JP2001066780A - パターン形成方法 - Google Patents

パターン形成方法

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JP2001066780A
JP2001066780A JP2000135369A JP2000135369A JP2001066780A JP 2001066780 A JP2001066780 A JP 2001066780A JP 2000135369 A JP2000135369 A JP 2000135369A JP 2000135369 A JP2000135369 A JP 2000135369A JP 2001066780 A JP2001066780 A JP 2001066780A
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pattern
resist
resist film
band
base resin
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Application number
JP2000135369A
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English (en)
Inventor
Shinji Kishimura
眞治 岸村
Akiko Katsuyama
亜希子 勝山
Masaru Sasako
勝 笹子
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露
光光を用いて良好な形状を持つレジストパターンが得ら
れるようにする。 【解決手段】 【化１】 半導体基板１０の上に、［化１］に示すベース樹脂を含
むレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対
してＦ2 エキシマレーザ１３を用いてパターン露光を行
なう。レジスト膜１１に対してアルカリ性の現像液を用
いて現像処理を行なって、レジスト膜１１の未露光部１
１ｂからなるレジストパターン１４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト膜に１４
０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射して
レジストパターンを形成するパターン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、６４メガビットのダイナミックラ
ンダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、０．２５μｍ〜
０．１８μｍのルールを持つロジックデバイス又はこれ
らが搭載されるシステムＬＳＩなどの大規模集積回路を
形成する場合には、ポリヒドロキシスチレン誘導体及び
酸発生剤を有する化学増幅型レジストに対して、ＫｒＦ
エキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ帯）を用いるパター
ン露光を行なうことによりレジストパターンを形成して
いる。
【０００３】また、０．１５μｍ〜０．１３μｍのルー
ルを持つ２５６メガビットのＤＲＡＭ若しくは１ギガビ
ットＤＲＡＭ又はこれらが搭載されるシステムＬＳＩな
どの大規模集積回路を形成する場合には、ＫｒＦエキシ
マレーザよりも波長が短いＡｒＦエキシマレーザ（波
長：１９３ｎｍ帯）を露光光として用いるパターン形成
方法の開発が進められている。
【０００４】ところで、ＫｒＦエキシマレーザ用のポリ
ヒドロキシスチレン誘導体を含む化学増幅型レジスト
は、ポリヒドロキシスチレン誘導体に含まれる芳香環の
１９３ｎｍ帯の光に対する吸収度が大き過ぎるため、露
光光がレジスト膜の下部にまで均一に到達できないの
で、ＡｒＦエキシマレーザ用のレジストとしては好まし
くない。
【０００５】そこで、ＡｒＦエキシマレーザ用のレジス
トとしては、芳香環を含まないポリアクリル酸誘導体を
有する化学増幅型レジストが検討されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、０．１３μ
ｍよりも微細なパターンを形成するためには、露光光と
して、ＡｒＦエキシマレーザよりも波長が短い、Ｆ2 エ
キシマレーザ（波長：１５７ｎｍ帯）又はＫｒ2 エキシ
マレーザ（波長：１４６ｎｍ帯）などのように、１４０
ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を用いること
が必要になる。
【０００７】そこで、従来から知られているレジスト材
料、具体的には、ｇ線又はｉ線用に用いられるノボラッ
ク樹脂及びナフトキノンジアジド感光剤を有するレジス
ト材料、ＫｒＦエキシマレーザ用に用いられるポリヒド
ロキシスチレン誘導体を含むレジスト材料、及びＡｒＦ
エキシマレーザ用に用いられるポリアクリル酸誘導体を
含むレジスト材料などからなるレジスト膜に対して、１
４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光、例えば
Ｆ2 エキシマレーザを用いてレジストパターンを形成し
てみたところ、矩形状の断面を持つ良好なパターン形状
が得られなかった。
【０００８】前記に鑑み、本発明は、１４０ｎｍ帯〜１
６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を用いて良好な形状を持
つレジストパターンが得られるようにすることを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、従来の
レジスト材料を用いると、良好なパターン形状が得られ
ない原因について検討を加えた結果、従来のレジスト材
料は、１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光
に対する透過率が低いので、露光光がレジスト膜の底部
にまで十分に到達しないためであると考えた。
【００１０】そこで、レジスト膜の膜厚及びベース樹脂
の１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の光に対する透過率と、
これらを用いたときのパターン形状との関係について実
験を重ねた結果、膜厚が２００ｎｍであるときに透過率
が４０％以上であれば、良好な断面形状を持つレジスト
パターンが得られるということを見出した。
【００１１】ちなみに、従来から知られている、ノボラ
