JP2001083519A

JP2001083519A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2001083519A
Application number: JP26233599A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Kawada; 靖川田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】マルチドメイン型ＶＡＮ液晶モードにおいて、
対向基板との合わせ精度に依存せず、高い光透過率と広
い視野角とを確保することが可能な液晶表示装置を提供
することにある。【解決手段】対向配置された一対の基板１、２と、これ
ら基板間に挟持された液晶材料６と、を備え、基板１に
は、ＴＦＴ３、信号配線４、５、絶縁層１３、画素電極
７が形成され、基板２にはコモン電極１２が形成されて
いる。基板１の画素電極の下には、絶縁層を介して形成
されたチルト制御電極が設けられている。画素電極と、
コモン電極と、チルト制御電極と、にそれぞれ印加され
る電位を画素電極電位Ｖsig 、コモン電極電位Ｖcom 、
チルト制御電極電位Ｖcontとすると、Ｖcom ≧Ｖsig ＞
Ｖcont あるいはＶcom ≦Ｖsig ＜Ｖcont の条件を満
たしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチドメイン型
の液晶表示装置に関し、特に、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）などの能動素子により駆動される
高精細型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶素子を用いた表示装置は、軽量、薄
型、低消費電力などの特徴を有するため、ＯＡ機器、情
報端末、時計、テレビ等さまざまな分野に応用されてい
る。特に、ＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置は、その応
答性から携帯テレビやコンピュータなどの多くの情報を
含むデータの表示用モニタに用いられている。

【０００３】近年、情報量の増加に伴い、画像の精細度
や表示速度の一層の向上が要求され始めている。精細度
の向上には、ＴＦＴアレイ構造の微細化により対応がな
されている。一方、光のスイッチングを行う液晶層で
は、画素の微細化に伴い、単位時間辺りの動作速度が短
くなるため、液晶材料の応答速度が現在のモードより２
倍〜数十倍速いものが要求されている。

【０００４】これらの要求を満たす液晶モードとしてネ
マチック液晶を用いたＯＣＢ方式、ＶＡＮ方式、ＢＡＮ
方式、π配列方式、スメクチック液晶を用いた界面安定
型強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）方式、反強誘電性液晶方
式が検討されている。

【０００５】特に、ＶＡＮ型配向モードは、従来のツイ
ストネマチック型（ＴＮ）モードより速い応答性が得ら
れることや、垂直配向処理の採用により、従来静電気破
壊など不良原因の発生が危惧されていたラビンク配向処
理工程を削減可能なことから、近年注目されている液晶
表示モードである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようなＶＡＮ配向
型モードでは、視野角の補償設計が比較的容易なことか
ら、広い視野角を実現するためのマルチドメイン型ＶＡ
Ｎモードが注目されているが、ドメイン分割により誘起
されるドメインバウンダリなどの発生により、光の透過
率を確保し難いことや、能動素子の対向面上の電極抵抗
値が大きくなり易いなどの問題が指摘されている。

【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、マルチドメイン型の液晶表示装
置において、ドメイン分割形成要素となる構造が、液晶
表示素子の一方の基板面上にのみ形成され、かつ、画素
電極の構成要素や画素電極下部の絶縁層形状などの形状
効果およびコモン電極、画素電極、制御電極の３電極に
より形成される制御電界による形状によって誘起された
チルト方向を安定に制御することで配向分割構造を構成
することにより、対向基板との合わせ精度に依存せず、
高い光透過率と広い視野角とを確保することが可能な液
晶表示装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る液晶表示装置は、対向配置された一
対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶材料
と、上記一対の基板の双方にそれぞれ形成された少なく
とも１つ以上の電極と、を備え、液晶分子の電気光学応
答を制御するマルチドメイン型の液晶表示装置におい
て、一方の基板上のみに形成され、液晶分子配向のチル
ト方向を制御するチルト制御部を備え、上記チルト制御
部は、上記一方の基板上の画素電極の下に設けられた絶
縁層に形成された凹形状部と、上記凹み形状部の底面に
設けられ、上記画素電極との間で電界を形成する独立し
た制御電極と、を有していることを特徴としている。

