JP2001058996A

JP2001058996A - ノルボルニル基を持つシリコン化合物、コーティング組成物およびシリコン膜の製造法

Info

Publication number: JP2001058996A
Application number: JP23345899A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Matsuki; 安生松木; Satoshi Ehata; 敏江幡
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1999-08-20
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2001-03-06

Abstract

(57)【要約】【課題】熱や光の照射処理により優れた半導体特性を
備えた金属シリコンを与える、溶媒可溶性の新規なシリ
コン化合物、それを用いたコーティング組成物さらには
上記金属シリコンからなる被膜の製造法を提供するこ
と。【解決手段】下記式（１）（ＲＳｉ）_xＨ_y ．．．（１）ここで、Ｒは２−ノルボルニル基であり、ｘは５〜１０
の整数であり、ｙは０または１である、で表される、ノ
ルボルニル基を持つシリコン化合物、それを含有するコ
ーティング組成物並びにこのシリコン組成物を用いてシ
リコン膜を製造する方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ノルボルニル基を
持つシリコン化合物、コーティング組成物およびシリコ
ン膜の製造法に関する。さらに詳しくは、ＬＳＩ、薄膜
トランジスタ、光電変換装置、感光体用途等で使用され
るシリコン（元素状シリコン）に変換可能なシリコン化
合物、それを含有するコーティング組成物およびこのコ
ーティング組成物からシリコン膜を製造する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、アモルファスシリコン膜やポリシ
リコン膜の形成方法には、モノシランガスやジシランガ
スの熱ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法やプラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等が利用
されている。一般的にはポリシリコンには熱ＣＶＤ法
（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．，１４
巻１０８２頁（１９７７年）参照）が、またアモルファ
スシリコンにはプラズマＣＶＤ法（ＳｏｌｉｄＳｔａ
ｔｅＣｏｍ．，１７巻１１９３頁（１９７５年）参
照）が広く用いられており、薄膜トランジスターを有す
る液晶表示素子、太陽電池などの製造に利用されてい
る。

【０００３】しかしこれらのＣＶＤ法によるシリコン膜
の形成においては、プロセス面では以下の点で更なる改
良が待たれていた。気相反応であるので気相でシリコ
ンの粒子が発生するため装置の汚染や異物の発生による
生産歩留まりが低い。原料がガス状であるため、表面
に凹凸のある基板上には均一膜厚のものが得られにく
い。膜の形成速度が遅いため生産性が低い。プラズ
マＣＶＤ法においては複雑で高価な高周波発生装置や真
空装置などが必要である。

【０００４】また、材料面では毒性、反応性の高いガス
状の水素化ケイ素を用いるため取り扱いに難点があるだ
けでなく、ガス状であるため密閉状の真空装置が必要で
ある。一般にこれらの装置は大掛かりなもので装置自体
が高価であるだけでなく、真空系やプラズマ系に多大の
エネルギーを消費するため製品のコスト高に繋がってい
る。

【０００５】近年、これに対して真空系を使わずに液体
状の水素化ケイ素を塗布する方法が提案されている。特
開平１―２９６６１号公報にはガス状の原料を、冷却し
た基板上に液体化して吸着させ、化学的に活性な原子状
の水素と反応させてシリコン系の薄膜を形成する方法が
開示されているが、原料の水素化ケイ素について気化と
冷却を続けて行うため複雑な装置が必要になるだけでな
く、膜厚の制御が困難である、という改善すべき点を有
している。

【０００６】また、特開平７―２６７６２１号公報に
は、低分子量の液体状の水素化ケイ素を基板に塗布する
方法が開示されている。この方法は系が不安定なために
取る扱いに難点があるとともに、液体状であるため、大
面積基板に応用する場合に均一膜厚を得るのが困難であ
る。一方、固体状の水素化ケイ素ポリマーの例がＧＢ−
Ａ−２,０７７,７１０号公報に報告されているが、溶媒
に不溶なためコーティングによる膜を形成することがで
きない。