ック樹脂及びナフトキノンジアジド感光剤を有するレジ
スト材料、ポリヒドロキシスチレン誘導体を含むレジス
ト材料及びポリアクリル酸誘導体を含むレジスト材料を
用いると、膜厚が２００ｎｍであるときの透過率は１０
％以下が多いと共に、透過率が最も高いときでも４０％
未満であった。
【００１２】本発明に係る第１のパターン形成方法は、
膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯〜１６０ｎ
ｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４０％以上である
ベース樹脂を有するレジスト材料からなるレジスト膜を
形成する工程と、レジスト膜に１４０ｎｍ帯〜１６０ｎ
ｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行な
った後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジ
ストパターンを形成する工程とを備えている。
【００１３】第１のパターン形成方法によると、レジス
ト材料は、膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４０％
以上であるベース樹脂を有しているため、１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン
露光を行なうと、レジスト膜の底部にまで確実に露光光
が到達するので、矩形状の断面を有する良好なパターン
形状が得られる。
【００１４】第１のパターン形成方法において、ベース
樹脂は、光の照射によりアルカリ性現像液に対する溶解
性が変化する基を持つポリスチレン誘導体を含んでいる
ことが好ましい。
【００１５】このようにすると、ポリスチレン誘導体を
含むレジスト膜は、膜厚が２００ｎｍであるときの１４
０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率
は確実に４０％以上になると共に、ドライエッチングに
対する耐性が高いので、より良好な断面形状を持つレジ
ストパターンを形成することができる。
【００１６】この場合、ポリスチレン誘導体は、［化１
０］、［化１１］及び［化１２］のうちの少なくとも１
つのユニットを含んでいることが好ましい。
【００１７】
【化１０】
【００１８】
【化１１】
【００１９】
【化１２】
【００２０】このようにすると、膜厚が２００ｎｍであ
るときの１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に
対する透過率をより確実に４０％以上にすることができ
るので、パターン形状は確実に矩形状になる。
【００２１】本発明に係る第２のパターン形成方法は、
膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯〜１６０ｎ
ｍ帯の光に対する透過率が４０％以上であり且つ酸の作
用により分解するベース樹脂と、光の照射により酸を発
生する酸発生剤とを有するレジスト材料からなるレジス
ト膜を形成する工程と、レジスト膜に１４０ｎｍ帯〜１
６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光
を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像し
てレジストパターンを形成する工程とを備えている。
【００２２】第２のパターン形成方法によると、レジス
ト材料は、膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４０％
以上であるベース樹脂を有しているため、１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン
露光を行なうと、レジスト膜の底部にまで確実に露光光
が到達し、レジスト膜の底部においても酸発生剤から確
実に酸が発生するので、矩形状の断面を有する良好なパ
ターン形状が得られる。
【００２３】第２のパターン形成方法において、ベース
樹脂は、酸の作用によりアルカリ性現像液に対する溶解
性が変化するポリスチレン誘導体を含んでいることが好
ましい。
【００２４】このようにすると、ポリスチレン誘導体を
含むレジスト膜は、膜厚が２００ｎｍであるときの１４
０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率
は確実に４０％以上になると共に、ドライエッチングに
対する耐性が高いので、より良好な断面形状を持つレジ
ストパターンを形成することができる。
【００２５】この場合、ポリスチレン誘導体は、［化１
３］、［化１４］及び［化１５］のうちの少なくとも１
つのユニットを含んでいることが好ましい。
【００２６】
【化１３】
【００２７】
【化１４】
【００２８】
【化１５】
【００２９】このようにすると、膜厚が２００ｎｍであ
るときの１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に
対する透過率をより確実に４０％以上にすることができ
るので、パターン形状は確実に矩形状になる。
【００３０】本発明に係る第３のパターン形成方法は、
膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯〜１６０ｎ
ｍ帯の光に対する透過率が４０％以上である第１のベー
ス樹脂と、酸の作用により分解する第２のベース樹脂
と、光の照射により酸を発生する酸発生剤とを有するレ
ジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、レジ
スト膜に１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光
光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光
されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る工程とを備えている。
【００３１】第３のパターン形成方法によると、レジス
ト材料は、膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４０％
以上である第１のベース樹脂を有しているため、１４０
ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパ
ターン露光を行なうと、レジスト膜の底部にまで確実に