【０００９】上記液晶表示装置において、上記画素電極
と、上記制御電極と、上記画素電極に対向して設けられ
たコモン電極と、の３つの電極により形成された電界に
よって、上記凹形状部により誘起されたチルト方向を安
定に制御することを特徴としている。

【００１０】また、上記液晶表示装置において、上記画
素電極の下に形成された絶縁層と隣接する他の画素電極
の下に形成された絶縁層とが所定の幅で互いに重なり合
った凸構造部、または、上記絶縁層と上記画素電極以外
の配線との積層構造によって形成された凹凸構造によ
り、画素周辺でチルト方向を決定し配向分割する手段を
構成していることを特徴としている。

【００１１】更に、この発明に係る液晶表示装置は、対
向配置された一対の基板と、上記一対の基板間に挟持さ
れた液晶材料と、上記一対の基板の双方にそれぞれ形成
された少なくとも１つ以上の電極と、を備え、液晶分子
の電気光学応答を制御するマルチドメイン型の液晶表示
装置において、一方の基板上のみに形成され、液晶分子
配向のチルト方向を制御するチルト制御部を備え、上記
一方の基板は、基板上に形成された画素電極と、画素電
極の下に形成された絶縁層と、を有し、上記チルト制御
部は、上記画素電極の下に上記絶縁層を介して形成され
たチルト制御電極を有し、上記画素電極と、上記画素電
極に対向して上記他方の基板に形成されたコモン電極
と、上記チルト制御電極と、にそれぞれ印加される電位
を画素電極電位Ｖsig 、コモン電極電位Ｖcom 、チルト
制御電極電位Ｖcontとすると、Ｖcom ≧Ｖsig ＞ＶcontあるいはＶcom ≦Ｖsig ＜Ｖco
nt の条件を満たしていることを特徴としている。

【００１２】ここで、一方の基板面とは、ＴＦＴなどの
能動素子が形成されているアレイ基板面が挙げられる。
ＴＦＴは、ａ−Ｓｉやｐ−Ｓｉ、およびＩＴＯなどの半
導体層と、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属層
と、が重なりあって電気的に作用する素子を構成してい
る。特に、これらアレイ基板上に色表示用のカラーフィ
ルタを造り込む構造（ＣＯＡ）は、対向基板にカラーフ
ィルタを採用する方式と異なり、基板同士の位置合わ等
の煩わしさがないことから、本発明の表示方式に適して
いる。

【００１３】画素電極の下に設ける絶縁層としては、Ｓ
ｉＯｘ、ＳｉＮｘ、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物膜に代
表される無機層や、ポリイミド、アクリル、エポキシな
どに代表される有機層を用いることができるが、電気的
絶縁性に優れＰＥＰ（フォトエッチングプロセス）等に
より形状加工が可能な透明材料であれば使用可能であ
る。

【００１４】特に、絶縁材料自体が感光性を示すレジス
ト材料や感光性アクリル樹脂は、マスク露光を行うこと
により所定の形状にパターン形成可能であることから、
本発明の絶縁層に適している。絶縁層の構造としては、
液晶分子配向に特定の傾斜を誘起させるに十分な高さと
傾きとが要求される。

【００１５】本発明者等は、実験的にこれらのパラメー
タを検討し、液晶表示装置として安定な動作を示す寸法
を見出した。まず、絶縁層の高さとしては、１つの傾斜
面を構成する層の厚みが１．０〜１．５μｍの範囲で液
晶の電気−光学特性が安定な動作を示すことを見出し
た。また、傾斜面の角度としては、最大傾斜角が３０度
〜８９℃の斜面、あるいは、円筒構造の側面のような湾
曲面構造が安定に液晶分子のチルト制御ができることを
見出した。

【００１６】絶縁層により前述のような斜面を形成する
方法としては、感光性を持たない無機絶縁層や有機絶録
層では、エッチング工程の制御によるテーパ−エッチン
グ法を用いることにより形状制御が可能である。一方、
感光性を示す有機絶縁層では、濃度勾配マスクを用いた
露光によるテーパー形成や、一旦、傾斜を持たないパタ
ーンを形成した後、熱工程によりメルトを誘起して表面
張力による傾斜面の形成を行う形状制御が可能となる。

