JP2001083824A - セラミックスヒータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高熱伝導率のセラミックス基板を用いたセラ
ミックスヒータにおいて、セラミックス基板に設けた電
極や端子部の温度上昇を抑制して酸化による接触不良を
防止すると共に、転写材の両端部における定着性を改善
する。 【解決手段】 セラミックス基板１０ａ上に発熱体１０
ｂや電極１０ｃ等を設けたセラミックスヒータ１０で、
セラミックス基板１０ａと発熱体１０ｂとの間にガラス
層１０ｅを備えている。また、セラミックス基板１０ａ
の断面積を小さくするか、両者を併用してもよい。セラ
ミックス基板１０ａは、主成分が窒化アルミニウム、窒
化ケイ素、炭化ケイ素から選択される高熱伝導率のセラ
ミックスが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザプリンタや
複写機等のトナー画像の加熱定着装置に用いるセラミッ
クスヒータに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、トナー画像を定着させるため
に用いられるヒータとしては、アルミニウムなどの金属
製のパイプに、ハロゲンランプ等の熱源を配置したもの
が使用されていた。この金属製のパイプを加熱ローラと
し、該加熱ローラに対して圧接する加圧ローラを配置し
て、トナー画像が形成された転写材を加熱ローラと加圧
ローラとの間に送り込み、両ローラで加熱及び加圧する
ことにより、転写材上のトナーが定着される。

【０００３】しかしながら、この従来のヒータでは、比
較的熱容量の大きな金属製のパイプを加熱しなければな
らないため、立ち上げに時間がかかるという問題があっ
た。この問題を解決するため、通常は待機中においても
予めヒータを予備加熱しておくなどの手法が取られてい
るが、この場合には消費電力が大きくなるという不利益
があった。

【０００４】これに対して、熱容量の小さい板状のヒー
タを用いた加熱定着装置が、例えば特開昭６３−３１３
１８２号公報、特開平１−２６３６７９号公報、特開平
２−１５７８７８号公報等に提案されている。この加熱
定着装置は、その定着部を図２に模式的に示すように、
板状のセラミックスヒータ１を支持体２に取り付け、こ
の支持体２の外周部に耐熱性フィルム３を回転可能に配
置してあり、これらが一体となって加熱ローラを形成す
る。尚、耐熱性フィルム３は、例えばポリイミド樹脂等
から形成されている。この加熱ローラに対して、表面が
ゴム等の弾性体でできた加圧ローラ４を圧接し、矢印方
向に回転する加熱ローラと加圧ローラの間に紙等の転写
材５を送り込むことにより、未定着のトナー画像６ａを
加熱加熱して定着画像６ｂとして定着する。

【０００５】この加熱定着装置に用いる板状のセラミッ
クスヒータ１の部分を図３に拡大して示し、図４は図３
のセラミックヒータ１の直角方向からの断面を示したも
のであって、同じ部分には同じ符号を付してある。この
セラミックヒータ１は、セラミックス基板１ａ上に形成
された発熱体１ｂを備え、長手方向の両端部には発熱体
１ｂに通電するための電極１ｃやサーミスタの信号取出
用電極（図示せず）等が形成されている。また、一般的
に発熱体１ｂと電極１ｃの上には、ガラス製の保護層と
してオーバーコートガラス層１ｄが被覆されている。

【０００６】この板状のセラミックスヒータは、熱容量
が相対的に金属製のパイプよりも小さいため、クイック
スタート性に優れている。従って、ヒータの立ち上がり
が非常に速いために、待機中に予備加熱する必要がな
く、消費電力を低減できる等の特徴がある。このため最
近では、この板状のセラミックヒータを用いて、１６ｐ
ｐｍ以上の高速定着器も市販されるようになっている。
尚、前記ｐｐｍとはｐａｐｅｒｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔ
ｅの略であり、従って１６ｐｐｍはＡ４の転写材を１分
間に１６枚定着できる送り速度である。

【０００７】しかしながら、このようなセラミックスヒ
ータでは、立ち上がりの温度上昇が急激であるために、
この時の熱衝撃によってセラミックス基板が破壊しやす
いという新たな問題が提起されている。これに対して、
現状においてセラミックス基板として通常使用されてい
るアルミナに代え、アルミナよりも熱伝導率の高いセラ
ミックス、即ち窒化アルミニウムや窒化ケイ素等を基板
として使用したセラミックスヒータが、特開平８−２８
４９９９号等に提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記した窒化アルミニ
ウムや窒化ケイ素等を基板としたセラミックスヒータで
は、セラミックス基板の熱伝導率がアルミナよりも高い
ため、ヒータ立ち上げ時の急激な温度上昇によるセラミ
ックス基板の割れを防止することができる。

【０００９】しかしその反面、セラミックス基板の熱伝
導率が高いことにより、発熱体で発生した熱がセラミッ
クス基板を伝わりやすく、そのため給電用の電極やセラ
ミックスヒータ上に取り付けられているサーミスタの信
号取出用電極の温度が上昇しやすい。この結果、これら
の電極に取り付けられている銅等からなる端子部が酸化
して、接触不良を起こすという欠点があった。

【００１０】また、セラミックス基板の熱伝導率が高い
ために昇温は速いが、その一方で外部への放熱も速いた
め、発熱体で発生した熱がセラミックス基板の長手方向
の両端側に逃げてしまい、相対的にセラミックスヒータ
の中央部に比較して長手方向両端部分の温度が低下しや
すい。このため、特に転写材の両端部分においてトナー
に対して十分な熱が加えられないことになり、定着性不
良を起こし易いという問題があった。

【００１１】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
例えば窒化アルミニウムや窒化ケイ素等の高熱伝導性の
セラミックス基板を用いたトナー画像加熱定着装置用の
セラミックスヒータにおいて、セラミックス基板に設け
た電極や端子部の温度上昇を抑制して酸化による接触不
良を防止すると共に、転写材の両端部における定着性を
改善することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供する第１の手段は、トナー画像加熱定
着装置に用いられる加熱ローラ用のセラミックス基板上
に発熱体を設けたセラミックスヒータであって、該セラ
ミックス基板の熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、
該セラミックス基板と前記発熱体との間にガラス層を備
えることを特徴とする。

【００１３】また、本発明が提供する第２の手段は、ト
ナー画像加熱定着装置に用いられる加熱ローラ用のセラ
ミックス基板上に発熱体を設けたセラミックスヒータで
あって、該セラミックス基板の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上であり、該セラミックス基板の長手方向の一部に
断面積の小さい部分を設けることを特徴とする。

