JP2001085422A - 積層ゲート絶縁膜の形成方法及びこの形成システム - Google Patents

積層ゲート絶縁膜の形成方法及びこの形成システム

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silicon oxide
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semiconductor wafer
gate insulating
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秀樹 桐生
Shintaro Aoyama
真太郎 青山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高品質で薄いシリコン酸化膜と高誘電膜とか
ら構成される積層ゲート絶縁膜の形成方法及びこの形成
システムを提供する。 【解決手段】 積層ゲート絶縁膜63は、シリコン酸化
膜61と、シリコン酸化膜61に積層され、シリコン酸
化膜61より誘電率の高い酸化タンタル膜62とから構
成されている。積層ゲート絶縁膜63は、半導体ウエハ
10を加熱して、半導体ウエハ10の表面を熱酸化さ
せ、半導体ウエハ10にシリコン酸化膜61を形成し
(熱酸化工程)、シリコン酸化膜61にエッチバック処
理を施して、シリコン酸化膜61を薄膜化し(エッチバ
ック工程)、薄膜化されたシリコン酸化膜61上に、酸
化タンタル膜62を積層して(誘電膜形成工程)形成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層ゲート絶縁膜
の形成方法及びこの形成システムに関し、詳しくはシリ
コン酸化膜上に誘電膜が積層された積層ゲート絶縁膜の
形成方法及びこの形成システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化、高微細化に
伴って、半導体集積回路に組み込まれるMOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto
r)の微細化が進んでいる。図8にMOSFETの模式
図を示す。
【0003】図8に示すように、MOSFET101の
半導体ウエハ102上には、ゲート酸化膜103を介し
てゲート電極104が形成されている。また、半導体ウ
エハ102の表面には、ゲート酸化膜103を挟むよう
にソース105とドレイン106とが形成されている。
そして、ゲート電極104に電圧を印加することによ
り、ゲート酸化膜103の下層の半導体ウエハ102表
面に反転層が形成されて、ソース105とドレイン10
6とを結ぶチャネル107が発生する。MOSFET1
01は、ゲート電極104に印加される電圧が制御され
ることにより、ソース105をキャリアの供給源として
ドレイン106に向かうキャリアの流れが制御されてい
る。
【0004】MOSFET101のゲート領域に用いら
れるゲート酸化膜103は、MOSFET101の微細
化に伴って薄膜化が要望されている。しかし、ゲート酸
化膜103を単純に薄膜化すると、直接トンネリングに
よるリーク電流が増加してしまう。
【0005】ゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚を薄くしな
がら物理的な膜厚を増やして、リーク電流を低減するこ
とを目的として、シリコン酸化膜上に、シリコン酸化膜
より誘電率の高い絶縁膜、例えばシリコン窒化膜を積層
した積層ゲート絶縁膜が用いられることがある。この場
合、シリコン酸化膜を、例えば界面準位密度の値が小さ
くなるような高品質な状態に保持することが大切にな
る。これは、品質が低下すると、しきい値電圧のシフ
ト、相互コンダクタンスの低下といったMOSFETの
特性が劣化してしまうためである。
【0006】一般に、シリコン酸化膜は、半導体ウエハ
を熱酸化処理することによって、半導体ウエハの表面に
形成される。この熱酸化処理は、まず、シリコン基板か
ら構成された半導体ウエハを熱処理装置内に配置する。
次に、熱処理装置により、半導体ウエハを、例えば85
0℃のような高温に加熱する。そして、熱処理装置内に
処理ガスを導入して、半導体ウエハの表面を熱酸化させ
る。この結果、半導体ウエハの表面にシリコン酸化膜
が、例えば30オングストロームのような所定の厚さだ
け形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高温の熱酸化処理では、その酸化速度が速く、シリ
コン酸化膜の膜厚を、例えば10オングストロームのよ
うな薄い膜厚に制御することは困難である。このため、
シリコン酸化膜を薄膜化しにくいという問題がある。
【0008】一方、熱酸化温度を下げれば、その酸化速
度が遅くなり、シリコン酸化膜を薄膜化することは可能
であるが、この場合には、例えば、界面準位密度が大き
くなる等、シリコン酸化膜の品質が低下する。シリコン
酸化膜の品質が低下すると、形成されるトランジスタの
しきい値電圧の変動が大きくなって、動作が不安定にな
るという問題がある。
【0009】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、高品質で薄いシリコン酸化膜と高誘電膜とから構成
される積層ゲート絶縁膜の形成方法及びこの形成システ
ムを提供するを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第1の観点にかかる積層ゲート絶縁膜の
