JP2001077076A - ウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置及びウェハ乾燥装置 - Google Patents

ウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置及びウェハ乾燥装置

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JP2001077076A
JP2001077076A JP25149199A JP25149199A JP2001077076A JP 2001077076 A JP2001077076 A JP 2001077076A JP 25149199 A JP25149199 A JP 25149199A JP 25149199 A JP25149199 A JP 25149199A JP 2001077076 A JP2001077076 A JP 2001077076A
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Koji Washimi
孝治 鷲見
Takanori Kawanishi
孝則 川西
Tokuo Maeda
徳雄 前田
Masaru Aihara
大 粟飯原
Masao Ono
正雄 大野
Naoaki Izumitani
直昭 泉谷
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Toho Kasei Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液相のイソプロピルアルコールが空間内に落
下してしまうことがないウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装
置及びウェハ乾燥装置を提供する 【解決手段】 窒素ガス供給通路304と液相IPA供
給通路306とが形成されかつ液相IPA供給通路から
液相のIPAが入り込んだのち窒素ガスと液相のIPA
とが混合されてミスト状のIPAを噴霧させる多孔質材
料から構成される噴霧部301とを備えて、ウェハの温
度より高い温度のミスト状のIPAを噴霧させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、純水中に浸漬され
ているウェハを純水中から取り出すとき、酸素に触れさ
せることなくウェハ表面を乾燥させるウェハ乾燥装置用
ミスト噴霧装置及びウェハ乾燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、特公平6−103686号公報に
開示されるような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアと
してIPA(イソプロピルアルコール)を蒸気として、
エチッング処理液で処理されたのち純水で洗浄されてい
るウェハ処理槽内の上部空間内に供給するようにしてい
る。そして、処理槽の純水を排水することにより、処理
槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給され
たIPA蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と
置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化すること
なく、乾燥させるようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、通常、常温であるウェハの温度と同じ温
度すなわち常温のIPA蒸気を処理槽内に供給して置換
させるため、常温のIPAがウェハの表面から蒸発して
ウェハの表面が乾燥するまでの乾燥時間が長くなり、乾
燥効率が悪いといった問題があった。
【0004】そこで、本出願人の一人は、ウェハの温度
よりも高い温度でかつミスト状のIPAを乾燥室内の純
水の液面上の空間内に噴射させて、乾燥室の上記純水を
排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させる
ことにより、上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが
液面より上方に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に
付着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコ
ールにより置換され、その後、上記ウェハの表裏両面か
ら上記イソプロピルアルコールが蒸発することにより乾
燥されるようにしたものを既に出願している(特願平1
0−332545号)。
【0005】しかしながら、上記ミスト状のIPAを噴
射させるミスト噴霧装置では、窒素ガスを噴射させると
同時に液相のイソプロピルアルコールを上記ウェハの温
度より高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴
射させて、ミスト状のイソプロピルアルコールを形成し
て上記空間内に噴霧させるようにしているため、液相の
イソプロピルアルコールと窒素ガスとの混合状態によっ
てはイソプロピルアルコールが液相のまま上記空間内に
落下してしまうといった問題があった。
【0006】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、液相のイソプロピルアルコールが空
間内に落下してしまうことがないウェハ乾燥装置用ミス
ト噴霧装置及びウェハ乾燥装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【0008】本発明の第15態様によれば、純水内にウ
ェハを浸漬可能な乾燥室内の上記純水の液面上の空間内
に、窒素ガスと液相のイソプロピルアルコールとが混合
されて形成されかつ上記ウェハの温度より高い温度のミ
スト状のイソプロピルアルコールを噴霧させるミスト噴
霧装置であって、上記窒素ガスが供給される窒素ガス供
給通路と、上記液相のイソプロピルアルコールが供給さ
れる液相IPA供給通路と、上記窒素ガス供給通路と上
記液相IPA供給通路とが形成され、かつ、上記液相I
PA供給通路から上記液相のイソプロピルアルコールが
入り込んだのち上記窒素ガスと上記液相のイソプロピル
アルコールとが混合されて上記ミスト状のイソプロピル
アルコールを噴霧させる多孔質材料から構成される噴霧
部とを備えることを特徴とするウェハ乾燥装置用ミスト
噴霧装置を提供する。
【0009】本発明の第2態様によれば、上記噴霧部
は、多孔質材料から構成されかつウェハ側の噴霧面以外
の部分を被覆して流体の噴出不可とする噴霧部本体を備
え、上記噴霧部本体は、上記噴霧面の近傍に配置された
上記液相IPA供給通路と、上記液相IPA供給通路の
上記噴霧面とは反対側に配置された上記窒素ガス供給通
路とを備えて、上記窒素ガス供給通路から上記噴霧部本
体内に入り込む上記窒素ガスが、上記液相IPA供給通
路から上記噴霧部本体内に入り込んだ上記液相のイソプ
ロピルアルコールと混合されて、上記ミスト状のイソプ
ロピルアルコールを上記噴霧面から上記空間内に噴霧さ
せるようにした請求項1に記載のウェハ乾燥装置用ミス
ト噴霧装置を提供する。
【0010】本発明の第3態様によれば、上記液相IP
A供給通路は、上記噴霧部本体内に形成された供給管配
置空間内に配置されたIPA供給管内に形成され、か
つ、上記IPA供給管は、上記液相IPA供給通路から
上記液相のイソプロピルアルコールを上記噴霧部本体内
に入り込ませる噴射孔を有するようにした第2態様に記
載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置を提供する。
【0011】本発明の第4態様によれば、上記噴霧部
は、上記多孔質材料から構成されかつウェハ側の噴霧面
以外の部分を被覆して流体の噴射不可とする噴霧部本体
を備え、上記噴霧部本体は、上記窒素ガス供給通路、上
記液相IPA供給通路の順に上記噴霧面から遠ざかるよ
うに配置して、上記液相IPA供給通路から上記噴霧部
本体内に入り込んだ上記液相のイソプロピルアルコール
と、上記窒素ガス供給通路から上記噴霧部本体内に入り
込んだ上記窒素ガスとが混合されて、上記ミスト状のイ
ソプロピルアルコールを上記噴霧面から上記空間内に噴
霧させるようにした第1態様に記載のウェハ乾燥装置用
ミスト噴霧装置を提供する。
【0012】本発明の第5態様によれば、上記噴霧部
は、上記多孔質材料の大略直方体状に構成されかつウェ
ハ側の面のみが被覆されて流体の噴出不可とする一方、
両側面が噴霧面として機能する噴霧部本体を備え、上記
噴霧部本体は、上記液相IPA供給通路、上記窒素ガス
