JP2001057434A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】薄膜トランジスタを用いた半導体装置に於い
て、遮光方法提供する。 【解決手段】絶縁表面上に形成され、ソース領域、ドレ
イン領域及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、前
記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト
絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、前記ゲイト電極上
方に形成された有機樹脂膜又は酸化珪素膜と有機樹脂膜
とでなる多層膜でなる第１の層間絶縁膜と、前記ソース
領域に接続され、前記第１の層間絶縁膜上に形成された
ソース電極と、前記第１の層間絶縁膜に形成され、前記
ソース電極を間に挟む第２の層間絶縁膜とを有し、前記
ソース電極はチャネル形成領域に照射される光を遮光
し、前記第２の層間絶縁膜は窒化珪素、窒化アルミニウ
ム及び酸化アルミニウムのいずれかであることを特徴と
する半導体装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、液晶
表示装置等の電気光学装置に用いられる薄膜トランジス
タの構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置に
代表される電気光学装置において、駆動素子やスイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴと称される）
を用いる構成が知られている。薄膜トランジスタは、ガ
ラス基板上等に気相法により半導体（一般にシリコン半
導体）の薄膜を形成し、該薄膜半導体を用いて構成され
るものである。この薄膜トランジスタは、イメージセン
サ等にも利用される。

【０００３】図４に従来技術における薄膜トランジスタ
を用いたアクティブマトリクス回路の一つの画素の部分
の上面図及び断面図を示す。図４（Ａ）は断面図であ
り、図４（Ｂ）に示す上面図のＡ−Ａ’で示される断面
を示すものである。図４（Ａ）にその断面が示される薄
膜トランジスタは、ガラス基板４０１、該ガラス基板４
０１上に設けられたソース領域４０２とチャネル形成領
域４０３とドレイン領域４０４とを備えたアモルファス
シリコンまたは結晶性シリコンからなる半導体活性層、
酸化珪素もしくは窒化珪素からなるゲイト絶縁膜４０
５、酸化珪素からなる層間絶縁層４０７、ドレインコン
タクト部４１２、ソースコンタクト部４１１、ドレイン
電極４１０、ドレイン電極４１０に連結され画素電極を
構成する透明導電膜（ＩＴＯ等）４０８で構成されてい
る。（ＴＦＴの動作においては、上記のソース／ドレイ
ンの関係は逆転することもある）

【０００４】この図４（Ａ）で示される薄膜トランジス
タのソース領域４０２は、ソースコンタクト部４１１を
介してソース線４０９に接続されている。またゲイト電
極４０６がゲイト線４１３に接続されている。一般にソ
ース線とゲイト線は直交するが、そうでない場合も考え
られる。ゲイト電極４０６およびゲイト線４１３は、一
般にアルミニウム等の金属や燐の添加された多結晶シリ
コン等の半導体で構成されている。

【０００５】図４に示されるのは単一の画素であるが、
実際には、図４で示すような画素がソース線とゲイト線
の交点に少なくとも１つ配置されることでアクティブマ
トリクス回路が形成され、アクティブマトリクス回路の
形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板、さら
にはの間に液晶材料を封入することにより液晶パネルが
構成される。このような構成を有する液晶パネルを用い
た液晶表示装置としては、 （１）液晶パネルにライト（バックライト）を当て、液
晶表示をおこなう。 （２）液晶表示パネルに強力な光源を当て、液晶パネル
を透過した光をスクリーンに投射して映像を写す。（液
晶プロジェクター） （３）液晶表示パネルの裏面側に反射板を配置し、外部
からの光の反射光で表示をおこなう。といった方法があ
る。

【０００６】上記方法の中で特に（１）と（２）の方式
を採用し、ガラス基板側から光の照射を行う場合、活性
層特にチャネル形成領域を照射光から遮蔽する必要があ
る。これは活性層（図４の４０２〜４０４で示される半
導体層）が、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等
の結晶性シリコンで形成されていることに起因する。一
般にシリコン半導体に光が照射されることで、その抵抗
は変化する。特にアモルファスシリコンや結晶性シリコ
ンを用いた場合には、膜中に不対結合手が存在してお
り、強光の照射によって、その電気的な特性が大きく変
化してしまう。また、チャネル形成領域は真性の半導体
が用いられるが、これはソース／ドレインに用いられる
Ｎ型もしくはＰ型の半導体に比較すると、光による抵抗
変化が大きいので、チャネル形成領域に光が照射される
ことは是非とも避けなければならないことであった。

