JP2001093131A - 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高保磁力、低ノイズを有する磁気記録媒体の提
供。 【解決手段】基板上に、Ｃｏ合金層の組成として少なく
ともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを有し、Ｂの含有率が３．５
〜６ａｔ％であることを特徴とする磁気記録媒体で解決
することができる。Ｃｏ合金結晶の平均粒径が５〜１５
Åであることを特徴とした磁気記録媒体で解決できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、、上記
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリングターゲ
ット、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置などに用いられる磁
気記録媒体は、基本的に以下の構成になっている。Ａｌ
合金の上にＮｉ−Ｐ無電解メッキした基板やガラスの基
板の上にスパッター法で、ＣｒもしくはＣｒＷ、ＣｒＭ
ｏなどのＣｒ合金をＣｏ合金層の結晶配向用の非磁性下
地層として成膜し、その上に磁性層としてＣｏ合金の薄
膜を成膜する、さらに保護膜としてカーボン等を成膜
し、潤滑剤を必要に応じて塗布する。Ｃｏ合金層は、記
録密度の向上にしたがって高い保磁力が要求されてきて
おり、１９９０年ごろは１０００エルステッド程度だっ
た保磁力が現在では３０００エルステッドを超えるもの
が実用になっている。今後のより高記録密度に対応する
ため、より高い保磁力が要求されている。

【０００３】Ｃｏ合金層の保磁力はスパッター条件、ま
たは下地層の種類もしくは条件によって変わるが、基本
的には合金組成によって支配されると考えられる。Ｃｏ
合金層としていくつかの合金が提案されてきた。特開平
１−２５６０１７号公報や米国特許５０４９４５１号公
報にＣｏＣｒＰｔＴａ系の４元系合金よりなる磁性層を
特徴とする磁気記録媒体が開示されている。また特開平
４−２２１４１８号公報にはＣｏＣｒＰｔＢ系の４元系
合金よりなる磁性層を特徴とする磁気記録媒体が開示さ
れている。また特開平５−１８９７３８号公報にはＣｏ
ＣｒＰｔＴａＢ系の５元系合金からなる磁性層を特徴と
する磁気記録媒体が開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体は、高記
録密度に見合った保磁力を有し、電磁変換特性に優れて
いることが求められている。電磁変換特性の重要な項目
の一つとして、Ｓｉｇｎａｌ Ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａ
ｔｉｏ（以下「ＳＮＲ」という。）がある。すなわち、
高い残留磁化（以下「高Ｂｒ」という。）および低ノイ
ズの特性が優れていることが求められている。

【０００５】従来、記録密度に見合った大きさまで保磁
力を高めるために、Ｃｏ合金中のＰｔの量を増やして対
応してきた。一方、単に保磁力を高めると、磁気交換作
用が強くなり磁区同士の分離が難しくなり、ノイズが高
くなった。ノイズを低くするためには、Ｃｏ合金の結晶
粒径を小さくして、結晶粒界に非磁性物を析出させて結
晶粒をより孤立化させれば良いことが知られており、そ
のために結晶粒界に偏析しやすいＣｒの添加量を増やし
て対応してきた。ところが、ＰｔおよびＣｒの添加量が
増加すると、たとえばＰｔが１０ａｔ％（原子％比率）
を越えＣｒが２０ａｔ％を越すと、ＣｏＣｒＰｔＴａ合
金の実質的に重要な特性である残留磁化は急激に小さく
なり記録媒体として使用できなくなる状況があった。

【０００６】たとえば、特開平４−２２１４１８号公報
に開示されているＣｏＣｒＰｔＢ系の４元系合金よりな
る磁性層を特徴とする磁気記録媒体は、保磁力は３３０
０エルステッド（Ｏｅ）程度であり高記録密度には不十
分であると考える。さらに、記録媒体として実用性を判
断するＳ＊（「エススター」）、ＳＮＲについての開示
はなく実際に我々が実験してみると、高記録密度（１５
０ｋＦＣＩ（ｋｉｒｏ−Ｆｌｕｘ Ｃｈａｎｇｅ ｐｅ
ｒ Ｉｎｃｈ））においては、十分なＳ＊、ＳＮＲが得
られなかった。また特開平５−１８９７３８号公報に開
示されているＣｏＣｒＰｔＴａＢ系の５元系合金からな
る磁性層を特徴とする磁気記録媒体も保磁力がたかだか
２０００エルステッドでありより高記録密度に対しては
不十分であることが想定される。

【０００７】以上のことより、今後の高い記録密度に対
応するために、高い記録密度に対応したより高い保磁力
を有し、高Ｂｒで低ノイズすなわち高いＳＮＲを有して
実用に供される磁気記録媒体が求められている。

【０００８】本発明の目的は、これらの状況を鑑みて、
高Ｂｒで低ノイズすなわち高いＳＮＲを有し、より高い
保磁力を有し今後の高記録密度に適した磁気記録媒体を
得ることにある。また、その製造方法、この磁気記録媒
体を容易に製造することができるスパッタリングターゲ
ット、およびＳＮＲ特性にさらに優れた磁気記録再生装
置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｃｏ合金
結晶粒の平均粒径とノイズの関係、Ｂ添加による結晶粒
径の制御の可能性を見出し、この知見に基づいて本発明
に至った。

【００１０】１）上記課題を解決するための、第１の発
明は、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層とＣｏ
合金層を有する磁気記録媒体において、Ｃｏ合金層の組
成として少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを有し、Ｂの
含有率が３．５〜６ａｔ％であり、保磁力が４５００エ
ルステッド以上である特徴を有する磁気記録媒体であ
る。

【００１１】２）上記課題を解決するための、第２の発
明は、Ｃｏ合金層の組成としてＰｔおよびＣｒの含有率
［ａｔ％］が１０≦Ｐｔ≦２６、およびＣｒ≦２３の範
囲において、ＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］が次の
式（１）〜（５）全てを満足することを特徴とする上記
１）に記載の磁気記録媒体である。