供給通路の順に上記被覆された面から遠ざかるように配
置されて、上記窒素ガス供給通路から上記噴霧部本体内
に入り込む上記窒素ガスが、上記液相IPA供給通路か
ら上記噴霧部本体内に入り込んだ上記液相のイソプロピ
ルアルコールと混合されて、上記ミスト状のイソプロピ
ルアルコールを上記噴霧面から上記空間内に噴霧させる
ようにした第1態様に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴
霧装置を提供する。
【0013】本発明の第6態様によれば、上記噴霧部
は、上記多孔質材料の大略直方体状に構成されかつウェ
ハ側の噴霧面以外の部分を被覆して流体の噴射不可とす
る噴霧部本体を備え、上記噴霧部本体は、上記液相IP
A供給通路を有するとともに、上記液相IPA供給通路
内に、上記窒素ガス供給通路を内部に有するとともに噴
射孔を有する窒素ガス供給管を配置して、上記窒素ガス
供給管内の上記窒素ガス供給通路から上記窒素ガス供給
管の上記噴射孔を通って上記液相IPA供給通路内に上
記窒素ガスが入り込み上記液相のイソプロピルアルコー
ルとが混合されて上記ミスト状のイソプロピルアルコー
ルとなり、その上記ミスト状のイソプロピルアルコール
が上記液相IPA供給通路から上記噴霧部本体内に入り
込んで上記噴霧面から上記空間内に噴霧させるようにし
た第1態様に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置を
提供する。
【0014】本発明の第7態様によれば、上記噴霧部
は、上記多孔質材料の大略直方体状に構成されかつウェ
ハ側の噴霧面以外の部分を被覆して流体の噴射不可とす
る噴霧部本体を備え、上記噴霧部本体は、一端から上記
窒素ガスが供給されるとともに他端から上記液相のイソ
プロピルアルコールが供給される1つの液相IPA兼窒
素ガス用通路を有して、上記液相IPA兼窒素ガス用通
路が上記液相IPA供給通路と上記窒素ガス供給通路と
の両方の機能を有して、上記液相IPA兼窒素ガス用通
路の上記一端から上記窒素ガスが供給されるとともに上
記他端から上記液相のイソプロピルアルコールが供給さ
れることにより、上記液相IPA兼窒素ガス用通路内で
上記窒素ガスと上記液相のイソプロピルアルコールとが
混合されて上記ミスト状のイソプロピルアルコールとな
り、その上記ミスト状のイソプロピルアルコールが上記
液相IPA兼窒素ガス用通路から上記噴霧部本体内に入
り込んで上記噴霧面から上記空間内に噴霧させるように
した第1態様に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置
を提供する。
【0015】本発明の第8態様によれば、上記噴霧部
は、上記窒素ガス供給通路を有しかつ噴射孔を有する窒
素ガス通路用の窒素ガス供給体と、上記窒素ガス供給体
の下方に配置され、上記液相IPA供給通路を有し、上
記多孔質材料から直方体状に構成され、かつウェハ側の
噴霧面以外の部分を被覆して流体の噴射不可とする液相
のIPA用通路用のIPA供給体とで構成して、上記窒
素ガス供給体の上記窒素ガス供給通路から供給された窒
素ガスが上記噴射孔から上記IPA供給体の両側面に沿
って噴射され、上記液相IPA用通路に供給された上記
液相のイソプロピルアルコールが上記IPA供給体の上
記両側面から噴出することにより、上記窒素ガスと上記
液相のイソプロピルアルコールとが混合されて上記ミス
ト状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させ
るようにした第1態様に記載のウェハ乾燥装置用ミスト
噴霧装置を提供する。
【0016】本発明の第9態様によれば、純水内にウェ
ハを浸漬可能な乾燥室と、上記乾燥室内の上記純水の液
面上の空間内に、窒素ガスと液相のイソプロピルアルコ
ールとを混合させたミスト状態のイソプロピルアルコー
ルのIPAミストを上記ウェハの温度より高い温度で噴
霧させる第1〜9のいずれかの態様に記載のミスト噴霧
装置とを備えて、上記乾燥室の上記純水を排出するか又
は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させることにより、
上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが液面より上方
に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に付着した純水
が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコールにより置
換され、その後、上記ウェハの表裏両面から上記イソプ
ロピルアルコールが蒸発することにより乾燥されるよう
にしたことを特徴とするウェハ乾燥装置を提供する。
【0017】本発明の第10態様によれば、上記乾燥室
は、上記ウェハを収容する収容部と、該収容部に供給さ
れた上記純水がオーバーフローして流れ込むオーバーフ
ロー部とを有するとともに、上記乾燥室を収容し、か
つ、上記乾燥室の上記収容部の上方に第1閉鎖空間を形
成可能とし、上記オーバーフロー部の純水が流れ込み、
かつ、上記オーバーフロー部の上記純水内に入り込み上
記第1閉鎖空間と隔離された第2閉鎖空間を形成する仕
切り壁を有する処理室とを備えるようにした第9態様に
記載のウェハ乾燥装置を提供する。
【0018】本発明の第11態様によれば、上記液相の
イソプロピルアルコールを上記ウェハの温度より少なく
とも5℃以上高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口近
傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを上
記空間内に噴霧させる第9又は10態様に記載のウェハ
乾燥装置を提供する。
【0019】本発明の第12態様によれば、上記ウェハ
は常温であり、上記ミストは大略30℃以上である第1
0又は11態様に記載のウェハ乾燥装置を提供する。
【0020】本発明の第13態様によれば、上記ミスト
状の上記イソプロピルアルコールは、上記イソプロピル
アルコール自体が単体で上記窒素ガス中を浮遊している
状態である第10から12のいずれかの態様に記載のウ
ェハ乾燥装置を提供する。
【0021】本発明の第14態様によれば、上記ウェハ
の温度より5℃から60℃高い温度で上記イソプロピル
アルコールをミスト状に噴霧させるようにした第10か
ら13のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供
する。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0023】本発明の第1実施形態にかかるウェハ乾燥
装置は、図1〜図5に示すように、公知の図示しないキ
ャリアで支持されたウェハ2,…,2を洗浄する純水4
0内にウェハ2,…,2を浸漬して洗浄後に乾燥可能な
乾燥室1と、上記乾燥室1内の上記純水40の液面上の
第1閉鎖空間4内に、窒素ガスと液相のイソプロピルア
ルコール(以下、単にIPAと記す。)とが混合された
ミスト状のIPA(IPAミスト)を、上記ウェハ2の
温度(例えば常温)より高い、好ましくは上記ウェハ2
の温度より少なくとも5℃以上高い、より好ましくは上
記ウェハ2の温度より5℃から60℃高い、温度で噴射
させるミスト噴霧装置3,3とを備えて、上記乾燥室1
の上記純水40を排出するか又は上記ウェハ2,…,2
を上記乾燥室1内で上昇させることにより、上記乾燥室
1内で上記純水40の液面から上記ウェハ2,…,2が
上方に露出するとき、ミスト噴霧装置3,3から上記各
ウェハ2の表裏両面にIPAをミスト状態、すなわち、
窒素をキャリアとするのではなく、IPA自体が単体で
窒素ガス中を浮遊している状態で噴霧させ続けて、上記
各ウェハ2の表裏両面に付着した純水40が上記ミスト
状の上記IPA(IPAミスト)により置換されるよう
にしている。通常、上記ウェハ2は常温であり、上記I
PAミストは大略30℃以上である。
【0024】上記乾燥室1は、大略矩形の箱体状のウェ
ハ収容部1bと、該収容部1bの上端の外側の周囲に形
成された矩形溝状のオーバーフロー部1aとより大略構
成されている。このオーバーフロー部1aには、乾燥室
1の収容部1b内からオーバーフローした純水が流入す
るようになっている。
【0025】また、乾燥室1は、全体が処理室の一例と
しての機能する処理シンク50内に収納されるととも
に、乾燥室1の上方の処理シンク50の上端開口は、外
部から蓋52により密閉できるように配置されている。
乾燥室1の矩形溝状のオーバーフロー部1aの中央部分
には、処理シンク50の上端においてU字状に屈曲され
た仕切り壁51の先端が入り込み、オーバーフロー部1
a内に純水があるときには、その純水内に仕切り壁51
