JP2001127015A - ウェハシートのエキスパンダ - Google Patents

ウェハシートのエキスパンダ

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JP2001127015A JP2000348592A JP2000348592A JP2001127015A JP 2001127015 A JP2001127015 A JP 2001127015A JP 2000348592 A JP2000348592 A JP 2000348592A JP 2000348592 A JP2000348592 A JP 2000348592A JP 2001127015 A JP2001127015 A JP 2001127015A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 構造が簡単で動作が速く、しかも、消耗部品
がないとともに、ネジ位相調整や駆動手段の同期調整が
不要なウェハシートのエキスパンダを提供する。 【構成】 加圧リング2と同心状に回動リング11を回
動自在に配設する。回動リング11に上下方向に傾斜し
ながら円周方向に延びるカム溝15を有する複数個のカ
ム板14または複数個のカムフォロア17を円周方向に
等間隔に設ける。一方、加圧リング2にカム板14また
はカムフォロワ17に対向してカム板14のカム溝15
内に転動可能に係合される複数個のカムフォロア17ま
たはカムフォロア17を転動可能に係合させるカム溝1
5を有する複数個のカム板14を設ける。そして、回動
リング11を単一の駆動手段12により回動することに
より各カム板14および各カムフォロア17を介して加
圧リング2を上下動させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて、ウェハを貼り付けたウェハリングのウェハシー
トを引き伸ばすために用いられるウェハシートのエキス
パンダに関する。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体製造工程では、ウェハをウ
ェハリングのウェハシートと呼ばれる粘着性樹脂シート
に貼り付けた状態で個々のペレット毎に切断し、その後
の工程においてウェハリングのウェハシートを引き伸ば
すことにより切断された個々のペレット相互の間隔を広
げるようにしている。
【0003】上述のようにウェハリングのウェハシート
を引き伸ばす場合、エキスパンダが用いられる。このエ
キスパンダは、図3に示すように、円筒状の固定リング
1と、固定リング1の外側上方に、該固定リング1の軸
方向に移動可能に配設された円環状の加圧リング2とを
備え、図3(a)に示すように、固定リング1にウェハ
シート3にウェハ4を貼り付けたウェハリング5を載置
させ、図3(b)に示すように、加圧リング2によって
ウェハリング5を押し下げることにより、固定リング1
と協働してウェハシート3を引き伸ばすように構成され
ている。
【0004】従来、上述したエキスパンダの加圧リング
2を上下動させる機構には、例えば、図4または図5に
示すような駆動方式がある。即ち、図4に示す駆動方式
は、加圧リング2の下面側に複数個、例えば3個の駆動
ネジ6を円周等間隔に取付け、これら駆動ネジ6を回転
自在に支持した各々のナット7にそれぞれ螺合するとと
もに、各々のナット7に、これらナット7を同期して回
転させるためのベルト8を纏い掛けており、ベルト8に
よって各ナット7を同期して回転することにより、ナッ
ト6と駆動ネジ7との螺合によって加圧リング2を上下
動させる。尚、図4において、19は加圧リング2を水
平を維持した状態で上下動させるためのガイドである。
【0005】次に、図5に示す駆動方式は、加圧リング
2の下方に複数本、例えば3本のエアシリンダ等の駆動
シリンダ9を円周方向に等間隔に配設し、これら駆動シ
リンダ9のピストンロッド10の先端部を加圧リング2
の下面側にそれぞれ固着させており、各駆動シリンダ9
のピストンロッド10を同期して伸縮することにより、
加圧リング2を上下動させる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した図
4に示す駆動方式では、駆動ネジ6とナット7とによっ
て加圧リング2を上下動させているが、加圧リング2を
上下動する際に駆動ネジ6とナット7とが擦れ合うた
め、駆動ネジ6とナット7との消耗が激しく、駆動ネジ
6とナット7を頻繁に交換しなければならないという問
題がある。また、各ナット7にベルト8を纏い掛けるた
めに多数個のアイドルプーリが必要であり、装置の製作
コストが嵩むという問題もある。更に、加圧リング2を
水平を維持した状態で上下動させるため、組立時に各々
の駆動ネジ6とナット7とを位相調整する必要があり、
この位相調整が非常に面倒で組立てに時間・手間がかか
るという問題もある。しかも、駆動ネジ6とナット7と
による螺合によって加圧リング2を上下動させているた
め、加圧リング2の上下動作が遅くて作業性が悪いとい
う問題もある。
【0007】次に、図5に示す駆動方式では、複数本の
駆動シリンダ9によって加圧リング2を上下動させてい
るが、複数本の駆動シリンダ9を同期して駆動させるこ
とが困難であり、加圧リング2を水平を維持した状態で
上下動させることができない。そのため、ウェハシート
3の引き伸ばしにバラツキが生じるという問題がある。
【0008】本発明は、従来の上述した問題点に鑑み、
構造が簡単で動作が速く、しかも、消耗部品がないとと
もに、ネジ位相調整や駆動手段の同期調整が不要なウェ
ハシートのエキスパンダを提供することを目的としてい
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、加圧リングと同心状に回動リングを回動
自在に配設し、前記回動リングに上下方向に傾斜しなが
ら円周方向に延びるカム溝を有する複数個のカム板また
は複数個のカムフォロアを円周方向に等間隔に設け、か
つ、前記加圧リングに前記カム板または前記カムフォロ
ワに対向して前記カム板のカム溝内に転動可能に係合さ
れる複数個のカムフォロアまたは前記カムフォロアを転
動可能に係合させるカム溝を有する複数個のカム板を設
け、前記回動リングを単一の駆動手段により回動させる
ようにしたことを特徴とする。
【0010】また、前記駆動手段としてシリンダを用い