形成方法は、シリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜に積
層され、該シリコン酸化膜より誘電率の高い誘電膜とか
ら構成される積層ゲート絶縁膜の形成方法であって、半
導体ウエハを加熱して該半導体ウエハの表面を熱酸化さ
せ、該半導体ウエハにシリコン酸化膜を形成する熱酸化
工程と、前記シリコン酸化膜にエッチバック処理を施し
て、該シリコン酸化膜を薄膜化するエッチバック工程
と、薄膜化されたシリコン酸化膜上に、前記誘電膜を形
成する誘電膜形成工程とを備えることを特徴とする。
【0011】この発明によれば、熱酸化によりシリコン
酸化膜を形成した後、エッチバックすることにより薄膜
化する。従って、低い温度で薄いシリコン酸化膜を形成
する必要がなく、高温度で高品質で、例えば、界面準位
密度の小さいシリコン酸化膜を形成した後、これをエッ
チバックして薄いシリコン酸化膜を得ることができる。
従って、最終的に形成されるトランジスタのしきい値電
圧の変動やばらつきを抑えることも可能である。さら
に、この薄膜化されたシリコン酸化膜の上に高誘電膜を
積層しているので、リーク電流を抑えることも可能とな
る。
【0012】前記熱酸化工程の熱酸化温度は800℃よ
り高温であることが望ましい。熱酸化温度を800℃よ
り高くすることにより、高品質で、低界面準位密度のシ
リコン酸化膜を得ることができる。さらに、これをエッ
チバックすることにより、高品質の状態を維持したまま
シリコン酸化膜を薄膜化することができる。
【0013】前記シリコン酸化膜は、その界面準位密度
が5×1010/cm・eVより小さくなるように形
成されることが望ましい。界面準位密度を小さくするこ
とにより、形成されるMOSトランジスタのしきい値の
変動やばらつきを抑えることができる。界面準位密度を
この値とするために、例えば、前述の800℃以上での
熱酸化が有効である。
【0014】前記熱酸化工程でシリコン酸化膜を20オ
ングストロームより厚く形成すると、高温の熱酸化処理
によりシリコン酸化膜を形成することができ、シリコン
酸化膜の品質が低下しなくなる。そして、前記エッチバ
ック工程で前記シリコン酸化膜の厚さを薄くしても、形
成されたシリコン酸化膜の品質は低くならない。
【0015】前記エッチバック工程は、例えば前記シリ
コン酸化膜をフッ酸でエッチバック処理して薄膜化す
る。この場合、薄膜化されたシリコン酸化膜の厚さを均
一にすることができる。
【0016】前記エッチバック工程は、例えばフッ素と
窒素と水素とを含む混合ガスをプラズマで励起した活性
種により、前記シリコン酸化膜をエッチバック処理して
薄膜化する。この場合、エッチング速度があまり速くな
らず、シリコン酸化膜の膜厚の制御は容易である。ま
た、ウエットエッチングと異なり、薄膜化されたシリコ
ン酸化膜を洗浄及び乾燥させる工程は不要である。
【0017】前記誘電膜に酸化タンタル膜又は酸化ジル
コニウム膜を用いると、高誘電率の積層ゲート絶縁膜を
形成することができる。
【0018】この発明の第2の観点にかかる積層ゲート
絶縁膜の形成システムは、半導体ウエハを熱酸化させて
シリコン酸化膜を形成する熱処理装置と、前記シリコン
酸化膜をエッチバックして、該シリコン酸化膜を薄膜化
するエッチング装置と、薄膜化されたシリコン酸化膜上
に、該シリコン酸化膜より誘電率の高い誘電膜を積層す
る誘電膜形成装置と、を備えることを特徴とする。
【0019】この構成では、半導体ウエハが熱処理装置
によって熱酸化され、その表面にシリコン酸化膜が形成
される。そして、シリコン酸化膜がエッチング装置によ
ってエッチバックされ、その膜厚が薄くなる。これによ
り、半導体ウエハの表面に薄いシリコン酸化膜が形成さ
れる。そして、誘電膜形成装置によってシリコン酸化膜
上にシリコン酸化膜より誘電率の高い誘電膜が形成され
て、誘電率の高い積層ゲート絶縁膜が形成される。
【0020】前記積層ゲート絶縁膜の形成システムはマ
ルチチャンバシステムから構成される。そして、前記マ
ルチチャンバシステムの各チャンバ内に、前記熱処理装
置と、前記エッチング装置と、前記誘電膜形成装置とを
配置すると、積層ゲート絶縁膜を自動的かつ連続的に形
成することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、本発
明の第1の実施の形態を図1〜図5に従って説明する。
図1は本実施の形態の積層ゲート絶縁膜の形成方法に用
いられるマルチチャンバシステムを模式図で示したもの
である。
【0022】図1に示すように、マルチチャンバシステ
ム1は、搬入出室2と、第1搬送室3と、ロードロック
チャンバ4と、第2搬送室5と、複数(本実施の形態で
は4つ)のチャンバ6とを備えている。搬入出室2は半
導体ウエハをマルチチャンバシステム1に搬入又は搬出
する空間であり、ロードロックチャンバ4は第1搬送室
3と第2搬送室5とを連結し、半導体ウエハを第1搬送
室3又は第2搬送室5に搬入又は搬出する空間である。
また、第1搬送室3は搬入出室2とロードロックチャン
バ4とを連結し、第2搬送室5は各チャンバ6とロード
ロックチャンバ4とを連結する。
【0023】チャンバ6には、マルチチャンバシステム
1を用いて製造するものに対応した種々の処理装置が配
置されている。本実施の形態では、半導体ウエハにシリ
コン酸化膜を形成する熱処理装置6a、半導体ウエハに
形成されたシリコン酸化膜を薄膜化するエッチング装置
6b、半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜上に誘