の先端が入り込んでいることにより、乾燥室1の収容部
1bの上方でかつ処理シンク50の上部と蓋52とで閉
塞された第1閉鎖空間4と、乾燥室1の収容部1bの外
側の側方及び下方でかつ処理シンク50により閉塞され
た第2閉鎖空間29とが分離されるようになっている。
【0026】なお、オーバーフロー部1a内の純水は、
図3に示すように、定期的なメインテナンスなどのため
に、制御装置41の制御動作に基く第1エアーオペレー
トバルブ54の開動作により、処理シンク50内に排出
可能となっている。第1エアーオペレートバルブ54は
常時は閉じられている。
【0027】また、処理シンク50の仕切り壁51に
は、第1閉鎖空間4と第2閉鎖空間29との圧力バラン
スを自動調整するための第10エアーオペレートバルブ
53が設けられており、上記乾燥室1内の上記純水40
の液面上の第1閉鎖空間4の圧力が第2閉鎖空間29よ
り所定圧力を超えて高くなりすぎると、制御装置41の
制御動作に基き第10エアーオペレートバルブ53が開
動作されて、第1閉鎖空間4と第2閉鎖空間29との圧
力バランスを自動調整するようにしている。なお、第1
閉鎖空間4の圧力は、第2閉鎖空間29より陽圧、すな
わち、第2閉鎖空間29より上記所定圧力だけ常時高く
なるように保持されており、第2閉鎖空間29から第1
閉鎖空間4側への流体の移動が生じてウェハ2,…,2
が汚染されないようにしている。
【0028】また、処理シンク50の第2閉鎖空間29
内の圧力が異常に高まらないようにするため、処理シン
ク50に排出通路44を設けて、排出通路44に、第2
閉鎖空間29内の気体の排出流量を手動で調整するため
の手動弁8と、制御装置41の制御に基き排出通路44
での気体の排出又は停止を行う第2エアーオペレートバ
ルブ9とを設けている。なお、第2閉鎖空間29内に圧
力センサを配置して、圧力センサで検出された第2閉鎖
空間29内の圧力に応じて第2エアーオペレートバルブ
9を自動的に開閉することもできる。
【0029】なお、上記第1実施形態では、第2エアー
オペレートバルブ9は、制御装置41の制御により、排
出通路44の開閉動作を単に行うものとして説明した
が、手動弁8の機能をも取り込んで手動弁8を省略し、
制御装置41の制御動作により、ミスト噴霧装置3,3
から第1閉鎖空間4内に供給されるIPAミストの供給
量及び後述するように乾燥室1の収容部1bから排出通
路45を経て排出される純水の排出量に基き、排出通路
44から排出される流体の流量を適切に自動的に調整す
る流量自動調整弁として機能させるようにしてもよい。
【0030】また、図3において、乾燥室1の底部に
は、多数の供給孔を有する棒状の純水供給部55が配置
され、純水供給部55は、第3エアーオペレートバルブ
56、流量計59、手動弁60を備えた純水供給通路5
8と連結されて、純水供給通路58を通して処理シンク
50の外部から純水を乾燥室1の収容部1b内に供給す
るようにしている。第3エアーオペレートバルブ56
は、制御装置41の制御により、純水供給通路58の開
閉動作を行うものである。手動弁60は、流量計59に
より検出された純水供給通路58の純水の流量に基き、
所定流量が供給されるように手動で調整するバルブであ
る。57は手動弁であり、第3エアーオペレートバルブ
56により純水供給通路58が閉じられたときに純水を
処理シンク50内に若干量だけ流すものである。
【0031】なお、上記第1実施形態では、第3エアー
オペレートバルブ56は、制御装置41の制御により、
純水供給通路58の開閉動作を単に行うものとして説明
したが、手動弁60の機能をも取り込んで手動弁60を
省略し、制御装置41の制御動作により、流量計59に
より検出された純水供給通路58の純水の流量に基き、
所定流量が供給されるように調整する流量自動調整弁と
して機能させるようにしてもよい。
【0032】さらに、乾燥室1の底部には、純水40及
び窒素ガスなどを処理シンク50内に排出するための排
出通路45を設け、該排出通路45に、当該通路45を
制御装置41の制御に基いて開閉動作並びに流量調整動
作する第4エアーオペレートバルブ7を設けて、排出通
路45の開閉及び純水及び窒素ガスなどの排出流量を調
整するようにしている。
【0033】また、処理シンク50の底部には、純水4
0などを常時排出可能とするため、逆流防止用トラップ
61a付きの排出通路61を設けている。
【0034】一方、上記各ミスト噴霧装置3の一例とし
てのミスト噴霧部301を、図4及び図5に示す。
【0035】上記噴霧部301の多孔質のフッ素樹脂製
の直方体状の噴霧部本体302の上部には、長手方向沿
いに延びた2本の窒素ガス用通路304,304を配置
するとともに、2本の窒素ガス用通路304,304間
の中間の下方の噴霧部本体302の下部に、1本のIP
A用通路306を配置している。上記噴霧部301に
は、2本のIPA用供給管33,33と2本の窒素ガス
供給管32,32とがそれぞれ連結されて、2本のIP
A用供給管33,33から1本のIPA用通路306に
液相のIPAが供給されるとともに、2本の窒素ガス供
給管32,32それぞれから2本の窒素ガス用通路30
4,304にそれぞれ窒素ガスが供給されるようになっ
ている。そして、上記直方体状の噴霧部本体302のウ
ェハ2に対向する面すなわち下面を除く面すなわち上面
と両側面とを多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆
体303で被覆することにより、被覆体303で被覆さ
れた面から窒素ガス及びIPAが出ないようにする。I
PA用通路306は、噴霧部本体302の下部に形成さ
れた断面円形の長尺な供給管配置空間305内に配置さ
れたIPA供給管308内に形成されている。IPA供
給管308は、所定間隔毎に、言い換えれば、各ウェハ
2に大略向けて、すなわち、詳細には隣接するウェハ
2,2間の空間に向けて配置された多数の噴射孔30
7,…,307を有している。噴霧部本体302の供給
管配置空間305内に液相のIPAを直接供給するので
はなく、IPA供給管308を配置してその管308の
小さな噴射孔307,…,307を介して供給するの
は、噴射孔307,…,307から一旦噴射された液相
のIPAはIPA供給管308内に戻ることができない
結果、液相のIPAの逆流を防止することができ、より
安定して所定量の液相のIPAを供給できるためであ
る。
【0036】従って、2本の窒素ガス用通路304,3
04に窒素ガスが供給されると同時に、1本のIPA用
通路306にも液相のIPAが供給されると、2本の窒
素ガス用通路304,304から供給された窒素ガス
が、多孔質である直方体状の噴霧部本体302内に入り
込み、上記直方体状の噴霧部本体302の上面と両側面
とが多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆体303
で被覆されているため、被覆されていないウェハ2に対
向する面すなわち下面(噴霧面302a)側に導かれ、
この噴霧面302aから噴出しようとする。このとき、
IPA用通路306から供給管配置空間305を介して
噴霧部本体302内に入り込んだ液相のIPAも同様に
噴霧面302aから噴出しようとする。この結果、窒素
ガスと液相のIPAとが同時に噴出しようとして、IP
Aミストが噴霧面302aから噴霧させることができ
る。
【0037】なお、上記第1実施形態では、左右のミス
ト噴霧装置3,3のミスト噴霧部301,301のそれ
ぞれに窒素ガス及びIPA液体を供給するとき、両端部
での圧力損失をできるだけ少なくするため、一方の窒素
ガス用通路304では、各ミスト噴霧部301の一端側
から他端閉塞部に向けて窒素ガスを供給する一方、他方
の窒素ガス用通路304では、逆に、各ミスト噴霧部3
01の他端側から一端閉塞部に向けて窒素ガスを供給す
るとともに、IPA液体は各ミスト噴霧部301の一端
側と他端側にの両方から中間部に向けて供給するように
して、噴霧面302aからより均一なIPAミストを噴
霧させるようにしている。
【0038】なお、IPA用供給管33のIPA用通路
306から液相のIPAの供給を停止させれば、後述す
るように、窒素ガス供給管32の窒素ガス用通路30
4,304から窒素ガスのみを供給して、窒素ガスによ
るブロー乾燥動作などを行うこともできる。
【0039】一方、窒素ガス供給管32の窒素ガス通路
304から供給される窒素ガスは、常温より高い、好ま
しくは少なくとも5℃以上高い、より好ましくは5℃か
ら60℃高い温度で供給されるものであって、図3に示
されるように、圧力計77付きの減圧弁17、上記窒素
ガス通路304,304への窒素ガスの供給を一度に遮
断可能な手動弁18までが1つの通路であり、手動弁1
8以降は2つの通路に分岐されて、流量計19,19、