【００１２】 式（１） Ｐｔ≧−Ｃｒ−０．２３×（Ｂ−３）²＋３０ 式（２） Ｐｔ≦−Ｃｒ−２×Ｂ＋５２ 式（３） Ｐｔ≦１２×Ｂ−２０ 式（４） Ｃｒ≧−１．６×Ｂ＋２１ 式（５） Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２

【００１３】３）上記課題を解決するための、第３の発
明は、上記２）に記載の磁気記録媒体において、式
（５）を次の式（５ａ）としたことを特徴とする磁気記
録媒体。式（５ａ） Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５１

【００１４】４）上記課題を解決するための、第４の発
明は、Ｃｏ合金結晶の平均粒径が５０〜１５０Åである
ことを特徴とする上記１）〜３）のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体である。

【００１５】５）上記課題を解決するための、第５の発
明は、Ｃｏ合金層の組成としてＴａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈ
ｏ、Ｔｂのいずれか１つ、または２つ以上を含有してい
ることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか１項に記
載の磁気記録媒体である。

【００１６】６）上記課題を解決するための、第６の発
明は、Ｔａの含有率が１〜３ａｔ％、Ｚｒの含有率が１
〜３ａｔ％、Ｃｅの含有率が１〜５ａｔ％、Ｈｏの含有
率が１〜５ａｔ％、Ｔｂの含有率が１〜５ａｔ％である
ことを特徴とする上記５）に記載の磁気記録媒体であ
る。

【００１７】７）上記課題を解決するための、第７の発
明は、非磁性下地層とＣｏ合金層との間に非磁性中間層
としてＣｏＣｒ合金層を有することを特徴とする上記
１）〜６）のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体で
ある。

【００１８】８）上記課題を解決するための、第８の発
明は、ＣｏＣｒ合金層のＣｒ含有率が３３〜４０ａｔ％
であることを特徴とする上記７）記載の磁気記録媒体で
ある。

【００１９】９）上記課題を解決するための、第９の発
明は、ＣｏＣｒ合金層のＣｒ含有率が２５〜５０ａｔ％
であることを特徴とする上記７）記載の磁気記録媒体で
ある。

【００２０】１０）上記課題を解決するための、第１０
の発明は、上記１）〜９）のいずれか１項に記載の磁気
記録媒体のＣｏ合金層を作製するために用いられるスパ
ッタリングターゲットであって、少なくともＣｒ、Ｐ
ｔ、およびＢを含み、Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％で
ある材料からなるものであることを特徴とするスパッタ
リングターゲットである。

【００２１】１１）上記課題を解決するための、第１１
の発明は、非磁性基板上に非磁性下地層を形成する工程
と、その上にＣｏ合金層を形成する工程とを含む磁気記
録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金層の材料として少
なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを含み、Ｂの含有率が
３．５〜６ａｔ％であるスパッタリングターゲットを用
いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。

【００２２】１２）上記課題を解決するための、第１２
の発明は、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記
録再生する磁気ヘッドとを備えた、磁気記録再生装置で
あって、磁気記録媒体が上記１）〜９）のいずれか１項
に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録
再生装置である。

【００２３】なお、本明細書中では原子％をａｔ％とも
記述する。また、１［ｎｍ］＝１０［Å］である。ま
た、１［Ｔｏｒｒ］≒１３３［Ｐａ］である。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
非磁性基板Ｓ上に非磁性下地層１、Ｃｏ合金層２、保護
膜３、潤滑膜４を順次形成したものである。

【００２５】非磁性基板としては、磁気記録媒体用基板
として一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形成されたア
ルミニウム合金基板（以下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」
ともいう。）、ガラス基板、セラミック基板、可撓性樹
脂基板、またはこれらの基板にＮｉＰまたは他の合金を
メッキあるいはスパッタ法により蒸着させた基板等を用
いることができる。

【００２６】また、基板Ｓの表面には、より良好な電磁
変換特性、より高い保磁力を得るなどの目的でテクスチ
ャ処理を施してもよい。

【００２７】非磁性基板Ｓ上に非磁性下地層１、Ｃｏ合
金層２を形成するには、磁気記録媒体を製造する従来公
知の方法、たとえばスパッター法による金属膜の形成方
法を用いることができる。成膜を効率良く安定に行うた
めに必要に応じて成膜時に基板にバイアスを−２００〜
４００［Ｖ］印可することができる。

【００２８】非磁性下地層１としては、従来公知である
非磁性下地層、たとえばＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔ
ａ、Ｗなどの単一組成膜、またはこれらの主成分の結晶
性を損なわない範囲で他の元素をこれらに含有させた合
金からなる膜を使用できる。非磁性下地層１の働きはＣ
ｏ合金層２の結晶配向を制御することにあり、なかでも
特に、Ｃｒ単一組成、またはＣｒにＭｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｎｂのうち１種または２種以上を含有させた材料を
用いるのが好ましい。上記材料を用いる場合、その組成
は、ＣｒｚＹとするのが好ましい。ここでＹ＝Ｍｏ、
Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｎｂのうち１種または２種以上とする。
Ｙの含有量（ｚ）は、２０ａｔ％以下とするのが好まし
い。１０ａｔ％とするのがより好ましい。この含有量が
２０ａｔ％を越えると、非磁性下地層１の上に形成され
るＣｏ合金層２の配向性が悪くなり、保磁力、ノイズ特
性が悪くなる。

【００２９】また非磁性下地層１の結晶粒径がＣｏ合金
層２の結晶粒径に影響する場合がある。下地層１の結晶
粒径を細かくする場合は、ＢやＺｒ, Ｔａなどを下地層
１のＣｒ、Ｃｒ合金に添加することで可能である。

【００３０】下地層１の膜厚は、所定の保磁力が得られ
る範囲であれば制限されるものではない。この厚さは、
１００〜１０００Åが好ましい範囲であり、１５０〜７
００Åとするとさらに好ましい。下地層１膜厚が１００
Å未満の場合には、保磁力の向上効果が確認できず、１
０００Åを越えるとＳＮＲが悪くなる。