電膜を形成するCVD装置6c等が配置されている。
【0024】第2搬送室5と各チャンバ6は、真空ポン
プ、バルブ等から構成された図示しない真空制御部によ
って真空に保持されている。また、ロードロックチャン
バ4は、真空制御部によって真空と常圧との切り替えが
可能なように構成されている。第1搬送室3とロードロ
ックチャンバ4とはゲート7によって接続され、ロード
ロックチャンバ4と第2搬送室5とはゲート8によって
接続されている。また、第2搬送室5と各チャンバ6と
はゲート9によって接続されている。
【0025】そして、搬入出室2に搬入された半導体ウ
エハ10は、第1搬送室3内の搬送レール11上に設置
された第1搬送アーム12により第1搬送室3内に搬送
され、ゲート7を介してロードロックチャンバ4に搬送
される。さらに、ロードロックチャンバ4内の半導体ウ
エハ10は、第2搬送室5内に設置された第2搬送アー
ム13により第2搬送室5内に搬送され、ゲート9を介
して各チャンバ6に搬送される。
【0026】ゲート7、ゲート8、ゲート9の開閉、及
び第1搬送アーム12、第2搬送アーム13の移動は、
マイクロプロセッサ等から構成された制御装置14で制
御されている。
【0027】図2にチャンバ6に配置された熱処理装置
6aの模式図を示す。熱処理装置6aは半導体ウエハに
シリコン酸化膜を形成する工程で用いられる。
【0028】図2に示すように、熱処理装置6aの処理
容器21は略円筒体状に形成されている。処理容器21
の上端及び下端には加熱ランプ22が配設されている。
加熱ランプ22は、例えばハロゲンランプ等より構成さ
れている。
【0029】処理容器21内には、半導体ウエハ10を
支持する支持部材23が配置されている。支持部材23
は透明な耐熱材料、例えば石英で形成されている。支持
部材23にはガイドリング24が配置され、ガイドリン
グ24により支持部材23のがたつきを防止する。
【0030】また、加熱ランプ22と支持部材23との
間には、支持部材23を上下から挟むように、2枚の石
英板25が配置されている。2枚の石英板25と処理容
器21の側壁とから形成された空間が、半導体ウエハ1
0に熱酸化処理を施す処理空間26を構成する。そし
て、加熱ランプ22から放出された熱線が石英板25を
透過して処理空間26内に入射され、処理空間26(処
理容器21)が所定の温度、例えば800〜1100℃
に加熱される。
【0031】処理容器21の側壁には、処理空間26に
処理ガスを導入する複数、例えば4つの処理ガス導入孔
27が設けられている。処理ガス導入孔27には処理ガ
ス供給系が接続され、処理ガス供給系により所定量の処
理ガスが処理空間26内に導入される。
【0032】また、処理容器21の側壁には、処理空間
26内のガスを排気する排気口28が設けられている。
排気口28には真空ポンプ等から構成された排気系が接
続され、真空ポンプを作動させることにより処理容器2
1内が所定の圧力に設定される。
【0033】処理容器21の側壁には、半導体ウエハ1
0を処理容器21(処理空間26)内に搬入する搬入出
口29が設けられている。搬入出口29はゲート9に接
続されている。このため、第2搬送アーム13により搬
入された半導体ウエハ10は、ゲート9、搬入出口29
を介して処理容器21内の支持部材23上に配置され
る。
【0034】このような熱処理装置6aを用い、処理空
間26が所定の温度に加熱された状態で、半導体ウエハ
10を支持部材23上に配置し、処理ガス導入孔27か
ら処理ガスを導入すると、半導体ウエハ10の表面が熱
酸化される。この熱酸化処理を、例えば約3〜5分行う
と、半導体ウエハ10の表面に、例えば20〜100オ
ングストロームのシリコン酸化膜が形成される。
【0035】図3にチャンバ6に配置されたエッチング
装置6bの模式図を示す。エッチング装置6bは半導体
ウエハに形成されたシリコン酸化膜を薄膜化する工程で
用いられる。
【0036】図3に示すように、エッチング装置6b
は、半導体ウエハ10を収容する処理容器31と、窒素
ガス及び水素ガスを活性化させるプラズマ形成管32と
を備えている。
【0037】処理容器31は、例えばアルミニウムから
なる円筒体状に形成されている。処理容器内31内に
は、半導体ウエハ10を載置する載置台33が設けられ
ている。載置台33は処理容器31の底面から形成され
た、例えば石英製の支柱34により支持されている。
【0038】処理容器31の下方には、処理容器31内
を所定の温度に加熱する加熱ランプ35が配置されてい
る。処理容器31と加熱ランプ35との間には断面円弧
状に形成された石英製の透過窓36が配置され、透過窓
36の端部は処理容器31の底面に気密に接続されてい
る。また、処理容器31の底面の透過窓36と対向する
位置には照射口37が形成されており、加熱ランプ35
から放出される熱線が透過窓36、照射口37を通って
処理容器内31内(載置台33の裏面)に入射される。
【0039】処理容器31の底部には排気口38が設け
られ、排気口38には真空ポンプ等から構成された排気
系が接続されている。そして、真空ポンプを作動させる
ことにより処理容器内31が所定の圧力に設定される。
【0040】処理容器31の側壁には、ゲート9を介し
て搬入された半導体ウエハ10を処理容器31に搬入す
る搬入出口39が設けられている。搬入出口39はゲー
ト9に接続されている。このため、第2搬送アーム13
により搬入された半導体ウエハ10は、ゲート9、搬入
出口39を介して処理容器31内の載置台33上に載置
