JP2001107008A - フラクシング接着剤 - Google Patents

フラクシング接着剤

Info

Publication number
JP2001107008A
JP2001107008A JP2000288314A JP2000288314A JP2001107008A JP 2001107008 A JP2001107008 A JP 2001107008A JP 2000288314 A JP2000288314 A JP 2000288314A JP 2000288314 A JP2000288314 A JP 2000288314A JP 2001107008 A JP2001107008 A JP 2001107008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
fluxing
epoxy resin
precursor
anhydride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000288314A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5068898B2 (ja
Inventor
Teie Wan
ティエ ワン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
QUESTECH SOLUTIONS Pte Ltd
Original Assignee
QUESTECH SOLUTIONS Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by QUESTECH SOLUTIONS Pte Ltd filed Critical QUESTECH SOLUTIONS Pte Ltd
Publication of JP2001107008A publication Critical patent/JP2001107008A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5068898B2 publication Critical patent/JP5068898B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3613Polymers, e.g. resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305Affixing by adhesive
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラクシング活性を有する改良したアン
ダーフィル接着剤を提供する。 【解決手段】 電子部品間の隙間をはんだ付けした部分
をカプセル化するために用いられる、エポキシ樹脂、或
いはエポキシ樹脂の混合物を含有する、フラクシング活
性を備えた改良アンダーフィル接着カプセル化剤であ
る。無水物を硬化剤として用いてエポキシ樹脂を硬化さ
せる。ヒドロキシル含有フラクシング前駆化合物をこの
カプセル化剤組成物に添加し、無水硬化剤と反応させ、
典型的なリフローイング条件下で活性フラクシング剤を
製造する。このフラクシング前駆物質の使用により、既
存のノーフローイング・アンダーフィルカプセル化剤で
使用される従前のフラクシング剤と比較して、信頼性が
向上する。イミダゾール、イミダゾール誘導体、或いは
金属アセチルアセトネートのような適切な触媒を、良好
な硬化動力学をもたらす濃度で、このカプセル化剤に加
える。硬化したカプセル化剤が再処理されるようにする
ために、選択的に熱可塑性プラスチックが入れられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の分野】本発明は、電子装置に関し、更に具体的
に云うと、電気的相互接続を産出するためのカプセル化
材料に関するものである。
【0002】
【発明の背景】電子装置の電気的相互接続に対しては、
通常は、ソルダー・ジョイント(はんだ付け)が用いら
れる。フリップ・チップ技術では、集積回路チップ(I
/Oチップ)が、基板の入力/出力(I/O)パッドに
ソルダー・バンプを介して電気的に接続される。これ
は、I/Oチップの前記入出力(I/O)パッド上に置
いたソルダー・バンプを溶融またはリフローイングさせ
ることによって、I/Oチップと対応する基板との相互
接続を行うソルダー・バンピング・プロセスを通して行