【００３１】さらに下地層１は、単層構造をなすものと
しても良いし、多層構造をなすものとしても良い。多層
構造の場合、材料は上述したもののうち互いに同一また
は異なる組成を積層したものとすることができる。たと
えば、Ｃｒ層の上にＣｒＭｏ合金層（Ｍｏ含有量１０ａ
ｔ％以下）、Ｃｒの上にＣｒＷ合金層（Ｗ含有量３０ａ
ｔ％以下）などを用いることが出来る。

【００３２】Ｃｏ合金層２は、Ｃｏ合金層の組成として
少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを有し、Ｂの含有率を
３．５〜６ａｔ％とすることが必要であり、保持力をよ
り高める、Ｓ＊をより高めるあるいはより良いＳＮＲを
得るためには４〜６ａｔ％であることがより好ましい。

【００３３】ここで、Ｃｏ合金層中のＢの添加率が３．
５ａｔ％未満では保磁力は十分高くなるが、急激にＳＮ
Ｒが悪化する。逆に、Ｃｏ合金層中のＢの含有量量が６
ａｔ％を越えると、飽和磁化は緩やかにしか減少しない
が、Ｓ＊は急激に減少して好ましい値である０．７を越
えることができない。

【００３４】Ｃｏ合金層２の膜厚は、従来一般に用いら
れているＢｒｄ（残留磁化と膜厚の積［Ｇμｍ］）のパ
ラメータで３０〜１００［Ｇμｍ］の範囲で、所定の記
録再生信号出力が得られるように調整することができ
る。

【００３５】ＢはＳＮＲ特性を改善するほか、後述する
ように、Ｃｏ合金結晶粒内の酸素を固定して、Ｃｒの偏
析を促進し、結晶粒を孤立化させノイズを低減させるな
どの効果もある。

【００３６】この時、非磁性下地層１、Ｃｏ合金層２を
成膜する際のチャンバー内の到達真空度を悪くとも２×
１０^-7〜５×１０^-7Ｔｏｒｒとし、また成膜前の非磁性
基板のプレヒート温度を調節し、さらに前述したように
非磁性下地層１の膜厚を調節することにより保磁力が４
５００エルステッド以上の磁気記録媒体を製造すること
ができる。

【００３７】以下に、磁気記録媒体のＳ＊について説明
する。

【００３８】Ｓ＊が小さいと、磁気記録媒体の飽和磁化
は大きくても、実質的に重要な特性である残留磁化が小
さいため、記録再生に必要な電磁変換特性が得られなく
なる。Ｓ＊を高Ｂｒの指標とすることができる。一般に
Ｓ＊が０．７以上のＣｏ合金層は磁気記録媒体として好
ましいと考える。

【００３９】さらにＳ＊の意味については、次のように
推定される。磁気記録媒体のＳ＊が小さいと、Ｃｏ合金
層内の磁化の単位である磁区の持つ保磁力が、各磁区ご
とに大きくばらついていると考えることができる。これ
は、Ｃｏ合金の結晶配向が悪くなっていると考えること
ができる。このような状態では、Ｃｏ合金層全体の平均
保磁力を大きくしても、保磁力が小さい磁区を多く含ん
でいることになる。それらの磁区では、書き込み時の反
磁界を受けやすくなり、その記録が反転消滅、すなわち
実質的に重要な特性である残留磁化が小さくなる。その
結果、読み出しの時の出力が弱くなる。

【００４０】以上より、高記録密度になると反磁界がよ
り強くなり、Ｓ＊が小さい磁気記録媒体は適さなくなる
と推定できる。

【００４１】ここで、Ｓ＊とは次のように定義する。振
動式磁気特性測定装置（「ＶＳＭ」）を用いて、試料の
Ｂ−Ｈヒステリシスループを測定する。このヒステリシ
スループにおいて、Ｈ＝０の点でのＢの値を＋Ｂｒ、−
Ｂｒ（Ｂｒの値を「残留磁化」という。）とする。この
ヒステリシスループにおいて、Ｂ＝０の点でのＨの値を
＋Ｈｃ、−Ｈｃ（Ｈｃの値を「保磁力」という。）とす
る。Ｈ＝Ｈｃの点でのヒステリシスループに対する接線
を求めて、さらにその接線とＢ＝−Ｂｒとの交点を求め
て、その時のＨの値をＨ＊とする。ここで、次式によっ
て得られる値をＳ＊と定義する。Ｓ＊＝（Ｈ＊）／（Ｈ
ｃ）ヘッドが媒体に接触した時に媒体表面の損傷を防ぐ
ために、あるいはヘッドと媒体の間の潤滑特性を確保す
るために、保護膜３を設ける。その材質は、従来公知の
ものを使用でき、たとえば、Ｃ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂の単
一組成、またはこれらを主成分とし他元素を含むものが
使用可能である。

【００４２】保護膜３はスパッタ法、イオンビーム法、
プラズマＣＶＤ法等を用いて形成することができる。

【００４３】保護膜３の膜厚は、２０〜１５０Åとする
ことができる。特に２０〜１００Åとすると、よりスペ
ーシングロスを小さくできるので好ましい。

【００４４】保護膜３の表面には必要に応じて潤滑膜４
を形成することもできる。潤滑膜の材料としては、ＰＦ
ＰＥ（パーフルオロポリエーテル）等の弗化系液体潤滑
剤、脂肪酸等の固体潤滑剤が使用可能である。潤滑膜形
成方法としては、ディッピング法、スピンコート法など
の従来公知の方法を使用できる。

【００４５】高い記録密度に対応した４５００エルステ
ッド以上の保磁力を有し、高Ｂｒで低ノイズすなわち高
いＳＮＲを有し、Ｓ＊がより大きく実用に供される磁気
記録媒体は、Ｃｏ合金層の組成としてＰｔおよびＣｒの
含有率［ａｔ％］が１０≦Ｐｔ≦２６、およびＣｒ≦２
３の範囲において、ＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］
が次の式（１）〜（５）全てを満足することによって得
ることができる。