される。
【0041】プラズマ形成管32は、例えば石英からな
る管状に形成され、処理容器31の天井壁を貫通するよ
うに取り付けられている。プラズマ形成管32の上端に
は、プラズマ形成管32内に窒素ガスと水素ガスとから
なるプラズマガスを導入するプラズマガス導入孔40が
設けられている。プラズマガス導入孔40には図示しな
いプラズマガス供給系が接続され、プラズマガス供給系
により所定量のプラズマガスがプラズマ形成管32を介
して処理容器31内に導入される。
【0042】プラズマ形成管32の上部にはプラズマ形
成部41が設けられている。プラズマ形成部41は、例
えば2.45GHzのマイクロ波を発生するマイクロ波
発生源42と、例えばエベンソン型の導波管43とを備
えている。そして、プラズマ形成部41は、マイクロ波
発生源42から発生したマイクロ波を、例えば矩形導波
管44を介して導波管43、プラズマ形成管32内へ供
給し、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを活性化する。
【0043】プラズマ形成管32の下端の流出口45に
は、下方に向かって、例えば円錐状に広がった覆い部材
46が設けられ、覆い部材46は載置台33の上方を覆
ってガスを効率的に半導体ウエハ10上に導入できるよ
うに構成されている。
【0044】流出口45の直下には、多数のガス孔が形
成されたシャワーヘッド47が設けられている。シャワ
ーヘッド47には図示しないフッ化窒素ガス供給系が接
続され、フッ化窒素ガス供給系により所定量のフッ化窒
素ガスが処理容器31内に導入される。
【0045】このようなエッチング装置6bを用い、シ
リコン酸化膜が形成された半導体ウエハ10上に、活性
ガス化した窒素ガス、水素ガス、フッ化窒素ガスを導入
すると、活性ガスとシリコン酸化膜とが反応して保護膜
を形成する。そして、この保護膜を加熱除去することに
より、シリコン酸化膜がエッチバックされて、例えば5
〜20オングストローム程度に薄膜化される。
【0046】図4にチャンバ6に配置されたCVD装置
6cの模式図を示す。CVD装置6cは、薄膜化された
シリコン酸化膜上に誘電膜を形成する工程で用いられ
る。
【0047】図4に示すように、CVD装置6cの処理
容器51内には、半導体ウエハ10を保持するサセプタ
52が設けられている。処理容器51の上部のサセプタ
52と対向する位置には、シャワーヘッド53が設けら
れている。シャワーヘッド53には図示しない処理ガス
供給系が接続され、処理ガス供給系から供給される処理
ガスがシャワーヘッド53を介して処理容器51内のサ
セプタ52(半導体ウエハ10)上に導入される。
【0048】サセプタ52の周囲には、複数のバッフル
孔54が形成されたバッフルプレート55が配置されて
いる。また、処理容器51の下部には処理容器51内の
ガスを排気する排気ポート56が複数箇所、例えば4箇
所に設けられ、各排気ポート56はバッファータンク5
7に接続されている。このように、処理容器51内に、
シャワーヘッド53、バッフル孔54、バッファータン
ク57を設けているので、処理容器51内の圧力のばら
つきが少なくなり、シャワーヘッド53から供給された
処理ガスを半導体ウエハ10の全面にほぼ均一に導入す
ることができる。また、バッファータンク57には真空
ポンプ等から構成された図示しない排気系が接続され、
真空ポンプを作動させることにより処理容器51内が所
定の圧力に設定される。
【0049】処理容器51の下部のサセプタ52と対向
する位置には、石英窓58が配置されている。そして、
石英窓58の下方には、処理容器51内を所定の温度、
例えば300℃〜600℃に加熱する加熱ランプ59が
設けられている。
【0050】処理容器51の側壁には、ゲート9を介し
て搬入された半導体ウエハ10を処理容器51に搬入す
る搬入出口60が設けられている。搬入出口60はゲー
ト9に接続されている。このため、第2搬送アーム13
により搬入された半導体ウエハ10は、ゲート9、搬入
出口60を介して処理容器51内のサセプタ52に保持
される。
【0051】このようなCVD装置6cを用い、シリコ
ン酸化膜上に、例えば酸化タンタル膜を形成する場合、
まず、処理容器51内を所定の圧力、例えば1〜10T
orrに維持し、加熱ランプ59により処理容器51内
を、例えば300℃〜600℃に加熱した状態にして処
理ガスを導入する。処理ガスは、例えば100℃〜20
0℃に加熱気化した有機タンタルガスと、キャリアガス
としての不活性ガス、例えばアルゴンガスとで構成され
ている。そして、この熱処理を、例えば10分行うと、
シリコン酸化膜上に、例えば10〜100オングストロ
ーム程度の酸化タンタル膜が形成される。
【0052】次に、以上のように構成されたマルチチャ
ンバシステム1を用い、半導体ウエハ10に積層ゲート
絶縁膜を形成する方法について説明する。図5に、各工
程での積層ゲート絶縁膜を模式図で示す。なお、以下に
説明する各工程(動作)は制御装置14によって制御さ
れており、制御装置14の制御に従って各工程が実行さ
れる。
【0053】図5(a)に示す半導体ウエハ10を搬入
出室2に搬入すると、第1搬送アーム12により、半導
体ウエハ10を第1搬送室3内に搬送し、ゲート7を介
してロードロックチャンバ4内に収容する。半導体ウエ
ハ10がロードロックチャンバ4内に収容されると、ゲ
ート7を閉鎖してロードロックチャンバ4内を密閉し、
図示しない真空制御部によってロードロックチャンバ4
内を真空に保持する。そして、第2搬送アーム13によ