【００１４】更に、本発明が提供する第３の手段は、ト
ナー画像加熱定着装置に用いられる加熱ローラ用のセラ
ミックス基板上に発熱体を設けたセラミックスヒータで
あって、該セラミックス基板の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上であり、該セラミックス基板と前記発熱体との間
にガラス層を備えると共に、該セラミックス基板の長手
方向の一部に断面積の小さい部分を設けることを特徴と
する。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の上記第１の手段において
は、図１に示すように、セラミックスヒータ１０のセラ
ミックス基板１０ａと発熱体１０ｂの間にガラス層１０
ｅが設けてある。尚、ガラス層１０ｅは、図１のように
セラミックス基板１０ａと両端部の電極１０ｃ等との間
にも延長して設けることが好ましいが、この部分には必
ずしもガラス層を形成しなくてもよい。また、発熱体１
０ｂはセラミックス基板１０ａ上の加圧ローラ側に存在
するのが一般的であり、その場合には図１に示すよう
に、発熱体１０ｂ及び電極１０ｃの上に、これらを保護
するオーバーコートガラス層１０ｄを形成することがで
きる。

【００１６】このようにセラミックス基板１０ａと発熱
体１０ｂの間にガラス層１０ｅを介在させることによっ
て、熱伝導率の小さいガラス層１０ｅが断熱層となって
セラミックス基板１０ａへの熱伝達を阻害するので、ガ
ラス層１０ｅが介在しない場合に比べてセラミックス基
板１０ａ及び基板１０ａに取り付けられた電極１０ｃの
温度が低下し、端子部の酸化を防ぐことができる。また
同時に、ガラス層１０ｅがセラミックス基板１０ａへの
熱拡散を防止することで、発熱体１０ｂの両端部分の温
度低下も相対的に小さくなるため、その部分での定着性
の低下も抑制することができる。これらの点に関して、
以下に更に詳しく説明する。

【００１７】一般的に、発熱体で発生した熱はセラミッ
クス基板と発熱体を被覆しているオーバーコートガラス
層に伝わる。そして、オーバーコートガラス層に伝わっ
た熱は、主に耐熱性フィルムを通して転写材上のトナー
を熱的に定着させる。一方、セラミックス基板に伝えら
れた熱は、セラミックスヒータに直接接触している支持
体や、給電用及びサーミスタの信号取出用の電極及びそ
の端子部に伝わる。このため、セラミックス基板の熱伝
導率が高い場合には、電極や端子部の温度が上昇して酸
化されやすくなり、特に銅及び銅合金からなる電極及び
端子部は酸化銅を形成して接触不良を起こしやすい。

【００１８】また、発熱体の長手方向におけるセラミッ
クスヒータの温度分布は、発熱体の抵抗値分布が一定で
あるとするならば、上記した発熱体からセラミックス基
板への熱の拡散のために、一般的に、発熱体の長手方向
においては中央部の均熱帯の温度が最も高くなり、長手
方向の両端部分において温度は低くなる。このため、均
熱帯での転写材上のトナーの定着温度が適当であるなら
ば、発熱体の長手方向の両端部では温度不足になりやす
く、その結果トナーが十分に加熱定着されずに定着不良
が発生しやすい。

【００１９】これに対して、本発明の第１の手段のセラ
ミックスヒータでは、上記のごとくセラミックス基板と
発熱体の間に断熱用のガラス層を形成してあり、しかも
ガラスの熱伝導率が一般にセラミックスよりも大幅に低
いので、このガラス層（アンダーコートガラス層と言
う）によって、発熱体からセラミックス基板への熱の伝
達が阻害される。その結果、発熱体からセラミックス基
板に伝わる熱の割合が小さくなり、アンダーコートガラ
ス層の無い場合に比較してセラミックス基板自体の温度
が相対的に低くなるため、セラミックス基板の両端部に
取り付けられている電極や端子部の温度が低下して、そ
の酸化を防ぐことができるのである。

【００２０】また、定着性に関しては、発熱体で発生し
た熱がセラミックス基板の長手方向に拡散していくため
に、発熱体の両端部分の温度が低下して起こるのである
が、本発明においてはアンダーコートガラス層を形成す
ることによって発熱体からセラミックス基板への熱拡散
を抑制することができるため、発熱体の両端部分での温
度低下も相対的に小さくなる。従って、発熱体の両端部
分における定着性が改善され、全体的に優れた定着性の
セラミックスヒータを得ることができる。

【００２１】また、セラミックス基板の熱伝導率が５０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の場合、発熱体からセラミックス基板へ
の熱の伝達並びに拡散が顕著であり、電極や端子部の酸
化による接触不良及びセラミックスヒータの両端部での
定着不良が起こりやすいが、上記第１の手段においてセ
ラミックス基板と発熱体の間にアンダーコートガラス層
を介在させることにより、その問題も解消される。尚、
本発明の第１の手段で用いられるセラミックス基板とし
ては、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものであれば材
質を問わないが、例えば主成分が窒化アルミニウム、窒
化ケイ素、炭化ケイ素のいずれかが好ましい。

【００２２】尚、上記第１の手段におけるガラス層（ア
ンダーコートガラス層）は、ガラス成分に特に制限はな
く、セラミックス基板よりも熱伝導率が小さい限り使用
することができる。また、ガラス層の厚みに関しても特
に制約はないが、厚みが増すほど断熱効果が大きくなる
ことは明らかである。

【００２３】次に、本発明の第２の手段では、セラミッ
クス基板として熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好まし
くは３０〜８０Ｗ／ｍ・Ｋのものを使用し、そのセラミ
ックス基板の長手方向の一部に他の部分よりも断面積の
小さい部分を設ける。これによって、本発明の課題であ
る電極や端子部の酸化による接触不良並びにセラミック
スヒータ両端部での定着不良を未然に防ぐことができ
る。尚、現在使用されているセラミックスヒータでは、
セラミックス基板のサイズは全体に一様であり、通常は
幅１０ｍｍ、長さ２７０ｍｍ、厚み０.６３５ｍｍ程
度、従ってその断面積は約６.３５ｍｍ^２程度が一般的
である。また、セラミックス基板全体にわたって幅又は
厚みを小さくして、前記従来のセラミックス基板よりも
断面積を小さくする、好ましくは５.５ｍｍ^２以下の断
面積にすることによっても、同様の効果を得ることが可
能である。