【００４６】 式（１）Ｐｔ≧−Ｃｒ−０．２３×（Ｂ−３）²＋３０ 式（２）Ｐｔ≦−Ｃｒ−２×Ｂ＋５２ 式（３）Ｐｔ≦１２×Ｂ−２０ 式（４）Ｃｒ≧−１．６×Ｂ＋２１ 式（５）Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２ Ｃｏ合金層の組成において、式（１）〜（３）のすべて
の関係式を満たすことにより保磁力を４５００エルステ
ッド以上に高めることができる。

【００４７】Ｃｏ合金層の組成において、式（２）およ
び（５）の関係式を満たすことによりＳ＊をより大きく
することができる。

【００４８】Ｃｏ合金層の組成において、式（１）およ
び（４）の関係式を満たすことよりＳＮＲをより改善す
ることができる。

【００４９】より高い保磁力、より良いＳＮＲを得るた
めには、Ｃｏ合金層の組成としてＰｔおよびＣｒの含有
率［ａｔ％］が１０≦Ｐｔ≦２６、およびＣｒ≦２３の
範囲において、ＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］が前
述の式（２）〜（５）および次の式（６）を全てを満足
することによって得ることができる。

【００５０】式（６）Ｐｔ≧−Ｃｒ＋３１更に好ましい
高い保磁力、高いＳＮＲを得るためには、Ｃｏ合金層の
組成としてＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］が１０≦
Ｐｔ≦２６、および１８≦Ｃｒ≦２２の範囲において、
ＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］が前述の式（２）〜
（６）を全てを満足するものとすることができる。

【００５１】式（５）Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２を、式（５
ａ）Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５１とするのがより好ましい。

【００５２】Ｃｏ合金結晶の粒界からの距離を変えてＣ
ｒ濃度を分析したところ、結晶粒界ではＣｒ濃度が高
く、粒内に進むと低くなっている。さらに、粒の中心で
はまた高くなっている。以上から、粒界へのＣｒの偏析
をより促進させるためには、結晶粒径を小さくして、結
晶粒界の面積総和を増加させまた結晶粒内から粒界まで
の拡散距離を短くさせれば良いことが分かる。

【００５３】たとえば、Ｃｏ合金層２のＣｏ合金結晶の
平均粒径を５０〜１５０Åとすることができ、５０〜１
００Åであることがより好ましい。

【００５４】Ｃｏ合金層２のＣｏ合金結晶の平均粒径が
小さくなると、飽和磁化は緩やかにしか減少しないがＳ
＊の値は急激に小さくなり好ましい値である０．７を越
えないので、平均粒径は５０Å以上が好ましい。逆に、
Ｃｏ合金層２のＣｏ合金結晶の平均粒径が大きくなる
と、保磁力は十分高くなるが、ＳＮＲが急激に悪化する
ので平均粒径は１５０Å以下が好ましい。

【００５５】ここで、ＳＮＲ特性を改善するためにＣｏ
合金層に添加する材料は、Ｂ以外のものでも結晶粒微細
化を促進させるものであればいずれでもよい。

【００５６】これらの磁気記録媒体は、大量生産装置で
成膜され、その時のチャンバー内の到達真空度は、２×
１０^-7〜５×１０^-7Ｔｏｒｒである。この程度の真空度
の場合、必然的にＣｏ合金層に酸素が入り込むが、Ｃｏ
合金層内に酸素があると、Ｃｒの拡散が阻害され偏析し
難くなり、ノイズが高くなる場合がある。

【００５７】その場合保磁力を下げずにノイズをさげる
ために、Ｃｏ合金層の組成としてＴａ，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｈ
ｏ，Ｔｂのいずれか１つ、または２つ以上を含有させる
ことが好ましい。

【００５８】これらの元素の働きは必ずしも明らかでは
ないが次のように推定される。Ｃｏに対してほとんど固
容しない性質、酸化物がきわめて安定である性質を持つ
ために、Ｃｏ合金結晶粒内の酸素を固定して、その状態
で粒界に偏析する。その結果、Ｃｒの偏析を促進し、Ｃ
ｏ合金結晶粒が孤立化してノイズが低減し、ＳＮＲが改
善すると考えられる。

【００５９】Ｔａを１〜３ａｔ％添加すると、保磁力、
Ｓ＊は若干低下するが、ＳＮＲは改善される。含有量が
３ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、ＳＮＲも悪化す
る。よってＴａの添加量は１〜３ａｔ％とすることがで
きる。添加量の効果はこれらを総合的に評価する。した
がってＴａの添加量は１〜３ａｔ％とすることができ１
〜２ａｔ％であるのがより好ましい。

【００６０】Ｚｒを１〜３ａｔ％添加すると、保磁力は
変化せず、Ｓ＊は若干低下するが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が３ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
＊が低下し、ＳＮＲも悪化する。よってＺｒの添加量は
１〜３ａｔ％とすることができる。添加量の効果はこれ
らを総合的に評価する。したがってＺｒの添加量は１〜
３ａｔ％とすることができ１〜２ａｔ％であるのがより
好ましい。

【００６１】Ｃｅを１〜５ａｔ％添加すると、保磁力は
若干高くなり、Ｓ＊は変化しないが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が５ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
ＮＲも悪化する。よってＣｅの添加量は１〜５ａｔ％と
することができる。添加量の効果はこれらを総合的に評
価する。したがってＣｅの添加量は１〜５ａｔ％とする
ことができ１〜３ａｔ％であるのがより好ましい。

【００６２】Ｈｏを１〜５ａｔ％添加すると、保磁力は
若干高くなり、Ｓ＊は変化しないが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が５ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
ＮＲも悪化する。よってＨｏの添加量は１〜５ａｔ％と
することができる。添加量の効果はこれらを総合的に評
価する。したがってＨｏの添加量は１〜３ａｔ％とする
ことができ１〜２ａｔ％であるのがより好ましい。

