JP2001073153A - 防腐された無電解めっき液及び無電解めっき液防腐方法 - Google Patents
防腐された無電解めっき液及び無電解めっき液防腐方法Info
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- JP2001073153A JP2001073153A JP25014599A JP25014599A JP2001073153A JP 2001073153 A JP2001073153 A JP 2001073153A JP 25014599 A JP25014599 A JP 25014599A JP 25014599 A JP25014599 A JP 25014599A JP 2001073153 A JP2001073153 A JP 2001073153A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単且つ工業的に優れたかびの発生しない
無電解めっき液又は無電解めっき老化液およびその防腐
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の防腐された無電解めっき液は、
主として金属塩、錯化剤、還元剤からなる無電解めっき
液又は無電解めっき老化液に防腐剤として、界面活性剤
系防腐剤を配合することを特徴とするものである。
無電解めっき液又は無電解めっき老化液およびその防腐
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の防腐された無電解めっき液は、
主として金属塩、錯化剤、還元剤からなる無電解めっき
液又は無電解めっき老化液に防腐剤として、界面活性剤
系防腐剤を配合することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、防腐された無電解
めっき液及び無電解めっき液防腐方法に関し、更には防
腐液として界面活性剤系防腐剤を配合することに関する
ものである。
めっき液及び無電解めっき液防腐方法に関し、更には防
腐液として界面活性剤系防腐剤を配合することに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】無電解めっき技術は、装飾めっき物品の
製造に汎用されてきたが、近時、磁器ディスクや磁器テ
ープのような機能性電子部品の製造においても無電解法
によるニッケル−コバルトめっきが適用されており、そ
の応用は極めて拡大している。その理由として、無電解
ニッケルめっき特有の還元成分や種々添加物の被膜への
取り込みによる合金化、複合化など多種・多様な特性が
付与できるため、材料開発の立場から応用面での水平展
開が計られたことによる。また、自動管理装置を含めた
システム化などハード面の充実化などランニングコスト
も安価になったことなども需要の拡大に大きく貢献して
いる。無電解ニッケルめっきは、例えばブレーキシリン
ダー、エアコン用コンプレッサー部品、ＡＴ変速機部
品、歯科用ドリル刃、工具用ヤスリ、ＩＣヘッダー、リ
ードフレーム、独立回路基板、ＰＧＡ、ＯＡ機器、ハー
メチックシール、抵抗素子、セラミックス圧電素子電
極、ギアーリードフレーム、コネクターなど様々な分野
に応用されている。
製造に汎用されてきたが、近時、磁器ディスクや磁器テ
ープのような機能性電子部品の製造においても無電解法
によるニッケル−コバルトめっきが適用されており、そ
の応用は極めて拡大している。その理由として、無電解
ニッケルめっき特有の還元成分や種々添加物の被膜への
取り込みによる合金化、複合化など多種・多様な特性が
付与できるため、材料開発の立場から応用面での水平展
開が計られたことによる。また、自動管理装置を含めた
システム化などハード面の充実化などランニングコスト
も安価になったことなども需要の拡大に大きく貢献して
いる。無電解ニッケルめっきは、例えばブレーキシリン
ダー、エアコン用コンプレッサー部品、ＡＴ変速機部
品、歯科用ドリル刃、工具用ヤスリ、ＩＣヘッダー、リ
ードフレーム、独立回路基板、ＰＧＡ、ＯＡ機器、ハー
メチックシール、抵抗素子、セラミックス圧電素子電
極、ギアーリードフレーム、コネクターなど様々な分野