【００２４】セラミックス基板の一部の断面積を小さく
するための具体的な方法としては、例えば図５に示すよ
うにセラミックス基板１１ａの両端側に幅方向から切取
部１１ｆを設けて幅を小さくしたり、図６に示すように
セラミックス基板１２ａの両端側に裏面側（転写材が通
過しない側）から切取部１２ｆを形成することによって
厚みを小さくする方法がある。また、図７に示すように
セラミックス基板１３ａの両端側に幅を端部まで漸次小
さくした幅狭部１３ｇを形成したり、図８に示すように
セラミックス基板１４ａの両端側に貫通孔１４ｈを穿設
する方法によっても、その部分の断面積を他の部分より
も小さくすることができる。尚、セラミックス基板の一
部の断面積を小さくする方法は、これらに限定されるも
のではなく、これらを組み合わせたり、別の方法を取る
ことも可能である。

【００２５】この第２の手段においてセラミックス基板
の熱伝導率を３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とするのは、３０Ｗ／
ｍ・Ｋでは耐熱衝撃性が低下してクイックスタート時に
ヒータが破損する可能性があるからである。また、８０
Ｗ／ｍ・Ｋを越えると端部での放熱が早くなるため、断
面積の減少のみでは同部分の温度が中央部に追随し難く
なるので、この第２の手段におけるセラミックス基板の
熱伝導率は３０〜５０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲が好ましい。
尚、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋを越えるセラミックス基
板を使用する場合には、前記した第１の手段を適用す
る。

【００２６】更に、セラミックス基板の熱伝導率が３０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の場合、前記第１の手段と第２の手段を
併用すると、より一層顕著な効果を得ることができる。
即ち、本発明が提供する第３の手段として、セラミック
ス基板の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは３
０〜８０Ｗ／ｍ・Ｋのとき、該セラミックス基板と前記
発熱体との間にガラス層を備えると共に、該セラミック
ス基板の長手方向の一部に断面積の小さい部分を設ける
ことができる。

【００２７】上記第２及び第３の手段で使用するセラミ
ックス基板の材質は、第１の手段と同様に、窒化アルミ
ニウム、窒化ケイ素、又は炭化ケイ素を主成分とするも
のが好ましい。いずれの材質も従来から使用されてきた
アルミナを主成分とするものに比べ、熱膨張係数が小さ
く熱伝導性に優れているため、熱衝撃強度が高い。この
ため、セラミックスヒーターのより急速な昇温が可能で
あると共に、より急速な昇温時でもセラミックス基板の
損傷が発生しなくなるからである。

【００２８】以上で説明した本発明の第２及び第３の手
段において、セラミックス基板の長手方向の一部に断面
積の小さい部分を形成する場合には、断面積の小さい部
分をセラミックス基板の転写材が通過しない側に設ける
か、又は転写材が通過する側で転写材と対向しない両側
部分に設けることが望ましい。尚、転写材が通過する側
で転写材と対向する部分の断面積を小さくすると、他の
部分との熱容量差により断面積を小さくした部分の温度
がより高くなるため、定着画像にムラができたり、高温
オフセット現象を生じ易くなる。また、断面積の小さい
部分が発熱体の電極に近くなると、転写材の通過する部
分の端の方で温度が下がり易くなり、やはり定着画像に
部分的なムラ等が生じ易い。

【００２９】本発明では、電極や端子部の酸化による接
触不良を解消でき、同時に両端部における定着不良をな
くすことができると共に、上記のごとく熱伝導率が３０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性のセラミックス基板に対し
て適用できるために、従来から問題であったヒータ昇温
時の急激な温度上昇によって発生するセラミックス基板
の割れを防止することもできる。

【００３０】

【実施例】実施例１ 窒化アルミニウム粉末１００重量部に対して、焼結助剤
として酸化イットリウム粉末を１.０重量部、及び有機
バインダーと溶剤を加え、ボールミル混合を２４時間行
ってスラリーを作製した。このスラリーをドクターブレ
ード法によってシート成形し、窒素雰囲気中８００℃で
脱脂を行った後、焼結体の熱伝導を調整するため大気中
にて下記表１に示す種々の温度で脱脂した。その後、窒
素雰囲気中１８５０℃で７時間焼結を行い、窒化アルミ
ニウム焼結体を得た。これらの窒化アルミニウム焼結体
を３００ｍｍ×１０ｍｍ×１.０ｍｍに加工し、得られ
た窒化アルミニウム基板の熱伝導率を下記表１に示し
た。

【００３１】上記で得られた各セラミックス基板の片面
にアンダーコートガラス層（組成は重量比でＡｌ
_２Ｏ_３：ＣａＯ：ＳｉＯ_２：ＺｎＯ＝３：２：１：１）
をスクリーン印刷し、大気中にて８５０℃で焼き付け
た。焼成後のアンダーコートガラスの厚みは７０μｍ、
熱伝導率は０.５Ｗ／ｍ・Ｋであった。更に、アンダーコ
ートガラス層を形成した窒化アルミニウム基板と、アン
ダーコートガラス層を形成していない窒化アルミニウム
基板に対して、それぞれ発熱体としてＡｇ−Ｐｄペース
トをスクリーン印刷し、大気中にて８５０℃で焼き付け
た。最後に、各セラミックス基板の発熱体上に保護用の
グレーズガラスをスクリーン印刷により塗布し、大気中
にて７００℃で焼き付け、セラミックスヒータを作製し
た。

【００３２】得られた各セラミックスヒータを定着器に
取り付け、１６ｐｐｍの速度で定着性の評価と端子温度
の測定を行い、その結果を下記表１に併せて示した。定
着性の評価方法としては、定着された紙上のトナーを別
の紙でこすり、トナーの脱落が全くない状態を◎、トナ
ーが若干脱落している状態を○、トナーが１／３〜半分
程度脱落している状態を△、及びトナーが半分以上脱落
している状態を×とする４段階の評価（以下同じ、◎又
は○であれば実用的に問題はない）を行った。また、端
子温度の測定は、端子に熱電対を取り付け、その温度変
化を測定した。尚、上記試験は定着を１分間行った結果
である。