露光光が到達し、レジスト膜の底部においても酸発生剤
から確実に酸が発生する。このため、第２のベース樹脂
が酸発生剤から発生した酸によって分解して現像液に対
して可溶性に変化するので、矩形状の断面を有する良好
なパターン形状が得られる。
【００３２】第３のパターン形成方法において、第１の
ベース樹脂はポリスチレン誘導体を含んでいることが好
ましい。
【００３３】このようにすると、ポリスチレン誘導体を
含むレジスト膜は、膜厚が２００ｎｍであるときの１４
０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率
は確実に４０％以上になると共に、ドライエッチングに
対する耐性が高いので、より良好な断面形状を持つレジ
ストパターンを形成することができる。
【００３４】この場合、ポリスチレン誘導体は、［化１
６］、［化１７］及び［化１８］のうちの少なくとも１
つのユニットを含んでいることが好ましい。
【００３５】
【化１６】
【００３６】
【化１７】
【００３７】
【化１８】
【００３８】このようにすると、膜厚が２００ｎｍであ
るときの１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に
対する透過率をより確実に４０％以上にすることができ
るので、パターン形状は確実に矩形状になる。
【００３９】第１〜第３のパターン形成方法において
は、露光光としてＦ2エキシマレーザ又はＫｒ2エキシマ
レーザを用いることができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図
１（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００４１】まず、第１の実施形態に係るレジスト材料
として、以下の組成物を準備する。
【００４２】 ベース樹脂……［化１９］に示す樹脂 ２ｇ 溶媒……ジグライム ２０ｇ
【００４３】
【化１９】
【００４４】次に、図１（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートした後、プリベークして、０．３μｍの膜厚を有す
るレジスト膜１１を形成する。ベース樹脂がアルカリ難
溶性であるため、レジスト膜１１はアルカリ難溶性であ
る。
【００４５】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
膜１１に対してマスク１２を介して、Ｆ2 エキシマレー
ザ１３を照射してパターン露光を行なう。このようにす
ると、ベース樹脂の透明性が高いので、露光光はレジス
ト膜１１の底部にまで確実に到達する。このため、レジ
スト膜１１の露光部１１ａにおいては、ベース樹脂がＦ
2 エキシマレーザ１３により分解するので、アルカリ性
現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜１１
の未露光部１１ｂはアルカリ性現像液に対して難溶性の
ままである。
【００４６】次に、レジスト膜１１に対して、例えばテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液等の
アルカリ性の現像液を用いて現像処理を行なう。このよ
うにすると、レジスト膜１１の露光部１１ａが現像液に
溶解するので、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜１
１の未露光部１１ｂからなるレジストパターン１４が得
られる。
【００４７】第１の実施形態によると、［化１９］に示
す樹脂は、膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４０％
以上である特性を有しているため、１５７ｎｍ帯の波長
を持つＦ2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光
を行なうと、レジスト膜１１の露光部１１ａの底部にま
で確実に露光光が到達するので、矩形状の断面を有する
良好なパターン形状が得られる。
【００４８】また、［化１９］に示す樹脂はポリスチレ
ン誘導体を含むため、ベース樹脂のドライエッチングに
対する耐性が高いので、より良好なパターン形状が得ら
れる。
【００４９】尚、第１の実施形態におけるベース樹脂と
しては、［化１９］に示す樹脂を用いたが、これに代え
て、［化１９］、［化２０］及び［化２１］のうちの少
なくとも１つのユニットを含んでおればよい。
【００５０】
【化２０】
【００５１】
【化２１】
【００５２】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るパターン形成方法について、図２（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００５３】まず、第２の実施形態に係るレジスト材料
として、以下の組成物を準備する。
【００５４】 ベース樹脂……［化２２］に示す樹脂 ２ｇ 酸発生剤……トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０４ｇ 溶媒……ジグライム ２０ｇ
【００５５】
【化２２】
【００５６】次に、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板２０上にスピンコ
ートした後、プリベークして、０．３μｍの膜厚を有す
るレジスト膜２１を形成する。ベース樹脂がアルカリ難
溶性であるため、レジスト膜２１はアルカリ難溶性であ
る。
【００５７】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
膜２１に対してマスク２２を介して、Ｆ2 エキシマレー
ザ２３を照射してパターン露光を行なう。このようにす
ると、ベース樹脂の透明性が高いため、露光光はレジス
ト膜２１の底部にまで確実に到達するので、レジスト膜
２１の底部においても酸発生剤から確実に酸が発生す
る。このため、レジスト膜２１の露光部２１ａにおいて
は、ベース樹脂がＦ2 エキシマレーザ２３及び酸発生剤
から発生した酸により分解するため、アルカリ性現像液
に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜２１の未露
光部２１ｂはアルカリ性現像液に対して難溶性のままで
ある。
【００５８】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板２０ひいてはレジスト膜２１をホットプレート２４に