に応用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
操業するに際し、長期間無電解めっき液を使用している
と、めっき液中にかびの発生が頻繁に生じる。また、無
電解めっき液として使用することができなくなっためっ
き老化液も同様に長期保存中にかびの発生が頻繁に起こ
っている。これは、錯化剤として、クエン酸、リンゴ
酸、グリシンなどのかびの栄養素となる物質が用いられ
ているためである。
操業するに際し、長期間無電解めっき液を使用している
と、めっき液中にかびの発生が頻繁に生じる。また、無
電解めっき液として使用することができなくなっためっ
き老化液も同様に長期保存中にかびの発生が頻繁に起こ
っている。これは、錯化剤として、クエン酸、リンゴ
酸、グリシンなどのかびの栄養素となる物質が用いられ
ているためである。
【０００４】無電解めっき液及び無電解めっき老化液中
にかびが生じた場合、製品への付着による外観不良、め
っき未着等の問題、あるいは配管中の詰まりを生じさせ
る等の問題を生じる。この問題を解決する方法として、
めっき液の温度に常時保持する方法、めっき液を常時精
密濾過する方法、銅を添加する方法（特開平７−１７３
６４０号公報）などが提案されている。
にかびが生じた場合、製品への付着による外観不良、め
っき未着等の問題、あるいは配管中の詰まりを生じさせ
る等の問題を生じる。この問題を解決する方法として、
めっき液の温度に常時保持する方法、めっき液を常時精
密濾過する方法、銅を添加する方法（特開平７−１７３
６４０号公報）などが提案されている。
【０００５】また、無電解めっき液をかびの発生できな
い高温に常時保持することによって確かにかびの発生は
抑制されるが、無電解めっき液を高温に保持することに
よって水分の蒸発、還元剤等の消耗等により組成が変化
したり、無電解めっき液の自己分解の危険性が高くな
る。
い高温に常時保持することによって確かにかびの発生は
抑制されるが、無電解めっき液を高温に保持することに
よって水分の蒸発、還元剤等の消耗等により組成が変化
したり、無電解めっき液の自己分解の危険性が高くな
る。
【０００６】本発明者らは、上記問題に鑑み鋭意検討し
た結果、無電解めっき液又は無電解めっき老化液中に防
腐能を有する第四級アンモニウム塩又はホスホニウム塩
を添加しためっき液は、カビや藻などの発生を防ぐこと
を見出し、本発明を完成させた。
た結果、無電解めっき液又は無電解めっき老化液中に防
腐能を有する第四級アンモニウム塩又はホスホニウム塩
を添加しためっき液は、カビや藻などの発生を防ぐこと
を見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、主とし
て金属塩、錯化剤、還元剤からなる無電解めっき液又は
無電解めっき老化液に防腐剤として、界面活性剤系防腐
剤を配合することを特徴とする防腐された無電解めっき
液に係わるものである。
て金属塩、錯化剤、還元剤からなる無電解めっき液又は
無電解めっき老化液に防腐剤として、界面活性剤系防腐
剤を配合することを特徴とする防腐された無電解めっき
液に係わるものである。
【０００８】また、界面活性剤系防腐剤は、アンモニウ
ム化合物又はホスホニウム化合物から選ばれる1種又は2
種以上である前記記載の防腐された無電解めっき液に係
わるものである。
ム化合物又はホスホニウム化合物から選ばれる1種又は2
種以上である前記記載の防腐された無電解めっき液に係
わるものである。
【０００９】また、無電解めっき液又は無電解めっき老
化液に防腐能を有する界面活性剤系防腐剤を添加するこ
とにより、無電解めっき液又は無電解めっき老化液を防
腐することを特徴とする無電解めっき液防腐方法に係わ
るものである。
化液に防腐能を有する界面活性剤系防腐剤を添加するこ
とにより、無電解めっき液又は無電解めっき老化液を防
腐することを特徴とする無電解めっき液防腐方法に係わ
るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の処理対象とする無電解めっき液は、公知であ
り、通常工業的に使用される無電解めっき液であれば特
に制限されるものではなく、例えば金属塩、還元剤、錯
化剤、ｐＨ調整剤の各薬剤の所望の配合割合により組成
される水溶液である。
