JP2001110976A - 高周波回路 - Google Patents
高周波回路Info
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- JP2001110976A JP2001110976A JP28543899A JP28543899A JP2001110976A JP 2001110976 A JP2001110976 A JP 2001110976A JP 28543899 A JP28543899 A JP 28543899A JP 28543899 A JP28543899 A JP 28543899A JP 2001110976 A JP2001110976 A JP 2001110976A
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- case
- lid
- resistor
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波回路内の不要電波伝搬の軽減方法とし
て、電波吸収体をフタに取り付けた手法では電波吸収体
の厚さが厚いためケースの高さが高くなり、高周波回路
を小型化する点で問題があった。 【解決手段】 高周波回路のフタとして、電波吸収体を
取り付けたフタのかわりにフタの回路素子と対向する面
に平板状の抵抗体を設ける。
て、電波吸収体をフタに取り付けた手法では電波吸収体
の厚さが厚いためケースの高さが高くなり、高周波回路
を小型化する点で問題があった。 【解決手段】 高周波回路のフタとして、電波吸収体を
取り付けたフタのかわりにフタの回路素子と対向する面
に平板状の抵抗体を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はパッケージングさ
れた高周波回路内の空間に放射された不要な電波の伝搬
を軽減することに関する。
れた高周波回路内の空間に放射された不要な電波の伝搬
を軽減することに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はコバール系の金属または表面に金
属のめっきを施したセラミックからなるパッケージング
された高周波回路１であり、２は内部に高周波回路を実
装するケース、３はケース２の内部と外部を電気的に遮
蔽するフタ、４は高周波信号の出入口である入出力フィ
ードスルーである。尚、説明を簡単にするためバイアス
回路用のフィードスルーは省略してある。図７は図６の
断面図であり、５はケース上に半田で取り付けられた回
路素子、６は回路素子５および入出力フィードスルー４
を電気的に接続する金ワイヤである。
属のめっきを施したセラミックからなるパッケージング
された高周波回路１であり、２は内部に高周波回路を実
装するケース、３はケース２の内部と外部を電気的に遮
蔽するフタ、４は高周波信号の出入口である入出力フィ
ードスルーである。尚、説明を簡単にするためバイアス
回路用のフィードスルーは省略してある。図７は図６の
断面図であり、５はケース上に半田で取り付けられた回
路素子、６は回路素子５および入出力フィードスルー４
を電気的に接続する金ワイヤである。
【０００３】高周波回路１内では、例えば回路素子５間
の金ワイヤ６による接続が原因で不整合が生じ不要な電
波が高周波回路１内の空間に放射され空間を伝搬し回路
発振等の悪影響を及ぼすことがある。従来においては上
記問題点を解決するために図８のようにカーボニルテツ
と合成ゴムの材質からなる電波吸収体７をフタ３に接着
し、断面図でみると図９のように電波吸収体７を取り付
けた側が回路素子５と対向するようにフタ３をケース２
に接着または半田付けすることによって、高周波回路１
内で発生し高周波回路１内空間を伝搬する不要な電波を
減少させていた。
の金ワイヤ６による接続が原因で不整合が生じ不要な電
波が高周波回路１内の空間に放射され空間を伝搬し回路
発振等の悪影響を及ぼすことがある。従来においては上
記問題点を解決するために図８のようにカーボニルテツ
と合成ゴムの材質からなる電波吸収体７をフタ３に接着
し、断面図でみると図９のように電波吸収体７を取り付
けた側が回路素子５と対向するようにフタ３をケース２
に接着または半田付けすることによって、高周波回路１
内で発生し高周波回路１内空間を伝搬する不要な電波を
減少させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような電波吸収
体をフタに取り付けた手法をとる不要電波伝搬の減少方
法においては、電波吸収体の厚さが厚いためケースの高
さが高くなり、高周波回路を小型化する点で問題があっ
た。
体をフタに取り付けた手法をとる不要電波伝搬の減少方
法においては、電波吸収体の厚さが厚いためケースの高
さが高くなり、高周波回路を小型化する点で問題があっ
た。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、不要電波の伝搬を軽減する手段と
して電波吸収体を取り付けたフタを使用する場合よりも
小型化が可能な高周波回路を提案するものである。
めになされたもので、不要電波の伝搬を軽減する手段と
して電波吸収体を取り付けたフタを使用する場合よりも
小型化が可能な高周波回路を提案するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明による高周波
回路では、高周波回路を収納するケースのフタの回路素
子と対向する面に平板状の抵抗体を設ける。
回路では、高周波回路を収納するケースのフタの回路素
子と対向する面に平板状の抵抗体を設ける。
【０００７】また、第２の発明による高周波回路では、
上記フタとして誘電体基板を用い、かつ酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2 ）からなる抵抗膜でスクリーン印刷した厚膜