【０００７】さらに従来はシリコン膜のパターンを形成
する場合には、基板全体に上記真空成膜法でシリコン膜
を形成した後、所望のパターンをフォトリソグラフィ
ー、エッチング法により形成する方法が多用されてい
た。しかしながら、この方法は大面積にわたって素子を
形成するには工程数も多く、高価な装置や多種の材料を
使用し多大のエネルギーを消費するために生産コストが
高いという欠点があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なシリコン化合物を提供することにある。本発明の他の
目的は、熱や光の照射処理により優れた半導体特性を備
えたシリコンを与える、溶媒可溶性の新規なシリコン化
合物を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、本発明の上記シリコン化合物を含有するコーティン
グ組成物を提供することにある。

【０００９】本発明のさらに他の目的は、特に大面積の
基板にシリコン膜を形成するデバイスの製造において、
コーティング法によりシリコン化合物（前駆体）からな
る膜を形成した後、該シリコン化合物膜を不活性雰囲気
中で熱および／または光処理により該シリコン化合物を
半導体のシリコンに変換することにより、デバイスを製
造するためのコーティング組成物を提供することにあ
る。

【００１０】本発明のさらに他の目的は、従来の真空成
膜を行わずに、省エネルギープロセスにより安価で安定
的にシリコン膜を形成することのできる、シリコン化合
物を含有してなるコーティング組成物を提供することに
ある。本発明のさらに他の目的は、本発明の上記コーテ
ィング組成物から半導体特性を備えたシリコン膜を製造
する方法を提供することにある。本発明のさらに他の目
的および利点は、以下の説明から明らかになろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、第１に、下記式（１）（ＲＳｉ）_xＨ_y ．．．（１）ここで、Ｒは２−ノルボルニル基であり、ｘは５〜１０
の整数であり、ｙは０または１である、で表される、ノ
ルボルニル基を持つシリコン化合物によって達成され
る。本発明の上記目的および利点は、第２に、上記式
（１）で表されるノルボルニル基を持つシリコン化合物
を含有することを特徴とするコーティング組成物によっ
て達成される。また、本発明の上記目的および利点は、
第３に、基板の表面に本発明の上記コーティング組成物
を塗布しそして乾燥して塗膜とした後、光および／また
は熱によりシリコン化合物を分解せしめてシリコン膜に
変換することを特徴とする、シリコン膜の製造法によっ
て達成される。以下、本発明を詳細に説明する。

【００１２】本発明の新規化合物は、上記式（１）で表
されるノルボルニル基を持つシリコン化合物である。上
記式（１）においてＲは２−ノルボルニル基である。２
−ノルボルニル基は下記式

【００１３】

【化１】

【００１４】で表される。また、上記式（１）におい
て、ｘおよびｙはそれぞれ５〜１０の整数および０また
は１である。上記式（１）で表されるシリコン化合物と
しては、例えば下記式（２）〜（６）：

【００１５】

【化２】

【００１６】で表されるシリコン化合物を挙げることが
できる。

【００１７】本発明で使用するシリコン化合物は、通常
それぞれの構造単位を有するモノマ−を原料として、ケ
イ素−ケイ素結合を形成させて合成することができ、ケ
イ素−ケイ素結合の形成方法としては以下の方法を用い
ることができる。（ａ）アルカリ金属の存在下にハロシ
ラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（いわゆる「キッ
ピング法」、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１０，
１２４（１９８８）およびＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅ
ｓ，２３，３４２３（１９９０）参照）；（ｂ）電極還
元によりハロゲン化シラン化合物を脱ハロゲン化により
縮重合させる方法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅ
ｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１１６１（１９９０）およびＪ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，８９
７（１９９２）参照）；（ｃ）金属触媒の存在下にヒド
ロシラン類を脱水素縮重合させる方法（特開平４−３３
４５５１号公報参照）：（ｄ）ビフェニルなどで架橋さ
れたジシランのアニオン重合による方法（Ｍａｃｒｏ
ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２３，４４９４（１９９０）参
照）。（ｅ）フェニル基やアルキル基で置換された環状
ケイ素化合物を上記の方法で合成した後、公知の方法
（例えば、Ｚ．ａｎｏｒｇ．ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．，４
５９，１２３−１３０（１９７９）など）によりヒド
ロ置換体やハロゲン置換体などに誘導することもでき
る。また、これらのハロゲン化シクロシラン化合物は公
知の方法（例えば、Ｅ．ＨｅｎｇｇｅらＭｈ．Ｃｈｅ
ｍ．１０６，５０３，（１９７５））で合成することが
でき、合成条件を最適化することによりクロル体、水素
化体および部分クロル化体を使用することができる。