本発明の処理対象とする無電解めっき液は、公知であ
り、通常工業的に使用される無電解めっき液であれば特
に制限されるものではなく、例えば金属塩、還元剤、錯
化剤、ｐＨ調整剤の各薬剤の所望の配合割合により組成
される水溶液である。
【００１１】金属塩としては、ニッケル、銅、コバル
ト、亜鉛、鉄、マンガンなどの金塩等である。好ましく
は、ニッケル塩である。係るニッケル塩としては硫酸ニ
ッケル、塩化ニッケル等が挙げられる。還元剤として
は、次亜リン酸アルカリ、水素化硼素アルカリ、ヒドラ
ジン等が挙げられる。ｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等のアルカリ剤あるいは硫酸、塩酸
等の如き酸性化剤である。
ト、亜鉛、鉄、マンガンなどの金塩等である。好ましく
は、ニッケル塩である。係るニッケル塩としては硫酸ニ
ッケル、塩化ニッケル等が挙げられる。還元剤として
は、次亜リン酸アルカリ、水素化硼素アルカリ、ヒドラ
ジン等が挙げられる。ｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等のアルカリ剤あるいは硫酸、塩酸
等の如き酸性化剤である。
【００１２】錯化剤は、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、
乳酸、グルコン酸またはそのアルカリ金属塩やアンモニ
ウム塩等のカルボン酸（塩）、グリシン等のアミン酸、
エチレンジアミン、アルキルアミン等のアミン酸、エチ
レンジアミン、アルキルアミン等のアミノ酸、その他の
アンモニウム、ＥＤＴＡ、ピロリン酸（塩）等が挙げら
れる。
乳酸、グルコン酸またはそのアルカリ金属塩やアンモニ
ウム塩等のカルボン酸（塩）、グリシン等のアミン酸、
エチレンジアミン、アルキルアミン等のアミン酸、エチ
レンジアミン、アルキルアミン等のアミノ酸、その他の
アンモニウム、ＥＤＴＡ、ピロリン酸（塩）等が挙げら
れる。
【００１３】上記の組成は、その目的とする用途により
変化し、特には限定することはできないが、例えば 金
属塩としてニッケル塩、還元剤として次亜リン酸アルカ
リを用いた場合は，Ｎｉ2+が４〜７ｇ／Ｌ、Ｈ2ＰＯ2
2- が１２〜３０ｇ／Ｌ、ＳＯ 4 2- が６〜１２ｇ／Ｌ、
錯化剤が１５〜３０ｇ／Ｌ、Ｎａ+ ４〜１０ｇ／Ｌの範
囲にあり、めっき液の水素イオン濃度は通常ｐＨ４．５
〜５．５程度である。しかし、本発明の処理対象とする
無電解めっき液は、前記組成のものに限定されるもので
はない。
変化し、特には限定することはできないが、例えば 金
属塩としてニッケル塩、還元剤として次亜リン酸アルカ
リを用いた場合は，Ｎｉ2+が４〜７ｇ／Ｌ、Ｈ2ＰＯ2
2- が１２〜３０ｇ／Ｌ、ＳＯ 4 2- が６〜１２ｇ／Ｌ、
錯化剤が１５〜３０ｇ／Ｌ、Ｎａ+ ４〜１０ｇ／Ｌの範
囲にあり、めっき液の水素イオン濃度は通常ｐＨ４．５
〜５．５程度である。しかし、本発明の処理対象とする
無電解めっき液は、前記組成のものに限定されるもので
はない。
【００１４】また、無電解めっき老化液は、上記の無電
解めっき液の廃液である。ここで言うめっき老化液と
は、建浴しためっき液で無電解めっきをする際、還元剤
として次亜リン酸ナトリウムを用いた場合、次亜リン酸
ナトリウムが酸化され、次第に亜リン酸ナトリウムの生
成に伴い、めっき機能が減退し、新たにめっき液を補充
して、例えばＮｉ2+が相当量含有しているにも拘わらず
建浴における再めっき機能が発現しない廃棄対象の浴液
を言う。
解めっき液の廃液である。ここで言うめっき老化液と
は、建浴しためっき液で無電解めっきをする際、還元剤
として次亜リン酸ナトリウムを用いた場合、次亜リン酸
ナトリウムが酸化され、次第に亜リン酸ナトリウムの生
成に伴い、めっき機能が減退し、新たにめっき液を補充
して、例えばＮｉ2+が相当量含有しているにも拘わらず
建浴における再めっき機能が発現しない廃棄対象の浴液
を言う。
【００１５】係る無電解めっき老化液の組成は建浴組成
やめっき条件等によっても異なるが、無電解ニッケルめ
っき老化液の組成の一例を示すと、多くの場合、Ｎｉ2+
が４〜７ｇ／Ｌ、Ｈ2ＰＯ2 2- が１２〜３０ｇ／Ｌ、Ｈ
ＰＯ3 2- が８０〜１００ｇ／Ｌ、ＳＯ4 2- が３０〜７
