JP2001091794A - 光モジュールの実装方法及び実装構造 - Google Patents
光モジュールの実装方法及び実装構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装のための位置合わせ精度を緩和すること
により光素子チップの光電子基板への実装を容易に行
う。 【解決手段】 開示されている光モジュールの実装方法
は、放物線状の光導波路１とこの光導波路１に接続され
たストリップライン２とから構成された光導波路３をコ
ア層４として形成した後、ストリップライン２の端部に
光素子チップ５を接着することで組み立てた光導波路端
子付き光素子チップ構造１０を予め用意し、一方コア層
４の光導波路３とは放物線状の向きが略１８０°逆とな
るような光導波路のコア層２４を形成した光電子基板２
１を用意し、両コア層４、２４の放物線状の光導波路同
士を接着することにより光素子チップ５を光電子基板２
１に実装する。
により光素子チップの光電子基板への実装を容易に行
う。 【解決手段】 開示されている光モジュールの実装方法
は、放物線状の光導波路１とこの光導波路１に接続され
たストリップライン２とから構成された光導波路３をコ
ア層４として形成した後、ストリップライン２の端部に
光素子チップ５を接着することで組み立てた光導波路端
子付き光素子チップ構造１０を予め用意し、一方コア層
４の光導波路３とは放物線状の向きが略１８０°逆とな
るような光導波路のコア層２４を形成した光電子基板２
１を用意し、両コア層４、２４の放物線状の光導波路同
士を接着することにより光素子チップ５を光電子基板２
１に実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光モジュールの
実装方法及び実装構造に係り、詳しくは、光素子チップ
を光導波路を介して光電子基板に実装する光モジュール
の実装方法及び実装構造に関する。
実装方法及び実装構造に係り、詳しくは、光素子チップ
を光導波路を介して光電子基板に実装する光モジュール
の実装方法及び実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光を情報の伝送媒体として利用した光通
信技術が広く普及してきている。このような光通信技術
を実施するには、光源であるレーザダイオード等の光素
子チップで発生した光を減衰させることなく伝送させる
ことが必要になるが、従来から、光伝送には光素子チッ
プから入射された光を光導波路を介して光ファイバーに
出射させることが行われている。
信技術が広く普及してきている。このような光通信技術
を実施するには、光源であるレーザダイオード等の光素
子チップで発生した光を減衰させることなく伝送させる
ことが必要になるが、従来から、光伝送には光素子チッ
プから入射された光を光導波路を介して光ファイバーに
出射させることが行われている。
【０００３】上述のように光素子チップで発生した光を
光導波路を介して光ファイバーに出射させるには、光素
子チップを光導波路を形成した光電子基板に実装した構
造の光モジュールが用いられている。ここで、光素子チ
ップを光導波路に接続するには、光素子チップから数μ
ｍの幅で発生された光を数μｍの幅の光路を有する光導
波路の端部に光学的に結合しなければならないので、そ
の接続には高精度の位置合わせが要求されている。
光導波路を介して光ファイバーに出射させるには、光素
子チップを光導波路を形成した光電子基板に実装した構
造の光モジュールが用いられている。ここで、光素子チ
ップを光導波路に接続するには、光素子チップから数μ
ｍの幅で発生された光を数μｍの幅の光路を有する光導
波路の端部に光学的に結合しなければならないので、そ
の接続には高精度の位置合わせが要求されている。
【０００４】図２１は、従来の光モジュールの実装構造
の概略的構成を示す斜視図である。この光モジュールの
実装構造は、半導体基板等からなる光電子基板１０１上
に光導波路１０２が形成されて、レーザダイオード等の
光素子チップ１０３が光導波路１０２の端面に接続され
るように光電子基板１０１に実装されている。ここで、
光素子チップ１０３を光電子基板１０１に実装するに
は、光素子チップ１０３を光導波路１０２に対して、略
１μｍの高精度でＸ、Ｙ、Ｚ方向の三次元方向に位置合
わせすることが必要となる。
の概略的構成を示す斜視図である。この光モジュールの
実装構造は、半導体基板等からなる光電子基板１０１上
に光導波路１０２が形成されて、レーザダイオード等の
光素子チップ１０３が光導波路１０２の端面に接続され
るように光電子基板１０１に実装されている。ここで、
光素子チップ１０３を光電子基板１０１に実装するに
は、光素子チップ１０３を光導波路１０２に対して、略
１μｍの高精度でＸ、Ｙ、Ｚ方向の三次元方向に位置合
わせすることが必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光モジュールの実装方法では、光素子チップを光電子基
板に実装する場合、光電子基板上の光導波路に対して高
精度で三次元方向に位置合わせしなければならないの
で、実装が容易に行えないため実装コストが高くなる、
という問題がある。すなわち、レーザダイオード等の光
素子チップ１０３と光電子基板１０１上の光導波路１０
２とを光学的に高効率で結合するには、上述のように光
素子チップ１０３を光導波路１０２に対して高精度で三
次元方向に位置合わせして光軸の調整を行う必要がある
ので、その位置合わせ作業には多大な工数が必要になる
ため、コストアップが避けられなくなっている。
光モジュールの実装方法では、光素子チップを光電子基
板に実装する場合、光電子基板上の光導波路に対して高
精度で三次元方向に位置合わせしなければならないの
で、実装が容易に行えないため実装コストが高くなる、
という問題がある。すなわち、レーザダイオード等の光
素子チップ１０３と光電子基板１０１上の光導波路１０
２とを光学的に高効率で結合するには、上述のように光
素子チップ１０３を光導波路１０２に対して高精度で三
次元方向に位置合わせして光軸の調整を行う必要がある
ので、その位置合わせ作業には多大な工数が必要になる
ため、コストアップが避けられなくなっている。
【０００６】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、実装のための位置合わせ精度を緩和することに
より光素子チップの光電子基板への実装を容易に行うこ
とができるようにした光モジュールの実装方法及び実装
構造を提供することを目的としている。
もので、実装のための位置合わせ精度を緩和することに
より光素子チップの光電子基板への実装を容易に行うこ
とができるようにした光モジュールの実装方法及び実装
構造を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、光素子チップを光導波路を
介して光電子基板に実装する光モジュールの実装方法に
係り、光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立てる
第１の段階と、上記光導波路端子付き光素子チップ構造
を光電子基板に実装する第２の段階とを含むことを特徴
としている。
に、請求項１記載の発明は、光素子チップを光導波路を
介して光電子基板に実装する光モジュールの実装方法に
係り、光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立てる
第１の段階と、上記光導波路端子付き光素子チップ構造
を光電子基板に実装する第２の段階とを含むことを特徴
としている。
【０００８】請求項２記載の発明は、光素子チップを光
導波路を介して光電子基板に実装する光モジュールの実
装方法に係り、光進路方向に沿って手元から先方に向か
って輪郭の広がる形状の光導波路と該光導波路に接続さ
れたストリップラインとから構成された光導波路を第１
のコア層として形成した後、上記ストリップラインの端
部に光素子チップを接着することで組み立てた光導波路
端子付き光素子チップ構造を予め用意し、一方上記第１
のコア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８０°逆
となるような光導波路の第２のコア層を形成した光電子
基板を用意し、上記第１及び第２のコア層の上記形状の
光導波路同士を接着することにより上記光素子チップを
上記光電子基板に実装することを特徴としている。
導波路を介して光電子基板に実装する光モジュールの実
装方法に係り、光進路方向に沿って手元から先方に向か
って輪郭の広がる形状の光導波路と該光導波路に接続さ
れたストリップラインとから構成された光導波路を第１
のコア層として形成した後、上記ストリップラインの端
部に光素子チップを接着することで組み立てた光導波路
端子付き光素子チップ構造を予め用意し、一方上記第１
のコア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８０°逆
となるような光導波路の第２のコア層を形成した光電子
基板を用意し、上記第１及び第２のコア層の上記形状の
光導波路同士を接着することにより上記光素子チップを
上記光電子基板に実装することを特徴としている。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項２記載の光
モジュールの実装方法に係り、上記光導波路端子付き光
素子チップ構造に突き当て金属ストリップラインを形成
する一方、上記光電子基板に突き当て溝を形成し、該突
き当て溝に上記突き当て金属ストリップラインを位置合
わせすることにより上記光素子チップを上記光電子基板
に実装することを特徴としている。
モジュールの実装方法に係り、上記光導波路端子付き光
素子チップ構造に突き当て金属ストリップラインを形成
する一方、上記光電子基板に突き当て溝を形成し、該突
き当て溝に上記突き当て金属ストリップラインを位置合