手動弁75,76、第5,6エアーオペレートバルブ2
0,21、供給する窒素ガス中のゴミなどを除去するフ
ィルタ74,74、供給する窒素ガスを所定温度まで加
熱するヒータ73,73を介して、図1の左右に配置し
たミスト噴霧装置3,3にそれぞれ供給される。第5,
6エアーオペレートバルブ20,21は、制御装置41
の制御に基きそれぞれの通路の開閉動作を行うものであ
る。手動弁75,76は、左右それぞれのミスト噴霧装
置3,3用の通路に配置され、それぞれの流量計19,
19で検出されたそれぞれの通路での窒素ガスの流量に
基づき、窒素ガスの流量をそれぞれ手動で調整すること
により、左右のミスト噴霧装置3,3から上記乾燥室1
内の上記純水40の液面上の第1閉鎖空間4内にミスト
を噴霧するとき、左右のミスト噴霧状態のバランスを調
整できるようにしている。この結果、IPAミストの温
度は、常温より高い、好ましくは少なくとも5℃以上高
い、より好ましくは5℃から60℃高い温度で噴霧され
る。
【0040】なお、上記第1実施形態では、第5,6エ
アーオペレートバルブ20,21は、制御装置41の制
御動作により、それぞれの通路の開閉動作を単に行うも
のとして説明したが、手動弁75,76の機能をも取り
込んで手動弁75,76を省略し、制御装置41の制御
動作により、流量計19,19により検出されたそれぞ
れの通路の窒素ガスの流量に基き、所定流量が供給され
るようにそれぞれ調整する流量自動調整弁として機能さ
せるようにしてもよい。
【0041】また、IPA用供給管33のIPA用通路
306から供給される液相のIPAは、以下のようにし
て供給される。すなわち、図3に示されるように、圧力
計78付きの減圧弁10、上記IPA用通路306,3
06への液相のIPAの供給を生じさせる窒素ガスを一
度に遮断可能な第7エアーオペレートバルブ11を介し
てIPA圧送タンク5内に上記とは別に窒素ガスを圧送
し、窒素ガスの圧力によりIPA圧送タンク5内のIP
Aの液体6が、上記IPA用通路306,306への液
相のIPAの供給を一度に遮断可能な手動弁13を配置
した1つの通路を経て、手動弁13以降は2つの通路に
分岐されて、流量計14,14、手動弁15,16、第
8,9エアーオペレートバルブ71,72、供給するI
PA中のゴミなどを除去するフィルタ70,70を介し
て、図1の左右に配置したミスト噴霧装置3,3にそれ
ぞれ供給される。なお、12はIPA圧送タンク用リリ
ーフ弁である。第8,9エアーオペレートバルブ71,
72は、制御装置41の制御に基きそれぞれの通路の開
閉動作を行うものである。手動弁15,16は、左右そ
れぞれのミスト噴霧装置3,3用の通路に配置され、そ
れぞれの流量計14,14で検出されたそれぞれの通路
でのIPAの液体の流量に基づき、IPAの液体の流量
をそれぞれ手動で調整することにより、左右のミスト噴
霧装置3,3から上記乾燥室1内の上記純水40の液面
上の第1閉鎖空間4内にミストを噴霧するとき、左右の
ミスト噴霧状態のバランスを調整できるようにしてい
る。
【0042】なお、上記第1実施形態では、第8,9エ
アーオペレートバルブ71,72は、制御装置41の制
御により、それぞれの通路の開閉動作を単に行うものと
して説明したが、手動弁15,16の機能をも取り込ん
で手動弁15,16を省略し、制御装置41の制御動作
により、流量計14,14により検出されたそれぞれの
通路のIPAの液体の流量に基き、所定流量が供給され
るようにそれぞれ調整する流量自動調整弁として機能さ
せるようにしてもよい。
【0043】上記第1エアーオペレートバルブ54、第
2エアーオペレートバルブ9、第3エアーオペレートバ
ルブ56、第4エアーオペレートバルブ7、第5エアー
オペレートバルブ20、第6エアーオペレートバルブ2
1、第7エアーオペレートバルブ11、第8エアーオペ
レートバルブ71、第9エアーオペレートバルブ72、
第10エアーオペレートバルブ53は、それぞれ、制御
装置41に接続されており、制御装置41の制御によ
り、所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、オー
バーフロー部1aからの純水の排出、第2閉鎖空間29
からの気体の排出、乾燥室1の収容部1bへの純水の供
給及び排出、第1閉鎖空間4への窒素ガス及びIPAの
液体のそれぞれの供給、従って、IPAミストの噴霧状
態、乾燥室1内の第1閉鎖空間4内からの排気量、純水
40の排出量、第1閉鎖空間4と第2閉鎖空間29との
圧力バランスの自動調整などを動作制御できるようにし
ている。
【0044】上記構成によれば、制御装置41の制御動
作に基き、以下のようにしてウェハの乾燥動作が行われ
る。
【0045】図6において、まず、キャリアで支持され
たウェハ2,…,2を乾燥室1の収容部1b内に配置す
る。このとき、乾燥室1の上方の第1閉鎖空間4には窒
素ガス供給管32,32の窒素ガス用通路304,30
4から窒素ガスのみを上記各ミスト噴霧装置3に供給し
て上記各ミスト噴霧装置3から窒素ガスを噴出させて窒
素ガス雰囲気に維持されているとともに、乾燥室1の収
容部1b内には純水が純水供給部55から供給され続け
ており、収容部1b内からオーバーフローした純水はオ
ーバーフロー部1aに流れ込み、さらに、オーバーフロ
ー部1aからオーバーフローした純水は処理シンク50
内に流れ落ちている。このようにして、収容部1b内に
は純水が満杯になつた状態に維持されており、このよう
な収容部1b内に、キャリアで支持されたウェハ2,
…,2を浸漬するようにする。浸漬時に収容部1b内か
らオーバーフローした純水はオーバーフロー部1aを経
て処理シンク50内に流れ込む。上記したように、純水
供給部55から純水が、ウェハ2,…,2が収容されて
いる乾燥室1の収容部1b内に供給され続けることによ
り、純水40によりウェハ2,…,2が洗浄され、洗浄
された純水は収容部1bからオーバーフロー部1aを介
して処理シンク50内に流れ落ちる。処理シンク50内
に溜まった純水は、逆流防止用トラップ61a付きの排
出通路61から常時排出される。また、このとき、オー
バーフロー部1a内の純水内に仕切り壁51の先端が入
り込んでいることから、乾燥室1の上方でかつ処理シン
ク50の上部と蓋52とで閉塞された第1閉鎖空間4
と、乾燥室1の側方及び下方で処理シンク50により閉
塞された第2閉鎖空間29とが、オーバーフロー部1a
内の純水と仕切り壁51とにより、分離独立される。な
お、このとき、排気通路44は第2エアーオペレートバ
ルブ9により閉じられている。
【0046】次いで、純水によるウェハ2,…,2の洗
浄が充分に行われたのち、図7に示すように、制御装置
41の制御に基き、乾燥室1への純水の供給が停止さ
れ、ミスト噴霧装置3,3に窒素ガスと液相のIPAと
が供給されてIPAミストがミスト噴霧装置3,3から
上記乾燥室1内の上記純水40の液面上の第1閉鎖空間
4内に噴射される。IPAミストは、例えば、1台のミ
スト噴霧装置3あたり約2〜3cc/minの噴射速度
で上記第1閉鎖空間4内に噴霧させる。IPAミストを
噴霧させる方向、すなわち、各噴霧面203aの当該面
と直交する軸方向は、若干下向きとして純水40内のウ
ェハ2に大略向かう方向(詳細には隣接するウェハ2,
2間の空間でかつウェハ2の中心に相当する位置に向か
う方向)として、純水40の液面上に均一にIPAミス
トが保持されるようにするのが好ましい。このとき、乾
燥室1の第1閉鎖空間4内の圧力が第2閉鎖空間29内
の圧力と比較して所定圧力以上に高くなったときには、
制御装置41の制御により第10エアーオペレートバル
ブ53を開いて第2閉鎖空間29内にIAPミストを排
出して、第1閉鎖空間4内の圧力を低下させて、上記所
定圧力を維持するようにする。
【0047】次いで、所定時間経過後、第1閉鎖空間4
内にIPAミストが充満したのち、制御装置41の制御
に基き、第2エアーオペレートバルブ9により排気通路
44を開き、手動弁8で調整された流量の気体が第2閉
鎖空間29から排出可能とし、かつ、図8に示すよう
に、乾燥室1の収容部1bの底部から第4エアーオペレ
ートバルブ7の開操作により排出通路45から純水が、
処理シンク50内すなわち第2閉鎖空間29内に徐々に
排出開始されて、乾燥室1内の上記純水40の液面が低
下させる。すなわち、このように上記第1閉鎖空間4の
純水40の液面付近がIPAミストで覆われた状態が保
持できるようにIPAミストを噴霧し続けている状態
で、制御装置41の制御により、第4エアーオペレート
バルブ7を開けて、純水40を乾燥室1の収容部1b内
から徐々に排出を開始する。排出速度の例としては、I
PAミストを例えば、1台のミスト噴霧装置3あたり約
2〜3cc/minの噴射速度で噴出させて噴霧させる
とき、純水40の液面が1秒間に2mm程度低下するよ
うな速度とする。