より加熱する。このようにすると、レジスト膜２１にお
ける露光部２１ａにおいては、酸発生剤からの酸の発生
が促進されるため、ベース樹脂の分解が促進される。
【００５９】次に、レジスト膜２１に対して、例えばテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液等の
アルカリ性の現像液を用いて現像処理を行なう。このよ
うにすると、レジスト膜２１の露光部２１ａが現像液に
溶解するので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜２
１の未露光部２１ｂからなるレジストパターン２５が得
られる。
【００６０】第２の実施形態によると、［化２２］に示
す樹脂は、膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎｍ帯
〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４０％
以上である特性を有しているため、１５７ｎｍ帯の波長
を持つＦ2 エキシマレーザ２３を照射してパターン露光
を行なうと、レジスト膜２１の露光部２１ａの底部にま
で確実に露光光が到達し、レジスト膜２１の露光部２１
ａの底部において酸発生剤から確実に酸が発生するの
で、矩形状の断面を有する良好なパターン形状が得られ
る。
【００６１】また、［化２２］に示す樹脂はポリスチレ
ン誘導体を含むため、ベース樹脂のドライエッチングに
対する耐性が高いので、より良好なパターン形状が得ら
れる。
【００６２】尚、第２の実施形態におけるベース樹脂と
しては、［化２２］に示す樹脂を用いたが、これに代え
て、［化２２］、［化２３］及び［化２４］のうちの少
なくとも１つのユニットを含んでおればよい。
【００６３】
【化２３】
【００６４】
【化２４】
【００６５】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るパターン形成方法について、図２（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００６６】まず、第３の実施形態に係るレジスト材料
として、以下の組成物を準備する。
【００６７】 第１のベース樹脂……［化２５］に示す樹脂 ０．６ｇ 第２のベース樹脂……［化２６］に示す樹脂 １．４ｇ 酸発生剤……トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０４ｇ 溶媒……ジグライム ２０ｇ
【００６８】
【化２５】
【００６９】
【化２６】
【００７０】次に、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板２０上にスピンコ
ートした後、プリベークして、０．３μｍの膜厚を有す
るレジスト膜２１を形成する。第１のベース樹脂及び第
２のベース樹脂がアルカリ難溶性であるため、レジスト
膜２１はアルカリ難溶性である。
【００７１】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
膜２１に対してマスク２２を介して、Ｆ2 エキシマレー
ザ２３を照射してパターン露光を行なう。このようにす
ると、第１のベース樹脂の透明性が高いため、露光光は
レジスト膜２１の底部にまで確実に到達するので、レジ
スト膜２１の底部においても酸発生剤から確実に酸が発
生する。このため、レジスト膜２１の露光部２１ａにお
いては、第２のベース樹脂がＦ2 エキシマレーザ２３及
び酸発生剤から発生した酸により分解するので、アルカ
リ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜
２１の未露光部２１ｂはアルカリ性現像液に対して難溶
性のままである。
【００７２】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板２０ひいてはレジスト膜２１をホットプレート２４に
より加熱する。このようにすると、レジスト膜２１にお
ける露光部２１ａにおいては、酸発生剤からの酸の発生
が促進されるため、ベース樹脂の分解が促進される。
【００７３】次に、レジスト膜２１に対して、例えばテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液等の
アルカリ性の現像液を用いて現像処理を行なう。このよ
うにすると、レジスト膜２１の露光部２１ａが現像液に
溶解するので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜２
１の未露光部２１ｂからなるレジストパターン２５が得
られる。
【００７４】第３の実施形態によると、［化２５］に示
す第１のベース樹脂は、膜厚が２００ｎｍであるときに
１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透
過率が４０％以上である特性を有しているため、１５７
ｎｍ帯の波長を持つＦ2 エキシマレーザ２３を照射して
パターン露光を行なうと、レジスト膜２１の露光部２１
ａの底部にまで確実に露光光が到達し、レジスト膜２１
の露光部２１ａの底部において、酸発生剤から確実に酸
が発生する。このため、レジスト膜２１の露光部２１ａ
においては、第２のベース樹脂が確実に分解するので、
矩形状の断面を有する良好なパターン形状が得られる。
【００７５】また、［化２６］に示す樹脂はポリスチレ
ン誘導体を含むため、第１のベース樹脂のドライエッチ
ングに対する耐性が高いので、より良好なパターン形状
が得られる。
【００７６】尚、第３の実施形態においては、第１のベ
ース樹脂は酸の作用により分解する性質を有している
が、第１のベース樹脂としては、酸によって分解しない
ものを用いてもよい。
【００７７】また、第３の実施形態における第２のベー
ス樹脂としては、［化２６］に示す樹脂を用いたが、こ
れに代えて、［化２６］、［化２７］及び［化２８］の
うちの少なくとも１つのユニットを含んでおればよい。
【００７８】
【化２７】
【００７９】
【化２８】
【００８０】
【発明の効果】第１〜第３のパターン形成方法による
と、レジスト材料は、膜厚が２００ｎｍであるときに１
４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過
率が４０％以上である樹脂を有しているため、１４０ｎ
ｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパタ
ーン露光を行なうと、レジスト膜の露光部においては、