ることが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
1および図2に基いて詳細に説明する。図1は本発明に
係るウェハシートのエキスパンダにおける加圧リンクを
上下動させる機構を示す斜視図であり、図2はその一部
分の詳細図である。尚、図1および図2において、従来
技術を示す図1および図2と同一の部材には同一の符号
を用い、重複する事項に関しては説明を省略する。
【0012】この実施の形態においては、図1に示すよ
うに、加圧リング2の下方に、該加圧リング2と同心状
に回動リング11をその円周方向に回動自在に配設して
いる。回動リング11の下面側には、例えばエアシリン
ダからなる駆動シリンダ12のピストンロッド13の先
端部が連結されており、駆動シリンダ12のピストンロ
ッド13を伸縮することにより、回動リング11がその
円周方向に所定の角度範囲で回動される。また、回動リ
ング11の上面側には、円周等間隔に複数個、例えば3
個のカム板14が取付けられている。カム板14には、
回動リング11の円周方向に延びるカム溝15が上下方
向に傾斜して形成されている。カム溝15は、図2に示
すように、上方側の傾斜角度を大きく形成し、下方側の
傾斜角度を小さく形成している。一方、加圧リング2の
下面側には、カム板14に対向して円周等間隔に複数
個、例えば3個のカムフォロワ取付板16が取付けられ
ている。カムフォロワ取付板16には、カム板14のカ
ム溝15内に転動自在に係合されるカムフォロア17が
取付けられいる。
【0013】以上のように構成された実施の形態では、
駆動シリンダ12のピストンロッド13を伸縮して回動
リング11を円周方向に回動すると、回動リング11の
回動に伴って各カム板14も回動リンク11の円周方向
にそれぞれ回動する。この各カム板14の回動により、
各カム板14のカム溝15の位置が変化するため、各カ
ム板14のカム溝15内に転動自在に係合されている各
々のカムフォロア17がカム板14のカム溝15に案内
されてそれぞれ上下動する。各カムフォロア17がそれ
ぞれ上下動すると、これらカムフォロア17の各々のカ
ムフォロア取付板15を介して加圧リング2が水平を維
持した状態で上下動される。
【0014】この実施の形態によれば、駆動シリンダ1
2によって複数個のカム板14およびカムフォロア17
を介して加圧リング2を上下動することができるから、
構造が極めて簡単であるとともに、消耗部品がなく、し
かも、加圧リング2の上下動の動作が速い。
【0015】また、この実施の形態によれば、単一の駆
動シリンダ12によって複数個のカム板14を回動する
ことにより、加圧リング2を水平を維持した状態で上下
動させることが可能であるから、従来のように組立時に
おける加圧リング2を水平を維持した状態で上下動させ
るためのネジ位相調整や複数本の駆動シリンダの同期調
整が不要である。
【0016】尚、この実施の形態では、カム板14のカ
ム溝15を、上方側の傾斜角度を大きく形成し、下方側
の傾斜角度を小さく形成したことにより、加圧リング2
は、ウェハリング4に当るまでは大きなストロークによ
り小さな加圧力で速く降下し、ウェハリング4に当って
からは小さなストロークにより大きな加圧力でゆっくり
降下する。これにより、加圧リング2をより速く上下動
することができるとともに、ウェハリング5のウェハシ
ート3を大きな加圧力で引き伸ばすことができる。
【0017】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるも
のではない。例えば、前記実施の形態では、回動リング
11側にカム溝15を有するカム板14を取付け、加圧
リング2側にカム板14のカム溝15内に転動自在に係
合されるカムフォロア17を取付けているが、その逆で
加圧リング2側にカム溝15を有するカム板14を取付
け、回動リング11側にカム板14のカム溝15内に転
動自在に係合されるカムフォロア17を取付けても構わ
ない。また、前記実施の形態では、回動リング12をエ
アシリンダ等のシリンダ12によって回動させている
が、回動リング11をシリンダ12以外、例えばモータ
等によって回動させても構わない。また、駆動シリンダ
12の延長線上に調整ストッパを設け、この調整ストッ
パにより駆動シリンダ12のピストンロッド13のスト
ロークを調整してウェハリング5のウェハシート3の引
き伸ばし量を調整させても構わない。更に、加圧リング
2の内周縁に品対リング18を着脱可能に取付け、ウェ
ハリング5の直径に対応して品対リング18を交換させ
ても構わない。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、単一の駆動手段によっ
て複数個のカム板およびカムフォロアを介して加圧リン
グを水平を維持した状態で上下動することができるか
ら、構造が簡単であるとともに、消耗部品がなくなり、
しかも、加圧リングの上下動作が速く、更に、従来のよ
うに組立時における加圧リングを水平を維持した状態で
上下動させるためのネジ位相調整や複数本の駆動シリン
ダの同期調整が不要である。これにより、装置の故障や
部品交換を少なくすることができるとともに、シート引
き伸ばし作業の作業能率を向上することができ、しか
も、組立作業を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウェハシートのエキスパンダにおける
加圧リングを上下動させる機構を示す斜視図。
【図2】図2の一部分の詳細図。
【図3】ウェハシートのエキスパンダを示す概略図であ
る。
【図4】従来のウェハシートのエキスパンダにおける加
圧リングを上下動させる機構を示す斜視図。
【図5】従来のウェハシートのエキスパンダにおける加
圧リングを上下動させる機構を示す斜視図。
【符号の説明】
1 固定リング 2 加圧リング 11 回動リング 12 駆動シリンダ 14 カム板 15 カム溝 17 カムフォロア

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固定リングと、この固定リングの外側上
    方に、該固定リングの軸方向に移動可能に配設された加
    圧リングとを備え、前記固定リングにウェハリングを載
    置させ、前記加圧リングにより前記ウェハリングを押し
    下げることにより前記固定リングと協働して前記ウェハ
    ーリングのウェハシートを引き伸ばすウェハシートのエ