【００１７】本発明の実験に際して用いた感光性アクリ
ル樹脂などは、パターニング後の熱工程温度を制御する
ことにより、容易に円筒形状の側面傾斜を制御できる材
料であり、プロセス安定性も高く、本発明の絶縁層に適
した材料である。

【００１８】有機絶縁層中に特定波長の光を透過吸収す
る顔料を分散することにより、色フィルタとして用いる
場合には、画素電極下部の絶縁層と色フィルタ層および
チルト制御層とが１つの構成材料により形成されるた
め、工程数や材料の増加を伴わず、低いコストで優れた
液晶表示素子を得ることができる。

【００１９】更に、一般的に液晶表示装置では、隣接す
る画素毎にＲＧＢなどの色フィルタを並列して形成する
ことによりカラー画像表示を可能としている。このよう
な隣接画素毎の色フィルタ層形成の際、絶縁層同士を重
ね合わせる処理を行うことで、チルト制御に必要なもう
一方の傾斜構造を形成することができる。

【００２０】あるいは、隣接画素に設ける絶縁層同士を
一定間隔で形成する場合にも、同様な傾斜構造を形成す
ることが可能である。重ね合わせることによる凸構造傾
斜を選択するか、間隔を開けることにより形成される凹
み構造を選択するかは、画素内の配向分割をどのように
制御するかといった設計により異なるが、本発明では、
絶縁層パターニング時のマスク寸法を変更することによ
り、容易に選択可能であり、製造上も簡便な方法であ
る。

【００２１】以上述べた手法により画素電極下部に設け
た絶縁層の傾斜構造と、これら絶縁層が隣接画素間にて
形成する傾斜構造とにより、各画素毎に所定の配向分割
構造を誘起して視野角の広い液晶表示装置を実現するこ
とができる。

【００２２】特に、画素電極下部に形成した絶縁層の凹
み構造と、隣接する画素間で前記絶縁層が重なり合って
形成された画素周辺部の凸構造とにより、チルト制御を
行う方式においては、画素電極に電荷を供給する配線構
造と画素部の凹み構造とを重複することにより、本来必
要なチルト制御用の傾斜構造以外の傾斜構造領域を生じ
ることがなく、画素部での光利用効率が向上し明るい表
示特性を保つことが可能となる。

【００２３】画素部に電荷を供給するは配線構造として
は、ＴＦＴアレイ基板上のトランジスタから電荷を画素
に供給するソース電極や画素への電荷供給を補助する補
助容量電極からの配線が挙げられる。一般的には、これ
らの配線は、画素電極下部に設けられた絶縁層に形成さ
れたスルーホールやビアと呼ばれる凹み構造を介して画
素電極に接続されるが、本発明の構造では、スルーホー
ルを画素面内で特定パターンに展開した凹み構造と共通
化している。この凹み構造とスルーホールとの共通化
は、本発明のチルト制御構造を与える以外に、従来数μ
ｍ〜１０μｍ程度の微小窪みのために電気的な接続に信
頼性が低かったスルーホールのコンタクト特性の向上に
も寄与することができる。

【００２４】ここで、凹み構造により誘起されたチルト
方向を安定化させるためには、コモン電極電位、画素電
極電位、制御電極電位の３電極間に以下の関係が成り立
つことが必要となる。つまり、コモン電極電位≧画素電
極電位＞制御電極電位のような降順電界が常時成り立つ
こと、コモン電極電位≦画素電極電位＜制御電極電位の
ような昇順電界が常時成り立つこと、あるいは、これら
降順電界と昇順電界とが交互に形成される状態が形成さ
れること、により、画素電極に形成された凹み構造によ
って誘起されるチルト方向を常に安定化させることがで
きる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態に係る液晶表示装置およびその画素構
成を詳細に説明する。