露光光がレジスト膜の底部にまで確実に到達するので、
矩形状の断面を有する良好なパターン形状が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に
係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２又は第３の実
施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
１０ 半導体基板 １１ レジスト膜 １１ａ 露光部 １１ｂ 未露光部 １２ マスク １３ Ｆ2エキシマレーザ １４ レジストパターン ２０ 半導体基板 ２１ レジスト膜 ２１ａ 露光部 ２１ｂ 未露光部 ２２ マスク ２３ Ｆ2エキシマレーザ ２４ ホットプレート ２５ レジストパターン
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｂ (72)発明者 笹子 勝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA09 AB16 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 BJ00 CB17 CB41 FA17 2H097 BA06 CA13 FA06 JA03 LA10 4J002 BC03X BC12W EV296 GP03 GQ05 4J100 AB02Q AB07P AB07Q BA02P BA03Q BA04P BA22P BC53P CA04 DA62 JA46 5F046 CA04 CA07 JA21 JA22 LA12 LA14

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎ
    ｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過率が４
    ０％以上であるベース樹脂を有するレジスト材料からな
    るレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を
    持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パタ
    ーン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターン
    を形成する工程とを備えていることを特徴とするパター
    ン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記ベース樹脂は、光の照射によりアル
    カリ性現像液に対する溶解性が変化する基を持つポリス
    チレン誘導体を含んでいることを特徴とする請求項１に
    記載のパターン形成方法。
  3. 【請求項３】 前記ポリスチレン誘導体は、［化１］、
    ［化２］及び［化３］のうちの少なくとも１つのユニッ
    トを含んでいることを特徴とする請求項２に記載のパタ
    ーン形成方法。 【化１】 【化２】 【化３】
  4. 【請求項４】 膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎ
    ｍ帯〜１６０ｎｍ帯の光に対する透過率が４０％以上で
    あり且つ酸の作用により分解するベース樹脂と、光の照
    射により酸を発生する酸発生剤とを有するレジスト材料
    からなるレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を
    持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パタ
    ーン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターン
    を形成する工程とを備えていることを特徴とするパター
    ン形成方法。
  5. 【請求項５】 前記ベース樹脂は、酸に作用よりアルカ
    リ性現像液に対する溶解性が変化する基を持つポリスチ
    レン誘導体を含んでいることを特徴とする請求項４に記
    載のパターン形成方法。
  6. 【請求項６】 前記ポリスチレン誘導体は、［化４］、
    ［化５］及び［化６］のうちの少なくとも１つのユニッ
    トを含んでいることを特徴とする請求項５に記載のパタ
    ーン形成方法。 【化４】 【化５】 【化６】
  7. 【請求項７】 膜厚が２００ｎｍであるときに１４０ｎ
    ｍ帯〜１６０ｎｍ帯の光に対する透過率が４０％以上で
    ある第１のベース樹脂と、酸の作用により分解する第２
    のベース樹脂と、光の照射により酸を発生する酸発生剤
    とを有するレジスト材料からなるレジスト膜を形成する
    工程と、 前記レジスト膜に１４０ｎｍ帯〜１６０ｎｍ帯の波長を
    持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パタ
    ーン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターン
    を形成する工程とを備えていることを特徴とするパター
    ン形成方法。
  8. 【請求項８】 前記第１のベース樹脂はポリスチレン誘
    導体を含んでいることを特徴とする請求項７に記載のパ
    ターン形成方法。
  9. 【請求項９】 前記ポリスチレン誘導体は、［化７］、
    ［化８］及び［化９］のうちの少なくとも１つのユニッ
    トを含んでいることを特徴とする請求項８に記載のパタ
    ーン形成方法。 【化７】 【化８】 【化９】
  10. 【請求項１０】 前記露光光は、Ｆ2 エキシマレーザ又
    はＫｒ2 エキシマレーザであることを特徴とする請求項
    １〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1335246A1 (en) * 1999-06-21 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method
JP2005517972A (ja) * 2002-01-09 2005-06-16 クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド ポジ型光像形成性底面反射防止膜

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