【００３３】

【表１】 脱脂温度 熱伝導率 アンダーコート 定 着 性 端子温度試料 (℃) (W／m・K) ガラス層の有無 両端部 中央部 (℃) 1-ａ − 180 有り ○ ◎ 52 1-ｂ − 180 無し × ◎ 67 2-ａ 300 150 有り ○ ◎ 51 2-ｂ 300 150 無し × ◎ 63 3-ａ 450 120 有り ○ ◎ 51 3-ｂ 450 120 無し × ◎ 60 4-ａ 600 100 有り ○ ◎ 50 4-ｂ 600 100 無し △ ◎ 58 5-ａ 700 80 有り ◎ ◎ 49 5-ｂ 700 80 無し △ ◎ 54 6-ａ 800 50 有り ◎ ◎ 47 6-ｂ 800 50 無し ○ ◎ 52 7-ａ 900 35 有り ◎ ◎ 47 7-ｂ 900 35 無し ◎ ◎ 48

【００３４】以上の結果から分かるように、熱伝導率が
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス基板については、セ
ラミックス基板と発熱体の間にアンダーコートガラス層
を介在させることにより定着性と端子温度の低下に顕著
な効果が得られたが、３５Ｗ／ｍ・Ｋのセラミックス基
板では殆ど差異がなかった。

【００３５】実施例２ 窒化ケイ素粉末に、焼結助剤として酸化イットリウム、
酸化アルミニウム、酸化マグネシウムの２種以上の粉末
を下記表２に示す割合で添加し、更に有機バインダーと
溶剤を加え、実施例１と同様にボールミル混合後、シー
ト成形した。その後、窒素雰囲気中にて８００℃で脱脂
を行い、下記表２に示す条件で焼結及びＨＩＰ処理を行
って、３００ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍの板状に加工し
た。

【００３６】

【表２】 原料粉末配合(wt％) 焼結条件 ＨＩＰ条件 熱伝導率試料 Si_３N_４ Y_２O_３ Al_２O_３ MgO (℃×hr) (℃×気圧×hr) (W／m・K) 8 95 4 − 1 1700×4 1800×10×1 100 9 95 4 1 − 1700×4 1800×10×1 50 10 92 5 3 − 1800×4 − 20

【００３７】上記表２に示す各窒化ケイ素基板を用い、
実施例１と同様にして、セラミックス基板と発熱体の間
に実施例１と同じアンダーコートガラス層を有するセラ
ミックスヒータと、アンダーコートガラス層のないセラ
ミックスとを作製した。得られた各セラミックスヒータ
に対して実施例１と同様の評価を行い、その結果を下記
表３に示した。表３の結果から、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上のセラミックス基板では、アンダーコートガラ
ス層の効果が顕著であることが分かる。

【００３８】

【表３】 熱伝導率 アンダーコート 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K ) ガラス層の有無 両端部 中央部 (℃) 8-ａ 100 有り ○ ◎ 49 8-ｂ 100 無し △ ◎ 57 9-ａ 50 有り ◎ ◎ 47 9-ｂ 50 無し ○ ◎ 51 10-ａ 20 有り ◎ ◎ 43 10-ｂ 20 無し ◎ ◎ 45

【００３９】実施例３ 熱伝導率が４０、７０、１２５、２１０Ｗ／ｍ・Ｋの炭
化ケイ素焼結体をそれぞれ用意し、これらの焼結体から
なるセラミックス基板を用いて、実施例１と同様にし
て、セラミックス基板と発熱体の間に実施例１と同じア
ンダーコートガラス層を有するセラミックスヒータと、
アンダーコートガラス層を有しないセラミックスヒータ
を作製した。

【００４０】得られた各セラミックスヒータに対して実
施例１と同様の評価を行い、その結果を下記表４に示し
た。表４の結果から、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上で
且つ熱伝導率が高いセラミックス基板ほど、アンダーコ
ートガラス層の定着性の改善及び端子温度の抑制効果が
顕著であることが分かる。

【００４１】

【表４】 熱伝導率 アンダーコート 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) ガラス層の有無 両端部 中央部 (℃) 11-ａ 40 有り ◎ ◎ 49 11-ｂ 40 無し ◎ ◎ 50 12-ａ 70 有り ◎ ◎ 50 12-ｂ 70 無し △ ◎ 56 13-ａ 125 有り ○ ◎ 52 13-ｂ 125 無し × ◎ 61 14-ａ 210 有り ○ ◎ 53 14-ｂ 210 無し × ◎ 69

【００４２】実施例４ 窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてＹ_２Ｏ_３粉末を
１重量％、及びバインダーと溶剤を加え、ボールミルに
より２４時間混合してスラリーを作製した。このスラリ
ーをドクターブレード法により種々の厚みのシートに成
形し、所定の大きさに切断し、窒素雰囲気中にて７００
℃で脱脂した後、一部のものは大気中で再脱脂を行った
後、窒素雰囲気中にて１８５０℃で焼結した。このよう
に大気中での脱脂条件を変えて得られた各ＡｌＮ焼結体
の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定し、その
結果を下記表５に示した。

【００４３】また、上記各ＡｌＮ焼結体を３００ｍｍ×
１０ｍｍ×１.０ｍｍの大きさに加工し、更にスクリー
ン印刷により電極としてＡｇペースト、発熱体としてＡ
ｇ−Ｐｄペーストを塗布し、大気中にて８５０℃で焼成
して定着器用セラミックスヒータを作製した。得られた
各セラミックスヒータを、耐熱性フェノール樹脂からな
る支持体に取り付け、定着装置を構成した。これらの定
着装置に１６ｐｐｍの速度でトナーを担持させたコピー
用紙を通過させ、その定着状態を前記実施例１と同様に
評価して、その結果を下記表５に示した。

【００４４】

【表５】 大気中の 熱伝導率 定 着 性 端子温度試 料 脱脂条件 (W／m・K) 両端部 中央部 (℃) 15 無し 180 × ◎ 72 16 600℃ 100 △ ◎ 63 17 650℃ 80 ○ ◎ 58 18 800℃ 50 ◎ ◎ 51 19 900℃ 40 ◎ ◎ 49

【００４５】上記表５から、セラミックス基板の熱伝導
率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のものは用紙端部においても定
着性が良好であるが、８０Ｗ／ｍ・Ｋを越える熱伝導率
では端部での定着性が悪くなることが分かる。また、端
子温度に関しても、熱伝導率が低くなるに従って低下し
ていることが分かる。

【００４６】次に、上記表５の試料１５〜１９の各セラ
ミックス基板を長さ３００ｍｍ×幅１０ｍｍに切断した
後、各試料ごとに研磨により全体の厚みを０.４ｍｍ、
０.５ｍｍ、０.５５ｍｍ、０.６ｍｍ、０.７ｍｍ、０.
８ｍｍに調整した後、上記と同様に定着性試験と端子温
度の測定を行い、その結果を表６に示した。