われる。I/Oチップと基板との間に、あるいは2枚の
基板の間に信頼性のあるソルダー相互接続を達成するた
めには、典型的には、フラクシング剤をI/Oパッドに
塗布してすべての酸化物を除去するようにする。これ
は、酸化物の存在が金属のI/Oパッドを濡らすことと
なり、その結果、取り付けの際にジョイントを弱体化し
てしまうからである。適切なはんだ付けをした後に、洗
浄してフラクシング剤を除去し、その後、充填物材料を
塗布してI/O装置と基板の間の隙間を埋め、パッケー
ジを損傷から保護する。この材料は、一般に、アンダー
フィル・カプセル化材料として知られている。
【0003】一般的に、カプセル化材料は、エポキシの
ような熱硬化性プラスチックで作られる。エポキシ樹脂
には、ビスフェノール・タイプ、脂環タイプ、そして、
ノボラック・タイプの、3種類の一般的なタイプがあ
る。一般的に、化学的特性および硬化反応は、Lee, H.
及び Neville K.著の「Handbook of Epoxy Resin」(エ
ポキシ樹脂の手引書)と, 「McGraw Hill Book, New Yo
rk, 1987」(1987年ニューヨーク版マグローヒル大辞
典)に開示されている。
【0004】パッケージングを行う際に伴う工程数を減
らすために、フラクシング剤を含有するアンダーフィル
・カプセル化材料を使用することは既に知られていると
ころである。この「ノーフローイング」アンダーフィル
を利用すれば、個別のフラクシング工程とそれに続く清
掃工程を除くことができる。それどころか、「ノーフロ
ーイング」アンダーフィルは、米国特許第5,128,
746号に開示されているように、フラクシング工程と
カプセル化工程とを結合するのである。
【0005】さらに、WO99/03597も、中和剤
と組み合わせてフラクシング剤として、アクリル酸また
はメタクリル酸を使用することを開示している。このフ
ラクシング剤は、樹脂接着剤系と選択的に組み合わされ
て、熱硬化性接着剤組成物を形成する。フラクシング剤
としては、通常は有機酸が使用されるが、接着剤の硬化
動力学と組み合わせた場合の有機酸のレドックス活性の
動力学は、充分に特徴づけられてはいない。フラクシン
グ剤は、はんだ付け工程の前とかその最中に、良好なフ
ラクシング活性を維持していなければならないし、適切
なフラクシング及びはんだ付けが完了した後にだけ硬化
が生じるように、硬化速度も適切に制御しなければなら
ない。しかしながら、便利よく使用するためには、未硬
化のカプセル化剤に、かなり長期の保管寿命を持たせな
ければならない。さらには、接着剤を再処理できること
が理想的であろう。そして最後に、フラクシング剤に
は、後に続くソルダー・ジョイント(はんだ付け)に影
響を及ぼす可能性のある残留活性があってはいけない。
【0006】
【発明の概要】故に、本発明の目的は、フラクシング活
性を有する改良したアンダーフィル接着剤を提供するこ
とにある。したがって、本発明の1つの目的は、エポキ
シ樹脂、あるいはエポキシ樹脂混合物を含有するノーフ
ローイング・アンダーフィル・カプセル化剤(no-flowi
ngunderfill encapsulant)を提供するものである。エ
ポキシ樹脂を硬化させる硬化剤として、無水物を使用す
る。もう1つ別の目的においては、ヒドロキシル含有フ
ラクシング前駆物質(fluxing precursor)をカプセル
化剤組成物に添加し、無水硬化剤と反応させ、典型的な
リフローイング(reflowing)状態の下に活性のあるフ
ラクシング剤を生成することである。フラクシング前駆
物質を使用することで、既存のノーフローイング・アン
ダーフィル・カプセル化剤で使用される従来のフラクシ
ング剤と比較して、信頼性が向上する。イミダゾール、
イミダゾール誘導体、あるいは金属アセチルアセトネー
トのような適切な触媒を、良好な硬化動力学をもたらす
濃度で本発明のカプセル化剤に加える。さらに別の局面
としては、硬化後のカプセル化剤が再処理されるよう
に、熱可塑性物質も選択的に含められる。
【0007】組成物は表面へ直接塗布し、その上に、電
気的相互接続のためのI/Oパッドを置く。この表面
は、基板であり、プリント回路板であり、あるいは、接
着やフラクシングが所望されるその他任意の材料の表面
であり得る。次に、はんだ付けの材料を含んだ装置をカ
プセル化材料上におき、リフローイングさせる。好まし
い実施例によれば、ビスフェノール・タイプ・エポキシ
および脂環タイプ・エポキシの混合物物を樹脂として使