わせすることにより上記光素子チップを上記光電子基板
に実装することを特徴としている。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項２又は３記
載の光モジュールの実装方法に係り、上記第１のコア層
を該コア層より共に屈折率の小さい上クラッド層及び下
クラッド層で覆うことを特徴としている。
載の光モジュールの実装方法に係り、上記第１のコア層
を該コア層より共に屈折率の小さい上クラッド層及び下
クラッド層で覆うことを特徴としている。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の光
モジュールの実装方法に係り、上記下クラッド層を、上
記光素子チップを上記光電子基板に実装する以前に剥離
することを特徴としている。
モジュールの実装方法に係り、上記下クラッド層を、上
記光素子チップを上記光電子基板に実装する以前に剥離
することを特徴としている。
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項２乃至５の
いずれか１に記載の光モジュールの実装方法に係り、上
記光素子チップをフェースダウン法により上記光電子基
板に接続することを特徴としている。
いずれか１に記載の光モジュールの実装方法に係り、上
記光素子チップをフェースダウン法により上記光電子基
板に接続することを特徴としている。
【００１３】請求項７記載の発明は、光素子チップが光
導波路を介して光電子基板に実装される光モジュールの
実装構造に係り、光進路方向に沿って手元から先方に向
かって輪郭の広がる形状の光導波路と該光導波路に接続
されたストリップラインとから構成された光導波路が第
１のコア層として形成され、上記ストリップラインの端
部に光素子チップが接着されて光導波路端子付き光素子
チップ構造が組み立てられ、別に用意された上記第１の
コア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８０°逆と
なるような光導波路の第２のコア層が形成された光電子
基板に、上記第１及び第２のコア層の上記形状の光導波
路同士が接着されて上記光素子チップが上記光電子基板
に実装されていることを特徴としている。
導波路を介して光電子基板に実装される光モジュールの
実装構造に係り、光進路方向に沿って手元から先方に向
かって輪郭の広がる形状の光導波路と該光導波路に接続
されたストリップラインとから構成された光導波路が第
１のコア層として形成され、上記ストリップラインの端
部に光素子チップが接着されて光導波路端子付き光素子
チップ構造が組み立てられ、別に用意された上記第１の
コア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８０°逆と
なるような光導波路の第２のコア層が形成された光電子
基板に、上記第１及び第２のコア層の上記形状の光導波
路同士が接着されて上記光素子チップが上記光電子基板
に実装されていることを特徴としている。
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項７記載の光
モジュールの実装構造に係り、上記光導波路端子付き光
素子チップ構造に突き当て金属ストリップラインが形成
される一方、上記光電子基板に突き当て溝が形成され、
該突き当て溝に上記突き当て金属ストリップラインが位
置合わせされて上記光素子チップが上記光電子基板に実
装されていることを特徴としている。
モジュールの実装構造に係り、上記光導波路端子付き光
素子チップ構造に突き当て金属ストリップラインが形成
される一方、上記光電子基板に突き当て溝が形成され、
該突き当て溝に上記突き当て金属ストリップラインが位
置合わせされて上記光素子チップが上記光電子基板に実
装されていることを特徴としている。
【００１５】請求項９記載の発明は、請求項７又は８記
載の光モジュールの実装構造に係り、上記第１のコア層
が該コア層より共に屈折率の小さい上クラッド層及び下
クラッド層で覆われていることを特徴としている。
載の光モジュールの実装構造に係り、上記第１のコア層
が該コア層より共に屈折率の小さい上クラッド層及び下
クラッド層で覆われていることを特徴としている。
【００１６】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
光モジュールの実装構造に係り、上記下クラッド層が剥
離された状態で上記光素子チップが上記光電子基板に実
装されていることを特徴としている。
光モジュールの実装構造に係り、上記下クラッド層が剥
離された状態で上記光素子チップが上記光電子基板に実
装されていることを特徴としている。
【００１７】請求項１１記載の発明は、請求項７乃至１
０のいずれか１に記載の光モジュールの実装構造に係
り、上記第１のコア層の底面の一部が露出されて、該露
出面が上記コア層よりも屈折率の小さい薄膜クラッド層
により覆われ、該薄膜クラッド層が上記光電子基板に接
着されて方向性結合器を構成することを特徴としてい
る。
０のいずれか１に記載の光モジュールの実装構造に係
り、上記第１のコア層の底面の一部が露出されて、該露
出面が上記コア層よりも屈折率の小さい薄膜クラッド層
により覆われ、該薄膜クラッド層が上記光電子基板に接
着されて方向性結合器を構成することを特徴としてい
る。
【００１８】請求項１２記載の発明は、請求項７乃至１
１のいずれか１に記載の光モジュールの実装構造に係
り、上記光素子チップの発光部と上記第１のコア層との
間にプリズムが設けられていることを特徴としている。
１のいずれか１に記載の光モジュールの実装構造に係
り、上記光素子チップの発光部と上記第１のコア層との
間にプリズムが設けられていることを特徴としている。
【００１９】請求項１３記載の発明は、請求項７乃至１
２のいずれか１に記載の光モジュールの実装構造に係
り、上記光進路方向に沿って手元から先方に向かって輪
郭の広がる形状が、放物線状又はテーパー状であること
を特徴としている。
２のいずれか１に記載の光モジュールの実装構造に係
り、上記光進路方向に沿って手元から先方に向かって輪
郭の広がる形状が、放物線状又はテーパー状であること
を特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である光モジュールの実
装方法に用いる光導波路端子付き光素子チップ構造を示
す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は同光
モジュールの実装方法に用いる主要部品を示す断面図、
図４は同光モジュールの実装方法に用いる主要部品を製
造する方法を工程順に示す工程図、図５及び図６は同光
導波路端子付き光素子チップ構造を組み立てる方法の概
要を工程順に示す工程図、図７は同光導波路端子付き光
素子チップ構造を光電子基板に実装する方法を示す平面
図、図８は図７のＢ−Ｂ矢視断面図、図９は同光導波路
端子付き光素子チップ構造を光電子基板に実装する場合
の位置合わせ方法を説明する図である。以下、図１〜図
９を参照して同光モジュールの実装方法について説明す
る。
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である光モジュールの実
装方法に用いる光導波路端子付き光素子チップ構造を示
す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は同光
モジュールの実装方法に用いる主要部品を示す断面図、
図４は同光モジュールの実装方法に用いる主要部品を製
造する方法を工程順に示す工程図、図５及び図６は同光
導波路端子付き光素子チップ構造を組み立てる方法の概
要を工程順に示す工程図、図７は同光導波路端子付き光
素子チップ構造を光電子基板に実装する方法を示す平面
図、図８は図７のＢ−Ｂ矢視断面図、図９は同光導波路
端子付き光素子チップ構造を光電子基板に実装する場合
の位置合わせ方法を説明する図である。以下、図１〜図
９を参照して同光モジュールの実装方法について説明す
る。
【００２１】この例の光モジュールの実装方法は、図１
及び図２に示すように、光導波路端子付き光素子チップ
構造１０を組み立てる第１の段階と、図７及び図８に示
すように、この光導波路端子付き光素子チップ構造１０
を光電子基板２１に実装する第２の段階とから構成され
ている。
及び図２に示すように、光導波路端子付き光素子チップ
構造１０を組み立てる第１の段階と、図７及び図８に示
すように、この光導波路端子付き光素子チップ構造１０
を光電子基板２１に実装する第２の段階とから構成され
ている。
【００２２】光導波路端子付き光素子チップ構造１０
は、図１及び図２に示すように、膜厚が略１０μｍの紫
外線硬化性樹脂フィルムからなる、輪郭が放物線状の第
１の光導波路１と、この放物線状の第１の光導波路１の
底部１ａに接続されたストリップライン（第２の光導波
路）２とから構成された光導波路３をコア層４として形
成して、この光導波路３のストリップライン２の端部
に、レーザダイオード等の光素子チップ５を接続するこ
とにより構成されている。
は、図１及び図２に示すように、膜厚が略１０μｍの紫
外線硬化性樹脂フィルムからなる、輪郭が放物線状の第
１の光導波路１と、この放物線状の第１の光導波路１の
底部１ａに接続されたストリップライン（第２の光導波
路）２とから構成された光導波路３をコア層４として形
成して、この光導波路３のストリップライン２の端部
に、レーザダイオード等の光素子チップ５を接続するこ
とにより構成されている。
【００２３】ここで、放物線状の光導波路１の底部１ａ
の幅は略１０μｍに形成されると共に、開口部１ｂの幅
は略８０μｍ（焦点距離０．２μｍ相当）に拡大されて
いる。また、ストリップライン２の幅は略１０μｍに形
成されて、このストリップライン２は放物線状の光導波
路１の底部１ａに接続されている。放物線状の光導波路