【００４７】

【表６】 熱伝導率 基板厚み 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) (mm) 両端部 中央部 (℃) 15-1 180 1.0 × ◎ 72 15-2 180 0.8 × ◎ 71 15-3 180 0.7 × ◎ 69 15-4 180 0.6 × ◎ 65 15-5 180 0.55 △ ◎ 59 15-6 180 0.5 ○ ◎ 55 15-7 180 0.4 ○ ◎ 49 16-1 100 1.0 △ ◎ 63 16-2 100 0.8 △ ◎ 61 16-3 100 0.7 △ ◎ 59 16-4 100 0.6 △ ◎ 55 16-5 100 0.55 ○ ◎ 49 16-6 100 0.5 ○ ◎ 47 16-7 100 0.4 ◎ ◎ 43 17-1 80 1.0 ○ ◎ 58 17-2 80 0.8 ○ ◎ 56 17-3 80 0.7 ○ ◎ 54 17-4 80 0.6 ○ ◎ 51 17-5 80 0.55 ◎ ◎ 47 17-6 80 0.5 ◎ ◎ 45 17-7 80 0.4 ◎ ◎ 40 18-1 50 1.0 ◎ ◎ 51 18-2 50 0.8 ◎ ◎ 50 18-3 50 0.7 ◎ ◎ 48 18-4 50 0.6 ◎ ◎ 45 18-5 50 0.55 ◎ ◎ 43 18-6 50 0.5 ◎ ◎ 41 18-7 50 0.4 ◎ ◎ 37 19-1 40 1.0 ◎ ◎ 49 19-2 40 0.8 ◎ ◎ 47 19-3 40 0.7 ◎ ◎ 45 19-4 40 0.6 ◎ ◎ 43 19-5 40 0.55 ◎ ◎ 41 19-6 40 0.5 ◎ ◎ 38 19-7 40 0.4 ◎ ◎ 35

【００４８】上記の結果から、用紙端部の定着性につい
ては、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の場合でも、通常
の幅１０ｍｍのセラミックス基板の厚みを０.５５ｍｍ
以下（断面積で５.５ｍｍ^２以下）とすることにより改
善できることが分かる。

【００４９】次に、上記の試料１５、１７、１８の各セ
ラミックス基板を３００ｍｍ×１０ｍｍ×１.０ｍｍに
加工した後、発熱体を形成しない部分（電極部を含む）
を下記表７に示す厚みに加工した。その後、各セラミッ
クス基板に発熱体、電極、ガラス層を形成してヒータを
作製した。得られた各セラミックスヒータについて、上
記と同様に定着性と端子温度に関する評価を行い、その
結果を表７に併せて示した。

【００５０】

【表７】 熱伝導率 電極部厚み 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) (mm) 両端部 中央部 (℃) 15-1 180 1.0 × ◎ 72 15-8 180 0.7 × ◎ 70 15-9 180 0.6 × ◎ 65 15-10 180 0.55 △ ◎ 60 15-11 180 0.5 ○ ◎ 57 15-12 180 0.4 ○ ◎ 50 17-1 80 1.0 ○ ◎ 58 17-8 80 0.7 ○ ◎ 53 17-9 80 0.6 ○ ◎ 50 17-10 80 0.55 ◎ ◎ 48 17-11 80 0.5 ◎ ◎ 44 17-12 80 0.4 ◎ ◎ 42 18-1 50 1.0 ◎ ◎ 51 18-8 50 0.7 ◎ ◎ 47 18-9 50 0.6 ◎ ◎ 45 18-10 50 0.55 ◎ ◎ 42 18-11 50 0.5 ◎ ◎ 40 18-12 50 0.4 ◎ ◎ 38

【００５１】上記の結果から明らかなように、セラミッ
クス基板の両端の発熱体が形成されていない電極部の厚
みを薄くして、断面積を小さくすることによって、用紙
端部の定着性を向上させることができる。また、端子温
度についても、電極部の厚みを小さくする、即ち断面積
を小さくするに従って、端子温度を低下させることがで
きる。

【００５２】次に、上記の試料１５、１７、１８の各セ
ラミックス基板を３００ｍｍ×１０ｍｍ×１.０ｍｍ
（断面積１０ｍｍ^２）に加工し、更に各基板の転写材
（用紙）が通過しない部分を図５〜図７に示す形状に加
工することにより、その部分の断面積を他の部分よりも
小さくした。即ち、図５のセラミックス基板１１ａは両
端部の基板側面に切取部１１ｆを形成し、図６のセラミ
ックス基板１２ａでは両端部の基板裏面に切取部１２ｆ
を形成し、図７のセラミックス基板１３ａでは両端部の
基板側面に幅狭部１３ｇを設け、図８のセラミックス基
板１４ａでは両端部に表裏面を貫通する貫通孔１４ｈを
穿設した。尚、加工部分の断面積は下記表８に示すとお
りであるが、図７の場合は幅狭部１３ｇの長さ方向中央
における断面積とした。

【００５３】その後、上記各形状に加工した各セラミッ
クス基板１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａに、発熱体１
１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂと、両端部の電極１１
ｃ、１２ｃ、１３ｃ、１４ｃと、オーバーコートガラス
層１１ｄ、１２ｄ、１３ｄ、１４ｄを形成してセラミッ
クスヒータを作製した。得られた各セラミックスヒータ
について、上記と同様に定着性と端子温度に関する評価
を行い、その結果を表８に示した。ただし、表８の試料
中における符号ａは図５の形状、符号ｂは図６の形状、
符号ｃは図７の形状、符号ｄは図８の形状を表す。ま
た、比較例として、転写材が通過する部分の基板裏面に
切取部を設けて断面積を小さくした形状のセラミックス
基板（図示せず）も作製し、これを符号ｅで示した。

【００５４】

【表８】 熱伝導率 加工部分の 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) 断面積(mm) 両端部 中央部 (℃) 15-ａ 180 5 ○ ◎ 59 15-ｂ 180 6 △ ◎ 61 15-ｃ 180 8 △ ◎ 63 15-ｄ 180 8 △ ◎ 62 15-ｅ 180 5 ＊ ◎ 68 17-ａ 80 5 ◎ ◎ 46 17-ｂ 80 6 ◎ ◎ 47 17-ｃ 80 8 ○ ◎ 49 17-ｄ 80 8 ○ ◎ 48 17-ｅ 80 5 ＊ ◎ 57 18-ａ 50 5 ◎ ◎ 41 18-ｂ 50 6 ◎ ◎ 43 18-ｃ 50 8 ○ ◎ 45 18-ｄ 50 8 ○ ◎ 44 18-ｅ 50 5 ＊ ◎ 49 （注）表中の定着性欄における＊は、トナーが耐熱性フィルムに一部転写される 状態（高温オフセット）は発生していることを示す（以下同じ）。