【００６３】Ｔｂを１〜５ａｔ％添加すると、保磁力は
若干高くなり、Ｓ＊は変化しないが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が５ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
ＮＲも悪化する。よってＴｂの添加量は１〜５ａｔ％と
することができる。添加量の効果はこれらを総合的に評
価する。したがってＴｂの添加量は１〜３ａｔ％とする
ことができ１〜２ａｔ％であるのがより好ましい。

【００６４】図４は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体９と、磁気
記録媒体９を回転駆動させる媒体駆動部１０と、磁気記
録媒体９に情報を記録再生する磁気ヘッド１１と、この
磁気ヘッド１１を磁気記録媒体９に対して相対運動させ
るヘッド駆動部１２と、記録再生信号処理系１３とを備
えている。記録再生信号処理系１３は、外部からの記録
信号を処理して磁気ヘッド１１に送ったり、磁気ヘッド
１１からの再生信号を処理して外部に送ることができる
ようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用いる
磁気ヘッド１１には、磁気記録再生用ヘッド、特に高記
録密度に対応した記録再生ギャップが短いリング型ヘッ
ドを用いることができる。再生素子として異方性磁気抵
抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ素子だけでなく、巨大
磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有
したより高記録密度に適したヘッドを用いることができ
る。

【００６５】上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気
記録媒体を用いるので、ＳＮＲ特性が向上し高記録密度
が可能とすることができる。

【００６６】次に上記構成の磁気記録媒体を製造する製
造方法について説明する。ＮｉＰメッキＡｌ基板は、表
面が十分に平滑になるようにポリッシュされた後、良く
洗浄されたものを用いる。ＮｉＰメッキＡｌ基板に、表
面平均粗さＲａが１２Åとなるようにテクスチャー加工
を例えばダイヤモンド砥粒のスラリーを用いて施す。Ｎ
ｉＰメッキＡｌ基板Ｓ上に、非磁性下地層１、Ｃｏ合金
層２を順次をスパッタリング、真空蒸着、イオンプレー
ティングなどの手法により形成し、続いて保護膜３を、
プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリング法
などにより形成する。

【００６７】Ｃｏ合金層２をスパッタリング法により形
成する場合には、少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを含
み、Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％である材料からなる
スパッタリングターゲットが用いられる。

【００６８】該スパッタリングターゲットの材料として
含まれるＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］が１０≦Ｐ
ｔ≦２６、およびＣｒ≦２３の範囲において、Ｐｔおよ
びＣｒの含有率［ａｔ％］が次の式（１）〜（５）全て
を満足することが好ましい。

【００６９】 式（１） Ｐｔ≧−Ｃｒ−０．２３×（Ｂ−３）２＋３０ 式（２） Ｐｔ≦−Ｃｒ−２×Ｂ＋５２ 式（３） Ｐｔ≦１２×Ｂ−２０ 式（４） Ｃｒ≧−１．６×Ｂ＋２１ 式（５） Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２ さらに、式（５）を次の式（５ａ）とするのがより好ま
しい。

【００７０】式（５ａ） Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５１ また、スパッタリングする際のチャンバー内の真空度が
１０^-4〜１０^-5［Ｔｏｒｒ］である場合には、スパッタ
リングターゲットの材料としてさらにＴａ、Ｚｒ、Ｃ
ｅ、Ｈｏ、Ｔｂのいずれか１つ、または２つ以上を含有
していることが好ましい。

【００７１】さらに、Ｔａの含有率が１〜３ａｔ％、Ｚ
ｒの含有率が１〜３ａｔ％、Ｃｅの含有率が１〜５ａｔ
％、Ｈｏの含有率が１〜５ａｔ％、Ｔｂの含有率が１〜
５ａｔ％であることがより好ましい。

【００７２】このスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、
Ａｌ、Ｏ、Ｎの不純物の含有量が各１００質量ｐｐｍ以
下であることが望ましい。このターゲットとしては、焼
結合金ターゲットや、溶製法により製造された合金ター
ゲットを用いることができ、特に、焼結合金ターゲット
を用いるのが好ましい。この焼結合金ターゲットは、上
記材料の粉末を用い、これをＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）、ホットプレス等の従来公知の方法により焼結した
ものとすることができる。なお上記材料粉末としては、
ガスアトマイズ法等の従来公知の方法により製造したも
のを用いることができる。

【００７３】これらの膜を形成するためのスパッタリン
グの条件は例えば次のようにする。成膜に用いるチャン
バー内は真空度が１０^-5〜１０^-7［Ｔｏｒｒ］となるま
で排気する。チャンバー内に基板を収容して、所望の保
磁力を得るように基板を加熱、例えば２００〜２５０℃
に加熱した後、Ａｒガスを導入して放電させてスパッタ
成膜をおこなう。このとき、供給するパワーは０．２〜
２．０［ｋＷ］とし、放電時間とパワーを調節すること
によって、所望の膜厚を得ることができる。

【００７４】また、潤滑膜を形成するには、ディッピン
グ法、スピンコート法などの従来公知の方法を採用する
ことができる。

【００７５】上記製造方法で製造された磁気記録媒体に
あっては、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層と
Ｃｏ合金層を有する磁気記録媒体であって、Ｃｏ合金層
の組成として少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを有し、
Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％であり、保磁力が４５０
０エルステッド以上としたものであるので、ノイズ特性
が良好になりＳＮＲ特性を向上させることができる。

【００７６】また上記製造方法で製造された磁気記録媒
体にあっては、Ｃｏ合金層の結晶粒の平均粒径を５〜１
５ｎｍ（５０〜１５０Å）とすることができる。

【００７７】また、上記スパッタリングターゲットによ
れば、少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを含み、Ｂの含
有率が３．５〜６ａｔ％である材料からなるものである
ので、Ｃｏ合金層２を容易に作製することができる。よ
って、上記磁気記録媒体の製造を容易にすることができ
る。