【0048】その結果、各ウェハ2の上部が純水40か
ら露出することになるが、各ウェハ表面が酸素に触れて
自然酸化することなく、上記純水40の液面に均一に噴
霧され続けているIPAミストが各ウェハ2の表裏両面
に付着した純水とすぐに置換される。また、IPAミス
トの温度は、各ウェハ2の温度すなわち常温よりも高
い、好ましくは少なくとも5℃以上高い、より好ましく
は5℃から60℃高くなっているため、迅速に乾燥す
る。その後、上記各ウェハ2の表裏両面から上記IPA
が自然に蒸発することにより、上記各ウェハ2の表裏両
面が乾燥される。
【0049】次いで、図9に示すように、上記各ウェハ
2が純水40から完全に露出して、IPAミストが各ウ
ェハ2の表裏両面に付着した純水とすぐに置換され、上
記各ウェハ2の表裏両面から上記IPAが自然に蒸発す
ることにより、上記各ウェハ2の表裏両面が完全に乾燥
される。その後、制御装置41の制御に基き、液相のI
PAのミスト噴霧装置3,3への供給のみを停止し、窒
素ガスのみをミスト噴霧装置3,3を供給して、ミスト
噴霧装置3,3から窒素ガスを各ウェハ2の表裏両面に
供給して、ブロー乾燥したのち、キャリアで支持された
ウェハ2,…,2を乾燥室1の収容部1b内から取り出
す。このとき、純水は、純水供給部55から少量だけ収
容部1b内に供給し、収容部1b内に溜まらずにすぐに
排出通路45から排出されるようにしている。このと
き、窒素ガスも純水とともに排出通路45から排出され
ることにより、ブロー乾燥において、第1閉鎖空間4内
の圧力が異常に高まるのを防止している。
【0050】その後、ウェハ2,…,2を乾燥室1の収
容部1b内から完全に取り出されたのち、次のウェハ
2,…,2の乾燥に備えて、排出通路45を閉じて純水
を収容部1b内に溜めて、収容部1b内から再びオーバ
ーフロー部1aにオーバーフローさせる。
【0051】以上の動作を繰り返すことにより、連続的
にウェハ2,…,2の乾燥を行うことができる。
【0052】従って、多数の噴射孔を形成しているミス
ト噴霧装置では所定間隔毎に形成された噴射孔からしか
ミストを噴霧することができなかったが、上記第1実施
形態によれば、ウェハ2に対向する噴霧面302aの大
略全面からミストをウェハ2に向けて均一に噴霧するこ
とができる。
【0053】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【0054】例えば、本発明の第2実施形態にかかるウ
ェハ乾燥装置のミスト噴霧装置3の第2の例としてのミ
スト噴霧部321を図10に示す。第2実施形態が第1
実施形態と異なる点は、窒素ガス用通路324を1本と
し、かつ、窒素ガス用通路324と1本のIPA用通路
326との配置を図10において上下逆にしたことであ
る。すなわち、上記噴霧部321の多孔質のフッ素樹脂
製の直方体状の噴霧部本体322の上部には長手方向沿
いに延びた1本のIPA用通路326を配置するととも
に、噴霧部本体322の下部にはIPA用通路326よ
り小径でかつ長手方向沿いに延びた1本の窒素ガス用通
路324を配置している。上記噴霧部321には、2本
のIPA用供給管33,33と2本の窒素ガス供給管3
2,32とがそれぞれ連結されて、2本のIPA用供給
管33,33から1本のIPA用通路326に液相のI
PAが供給されるとともに、2本の窒素ガス供給管3
2,32から1本の窒素ガス用通路324に窒素ガスが
供給されるようになっている。そして、上記直方体状の
噴霧部本体322のウェハ2に対向する面すなわち下面
を除く面すなわち上面と両側面とを多孔質ではない通常
のフッ素樹脂製の被覆体323で被覆することにより、
被覆体323で被覆された面から窒素ガス及びIPAが
出ないようにする。
【0055】従って、窒素ガス用通路324に窒素ガス
が供給されると同時に、IPA用通路326にも液相の
IPAが供給されると、窒素ガス用通路324から窒素
ガスが、多孔質である直方体状の噴霧部本体322内に
入り込み、上記直方体状の噴霧部本体322の上面と両
側面とが多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆体3
23で被覆されているため、被覆されていないウェハ2
に対向する面すなわち下面(噴霧面322a)側に導か
れ、この噴霧面322aから噴出しようとする。このと
き、IPA用通路326から噴霧部本体322内に入り
込んだ液相のIPAも同様に噴霧面322aから噴出し
ようとする。この結果、窒素ガスと液相のIPAとが同
時に噴出しようとして、IPAミストを噴霧面322a
から噴霧させることができる。
【0056】上記第2実施形態によれば、第1実施形態
と比較して、通路の数を少なくすることができて、より
コンパクトなものとすることができる。
【0057】また、本発明の第3実施形態にかかるウェ
ハ乾燥装置のミスト噴霧装置3の第3の例としてのミス
ト噴霧部311を図11及び図12に示す。第3実施形
態が第1実施形態と異なる点は、窒素ガス用通路314
を1本とする代わりにIPA用通路316,316を2
本配置し、かつ、窒素ガス用通路314と2本のIPA
用通路316,316との配置を図12において上下逆
にし、さらに、被覆体313の被覆位置を変更したこと
である。すなわち、上記噴霧部311の多孔質のフッ素
樹脂製の直方体状の噴霧部本体312の上部には長手方
向沿いに延びた1本の窒素ガス用通路314を配置する
とともに、噴霧部本体312の下部には窒素ガス用通路
314より小径でかつ長手方向沿いに延びた2本のIP
A用通路316,316を、窒素ガス用通路314の中
心軸に対して対称に配置している。上記噴霧部311に
は、2本のIPA用供給管33,33と2本の窒素ガス
供給管31,31とがそれぞれ連結されて、2本のIP
A用供給管33,33から2本のIPA用通路316に
液相のIPAがそれぞれ供給されるとともに、2本の窒
素ガス供給管31,31から1本の窒素ガス用通路31
4に窒素ガスが供給されるようになっている。そして、
上記直方体状の噴霧部本体312のウェハ2に対向する
面すなわち下面のみを多孔質ではない通常のフッ素樹脂
製の被覆体313で被覆することにより、被覆体313
で被覆された面から窒素ガス及びIPAが出ないように
する。
【0058】従って、窒素ガス用通路314に窒素ガス
が供給されると同時に、IPA用通路316,316に
も液相のIPAが供給されると、窒素ガス用通路314
からの供給された窒素ガスが、多孔質である直方体状の
噴霧部本体312内に入り込み、上記直方体状の噴霧部
本体312の下面が多孔質ではない通常のフッ素樹脂製
の被覆体313で被覆されているため、被覆されていな
い噴霧部本体312の両側面(噴霧面312a,312
a)側に導かれ、この噴霧面312a,312aから噴
出しようとする。このとき、IPA用通路316,31
6から噴霧部本体312内に入り込んだ液相のIPAも
同様に噴霧面312a,312aから噴出しようとす
る。この結果、窒素ガスと液相のIPAとが同時に噴出
しようとして、IPAミストを噴霧面312a,312
aから噴霧させることができる。
【0059】上記第3実施形態によれば、第1実施形態
と比較して、噴霧部本体312の下面からのみ噴霧する
のではなく、両側面である噴霧面312a,312aか
らIPAミストを噴霧させることができる。
【0060】また、本発明の第4実施形態にかかるウェ
ハ乾燥装置のミスト噴霧装置3の第4の例としてのミス
ト噴霧部331を図13及び図14に示す。第4実施形
態が第1実施形態と異なる点は、液相のIPA用通路3
36内に窒素ガス供給管338を配置したことである。
すなわち、上記噴霧部331の多孔質のフッ素樹脂製の
直方体状の噴霧部本体332の中央部には、長手方向沿
いに延びた1本の液相のIPA用通路336を形成する
とともに、該IPA用通路336の中央部に、長手方向
沿いに延びた1本の窒素ガス用通路334を内部に形成
する窒素ガス供給管338を配置している。上記噴霧部
331には、2本のIPA用供給管33,33と2本の
窒素ガス供給管32,32とがそれぞれ連結されて、2
本のIPA用供給管33,33から1本のIPA用通路
336に液相のIPAが供給されるとともに、2本の窒
素ガス供給管32,32から1本の窒素ガス用通路33
4にそれぞれ窒素ガスが供給されるようになっている。
そして、上記直方体状の噴霧部本体332のウェハ2に
対向する面すなわち下面を除く面すなわち上面と両側面
とを多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆体333
で被覆することにより、被覆体333で被覆された面か
ら窒素ガス及びIPAが出ないようにする。窒素ガス供
給管338は、所定間隔毎に、言い換えれば、各ウェハ
2に、すなわち、詳細には隣接するウェハ2,2間の空