り、半導体ウエハ10をゲート8を介して第2搬送室5
内に搬送し、ゲート9、搬入出口30を介して熱処理装
置6a内の支持部材23上に載置する。
【0054】半導体ウエハ10が支持部材23上に載置
されると、搬入出口29を閉鎖して処理容器21(処理
空間26)を密閉し、図示しない排気系を作動させるこ
とにより処理容器21内を所定の圧力(真空度)に設定
する。また、加熱ランプ22により処理容器21内を8
50℃に加熱する。そして、ガス導入孔27から水蒸気
を処理容器21内に導入して4分間熱処理を行い、半導
体ウエハ10の表面を熱酸化させる。すると、図5
(b)に示すように、半導体ウエハ10上には、約30
オングストロームのシリコン酸化膜61が形成される
(熱酸化工程)。
【0055】熱酸化処理が終了すると、搬入出口30及
びゲート9を開放し、第2搬送アーム13により、半導
体ウエハ10を搬入出口30、ゲート9を介して第2搬
送室5内に搬送し、ゲート9、搬入出口39を介してエ
ッチング装置6bの載置台33上に載置する。
【0056】半導体ウエハ10が載置台33上に載置さ
れると、搬入出口39を閉鎖して処理容器31を密閉
し、図示しない排気系を作動させることにより処理容器
31内を所定の圧力、例えば3Torrに設定する。次
に、プラズマガス導入孔40からプラズマ形成管32内
に窒素ガスを所定量、例えば100sccm、水素ガス
を所定量、例えば10sccm導入すると共に、マイク
ロ波発生源42から、例えば2.45GHzのマイクロ
波を発生させ、矩形導波管44、導波管43を介してプ
ラズマ形成管32内へ供給し、窒素ガスと水素ガスとの
混合ガスを活性ガス化させる。そして、シャワーヘッド
47からプラズマ形成管32の流出口45にフッ化窒素
ガスを所定量、例えば30sccm導入して、フッ化窒
素ガスも活性ガス化させる。すると、活性ガス化された
活性ガス種が半導体ウエハ10上に形成されたシリコン
酸化膜61と反応して保護膜を形成する。次に、プラズ
マガス導入孔40からの窒素ガス及び水素ガスの導入を
停止し、またシャワーヘッド47からのフッ化窒素ガス
の導入を停止する。さらにマイクロ波発生源42の駆動
を停止する。そして、図示しない排気系を作動させるこ
とにより処理容器31内の残留ガスを排除し、加熱ラン
プ35により半導体ウエハ10を所定の温度、例えば1
00℃以上に加熱する。この加熱により保護膜が昇華さ
れ(シリコン酸化膜61がエッチバックされ)、図5
(c)に示すように、約10オングストロームのシリコ
ン酸化膜61に薄膜化される(エッチバック工程)。
【0057】シリコン酸化膜61のエッチバックが終了
すると、搬入出口39及びゲート9を開放し、第2搬送
アーム13により、半導体ウエハ10を搬入出口39、
ゲート9を介して第2搬送室5内に搬送し、ゲート9、
搬入出口60を介してCVD装置6cのサセプタ52上
に載置する。
【0058】サセプタ52上に半導体ウエハ10が載置
されると、搬入出口60を閉鎖して処理容器51を密閉
し、図示しない排気系を作動させることにより処理容器
51内の圧力を1Torrに設定する。また、加熱ラン
プ59により処理容器51内を、例えば500℃に加熱
する。そして、シャワーヘッド53から、170℃に加
熱されて気化したペンタエトキシタンタルガス(Ta
(OC)と、アルゴンガスと、酸化性ガス及
び水分を含む窒素ガスを処理容器51内に導入して、例
えば10分間熱処理を行う。この際、処理容器51内に
は、シャワーヘッド53、バッフル孔54、バッファー
タンク57等が設けられているので、処理容器51内の
圧力のばらつきが少なくなり、シャワーヘッド53から
供給された処理ガスを半導体ウエハ10の全面にほぼ均
一に導入することができる。すると、図5(d)に示す
ように、シリコン酸化膜61上には、約50オングスト
ロームの酸化タンタル膜(Ta)62が形成され
る(誘電膜形成工程)。このようにして、半導体ウエハ
10上にシリコン酸化膜61と酸化タンタル膜62から
構成された積層ゲート絶縁膜63が形成される。
【0059】最後に、第2搬送アーム13により、積層
ゲート絶縁膜63が形成された半導体ウエハ10を搬入
出口60、ゲート9を介して第2搬送室5内に搬送し、
ゲート8を介してロードロックチャンバ4内に収容す
る。さらに、第1搬送アーム12により、半導体ウエハ
10をゲート7を介して第1搬送室3、搬入出室2に搬
送する。
【0060】このような方法により積層ゲート絶縁膜6
3を形成すると、積層ゲート絶縁膜63を構成するシリ
コン酸化膜61は、その膜厚を約10オングストローム
と薄くすることができた。
【0061】このシリコン酸化膜61の品質を確認する
ため、シリコン酸化膜61の界面準位密度(Density of
Interface Trap)の測定を行った。界面準位密度は、
シリコン酸化膜61の品質を評価するための1つの指針
となるものであり、その値は約5×1010/cm
eV以下であることが望ましい。この値が5×10
/cm・eVより大きいと、しきい値電圧の変動が大
きくなって、トランジスタ動作が不安定になるおそれが
生じるためである。本実施の形態でのシリコン酸化膜6
1の界面準位密度は、約4.3×1010/cm・e
Vであり、品質に問題はなかった。
【0062】次に、上記実施の形態から、熱酸化工程で
の熱処理温度のみを変化させ、各熱処理温度で形成され
たシリコン酸化膜61の界面準位密度の測定を行った。
この結果、シリコン酸化膜61の界面準位密度を基準に
なる5×1010/cm・eV以下にするには、熱処