【００５５】実施例５ 窒化ケイ素粉末に、焼結助剤としてＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ
_３、ＭｇＯから選択される２種以上の粉末を下記表９に
示す割合で添加し、実施例４と同様にしてシート作製、
窒素雰囲気中での脱脂を行い、更に表９に示す条件で焼
結及びＨＩＰ処理を行った。得られた各ＡｌＮ焼結体に
ついて、レーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定
し、その結果を表９に併せて示した。

【００５６】

【表９】 原料粉末配合(重量％) 焼結条件 ＨＩＰ条件 熱伝導率試料 Si_３N_４ Y_２O_３ Al_２O_３ MgO (℃×hr) (℃×気圧×hr) (W／m・K) 20 93 5 2 0 1800×3 無し 20 21 93 5 1 1 1700×3 1800×10×1 50 22 93 5 0 2 1700×3 1850×10×3 75 23 95 4 0 1 1700×3 1850×10×3 95

【００５７】上記試料２０〜２３の各ＡｌＮ焼結体を３
００ｍｍ×１０ｍｍ×１.０ｍｍに加工した後、実施例
４と同様に、全体の厚みを研磨により調整してセラミッ
クス基板とし、それぞれセラミックスヒータを作製し
た。得られた各セラミックスヒータについて定着性及び
端子温度の測定を行い、その結果を表１０に示した。

【００５８】

【表１０】 熱伝導率 基板厚み 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) (mm) 両端部 中央部 (℃) 20-1 95 1.0 △ ◎ 61 20-2 95 0.8 △ ◎ 60 20-3 95 0.7 △ ◎ 57 20-4 95 0.6 △ ◎ 55 20-5 95 0.55 ○ ◎ 48 20-6 95 0.5 ○ ◎ 45 20-7 95 0.4 ◎ ◎ 40 21-1 75 1.0 ○ ◎ 55 21-2 75 0.8 ○ ◎ 53 21-3 75 0.7 ○ ◎ 52 21-4 75 0.6 ○ ◎ 50 21-5 75 0.55 ◎ ◎ 46 21-6 75 0.5 ◎ ◎ 42 21-7 75 0.4 ◎ ◎ 39 22-1 50 1.0 ◎ ◎ 52 22-2 50 0.8 ◎ ◎ 50 22-3 50 0.7 ◎ ◎ 49 22-4 50 0.6 ◎ ◎ 45 22-5 50 0.55 ◎ ◎ 42 22-6 50 0.5 ◎ ◎ 40 22-7 50 0.4 ◎ ◎ 37 23-1 20 1.0 ◎ ◎ 45 23-2 20 0.8 ◎ ◎ 43 23-3 20 0.7 ◎ ◎ 42 23-4 20 0.6 ◎ ◎ 40 23-5 20 0.55 ◎ ◎ 39 23-6 20 0.5 ◎ ◎ 37 23-7 20 0.4 ◎ ◎ 35

【００５９】次に、上記試料２０、２１、２２、２３の
各セラミックス基板を３００ｍｍ×１０ｍｍ×１.０ｍ
ｍに加工した後、発熱体を形成しない部分（電極部を含
む）を下記表１１に示す厚みに加工した。その後、各セ
ラミックス基板に発熱体、電極、ガラス層を形成してヒ
ータを作製した。得られた各セラミックスヒータについ
て、上記と同様に定着性と端子温度に関する評価を行
い、その結果を表１１に併せて示した。

【００６０】

【表１１】 熱伝導率 電極部厚み 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) (mm) 両端部 中央部 (℃) 20-1 95 1.0 △ ◎ 61 20-8 95 0.8 △ ◎ 59 20-9 95 0.7 △ ◎ 57 20-10 95 0.6 △ ◎ 56 20-11 95 0.55 ○ ◎ 49 20-12 95 0.5 ○ ◎ 45 20-13 95 0.4 ◎ ◎ 41 21-1 75 1.0 ○ ◎ 55 21-8 75 0.8 ○ ◎ 54 21-9 75 0.7 ○ ◎ 52 21-10 75 0.6 ○ ◎ 50 21-11 75 0.55 ◎ ◎ 46 21-12 75 0.5 ◎ ◎ 42 21-13 75 0.4 ◎ ◎ 39 22-1 50 1.0 ◎ ◎ 52 22-8 50 0.8 ◎ ◎ 50 22-9 50 0.7 ◎ ◎ 49 22-10 50 0.6 ◎ ◎ 45 22-11 50 0.55 ◎ ◎ 42 22-12 50 0.5 ◎ ◎ 40 22-13 50 0.4 ◎ ◎ 37 23-1 20 1.0 ◎ ◎ 45 23-8 20 0.8 ◎ ◎ 43 23-9 20 0.7 ◎ ◎ 42 23-10 20 0.6 ◎ ◎ 41 23-11 20 0.55 ◎ ◎ 39 23-12 20 0.5 ◎ ◎ 38 23-13 20 0.4 ◎ ◎ 35

【００６１】上記の試料２０〜２３の各セラミックス基
板を３００ｍｍ×１０ｍｍ×１.０ｍｍ（断面積１０ｍ
ｍ^２）に加工し、更に実施例４と同様に、各基板の転写
材が通過しない部分を図５〜図７に示す形状に加工する
ことにより、その部分の断面積を他の部分よりも小さく
した。その後、上記各形状に加工した各セラミックス基
板を用いて、実施例４と同様に各試料ごとにａ〜ｄの形
状のセラミックスヒータを作製した。得られた各セラミ
ックスヒータについて、同様に定着性と端子温度に関す
る評価を行い、その結果を表１２に示した。尚、比較例
として、転写材が通過する部分の基板裏面に切取部を設
けて断面積を小さくした形状のセラミックス基板（図示
せず）も作製し、これを符号ｅで示した。