【００１８】本発明のコーティング組成物は上記シリコ
ン化合物を溶媒に溶解した溶液からなる。本発明で使用
する溶媒は、好ましくは大気圧下での沸点が３０〜３５
０℃のものである。溶媒の沸点が３０℃より低い場合に
は、コーティングで塗膜を形成する場合に溶媒が先に蒸
発してしまい良好な塗膜を形成することが困難となり易
い。一方、上記沸点が３５０℃を越える場合には溶媒の
乾燥が遅くなりシリコン化合物のコーティング膜中に溶
媒が残留し易くなり、後工程の熱および／または光処理
後にも良質のシリコン膜が得られ難くなる。

【００１９】本発明で使用する溶媒としては、シリコン
化合物を溶解し且つシリコン化合物と反応しないもので
あれば特に限定されないが、例えばｎ−ペンタン、ｎ−
ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ジシ
クロペンタジエン、ベンゼン、トルエン、キシレン、デ
ュレン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒド
ロナフタレン、スクワランなどの炭化水素系溶媒；ジエ
チルエーテル、ジプロピルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエ
チルエーテル、テトラヒドロフランテトラヒドロピラ
ン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエ
チル）エーテル、ｐ−ジオキサン、テトラヒドロフラン
などのエーテル系溶媒；さらにプロピレンカーボネー
ト、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチル
スルホキシド、塩化メチレン、クロロホルムなどの極性
溶媒を挙げることができる。これらの内、シリコン化合
物の溶解性と該溶液の安定性の点で炭化水素系溶媒、エ
ーテル系溶媒が好ましく、さらに好ましい溶媒は炭化水
素系溶媒特にトルエンである。これらの溶媒は、単独で
も、或いは２種以上の混合物としても使用できる。

【００２０】本発明のコーティング組成物は、溶質とし
ての上記シリコン化合物と、また溶媒として上記例示の
ものからなり、均一塗布性に優れている。溶質の濃度は
通常１〜８０重量％程度であり、所望のコーティング方
法やシリコン膜厚に応じて適宜調製することができる。
これらの溶液には、目的の機能を損なわない範囲で必要
に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表
面張力調節材を少量添加することができる。かくして調
製したシリコン化合物溶液の粘度は、好ましくは１〜５
００ｍＰａ・ｓの範囲に入る。粘度が１ｍＰａ・ｓより小
さい場合にはコーティングが困難であり、粘度が５００
ｍＰａ・ｓより大きい場合にもコーティングが困難とな
る。

【００２１】本発明で使用するコーティング方式として
は、例えばスピンコート、ディップコート、スプレーコ
ート、ロールコート、カーテンコートなどの他にインク
ジェット方式を用いることができる。さらに必要に応じ
てこれらを組み合わせることもできる。上記コーティン
グ方式で本発明の組成物溶液を塗布するときの雰囲気
は、好ましくはアルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性
ガスであり、温度は溶液材料のレオロジー特性などによ
り室温から１００℃程度まで適宜選ぶことができる。

【００２２】本発明のコーティング組成物を塗布する基
板としては特に限定されないが、通常の石英、ホウ珪酸
ガラス、ソーダガラスなどのガラス類；ポリエチレンテ
レフタレート、ポリフェニレンサルファイドなどのプラ
スチック類；金、銀、銅、ニッケル、鉄、チタン、アル
ミニウム、タングステンなどの金属類の他、さらにこれ
らの金属を表面に有するガラス、プラスチック、他種金
属基板などを使用することができる。