間に対応して多数の噴射孔337,…,337を有して
いる。
【0061】従って、窒素ガス用通路334に窒素ガス
が供給されると同時に、IPA用通路336にも液相の
IPAが供給されると、窒素ガス用通路334から供給
された窒素ガスがIPA用通路336内に入り込んで液
相のIPAと混合されて上記IPAミストとなり、その
IPAミストが多孔質である直方体状の噴霧部本体33
2内に入り込み、上記直方体状の噴霧部本体332の上
面と両側面とが多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被
覆体333で被覆されているため、被覆されていないウ
ェハ2に対向する面すなわち下面(噴霧面332a)側
に導かれ、この噴霧面332aから噴出して、IPAミ
ストを噴霧面332aから噴霧させることができる。
【0062】上記第4実施形態によれば、窒素ガス用通
路334から供給された窒素ガスがIPA用通路336
内に入り込んだのち多孔質である直方体状の噴霧部本体
332内に入り込むため、窒素ガスと液相のIPAとが
混合してIPAミストを形成しやすくなり、より均一に
IPAミストを噴霧することができる。
【0063】また、本発明の第5実施形態にかかるウェ
ハ乾燥装置のミスト噴霧装置3の第5の例としてのミス
ト噴霧部341を図15及び図16に示す。第5実施形
態が第4実施形態と異なる点は、液相のIPA用通路と
窒素ガス通路とを共通の1つの通路で構成したことであ
る。すなわち、上記噴霧部341の多孔質のフッ素樹脂
製の直方体状の噴霧部本体342の中央部には、長手方
向沿いに延びた1本の液相IPA兼窒素ガス用通路34
9を形成している。上記噴霧部341には、1本のIP
A用供給管34と1本の窒素ガス供給管32とがそれぞ
れ連結されて、1本のIPA用供給管34により液相I
PA兼窒素ガス用通路349の一端側から液相のIPA
が供給されるとともに、1本の窒素ガス供給管32によ
り液相IPA兼窒素ガス用通路349の他端側から窒素
ガスが供給されるようになっている。そして、上記直方
体状の噴霧部本体342のウェハ2に対向する面すなわ
ち下面(噴霧面342a)を除く面すなわち上面と両側
面とを多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆体34
3で被覆することにより、被覆体343で被覆された面
から窒素ガス及びIPAが出ないようにする。
【0064】従って、液相IPA兼窒素ガス用通路34
9の一端に液相のIPAが供給されると同時に液相IP
A兼窒素ガス用通路349の他端に窒素ガスが供給され
ると、液相IPA兼窒素ガス用通路349に供給された
液相のIPAと窒素ガスとが液相IPA兼窒素ガス用通
路349内で混合されてIPAミストが形成され、その
IPAミストが多孔質である直方体状の噴霧部本体34
2内に入り込み、上記直方体状の噴霧部本体342の上
面と両側面とが多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被
覆体343で被覆されているため、被覆されていないウ
ェハ2に対向する面すなわち下面(噴霧面342a)側
に導かれ、この噴霧面342aからIPAミストを噴霧
させることができる。
【0065】上記第5実施形態によれば、液相IPA兼
窒素ガス用通路349に供給された液相IPAと窒素ガ
スとが液相IPA兼窒素ガス用通路349内で混合され
て多孔質である直方体状の噴霧部本体342内に入り込
むため、窒素ガスと液相のIPAとによりIPAミスト
を形成しやすくなり、より均一にIPAミストを噴霧す
ることができる。
【0066】また、本発明の第6実施形態にかかるウェ
ハ乾燥装置のミスト噴霧装置3の第6の例としてのミス
ト噴霧部351を図17及び図18に示す。第6実施形
態が他の実施形態と異なる点は、上記噴霧部351を、
窒素ガス通路用の窒素ガス供給体353と、窒素ガス供
給体353の下方に配置した液相のIPA用通路用のI
PA供給体352との2つで構成したことである。すな
わち、IPA供給体352は多孔質のフッ素樹脂製の直
方体状に形成され、その中央部には、長手方向沿いに延
びた1本の液相IPA用通路356を形成している。I
PA供給体352には1本のIPA用供給管34が連結
されて、IPA用供給管34により液相IPA用通路3
56の一端側から他端閉塞部に向けて液相のIPAが供
給される。また、窒素ガス供給体353は、多孔質では
ないフッ素樹脂製の直方体状に形成され、その中央部に
は、窒素ガス通路354を長手方向に延在させ、窒素ガ
ス供給体353の下面でかつIPA供給体352の両側
面に対応する位置にそれぞれ多数の噴射孔354a,
…,354aの列を配置し、噴射孔354a,…,35
4aと上記窒素ガス通路354とを連結する屈曲したL
字状の屈曲通路354b,…,354bを形成してい
る。上記窒素ガス供給体353には1本の窒素ガス供給
管32が連結されて、窒素ガス供給管32により窒素ガ
ス用通路354の他端側から一端閉塞部に向けて窒素ガ
スが供給されるようになっている。
【0067】従って、窒素ガス用通路354に窒素ガス
が供給されると同時に液相IPA用通路356に液相の
IPAが供給されると、窒素ガス用通路354に供給さ
れた窒素ガスが、屈曲通路354b,…,354bを介
して噴射孔354a,…,354aから図18において
下向きに、すなわち、IPA供給体352の両側面に沿
って噴射される。すると、液相IPA用通路356に供
給された液相のIPAがIPA供給体352の両側面か
ら噴出することにより、窒素ガスと液相のIPAとが混
合されてIPAミストを形成して、IPAミストを噴霧
させることができる。
【0068】なお、各実施形態において、上記乾燥室1
から上記純水40を排出させる代わりに、上記ウェハ2
を上記乾燥室1内で上昇させて、上記乾燥室1内で上記
純水40から上記ウェハ2が液面より上方に露出するよ
うにしてもよい。
【0069】
【発明の効果】本発明によれば、液相のイソプロピルア
ルコールが多孔質材料から構成される噴霧部に入り込ん
だのちに窒素ガスと混合されて上記ミスト状のイソプロ
ピルアルコールを噴霧させるようにしたので、液相のイ
ソプロピルアルコールが液相のまま噴出することがなく
なる。
【0070】また、多孔質材料から構成される噴霧部か
ら液相のイソプロピルアルコールが噴出して窒素ガスと
混合されて上記ミスト状のイソプロピルアルコールとな
って噴霧されるため、噴射孔から噴射される場合と比較
して、上記ミスト状のイソプロピルアルコールをより均
一に噴霧させることができる。
【0071】すなわち、上記窒素ガス供給通路から上記
噴霧部本体内に入り込む上記窒素ガスが、上記液相IP
A供給通路から上記噴霧部本体内に入り込んだ上記液相
のイソプロピルアルコールと混合されて、上記ミスト状
のイソプロピルアルコールを上記噴霧面から上記空間内
に噴霧させるようにしたので、多数の噴射孔を形成して
いるミスト噴霧装置では所定間隔毎に形成された噴射孔
からしかミストを噴霧することができなかったが、ウェ
ハに対向する噴霧面の例えば大略全面からミストをウェ
ハに向けて均一に噴霧することができる。
【0072】また、窒素ガス用通路から供給された窒素
ガスがIPA用通路内に入り込んだのち多孔質である直
方体状の噴霧部本体内に入り込むため、窒素ガスと液相
のIPAとが混合してIPAミストを形成しやすくな
り、より均一にIPAミストを噴霧することができる。
【0073】また、液相IPA兼窒素ガス用通路に供給
された液相IPAと窒素ガスとが液相IPA兼窒素ガス
用通路内で混合されて多孔質である直方体状の噴霧部本
体内に入り込むため、窒素ガスと液相のIPAとにより
IPAミストを形成しやすくなり、より均一にIPAミ
ストを噴霧することができる。
【0074】また、ウェハが浸漬された純水の液面上に
IPAのミスト、すなわち、窒素をキャリアとするので
はなく、IPA自体が単体で窒素ガス中を浮遊している
状態が常時保持されるようにしているので、ウェハの上
部が純水から露出することになるが、ウェハ表面が酸素
に触れて自然酸化することなく、上記純水の液面に均一
に供給されているIPAのミストがウェハの表裏両面に
付着した純水とすぐに置換される。また、IPAのミス
トの温度は、ウェハの温度すなわち常温よりも高い、好
ましくは少なくとも5℃以上高い、より好ましくは5℃
から60℃高くなっているため、IPAがウェハの表裏
両面に凝着しやすくなり、ウェハの表裏両面に付着した
純水とすぐに置換されやすくなる上に、ウェハの表裏両
面が迅速に乾燥する。
【0075】よって、常温のウェハの表面の純水と常温
のIPAとを置換させたのち、常温のIPAを乾燥させ
る従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高