用する。金属アセチルアセトネートあるいはイミダゾー
ル誘導体を触媒として使用する。硬化剤としては、無水
物を使用する。活性フラクシング剤を形成するためにリ
フローイング状態の下で無水物誘導体と反応するのに用
いられるヒドロキシル含有フラクシング前駆物質は、グ
リセリンである。
【0008】
【本発明の説明】以下に、本発明の基礎をなす原理を実
現するための実施例を詳細に説明する。しかしながら、
当業者であれば、以下の説明は発明を例示しているにす
ぎず、ここで説明する原理を限定するものとして述べら
れているものではないことは、承知であろう。後述する
説明において、そしてクレームにおいて使用する、「含
む」、「有する」、「包含する」なる用語は、幅広い解
釈のできる仕方で使用されているものであり、したがっ
て、「制限するつもりはないが、〜を包含する」という
ことを意味する、と解釈されるべきである。
【0009】エポキシには、以下の3つの一般的なタイ
プがある。 ビスフェノールA及びビスフェノールFを含むビス
フェノール・タイプ。 脂環タイプ。 そして、 クレゾール・ノボラック及びフェノール・ノボラッ
クを含むノボラック・タイプ。
【0010】本発明によるカプセル化材料は、上記タイ
プのエポキシのうちの1つを含み、好ましくは、上記タ
イプのエポキシのうち2つの混合物を含む。異なるタイ
プのエポキシを使って作る混合物は、硬化動力学に対す
る制御を向上させ、特に、電子パッケージ用のカプセル
化材料として有用である。全体で100gの混合物に対
しては、第1タイプのエポキシが20〜80gであり、
残量を第2タイプのエポキシとする。最適な混合物は、
Union Carbide社製のERL4221のような脂環タイ
プ・エポキシと組み合わせた、Shell Corporation社製
PON8281のようなビスフェノール(AまたはF)
である。EPON8281 対 ERL4221の比率
は、好ましくは、3:7、あるいは、7:3である。
【0011】好ましい硬化剤(curing agent)(この技
術分野ではhardenerとも呼ばれる)は、100gのエポ
キシ混合物当り70〜120g、好ましくは75〜85
gの濃度の、テトラヒドロフタル、メチルテトラヒドロ
フタル、メチル・エンドメチレンテトラヒドロフタル、
或いはヘキサヒドロフタル無水物のような無水物であ
る。本発明においては、無水物は、硬化剤として作用す
るばかりでなく、フラクシング前駆物質を活性フラクシ
ング化合物に変換するエステル化反応のための反応物と
しても作用する。
【0012】硬化プロセスのための触媒としては、イミ
ダゾール、金属アセチルアセトネート、又はイミダゾー
ル誘導体がある。好ましい触媒は、100gのエポキシ
混合物当り0.36〜0.9g、好ましくは0.7〜0.8
gの濃度のコバルト(II)アセチルアセトネートであ
る。他の好ましい触媒は、100gのエポキシ混合物当
り0.18〜0.54g、好ましくは、0.18〜0.24
gの濃度の2PHZ、又は、C11Z−CNSのような
イミダゾール誘導体である。イミダゾール、2PHZ及
びC11Z−CNSの構造は、図1(A)〜(C)に示して
ある。
【0013】フラクシング前駆物質は、エステル化反応
において、無水物又は前述の無水物と反応する任意のヒ
ドロキシル含有化合物で、適切な条件下で酸を形成す
る。前駆物質は、一般式R−OHを有しており、ここ
で、Rは、限定するつもりはないが、脂肪族または置換
脂肪族、芳香族、または置換芳香族を含む任意のグルー
プであり得る。具体例としては、限定するつもりはない
が、グリセリン、グリコール、ポリ(エチレングリコー
ル)、又はポリ(プロピレングリコール)がある。
【0014】フラクシング前駆物質は、たとえば−20
℃から室温までの保管条件の下で、安定した、反応しな
い状態で、あるいは反応がゆっくりした状態であって、
たとえば150℃といったリフローイング状態下で、無
水物と反応するようになり、適量の酸を形成する。カプ
セル化材料内の前駆物質の濃度は、フラクシングの要求
される速度と、選択したソルダー合金と、基板金属被覆
システムとに依る。好ましい前駆物質は、濃度が100
gのエポキシ樹脂混合物当り1〜5g、好ましくは3〜
5g、のグリセリンである。また、別の例の前駆物質と
しては、濃度が100gのエポキシ樹脂混合物あたり1
〜5g、好ましくは3〜5g、のグリコールがある。
【0015】以下の実施例は、本発明の原理を例示する
ものであり、クレームを不当に制限するつもりはない。
一例として、基板上へチップをはんだ付けするためのカ