基板のフタを用いる。
上記フタとして誘電体基板を用い、かつ酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2 ）からなる抵抗膜でスクリーン印刷した厚膜
基板のフタを用いる。
【０００８】また、第３の発明による高周波回路では、
上記フタとして誘電体基板を用い、窒化タンタル（Ｔａ
2 Ｎ）からなる抵抗膜をスパッタリングで作成した薄膜
基板のフタを用いる。
上記フタとして誘電体基板を用い、窒化タンタル（Ｔａ
2 Ｎ）からなる抵抗膜をスパッタリングで作成した薄膜
基板のフタを用いる。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は発明の実施
の形態１を示す図で、高周波回路１の断面図である。２
は内部に回路素子を実装するケース、４は高周波信号の
出入口である入出力フィードスルー、５はケース上に半
田で取り付けられた回路素子、６は回路素子５および入
出力フィードスルー４を電気的に接続する金ワイヤ、８
は高周波回路の内部と外部を電気的に遮蔽するフタ、９
はフタ８の回路素子と対向する面に設けられた平板状の
抵抗体である。
の形態１を示す図で、高周波回路１の断面図である。２
は内部に回路素子を実装するケース、４は高周波信号の
出入口である入出力フィードスルー、５はケース上に半
田で取り付けられた回路素子、６は回路素子５および入
出力フィードスルー４を電気的に接続する金ワイヤ、８
は高周波回路の内部と外部を電気的に遮蔽するフタ、９
はフタ８の回路素子と対向する面に設けられた平板状の
抵抗体である。
【００１０】次に動作について説明する。不要な電波が
高周波回路１内の空間を伝搬する際フタ８に発生する電
流をフタ８に取り付けた抵抗体９で熱にかえる。その結
果高周波回路１内の不要電波の伝搬を減少させることが
できる。
高周波回路１内の空間を伝搬する際フタ８に発生する電
流をフタ８に取り付けた抵抗体９で熱にかえる。その結
果高周波回路１内の不要電波の伝搬を減少させることが
できる。
【００１１】実施の形態２．実施の形態２は実施の形態
１のフタ８を厚膜基板で構成したものである。次に図２
と図３を用いて厚膜基板で構成したフタの特徴を説明す
る。図２において１０は厚膜基板のフタ、１１は酸化ル
テニウム（ＲｕＯ2 ）の抵抗膜である。図３は厚膜基板
のフタ１０の断面図であり、誘電体基板１２の高周波回
路１の内側になる面のケースと接しない部分を除いた全
面に金の導体膜１３をスクリーン印刷で作成し、導体の
スクリーン印刷を施さなかった部分に酸化ルテニウム
（ＲｕＯ 2 ）の抵抗膜１１をスクリーン印刷してある。
１のフタ８を厚膜基板で構成したものである。次に図２
と図３を用いて厚膜基板で構成したフタの特徴を説明す
る。図２において１０は厚膜基板のフタ、１１は酸化ル
テニウム（ＲｕＯ2 ）の抵抗膜である。図３は厚膜基板
のフタ１０の断面図であり、誘電体基板１２の高周波回
路１の内側になる面のケースと接しない部分を除いた全
面に金の導体膜１３をスクリーン印刷で作成し、導体の
スクリーン印刷を施さなかった部分に酸化ルテニウム
（ＲｕＯ 2 ）の抵抗膜１１をスクリーン印刷してある。
【００１２】次に動作について説明する。不要な電波が
高周波回路１内の空間を伝搬する際厚膜基板のフタ１０
に発生する電流を厚膜基板のフタ１０に取り付けた酸化
ルテニウム（ＲｕＯ2 ）の抵抗膜１１で熱にかえる。そ
の結果高周波回路１内の不要電波の伝搬を減少させるこ
とができる。
高周波回路１内の空間を伝搬する際厚膜基板のフタ１０
に発生する電流を厚膜基板のフタ１０に取り付けた酸化
ルテニウム（ＲｕＯ2 ）の抵抗膜１１で熱にかえる。そ
の結果高周波回路１内の不要電波の伝搬を減少させるこ
とができる。
【００１３】実施の形態３．実施の形態３は実施の形態
１のフタ８を薄膜基板で構成したものである。次に図４
と図５を用いて薄膜基板で構成したフタの特徴を説明す
る。図４において１４は薄膜基板のフタ、１５は窒化タ
ンタル（Ｔａ2 Ｎ）の抵抗膜である。図５は薄膜基板の
フタ１４の断面図であり、誘電体基板１２の高周波回路
１の内側になる面に窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）の抵抗膜
１５をスパッタリングで作成後、誘電体基板１２全面に
金の導体膜１６を蒸着させ、さらにレジスト剤を使用し
て先に抵抗膜１５を作成した面のケースと接しない部分
のみをエッチングして抵抗膜１５を露出させている。
１のフタ８を薄膜基板で構成したものである。次に図４
と図５を用いて薄膜基板で構成したフタの特徴を説明す
る。図４において１４は薄膜基板のフタ、１５は窒化タ
ンタル（Ｔａ2 Ｎ）の抵抗膜である。図５は薄膜基板の
フタ１４の断面図であり、誘電体基板１２の高周波回路
１の内側になる面に窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）の抵抗膜
１５をスパッタリングで作成後、誘電体基板１２全面に
金の導体膜１６を蒸着させ、さらにレジスト剤を使用し
て先に抵抗膜１５を作成した面のケースと接しない部分
のみをエッチングして抵抗膜１５を露出させている。
【００１４】次に動作について説明する。不要な電波が
高周波回路１内の空間を伝搬する際薄膜基板のフタ１４
に発生する電流を薄膜基板のフタ１４に取り付けた窒化
タンタル（Ｔａ2 Ｎ）の抵抗膜１５で熱にかえる。その
結果高周波回路１内の不要電波の伝搬を減少させること
ができる。
高周波回路１内の空間を伝搬する際薄膜基板のフタ１４
に発生する電流を薄膜基板のフタ１４に取り付けた窒化
タンタル（Ｔａ2 Ｎ）の抵抗膜１５で熱にかえる。その
結果高周波回路１内の不要電波の伝搬を減少させること
ができる。
【００１５】
【発明の効果】第１の発明によれば、平板状の抵抗体を