【００２３】本発明のコーティング組成物は塗布した
後、溶媒を除去するために加熱処理に付される。加熱す
る温度は使用する溶媒の種類、沸点により異なるが、好
ましくは１００℃〜２００℃である。雰囲気は上記塗布
工程と同じ窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス
中で行うことが好ましい。

【００２４】本発明のシリコン化合物の塗膜は熱処理お
よび／または光照射処理によってシリコン膜に変換する
ことができる。かくして得られるシリコン膜はアモルフ
ァス状あるいは多結晶状であるが、熱処理の場合には、
一般に到達温度が７００℃以下の温度ではアモルファス
状、それを超える温度では多結晶状のシリコン膜が得ら
れる。アモルファス状のシリコン膜を得たい場合は、好
ましくは３００℃〜６００℃、より好ましくは３５０℃
〜５００℃が用いられる。到達温度が３００℃未満の場
合は、シリコン化合物の２−ノルボルニル基の熱分解が
十分に進行せず、十分な厚さのシリコン膜を形成できな
い場合がある。上記熱処理を行う場合の雰囲気は窒素、
ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスもしくは水素など
の還元性ガスを混入したものも使用できる。熱処理条件
を多段階に分けて行うこともできる。

【００２５】本発明で使用する光の光源としては、低圧
あるいは高圧の水銀ランプ、重水素ランプあるいはアル
ゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスの放電光の他、
ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザ
ー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、
ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源と
して使用することができる。これらの光源は一般には、
１０〜５０００Ｗの出力のものが用いられる。通常１０
０〜１０００Ｗで十分である。これらの光源の波長は環
状ケイ素化合物および光開環ケイ素化合物塗膜が多少で
も吸収するものであれば特に限定されないが、好ましく
は１７０ｎｍ〜６００ｎｍである。また、シリコン膜へ
の変換効率の点でレーザー光の使用が特に好ましい。こ
れらの光処理時の温度は、好ましくは室温〜５００℃で
あり、得られるシリコン膜の半導体特性に応じて適宜選
ぶことができる。

【００２６】また、本発明のシリコン化合物の塗膜は溶
媒を除去された後、不活性ガス雰囲気中で、熱処理およ
び／または光処理に供される。溶媒可溶性のシリコン化
合物は本熱処理および／または本光処理により溶媒不溶
性の強靭な塗膜になるだけでなく光学的電気的特性に優
れたシリコン塗膜に変換される。特にプラスチック基板
などの場合には熱処理よりも光処理の法が好ましい。こ
れらの金属シリコン膜への変換するための熱処理だけあ
るいは光処理だけでもよく、両者を組み合わせて行うこ
ともできる。

【００２７】本発明のシリコン化合物は、例えば２−ノ
ルボルニルトリクロロシラン、２−ノルボルニルトリブ
ロモシラン、２−ノルボルニルトリヨードシラン、１，
２−ジ（２−ノルボルニル）テトラクロロジシラン、
１，２−ジ（２−ノルボルニル）テトラブロモジシラ
ン、１，２−ジ（２−ノルボルニル）テトラヨードジシ
ラン、１，２，３−トリ（２−ノルボルニル）ペンタク
ロロトリシラン、１，２，３−トリ（２−ノルボルニ
ル）ペンタブロモトリシラン、１，２，３−トリ（２−
ノルボルニル）ペンタヨードトリシランのような、２−
ノルボルニル基を含有するハロシラン化合物とアルカリ
金属またはアルカリ土類金属とをエーテル系溶媒中で反
応させることにより製造することができる。エーテル系
溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロ
ピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエ
ーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネ
トール、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリ
コールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエ
チルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエー
テル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、プロ
ピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコ
ールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチル
エーテル、プロピレングリコールメチルエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどを挙げること
ができる。これらのうち上記ケイ素化合物の溶解性が良
好であるので、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテルなどが好ましい。これらのエ
ーテル系溶媒は水分を予め除去しておくことが望まし
い。水分の除去法としては、ナトリウム−ベンゾフェノ
ンケチルの存在下での脱気蒸留法などが好ましい。エー
テル系溶媒の使用量は、上記ケイ素化合物１重量部に対
して１〜２０重量部が好ましく、より好ましくは３〜７
重量部である。

