上に低濃度のＮ-型の半導体層がエピタキシャル成長
されてなり、第一埋込層３は、半導体基板１とエピタキ
シャル層２の間に高濃度の不純物が拡散されて形成され
たＮ+型の半導体層である。
【００２８】アノード層５ａ，５ｂは、エピタキシャル
層２の表面にそれぞれ離間されて島状に高濃度の不純物
が拡散されたＰ+型の半導体層で、カソード層６は、エ
ピタキシャル層２の表面から第一埋込層３に達するよう
に高濃度の不純物が拡散されて形成されたＮ+型の半導
体層である。
層２の表面にそれぞれ離間されて島状に高濃度の不純物
が拡散されたＰ+型の半導体層で、カソード層６は、エ
ピタキシャル層２の表面から第一埋込層３に達するよう
に高濃度の不純物が拡散されて形成されたＮ+型の半導
体層である。
【００２９】第二埋込層４ａは、第一半導体層４ａ
1と、第二半導体層４ａ2とからなり、第二埋込層４ｂ
は、第一半導体層４ｂ1と、第二半導体層４ｂ2とからな
っている。
1と、第二半導体層４ａ2とからなり、第二埋込層４ｂ
は、第一半導体層４ｂ1と、第二半導体層４ｂ2とからな
っている。
【００３０】第一半導体層４ａ1は、アノード層５ａの
下部のエピタキシャル層２と第一埋込層３の間に形成さ
れたＰ+型の半導体領域であり、第一半導体層４ｂ1は、
アノード層５ｂの下部のエピタキシャル層２と第一埋込
層３の間に形成されたＰ+型の半導体領域である。
下部のエピタキシャル層２と第一埋込層３の間に形成さ
れたＰ+型の半導体領域であり、第一半導体層４ｂ1は、
アノード層５ｂの下部のエピタキシャル層２と第一埋込
層３の間に形成されたＰ+型の半導体領域である。
【００３１】第二半導体層４ａ2は、アノード層５ａの
一部と第一半導体層４ａ1の一部を接続するように形成
されたＰ+型の半導体領域であり、第二半導体層４ｂ
2は、アノード層５ｂの一部と第一半導体層４ｂ1の一部
を接続するように形成されたＰ+型の半導体領域であ
る。
一部と第一半導体層４ａ1の一部を接続するように形成
されたＰ+型の半導体領域であり、第二半導体層４ｂ
2は、アノード層５ｂの一部と第一半導体層４ｂ1の一部
を接続するように形成されたＰ+型の半導体領域であ
る。
【００３２】このようにして、カソード層６を共通とし
てアノード層５ａ，５ｂから出力信号を取り出す２つに
分離されたフォトダイオードを形成している。
てアノード層５ａ，５ｂから出力信号を取り出す２つに
分離されたフォトダイオードを形成している。
【００３３】この場合、第一半導体層４ａ1，４ｂ1とエ
ピタキシャル層２の間に広がる空乏層で発生した光キャ
リアと、第二半導体層４ａ2，４ｂ2とエピタキシャル層
２の間に広がる空乏層で発生した光キャリアと、アノー
ド層５ａ、５ｂとエピタキシャル層２の間に広がる空乏
層で発生した光キャリアとが、フォトダイオードの出力
信号に寄与するため、出力信号に寄与する光キャリアの
量を増やすことができ、その受光感度を高くすることが
できる。
ピタキシャル層２の間に広がる空乏層で発生した光キャ
リアと、第二半導体層４ａ2，４ｂ2とエピタキシャル層
２の間に広がる空乏層で発生した光キャリアと、アノー
ド層５ａ、５ｂとエピタキシャル層２の間に広がる空乏
層で発生した光キャリアとが、フォトダイオードの出力
信号に寄与するため、出力信号に寄与する光キャリアの
量を増やすことができ、その受光感度を高くすることが
できる。
【００３４】また、カソード層６と半導体基板１の間に
は、図３に示したフォトダイオードと同様に、２つのフ
ォトダイオードに共通な低速の寄生フォトダイオードＰ
ＤP1 2が形成されるが、アノード層５ａ、５ｂと半導体
基板１が分離されているため、その影響を受けずに高速
応答性を得ることができる。
は、図３に示したフォトダイオードと同様に、２つのフ
ォトダイオードに共通な低速の寄生フォトダイオードＰ
ＤP1 2が形成されるが、アノード層５ａ、５ｂと半導体
基板１が分離されているため、その影響を受けずに高速
応答性を得ることができる。
【００３５】また、この寄生フォトダイオードは、各フ
ォトダイオードに入射した光により発生する迷走キャリ
アが隣のフォトダイオードに到達することを抑制するの
で、２つのフォトダイオード間の信号分離特性を改善す
ることができる。
ォトダイオードに入射した光により発生する迷走キャリ
アが隣のフォトダイオードに到達することを抑制するの
で、２つのフォトダイオード間の信号分離特性を改善す
ることができる。