【００２６】図１に示すように、液晶表示装置は、所定
の隙間を置いて対向配置されたアレイ基板１および対向
基板２と、これらの基板間に挟持された液晶層６とを備
えている。アレイ基板１上には、ＴＦＴ３、信号配線
４、５、画素電極７、チルト制御電極８、凹み傾斜面
９、および信号線５と画素電極７とを電気的に接続した
コンタクト部１０が設けられている。また、対向基板２
上には、対向コモン電極１２が表示領域全面に亘って形
成されている。

【００２７】一方、画素電極７とチルト制御電極８とは
絶縁層１３によって絶縁されている。また、各画素電極
７の内、凹み傾斜面９上に位置した部分はエッチング処
理により除去され、電気的に完全に独立した状態を形成
している。更に、各画素電極７の下部に設けられた絶縁
層１３は、隣接する他の画素電極下部の絶縁層の周縁部
と重なって形成され、凸構造傾斜面１４を構成してい
る。

【００２８】そして、これら凹み傾斜面９、凸構造傾斜
面１４、チルト制御電極８、および画素電極７により形
成されるチルト制御電界１１によって、液晶層６の配向
分割が誘起される。

【００２９】アレイ基板１および対向基板２の液晶層６
と直接接触する界面には、それぞれ液晶分子に垂直配向
を与えるための配向膜１５、１６が形成され、全ての面
上において、液晶分子の長軸を界面に垂直な方向に向け
る配列が形成されている。特に、凹み傾斜面９および凸
構造傾斜面１４の界面での液晶分子の配向は、液晶表示
装置の法線方向から傾斜面の傾き方向に特定角度だけ傾
いた配列１７、１８をとる。

【００３０】そして、この傾斜配列１７、１８の傾き方
向が一致することにより、傾斜面９、１４に挟まれた領
域の液晶分子がチルト方向１９に倒れることでドメイン
を形成する。１つの画素内において、これらのドメイン
が複数形成されることにより、液晶分子の異方性の補償
効果が生じ、広い視野角を得ることができる。

【００３１】図２は、対向コモン電極１２、画素電極
７、およびチルト制御電極８にそれぞれ印加される信号
波形を示している。画素電極電位（Ｖsig ）２１は、フ
レーム周期（Ｔ）２２毎にコモン電極電位（Ｖcom ）２
３を中心とした交流信号電位が印加される。ここで、コ
モン電極電位２３、画素電極電位２１、およびチルト制
御電極電位（Ｖcont）２４の関係が以下の式を満たす場
合、画素電極７とチルト制御電極８とにより形成される
電界によって、凹み傾斜面９で誘起されたチルト方向が
強調される方向に液晶分子が傾き、安定した配向分割が
形成される。

【００３２】コモン電極電位 ≧ 画素電極電位＞
チルト制御電極電位あるいはコモン電極電位 ≦ 画素電極電位＜チルト制御電
極電位上記のように構成された液晶表示装置によれば、従来用
いられているＴＦＴ形成プロセスを変更することなく、
ドメイン分割による広視野角を確保することができる。
次に、本発明の実施例について説明する。実施例図３を参照しながら、実施例に係る液晶表示装置をその
製造工程に沿って説明する。まず、画素上置き構造のＴ
ＦＴ２５を構成するための各種配線、信号配線２６、２
７、およびチルト制御電極用の配線パターン３０の形成
されたガラス基板３１の画素領域上に、アクリル系感光
性樹脂を厚さ２．３μｍに成膜し、９０℃にて１２０秒
プレアニールを施す。画素電極と一対一に対応するマス
クを用いて平行露光装置により露光し、現像処理により
パターン形成を行う。２３０℃にて１時間のポストアニ
ールを行う工程によりメルト処理と硬化処理とを行い、
所定のチルト制御電極用の凹み構造３３、およびコンタ
クト部３２を有した絶縁層３４を形成する。続いて、同
様のプロセスにより、隣接する絶縁層を形成し、画素間
に位置した凸傾斜構造３６を形成する。