理温度を800℃以上にすればよいことが確認できた。
このため、熱処理温度を800℃以上にすると、品質に
問題の生じないシリコン酸化膜61を形成することがで
きる。
【0063】また、熱酸化工程での熱処理温度が800
℃以上の場合について、熱処理時間を変化させ、半導体
ウエハ10に形成されるシリコン酸化膜61の平坦性、
所望膜厚とのズレについて検討を行った。この結果、熱
酸化工程では、約20オングストロームより厚くする
と、所望の膜厚とのズレがほとんどなくなることが確認
できた。このため、熱酸化工程では、シリコン酸化膜6
1を20オングストロームより厚くなるように形成する
ことが好ましい。
【0064】さらに、熱酸化工程で形成されたシリコン
酸化膜61を、エッチバック工程でどこまで薄膜化でき
るかについて検討を行った。この結果、エッチバック工
程でエッチング装置6bを用いると、例えば3オングス
トロームのような薄膜を形成することも可能であるが、
シリコン酸化膜61の膜厚が5オングストロームより小
さくなると、シリコン酸化膜61中を通電してしまうお
それがある。このため、エッチバック工程では、シリコ
ン酸化膜61の膜厚を5〜20オングストロームに薄膜
化することが好ましい。
【0065】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、半導体ウエハに高温の熱酸化処理を施し、品質のよ
いシリコン酸化膜61を形成した後に、シリコン酸化膜
61をエッチバックしているので、高品質かつ薄いシリ
コン酸化膜61を形成することができる。そして、シリ
コン酸化膜61上に酸化タンタル膜62を形成すること
により、高誘電率の積層ゲート絶縁膜63を形成するこ
とができる。このように、シリコン酸化膜61の膜厚を
薄くしつつ、積層ゲート絶縁膜63全体としての膜厚が
増し、直接トンネリングによるリーク電流を低減するこ
とができる。
【0066】また、シリコン酸化膜61の膜厚が20オ
ングストロームよりも薄い、例えば10オングストロー
ムの場合にも、その膜厚のズレ及び平坦性に問題の生じ
ないシリコン酸化膜61を形成することができる。
【0067】(第2の実施の形態)第1の実施の形態で
は、積層ゲート絶縁膜の形成システムがマルチチャンバ
システムの場合を例にして説明したが、これに限定され
るものではなく、連続的に処理が行えるものであればよ
い。このため、各装置は、バッチ処理型の装置であって
もよい。また、マルチチャンバシステムに設置しにくい
ウエットエッチング装置であってもよい。そこで、以下
に、熱処理装置をバッチ処理型の装置、エッチング装置
をウエットエッチング装置とした場合を例に、この発明
の第2の実施の形態を説明する。なお、誘電膜形成装置
については第1の実施の形態のCVD装置6cと同様で
ある。
【0068】図6に熱処理装置71の概略図を示す。図
6に示すように、熱処理装置71は、長手方向が垂直方
向に向けられた円筒状の反応管72を備えている。反応
管72は、内管73と、内管73を覆うと共に内管73
と一定の間隔を有するように形成された有天井の外管7
4とから構成された二重管構造を有する。内管73及び
外管74は、耐熱材料、例えば石英により形成されてい
る。
【0069】内管73及び外管74の下方には、筒状に
形成された金属からなるマニホールド75が配置されて
いる。マニホールド75は、外管74の下端と気密に接
続されている。また、内管73はマニホールド75の内
壁から突出して形成された支持リング76に支持されて
いる。
【0070】マニホールド75の下方には蓋体77が配
置され、ボートエレベータ78により蓋体77は上下動
可能に構成されている。ボートエレベータ78により蓋
体77が上昇すると、マニホールド75の下方側が閉鎖
される。
【0071】蓋体77には、例えば石英からなるウエハ
ボート79が載置される。ウエハボート79には、被処
理体、例えば半導体ウエハ10が垂直方向に所定の間隔
をおいて複数枚収容されている。
【0072】反応管72の周囲には、反応管72を取り
囲むように断熱体80が設けられ、その内壁面には、例
えば抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ81が設けられて
いる。この昇温用ヒータ81により、反応管72内を所
定の温度、例えば800〜1100℃に加熱される。
【0073】マニホールド75の側面には、その上方に
向けて曲折りされた複数のガス導入管82が挿通されて
いる。なお、図6ではガス導入管13を一つだけ描いて
いる。ガス導入管82は支持リング76より下方に挿通
されており、処理ガス、例えば水蒸気を内管73内に導
入する。
【0074】マニホールド75の側面には排出口83が
設けられている。排出口83は支持リング76より上方
に設けられており、反応管72内の内管73と外管74
との間に形成された空間に連通する。排出口83は真空
ポンプ等から構成された図示しない排気系に接続され、
真空ポンプを作動させることにより反応管72内が所定
の圧力に設定される。
【0075】このような熱処理装置71を用い、反応管
72内が所定の温度に加熱された状態で、半導体ウエハ
10を収容したウエハボート79を反応管72内にロー
ドし、ガス導入管82から処理ガスを導入すると、半導
体ウエハ10の表面が熱酸化される。この熱酸化処理
を、例えば約3〜5分行うと、半導体ウエハ10の表面
に、例えば20〜100オングストロームのシリコン酸
化膜が形成される。
【0076】図7にエッチング装置91の模式図を示