プセル化プロセスを使用する。ここで、このプロセス
が、別の組合せの電気部品のリフローイングはんだ付け
や、カプセル化にも使用し得ることは了解されたい。
【0016】(実施例A)フラクシング前駆物質を含有
するカプセル化材料は、表1の配合に従って調製する。
【表1】 実施例Aのカプセル化剤を製造するためには、EPON
8281、ERL4221およびヘキサヒドロ−4−メ
チルフタル無水物を、50℃で均質に混ぜ合わせ、その
後、同じ温度でACACを添加する。次いで、この混合
物にグリセリンを添加する。このカプセル化剤は、カプ
セル化・フラクシング・プロセスに影響を与えないで、
正常なリフローイング条件下で、−20℃で少なくとも
6ヶ月、あるいは、室温で24時間まで保管され得る。
カプセル化のためには、カプセル化剤を、入力/出力メ
タライゼーションを含む基板表面上へ計量分配する。ソ
ルダー・バンプを有する集積回路(I/O)チップをピ
ックアップし、計量分配されたカプセル化剤上に置き、
ソルダー・バンプが、対応する基板I/Oパッド上に直
接位置するようにする。リフローイングは、この技術分
野で知られる通常のリフローイング・プロファイルの下
に行なうことができる。これに続いて、30分間150
℃の、後硬化工程を実施する。
【0017】(実施例B)フラクシング前駆物質を含有
するカプセル化材料を、表2の配合に従って調製する。
【表2】 実施例Bカプセル化剤を製造するには、EPON828
1、ERL4221、及び、1,2シクロヘキサンジカ
ルボン酸無水物を50℃で均質に混ぜ合わせ、その後、
均一に分散するまで、2PHZを同じ温度で添加する。
次に、グリセリンをこの混合物に添加する。このカプセ
ル化剤は、正常なリフローイング条件下で、カプセル化
・フラクシング・プロセスに影響しないように、−20
℃で少なくとも6ヶ月、室温で24時間まで保管され得
る。カプセル化は、実施例Aと同じ条件下で実施され
る。
【0018】(実施例C)フラクシング前駆物質を含有
するカプセル化材料は、表3の配合で調製する。
【表3】 実施例Cカプセル化剤を製造するためには、EPON8
281、ERL4221およびヘキサヒドロ−4−メチ
ルフタル無水物を、50℃で均質に混ぜ合わせて、その
後、混合物の温度を100℃まで上げ、そこにPPVA
(熱可塑性プラスチック)溶解させる。次いで、混合物
を50℃までクールダウンさせ、この混合物にACAC
を均一に混ぜ合わせる。次に、混合物を室温まで冷却し
てから、グリセリンを添加する。このカプセル化剤は、
正常なリフローイング条件下で、カプセル化・フラクシ
ング・プロセスに影響を与えないように、−20℃で少
なくとも6ヶ月、室温で24時間まで格納され得る。カ
プセル化は、実施例Aと同じ条件下に実施される。後硬
化工程に先立って、250〜300℃、好ましくは25
0℃程で、再処理を行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)はイミダゾールの化学構造式を示す図、
(B)は2PHZの化学構造式を示す図、(C)はC11Z
−CNSの化学構造式を示す図である。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子部品と基板のリフローイングはんだ
    付けに使用する接着剤であって、前記接着剤が、 少なくとも1種類のエポキシ樹脂と、 本質的に無水物からなる硬化剤と、 前記エポキシの硬化反応のための触媒と、 前記部品または前記基板からコーティング酸化物を除去
    するに充分なフラクシング活性を有する化合物を形成す
    るために前記無水物と反応することのできるフラクシン
    グ前駆物質と、 を包含することを特徴とする接着剤。
  2. 【請求項2】 前記前駆物質は、ヒドロキシル含有有機
    化合物であることを特徴とする請求項1に記載の接着
    剤。
  3. 【請求項3】 前記前駆物質は、一般式R−OH(R
    は、脂肪族、置換脂肪族、置換芳香族のグループであ
    る)の有機化合物であることを特徴とする請求項1に記
    載の接着剤。
  4. 【請求項4】 前記前駆物質は、グリセリン、グリコー
    ル、ポリ(エチレングリコール)またはポリ(プロピレ
    ングリコール)であることを特徴とする請求項1に記載
    の接着剤。
  5. 【請求項5】 前記前駆物質は、グリセリンであること
    を特徴とする請求項1に記載の接着剤。
  6. 【請求項6】 前記前駆物質は、100gのエポキシ樹