【００３６】また、上記のフォトダイオードの受光感度
を特定の条件に従って試算し、従来の図2に示したフォ
トダイオードとの比較を行った。上記のフォトダイオー
ドに特定のバイアスを加えた場合、アノード層５ａ、５
ｂ直下のエピタキシャル層２が全て空乏化し、従来のフ
ォトダイオードよりも受光感度が向上することが確認さ
れた。
を特定の条件に従って試算し、従来の図2に示したフォ
トダイオードとの比較を行った。上記のフォトダイオー
ドに特定のバイアスを加えた場合、アノード層５ａ、５
ｂ直下のエピタキシャル層２が全て空乏化し、従来のフ
ォトダイオードよりも受光感度が向上することが確認さ
れた。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
及び請求項２によれば、アノード層の一部から第一埋込
層の一部に達する高不純物濃度の第一導電型の第二埋込
層を設けたので、高い受光感度と、高速な応答特性と、
高い信号分離特性を兼ね備えたフォトダイオードを提供
することができる。
及び請求項２によれば、アノード層の一部から第一埋込
層の一部に達する高不純物濃度の第一導電型の第二埋込
層を設けたので、高い受光感度と、高速な応答特性と、
高い信号分離特性を兼ね備えたフォトダイオードを提供
することができる。
【００３８】
【図１】本発明の実施例の構成を示す断面図である。
【図２】従来のフォトダイオードの構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】従来のフォトダイオードの構成を示す断面図で
ある。
ある。
１ 半導体基板 ２ エピタキシャル層 ３ 第一埋込層 ４ａ、４ｂ 第二埋込層 ４ａ1、４ｂ1 第一半導体層 ４ａ2、４ｂ2 第二半導体層 ５ａ、５ｂ アノード層 ６ カソード層
Claims (2)
- 【請求項１】 第一導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される低不純物濃度の第二導電
型のエピタキシャル層と、 前記半導体基板と前記エピタキシャル層との間に形成さ
れた高不純物濃度の第二導電型の第一埋込層と、 前記エピタキシャル層の表面に形成される高不純物濃度
の第一導電型のアノード層と、 前記エピタキシャル層の表面から前記第一埋込層に達す
る高不純物濃度の第二導電型のカソード層と、 前記アノード層の一部から前記第一埋込層の一部に達す
る高不純物濃度の第一導電型の第二埋込層と、を具備す
ることを特徴とするフォトダイオード。 - 【請求項２】 前記第二埋込層は、前記エピタキシャル
層と前記第一埋込層との間に形成される高不純物濃度の
第一導電型の第一半導体層と、前記アノード層の一部か
ら前記第一半導体層の一部に達する高不純物濃度の第一
導電型の第二半導体層と、からなることを特徴とする請
求項１記載のフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30421499A JP2001127332A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30421499A JP2001127332A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | フォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127332A true JP2001127332A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17930392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30421499A Pending JP2001127332A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | フォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127332A (ja) |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP30421499A patent/JP2001127332A/ja active Pending
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