５ｇ／Ｌ、錯化剤が３０〜５５ｇ／Ｌ、Ｎａ+ ４６〜１
２０ｇ／Ｌの範囲にあり、老化液の水素イオン濃度は通
常ｐＨ４．５〜５．５程度である。しかし、本発明の処
理対象とする無電解ニッケルめっき老化液は、前記組成
のものに限定されるものではない。
やめっき条件等によっても異なるが、無電解ニッケルめ
っき老化液の組成の一例を示すと、多くの場合、Ｎｉ2+
が４〜７ｇ／Ｌ、Ｈ2ＰＯ2 2- が１２〜３０ｇ／Ｌ、Ｈ
ＰＯ3 2- が８０〜１００ｇ／Ｌ、ＳＯ4 2- が３０〜７
５ｇ／Ｌ、錯化剤が３０〜５５ｇ／Ｌ、Ｎａ+ ４６〜１
２０ｇ／Ｌの範囲にあり、老化液の水素イオン濃度は通
常ｐＨ４．５〜５．５程度である。しかし、本発明の処
理対象とする無電解ニッケルめっき老化液は、前記組成
のものに限定されるものではない。
【００１６】本発明は、上記の無電解めっき液又は無電
解めっき老化液に界面活性剤系防腐剤を配合することに
より防腐効果を無電解めっき液に付与させたものであ
る。係る界面活性剤系防腐剤は、アンモニウム化合物ま
たはホスホニウム化合物などである。
解めっき老化液に界面活性剤系防腐剤を配合することに
より防腐効果を無電解めっき液に付与させたものであ
る。係る界面活性剤系防腐剤は、アンモニウム化合物ま
たはホスホニウム化合物などである。
【００１７】アンモニウム化合物は、例えば塩化ベンザ
ルコニウム［Alkylbenzyldimethylammonium chlorid
e]、ジデシルジメチルアンモニウムクロライド[Didecyl
dimethyl ammoniumu chloride］、塩化セタルコニウム
［Benzyldimethylcetyl ammonium chloride］、塩化ジ
デシルジメチルアンモニウム［Didecyldimethyl ammoni
umchloride］、ＤＣ−５７００［3-(Trimethoxysilyl)p
ropyldimethyloctadecylammonium chloride］、アイオ
ネン［Poly[polymethylene(dimethylimino)chlorid
e］、ポリオキシアルキレンアンモニウム［Poly[oxyeth
ylene(dimethyliminio)ehylene(dimethylimino)ethylen
e dichloroie］、アルキルジ（アミノエチル）グリシン
[Alkyldi(aminoethyl)glycine]、オクタデシルアミン酢
酸塩[Octadecylammonium acetate]等である。
ルコニウム［Alkylbenzyldimethylammonium chlorid
e]、ジデシルジメチルアンモニウムクロライド[Didecyl
dimethyl ammoniumu chloride］、塩化セタルコニウム
［Benzyldimethylcetyl ammonium chloride］、塩化ジ
デシルジメチルアンモニウム［Didecyldimethyl ammoni
umchloride］、ＤＣ−５７００［3-(Trimethoxysilyl)p
ropyldimethyloctadecylammonium chloride］、アイオ
ネン［Poly[polymethylene(dimethylimino)chlorid
e］、ポリオキシアルキレンアンモニウム［Poly[oxyeth
ylene(dimethyliminio)ehylene(dimethylimino)ethylen
e dichloroie］、アルキルジ（アミノエチル）グリシン
[Alkyldi(aminoethyl)glycine]、オクタデシルアミン酢
酸塩[Octadecylammonium acetate]等である。
【００１８】ホスホニウム化合物は、例えばトリエチル
オクタデシルホスホニウムクロライド[Triethyloctadec
yl phosphonium chloride]、トリブチルヘキサデシルホ
スホニウムクロライド、[Tributhylhexadecyl phosphon
ium chloride]、トリブチルドデシルホスホニウムクロ
ライド[Tributhyl dodecyl phosphonium chloride]等の
テトラアルキルホスホニウム塩である。
オクタデシルホスホニウムクロライド[Triethyloctadec