めることができる。また、ミスト状態で純水の液面に噴
霧させるため、IPAを蒸気で供給する従来の場合と比
較して、IPAの消費量を大幅に減少させることができ
る。また、IPAを蒸気で供給する場合には蒸気状態を
保持するため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要が
あるが、本発明の上記ウェハ乾燥装置によれば、単に例
えば常温の液相のIPAをミスト噴霧装置にそれぞれに
供給すればよいので、配管を断熱材で覆う必要はなく、
装置が簡単なものとなる。また、IPAを蒸気化すると
きには加熱するためのエネルギーが必要であるが、本発
明では、窒素ガスとIPAとを噴射させるだけのエネル
ギーがあれば十分であり、安価でかつ簡単な装置構成で
もってIPAのミストを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の一部断面の概略平明図である。
【図2】 図1のウェハ乾燥装置の一部断面の概略側面
図である。
【図3】 図1のウェハ乾燥装置において各流体の供給
方法を含めたウェハ乾燥装置の概略図である。
【図4】 上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置の平面
図である。
【図5】 図4の上記ミスト噴霧装置の断面正面図であ
る。
【図6】 図1のウェハ乾燥装置のオーバーフローリン
ス状態での概略図である。
【図7】 図1のウェハ乾燥装置のIPA及び窒素ガス
供給状態での概略図である。
【図8】 図1のウェハ乾燥装置の排水及び窒素ガスブ
ロー状態での概略図である。
【図9】 図1のウェハ乾燥装置の蓋開及びウェハ取り
出し状態での概略図である。
【図10】 本発明の第2実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の断面正面図である。
【図11】 本発明の第3実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の平面図である。
【図12】 図11の上記ミスト噴霧装置の断面正面図
である。
【図13】 本発明の第4実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の平面図である。
【図14】 図13の上記ミスト噴霧装置の断面正面図
である。
【図15】 本発明の第5実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の平面図である。
【図16】 図15の上記ミスト噴霧装置の断面正面図
である。
【図17】 本発明の第6実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の底面図である。
【図18】 図17の上記ミスト噴霧装置の断面正面図
である。
【符号の説明】
1…乾燥室、1a…オーバーフロー部、2…ウェハ、3
…ミスト噴霧装置、4…第1閉鎖空間、5…IPA圧送
タンク、6…液体、7…第4エアーオペレートバルブ、
8…手動弁、9…第2エアーオペレートバルブ、10…
減圧弁、11…第7エアーオペレートバルブ、12…I
PA圧送タンク用リリーフ弁、13…手動弁、14…流
量計、15,16…手動弁、17…減圧弁、18…手動
弁、19…流量計、20,21…第5,6エアーオペレ
ートバルブ、23…ミスト噴霧装置、23a…窒素ガス
用通路、23c…IPA用通路、23e…噴出面、24
…多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体、29…第2
閉鎖空間、32…窒素ガス供給管、33…IPA用供給
管、40…純水、41…制御装置、44…排出通路、4
5…排出通路、50…処理シンク、51…仕切り壁、5
2…蓋、53…第10エアーオペレートバルブ、54…
第1エアーオペレートバルブ、55…純水供給部、56
…第3エアーオペレートバルブ、57…手動弁、58…
純水供給通路、59…流量計、60…手動弁、61…排
出通路、61a…トラップ、70…フィルタ、71…第
8エアーオペレートバルブ、72…第9エアーオペレー
トバルブ、73…ヒータ、74…フィルタ、75,76
…手動弁、77,78…圧力計、93c…IPA用供給
通路、93d…噴射孔、103…第2のIPAミスト噴
霧部、103c…窒素ガス兼IPA用通路、103g…
貫通孔、131…第1のIPA噴霧部、135…供給管
配置部、136…IPAミスト供給管、140…噴霧本
体、236…窒素ガス兼IPA用供給管、301,31
1,321,331,341,351…ミスト噴霧部、
302,312,322,332,342…噴霧部本
体、302a,312a,322a,332a,342
a…噴霧面、303.313,323,333,343
…被覆体、304,314,324,334,354…
窒素ガス用通路、305…供給管配置空間、306,3
16,326,336,356…IPA用通路、30
7,337…噴射孔、308…IPA供給管、338…
窒素ガス供給管、349…液相IPA兼窒素ガス用通
路、352…IPA供給体、353…窒素ガス供給体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川西 孝則 奈良県大和郡山市今国府町6番2号 東邦 化成株式会社内 (72)発明者 前田 徳雄 奈良県大和郡山市今国府町6番2号 東邦 化成株式会社内 (72)発明者 粟飯原 大 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 大野 正雄 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 泉谷 直昭 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB01 BB04 BB13 BB82 BB93 CB01 CC11 CC12 3L113 AA01 AB02 AC08 AC28 AC45 AC46 AC48 AC67 AC75 AC83 AC90 BA34 CA10 CA11 DA06 DA10 DA11 DA13 4F033 QB02Y QB03X QB13Y QB17 QC07 QD02 QD24 QF15X

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 純水(40)内にウェハ(2)を浸漬可
    能な乾燥室(1)内の上記純水の液面上の空間(4)内
    に、窒素ガスと液相のイソプロピルアルコールとが混合
    されて形成されかつ上記ウェハの温度より高い温度のミ
    スト状のイソプロピルアルコールを噴霧させるミスト噴
    霧装置(3)であって、 上記窒素ガスが供給される窒素ガス供給通路(304,
    314,324,334,354)と、 上記液相のイソプロピルアルコールが供給される液相I
    PA供給通路(306,316,326,336,35
    6)と、 上記窒素ガス供給通路と上記液相IPA供給通路とが形
    成され、かつ、上記液相IPA供給通路から上記液相の
    イソプロピルアルコールが入り込んだのち上記窒素ガス
    と上記液相のイソプロピルアルコールとが混合されて上
    記ミスト状のイソプロピルアルコールを噴霧させる多孔
    質材料から構成される噴霧部(301,311,32
    1,331,341,351)とを備えることを特徴と
    するウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置。
  2. 【請求項2】 上記噴霧部(301)は、多孔質材料か
    ら構成されかつウェハ側の噴霧面(302a)以外の部
    分を被覆して流体の噴出不可とする噴霧部本体(30
    2)を備え、 上記噴霧部本体は、上記噴霧面の近傍に配置された上記
    液相IPA供給通路(306)と、上記液相IPA供給
    通路の上記噴霧面とは反対側に配置された上記窒素ガス
    供給通路(304)とを備えて、上記窒素ガス供給通路
    から上記噴霧部本体内に入り込む上記窒素ガスが、上記
    液相IPA供給通路から上記噴霧部本体内に入り込んだ
    上記液相のイソプロピルアルコールと混合されて、上記
    ミスト状のイソプロピルアルコールを上記噴霧面から上
    記空間内に噴霧させるようにした請求項1に記載のウェ
    ハ乾燥装置用ミスト噴霧装置。
  3. 【請求項3】 上記液相IPA供給通路は、上記噴霧部
    本体内に形成された供給管配置空間(305)内に配置
    されたIPA供給管(308)内に形成され、かつ、上
    記IPA供給管は、上記液相IPA供給通路から上記液