１の底部１ａから開口部１ｂまでの長さｓは、後述する
ような理由によって略１．９２ｍｍに設定されている。
また、コア層４を構成している光導波路１及びストリッ
プライン２は共に、屈折率は略１．５１７に設定されて
いる。
の幅は略１０μｍに形成されると共に、開口部１ｂの幅
は略８０μｍ（焦点距離０．２μｍ相当）に拡大されて
いる。また、ストリップライン２の幅は略１０μｍに形
成されて、このストリップライン２は放物線状の光導波
路１の底部１ａに接続されている。放物線状の光導波路
１の底部１ａから開口部１ｂまでの長さｓは、後述する
ような理由によって略１．９２ｍｍに設定されている。
また、コア層４を構成している光導波路１及びストリッ
プライン２は共に、屈折率は略１．５１７に設定されて
いる。
【００２４】放物線状の光導波路１が形成されているコ
ア層４の表面及び裏面はそれぞれ上クラッド層６及び下
クラッド層７で覆われている。上クラッド層６及び下ク
ラッド層７は共に、膜厚が略３０μｍの紫外線硬化性樹
脂フィルムからなり、その屈折率は共にコア層４よりも
小さな略１．４９に設定されている。コア層４の底面は
下クラッド層７で完全に覆われることなく光進路方向に
沿った先端付近部は所定の長さｚだけ露出され、この露
出面は膜厚が略２μｍの紫外線硬化性樹脂フィルムから
なり、その屈折率はコア層４よりも小さい略１．５０７
に設定された薄膜クラッド層８により覆われている。上
述の露出長さｚは、後述するような理由によって略３６
６μｍに設定されている。
ア層４の表面及び裏面はそれぞれ上クラッド層６及び下
クラッド層７で覆われている。上クラッド層６及び下ク
ラッド層７は共に、膜厚が略３０μｍの紫外線硬化性樹
脂フィルムからなり、その屈折率は共にコア層４よりも
小さな略１．４９に設定されている。コア層４の底面は
下クラッド層７で完全に覆われることなく光進路方向に
沿った先端付近部は所定の長さｚだけ露出され、この露
出面は膜厚が略２μｍの紫外線硬化性樹脂フィルムから
なり、その屈折率はコア層４よりも小さい略１．５０７
に設定された薄膜クラッド層８により覆われている。上
述の露出長さｚは、後述するような理由によって略３６
６μｍに設定されている。
【００２５】光素子チップ５は、略３００μｍ平方のチ
ップサイズを有し、その発光部はチップ底面から略１μ
ｍの高さ位置に形成されて、導波路型光素子チップとし
て動作し得るようにスポットサイズ変換機能を備えたレ
ーザダイオードから構成されている。発光部から略１μ
ｍの幅で発生したレーザ光は、スポットサイズ変換機能
により略１０μｍに広がってコア層４に入射する。ま
た、光素子チップ５の底面には複数のバンプ状導体１１
が形成されて、このバンプ状導体１１は後述するよう
に、光導波路端子付き光素子チップ構造１０を光電子基
板２１上に実装する際に、フェースダウン法による接続
のために用いられる。
ップサイズを有し、その発光部はチップ底面から略１μ
ｍの高さ位置に形成されて、導波路型光素子チップとし
て動作し得るようにスポットサイズ変換機能を備えたレ
ーザダイオードから構成されている。発光部から略１μ
ｍの幅で発生したレーザ光は、スポットサイズ変換機能
により略１０μｍに広がってコア層４に入射する。ま
た、光素子チップ５の底面には複数のバンプ状導体１１
が形成されて、このバンプ状導体１１は後述するよう
に、光導波路端子付き光素子チップ構造１０を光電子基
板２１上に実装する際に、フェースダウン法による接続
のために用いられる。
【００２６】ここで、コア層４内の光伝送と光素子チッ
プ５の位置合わせ精度について述べる。コア層４の放物
線状の光導波路１の底部１ａのコア径をｄとすると、放
物線状の光導波路１の開口部１ｂから出射する光の広が
り角度θ（ラジアン）は、式（１）で示される。 θ＝（４／π）・（λ／ｄ） （１） 但し、λ：コア層４に入射する光の波長 例えば、コア径ｄ＝１０μｍ、光の波長λ＝１．３μｍ
を式（１）に代入すると、広がり角度θは次のように与
えられる。 θ≒０．１７ラジアン（９．７°） このように、広がり角度θ≒０．１７ラジアンの値で
は、そのまま放置しておくと、放物線状の光導波路１の
開口部１ｂでは光の干渉により光束は略３２１μｍまで
広がるようになる。
プ５の位置合わせ精度について述べる。コア層４の放物
線状の光導波路１の底部１ａのコア径をｄとすると、放
物線状の光導波路１の開口部１ｂから出射する光の広が
り角度θ（ラジアン）は、式（１）で示される。 θ＝（４／π）・（λ／ｄ） （１） 但し、λ：コア層４に入射する光の波長 例えば、コア径ｄ＝１０μｍ、光の波長λ＝１．３μｍ
を式（１）に代入すると、広がり角度θは次のように与
えられる。 θ≒０．１７ラジアン（９．７°） このように、広がり角度θ≒０．１７ラジアンの値で
は、そのまま放置しておくと、放物線状の光導波路１の
開口部１ｂでは光の干渉により光束は略３２１μｍまで
広がるようになる。
【００２７】しかしながら、前述したように、放物線状
の光導波路１の開口部１ｂの幅を略８０μｍに設定した
場合には、光束が放物線状の光導波路１の側面で反射す
る。そして、放物線状の光導波路１の開口部１ｂにおい
て、光束の広がり角度θが補正されて、光束は８０μｍ
で広がるようになる。この場合の広がり角度θは式
（１）に基づいて、略０．０２１ラジアン（１．２°）
となる。この光導波路１の開口部１ｂにおける位置合わ
せ精度は、光導波路１の配向精度は略０．００２ラジア
ン（０．１°）必要になり、また並行移動精度は略８μ
ｍ必要であり、必要な位置合わせ精度は、従来において
必要とされていた略１μｍに比較して略一桁（略８倍）
程度緩和することができるようになる。
の光導波路１の開口部１ｂの幅を略８０μｍに設定した
場合には、光束が放物線状の光導波路１の側面で反射す
る。そして、放物線状の光導波路１の開口部１ｂにおい
て、光束の広がり角度θが補正されて、光束は８０μｍ
で広がるようになる。この場合の広がり角度θは式
（１）に基づいて、略０．０２１ラジアン（１．２°）
となる。この光導波路１の開口部１ｂにおける位置合わ
せ精度は、光導波路１の配向精度は略０．００２ラジア
ン（０．１°）必要になり、また並行移動精度は略８μ
ｍ必要であり、必要な位置合わせ精度は、従来において
必要とされていた略１μｍに比較して略一桁（略８倍）
程度緩和することができるようになる。
【００２８】一方、配向精度は光束の干渉による広がり
角度が略１／８になるので、略８倍厳しくなる。そのた
め、本発明では、その位置合わせを容易にする目的で突
き当て金属ストリップラインを形成する解決手段を考え
た。この突き当て金属ストリップライン１２は、図１に
示すように、上クラッド層６及び下クラッド層７に光進
路方向に並行に形成して、光導波路同士の配向をそれぞ
れの突き当て金属ストリップライン１２同士の突き当て
により行うことで、位置合わせを容易にするものであ
る。
角度が略１／８になるので、略８倍厳しくなる。そのた
め、本発明では、その位置合わせを容易にする目的で突
き当て金属ストリップラインを形成する解決手段を考え
た。この突き当て金属ストリップライン１２は、図１に
示すように、上クラッド層６及び下クラッド層７に光進
路方向に並行に形成して、光導波路同士の配向をそれぞ
れの突き当て金属ストリップライン１２同士の突き当て
により行うことで、位置合わせを容易にするものであ
る。
【００２９】次に、薄膜クラッド層８を形成することに
より、方向性結合器を構成する構造について述べる。こ
の方向性結合器は、後述するように光素子チップ５を光
電子基板２１に実装する場合に、薄膜クラッド層８を挟
んだ上下コア層（光素子チップ５のコア層と光電子基板
２１のコア層）同士を、互いに光を１００％授受させる
ために必要となる。薄膜クラッド層８は、前述したよう
に下クラッド層７で完全に覆われることなく、所定の長
さｚだけ露出された光導波路１の底面を覆うために形成
され、紫外線硬化性樹脂フィルムをスピンコート法によ
り成膜することで形成する。
より、方向性結合器を構成する構造について述べる。こ
の方向性結合器は、後述するように光素子チップ５を光
電子基板２１に実装する場合に、薄膜クラッド層８を挟
んだ上下コア層（光素子チップ５のコア層と光電子基板
２１のコア層）同士を、互いに光を１００％授受させる
ために必要となる。薄膜クラッド層８は、前述したよう
に下クラッド層７で完全に覆われることなく、所定の長
さｚだけ露出された光導波路１の底面を覆うために形成
され、紫外線硬化性樹脂フィルムをスピンコート法によ
り成膜することで形成する。
【００３０】この構造による方向性結合器では、薄膜ク
ラッド層８の屈折率をコア層４の屈折率で除算した値
（１．５０７／１．５１７≒０．９９３４）を比屈折率
ｎ、薄膜クラッド層８の膜厚をｈとした場合、式（２）
で示される程度の率で減衰する光（エバネッセント光）
を利用して上コア層から下コア層に染み出させて伝送さ
せる。 ｅｘｐ（−２π・（１−ｎ2）0.5・（ｈ／λ）） （２） 例えば、比屈折率ｎ＝０．９９３４、光の波長λ＝１．
３μｍを式（２）に導入し、薄膜クラッド層８の膜厚ｈ
を可変値とすると、光（エバネッセント光）伝送量は薄
膜クラッド層８の膜厚ｈ＝１．３μｍで半減し、薄膜ク
ラッド層８の膜厚ｈ＝４．２μｍで１／１０以下に減衰
する。
ラッド層８の屈折率をコア層４の屈折率で除算した値
（１．５０７／１．５１７≒０．９９３４）を比屈折率
ｎ、薄膜クラッド層８の膜厚をｈとした場合、式（２）
で示される程度の率で減衰する光（エバネッセント光）
を利用して上コア層から下コア層に染み出させて伝送さ
せる。 ｅｘｐ（−２π・（１−ｎ2）0.5・（ｈ／λ）） （２） 例えば、比屈折率ｎ＝０．９９３４、光の波長λ＝１．
３μｍを式（２）に導入し、薄膜クラッド層８の膜厚ｈ
を可変値とすると、光（エバネッセント光）伝送量は薄
膜クラッド層８の膜厚ｈ＝１．３μｍで半減し、薄膜ク
ラッド層８の膜厚ｈ＝４．２μｍで１／１０以下に減衰
する。
【００３１】ここで、一方のコア層から薄膜クラッド層