【００３３】その後、スパッタ装置を用いて絶縁層３４
上に厚さ１０００ÅのＩＴＯ膜を成膜する。ここで、予
め形成しておいたチルト制御電極３０の上部に位置する
画素ＩＴＯ除去部２８、および画素電極３５を形成する
ために、ＩＴＯ膜をエッチング処理する。更に、このよ
うなアレイ構造の設けられたガラス基板３１上におい
て、画素の表示領域と異なる配線上に、アクリル系感光
性樹脂を用いて高さ４μｍで直径２０μｍの柱状スペー
サを画素電極１０個に対して１個の割合で形成する。

【００３４】一方、対向する基板３７の面上に、厚さ１
０００ÅのＩＴＯ透明導電膜によりコモン電極３８を形
成する。ガラス基板３１および対向基板３７の液晶層と
直接接する界面に、それぞれ厚さ７００Åの垂直配向用
のポリイミド膜３９、４０を形成する。

【００３５】続いて、対向基板３７のシール領域にエポ
キシ系熱硬化樹脂をディスペンサーにより塗布し、シー
ル構造を形成する。それぞれの配向膜３９、４０が向か
い合う向きで対向基板３７およびガラス基板３１を貼り
合わせ、所定の荷重を付加しながら、１６０℃にて２時
間熱硬化することにより、液晶注入用のセル構造４１を
構成する。その後、通常の方法により、セル構造４１内
に負の誘電異方性を示す液晶材料を注入して、垂直配向
液晶層４２を形成する。

【００３６】図４は、上記のように構成された液晶表示
装置の対向コモン電極３８、画素電極３５、およびチル
ト制御電極３０にそれぞれ印加される信号波形を示して
いる。画素電極電位５１は、フレーム周期５３毎にコモ
ン電極電位５０を中心とした交流信号電位が印加され
る。ここで、コモン電極電位５０は＋５Ｖに設定し、画
素電極電位５１は＋１Ｖ〜＋９Ｖまでの範囲で±４Ｖに
設定し、また、チルト制御電極３０には、以下に示す式
（１）、（２）のチルト制御電極電位５２をフレーム周
期５３毎に交互に印加する。 (1) コモン電位＝＋５Ｖ、画素電位＜＋１Ｖ〜＋５Ｖ、
チルト制御電位＝−２Ｖ (2) コモン電位＝＋５Ｖ、画素電位＞＋５Ｖ〜＋９Ｖ、
チルト制御電位＝＋１２Ｖつまり、画素電極３５とチルト制御電極３０とにより形
成される電界５４により、傾斜構造で誘起されたチルト
方向５５が強調される方向に液晶分子が傾き、安定な配
向分割が形成される。この状態により、凸傾斜構造３６
によって形成されたチルト方向５７とチルト制御電極構
造とによって形成されるチルト方向５４とが一致し、安
定したドメインとしてスイッチングを示した。

【００３７】比較例比較例として、上記実施例で作成した液晶表示装置に図
５に示す信号波形を印加した。すなわち、対向コモン電
極３８、画素電極３５、およびチルト制御電極３０にそ
れぞれ図５に示す信号波形を印加した。画素電極電位５
１は、フレーム周期５３毎にコモン電極電位５０を中心
とした交流信号電位が印加される。ここで、コモン電極
電位５０は＋５Ｖに設定し、画素電極電位５１は＋１Ｖ
〜＋９Ｖまでの範囲で±４Ｖに設定し、また、チルト制
御電極３０には、以下に示す式（３）、（４）のチルト
制御電極電位５２をフレーム周期５３毎に交互に印加し
た。 (3) コモン電位＝＋５Ｖ、画素電位＜＋１Ｖ〜＋５Ｖ、
チルト制御電位＝＋１２Ｖ (4) コモン電位＝＋５Ｖ、画素電位＞＋５Ｖ〜＋９Ｖ、
チルト制御電位＝−２Ｖこの場合、画素電極３５とチルト制御電極３０とにより
形成される電界により制御されるチルト方向は、傾斜構
造によって誘起されたチルト方向とは逆の方向となり、
不安定な配向分割が形成された。