    キスパンダにおいて、 前記加圧リングと同心状に回動リングを回動自在に配設
    し、前記回動リングに上下方向に傾斜しながら円周方向
    に延びるカム溝を有する複数個のカム板または複数個の
    カムフォロアを円周方向に等間隔に設け、かつ、前記加
    圧リングに前記カム板または前記カムフォロワに対向し
    て前記カム板のカム溝内に転動自在に係合される複数個
    のカムフォロアまたは前記カムフォロアを転動自在に係
    合させるカム溝を有する複数個のカム板を設け、前記回
    動リングを単一の駆動手段により回動させるようにした
    ことを特徴とするウェハシートのエキスパンダ。
  2. 【請求項2】 前記駆動手段としてシリンダを用いたこ
    とを特徴とする請求項1記載のウェハシートのエキスパ
    ンダ。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080643A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
WO2004080642A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
KR100766727B1 (ko) * 2005-08-19 2007-10-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
KR100813351B1 (ko) * 2005-08-19 2008-03-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
US7732730B2 (en) 2000-09-13 2010-06-08 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US7749867B2 (en) 2002-03-12 2010-07-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
JP2011508962A (ja) * 2007-12-10 2011-03-17 ユニバーサル インスツルメンツ コーポレーション 柔軟性のある基材用テンショナー
US8058103B2 (en) 2003-09-10 2011-11-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
US8247734B2 (en) 2003-03-11 2012-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US8263479B2 (en) 2002-12-03 2012-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
US8268704B2 (en) 2002-03-12 2012-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method

Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8283595B2 (en) 2000-09-13 2012-10-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US10796959B2 (en) 2000-09-13 2020-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US9837315B2 (en) 2000-09-13 2017-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8969761B2 (en) 2000-09-13 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip
US8946591B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method
US7732730B2 (en) 2000-09-13 2010-06-08 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946589B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US7825350B2 (en) 2000-09-13 2010-11-02 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946592B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8937264B2 (en) 2000-09-13 2015-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8933369B2 (en) 2000-09-13 2015-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US8227724B2 (en) 2000-09-13 2012-07-24 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8716110B2 (en) 2000-09-13 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8673745B2 (en) 2002-03-12 2014-03-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
US9142458B2 (en) 2002-03-12 2015-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8304325B2 (en) 2002-03-12 2012-11-06 Hamamatsu-Photonics K.K. Substrate dividing method
US8314013B2 (en) 2002-03-12 2012-11-20 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor chip manufacturing method