【００２８】アルカリ金属としては、例えばリチウム、
ナトリウム、カリウムが好ましく、またアルカリ土類金
属としては、例えばマグネシウムが好ましい。これらの
使用量は、反応させるケイ素のハロゲン原子に対して
１.５当量以上である。アルカリ金属の使用量が１.５当
量より小さい場合には、また、反応では必要に応じて外
部から超音波を照射することにより反応を促進すること
ができる。ここで使用される超音波の振動数としては１
０〜７０ＫＨｚ程度のものが望ましい。

【００２９】反応の温度は−７８℃〜１００℃が好まし
い。反応温度が−７８℃未満では反応速度が遅く生産性
が悪くなり、また、反応温度が１００℃を超える場合に
は、反応が複雑になり目的物の収率が低下するようにな
る。

【００３０】

【実施例】以下に、本発明を下記実施例により詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。

【００３１】実施例１温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置
を取り付けた内容量が１Ｌの４つ口フラスコ内をアルゴ
ンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン５０
０ｍＬとリチウム２.３ｇを仕込み、アルゴンガスでバ
ブリングした。これを０℃で攪拌しながら２−ノルボル
ニルトリクロルシラン２５ｇを滴下ロートよりゆっくり
添加した。反応系はすぐに褐色に着色する。２−ノルボ
ルニルトリクロルシランを滴下終了後、さらに０℃で２
時間攪拌した後、さらに室温で攪拌しリチウムを完全に
反応させた。反応終了後、少量のエタノールを加えリチ
ウムを失活させ、さらにこれを多量の水に注ぎ生成物を
沈殿させた。沈殿物を濾別し水洗した後、真空乾燥する
ことにより１１ｇ（８２％収量）の白色粉末を得た。こ
の白色粉末をシリカゲルのクロマトグラフィーにより
３.５ｇのシリコン化合物が得られた。このものの¹Ｈ−
ＮＭＲスペクトル、 ¹³ Ｃ−ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペ
クトルをそれぞれ図１、図２および図３に示す。また、
この化合物のＴＯＦ−ＭＳスペクトルを図４に示す。な
お、図４において、ｍ／ｚ＝７３９.５８のピークは式
（５）で表されるシリコン化合物に由来するものと信じ
られ、ｍ／ｚ＝８６３.８６２、９８６.５８、１１１
０.１５、および１２３３.２５の各ピークは、式
（６）、式（３）、式（４）、および式（２）で表され
るシリコン化合物にそれぞれ由来するものと信じられ
る。

【００３２】実施例２実施例１で使用したリチウム２.３ｇに代え、マグネシ
ウム４ｇを使用し、２０℃で撹拌しながら２−ノルボル
ニルトリクロルシラン２５ｇを滴下ロートよりゆっくり
添加した。はじめの１０ｇの添加で反応系は還流が始ま
り、系は褐色に着色した。さらに外部からの加熱するこ
となく還流が持続するように残りの２−ノルボルニルト
リクロルシランをゆっくりと滴下した。滴下終了後、室
温下にてさらに３時間撹拌を続けた。他の工程は実施例
１と同様にして、４.０ｇのシリコン化合物を得た。こ
のシリコン化合物の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル、¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲスペクトル、ＩＲスペクトルおよびＴＯＦ−ＭＳス
ペクトルは実施例１で得られたシリコン化合物と実質的
に同一であった。