【０００７】図４に示されるゲイト電極が半導体活性層
の上にある構造の薄膜トランジスタ（トップゲイト型Ｔ
ＦＴ）において、４１４で示されるようにゲイト電極４
０６上から光の照射をおこなう場合、ゲイト電極４０６
がマスクとなるので、チャネル形成領域４０３へは光が
進入しないと考えられるかもしれない。しかしながら、
実際には照射される光４１４はゲイト電極４０６を回り
込んで、一部の光がチャネル形成領域４０３に進入し、
チャネル形成領域の伝導率が光の照射によって変化し、
その特性が変化してしまう。

【０００８】すなわち、ゲイト電極だけではチャネル形
成領域への光の進入を完全に防止することは不可能であ
る。これはチャネル形成領域とゲイト電極が自己整合的
（セルフアライン的）に形成される場合には顕著であっ
た。この問題を解決するには、やはり別途、遮光層や遮
光膜を設ける構成が有用であるが、この場合も作製工程
の増加という問題が生じてしまう。

【０００９】

【発明を解決しようとする課題】本発明は、図４で示さ
れるような薄膜トランジスタの構成において、活性層、
特にチャネル形成領域に光が照射されない、もしくは光
が進入しないような構成を、その作製工程を増やさずに
実現することを課題とする。特に本発明では、ゲイト電
極とソース／ドレインとの重なりが極めて小さいセルフ
アラインプロセスによって、ソース／ドレインの形成さ
れた薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス回
路に関して有効である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明では、アクティブ
マトリクス回路において、ソース線もしくはその延長上
の配線もしくは電極（この両者は明確に区別できるもの
ではない）をチャネル形成領域の遮光に用いるべく、チ
ャネル形成領域を覆って、ソース線もしくはその延長上
の配線もしくは電極を形成することを特徴とする。チャ
ネル形成領域はゲイト電極と半導体活性層の重なる部分
に含まれるので、このような領域を覆って、ソース線も
しくはその延長上の配線・電極を形成することもほぼ同
義である。上記構成において、絶縁表面を有する基板と
しては、ガラス基板やプラスチック基板、絶縁膜がその
表面に形成された金属基板や半導体基板を挙げることが
できる。

【００１１】薄膜トランスタのソース線またはその延長
上の配線・電極が、少なくとも前記薄膜トランジタのチ
ャネル形成領域とを覆って形成されているという構成の
例として、図２（Ｄ）に示す構成を挙げることができ
る。図２（Ｄ）には、薄膜トランジスタのソース領域１
０４にコンタクト部１０８で接続されたソース線の電極
・配線１１２が、チャネル形成領域１０５を覆う構成が
示されている。即ち、図２（Ｄ）には、電極配線１１２
がゲイト電極１０７とともに、その下に設けられたチャ
ネル形成領域１０５の遮光膜として機能する構成が示さ
れている。

【００１２】なお、同様な構成は画素電極１０３とドレ
イン１０３とを接続する配線・電極を用いても可能であ
ると考えられるかもしれない。しかしながら、この場合
には、画素電極とゲイト電極の間の寄生容量が大きくな
り、ゲイト線の電位変化が画素電極に影響し、アクティ
ブマトリクスの動作において著しい障害をもたらす。
（例えば、小野記久雄他、フラットパネルディスプレ
ー’９１、ｐ１０９）一方、本発明のようにソース線と
ゲイト線の寄生容量による容量結合は薄膜トランジスタ
の動作速度に対しては障害となるものの、画素の電位に
影響することはないので、画像表示上は何ら問題となら
ない。また、本発明によって、ゲイト電極の上にソース
配線が重なることによって生じる寄生容量も、もともと
アクティブマトリクスのソース線とゲイト線の交差部に
おける寄生容量の１０倍以下であり、実質的には障害と
ならない。

【００１３】図２に断面が示される上記構成の具体的な
上面から眺めた様子を図１（Ａ）に示す。図１（Ｂ）
は、図１（Ａ）の回路図である。図１（Ａ）から明らか
なように、画素電極１０３はコンタクト部１０９を介し
て、配線によって薄膜トランジスタのドレイン領域１０
６と接続されているが、この配線はチャネル形成領域を
覆う構造とはなっていない。一方、薄膜トランジスタの
ソース領域１０４とコンタクト１０８を介して接続され
るソース線の延長部分１１２はチャネル形成領域（すな
わち、ゲイト電極１０７と半導体活性層との重なった部
分）を覆って形成されており、チャネル形成領域１０５
の遮光層として機能する。

【００１４】

【作用】薄膜トランジスタのソース（またはドレイン）
に接続された配線・電極がチャネル形成領域の遮光層と
して機能するように構成することで、前記電極側から照
射される光照射によって、薄膜トランジスタの特性が変
化したり、劣化したりする問題を解決することができ
る。また、他方のドレイン（またはソース）に接続され
る配線・電極は画素電極に接続される。