    脂につき0.5〜5gの量のグリセリンであることを特
    徴とする請求項1に記載の接着剤。
  7. 【請求項7】 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール・
    タイプ、脂環タイプおよびノボラック・タイプからなる
    グループから選択した2つのタイプの混合物であること
    を特徴とする請求項1に記載の接着剤。
  8. 【請求項8】 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール・
    タイプ、脂環タイプおよびノボラック・タイプからなる
    グループから選択した2つのタイプの混合物であり、そ
    して、前記前駆物質が、100gのエポキシ樹脂混合物
    につき0.5〜5gの量のグリセリンであることを特徴
    とする請求項1に記載の接着剤。
  9. 【請求項9】 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノールA
    樹脂と脂環化合物の、3:7〜7:3の混合物であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の接着剤。
  10. 【請求項10】 前記無水硬化剤は、ヘキサヒドロ−4
    −メチルフタル無水物、又は、1,2シクロヘキサンジ
    カルボン酸無水物であることを特徴とする請求項1に記
    載の接着剤。
  11. 【請求項11】 前記触媒は、イミダゾール、イミダゾ
    ール誘導体または金属アセチルアセトネートであること
    を特徴とする請求項1に記載の接着剤。
  12. 【請求項12】 前記触媒は、2PHZまたはC11Z
    −CNSであることを特徴とする請求項1に記載の接着
    剤。
  13. 【請求項13】 前記触媒は、コバルト(II)アセチル
    アセトネートであることを特徴とする請求項1に記載の
    接着剤。
  14. 【請求項14】 さらに、熱可塑性樹脂を包含すること
    を特徴とする請求項1に記載の接着剤。
  15. 【請求項15】 前記熱可塑性物質は、ポリ(1−ビニ
    ル)ピロリドン共酢酸ビニルであることを特徴とする請
    求項12に記載の接着剤。
  16. 【請求項16】 前記熱可塑性物質は、100gのエポ
    キシ樹脂またはエポキシ樹脂混合物につき5〜10gの
    量であることを特徴とする請求項12に記載の接着剤。
  17. 【請求項17】 少なくとも1種類のエポキシ樹脂の入
    ったカプセル化剤と、本質的に無水物からなる硬化剤
    と、前記エポキシの硬化反応のための触媒と、前記無水
    物と反応して電子部品あるいは基板からコーティング酸
    化物を除去するに充分なフラクシング活性を有する化合
    物を形成するために前記無水物と反応することのできる
    フラクシング前駆物質と、を使用して、第1及び第2の
    電子部品間のソルダー・ジョイント(はんだ付け)を封
    入してカプセル化する方法であって、前記第1部品は少
    なくとも一側面にソルダー・バンプを有し、前記方法
    が:前記第2部品の入力/出力パッド上へ前記カプセル
    化剤を計量分配する工程と、前記ソルダー・バンプが前
    記パッドと接触するようにして前記第1部品を前記第2
    部品上に設置する工程と、前記第1及び第2部品間に信
    頼性のある電気的相互接続が得られるように前記ソルダ
    ー・バンプをリフローイングする工程と、前記相互接続
    した部品を冷却する工程と、を包含することを特徴とす
    る方法。
  18. 【請求項18】 前記カプセル化剤は更に熱可塑性物質
    を包含し、前記方法が、更に、前記リフローイング工程
    の後に、前記第1部品を前記第2部品から取り外す再処
    理工程を含んでいることを特徴とする請求項17に記載
    の方法。
JP2000288314A 1999-09-24 2000-09-22 フラクシング接着剤 Expired - Fee Related JP5068898B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG9904732-6 1999-09-24
SG9904732A SG97811A1 (en) 1999-09-24 1999-09-24 Fluxing adhesive