【００７８】もうひとつの実施形態について説明する。
非磁性基板上に非磁性下地層、Ｃｏ合金層、保護膜、潤
滑膜を順次形成する磁気記録媒体において、Ｃｏ合金層
を形成する前に非磁性下地層の上に非磁性中間層として
ＣｏＣｒ合金層を、従来公知の方法、たとえばスパッタ
ー法による金属膜の形成方法により形成する。前述した
ように磁気記録媒体がより高記録密度に対応するために
より良好な電磁変換特性を得るためには磁性層のＣｏ合
金結晶粒の容易磁化方向が極力磁気記録媒体の面内に配
向しており、さらにその粒径が微細化、均一化されて、
さらに粒と粒とが非磁性物質で分離されていることが求
められている。そのために非磁性下地層を形成しそれら
の配向と粒径とに、Ｃｏ合金粒を合わせている。さら
に、より効率的にその非磁性下地層の効果をＣｏ合金に
受け継がせるために非磁性中間層としてＣｏＣｒ合金層
を形成するのが好ましい。

【００７９】非磁性下地層上に非磁性中間層ＣｏＣｒ合
金層が形成されることにより、Ｂ元素が直接非磁性下地
層の上には成膜されないので、Ｂ元素の共有結合性によ
る結晶構造的な等方性による非磁性下地層の配向効果の
低下を緩和できるために、非磁性下地層の配向効果が効
率良くＣｏ合金粒の配向、粒径に対して反映することが
できると推定される。その結果、磁気記録媒体の特性と
してはＳ＊がより大きくなり、よりＳＮＲが良くなる。
ＣｏＣｒ合金層のＣｒの含有量は２５ａt％〜５０ａt％
であるのが好ましく、３３ａt％〜４０ａt％であるのが
より好ましい。この範囲よりＣｒ含有量が少ないとＣｏ
Ｃｒ合金が磁化を有してしまうために、この上のＣｏ合
金層の磁気特性が悪くなってしまう。この範囲よりもＣ
ｒ含有量が多いと下地層に近くなってしまうため、前述
した中間層としての効果が半減してしまう。ＣｏＣｒ合
金層の厚さは５〜１００Åが好ましく、１０Å〜６０Å
がより好ましい。それより薄いとＣｏＣｒ合金層を均一
に成膜することができず、これより厚いとＣｏＣｒ合金
の結晶粒が大きく成長してしまうため、Ｃｏ合金粒の成
長が妨げられＳＮＲが悪くなる。

【００８０】非磁性中間層を形成した場合に、より好ま
しい高い保磁力、より好ましい高いＳＮＲを得るために
は、Ｃｏ合金層の組成としてＰｔ、ＣｒおよびＢの含有
率［ａｔ％］が１０≦Ｐｔ≦１８、２０≦Ｃｒ≦２２、
４≦Ｂ≦６（より好ましくは１０≦Ｐｔ≦１４、２０≦
Ｃｒ≦２２、４．５≦Ｂ≦５．５）であるのが好まし
い。

【００８１】以上のように構成することにより、高Ｂｒ
で低ノイズすなわち高いＳＮＲを有し、高い保磁力を有
した磁気記録媒体を得ることができる。

【００８２】

【実施例】以下、具体例を示して本発明の作用効果を明
確化する。図１に示すものと同様の構造の磁気記録媒体
をつぎのようにして作製した。表面が良く洗浄され、十
分平滑なＮｉＰメッキＡｌ基板に、表面平均粗さＲａが
１２Åとなるようにダイヤモンドのスラリーを用いてテ
クスチャ加工を施した。この基板上に、ＤＣマグネトロ
ンスパッター装置（アネルバ社製「３１００」）を用い
て、ＣｒＷ下地層（Ｗ含有量２０ａｔ％）、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ合金層、保護膜を順次成膜した。スパッターをする
チャンバーはスパッター前に３×１０^-7Ｔｏｒｒに排気
し、Ａｒガスを導入して３ｍＴｏｒｒに維持して、成膜
時にバイアスを印加して放電させた。下地層の膜厚は、
７００Åとした。放電パワーと放電時間を調節してＣｏ
合金層の厚さは８０Ｇμｍとした。さらにその上に、ス
パッター法によりカーボン保護膜を形成した。その膜厚
は、１００Åとした。保護膜上に、ディッピング法によ
りＰＦＰＥ潤滑剤を塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜（図示
せず）を形成した。なお、各種のＣｏ合金組成を得るた
めに、組成の異なるターゲットを順次交換して成膜し
た。また非磁性中間層としてＣｏＣｒ合金を下地膜とＣ
ｏ合金を成膜する間に各種のＣｏＣｒ合金組成を得るた
めに、組成の異なるターゲットを順次交換して成膜し
た。

【００８３】振動式磁気特性測定装置（「ＶＳＭ」）を
使用して、これらの磁気記録媒体の静磁気特性である保
磁力、Ｓ＊、飽和磁化を測定した。

【００８４】また、これらの磁気記録媒体の電磁変換特
性を、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１
６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて
測定した。磁気ヘッドとして磁気抵抗素子（ＭＲ素子）
を有するヘッドを用いた。線記録密度は１５０ｋＦＣＩ
とした。測定項目はもっとも重要なＳＮＲとした。

【００８５】Ｃｏ合金結晶粒径は、次のようにして求め
た。試料として切り出したディスクを、研磨により５０
ミクロンまで薄くした後、イオンミリングでさらに薄く
加工した。加工した試料の表面を、透過電子顕微鏡を用
いて、３００ＫＶＡ明視野像を直視１０００００倍の条
件で観察した。その像を２５０万倍で焼き付けてＴＥＭ
写真とした。ＴＥＭ写真上に観察されているＣｏ合金結
晶粒から、無作為に３０００個の結晶粒を選びマークし
て、それらを画像解析装置を用いて解析して平均粒子径
を算出した。

【００８６】試験例であるＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒ
の含有量１８ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％）におい
て、Ｂ含有量とＳＮＲ、Ｓ＊の関係を示した図２のグラ
フをみると、Ｂの含有量を３．５％〜６％とすることが
でき、４％〜６％であることがより好ましい。