【００１５】本発明によって、液晶表示パネルを構成す
る場合には、光がアクティブマトリクス基板の上方から
照射されるように、すなわち、光源から、対向基板、ア
クティブマトリクス基板と配置されるようすることが必
要である。アクティブマトリクス基板の下方（薄膜トラ
ンジスタの裏側）から光を照射した場合には、本発明の
遮光の効果は全くなくなる。

【００１６】

【実施例】〔実施例１〕本実施例の概略の上面図を図１
（Ａ）に示す。またその回路図を図１（Ｂ）に示す。図
１は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の一つの
画素電極部分を示すものである。図１（Ａ）には、画素
に配置された画素電極１０３と、画素電極に接続された
スイッチング用の薄膜トランジスタを構成するソース領
域１０４、チャネル形成領域１０５、ドレイン領域１０
６と、ソース領域１０８にコンタクト部１０８を介して
接続されたソース線１０２と、チャネル領域１０５上に
ゲイト絶縁膜（図示せず）を介して設けられたゲイト電
極１０７と、該ゲイト電極１０７から延在したゲイト線
１０１とが示されている。

【００１７】また、図１（Ｂ）には、薄膜トランジスタ
１１０と該薄膜トランジスタ１１０のドレイン領域１０
６に接続され（実際には（Ａ）に示すようにコンタクト
１０９を介して接続される）、画素電極１０３から電界
を印加される液晶１１１とが示されている。

【００１８】図１のＢ−Ｂ’で示される断面を図２
（Ｄ）に示す。本実施例に示す構成においては、図１
（Ａ）や図２（Ｄ）に示すように、ソース電極配線１０
２の一部が薄膜トランジスタの半分以上を覆うように構
成されている。ソース線やゲイト線はアルミニウムやそ
の他の金属さらには半導体またはそれらの積層体で構成
される。

【００１９】図１や図２に示す構成を採用した場合、ゲ
イト電極側から照射される光が延在したソース電極配線
１１２によって遮蔽されるので、薄膜トランジスタの半
分以上の領域に光が照射されることない構成とすること
ができる。特にチャネル形成領域１０５にゲイト電極１
０７の側面を回り込んで照射される光を遮蔽することが
できる。

【００２０】図１及び図２（Ｄ）に示す薄膜トランジス
タの作製工程を図２（Ａ）以下に示す。以下においては
マトリクスを構成する一つの画素に配置されるＴＦＴに
ついてその作製工程を示す。勿論、他にマトリクス配置
された多数の画素が同様な構成が形成されることはいう
までもない。

【００２１】まずガラス基板２００を用意する。基板と
しては、絶縁表面を有する基板であれば用いることがで
きる。例えば絶縁膜がその表面に形成された半導体基板
や金属基板を用いることができる。

【００２２】ガラス基板２００の表面には、図示しない
が下地膜として酸化珪素膜や窒化珪素膜を形成する。こ
れは、ガラス基板からの不純物の拡散防止や熱処理時の
ストレス緩和のためである。

【００２３】そして薄膜トランジスタの活性層を構成す
る薄膜半導体２０１を形成する。ここでは、プラズマＣ
ＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法によってアモルファスシリ
コン薄膜を１０００Åの厚さに形成する。（図２（Ａ）

【００２４】本実施例においては、活性層として結晶化
した半導体層を用いるので、ここで２０１で示されるア
モルファスシリコン薄膜を結晶化する。結晶化は、６０
０℃、１２時間の加熱処理（熱アニール）を不活性雰囲
気中で行うことによりおこなう。結晶化促進のためにニ
ッケル等の結晶化を助長する元素を微量添加してもよ
い。

【００２５】なお、結晶化工程は、レーザー光やそれと
同等な強光の照射によるものであってもよい。さらに、
一度、熱アニールによって結晶化したシリコン膜にレー
ザー光もしくはそれと同等な強光を照射してもよい。ま
た薄膜トランジスタの特性が低くてよいのであれば、ア
モルファスシリコンのままであってもよい。

【００２６】次に薄膜トランジスタの活性層の大きさに
結晶化したシリコン半導体薄膜をパターニングする。こ
うして薄膜トランジスタの活性層２０２を形成する。そ
してゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜２０３を１０００Å
の厚さにプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法によ
って形成する。

【００２７】次にアルミニウム等の金属もしくは燐をド
ープした多結晶シリコンを形成し、そして、パターニン
グを施すことにより、ゲイト電極１０７を形成する。こ
の際、ゲイト配線１０１（図１（Ａ）参照）も同時に形
成される。

【００２８】そして、燐のイオン注入を行い、ソース１
０４とドレイン１０６とを形成する。この際、ゲイト電
極１０７がマスクとなり、領域１０４と１０６とに燐イ
オンが注入され、領域１０５には燐イオンが注入されな
い。こうしてチャネル形成領域１０５も同時に形成され
る。燐が注入されたためにソースおよびドレインはＮ型
となる。ソース／ドレインをＰ型とするには、例えば、
ホウ素を注入すればよい。（図２（Ｃ））