【００６２】

【表１２】 熱伝導率 加工部分の 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) 断面積(mm) 両端部 中央部 (℃) 20-ａ 95 5 ○ ◎ 46 20-ｂ 95 6 △ ◎ 48 20-ｃ 95 8 △ ◎ 50 20-ｄ 95 8 △ ◎ 49 20-ｅ 95 5 ＊ ◎ 57 21-ａ 75 5 ◎ ◎ 43 21-ｂ 75 6 ◎ ◎ 44 21-ｃ 75 8 ○ ◎ 46 21-ｄ 75 8 ○ ◎ 45 21-ｅ 75 5 ＊ ◎ 54 22-ａ 50 5 ◎ ◎ 42 22-ｂ 50 6 ◎ ◎ 42 22-ｃ 50 8 ◎ ◎ 43 22-ｄ 50 8 ◎ ◎ 42 22-ｅ 50 5 ＊ ◎ 51 23-ａ 20 5 ◎ ◎ 38 23-ｂ 20 6 ◎ ◎ 39 23-ｃ 20 8 ◎ ◎ 41 23-ｄ 20 8 ◎ ◎ 40 23-ｅ 20 5 ＊ ◎ 49

【００６３】実施例６ 窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてＹ_２Ｏ_３粉末を
１重量％、及びバインダーと溶剤を加え、ボールミルに
より２４時間混合してスラリーを作製した。このスラリ
ーをドクターブレード法により焼結後の厚みが１.２ｍ
ｍとなるようにシートに成形し、窒素雰囲気中にて７０
０℃で脱脂した後、更に大気中にて種々の温度で再脱脂
を行った後、窒素雰囲気中にて１８５０℃で焼結した。
このように大気中での脱脂条件を変えて得られた各Ａｌ
Ｎ焼結体の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定
し、その結果を下記表１３に示した。

【００６４】

【表１３】

【００６５】次に、上記表１３の試料２４〜２７の各セ
ラミックス基板を長さ３００ｍｍ×幅１０ｍｍに切断し
た後、各試料ごとに全体の厚みが０.４ｍｍ、０.５ｍ
ｍ、０.５５ｍｍ、０.６ｍｍ、０.７ｍｍ、０.８ｍｍ、
１.０ｍｍとなるように研磨した。その後、各セラミッ
クス基板の表面上に、アンダーコートガラス層を形成し
た。即ち、Ａｌ_２Ｏ_３：ＣａＯ：ＳｉＯ_２：ＺｎＯ＝
３：２：１：１（重量比）の混合粉末に、バインダーと
してエチルセルロース、溶剤としてテルピネオールを加
えて混合し、得られたペーストをスクリーン印刷した
後、大気中にて８５０℃で焼き付けた。アンダーコート
ガラス層の厚みは全て７０μｍとなるように、スクリー
ン印刷時の厚みを調整した。

【００６６】得られたアンダーコートガラス層上に、又
はアンダーコートガラス層のないセラミックス基板上
に、それぞれ発熱体としてＡｇ−Ｐｄペースト、電極と
してＡｇペーストを印刷し、大気中にて８５０℃で焼き
付けた。最後に、各セラミックス基板の発熱体を覆うオ
ーバーコートガラス層として、グレーズガラスをスクリ
ーン印刷し、大気中にて７００℃で焼き付けることによ
り、それぞれセラミックスヒータを作製した。

【００６７】かくして得られた各セラミックスヒータを
定着器に取り付け、１６ｐｐｍの速度で定着性試験を行
い、その結果を実施例１と同様に評価して下記表１４に
示した。また、端子温度の測定を行い、その結果を表１
４に併せて示した。

【００６８】

【表１４】 熱伝導率 基板厚み アンタ゛ーコート 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) (mm) カ゛ラス層有無 両端部 中央部 (℃) 24-1-a 80 1.0 有り ◎ ◎ 50 24-1-b 80 1.0 無し △ ◎ 58 24-2-a 80 0.8 有り ◎ ◎ 48 24-2-b 80 0.8 無し ○ ◎ 56 24-3-a 80 0.7 有り ◎ ◎ 47 24-3-b 80 0.7 無し ○ ◎ 54 24-4-a 80 0.6 有り ◎ ◎ 46 24-4-b 80 0.6 無し ○ ◎ 51 24-5-a 80 0.55 有り ◎ ◎ 44 24-5-b 80 0.55 無し ◎ ◎ 47 24-6-a 80 0.5 有り ◎ ◎ 42 24-6-b 80 0.5 無し ◎ ◎ 45 24-7-a 80 0.4 有り ◎ ◎ 39 24-7-b 80 0.4 無し ◎ ◎ 40 25-1-a 70 1.0 有り ◎ ◎ 49 25-1-b 70 1.0 無し △ ◎ 56 25-2-a 70 0.8 有り ◎ ◎ 47 25-2-b 70 0.8 無し ○ ◎ 53 25-3-a 70 0.7 有り ◎ ◎ 46 25-3-b 70 0.7 無し ○ ◎ 53 25-4-a 70 0.6 有り ◎ ◎ 45 25-4-b 70 0.6 無し ◎ ◎ 49 25-5-a 70 0.55 有り ◎ ◎ 42 25-5-b 70 0.55 無し ◎ ◎ 46 25-6-a 70 0.5 有り ◎ ◎ 41 25-6-b 70 0.5 無し ◎ ◎ 44 25-7-a 70 0.4 有り ◎ ◎ 38 25-7-b 70 0.4 無し ◎ ◎ 39 26-1-a 60 1.0 有り ◎ ◎ 48 26-1-b 60 1.0 無し ○ ◎ 55 26-2-a 60 0.8 有り ◎ ◎ 46 26-2-b 60 0.8 無し ○ ◎ 52 26-3-a 60 0.7 有り ◎ ◎ 45 26-3-b 60 0.7 無し ◎ ◎ 52 26-4-a 60 0.6 有り ◎ ◎ 43 26-4-b 60 0.6 無し ◎ ◎ 47 26-5-a 60 0.55 有り ◎ ◎ 41 26-5-b 60 0.55 無し ◎ ◎ 44 26-6-a 60 0.5 有り ◎ ◎ 40 26-6-b 60 0.5 無し ◎ ◎ 42 26-7-a 60 0.4 有り ◎ ◎ 36 26-7-b 60 0.4 無し ◎ ◎ 38 27-1-a 50 1.0 有り ◎ ◎ 47 27-1-b 50 1.0 無し ○ ◎ 52 27-2-a 50 0.8 有り ◎ ◎ 45 27-2-b 50 0.8 無し ○ ◎ 50 27-3-a 50 0.7 有り ◎ ◎ 43 27-3-b 50 0.7 無し ◎ ◎ 48 27-4-a 50 0.6 有り ◎ ◎ 41 27-4-b 50 0.6 無し ◎ ◎ 45 27-5-a 50 0.55 有り ◎ ◎ 39 27-5-b 50 0.55 無し ◎ ◎ 43 27-6-a 50 0.5 有り ◎ ◎ 38 27-6-b 50 0.5 無し ◎ ◎ 41 27-7-a 50 0.4 有り ◎ ◎ 35 27-7-b 50 0.4 無し ◎ ◎ 37