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001107008A true JP2001107008A (ja) 2001-04-17
JP5068898B2 JP5068898B2 (ja) 2012-11-07

Family

ID=20430432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000288314A Expired - Fee Related JP5068898B2 (ja) 1999-09-24 2000-09-22 フラクシング接着剤

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6467676B1 (ja)
JP (1) JP5068898B2 (ja)
SG (1) SG97811A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075338A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application
JP2006334669A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp フラクシング組成物
JP2007016127A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Sekisui Chem Co Ltd エポキシ系接着剤組成物及び接合方法
CN108472771A (zh) * 2016-01-15 2018-08-31 千住金属工业株式会社 助焊剂

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866741B2 (en) * 2001-01-08 2005-03-15 Fujitsu Limited Method for joining large substrates
US6800169B2 (en) * 2001-01-08 2004-10-05 Fujitsu Limited Method for joining conductive structures and an electrical conductive article
US6926190B2 (en) * 2002-03-25 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Integrated circuit assemblies and assembly methods
US20030221770A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 3M Innovative Properties Company Segmented curable transfer tapes
US7713604B2 (en) 2002-06-17 2010-05-11 3M Innovative Properties Company Curable adhesive articles having topographical features therein
US7064163B2 (en) * 2002-09-04 2006-06-20 Msi Technology Llc Polyolefin-based adhesive resins and method of making adhesive resins
US20050181214A1 (en) * 2002-11-22 2005-08-18 John Robert Campbell Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom
US20060147719A1 (en) * 2002-11-22 2006-07-06 Slawomir Rubinsztajn Curable composition, underfill, and method
US20040102529A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Campbell John Robert Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby
US20040101688A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Slawomir Rubinsztajn Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom
US7247683B2 (en) * 2004-08-05 2007-07-24 Fry's Metals, Inc. Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices
CN101065444A (zh) * 2004-08-05 2007-10-31 福莱金属公司 用于电子器件的低成洞性非流动助熔底部填充剂
US7405246B2 (en) * 2005-04-05 2008-07-29 Momentive Performance Materials Inc. Cure system, adhesive system, electronic device
US7446136B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device
US7334323B2 (en) * 2005-07-11 2008-02-26 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making mutilayered circuitized substrate assembly having sintered paste connections
US20070095432A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-03 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Fluxing compositions containing benzotriazoles
DE602006021236D1 (de) * 2006-04-28 2011-05-19 Telecom Italia Spa Tintenstrahldruckkopfplatte und herstellungsverfahren dafür
US8536458B1 (en) 2009-03-30 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Fine pitch copper pillar package and method
TW201233724A (en) * 2011-02-15 2012-08-16 Everlight Chem Ind Corp Resin composition
US8492893B1 (en) 2011-03-16 2013-07-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device capable of preventing dielectric layer from cracking
JP5218686B2 (ja) * 2011-08-08 2013-06-26 Jsr株式会社 フラックス組成物、電気的接続構造の形成方法、電気的接続構造および半導体装置
JP5799694B2 (ja) 2011-09-12 2015-10-28 日立化成株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
US9607916B2 (en) * 2012-04-05 2017-03-28 Mektec Manufacturing Corporation (Thailand) Ltd Encapsulant materials and a method of making thereof
US9548252B2 (en) 2013-11-19 2017-01-17 Raytheon Company Reworkable epoxy resin and curative blend for low thermal expansion applications

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04280443A (ja) * 1990-09-27 1992-10-06 Motorola Inc 熱硬化可能な接着剤およびこれを用いた電気的コンポーネント組立体
JPH05283455A (ja) * 1991-09-16 1993-10-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> はんだ相互接続、無クラック寿命延長方法及び組成物