【００３３】実施例３実施例１で得られたシリコン化合物５ｇをトルエン９５
ｇに溶かした透明黄褐色の溶液を調製した。この溶液の
粘度は１５ｍＰａ・ｓであった。この溶液を４０℃で１
週間保存した溶液について観察したところ、外見上何の
変化も観察されず、再度粘度を測定したが１５ｍＰａ・
ｓであり、粘度変化は観察されなかった。

【００３４】実施例４実施例１で得られたシリコン化合物５ｇをシクロヘキサ
ノン９５ｇに溶解してシリコン化合物溶液を調製した。
この溶液を石英基板にスピンコートした後、この塗布基
板をアルゴン雰囲気下で７００℃に加熱すると、ノルボ
ルニル基が熱により除去され、基板上にはシリコンの膜
が残留した。このシリコン膜はラマン散乱スペクトルか
ら、１００％アモルファス状態であった。このアモルフ
ァス状態のシリコンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０
８ｎｍ）を照射したところ、シリコンが多結晶化し結晶
化率が７５％であった。多結晶化したシリコン膜をＥＳ
ＣＡスペクトルにてケイ素原子の２Ｐ軌道エネルギーを
測定すると９９.０ｅＶでありシリコンであることが判
った。

【００３５】実施例５実施例４で用いたシリコン化合物溶液を石英基板にスピ
ンコートした後、クリーンオーブン中で１００℃で３０
分間加熱処理を行い乾燥させた。このケイ素ポリマー膜
をアルゴン雰囲気下でＸｅＣｌエキシマレーザー（３０
８ｎｍ）を５００ｍＪ／ｃｍ²照射した。照射した部分
の膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ素原子の２Ｐ軌道エ
ネルギーを測定すると９９.０ｅＶであった。ケイ素ポ
リマーに直接ＸｅＣｌエキシマレーザーを照射すること
によりケイ素ポリマー膜はシリコン膜に変換されること
が判った。

【００３６】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、従
来のシリコン膜形成方法と異なる新しいコーティングプ
ロセスでシリコン膜を形成することができるため、従来
のＣＶＤのような気相からの堆積ではなく、液相の材料
を塗布した後、熱および／または光のエネルギーにより
電子材料としてのシリコン膜へ変換するためのコーティ
ング可能な新規なノルボルニル基を持つシリコン化合物
が提供される。本発明では、従来のＣＶＤ法と異なりシ
リコン膜形成時に粉末の発生を防止でき、大掛かりな真
空プロセスを用いないので、高価な装置を必要としない
のみならず大面積の基板上にも容易にシリコン膜を形成
できるので、本発明により、シリコン膜を有するＬＳ
Ｉ、薄膜トランジスター、光電変換装置、及び感光体な
どの半導体デバイスを省エネルギープロセスで製造する
ことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られた本発明のシリコン化合物の
¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。

【図２】実施例１で得られた本発明のシリコン化合物の
¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。

【図３】実施例１で得られた本発明のシリコン化合物の
ＩＲスペクトル図である。

【図４】実施例１で得られた本発明のシリコン化合物の
ＴＯＦ−ＭＳスペクトル図である。

フロントページの続きＦターム(参考） 4H049 VN01 VP06 VP07 VP08 VP09 VQ06 VQ76 VR11 VR21 VU20 VU25 VU36 VW02 4J038 DL011 JC30 PB09 4K030 AA06 AA09 BA29 DA08 5F053 AA03 AA06 BB09 DD01 FF01 GG02 GG03 HH05 LL04 LL10 RR13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記式（１）（ＲＳｉ）_xＨ_y ．．．（１）ここで、Ｒは２−ノルボルニル基であり、ｘは５〜１０
の整数であり、ｙは０または１である、で表される、ノ
ルボルニル基を持つシリコン化合物。
【請求項２】上記式（１）で表されるノルボルニル基
を持つシリコン化合物を含有することを特徴とするコー
ティング組成物。
【請求項３】基板の表面に請求項２に記載のコーティ
ング組成物を塗布しそして乾燥して塗膜とした後、光お
よび／または熱によりシリコン化合物を分解せしめてシ
リコン膜に変換することを特徴とする、シリコン膜の製
造法。