【００６９】次に、上記表１３の試料２４〜２７の各セ
ラミックス基板を長さ３００ｍｍ×幅１０ｍｍに切断し
た後、厚みを１.０ｍｍの研磨し、更に図５に示すよう
に両端部に切取部１１ｆを設けることにより幅を狭くし
て、その部分の断面積を小さくした。その後、上記と同
様にアンダーコートーガラス層を設けるか又は設けるこ
となくセラミックスヒータを作製し、その定着性と端子
温度を状基と同様に測定して、その結果を下記表１５に
示した。

【００７０】

【表１５】 熱伝導率 基板厚み アンタ゛ーコート 定 着 性 端子温度試 料 (W／m・K) (mm) カ゛ラス層有無 両端部 中央部 (℃) 24-1-c 80 1.0 有り ◎ ◎ 41 24-1-d 80 1.0 無し ◎ ◎ 46 25-1-c 70 1.0 有り ◎ ◎ 40 25-1-d 70 1.0 無し ◎ ◎ 44 26-1-c 60 1.0 有り ◎ ◎ 38 26-1-d 60 1.0 無し ◎ ◎ 43 27-1-c 50 1.0 有り ◎ ◎ 36 27-1-d 50 1.0 無し ◎ ◎ 41

【００７１】以上のように、セラミックス基板の断面積
を小さくすると同時にアンダーコーーガラス層を組み合
わせることにより、セラミックスヒータの両端部におけ
る定着性をより一層向上させ、端子温度の低下を図るこ
とができる。

【００７２】

【発明の効果】本発明によれば、セラミックス基板と発
熱体の間にガラス層を介在させること及び／又はセラミ
ックス基板の断面積を小さくすることによって、セラミ
ックス基板に設けた電極や端子の温度上昇を抑制して酸
化による接触不良を防止し、同時に転写材の両端部にお
ける定着性を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるセラミックスヒータの一具体例を
示す概略の断面図である。

【図２】セラミックスヒータを用いたトナー定着器を示
す概略の断面図である。

【図３】図２のセラミックスヒータ部分を拡大して示す
概略の断面図である。

【図４】従来のセラミックスヒータを示す概略の断面図
である。

【図５】本発明によるセラミックス基板両端部の側面に
切取部を有するセラミックスヒータを示す概略の平面図
である。

【図６】本発明によるセラミックス基板両端部の裏面に
切取部を有するセラミックスヒータを示す概略側面図で
ある。

【図７】本発明によるセラミックス基板両端部の側面に
幅狭部を設けたセラミックスヒータを示す概略の平面図
である。

【図８】本発明によるセラミックス基板両端部に貫通孔
を穿設したセラミックスヒータを示す概略の平面図であ
る。

【符号の説明】

１、１０、１１、１２、１３、１４ セラミックスヒ
ータ １ａ、１０ａ、１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａ セ
ラミックス基板 １ｂ、１０ｂ、１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂ 発
熱体 １ｃ、１０ｃ、１１ｃ、１２ｃ、１３ｃ、１４ｃ 電
極 １ｄ、１０ｄ、１１ｄ、１２ｄ、１３ｄ、１４ｄ オ
ーバーコートガラス層 ２ 支持体 ３ 耐熱性フィルム ４ 加圧ローラ ５ 転写材 １０ｅ アンダーコートガラス層 １１ｆ、１２ｆ 切取部 １３ｇ 幅狭部 １４ｈ 貫通孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H033 AA02 BA25 BA26 BB02 BB14 BB18 BB21 BB28 BE03 3K058 AA12 AA28 AA45 BA18 CA12 CA23 CA61 CE02 CE13 CE19 GA06 3K092 PP18 QA05 QB02 QB33 QB75 QB76 QC05 QC06 QC25 RF03 RF11 RF17 RF26 TT28 UA06 VV09 VV25 VV34

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 トナー画像加熱定着装置に用いられる加
   熱ローラ用のセラミックス基板上に発熱体を設けたセラ
   ミックスヒータであって、該セラミックス基板の熱伝導
   率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、該セラミックス基板と
   前記発熱体との間にガラス層を備えることを特徴とする
   セラミックスヒータ。
2. 【請求項２】 トナー画像加熱定着装置に用いられる加
   熱ローラ用のセラミックス基板上に発熱体を設けたセラ
   ミックスヒータであって、該セラミックス基板の熱伝導
   率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、該セラミックス基板の
   長手方向の一部に断面積の小さい部分を設けることを特
   徴とするセラミックスヒータ。
3. 【請求項３】 トナー画像加熱定着装置に用いられる加
   熱ローラ用のセラミックス基板上に発熱体を設けたセラ
   ミックスヒータであって、該セラミックス基板の熱伝導
   率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、該セラミックス基板と
   前記発熱体との間にガラス層を備えると共に、該セラミ
   ックス基板の長手方向の一部に断面積の小さい部分を設
   けることを特徴とするセラミックスヒータ。
4. 【請求項４】 前記セラミックス基板の熱伝導率が３０
   〜８０Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする、請求項２又
   は３に記載のセラミックスヒータ。
5. 【請求項５】 前記セラミックス基板の断面積の小さい
   部分は、他の部分よりも幅又は厚みが小さいか、若しく
   はその部分に貫通孔を有することを特徴とする、請求項
   ２〜４のいずれかに記載のセラミックスヒータ。
6. 【請求項６】 前記断面積の小さい部分を、該セラミッ
   クス基板の転写材が通過しない側に設けるか、又は転写
   材が通過する側で転写材と対向しない両側部分に設ける
   ことを特徴とする、請求項２〜５のいずれかに記載のセ
   ラミックスヒータ。
7. 【請求項７】 前記セラミックス基板の主成分が、窒化
   アルミニウム、窒化ケイ素、及び炭化ケイ素からなる群
   より選択されたセラミックスからなることを特徴とす
   る、請求項１〜６のいずれかに記載のセラミックスヒー
   タ。