８を介して他方のコア層に光が染み出すモード結合係数
をｋとして、薄膜クラッド層８を介した上下のコア層の
厚さが等しい場合にその厚さをｔとすると、モード結合
係数ｋは式（３）で与えられる。 ｋ＝（λ／ｔ2）ｅｘｐ（−２π・(１−ｎ2)0.5・(ｈ／λ)） （３ ）
８を介して他方のコア層に光が染み出すモード結合係数
をｋとして、薄膜クラッド層８を介した上下のコア層の
厚さが等しい場合にその厚さをｔとすると、モード結合
係数ｋは式（３）で与えられる。 ｋ＝（λ／ｔ2）ｅｘｐ（−２π・(１−ｎ2)0.5・(ｈ／λ)） （３ ）
【００３２】そして、上下コア層間で移行する光束は、
上下コア層における光の進行方向長さｚに応じて周期的
に変動する。ここで、進行方向長さｚは式（４）で与え
られる。 ｚ＝（π／２）／ｋ （４） 例えば、λ＝１．３μｍ、ｔ＝１０μｍ、ｎ＝０．９９
３４、ｈ＝２μｍを式（３）に代入すると、モード結合
係数ｋは、 ｋ＝(３．１４／１００)・ｅｘｐ(−６．２８(１−０．
９９３４２)0.5・（２／１．３）)≒０．００４２８ となる。さらに、上述の値ｋ≒０．００４２８を式
（４）に代入すると、ｚ≒３６６μｍが得られる。すな
わち、光素子チップ５を光電子基板２１に実装する場
合、図１に示すように、光進行方向に長さｚが３６６μ
ｍの薄膜クラッド層８を介して上下コア層同士を対向さ
せると、方向性結合器が構成されて、光進路方向に沿っ
て互いのコア層に向けて光を完全に移行させることがで
きるようになる。
上下コア層における光の進行方向長さｚに応じて周期的
に変動する。ここで、進行方向長さｚは式（４）で与え
られる。 ｚ＝（π／２）／ｋ （４） 例えば、λ＝１．３μｍ、ｔ＝１０μｍ、ｎ＝０．９９
３４、ｈ＝２μｍを式（３）に代入すると、モード結合
係数ｋは、 ｋ＝(３．１４／１００)・ｅｘｐ(−６．２８(１−０．
９９３４２)0.5・（２／１．３）)≒０．００４２８ となる。さらに、上述の値ｋ≒０．００４２８を式
（４）に代入すると、ｚ≒３６６μｍが得られる。すな
わち、光素子チップ５を光電子基板２１に実装する場
合、図１に示すように、光進行方向に長さｚが３６６μ
ｍの薄膜クラッド層８を介して上下コア層同士を対向さ
せると、方向性結合器が構成されて、光進路方向に沿っ
て互いのコア層に向けて光を完全に移行させることがで
きるようになる。
【００３３】光素子チップ５の発光部と上クラッド層６
との間の、コア層４のストリップライン２の表面には、
図３に示すように、プリズム９が設けられている。この
プリズム９は、光素子チップ５で発生した光をコア層４
に導くためのもので、光学ガラスからなり、その屈折率
ｎｐはコア層４のそれ（Ｎ：１．５１７）よりも大きな
略１．５７に設定されている。ここで、プリズム９の角
度をαとした場合、式（５）が成立する。 Ｓｉｎ（（π／２）−２α）＝Ｎ／ｎｐ （５） そして、Ｎ、ｎｐに上述の値を導入することにより、プ
リズム９の角度α＝７．４６度が求まる。この結果、高
さ１２μｍ、底辺９２μｍのプリズム９を用いることに
より、光素子チップ５で発生した光をコア層４に導くこ
とができるようになる。
との間の、コア層４のストリップライン２の表面には、
図３に示すように、プリズム９が設けられている。この
プリズム９は、光素子チップ５で発生した光をコア層４
に導くためのもので、光学ガラスからなり、その屈折率
ｎｐはコア層４のそれ（Ｎ：１．５１７）よりも大きな
略１．５７に設定されている。ここで、プリズム９の角
度をαとした場合、式（５）が成立する。 Ｓｉｎ（（π／２）−２α）＝Ｎ／ｎｐ （５） そして、Ｎ、ｎｐに上述の値を導入することにより、プ
リズム９の角度α＝７．４６度が求まる。この結果、高
さ１２μｍ、底辺９２μｍのプリズム９を用いることに
より、光素子チップ５で発生した光をコア層４に導くこ
とができるようになる。
【００３４】次に、図４を参照して、この例の光モジュ
ールの実装方法で主要部品として用いるコア層の製造方
法について工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示す
ように、製造すべきコア層４の膜厚及び長さに相当した
サイズの溝１４が設けられている金属型１５を用意す
る。次に、溝１４の内面に剥型剤として膜厚が０．０５
〜０．５μｍのシリコーン層を形成する。これは、予め
内面に熱硬化性シリコーン化合物からなるトルエン溶液
を塗布した後、略１５０℃の熱風を略３０秒間吹き付け
ることにより、硬化させて形成する。次に、溝１４内に
コア層の原料となる紫外線硬化性樹脂１３を充填した
後、略８０℃の熱風炉で略２０分間乾燥処理して、樹脂
組成物を半硬化させる。
ールの実装方法で主要部品として用いるコア層の製造方
法について工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示す
ように、製造すべきコア層４の膜厚及び長さに相当した
サイズの溝１４が設けられている金属型１５を用意す
る。次に、溝１４の内面に剥型剤として膜厚が０．０５
〜０．５μｍのシリコーン層を形成する。これは、予め
内面に熱硬化性シリコーン化合物からなるトルエン溶液
を塗布した後、略１５０℃の熱風を略３０秒間吹き付け
ることにより、硬化させて形成する。次に、溝１４内に
コア層の原料となる紫外線硬化性樹脂１３を充填した
後、略８０℃の熱風炉で略２０分間乾燥処理して、樹脂
組成物を半硬化させる。
【００３５】次に、図４（ｂ）に示すように、予め形成
した膜厚が略３０μｍの紫外線硬化性樹脂フィルム１６
を用いて、金属型１５の表面に接触させた後、略１５０
℃で略３０分間加熱、加圧処理して、樹脂組成物を硬化
させて樹脂フィルム１６に張り合わせる。これにより紫
外線硬化性樹脂フィルムからなるコア層４を形成する。
このコア層４は、図１に示したように、放物線状の光導
波路１とストリップライン２とが一体に接続された形状
を有している。樹脂フィルム１６は、後述するように例
えば下クラッド層となる。なお、樹脂フィルム１６とし
ては、所定位置に予め突き当て金属ストリップライン１
２を形成したものを用いる。この突き当て金属ストリッ
プライン１２は、銅、アルミニウム、鉄等の金属からな
り、膜厚が５０〜１００μｍ、幅が１００〜８００μｍ
のサイズに形成されている。
した膜厚が略３０μｍの紫外線硬化性樹脂フィルム１６
を用いて、金属型１５の表面に接触させた後、略１５０
℃で略３０分間加熱、加圧処理して、樹脂組成物を硬化
させて樹脂フィルム１６に張り合わせる。これにより紫
外線硬化性樹脂フィルムからなるコア層４を形成する。
このコア層４は、図１に示したように、放物線状の光導
波路１とストリップライン２とが一体に接続された形状
を有している。樹脂フィルム１６は、後述するように例
えば下クラッド層となる。なお、樹脂フィルム１６とし
ては、所定位置に予め突き当て金属ストリップライン１
２を形成したものを用いる。この突き当て金属ストリッ
プライン１２は、銅、アルミニウム、鉄等の金属からな
り、膜厚が５０〜１００μｍ、幅が１００〜８００μｍ
のサイズに形成されている。
【００３６】次に、図４（ｃ）に示すように、樹脂フィ
ルム１６を金属型１５から剥離することにより、コア層
４及び突き当て金属ストリップライン１２が形成された
下クラッド層７を得る。ここで、金属ストリップライン
１２を樹脂フィルム１６と同時に金属型１５により樹脂
で形成することも可能である。
ルム１６を金属型１５から剥離することにより、コア層
４及び突き当て金属ストリップライン１２が形成された
下クラッド層７を得る。ここで、金属ストリップライン
１２を樹脂フィルム１６と同時に金属型１５により樹脂
で形成することも可能である。
【００３７】次に、図５及び図６を参照して、第１の段
階により、光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立
てる方法の概要について工程順に説明する。まず、図５
（ａ）に示すように、予め突き当て金属ストリップライ
ン１２を形成した樹脂フィルム１６及び第１のコアパタ
ーン４ａを金型中に用意した後、コアパターン４ａを樹
脂フィルム１６に張り合わせる（図４（ｂ））ことによ
り、図５（ｂ）に示すように、下クラッド層７を完成さ
せる。具体的には、図４に示した方法を利用して下クラ
ッド層７を製造する。
階により、光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立
てる方法の概要について工程順に説明する。まず、図５
（ａ）に示すように、予め突き当て金属ストリップライ
ン１２を形成した樹脂フィルム１６及び第１のコアパタ
ーン４ａを金型中に用意した後、コアパターン４ａを樹
脂フィルム１６に張り合わせる（図４（ｂ））ことによ
り、図５（ｂ）に示すように、下クラッド層７を完成さ
せる。具体的には、図４に示した方法を利用して下クラ
ッド層７を製造する。
【００３８】次に、図５（ｃ）に示すように、予め突き
当て金属ストリップライン１２及び第２のコアパターン
４ｂを形成した樹脂フィルムからなる上クラッド層６を
用意する。この上クラッド層６は、図４に示した方法を
利用して製造することができる。
当て金属ストリップライン１２及び第２のコアパターン
４ｂを形成した樹脂フィルムからなる上クラッド層６を
用意する。この上クラッド層６は、図４に示した方法を
利用して製造することができる。
【００３９】次に、図５（ｄ）に示すように、上クラッ
ド層６及び下クラッド層７をそれぞれ上下位置に配置し
て対向させ、第２のコアパターン４ｂを覆うように薄膜
クラッド層８を形成した後、コア層４と略等しい屈折率
の接着剤を用いて、対向している上クラッド層６と下ク
ラッド層７の第１のコアパターン４ａとの間、上クラッ
ド層６の薄膜クラッド層８と下クラッド層７との間を接
着する。このとき、両者の接着はお互いの突き当て金属
ストリップライン１２同士を突き当てて行うことによ
り、位置合わせを容易に行うことができる。これによ
り、図６（ｅ）に示すように、第１のコアパターン４ａ
と第２のコアパターン４ｂとが一体に接続され、かつ一
部が薄膜クラッド層８で覆われたコア層４が形成され
て、図１に示したように、放物線状の第１の光導波路１
と第２の光導波路となるストリップライン２とが一体に
接続された形状の光導波路３が形成される。
ド層６及び下クラッド層７をそれぞれ上下位置に配置し
て対向させ、第２のコアパターン４ｂを覆うように薄膜
クラッド層８を形成した後、コア層４と略等しい屈折率
の接着剤を用いて、対向している上クラッド層６と下ク
ラッド層７の第１のコアパターン４ａとの間、上クラッ
ド層６の薄膜クラッド層８と下クラッド層７との間を接
着する。このとき、両者の接着はお互いの突き当て金属
ストリップライン１２同士を突き当てて行うことによ
り、位置合わせを容易に行うことができる。これによ
り、図６（ｅ）に示すように、第１のコアパターン４ａ
と第２のコアパターン４ｂとが一体に接続され、かつ一
部が薄膜クラッド層８で覆われたコア層４が形成され
て、図１に示したように、放物線状の第１の光導波路１
と第２の光導波路となるストリップライン２とが一体に
接続された形状の光導波路３が形成される。
【００４０】次に、図６（ｆ）に示すように、予め底面
に位置合わせ用マーク１８を設けた光素子チップ５を用
いて、図６（ｇ）に示すように、位置合わせ用マーク１
８に光導波路３のストリップライン２の端部を合わせて
コア層４と略等しい屈折率の接着剤を用いて、光素子チ
ップ５を光導波路３のストリップライン２の端部に接着
する。位置合わせ用マーク１８は、銅等の金属層を予め
めっきして形成しておく。このように、光素子チップ５
を光導波路３に接着するとき、前述したように光導波路
３のストリップライン２は略１０μｍの幅に形成されて
いるので、位置合わせは容易に行うことができる。以上
により、光導波路端子付き光素子チップ構造１０を組み
立てることができる。
に位置合わせ用マーク１８を設けた光素子チップ５を用
いて、図６（ｇ）に示すように、位置合わせ用マーク１
８に光導波路３のストリップライン２の端部を合わせて
コア層４と略等しい屈折率の接着剤を用いて、光素子チ
ップ５を光導波路３のストリップライン２の端部に接着
する。位置合わせ用マーク１８は、銅等の金属層を予め
めっきして形成しておく。このように、光素子チップ５
を光導波路３に接着するとき、前述したように光導波路
３のストリップライン２は略１０μｍの幅に形成されて
いるので、位置合わせは容易に行うことができる。以上
により、光導波路端子付き光素子チップ構造１０を組み
立てることができる。
【００４１】次に、図７及び図８を参照して、第２の段
階により、光導波路端子付き光素子チップ構造を光電子
基板に実装する方法の概要について説明する。これに
は、予め製造されたシリコン基板、エポキシ樹脂基板等
からなる光電子基板２１を用いる。この光電子基板２１
上には、光素子チップ５をフェースダウン接続するとき
に、光素子チップ５に対向した位置にバンプ状導体１１
を接続するための銅等からなる膜厚が略５μｍの部品端
子２２が形成され、また、必要な位置には配線パターン
が形成されている。さらに、光電子基板２１上には、光
素子チップ５が接着されている光導波路３を接着するた
めの、光導波路２３となるコア層２４が形成されてい
る。
階により、光導波路端子付き光素子チップ構造を光電子
基板に実装する方法の概要について説明する。これに
は、予め製造されたシリコン基板、エポキシ樹脂基板等
からなる光電子基板２１を用いる。この光電子基板２１
上には、光素子チップ５をフェースダウン接続するとき
に、光素子チップ５に対向した位置にバンプ状導体１１
を接続するための銅等からなる膜厚が略５μｍの部品端
子２２が形成され、また、必要な位置には配線パターン
が形成されている。さらに、光電子基板２１上には、光
素子チップ５が接着されている光導波路３を接着するた
めの、光導波路２３となるコア層２４が形成されてい
る。
【００４２】ここで、コア層２４の光導波路の形状は図
７に示すように、図１に示したコア層４の光導波路３と
はその放物線状の向きが略１８０°逆となるように形成
される。これは、後述するように光素子チップ５を光電
子基板２１に実装するとき、位置合わせを容易にするた
めである。コア層２４は、図１のコア層４の場合と同様
に、上クラッド層２５及び下クラッド層２６により覆わ
れている。
７に示すように、図１に示したコア層４の光導波路３と
はその放物線状の向きが略１８０°逆となるように形成
される。これは、後述するように光素子チップ５を光電
子基板２１に実装するとき、位置合わせを容易にするた
めである。コア層２４は、図１のコア層４の場合と同様
に、上クラッド層２５及び下クラッド層２６により覆わ
れている。
【００４３】次に、光電子基板２１の製造方法について
説明する。まず、シリコン基板等の基板上に部品端子２
２及び必要な配線パターンを形成した後、全面に屈折率
が略１．４９に設定された紫外線硬化性樹脂を略３０μ
ｍの膜厚に塗布する。次に、紫外線硬化性樹脂をフォト
リソグラフィ法によりパターニングして、所望形状の下
クラッド層２６を形成する。次に、下クラッド層２６上
に、屈折率が略１．５１７に設定された紫外線硬化性樹
脂を略１０μｍの膜厚に塗布した後、パターニングし
て、上述したようにコア層４の光導波路３とは放物線状
の向きが略１８０°逆となるような光導波路のコア層２
４を形成する。
説明する。まず、シリコン基板等の基板上に部品端子２
２及び必要な配線パターンを形成した後、全面に屈折率
が略１．４９に設定された紫外線硬化性樹脂を略３０μ
ｍの膜厚に塗布する。次に、紫外線硬化性樹脂をフォト
リソグラフィ法によりパターニングして、所望形状の下
クラッド層２６を形成する。次に、下クラッド層２６上
に、屈折率が略１．５１７に設定された紫外線硬化性樹
脂を略１０μｍの膜厚に塗布した後、パターニングし
て、上述したようにコア層４の光導波路３とは放物線状
の向きが略１８０°逆となるような光導波路のコア層２
４を形成する。
【００４４】次に、コア層２４の上面及び側面に、屈折
率が略１．４９に設定された紫外線硬化性樹脂を略３０
μｍの膜厚に塗布した後、パターニングして上クラッド
層２５を形成する。このとき、光導波路端子付き光素子
チップ構造１０の、光導波路３の底面を覆っている薄膜
クラッド層８に対向した位置のコア層２４が露出するよ
うにパターニングして、上クラッド層２５を形成する。
また、コア層２４には突き当て金属ストリップライン１
２を位置合わせるための突き当て溝２７を形成してお
く。以上により、光電子基板２１を完成させる。
率が略１．４９に設定された紫外線硬化性樹脂を略３０
μｍの膜厚に塗布した後、パターニングして上クラッド
層２５を形成する。このとき、光導波路端子付き光素子
チップ構造１０の、光導波路３の底面を覆っている薄膜
クラッド層８に対向した位置のコア層２４が露出するよ
うにパターニングして、上クラッド層２５を形成する。
また、コア層２４には突き当て金属ストリップライン１
２を位置合わせるための突き当て溝２７を形成してお
く。以上により、光電子基板２１を完成させる。
【００４５】次に、図７及び図８に示すように、光導波
路端子付き光素子チップ構造１０及び光電子基板２１を
それぞれ上下位置に配置して対向させた後、コア層４と
略等しい屈折率の接着剤を用いて、対向している薄膜ク
ラッド層８とコア層２４との間を接着すると共に、光素
子チップ５のバンプ状導体１１を部品端子２２に接続し
てフェースダウン接続する。このような接続時、図９に
示すように、光導波路端子付き光素子チップ構造１０に
形成されている突き当て金属ストリップライン１２を、
光電子基板２１に形成されている突き当て溝２７に位置
合わせすることにより、光導波路端子付き光素子チップ
構造１０の光電子基板２１への実装を容易に行うことが
できる。
路端子付き光素子チップ構造１０及び光電子基板２１を
それぞれ上下位置に配置して対向させた後、コア層４と
略等しい屈折率の接着剤を用いて、対向している薄膜ク
ラッド層８とコア層２４との間を接着すると共に、光素
子チップ５のバンプ状導体１１を部品端子２２に接続し
てフェースダウン接続する。このような接続時、図９に
示すように、光導波路端子付き光素子チップ構造１０に
形成されている突き当て金属ストリップライン１２を、
光電子基板２１に形成されている突き当て溝２７に位置
合わせすることにより、光導波路端子付き光素子チップ
構造１０の光電子基板２１への実装を容易に行うことが
できる。
【００４６】このように、この例の光モジュールの実装
方法によれば、放物線状の光導波路１とこの光導波路１
に接続されたストリップライン２とから構成された光導
波路３をコア層４として形成した後、ストリップライン
２の端部に光素子チップ５を接着することで組み立てた
光導波路端子付き光素子チップ構造１０を予め用意し、
一方コア層４の光導波路３とは放物線状の向きが略１８
０°逆となるような光導波路のコア層２４を形成した光
電子基板２１を用意し、両コア層４、２４の放物線状の
光導波路同士を接着することにより光素子チップ５を光
電子基板２１に実装するようにしたので、高精度での位
置合わせを不要にすることができる。また、この例の光
素子チップの実装構造によれば、放物線状の光導波路１
とこの光導波路１に接続されたストリップライン２とか
ら構成された光導波路３がコア層４として形成され、ス
トリップライン２の端部に光素子チップ５が接着されて
光導波路端子付き光素子チップ構造１０が組み立てら
れ、別に用意されたコア層４の光導波路３とは放物線状
の向きが略１８０°逆となるような光導波路のコア層２
４が形成された光電子基板２１に、放物線状の光導波路
同士が接着されて光素子チップ５が光電子基板２１に実
装されているので、光の減衰の少ない光モジュールが得
られる。したがって、実装のための位置合わせ精度を緩
和することにより光素子チップの光電子基板への実装を
容易に行うことができる。
方法によれば、放物線状の光導波路１とこの光導波路１
に接続されたストリップライン２とから構成された光導
波路３をコア層４として形成した後、ストリップライン
２の端部に光素子チップ５を接着することで組み立てた
光導波路端子付き光素子チップ構造１０を予め用意し、
一方コア層４の光導波路３とは放物線状の向きが略１８
０°逆となるような光導波路のコア層２４を形成した光
電子基板２１を用意し、両コア層４、２４の放物線状の
光導波路同士を接着することにより光素子チップ５を光
電子基板２１に実装するようにしたので、高精度での位
置合わせを不要にすることができる。また、この例の光
素子チップの実装構造によれば、放物線状の光導波路１
とこの光導波路１に接続されたストリップライン２とか
ら構成された光導波路３がコア層４として形成され、ス
トリップライン２の端部に光素子チップ５が接着されて
光導波路端子付き光素子チップ構造１０が組み立てら
れ、別に用意されたコア層４の光導波路３とは放物線状
の向きが略１８０°逆となるような光導波路のコア層２
４が形成された光電子基板２１に、放物線状の光導波路
同士が接着されて光素子チップ５が光電子基板２１に実
装されているので、光の減衰の少ない光モジュールが得
られる。したがって、実装のための位置合わせ精度を緩
和することにより光素子チップの光電子基板への実装を
容易に行うことができる。
【００４７】◇第２実施例 図１０は、この発明の第２実施例である光モジュールの
実装方法の構成を示す平面図、図１１は図１０のＣ−Ｃ
矢視断面図である。この第２実施例の光モジュールの実
装方法の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異な
るところは、光電子基板の端部に溝を介して光ファイバ
ーを接続するようにした点である。図１０及び図１１か
ら明らかなように、光電子基板２１の光素子チップ５側
と反対の端部には、Ｖ溝２９が形成されて、このＶ溝２
９には光ファイバー３０が配置されている。光ファイバ
ー３０のコア層３１は、光電子基板２１のコア層２４に
位置合わせされている。このような実装構造によれば、
光素子チップ５で発生された光はプリズム９により導か
れてコア層４に入射した後、薄膜クラッド層８により構
成される方向性結合器によりコア層２４に移行されて、
光ファイバー３０に出射される。なお、上記以外の点で
は、上述の第１実施例と略同様であるので、図１０及び
図１１において、それと同一の各部には、同一の番号を
付してその説明は省略する。
実装方法の構成を示す平面図、図１１は図１０のＣ−Ｃ
矢視断面図である。この第２実施例の光モジュールの実
装方法の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異な
るところは、光電子基板の端部に溝を介して光ファイバ
ーを接続するようにした点である。図１０及び図１１か
ら明らかなように、光電子基板２１の光素子チップ５側
と反対の端部には、Ｖ溝２９が形成されて、このＶ溝２
９には光ファイバー３０が配置されている。光ファイバ
ー３０のコア層３１は、光電子基板２１のコア層２４に
位置合わせされている。このような実装構造によれば、
光素子チップ５で発生された光はプリズム９により導か
れてコア層４に入射した後、薄膜クラッド層８により構
成される方向性結合器によりコア層２４に移行されて、
光ファイバー３０に出射される。なお、上記以外の点で
は、上述の第１実施例と略同様であるので、図１０及び
図１１において、それと同一の各部には、同一の番号を
付してその説明は省略する。
【００４８】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００４９】◇第３実施例 図１２は、この発明の第３実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図、図１３は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図である。この第３実施例の光モジュール
の実装方法の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく
異なるところは、プリズムを用いないようにした点であ
る。図１２及び図１３から明らかなように、コア層４の
端面は直接に光素子チップ５の発光部に位置合わせされ
ている。そして、下クラッド層７は直接に光素子チップ
５の底面に接着されている。これにより、簡単な実装構
造とすることができる。このような実装構造によれば、
光素子チップ５で発生された光は直接にコア層４に入射
された後、薄膜クラッド層８により構成される方向性結
合器によりコア層２４に移行される。
装方法の構成を示す断面図、図１３は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図である。この第３実施例の光モジュール
の実装方法の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく
異なるところは、プリズムを用いないようにした点であ
る。図１２及び図１３から明らかなように、コア層４の
端面は直接に光素子チップ５の発光部に位置合わせされ
ている。そして、下クラッド層７は直接に光素子チップ
５の底面に接着されている。これにより、簡単な実装構
造とすることができる。このような実装構造によれば、
光素子チップ５で発生された光は直接にコア層４に入射
された後、薄膜クラッド層８により構成される方向性結
合器によりコア層２４に移行される。
【００５０】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、プリズムを用
いないので部品代を削減することができる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、プリズムを用
いないので部品代を削減することができる。
【００５１】◇第４実施例 図１４は、この発明の第４実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図、図１５は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図である。この第４実施例の光モジュール
の実装方法の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく
異なるところは、方向性結合器を構成しないようにした
点である。図１４及び図１５から明らかなように、コア
層４の底面には薄膜クラッド層は形成されていない。し
たがって、方向性結合器は構成されない。また、プリズ
ムも不要にしている。また、下クラッド層７は直接に光
素子チップ５の底面に接着されると共に、その端部には
テーパー３３が形成されて、このテーパー３３上にコア
層４が配置されている。さらに、コア層４は光電子基板
２１の下クラッド層２６に接着されている。コア層４と
コア層２４との間はコア層４と略等しい屈折率の接着剤
により接着されている。このような実装構造によれば、
光素子チップ５で発生された光は直接にコア層４に入射
された後、コア層２４に移行される。
装方法の構成を示す断面図、図１５は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図である。この第４実施例の光モジュール
の実装方法の構成が、上述の第１実施例のそれと大きく
異なるところは、方向性結合器を構成しないようにした
点である。図１４及び図１５から明らかなように、コア
層４の底面には薄膜クラッド層は形成されていない。し
たがって、方向性結合器は構成されない。また、プリズ
ムも不要にしている。また、下クラッド層７は直接に光
素子チップ５の底面に接着されると共に、その端部には
テーパー３３が形成されて、このテーパー３３上にコア
層４が配置されている。さらに、コア層４は光電子基板
２１の下クラッド層２６に接着されている。コア層４と
コア層２４との間はコア層４と略等しい屈折率の接着剤
により接着されている。このような実装構造によれば、
光素子チップ５で発生された光は直接にコア層４に入射
された後、コア層２４に移行される。
【００５２】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、薄膜クラッド
層及びプリズムを用いないので部品代を削減することが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、薄膜クラッド
層及びプリズムを用いないので部品代を削減することが
できる。
【００５３】◇第５実施例 図１６は、この発明の第５実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図、図１７は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図である。この第５実施例の光モジュール
の実装方法の構成が、上述の第４実施例のそれと大きく
異なるところは、コア層上の上クラッド層をコア層より
も長く張り出させるようにした点である。図１６及び図
１７から明らかなように、コア層４において上クラッド
層６はコア層４よりも長く張り出している。また、コア
層４の端面は直接に光素子チップ５の発光部に位置合わ
せされている。また、コア層４と上クラッド層６及び下
クラッド層７との間にはコア層４の一部を露出するよう
な段部３４が設けられると共に、コア層２４と上クラッ
ド層２５及び下クラッド層２６との間にはコア層２４の
一部を露出するような、段部３４と相似形状に段部３５
が設けられている。そして、段部３４と段部３５とを重
ね合わせることにより、互いの上クラッド層６、２５同
士が略同一高さに保持されている。そして、下クラッド
層７と下クラッド層２６との継ぎ目は、下クラッド層２
６と略同じ屈折率の接着剤で接着し、一方、コア層４と
コア層２４との継ぎ目は、コア層４と略同じ屈折率の接
着剤で接着し、また、上クラッド層６と上クラッド層２
５との継ぎ目は、上クラッド層と略同じ屈折率の接着剤
で接着する。このような実装構造によれば、クラッド層
同士、コア層同士の接合部の屈折率を同時に、それぞれ
接合すべき層と等しい屈折率の接着剤で接着できるの
で、良い光学的結合が得られ、光の結合損失を少なくで
きる。このような実装構造によれば、光素子チップ５で
発生された光は直接にコア層４に入射された後、コア層
２４に移行される。この例によれば、上クラッド層６の
はみ出し部を利用することにより、コア層の高さを調整
することができる。また、コア層４は光素子チップ５に
密着されているので、光伝送性の劣化を低下させること
ができる。
装方法の構成を示す断面図、図１７は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図である。この第５実施例の光モジュール
の実装方法の構成が、上述の第４実施例のそれと大きく
異なるところは、コア層上の上クラッド層をコア層より
も長く張り出させるようにした点である。図１６及び図
１７から明らかなように、コア層４において上クラッド
層６はコア層４よりも長く張り出している。また、コア
層４の端面は直接に光素子チップ５の発光部に位置合わ
せされている。また、コア層４と上クラッド層６及び下
クラッド層７との間にはコア層４の一部を露出するよう
な段部３４が設けられると共に、コア層２４と上クラッ
ド層２５及び下クラッド層２６との間にはコア層２４の
一部を露出するような、段部３４と相似形状に段部３５
が設けられている。そして、段部３４と段部３５とを重
ね合わせることにより、互いの上クラッド層６、２５同
士が略同一高さに保持されている。そして、下クラッド
層７と下クラッド層２６との継ぎ目は、下クラッド層２
６と略同じ屈折率の接着剤で接着し、一方、コア層４と
コア層２４との継ぎ目は、コア層４と略同じ屈折率の接
着剤で接着し、また、上クラッド層６と上クラッド層２
５との継ぎ目は、上クラッド層と略同じ屈折率の接着剤
で接着する。このような実装構造によれば、クラッド層
同士、コア層同士の接合部の屈折率を同時に、それぞれ
接合すべき層と等しい屈折率の接着剤で接着できるの
で、良い光学的結合が得られ、光の結合損失を少なくで
きる。このような実装構造によれば、光素子チップ５で
発生された光は直接にコア層４に入射された後、コア層
２４に移行される。この例によれば、上クラッド層６の
はみ出し部を利用することにより、コア層の高さを調整
することができる。また、コア層４は光素子チップ５に
密着されているので、光伝送性の劣化を低下させること
ができる。
【００５４】このように、この例の構成によっても、第
４実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、光伝送性の劣
化を低下させることができる。
４実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、光伝送性の劣
化を低下させることができる。
【００５５】◇第６実施例 図１８は、この発明の第６実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図、図１９は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図、図２０は図１９のＤ−Ｄ矢視断面図で
ある。この第６実施例の光モジュールの実装方法の構成
が、上述の第５実施例のそれと大きく異なるところは、
下クラッド層を不要にして実装するようにした点であ
る。図１９及び図２０に示すように、組み立てられた光
導波路端子付き光素子チップ構造１０は、コア層５が略
３０μｍの上クラッド層６で覆われると共に、略１００
μｍの下クラッド層７で覆われている。ここで、下クラ
ッド層７は剥型剤としてのシリコーン層をコートしたカ
バーフィルム３６を介して、コア層４及び光素子チップ
５に接着されている。
装方法の構成を示す断面図、図１９は同光モジュールの
実装方法に用いられる光導波路端子付き光素子チップ構
造を示す平面図、図２０は図１９のＤ−Ｄ矢視断面図で
ある。この第６実施例の光モジュールの実装方法の構成
が、上述の第５実施例のそれと大きく異なるところは、
下クラッド層を不要にして実装するようにした点であ
る。図１９及び図２０に示すように、組み立てられた光
導波路端子付き光素子チップ構造１０は、コア層５が略
３０μｍの上クラッド層６で覆われると共に、略１００
μｍの下クラッド層７で覆われている。ここで、下クラ
ッド層７は剥型剤としてのシリコーン層をコートしたカ
バーフィルム３６を介して、コア層４及び光素子チップ
５に接着されている。
【００５６】このように、この例では、予め光導波路端
子付き光素子チップ構造１０を組み立てて、特に下クラ
ッド層７の膜厚を大きく形成して、部品として扱う場合
は機械的強度を持たせておく。そして、光導波路端子付
き光素子チップ構造１０を光電子基板２１に実装すると
きには、膜厚の大きい下クラッド層７をそのまま残して
おくことは実装時の高さ調整を困難にして差し支えが生
じるので、図１８に示すように、下クラッド層７を剥離
した後に実装を行うようにする。これにより、光導波路
端子付き光素子チップ構造１０の商品価値を高めること
ができる。
子付き光素子チップ構造１０を組み立てて、特に下クラ
ッド層７の膜厚を大きく形成して、部品として扱う場合
は機械的強度を持たせておく。そして、光導波路端子付
き光素子チップ構造１０を光電子基板２１に実装すると
きには、膜厚の大きい下クラッド層７をそのまま残して
おくことは実装時の高さ調整を困難にして差し支えが生
じるので、図１８に示すように、下クラッド層７を剥離
した後に実装を行うようにする。これにより、光導波路
端子付き光素子チップ構造１０の商品価値を高めること
ができる。
【００５７】このように、この例の構成によっても、第
５実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、光導波路端子
付き光素子チップ構造の部品としての商品価値を高める
ことができる。
５実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、光導波路端子
付き光素子チップ構造の部品としての商品価値を高める
ことができる。
【００５８】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、コア
層、上クラッド層、下クラッド層及び薄膜クラッド層の
材料は、膜厚、屈折率等の所定の条件を満たすものであ
れば、紫外線硬化性樹脂フィルムに限ることなく、熱硬
化性樹脂フィルム、ポリイミドフィルム等の他の材料を
用いるようにしても良い。また、光導波路の形状は、光
進路方向に沿って手元から先方に向かって輪郭の広がる
形状になっていればテーパー状等の他の形状でも良い。
また、各層の膜厚、幅等の寸法は一例を示したものであ
り、必要に応じて変更することができる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、コア
層、上クラッド層、下クラッド層及び薄膜クラッド層の
材料は、膜厚、屈折率等の所定の条件を満たすものであ
れば、紫外線硬化性樹脂フィルムに限ることなく、熱硬
化性樹脂フィルム、ポリイミドフィルム等の他の材料を
用いるようにしても良い。また、光導波路の形状は、光
進路方向に沿って手元から先方に向かって輪郭の広がる
形状になっていればテーパー状等の他の形状でも良い。
また、各層の膜厚、幅等の寸法は一例を示したものであ
り、必要に応じて変更することができる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光モジ
ュールの実装方法によれば、光進路方向に沿って手元か
ら先方に向かって輪郭の広がる形状の光導波路とこの光
導波路に接続されたストリップラインとから構成された
光導波路を第１のコア層として形成した後、ストリップ
ラインの端部に光素子チップを接着することで組み立て
た光導波路端子付き光素子チップ構造を予め用意し、一
方第１のコア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８
０°逆となるような光導波路の第２のコア層を形成した
光電子基板を用意し、第１及び第２のコア層の上記形状
の光導波路同士を接着することにより光素子チップを光
電子基板に実装するようにしたので、高精度での位置合
わせを不要にすることができる。また、この例の光素子
チップの実装構造によれば、光進路方向に沿って手元か
ら先方に向かって輪郭の広がる形状の光導波路とこの光
導波路に接続されたストリップラインとから構成された
光導波路が第１のコア層として形成され、ストリップラ
インの端部に光素子チップが接着されて光導波路端子付
き光素子チップ構造が組み立てられ、別に用意されたコ
ア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８０°逆とな
るような光導波路の第２のコア層が形成された光電子基
板に、第１及び第２のコア層の上記形状の光導波路同士
が接着されて光素子チップが光電子基板に実装されてい
るので、光の減衰の少ない光モジュールが得られる。し
たがって、実装のための位置合わせ精度を緩和すること
により光素子チップの光電子基板への実装を容易に行う
ことができる。
ュールの実装方法によれば、光進路方向に沿って手元か
ら先方に向かって輪郭の広がる形状の光導波路とこの光
導波路に接続されたストリップラインとから構成された
光導波路を第１のコア層として形成した後、ストリップ
ラインの端部に光素子チップを接着することで組み立て
た光導波路端子付き光素子チップ構造を予め用意し、一
方第１のコア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８
０°逆となるような光導波路の第２のコア層を形成した
光電子基板を用意し、第１及び第２のコア層の上記形状
の光導波路同士を接着することにより光素子チップを光
電子基板に実装するようにしたので、高精度での位置合
わせを不要にすることができる。また、この例の光素子
チップの実装構造によれば、光進路方向に沿って手元か
ら先方に向かって輪郭の広がる形状の光導波路とこの光
導波路に接続されたストリップラインとから構成された
光導波路が第１のコア層として形成され、ストリップラ
インの端部に光素子チップが接着されて光導波路端子付
き光素子チップ構造が組み立てられ、別に用意されたコ
ア層の光導波路とは上記形状の向きが略１８０°逆とな
るような光導波路の第２のコア層が形成された光電子基
板に、第１及び第２のコア層の上記形状の光導波路同士
が接着されて光素子チップが光電子基板に実装されてい
るので、光の減衰の少ない光モジュールが得られる。し
たがって、実装のための位置合わせ精度を緩和すること
により光素子チップの光電子基板への実装を容易に行う
ことができる。
【図１】この発明の第１実施例である光モジュールの実
装方法に用いる光導波路端子付き光素子チップ構造を示
す平面図である。
装方法に用いる光導波路端子付き光素子チップ構造を示
す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】同光モジュールの実装方法に用いる主要部品を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】同光モジュールの実装方法に用いる主要部品を
製造する方法を工程順に示す工程図である。
製造する方法を工程順に示す工程図である。
【図５】同光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立
てる方法の概要を工程順に示す工程図である。
てる方法の概要を工程順に示す工程図である。
【図６】同光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立
てる方法の概要を工程順に示す工程図である。
てる方法の概要を工程順に示す工程図である。
【図７】同光導波路端子付き光素子チップ構造を光電子
基板に実装する方法を示す平面図である。
基板に実装する方法を示す平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図９】同光導波路端子付き光素子チップ構造を光電子
基板に実装する場合の位置合わせ方法を説明する図であ
る。
基板に実装する場合の位置合わせ方法を説明する図であ
る。
【図１０】この発明の第２実施例である光モジュールの
実装方法の構成を示す平面図である。
実装方法の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図１２】この発明の第３実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図である。
装方法の構成を示す断面図である。
【図１３】同光モジュールの実装方法に用いられる光導
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
【図１４】この発明の第４実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図である。
装方法の構成を示す断面図である。
【図１５】同光モジュールの実装方法に用いられる光導
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
【図１６】この発明の第５実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図である。
装方法の構成を示す断面図である。
【図１７】同光モジュールの実装方法に用いられる光導
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
【図１８】この発明の第６実施例であるモジュールの実
装方法の構成を示す断面図である。
装方法の構成を示す断面図である。
【図１９】同光モジュールの実装方法に用いられる光導
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
波路端子付き光素子チップ構造を示す平面図である。
【図２０】図１９のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図２１】従来の光モジュールの実装構造の概略的構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ 第１の光導波路 １ａ 第１の光導波路の底部 １ｂ 第１の光導波路の開口部 ２ ストリップライン（第２の光導波路） ３、２３ 光導波路 ４、２４、３１ コア層 ４ａ 第１のコアパターン ４ｂ 第２のコアパターン ５ 光素子チップ ６、２５ 上クラッド層 ７、２６ 下クラッド層 ８ 薄膜クラッド層 ９ プリズム １０ 光導波路端子付き光素子チップ構造 １１ バンプ状導体 １２ 突き当て金属ストリップライン １３ 紫外線硬化性樹脂 １４ 溝 １５ 金属型 １６ 樹脂フィルム １８ 位置合わせ用マーク ２１ 光電子基板 ２２ 部品端子 ２７ 突き当て溝 ２９ Ｖ溝 ３０ 光ファイバー ３１ コア層 ３３ テーパー ３４、３５ 段部 ３６ カバーフィルム
Claims (13)
- 【請求項１】 光素子チップを光導波路を介して光電子
基板に実装する光モジュールの実装方法であって、 光導波路端子付き光素子チップ構造を組み立てる第１の
段階と、 前記光導波路端子付き光素子チップ構造を光電子基板に
実装する第２の段階とを含むことを特徴とする光モジュ
ールの実装構造。 - 【請求項２】 光素子チップを光導波路を介して光電子
基板に実装する光モジュールの実装方法であって、 光進路方向に沿って手元から先方に向かって輪郭の広が
る形状の光導波路と該光導波路に接続されたストリップ
ラインとから構成された光導波路を第１のコア層として
形成した後、前記ストリップラインの端部に光素子チッ
プを接着することで組み立てた光導波路端子付き光素子
チップ構造を予め用意し、一方前記第１のコア層の光導
波路とは前記形状の向きが略１８０°逆となるような光
導波路の第２のコア層を形成した光電子基板を用意し、
前記第１及び第２のコア層の前記形状の光導波路同士を
接着することにより前記光素子チップを前記光電子基板
に実装することを特徴とする光モジュールの実装方法。 - 【請求項３】 前記光導波路端子付き光素子チップ構造
に突き当て金属ストリップラインを形成する一方、前記
光電子基板に突き当て溝を形成し、該突き当て溝に前記
突き当て金属ストリップラインを位置合わせすることに
より前記光素子チップを前記光電子基板に実装すること
を特徴とする請求項２記載の光モジュールの実装方法。 - 【請求項４】 前記第１のコア層を該コア層より共に屈
折率の小さい上クラッド層及び下クラッド層で覆うこと
を特徴とする請求項２又は３記載の光モジュールの実装
方法。 - 【請求項５】 前記下クラッド層を、前記光素子チップ
を前記光電子基板に実装する以前に剥離することを特徴
とする請求項４記載の光モジュールの実装方法。 - 【請求項６】 前記光素子チップをフェースダウン法に
より前記光電子基板に接続することを特徴とする請求項
２乃至５のいずれか１に記載の光モジュールの実装方
法。 - 【請求項７】 光素子チップが光導波路を介して光電子
基板に実装される光モジュールの実装構造であって、 光進路方向に沿って手元から先方に向かって輪郭の広が
る形状の光導波路と該光導波路に接続されたストリップ
ラインとから構成された光導波路が第１のコア層として
形成され、前記ストリップラインの端部に光素子チップ
が接着されて光導波路端子付き光素子チップ構造が組み
立てられ、別に用意された前記第１のコア層の光導波路
とは前記形状の向きが略１８０°逆となるような光導波
路の第２のコア層が形成された光電子基板に、前記第１
及び第２のコア層の前記形状の光導波路同士が接着され
て前記光素子チップが前記光電子基板に実装されている
ことを特徴とする光モジュールの実装構造。 - 【請求項８】 前記光導波路端子付き光素子チップ構造
に突き当て金属ストリップラインが形成される一方、前
記光電子基板に突き当て溝が形成され、該突き当て溝に
前記突き当て金属ストリップラインが位置合わせされて
前記光素子チップが前記光電子基板に実装されているこ
とを特徴とする請求項７記載の光モジュールの実装構
造。 - 【請求項９】 前記第１のコア層が該コア層より共に屈
折率の小さい上クラッド層及び下クラッド層で覆われて
いることを特徴とする請求項７又は８記載の光モジュー
ルの実装構造。 - 【請求項１０】 前記下クラッド層が剥離された状態で
前記光素子チップが前記光電子基板に実装されているこ
とを特徴とする請求項９記載の光モジュールの実装構
造。 - 【請求項１１】 前記第１のコア層の底面の一部が露出
されて、該露出面が前記コア層よりも屈折率の小さい薄
膜クラッド層により覆われ、該薄膜クラッド層が前記光
電子基板に接着されて方向性結合器を構成することを特
徴とする請求項７乃至１０のいずれか１に記載の光モジ
ュールの実装構造。 - 【請求項１２】 前記光素子チップの発光部と前記第１
のコア層との間にプリズムが設けられていることを特徴
とする請求項７乃至１１のいずれか１に記載の光モジュ
ールの実装構造。 - 【請求項１３】 前記光進路方向に沿って手元から先方
に向かって輪郭の広がる形状が、放物線状又はテーパー
状であることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか
１に記載の光モジュールの実装構造。
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