【００３８】以上のように構成された液晶表示装置によ
れば、ドメイン分割形成要素となる構造が、液晶表示装
置の一方の基板面上にのみ形成され、かつ、画素電極の
構成要素や画素電極下部の絶縁層形状などの形状効果お
よびコモン電極、画素電極、制御電極の３電極により形
成される制御電界による形状によって誘起されたチルト
方向を安定に制御することで配向分割構造を構成するこ
とにより、対向基板との合わせ精度に依存せず、高い光
透過率と広い視野角とを確保することができる。

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、一方の基板面上に形成された液晶分子のチルト方向
を制御する構造を備えているとともに、コモン電極、画
素電極、チルト制御電極の３電極間に印加する信号をコモン電極電位 ≧ 画素電極電位＞チルト制御電
極電位あるいはコモン電極電位 ≦ 画素電極電位＜チルト制御電
極電位とすることにより、安定した配向分割を示し、更に、画
素構造を有する基板側のみの制御により配向分割が可能
とすることにより、対向基板との合わせ精度に依存せ
ず、高い光透過率と広い視野角とを確保でき、更に、歩
留まりの向上に寄与する液晶表示装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示
す断面図。

【図２】上記液晶表示装置の駆動信号波形を示す図。

【図３】この発明の実施例に係る液晶表示装置を示す断
面図。

【図４】上記実施例に係る液晶表示装置の駆動信号波形
を示す図。

【図５】比較例としての駆動信号波形を示す図。

【符号の説明】

１…ガラス基板２…対向基板３、２５…ＴＦＴ４、５、２６、２７…信号配線６、４２…液晶層７、３５…画素電極８、３０…チルト制御電極９、３３…凹み傾斜面１０、３２…コンタクト部１２、３８…コモン電極１３、３４…絶縁層１４、３６…凸構造傾斜面１５、１６、３９、４０…配向膜１７、１８…傾斜によるチルト方向１９、２０…チルト方向２１、５０…画素電位２３、５１…コモン電位２４、５２…チルト制御電位

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向配置された一対の基板と、上記一対の
基板間に挟持された液晶材料と、上記一対の基板の双方
にそれぞれ形成された少なくとも１つ以上の電極と、を
備え、液晶分子の電気光学応答を制御するマルチドメイ
ン型の液晶表示装置において、一方の基板上のみに形成され、液晶分子配向のチルト方
向を制御するチルト制御部を備え、上記チルト制御部は、上記一方の基板上の画素電極の下
に設けられた絶縁層に形成された凹み形状部と、上記凹
み形状部の底面に設けられ、上記画素電極との間で電界
を形成する独立した制御電極と、を有していることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項２】上記画素電極と、上記制御電極と、上記画
素電極に対向して他方の基板に設けられたコモン電極
と、の３つの電極により形成された電界によって、上記
凹み形状部により誘起されたチルト方向を安定に制御す
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】上記画素電極の下に形成された絶縁層と隣
接する他の画素電極の下に形成された絶縁層とが所定の
幅で互いに重なり合った凸構造部、または、上記絶縁層
と上記画素電極以外の配線との積層構造によって形成さ
れた凹凸構造により、画素周辺でチルト方向を決定し配
向分割する手段を構成していることを特徴とする請求項
２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】対向配置された一対の基板と、上記一対の
基板間に挟持された液晶材料と、上記一対の基板の双方
にそれぞれ形成された少なくとも１つ以上の電極と、を
備え、液晶分子の電気光学応答を制御するマルチドメイ
ン型の液晶表示装置において、一方の基板上のみに形成され、液晶分子配向のチルト方
向を制御するチルト制御部を備え、上記一方の基板は、基板上に形成された画素電極と、画
素電極の下に形成された絶縁層と、を有し、上記チルト制御部は、上記画素電極の下に上記絶縁層を
介して形成されたチルト制御電極を有し、上記画素電極と、上記画素電極に対向して上記他方の基
板に形成されたコモン電極と、上記チルト制御電極と、
にそれぞれ印加される電位を画素電極電位Ｖsig 、コモ
ン電極電位Ｖcom 、チルト制御電極電位Ｖcontとする
と、Ｖcom ≧Ｖsig ＞Ｖcont あるいはＶcom ≦Ｖsig ＜Ｖcont の条件を満たしていることを特徴とする液晶表示装置。