【００８７】Ｂの含有量が３．５％未満では急激にＳＮ
Ｒが悪化している。Ｂの含有量が６％を越えると、飽和
磁化は緩やかにしか減少しない（データは図示していな
い）が、Ｓ＊は急激に減少して０．７を越えることがで
きない。

【００８８】表１〜４に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金系におけ
る、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの含有量を変えた試験例１〜１１２
の、ＳＮＲ、Ｓ＊、Ｂｒｄ、保磁力の結果を示す。

【００８９】

【表１】

【００９０】

【表２】

【００９１】

【表３】

【００９２】

【表４】

【００９３】表１〜４をみると、Ｃｏ合金層の組成とし
てＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］が１０≦Ｐｔ≦２
６、およびＣｒ≦２３の範囲において、ＰｔおよびＣｒ
の含有率［ａｔ％］が次の式（１）〜（５）全てを満足
するものは、より高い保磁力を有し、高Ｂｒで低ノイズ
すなわち高いＳＮＲを有して実用に供される磁気記録媒
体とすることができる。

【００９４】 式（１）Ｐｔ≧−Ｃｒ−０．２３×（Ｂ−３）²＋３０ 式（２）Ｐｔ≦−Ｃｒ−２×Ｂ＋５２ 式（３）Ｐｔ≦１２×Ｂ−２０ 式（４）Ｃｒ≧−１．６×Ｂ＋２１ 式（５）Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２ さらに、式（５）Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２を、式（５ａ）
Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５１とするのがより好ましい。

【００９５】試験例であるＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒ
の含有量１８ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％）におい
て、Ｃｏ合金結晶の平均粒径とＳＮＲ、Ｓ＊の関係を示
した図３のグラフをみると、Ｃｏ合金層２のＣｏ合金結
晶の平均粒径を５０〜１５０Åとすることができ５０〜
１００Åであることがより好ましい。

【００９６】Ｃｏ合金層２のＣｏ合金結晶の平均粒径が
５０Å未満では、飽和磁化は緩やかにしか減少しない
（データは図示していない）が、Ｓ＊は急激に減少して
０．７を越えることができない。

【００９７】逆に、Ｃｏ合金層２のＣｏ合金結晶の平均
粒径が１５０Åを越えると、急激にＳＮＲが悪化する。

【００９８】表５に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒの含
有量２０ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％、Ｂの含有量
４ａｔ％）にＴａを１〜３及び４ａｔ％添加した試験例
１１３〜１１６の静磁気特性と電磁変換特性の結果を示
す。Ｔａを１〜３ａｔ％添加すると、保磁力、Ｓ＊は若
干低下するが、ＳＮＲは改善される。含有量が３ａｔ％
を越えると、保磁力が低下し、ＳＮＲも悪化する。した
がってＴａの添加量は１〜３ａｔ％とすると効果がある
ことが分かる。

【００９９】

【表５】

【０１００】表６に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒの含
有量２０ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％、Ｂの含有量
４ａｔ％）にＺｒを１〜３及び４ａｔ％添加した試験例
１１７〜１２０の静磁気特性と電磁変換特性の結果を示
す。

【０１０１】Ｚｒを１〜３ａｔ％添加すると、保磁力は
変化せず、Ｓ＊は若干低下するが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が３ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
＊が低下し、ＳＮＲも悪化する。したがってＺｒの添加
量は１〜３ａｔ％とすると効果があることが分かる。

【０１０２】

【表６】

【０１０３】表７に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒの含
有量２０ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％、Ｂの含有量
４ａｔ％）にＣｅを１〜６ａｔ％添加した試験例１２１
〜１２６の静磁気特性と電磁変換特性の結果を示す。

【０１０４】Ｃｅを１〜５ａｔ％添加すると、保磁力は
若干高くなり、Ｓ＊は変化しないが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が５ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
ＮＲも悪化する。したがってＣｅの添加量は１〜５ａｔ
％とすると効果があることが分かる。

【０１０５】

【表７】

【０１０６】表８に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒの含
有量２０ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％、Ｂの含有量
４ａｔ％）にＨｏを１〜６ａｔ％添加した試験例１２７
〜１３２の静磁気特性と電磁変換特性の結果を示す。

【０１０７】Ｈｏを１〜５ａｔ％添加すると、保磁力は
若干高くなり、Ｓ＊は変化しないが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が５ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
ＮＲも悪化する。Ｈｏの添加量は１〜５ａｔ％とすると
効果がある。さらに総合的に評価して添加量を評価す
る。したがってＨｏの添加量は１〜３ａｔ％とすると効
果があることが分かる。

【０１０８】

【表８】

【０１０９】表９に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金系（Ｃｒの含
有量２０ａｔ％、Ｐｔの含有量１８ａｔ％、Ｂの含有量
４ａｔ％）にＴｂを１〜６ａｔ％添加した試験例１３３
〜１３８の静磁気特性と電磁変換特性の結果を示す。

【０１１０】Ｔｂを１〜５ａｔ％添加すると、保磁力は
若干高くなり、Ｓ＊は変化しないが、ＳＮＲは改善され
る。含有量が５ａｔ％を越えると、保磁力が低下し、Ｓ
ＮＲも悪化する。Ｔｂの添加量は１〜５ａｔ％とすると
効果がある。さらに総合的に評価して添加量を評価す
る。したがってＴｂの添加量は１〜３ａｔ％とすると効
果があることが分かる。

【０１１１】

【表９】

【０１１２】表１０に、非磁性中間層のＣｏＣｒ合金
の、Ｃｒの含有量、膜厚を変えた試験例１３９〜１５７
の、ＳＮＲ、Ｓ＊、Ｂｒｄ、保磁力の結果を示す。

【０１１３】

【表１０】

【０１１４】表１０をみるとＣｏＣｒ合金のＣｒの含有
量は２５ａt％〜５０ａt％であるのが好ましく、３３ａ
t％〜４０ａt％であるのがより好ましいのがわかる。Ｃ
ｏＣｒ合金層の厚さは５〜１００Åが好ましく、１０Å
〜６０Åがより好ましいのがわかる。