    相のイソプロピルアルコールを上記噴霧部本体内に入り
    込ませる噴射孔(307)を有するようにした請求項2
    に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置。
  4. 【請求項4】 上記噴霧部(321)は、上記多孔質材
    料から構成されかつウェハ側の噴霧面(322a)以外
    の部分を被覆して流体の噴射不可とする噴霧部本体(3
    22)を備え、上記噴霧部本体は、上記窒素ガス供給通
    路(324)、上記液相IPA供給通路(326)の順
    に上記噴霧面から遠ざかるように配置して、上記液相I
    PA供給通路から上記噴霧部本体内に入り込んだ上記液
    相のイソプロピルアルコールと、上記窒素ガス供給通路
    から上記噴霧部本体内に入り込んだ上記窒素ガスとが混
    合されて、上記ミスト状のイソプロピルアルコールを上
    記噴霧面から上記空間内に噴霧させるようにした請求項
    1に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置。
  5. 【請求項5】 上記噴霧部(311)は、上記多孔質材
    料の大略直方体状に構成されかつウェハ側の面のみが被
    覆されて流体の噴出不可とする一方、両側面が噴霧面
    (312a)として機能する噴霧部本体(312)を備
    え、 上記噴霧部本体は、上記液相IPA供給通路(31
    6)、上記窒素ガス供給通路(314)の順に上記被覆
    された面から遠ざかるように配置されて、上記窒素ガス
    供給通路から上記噴霧部本体内に入り込む上記窒素ガス
    が、上記液相IPA供給通路から上記噴霧部本体内に入
    り込んだ上記液相のイソプロピルアルコールと混合され
    て、上記ミスト状のイソプロピルアルコールを上記噴霧
    面から上記空間内に噴霧させるようにした請求項1に記
    載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置。
  6. 【請求項6】 上記噴霧部(331)は、上記多孔質材
    料の大略直方体状に構成されかつウェハ側の噴霧面(3
    32a)以外の部分を被覆して流体の噴射不可とする噴
    霧部本体(332)を備え、 上記噴霧部本体は、上記液相IPA供給通路(336)
    を有するとともに、上記液相IPA供給通路内に、上記
    窒素ガス供給通路(334)を内部に有するとともに噴
    射孔(337)を有する窒素ガス供給管(338)を配
    置して、上記窒素ガス供給管内の上記窒素ガス供給通路
    から上記窒素ガス供給管の上記噴射孔を通って上記液相
    IPA供給通路内に上記窒素ガスが入り込み上記液相の
    イソプロピルアルコールとが混合されて上記ミスト状の
    イソプロピルアルコールとなり、その上記ミスト状のイ
    ソプロピルアルコールが上記液相IPA供給通路から上
    記噴霧部本体内に入り込んで上記噴霧面から上記空間内
    に噴霧させるようにした請求項1に記載のウェハ乾燥装
    置用ミスト噴霧装置。
  7. 【請求項7】 上記噴霧部(341)は、上記多孔質材
    料の大略直方体状に構成されかつウェハ側の噴霧面(3
    42a)以外の部分を被覆して流体の噴射不可とする噴
    霧部本体(342)を備え、 上記噴霧部本体は、一端から上記窒素ガスが供給される
    とともに他端から上記液相のイソプロピルアルコールが
    供給される1つの液相IPA兼窒素ガス用通路(34
    9)を有して、上記液相IPA兼窒素ガス用通路が上記
    液相IPA供給通路と上記窒素ガス供給通路との両方の
    機能を有して、上記液相IPA兼窒素ガス用通路の上記
    一端から上記窒素ガスが供給されるとともに上記他端か
    ら上記液相のイソプロピルアルコールが供給されること
    により、上記液相IPA兼窒素ガス用通路内で上記窒素
    ガスと上記液相のイソプロピルアルコールとが混合され
    て上記ミスト状のイソプロピルアルコールとなり、その
    上記ミスト状のイソプロピルアルコールが上記液相IP
    A兼窒素ガス用通路から上記噴霧部本体内に入り込んで
    上記噴霧面から上記空間内に噴霧させるようにした請求
    項1に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置。
  8. 【請求項8】 上記噴霧部(351)は、上記窒素ガス
    供給通路(354)を有しかつ噴射孔(354a)を有
    する窒素ガス通路用の窒素ガス供給体(353)と、上
    記窒素ガス供給体の下方に配置され、上記液相IPA供
    給通路(356)を有し、上記多孔質材料から直方体状
    に構成され、かつウェハ側の噴霧面(352a)以外の
    部分を被覆して流体の噴射不可とする液相のIPA用通
    路用のIPA供給体(352)とで構成して、上記窒素
    ガス供給体の上記窒素ガス供給通路から供給された窒素
    ガスが上記噴射孔から上記IPA供給体の両側面に沿っ
    て噴射され、上記液相IPA用通路に供給された上記液
    相のイソプロピルアルコールが上記IPA供給体の上記
    両側面から噴出することにより、上記窒素ガスと上記液
    相のイソプロピルアルコールとが混合されて上記ミスト
    状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる
    ようにした請求項1に記載のウェハ乾燥装置用ミスト噴
    霧装置。
  9. 【請求項9】 純水(40)内にウェハ(2)を浸漬可
    能な乾燥室(1)と、 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間(4)内に、窒
    素ガスと液相のイソプロピルアルコールとを混合させた
    ミスト状態のイソプロピルアルコールのIPAミストを
    上記ウェハの温度より高い温度で噴霧させる請求項1〜
    9のいずれかに記載のミスト噴霧装置(3)とを備え
    て、 上記乾燥室の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上
    記乾燥室内で上昇させることにより、上記乾燥室内で上
    記純水から上記ウェハが液面より上方に露出するとき、
    上記ウェハの表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の
    上記イソプロピルアルコールにより置換され、その後、
    上記ウェハの表裏両面から上記イソプロピルアルコール
    が蒸発することにより乾燥されるようにしたことを特徴
    とするウェハ乾燥装置。
  10. 【請求項10】 上記乾燥室は、上記ウェハを収容する
    収容部(1b)と、該収容部に供給された上記純水がオ
    ーバーフローして流れ込むオーバーフロー部(1a)と
    を有するとともに、 上記乾燥室を収容し、かつ、上記乾燥室の上記収容部の
    上方に第1閉鎖空間(4)を形成可能とし、上記オーバ
    ーフロー部の純水が流れ込み、かつ、上記オーバーフロ
    ー部の上記純水内に入り込み上記第1閉鎖空間と隔離さ
    れた第2閉鎖空間(29)を形成する仕切り壁(51)
    を有する処理室(50)とを備えるようにした請求項9
    に記載のウェハ乾燥装置。
  11. 【請求項11】 上記液相のイソプロピルアルコールを
    上記ウェハの温度より少なくとも5℃以上高い温度でか
    つ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト状の
    イソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる請求
    項9又は10に記載のウェハ乾燥装置。
  12. 【請求項12】 上記ウェハは常温であり、上記ミスト
    は大略30℃以上である請求項10又は11に記載のウ
    ェハ乾燥装置。
  13. 【請求項13】 上記ミスト状の上記イソプロピルアル
    コールは、上記イソプロピルアルコール自体が単体で上
    記窒素ガス中を浮遊している状態である請求項10から
    12のいずれかに記載のウェハ乾燥装置。
  14. 【請求項14】 上記ウェハの温度より5℃から60℃
    高い温度で上記イソプロピルアルコールをミスト状に噴
    霧させるようにした請求項10から13のいずれかに記
    載のウェハ乾燥装置。
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