yl phosphonium chloride]、トリブチルヘキサデシルホ
スホニウムクロライド、[Tributhylhexadecyl phosphon
ium chloride]、トリブチルドデシルホスホニウムクロ
ライド[Tributhyl dodecyl phosphonium chloride]等の
テトラアルキルホスホニウム塩である。
【００１９】上記の界面活性剤系防腐剤は、無電解めっ
き液又は無電解ニッケルめっき老化液に直接又は水に溶
解させて添加すればよい。また、難溶性の化合物の場合
はアルコール等に溶解させて使用すればよい。無電解ニ
ッケルめっき液又は無電解ニッケルめっき老化液に対す
る防腐剤の配合量は、防腐効果とめっき液組成により制
限することはできないが、例えば防腐剤はめっき液に対
して１〜５０００ｐｐｍ、更には１０〜１００ｐｐｍ程
度添加配合すればよい。１ｐｐｍ以下では、十分な防腐
効果を得ることはできず、また５０００ｐｐｍ以上は経
済的な観点から自ずと制限される。無電解めっき液又は
無電解老化液は、係る界面活性剤系防腐剤を添加するこ
とにより、カビや藻などの発生を防ぐことができ、その
防腐方法は至って簡単な方法によりすることができる。
き液又は無電解ニッケルめっき老化液に直接又は水に溶
解させて添加すればよい。また、難溶性の化合物の場合
はアルコール等に溶解させて使用すればよい。無電解ニ
ッケルめっき液又は無電解ニッケルめっき老化液に対す
る防腐剤の配合量は、防腐効果とめっき液組成により制
限することはできないが、例えば防腐剤はめっき液に対
して１〜５０００ｐｐｍ、更には１０〜１００ｐｐｍ程
度添加配合すればよい。１ｐｐｍ以下では、十分な防腐
効果を得ることはできず、また５０００ｐｐｍ以上は経
済的な観点から自ずと制限される。無電解めっき液又は
無電解老化液は、係る界面活性剤系防腐剤を添加するこ
とにより、カビや藻などの発生を防ぐことができ、その
防腐方法は至って簡単な方法によりすることができる。
【００２０】上記のように、本発明の無電解めっき液は
防腐方法は、無電解めっき液又は無電解めっき老化液に
防腐能を有する界面活性剤系防腐剤を添加することによ
り、無電解めっき液又は無電解めっき老化液を防腐する
ことができるものである。
防腐方法は、無電解めっき液又は無電解めっき老化液に
防腐能を有する界面活性剤系防腐剤を添加することによ
り、無電解めっき液又は無電解めっき老化液を防腐する
ことができるものである。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が本発明は、これらの実施例に限定されるものではな
い。
が本発明は、これらの実施例に限定されるものではな
い。
【００２２】実施例１及び比較例１ 使用済無電解ニッケルめっき老化液として表１の組成の
ものを使用した。
ものを使用した。
【００２３】
【表１】
【００２４】実験方法 上記、無電解ニッケルめっき老化液100mLを100mLプラス
チック瓶に入れ，これに対し100，1000ppmとなるよう，
塩化ベンザルコニウム溶液及びトリブチルヘキサデシル
ホスホニウムクロライド溶液を加えて密栓し，長期保存
試験を行った。保存条件を恒温室と，5階建てビルディン
グの屋上に放置して行った。 比較例として、ブランク及
び硫酸銅溶液について検討を行った。その結果を表２，
３に示す。 実験条件 (1)保存瓶 100mLプラスチック瓶 (2)無電解ニッケルめっき液 ろ過によりＳＳ分離，100mL使用 (3)添加薬剤 塩化ベンザルコニウム溶液、トリブチルヘキサデシルホスホニ ウムクロライド溶液、硫酸銅溶液，それぞれ100，1000ppm， ブランク (4)保存条件 恒温室：温度２０〜３５℃(昼日照時）湿度平均３０％ 屋上：温度０〜２５℃（昼日照時）湿度平均５０％ 屋上における実験日は、1999年1月 (5)性状確認 目視
チック瓶に入れ，これに対し100，1000ppmとなるよう，
塩化ベンザルコニウム溶液及びトリブチルヘキサデシル
ホスホニウムクロライド溶液を加えて密栓し，長期保存
試験を行った。保存条件を恒温室と，5階建てビルディン
グの屋上に放置して行った。 比較例として、ブランク及
び硫酸銅溶液について検討を行った。その結果を表２，