す。図7に示すようにエッチング装置91は、エッチン
グ処理槽92と、循環ポンプ93と、フィルタ94と、
温度制御機構95とを備えている。
【0077】エッチング処理槽92は、エッチング処理
液、例えばフッ酸で満たされた処理槽92aと、処理槽
92aを囲むように形成され、処理槽92aからオーバ
ーフローしたエッチング処理液を収容する収容槽92b
とから構成されている。
【0078】収容槽92bの下端には管路96の一端が
連結されており、管路96の他端は処理槽92aの下端
に連結されている。管路96には、収容槽92b内のエ
ッチング処理液を管路96内に導入するとともに、エッ
チング処理液を処理槽92a内に供給する循環ポンプ9
3が設けられている。このため、処理槽92aからオー
バーフローしたエッチング処理液は、収容槽92bに収
容された後、循環ポンプ93により再び処理槽92aに
供給される。
【0079】管路96の循環ポンプ93より下流側に
は、エッチング処理液中の粒子(パーティクル)を捕集
するフィルタ94が設けられている。また、管路96の
フィルタ94より下流側には、エッチング処理液を所定
の温度、例えば20℃に制御する温度制御機構95が設
けられている。
【0080】収容槽92bにはエッチング処理液を供給
する処理液供給ライン97が接続され、処理槽92aが
エッチング処理液で満たされた状態が維持できるように
エッチング処理液を補充している。そして、エッチング
処理液に半導体ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜を
浸漬させることにより、シリコン酸化膜がエッチバック
されて、例えば5〜20オングストローム程度に薄膜化
される。
【0081】次に、以上のように構成された熱処理装置
71、エッチング装置91、CVD装置6cを用いて連
続的に処理を行い、半導体ウエハ10に積層ゲート絶縁
膜を形成する方法について説明する。なお、以下に説明
する各工程(動作)は図示しない制御装置によって制御
されており、制御装置の制御に従って各工程が実行され
る。
【0082】まず、昇温用ヒータ81により反応管72
内を850℃に加熱する。反応管72内が850℃にな
ると、図5(a)に示すような半導体ウエハ10をウエ
ハボート79内に収容し、ボートエレベータ78により
蓋体77を上昇させて、ウエハボート79(半導体ウエ
ハ10)を反応管72(内管73)内にロードする。次
に、図示しない排気系を作動させることにより反応管7
2内を所定の圧力に設定する。そして、ガス導入管82
から水蒸気を内管73内に導入して所定時間、例えば4
分間熱処理を行い、半導体ウエハ10の表面を熱酸化さ
せる。すると、図5(b)に示すように、半導体ウエハ
10上には、約30オングストロームのシリコン酸化膜
61が形成される(熱酸化工程)。
【0083】熱酸化処理が終了すると、ボートエレベー
タ78により蓋体77を下降させて、反応管72からウ
エハボート79(半導体ウエハ10)をアンロードす
る。そして、シリコン酸化膜61が形成された半導体ウ
エハ10を、例えば図示しない操作アームによってエッ
チング装置91に移送し、エッチバック処理を行う。
【0084】エッチング装置91に移送された半導体ウ
エハ10は、図示しない操作アームによって、シリコン
酸化膜61が形成された面が下方となるような状態に維
持される。そして、フッ酸で満たされた処理槽92a内
にシリコン酸化膜61部分を浸漬することにより、シリ
コン酸化膜61がエッチバックされ、図5(c)に示す
ように、約10オングストロームのシリコン酸化膜61
に薄膜化される(エッチバック工程)。なお、エッチバ
ックされた半導体ウエハ10は、図示しない洗浄、乾燥
装置に移送され、シリコン酸化膜61に残存しているフ
ッ酸を除去する。
【0085】そして、CVD装置6cのサセプタ52上
に載置し、図5(d)に示すように、シリコン酸化膜6
1上に、約50オングストロームの酸化タンタル膜(T
)62が形成する(誘電膜形成工程)。このよ
うにして、半導体ウエハ10上にシリコン酸化膜61と
酸化タンタル膜62から構成された積層ゲート絶縁膜6
3が形成される。最後に、積層ゲート絶縁膜63が形成
された半導体ウエハ10をCVD装置6cの外部に排出
する。
【0086】本実施の形態によれば、熱処理装置71に
バッチ処理型の熱処理装置を用いているので、一度に複
数枚の半導体ウエハ10にシリコン酸化膜61を形成す
ることができる。
【0087】また、 シリコン酸化膜61をフッ酸を用
いたウエットエッチバックにより薄膜化しているので、
薄膜化されたシリコン酸化膜61の厚さが均一になる。
【0088】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、例えば誘電膜はシリコン酸化膜より誘
電率の高い材料であればよく、例えば酸化ジルコニウム
膜(ZrO、ZrSiO)であってもよい。
【0089】第2の実施の形態のエッチング装置91
は、半導体ウエハをフッ酸液中に浸漬するような構成の
装置に限らず、例えば半導体ウエハの上方からフッ酸を
スプレーで噴霧するような構成の装置であってもよい。
また、エッチング処理液はフッ酸に限らず、例えばフッ
化アンモニウム、フッ酸とフッ酸アンモニウム水溶液と
の混合液であってもよい。
【0090】また、ドライエッチング処理は、第1の実
施の形態に限らず、例えば無水フッ酸ガスを用いてエッ
チバックしてもよい。この場合にも、半導体ウエハ10
の洗浄、乾燥を行う装置が不要になり、マルチチャンバ