【０１１５】

【発明の効果】本発明によれば、非磁性基板上に、少な
くとも非磁性下地層とＣｏ合金層を有する磁気記録媒体
において、Ｃｏ合金層の組成として少なくともＣｒ、Ｐ
ｔ、およびＢを含み、Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％で
あり、保磁力が４５００エルステッド以上としているの
で、高Ｂｒで低ノイズすなわち高いＳＮＲを有し、高い
保磁力を有した磁気記録媒体を得ることができる。この
磁気記録媒体は高記録密度に適している。

【０１１６】また、本発明のスパッタリングターゲット
によれば、少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを含み、Ｂ
の含有率が３．５〜６ａｔ％である材料からなるもので
あるので、Ｃｏ合金層を容易に作製することができる。
よって、上記磁気記録媒体の製造を容易にすることがで
きる。

【０１１７】また、本発明の磁気記録再生装置によれ
ば、磁気記録媒体が、非磁性基板上に、少なくとも非磁
性下地層とＣｏ合金層を有する磁気記録媒体において、
Ｃｏ合金層の組成として少なくともＣｒ、Ｐｔ、および
Ｂを含み、Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％であり、保磁
力が４５００エルステッド以上としているので、ＳＮＲ
特性が向上し高記録密度が可能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一部
断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の試験例であるＣｏＣｒ
ＰｔＢ合金系（Ｃｒの含有量１８ａｔ％、Ｐｔの含有量
１８ａｔ％）において、Ｂ含有量とＳＮＲ、Ｓ＊の関係
を示したグラフである。

【図３】本発明の磁気記録媒体の試験例であるＣｏＣｒ
ＰｔＢ合金系（Ｃｒの含有量１８ａｔ％、Ｐｔの含有量
１８ａｔ％）において、Ｃｏ合金結晶の平均粒径とＳＮ
Ｒ、Ｓ＊の関係を示したグラフである。

【図４】図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録再生
装置の一例を示す概略構成図である。

【符号の説明】

Ｓ・・・基板、１・・・非磁性下地層、２・・・Ｃｏ合
金層、３・・・保護膜、４・・・潤滑膜、９・・・磁気
記録媒体、１０・・・媒体駆動部、１１・・・磁気ヘッ
ド、１２・・・ヘッド駆動部、１３・・・記録再生信号
処理系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16 10/30 10/30 41/18 41/18 (72)発明者 浅海 俊則 千葉県市原市八幡海岸通り５番の１ 昭和 電工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 西村 洋介 千葉県市原市八幡海岸通り５番の１ 昭和 電工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 宮本 教行 千葉県市原市八幡海岸通り５番の１ 昭和 電工エイチ・ディー株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA02 BA24 BA34 BB02 BC06 BD11 CA05 DC04 DC05 GA03 5D006 BB01 BB07 CA01 CA06 5D112 AA03 AA05 AA24 BB05 BB06 BD01 FA04 FB02 5E049 AA04 AA09 BA06 DB02 DB12 GC02 GC04

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層
   とＣｏ合金層を有する磁気記録媒体において、Ｃｏ合金
   層の組成として少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを有
   し、Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％であり、保磁力が４
   ５００エルステッド以上であることを特徴とする磁気記
   録媒体。
2. 【請求項２】Ｃｏ合金層の組成としてＰｔおよびＣｒの
   含有率［ａｔ％］が１０≦Ｐｔ≦２６、およびＣｒ≦２
   ３の範囲において、ＰｔおよびＣｒの含有率［ａｔ％］
   が次の式（１）〜（５）全てを満足することを特徴とす
   る請求項１記載の磁気記録媒体。 式（１） Ｐｔ≧−Ｃｒ−０．２３×（Ｂ−３）²＋３０ 式（２） Ｐｔ≦−Ｃｒ−２×Ｂ＋５２ 式（３） Ｐｔ≦１２×Ｂ−２０ 式（４） Ｃｒ≧−１．６×Ｂ＋２１ 式（５） Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５２
3. 【請求項３】請求項２に記載の磁気記録媒体において、
   式（５）を次の式（５ａ）としたことを特徴とする磁気
   記録媒体。 式（５ａ） Ｃｒ≦−５×Ｂ＋５１
4. 【請求項４】Ｃｏ合金結晶の平均粒径が５０〜１５０Å
   であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
   記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】Ｃｏ合金層の組成としてＴａ、Ｚｒ、Ｃ
   ｅ、Ｈｏ、Ｔｂのいずれか１つ、または２つ以上を含有
   していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項
   に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 Ｔａの含有率が１〜３ａｔ％、Ｚｒの含
   有率が１〜３ａｔ％、Ｃｅの含有率が１〜５ａｔ％、Ｈ
   ｏの含有率が１〜５ａｔ％、Ｔｂの含有率が１〜５ａｔ
   ％であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒
   体。
7. 【請求項７】非磁性下地層とＣｏ合金層との間に非磁性
   中間層としてＣｏＣｒ合金層を有することを特徴とする
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】ＣｏＣｒ合金層のＣｒ含有率が２５〜５０
   ａｔ％であることを特徴とする請求項７に記載の磁気記
   録媒体。
9. 【請求項９】請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気
   記録媒体のＣｏ合金層を作製するために用いられるスパ
   ッタリングターゲットであって、少なくともＣｒ、Ｐ
   ｔ、およびＢを含み、Ｂの含有率が３．５〜６ａｔ％で
   ある材料からなるものであることを特徴とするスパッタ
   リングターゲット。
10. 【請求項１０】非磁性基板上に非磁性下地層を形成する
    工程と、その上にＣｏ合金層を形成する工程とを含む磁
    気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金層の材料とし
    て少なくともＣｒ、Ｐｔ、およびＢを含み、Ｂの含有率
    が３．５〜６ａｔ％であるスパッタリングターゲットを
    用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報
    を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置
    であって、磁気記録媒体が請求項１〜８のうちいずれか
    １項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気
    記録再生装置。