US8361883B2 (en) 2002-03-12 2013-01-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US11424162B2 (en) 2002-03-12 2022-08-23 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10622255B2 (en) 2002-03-12 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8518801B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8518800B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8519511B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8551865B2 (en) 2002-03-12 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting an object to be processed
US10068801B2 (en) 2002-03-12 2018-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8598015B2 (en) 2002-03-12 2013-12-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US9711405B2 (en) 2002-03-12 2017-07-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9553023B2 (en) 2002-03-12 2017-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9548246B2 (en) 2002-03-12 2017-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8802543B2 (en) 2002-03-12 2014-08-12 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US9543256B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543207B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8183131B2 (en) 2002-03-12 2012-05-22 Hamamatsu Photonics K. K. Method of cutting an object to be processed
US9287177B2 (en) 2002-03-12 2016-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8268704B2 (en) 2002-03-12 2012-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
US7749867B2 (en) 2002-03-12 2010-07-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
US8409968B2 (en) 2002-12-03 2013-04-02 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion
US8450187B2 (en) 2002-12-03 2013-05-28 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8263479B2 (en) 2002-12-03 2012-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
US8247734B2 (en) 2003-03-11 2012-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
WO2004080643A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
WO2004080642A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
EP1609559A4 (en) * 2003-03-12 2006-04-26 Hamamatsu Photonics Kk METHOD OF MACHINING BY LASER BEAM
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US8551817B2 (en) 2003-09-10 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
US8058103B2 (en) 2003-09-10 2011-11-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
KR100813351B1 (ko) * 2005-08-19 2008-03-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
KR100766727B1 (ko) * 2005-08-19 2007-10-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
JP2011508962A (ja) * 2007-12-10 2011-03-17 ユニバーサル インスツルメンツ コーポレーション 柔軟性のある基材用テンショナー
KR101531401B1 (ko) * 2007-12-10 2015-06-24 유니버셜 인스트루먼츠 코퍼레이션 가요성 기판 인장장치 및 인장방법

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