システム1に組み込みやすくなる。
【0091】本発明において、シリコン酸化膜61と酸
化タンタル膜62の界面の化学的安定性を増大させる目
的で、シリコン酸化膜61のエッチバック処理後、酸化
膜表面を窒化処理することも可能である。また、シリコ
ン酸化膜61は酸窒化膜に置き換えることも可能であ
る。
【0092】本発明における酸化、エッチング、誘電体
成膜は、例えば各々縦型炉、ウェットステーション、バ
ッチ(又は枚葉)CVD装置を使って、クラスタ化しな
いプロセスフローも可能である。
【0093】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シリコン酸化膜を形成した後に、シリコン酸化膜をエッ
チバックしているので、高品質かつ薄いシリコン酸化膜
を形成することができる。そして、シリコン酸化膜上に
誘電膜を形成することにより、高誘電率の積層ゲート絶
縁膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態のマルチチャンバシステムの
模式図である。
【図2】第1の実施の形態の熱処理装置の模式図であ
る。
【図3】第1の実施の形態のエッチング装置の模式図で
ある。
【図4】第1の実施の形態のCVD装置の模式図であ
る。
【図5】第1の実施の形態の積層ゲート絶縁膜の形成工
程を示した模式図である。
【図6】第2の実施の形態の熱処理装置の模式図であ
る。
【図7】第2の実施の形態のエッチング装置の模式図で
ある。
【図8】MOSFETを示した模式図である。
【符号の説明】
1 マルチチャンバシステム 6a 熱処理装置 6b エッチング装置 6c CVD装置 10 半導体ウエハ 12 第1搬送アーム 13 第2搬送アーム 61 シリコン酸化膜 62 酸化タンタル膜 63 積層ゲート絶縁膜
フロントページの続き Fターム(参考) 5F040 DC01 ED01 ED03 5F058 BA20 BD01 BD04 BD05 BE04 BF04 BF27 BF29 BF30 BG01 BG02 BG03 BG04 BJ01 BJ10

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】シリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜に積
    層され、該シリコン酸化膜より誘電率の高い誘電膜とか
    ら構成される積層ゲート絶縁膜の形成方法であって、 半導体ウエハを加熱して該半導体ウエハの表面を熱酸化
    させ、該半導体ウエハにシリコン酸化膜を形成する熱酸
    化工程と、 前記シリコン酸化膜にエッチバック処理を施して、該シ
    リコン酸化膜を薄膜化するエッチバック工程と、 薄膜化されたシリコン酸化膜上に、前記誘電膜を形成す
    る誘電膜形成工程と、を備えることを特徴とする積層ゲ
    ート絶縁膜の形成方法。
  2. 【請求項2】前記熱酸化工程の熱酸化温度は800℃よ
    り高温である、ことを特徴とする請求項1に記載の積層
    ゲート絶縁膜の形成方法。
  3. 【請求項3】前記熱酸化工程は、前記シリコン酸化膜
    を、その界面準位密度の値が5×10 10/cm・e
    Vより小さくなるように形成する、ことを特徴とする請
    求項1又は2に記載の積層ゲート絶縁膜の形成方法。
  4. 【請求項4】前記熱酸化工程は、シリコン酸化膜を20
    オングストロームより厚く形成し、前記エッチバック工
    程は、前記シリコン酸化膜の厚さを20オングストロー
    ムより薄くする、ことを特徴とする請求項1乃至3のい
    ずれか1項に記載の積層ゲート絶縁膜の形成方法。
  5. 【請求項5】前記エッチバック工程は、前記シリコン酸
    化膜をフッ酸でエッチバック処理して薄膜化する、こと
    を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の積
    層ゲート絶縁膜の形成方法。
  6. 【請求項6】前記エッチバック工程は、フッ素と窒素と
    水素とを含む混合ガスをプラズマで励起した活性種によ
    り、前記シリコン酸化膜をエッチバック処理して薄膜化
    する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項
    に記載の積層ゲート絶縁膜の形成方法。
  7. 【請求項7】前記誘電膜は酸化タンタル膜又は酸化ジル
    コニウム膜である、ことを特徴とする請求項1乃至6の
    いずれか1項に記載の積層ゲート絶縁膜の形成方法。
  8. 【請求項8】半導体ウエハを熱酸化させてシリコン酸化
    膜を形成する熱処理装置と、 前記シリコン酸化膜をエッチバックして、該シリコン酸
    化膜を薄膜化するエッチング装置と、 薄膜化されたシリコン酸化膜上に、該シリコン酸化膜よ
    り誘電率の高い誘電膜を積層する誘電膜形成装置と、を
    備えることを特徴とする積層ゲート絶縁膜の形成システ
    ム。
  9. 【請求項9】前記積層ゲート絶縁膜の形成システムはマ
    ルチチャンバシステムから構成され、 前記マルチチャンバシステムの各チャンバ内に、前記熱
    処理装置と、前記エッチング装置と、前記誘電膜形成装
    置とが配置されている、ことを特徴とする請求項8に記
    載の積層ゲート絶縁膜の形成システム。
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