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8322399D0 (en) * 1983-08-19 1983-09-21 Ici Plc Coating compositions
EP0384896A1 (de) * 1989-02-24 1990-08-29 Ciba-Geigy Ag Zähe Epoxidgiessharze
US5121190A (en) * 1990-03-14 1992-06-09 International Business Machines Corp. Solder interconnection structure on organic substrates
US5471027A (en) 1994-07-22 1995-11-28 International Business Machines Corporation Method for forming chip carrier with a single protective encapsulant
US5821456A (en) * 1996-05-01 1998-10-13 Motorola, Inc. Microelectronic assembly including a decomposable encapsulant, and method for forming and reworking same
US5700581A (en) 1996-06-26 1997-12-23 International Business Machines Corporation Solvent-free epoxy based adhesives for semiconductor chip attachment and process
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6017634A (en) 1997-07-21 2000-01-25 Miguel Albert Capote Carboxyl-containing polyunsaturated fluxing agent and carboxyl-reactive neutralizing agent as adhesive
US6059894A (en) 1998-04-08 2000-05-09 Hewlett-Packard Company High temperature flip chip joining flux that obviates the cleaning process
US6235865B1 (en) * 1998-07-02 2001-05-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphonium borate compound, making method, curing catalyst, and epoxy resin composition
KR100563509B1 (ko) * 1998-09-25 2006-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층 필름 및 반도체 장치
US6194788B1 (en) * 1999-03-10 2001-02-27 Alpha Metals, Inc. Flip chip with integrated flux and underfill

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04280443A (ja) * 1990-09-27 1992-10-06 Motorola Inc 熱硬化可能な接着剤およびこれを用いた電気的コンポーネント組立体
JPH05283455A (ja) * 1991-09-16 1993-10-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> はんだ相互接続、無クラック寿命延長方法及び組成物

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075338A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application
US7037399B2 (en) 2002-03-01 2006-05-02 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application
JP2006334669A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Natl Starch & Chem Investment Holding Corp フラクシング組成物
JP2007016127A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Sekisui Chem Co Ltd エポキシ系接着剤組成物及び接合方法
CN108472771A (zh) * 2016-01-15 2018-08-31 千住金属工业株式会社 助焊剂
CN108472771B (zh) * 2016-01-15 2019-05-28 千住金属工业株式会社 助焊剂
US11571772B2 (en) 2016-01-15 2023-02-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Flux

Also Published As

Publication number Publication date
US6467676B1 (en) 2002-10-22
JP5068898B2 (ja) 2012-11-07
SG97811A1 (en) 2003-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5068898B2 (ja) フラクシング接着剤
TW543166B (en) Wafer applied fluxing and underfill material, and layered electronic assemblies manufactured therewith
CN1307713C (zh) 填充有不流动的底层填料的电子组件及其制造方法
US5704116A (en) Method of holding a component using an anhydride fluxing agent
KR101175482B1 (ko) 플립 칩 실장 방법 및 범프 형성 방법
KR101139050B1 (ko) 범프 형성 방법 및 땜납 범프
EP1461829B2 (en) Dual cure b-stageable underfill for wafer level
US20010025673A1 (en) Composition for increasing activity of a no-clean flux
JPH0666359B2 (ja) ハンダ相互結合物構造とその製造方法
WO2000054322A1 (en) Flip chip with integrated flux and underfill
JP2006114865A (ja) フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装体
KR20030028454A (ko) 플럭싱 언더필 조성물
JP2008109009A (ja) 半導体装置の製造方法
US6971163B1 (en) Adhesive and encapsulating material with fluxing properties
CN103515276A (zh) 胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置
US20170042043A1 (en) Fluxing-encapsulant material for microelectronic packages assembled via thermal compression bonding process
JP2011176050A (ja) 半導体部品の実装方法及び半導体部品の実装構造
JP3948289B2 (ja) 電子部品実装方法
US20050012208A1 (en) Method of surface-mounting semiconductor chip on PCB
JP3732148B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2004174574A (ja) 半田ペースト及びそれを用いた半導体装置の組立方法
JP2002293883A5 (ja)
JP5234029B2 (ja) 無洗浄活性樹脂組成物及び表面実装技術
JP2001298146A (ja) 多層配線基体の製造方法および多層配線基体
JP2001302765A (ja) 封止充填剤用液状エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110118

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110331

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110715

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120718

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120816

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5068898

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees