JP2001089111A - 高純度アモルファス化合物粉末の製造法 - Google Patents
高純度アモルファス化合物粉末の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
湿式法により、高純度化合物粉末の製造を行う際に、ア
ンモニア水で中和する温度域を８０℃以上からその水溶
液の沸点までとすることにより、容易にアモルファス構
造を持つ化合物粉末を生成しうる方法を提供するもので
ある。 【目的】アモルファス構造を持つ高純度化合物粉末を作
成する。 【構成】中和する際に、水溶液を加熱して、その温度域
を８０℃からその水溶液の沸点までの間とする。
ンモニア水で中和する温度域を８０℃以上からその水溶
液の沸点までとすることにより、容易にアモルファス構
造を持つ化合物粉末を生成しうる方法を提供するもので
ある。 【目的】アモルファス構造を持つ高純度化合物粉末を作
成する。 【構成】中和する際に、水溶液を加熱して、その温度域
を８０℃からその水溶液の沸点までの間とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、各種工業的用途
に使用される高純度アモルファス化合物粉末の製造法に
関するものである。
に使用される高純度アモルファス化合物粉末の製造法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば酸化ガリウム粉末の製造に
おいて、ガリウムを硝酸や王水に溶解し、後、その酸性
をアンモニア水で中和して水酸化物を沈澱させ、後十分
に水で洗浄を行い、高温で焼成することが行われてき
た。
おいて、ガリウムを硝酸や王水に溶解し、後、その酸性
をアンモニア水で中和して水酸化物を沈澱させ、後十分
に水で洗浄を行い、高温で焼成することが行われてき
た。
【０００３】この方法において、アンモニア水による中
和は通常、室温付近で行なわれてきた。
和は通常、室温付近で行なわれてきた。
【０００４】中和熱が発生するとはいえ、それが水溶液
の温度上昇に与える影響はそれほど大きくなかった。
の温度上昇に与える影響はそれほど大きくなかった。
【０００５】水酸化ガリウムの場合、中和後、水溶液を
乾燥器中に入れ、適当な温度域で２０時間ほど、保温す
ることが行なわれ、熟成と呼ばれている。
乾燥器中に入れ、適当な温度域で２０時間ほど、保温す
ることが行なわれ、熟成と呼ばれている。
【０００６】例えば、従来の方法で作成した水酸化ガリ
ウム粉末は１５０℃程度の温度域で乾燥すると、結晶質
のオキシ水酸化ガリウムＧａＯＯＨとなる。
ウム粉末は１５０℃程度の温度域で乾燥すると、結晶質
のオキシ水酸化ガリウムＧａＯＯＨとなる。
【０００７】あるいは４２０℃以上で焼成すると、結晶
質のアルファ型酸化ガリウムα−Ｇａ２Ｏ３となる。
質のアルファ型酸化ガリウムα−Ｇａ２Ｏ３となる。
【０００８】ガリウム以外に、インジウム、錫、ハフニ
ウム、ゲルマニウムでも同様であり、２００℃以上で乾
燥することにより、結晶質の酸化物を得た。
ウム、ゲルマニウムでも同様であり、２００℃以上で乾
燥することにより、結晶質の酸化物を得た。
【０００９】しかし、これら酸化物粉末を出発原料に用
いて化学反応させ、別の化合物を作成する場合には、結
晶質の粉末はその反応性が低くあまり好ましくなかっ
た。
いて化学反応させ、別の化合物を作成する場合には、結
晶質の粉末はその反応性が低くあまり好ましくなかっ
た。
【００１０】すなわち、結晶質の粉末よりはアモルファ
ス質の粉末の方が反応性が高いため、工業的需要が多か
った。
ス質の粉末の方が反応性が高いため、工業的需要が多か
った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな問題を解決するためになされたもので、高純度アモ
ルファス化合物粉末の簡便な製造法を提供するものであ
る。
うな問題を解決するためになされたもので、高純度アモ
ルファス化合物粉末の簡便な製造法を提供するものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属イオン
を含む水溶液をアンモニア水で中和する際に、中和する
温度を８０℃からその水溶液の沸点までの温度域とする
ことを特徴とするものである。
を含む水溶液をアンモニア水で中和する際に、中和する
温度を８０℃からその水溶液の沸点までの温度域とする
ことを特徴とするものである。
【００１３】また水溶液中の金属イオンの濃度に関して
は、０．１から２モル／リットル間にすることが実用的
には好都合である。
は、０．１から２モル／リットル間にすることが実用的
には好都合である。
【００１４】すなわち、濃度が０．１モル／リットルよ
りも低いと水量がたくさん必要となって、あまり実作業
にむかない。
りも低いと水量がたくさん必要となって、あまり実作業
にむかない。
【００１５】また濃度が２モル／リットル以上になる
と、中和点近くでは、水溶液の粘度上昇により撹はんが
非常に困難となり、実作業にはむかない。
と、中和点近くでは、水溶液の粘度上昇により撹はんが
非常に困難となり、実作業にはむかない。
【００１６】このアモルファス化合物の製造技術は、ガ
リウム以外にインジウム、ハフニウム、錫、ゲルマニウ
ムなどの水酸化物や酸化物粉末の製造に好適である。
リウム以外にインジウム、ハフニウム、錫、ゲルマニウ
ムなどの水酸化物や酸化物粉末の製造に好適である。
【００１７】
【発明の実施の形態】発明者らは、中和する温度域が水
溶液の沸点に近いと、アモルファス質の化合物が生成す
ることを見いだした。
溶液の沸点に近いと、アモルファス質の化合物が生成す
ることを見いだした。
【００１８】すなわち、図１に示すＸ線回折図形は、ガ
リウム濃度１モル／リットルの硝酸水溶液をアンモニア
水を用いて室温で中和し、１２０℃で乾燥して作成した
オキシ水酸化ガリウムのものであり、斜方晶系（ＡＳＴ
Ｍカード６−１８０）にきれいに一致する。
リウム濃度１モル／リットルの硝酸水溶液をアンモニア
水を用いて室温で中和し、１２０℃で乾燥して作成した
オキシ水酸化ガリウムのものであり、斜方晶系（ＡＳＴ
Ｍカード６−１８０）にきれいに一致する。
【００１９】同一濃度のガリウムの硝酸水溶液をその沸
点近くで中和し、同温度で乾燥したオキシ水酸化ガリウ
ム試料のＸ線回折図形を図２に示すが、わずかにいくつ
かの回折線を示すものの、基本的にはアモルファス構造
を持つ。
点近くで中和し、同温度で乾燥したオキシ水酸化ガリウ
ム試料のＸ線回折図形を図２に示すが、わずかにいくつ
かの回折線を示すものの、基本的にはアモルファス構造
を持つ。
【００２０】図３には、図１に示した試料を５００℃で
焼成した試料のＸ線回折図形を示したが、結晶質のアル
ファ型Ｇａ２Ｏ３（ＡＳＴＭカード６−５０３）に一致
する。
焼成した試料のＸ線回折図形を示したが、結晶質のアル
ファ型Ｇａ２Ｏ３（ＡＳＴＭカード６−５０３）に一致
する。
【００２１】図４には、図２に示した試料を５００℃で
焼成した試料のＸ線回折図形を示したが、酸化物の回折
線をいくらか示すものの、基本的にはアモルファス構造
である。
焼成した試料のＸ線回折図形を示したが、酸化物の回折
線をいくらか示すものの、基本的にはアモルファス構造
である。
【００２２】すなわち、水溶液中でアモルファス構造と
なった化合物は、水酸化物から酸化物などに変化して
も、やはり同じアモルファス構造を固持すると言える。
なった化合物は、水酸化物から酸化物などに変化して
も、やはり同じアモルファス構造を固持すると言える。
【００２３】換言すれば、結晶質の粉末を作るか、アモ
ルファス質の粉末を作るかは、その中和する温度域に強
く依存することが明らかである。
ルファス質の粉末を作るかは、その中和する温度域に強
く依存することが明らかである。
【００２４】
【実施例１】以下、実施例について述べる。ガリウム濃
度が０．３モル／リットルと１モル／リットルの硝酸水
溶液を用意する。
度が０．３モル／リットルと１モル／リットルの硝酸水
溶液を用意する。
【００２５】すなわち、ガリウムメタルを２０．９ｇ、
６９．７ｇそれぞれ秤量し、１／３に薄めた硝酸５００
ｍｌをそれぞれ加えて、ヒーターでいくらか加熱しなが
ら、数時間かけてガリウムメタルを溶解させる。
６９．７ｇそれぞれ秤量し、１／３に薄めた硝酸５００
ｍｌをそれぞれ加えて、ヒーターでいくらか加熱しなが
ら、数時間かけてガリウムメタルを溶解させる。
【００２６】溶解終了後、それぞれに純水を加えて各１
リットルとする。
リットルとする。
【００２７】各水溶液を５００ｍｌずつとり、一つのグ
ループは１０℃で撹はんしながら、アンモニア水で中和
し、ガリウムの水酸化物を作成する。
ループは１０℃で撹はんしながら、アンモニア水で中和
し、ガリウムの水酸化物を作成する。
【００２８】残りのグループは、煮沸しながらアンモニ
ア水を用いて、中和を行ない、ガリウムの水酸化物を作
成する。
ア水を用いて、中和を行ない、ガリウムの水酸化物を作
成する。
【００２９】生成した四種類のガリウムの水酸化物を１
２０℃で乾燥して、オキシ水酸化物とし、その比表面積
（ＢＥＴ値）を測定した。
２０℃で乾燥して、オキシ水酸化物とし、その比表面積
（ＢＥＴ値）を測定した。
【００３０】１０℃で中和して作成した二種類のオキシ
水酸化物のＸ線回折図形は先に図１に示したものと全く
同じ斜方晶の結晶であり、ガリウム濃度の違いによる差
は見られなかった。
水酸化物のＸ線回折図形は先に図１に示したものと全く
同じ斜方晶の結晶であり、ガリウム濃度の違いによる差
は見られなかった。
【００３１】一方、煮沸下で中和した二種類のオキシ水
酸化物のＸ線回折図形は先に図２に示したものと全く同
じアモルファス構造であり、ガリウム濃度の違いによる
差は見られなかった。
酸化物のＸ線回折図形は先に図２に示したものと全く同
じアモルファス構造であり、ガリウム濃度の違いによる
差は見られなかった。
【００３２】また、上記四種類のガリウムの水酸化物を
５００℃で焼成して、アルファ型Ｇａ２Ｏ３に変えた
後、同様にＢＥＴ値を測定した。
５００℃で焼成して、アルファ型Ｇａ２Ｏ３に変えた
後、同様にＢＥＴ値を測定した。
【００３３】なお、Ｘ線回折図形は１０℃中和のものは
先に図３に示した室温中和品と全く同じであり、六方晶
の結晶であった。
先に図３に示した室温中和品と全く同じであり、六方晶
の結晶であった。
【００３４】煮沸下で中和した二種類のものは、先に図
４に示した試料と同様にアモルファス構造を示すα−Ｇ
ａ２Ｏ３であった。
４に示した試料と同様にアモルファス構造を示すα−Ｇ
ａ２Ｏ３であった。
【００３５】表１に八種類の試料のＢＥＴ値測定結果を
まとめて示した。
まとめて示した。
【００３６】表１ ＢＥＴ値測定結果 ガリウム濃度（ｍｏｌ／Ｌ） 中和温度（℃） 結晶構造 ＢＥＴ値 （ｍ２／ｇ） ０．３（１２０℃乾燥品） １０ αＧａＯＯＨ ５．２８ １．０（ 〃 〃 ） １０ αＧａＯＯＨ ２．９９ ０．３（ 〃 〃 ） 煮沸 アモルファス ４９．５ １．０（ 〃 〃 ） 煮沸 アモルファス ２３．２ ０．３（５００℃焼成品） １０ αＧａ２Ｏ３ ２９．７ １．０（ 〃 〃 ） １０ αＧａ２Ｏ３ ２２．８ ０．３（ 〃 〃 ） 煮沸 アモルファス ８９．８ １．０（ 〃 〃 ） 煮沸 アモルファス ９０．９
【００３７】表１から、アモルファス構造のαＧａＯＯ
ＨのＢＥＴ値は、結晶質のものに比較して、同一ガリウ
ム濃度でみると、ほぼ１０倍であるといえる。
ＨのＢＥＴ値は、結晶質のものに比較して、同一ガリウ
ム濃度でみると、ほぼ１０倍であるといえる。
【００３８】水溶液のガリウム濃度が低いほど、ＢＥＴ
値が増加する傾向にある。
値が増加する傾向にある。
【００３９】またアルファ型Ｇａ２Ｏ３のＢＥＴ値をみ
ても、アモルファス構造のＧａ２Ｏ３の方が、結晶質の
ものに比較して３倍ほど大きい。
ても、アモルファス構造のＧａ２Ｏ３の方が、結晶質の
ものに比較して３倍ほど大きい。
【００４０】特にＢＥＴ値が９０ｍ２／ｇのものは、こ
れまで報告例が無く、チャンピオンデータであるといえ
る。
れまで報告例が無く、チャンピオンデータであるといえ
る。
【００４１】このように大きなＢＥＴ値を持つアモルフ
ァス構造のガリウムオキシ水酸化物あるいはガリウム酸
化物は、その用途が十分に期待される。
ァス構造のガリウムオキシ水酸化物あるいはガリウム酸
化物は、その用途が十分に期待される。
【００４２】例えばガリウムの各種ＩＩＩ−Ｖ族化合物
を作成する際の原料として有望である。
を作成する際の原料として有望である。
【００４３】その時、原料の状態でドーパントを共存さ
せることもアモルファス構造の場合には極めて容易であ
り、高い濃度でドーパントをドープすることができる。
せることもアモルファス構造の場合には極めて容易であ
り、高い濃度でドーパントをドープすることができる。
【００４４】
【実施例２】塩化ハフニウムＨｆＣｌ４１ｋｇを水２．
５リットルに溶解し、ろ過してゴミを除いた後、８０℃
に加熱する。
５リットルに溶解し、ろ過してゴミを除いた後、８０℃
に加熱する。
【００４５】８０℃に加熱中の塩化ハフニウム水溶液中
に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水を加えて中和を行な
い、水酸化ハフニウムを沈澱させる。
に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水を加えて中和を行な
い、水酸化ハフニウムを沈澱させる。
【００４６】静置した後ろ過し、十分に水洗する。
【００４７】３００℃のオーブン中で乾燥する。
【００４８】得られた酸化ハフニウムは図５に示すよう
に、Ｘ線回折結果からアモルファス構造を持つことが明
らかである。
に、Ｘ線回折結果からアモルファス構造を持つことが明
らかである。
【００４９】比較のために、室温で中和し１０００℃で
焼成した試料のＸ線回折結果を図５の下側に示したが、
ＡＳＴＭ６−３１８の単斜晶に一致する。
焼成した試料のＸ線回折結果を図５の下側に示したが、
ＡＳＴＭ６−３１８の単斜晶に一致する。
【００５０】室温で中和し、１０００℃程度で焼成した
この結晶質の酸化ハフニウム粉末は硝酸中で煮沸しても
十分には溶解しない。
この結晶質の酸化ハフニウム粉末は硝酸中で煮沸しても
十分には溶解しない。
【００５１】図５に示すアモルファス構造を持つ酸化ハ
フニウムは熱硝酸中に容易に溶解する。
フニウムは熱硝酸中に容易に溶解する。
【００５２】
【実施例３】塩化錫（ＳｎＣｌ４）１３０．３ｇを水１
リットルに溶解すると、その濃度は０．５モル／リット
ルとなる。
リットルに溶解すると、その濃度は０．５モル／リット
ルとなる。
【００５３】その水溶液を９０℃に加熱し、撹はんしな
がら濃度２５％のアンモニア水で中和し、錫の水酸化物
を沈澱させる。
がら濃度２５％のアンモニア水で中和し、錫の水酸化物
を沈澱させる。
【００５４】ろ過した後、２００℃で乾燥すると酸化物
になるが、そのＸ線回折図形は図６に示すように、Ｓｎ
Ｏ２の強い回折線三つ（ミラー指数（１１０）、（１０
１）、（２１１））に対応するいくらかのピークを示す
が、基本的にアモルファス構造である。
になるが、そのＸ線回折図形は図６に示すように、Ｓｎ
Ｏ２の強い回折線三つ（ミラー指数（１１０）、（１０
１）、（２１１））に対応するいくらかのピークを示す
が、基本的にアモルファス構造である。
【００５５】
【実施例４】金属インジウムを１／２に薄めた硝酸を用
いて、加熱しながら溶解し、その濃度を１．５モル／リ
ットルの水溶液とする。
いて、加熱しながら溶解し、その濃度を１．５モル／リ
ットルの水溶液とする。
【００５６】その水溶液を煮沸に近い温度域で、撹はん
しながらアンモニア水を用いて中和し、インジウムの水
酸化物を沈澱させる。
しながらアンモニア水を用いて中和し、インジウムの水
酸化物を沈澱させる。
【００５７】その沈澱をろ過後、よく水洗し、１２０℃
で乾燥したものは、図７のＸ線回折図形が示すように、
立方晶のＩｎ（ＯＨ）３（ＡＳＴＭ１６−１６１）の回
折線をいくらか示すものの、基本的にはアモルファス構
造であるといえる。
で乾燥したものは、図７のＸ線回折図形が示すように、
立方晶のＩｎ（ＯＨ）３（ＡＳＴＭ１６−１６１）の回
折線をいくらか示すものの、基本的にはアモルファス構
造であるといえる。
【００５８】こうしたアモルファス構造を持つＩｎ（Ｏ
Ｈ）３とＳｎＯ２とを用いてＩＴＯ粉末やターゲットを
作成することができる。
Ｈ）３とＳｎＯ２とを用いてＩＴＯ粉末やターゲットを
作成することができる。
【００５９】このようにして得られたＩＴＯ粉末やター
ゲットは良好な電気特性を示す。
ゲットは良好な電気特性を示す。
【００６０】また、付着性にも優れている。
【００６１】
【実施例５】８０℃に加熱した濃度２５％のアンモニア
水２リットル中に、液体の塩化ゲルマニウムＧｅＣｌ４
２１４．４ｇを水溶液の底部に設けたノズルから加え
て、白色沈澱を生成させる。
水２リットル中に、液体の塩化ゲルマニウムＧｅＣｌ４
２１４．４ｇを水溶液の底部に設けたノズルから加え
て、白色沈澱を生成させる。
【００６２】底部から加えるのは、ＧｅＣｌ４の沸点が
８６．５℃なので蒸発による未反応物質の損失を極力防
止するためである。
８６．５℃なので蒸発による未反応物質の損失を極力防
止するためである。
【００６３】生じた白色沈澱をろ過し、十分に水洗した
後、３００℃で焼成する。
後、３００℃で焼成する。
【００６４】３００℃で焼成するのは、万が一生じたＧ
ｅＯ２・Ｈ２Ｏを分解させるためである。
ｅＯ２・Ｈ２Ｏを分解させるためである。
【００６５】３００℃で焼成した試料のＸ線回折結果を
図８に示すが、アモルファス構造特有の回折図形であ
る。
図８に示すが、アモルファス構造特有の回折図形であ
る。
【００６６】中和処理を室温で行なった場合、風乾した
時に生じるのはＧｅＯ２・Ｈ２Ｏであり、結晶質の物質
である。
時に生じるのはＧｅＯ２・Ｈ２Ｏであり、結晶質の物質
である。
【００６７】室温で中和し、風乾で生じたＧｅＯ２・Ｈ
２Ｏを３００℃で焼成すると結晶質のＧｅＯ２になる。
２Ｏを３００℃で焼成すると結晶質のＧｅＯ２になる。
【００６８】このＧｅＯ２のＸ線回折図形はＡＳＴＭ３
６−１４６３に一致し、結晶質の物質であった。
６−１４６３に一致し、結晶質の物質であった。
【００６９】したがってゲルマニウムの場合にも、中和
する温度域は８０℃以上でないと、アモルファス構造を
持つ酸化物を作成することができない。
する温度域は８０℃以上でないと、アモルファス構造を
持つ酸化物を作成することができない。
【００７０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、高い
ＢＥＴ値を持つアモルファス構造の水酸化物や酸化物の
微粒子粉末を簡便な方法で、効率よく作成することがで
きる。
ＢＥＴ値を持つアモルファス構造の水酸化物や酸化物の
微粒子粉末を簡便な方法で、効率よく作成することがで
きる。
【００７１】基本的に従来と同一の製造プロセスであ
り、特別に高価な装置をなんら必要としない。
り、特別に高価な装置をなんら必要としない。
【００７２】反応性に優れた微粉末が得られる。
【００７３】付着性にも優れた微粉末が得られる。
【図１】室温で中和し、１２０℃で乾燥したＧａＯＯＨ
のＸ線回折図形である。横軸は回折角（２Θ度）、縦軸
は回折強度（ｋｃｐｓ千カウント／秒）である。
のＸ線回折図形である。横軸は回折角（２Θ度）、縦軸
は回折強度（ｋｃｐｓ千カウント／秒）である。
【図２】沸点近くで中和し、１２０℃で乾燥したアモル
ファス構造を持つＧａＯＯＨのＸ線回折図形である。横
軸と縦軸は図１に同様である。
ファス構造を持つＧａＯＯＨのＸ線回折図形である。横
軸と縦軸は図１に同様である。
【図３】図１の試料を５００℃で焼成したα−Ｇａ２Ｏ
３のＸ線回折図形である。横軸と縦軸は図１に同様であ
る。
３のＸ線回折図形である。横軸と縦軸は図１に同様であ
る。
【図４】図２の試料を５００℃で焼成したアモルファス
構造を持つα−Ｇａ２Ｏ３のＸ線回折図形である。横軸
と縦軸は図１に同様である。
構造を持つα−Ｇａ２Ｏ３のＸ線回折図形である。横軸
と縦軸は図１に同様である。
【図５】上の図形は８０℃で中和し作成したアモルファ
ス構造を持つ酸化ハフニウムのＸ線回折図形である。下
の図形は室温で中和し、１０００℃で焼成した結晶質の
酸化ハフニウムのＸ線回折図形である。横軸と縦軸は図
１に同様である。
ス構造を持つ酸化ハフニウムのＸ線回折図形である。下
の図形は室温で中和し、１０００℃で焼成した結晶質の
酸化ハフニウムのＸ線回折図形である。横軸と縦軸は図
１に同様である。
【図６】９０℃で中和し、２００℃で乾燥したアモルフ
ァス構造を持つ錫の酸化物のＸ線回折図形である。横軸
と縦軸は図１に同様である。
ァス構造を持つ錫の酸化物のＸ線回折図形である。横軸
と縦軸は図１に同様である。
【図７】煮沸に近い温度域で中和し、１２０℃で乾燥し
たアモルファス構造を持つ水酸化インジウムのＸ線回折
図形である。横軸と縦軸は図１に同様である。
たアモルファス構造を持つ水酸化インジウムのＸ線回折
図形である。横軸と縦軸は図１に同様である。
【図８】８０℃のアンモニア水中で中和し、３００℃で
焼成したアモルファス構造を持つＧｅＯ２のＸ線回折図
形である。横軸と縦軸は図１に同様である。
焼成したアモルファス構造を持つＧｅＯ２のＸ線回折図
形である。横軸と縦軸は図１に同様である。
符号は無し。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G042 DA01 DB03 DB22 DB24 DD01 DD11 DE04 DE06 DE14 4G048 AA02 AB02 AD03 AD06 AE05 AE06 AE07
Claims (4)
- 【請求項１】湿式法による高純度アモルファス化合物粉
末の製造において、中和を８０℃からその水溶液の沸点
までの温度域で行うことを特徴とする高純度アモルファ
ス化合物粉末の製造法。 - 【請求項２】ハロゲン化物あるいは酸塩を出発原料とす
る高純度アモルファス化合物粉末の製造において、その
中和をアンモニア水で行うことを特徴とする請求項１に
記載の高純度アモルファス化合物粉末の製造法。 - 【請求項３】金属の液中濃度が０．１から２モル／リッ
トルの水溶液で中和を行うことを特徴とする請求項１，
２に記載の高純度アモルファス化合物粉末の製造法。 - 【請求項４】出発原料である金属が錫、ハフニウム、ガ
リウム、インジウム、ゲルマニウムであることを特徴と
する請求項１、２、３に記載の高純度アモルファス化合
物粉末の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30006499A JP2001089111A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 高純度アモルファス化合物粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30006499A JP2001089111A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 高純度アモルファス化合物粉末の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001089111A true JP2001089111A (ja) | 2001-04-03 |
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ID=17880274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30006499A Pending JP2001089111A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 高純度アモルファス化合物粉末の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001089111A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015044740A (ja) * | 2014-11-07 | 2015-03-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化ガリウム粉末及びその製造方法並びに酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2015105226A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化ゲルマニウムの製造方法 |
| WO2024162471A1 (ja) * | 2023-02-03 | 2024-08-08 | 三井金属鉱業株式会社 | ハフニウム酸化合物含有物およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP30006499A patent/JP2001089111A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015105226A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化ゲルマニウムの製造方法 |
| JP2015044740A (ja) * | 2014-11-07 | 2015-03-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化ガリウム粉末及びその製造方法並びに酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2024162471A1 (ja) * | 2023-02-03 | 2024-08-08 | 三井金属鉱業株式会社 | ハフニウム酸化合物含有物およびその製造方法 |
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