３に示す。 実験条件 (1)保存瓶 100mLプラスチック瓶 (2)無電解ニッケルめっき液 ろ過によりＳＳ分離，100mL使用 (3)添加薬剤 塩化ベンザルコニウム溶液、トリブチルヘキサデシルホスホニ ウムクロライド溶液、硫酸銅溶液，それぞれ100，1000ppm， ブランク (4)保存条件 恒温室：温度２０〜３５℃(昼日照時）湿度平均３０％ 屋上：温度０〜２５℃（昼日照時）湿度平均５０％ 屋上における実験日は、1999年1月 (5)性状確認 目視
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】実施例２及び比較例２ 建浴後の無電解ニッケルめっき液として表４の組成のも
のを使用した。
のを使用した。
【００２８】
【表４】
【００２９】実験方法 上記、無電解ニッケルめっき液100mLを100mLプラスチッ
ク瓶に入れ，実施例１及び比較例１と同様にこれに対し
100，1000ppmとなるよう，塩化ベンザルコニウム溶液及
びトリブチルヘキサデシルホスホニウムクロライド溶液
を加えて密栓し，長期保存試験を行った。保存条件を恒
温室と，5階建てビルディングの屋上に放置して行った。
比較例として、ブランク及び硫酸銅溶液について検討
を行った。その結果を表５，６に示す。 実験条件 (1)保存瓶 100mLプラスチック瓶 (2)無電解ニッケルめっき液 ろ過によりＳＳ分離，100mL使用 (3)添加薬剤 塩化ベンザルコニウム溶液、トリブチルヘキサデシルホスホニ ウムクロライド溶液、硫酸銅溶液，それぞれ100，1000ppm， ブランク (4)保存条件 恒温室：温度２０〜３５℃(昼日照時）湿度平均４０％ 屋上：温度２０〜３０℃（昼日照時）湿度平均６０％ 屋上における実験日は、1999年6月 (5)性状確認 目視
ク瓶に入れ，実施例１及び比較例１と同様にこれに対し
100，1000ppmとなるよう，塩化ベンザルコニウム溶液及
びトリブチルヘキサデシルホスホニウムクロライド溶液
を加えて密栓し，長期保存試験を行った。保存条件を恒
温室と，5階建てビルディングの屋上に放置して行った。
比較例として、ブランク及び硫酸銅溶液について検討
を行った。その結果を表５，６に示す。 実験条件 (1)保存瓶 100mLプラスチック瓶 (2)無電解ニッケルめっき液 ろ過によりＳＳ分離，100mL使用 (3)添加薬剤 塩化ベンザルコニウム溶液、トリブチルヘキサデシルホスホニ ウムクロライド溶液、硫酸銅溶液，それぞれ100，1000ppm， ブランク (4)保存条件 恒温室：温度２０〜３５℃(昼日照時）湿度平均４０％ 屋上：温度２０〜３０℃（昼日照時）湿度平均６０％ 屋上における実験日は、1999年6月 (5)性状確認 目視
【００３０】
【表５】
【００３１】
【表６】
【００３２】実施例３ 次いで、上記防腐確認を行った無電解ニッケルめっき液
について，９０℃に昇温した後、脱脂および酸洗浄した
鉄板（５ｃｍ×１０ｃｍ×０．２ｍｍ）１０枚を１度に
浸漬し、３０分間無電解ニッケルめっきを行った。次い
で、鉄板を取り代えて同様の処理を７回繰り返した。な
お、めっき操作の途中で、めっき反応により低下するｐ
Ｈを4.5に維持するため水酸化ナトリウム水溶液を常時
補充すると共に、蒸発する水分を補充するため脱塩水を
加えた。この無電解ニッケルめっき処理により鉄板上に
は厚み１０．２μｍ、最小厚み９．１μｍ、平均厚み
９．６μｍのニッケルめっき皮膜が析出し、形成された
めっき層は全て平滑で優れた金属光沢を示すものであっ
た。また、めっきの処理回数が増してもめっきの析出速
度は下がらず、反応性は良好であった。
について，９０℃に昇温した後、脱脂および酸洗浄した
鉄板（５ｃｍ×１０ｃｍ×０．２ｍｍ）１０枚を１度に
浸漬し、３０分間無電解ニッケルめっきを行った。次い
で、鉄板を取り代えて同様の処理を７回繰り返した。な
お、めっき操作の途中で、めっき反応により低下するｐ
Ｈを4.5に維持するため水酸化ナトリウム水溶液を常時
補充すると共に、蒸発する水分を補充するため脱塩水を
加えた。この無電解ニッケルめっき処理により鉄板上に
は厚み１０．２μｍ、最小厚み９．１μｍ、平均厚み
９．６μｍのニッケルめっき皮膜が析出し、形成された
めっき層は全て平滑で優れた金属光沢を示すものであっ
た。また、めっきの処理回数が増してもめっきの析出速