取り付けたフタは電波吸収体を取り付けたフタよりも薄
いので、高周波回路を小型化することができる。
取り付けたフタは電波吸収体を取り付けたフタよりも薄
いので、高周波回路を小型化することができる。
【００１６】また、第２の発明によれば、抵抗膜を取り
付けた厚膜基板のフタは電波吸収体を取り付けたフタよ
りも薄いので、高周波回路を小型化することができる。
付けた厚膜基板のフタは電波吸収体を取り付けたフタよ
りも薄いので、高周波回路を小型化することができる。
【００１７】また、第３の発明によれば、抵抗膜を取り
付けた薄膜基板のフタは電波吸収体を取り付けたフタよ
りも薄いので高周波回路を小型化することができる。
付けた薄膜基板のフタは電波吸収体を取り付けたフタよ
りも薄いので高周波回路を小型化することができる。
【図１】 この発明による高周波回路の実施の形態１を
示す図である。
示す図である。
【図２】 この発明による高周波回路の実施の形態２を
示す図である。
示す図である。
【図３】 この発明による高周波回路の実施の形態２を
示す図である。
示す図である。
【図４】 この発明による高周波回路の実施の形態３を
示す図である。
示す図である。
【図５】 この発明による高周波回路の実施の形態３を
示す図である。
示す図である。
【図６】 パッケージングされた高周波回路を示す図で
ある。
ある。
【図７】 パッケージングされた高周波回路の断面図で
ある。
ある。
【図８】 電波吸収体の取り付け方法を説明するための
図である。
図である。
【図９】 パッケージングされた高周波回路に電波吸収
体を取り付けた時の断面図である。
体を取り付けた時の断面図である。
１ 高周波回路、２ ケース、３ フタ、４ 入出力フ
ィードスルー、５ 回路素子、６ 金ワイヤ、７ 電波
吸収体、８ フタ、９ 抵抗体、１０ 厚膜基板のフ
タ、１１ 抵抗膜、１２ 誘電体基板、１３ 導体膜、
１４ 薄膜基板のフタ、１５ 抵抗膜、１６ 導体膜。
ィードスルー、５ 回路素子、６ 金ワイヤ、７ 電波
吸収体、８ フタ、９ 抵抗体、１０ 厚膜基板のフ
タ、１１ 抵抗膜、１２ 誘電体基板、１３ 導体膜、
１４ 薄膜基板のフタ、１５ 抵抗膜、１６ 導体膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 コバール系の金属または金属めっきを施
したセラミックを用い、その断面が凹字状になるように
形成したケースと、上記ケースの凹部をふさぐように取
り付けられ、かつケースの内部空間と外部空間を電気的
に遮蔽するフタと、上記ケースの凹部に所定の間隔で取
り付けられ、かつ互いに電気的に接続されている回路素
子と、上記ケースの外側と内側を信号線によって電気的
に接続するため上記ケースに埋め込まれ、かつ回路素子
の一部とつながっている一対のフィードスルーとからな
る高周波回路において、上記フタの上記回路素子と対向
する面に平板状の抵抗体を設けたことを特徴とする高周
波回路。 - 【請求項２】 上記フタとして誘電体基板を用い、その
誘電体基板に上記抵抗体として酸化ルテニウム（ＲｕＯ
2 ）がスクリーン印刷してある厚膜基板によって形成し
たことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。 - 【請求項３】 上記フタとして誘電体基板を用い、その
誘電体基板に上記抵抗体として窒化タンタル（Ｔａ2
Ｎ）がスパッタリングで生成された薄膜基板によって形
成したことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28543899A JP2001110976A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28543899A JP2001110976A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110976A true JP2001110976A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17691534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28543899A Pending JP2001110976A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253567A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Kyocera Corp | 電波吸収蓋部材およびこれを用いた高周波装置 |
| JP2021086923A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置 |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28543899A patent/JP2001110976A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253567A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Kyocera Corp | 電波吸収蓋部材およびこれを用いた高周波装置 |
| JP2021086923A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置 |
| JP7296861B2 (ja) | 2019-11-28 | 2023-06-23 | 京セラ株式会社 | 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置 |
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