度は下がらず、反応性は良好であった。
【００３３】
【発明の効果】本発明の無電解めっき液又は無電解めっ
き老化液に界面活性剤系防腐剤を添加配合することによ
り、長期にわたりかび等を発生することを防ぐことが可
能となる。また、その防腐を抑制する方法は、極めて簡
単で経済的である。
き老化液に界面活性剤系防腐剤を添加配合することによ
り、長期にわたりかび等を発生することを防ぐことが可
能となる。また、その防腐を抑制する方法は、極めて簡
単で経済的である。
Claims (3)
- 【請求項１】 主として金属塩、錯化剤、還元剤からな
る無電解めっき液又は無電解めっき老化液に防腐剤とし
て、界面活性剤系防腐剤を配合することを特徴とする防
腐された無電解めっき液。 - 【請求項２】 界面活性剤系防腐剤は、アンモニウム化
合物又はホスホニウム化合物から選ばれる1種又は2種以
上である請求項1記載の防腐された無電解めっき液。 - 【請求項３】 無電解めっき液又は無電解めっき老化液
に防腐能を有する界面活性剤系防腐剤を添加することに
より、無電解めっき液又は無電解めっき老化液を防腐す
ることを特徴とする無電解めっき液防腐方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25014599A JP2001073153A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 防腐された無電解めっき液及び無電解めっき液防腐方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25014599A JP2001073153A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 防腐された無電解めっき液及び無電解めっき液防腐方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001073153A true JP2001073153A (ja) | 2001-03-21 |
Family
ID=17203497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25014599A Pending JP2001073153A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 防腐された無電解めっき液及び無電解めっき液防腐方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001073153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016152983A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | ホスホニウム塩を用いためっき液 |
| US10174434B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-01-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Plating solution using phosphonium salt |
-
1999
- 1999-09-03 JP JP25014599A patent/JP2001073153A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016152983A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | ホスホニウム塩を用いためっき液 |
| US10174434B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-01-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Plating solution using phosphonium salt |
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