【００２９】次に先のイオン注入において損傷した部分
のアニールと注入された不純物イオンの活性化のために
レーザー光の照射によるアニールを行う。ここではＫｒ
Ｆエキシマレーザーを用いる。この工程は、６００℃程
度の低温での熱アニールでおこなってもよい。（図２
（Ｃ））

【００３０】次に層間絶縁層として酸化珪素膜１０７を
形成し、さらに穴明けパターニングを施し、金属配線を
形成することにより、コンタクト部１０８、１０９を形
成する。配線パターンは、図１（Ａ）に示すように、ソ
ース線１０２から延在した１１２で示されるソース配線
部分が薄膜トランジスタの半分以上を覆っている構成と
なっている。

【００３１】特にチャネル形成領域１０５の上部を覆う
ようにソース配線１１２が設けられていることは重要で
ある。このような構成を採用することにより、ゲイト電
極側から照射される光がチャネル形成領域１０５に照射
されない構成とすることができ、光の照射による薄膜ト
ランジタの特性変化や劣化がない構成とすることができ
る。

【００３２】〔実施例２〕本実施例は、ゲイト電極とし
てアルミニウムを用い、ゲイト電極の側面および上面に
陽極酸化工程によって形成した酸化物層を形成し、耐圧
を高めた構造を有する薄膜トランジスタに関する。図３
に本実施例の作製工程を説明する。まずガラス基板３０
０上に下地膜（図示せず）として酸化珪素膜を２０００
Åの厚さに成膜する。次にアモルファスシリコン薄膜３
０１をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法で形成す
る。（図３（Ａ））

【００３３】次に６００℃、１２時間の加熱処理を施す
ことにより、アモルファスシリコン膜３０１を結晶化さ
せる。そして薄膜トランジスタの活性層の大きさにパタ
ーニングを施し、結晶性を有するシリコン薄膜よりなる
活性層３０２を形成する。そしてゲイト絶縁膜として機
能する酸化珪素膜３０３を１０００Åの厚さにプラズマ
ＣＶＤ法またはスパッタ法によって形成する。（図３
（Ｂ））

【００３４】次にゲイト電極となるアルミニウムを主成
分とする膜を５０００Åの厚さに形成する。アルミニウ
ムには０．１〜０．５重量％、例えば、０．２重量％の
スカンジウム（Ｓｃ）を混入させると、その後の陽極酸
化工程等におけるヒロックの発生を防止することができ
た。

【００３５】その後、アルミニウム膜のエッチングを施
し、ゲイト電極３０４を形成する。そして、ほぼ中性の
電解溶液中でゲイト電極３０４を陽極として陽極酸化を
行うことにより、酸化物層３０６を１０００〜３０００
Å、例えば、２０００Å程度の厚さに形成する。その際
にはゲイト電極に印加される電圧は最大で１２０Ｖ程度
になる。この酸化物層は十分な耐圧を示すことが好まし
い。そのため、十分に緻密な酸化膜とすることが望まれ
る。上記のような条件で作製された陽極酸化物被膜はバ
リヤ型の陽極酸化物と称され、最大印加電圧（この場合
は１２０Ｖ）の９０％程度の耐圧がある。（図３
（Ｃ））

【００３６】次に燐のイオン注入を行い、領域３０６及
び領域３０７に燐を注入し、ソース３０６とドレイン３
０７とを形成する。この際、３０８がチャネル形成領域
として、自己整合的に形成される。なお、実施例１の場
合とは異なり、陽極酸化物被膜３０５の厚さの分だけ、
ソース／ドレインがゲイト電極から遠ざかった、いわゆ
るオフセット状態となる。このようなオフセット状態
は、薄膜トランジスタに顕著なリーク電流を低減するこ
とに有効である。次にＫｒＦエキシマレーザーを照射す
ることにより、イオン注入が行われた領域のアニールと
注入されたイオンの活性化をおこなう。（図３（Ｃ））

【００３７】次に層間絶縁層として酸化珪素膜３０９を
プラズマＣＶＤ法で７０００Å程度の厚さに成膜する。
この層間絶縁層は、酸化珪素と有機樹脂との積層や有機
樹脂で構成するのでもよい。

【００３８】さらに画素電極３１０をＩＴＯで形成する
とともに穴明けエッチングをおこない、金属電極配線を
形成する。金属配線・電極３１３はソース線に延在する
配線・電極で、３１２でコンタクトしている。コンタク
ト３１１から延在しているドレイン電極・配線は、画素
電極３１０に接続されている。

【００３９】本実施例においても、ソース配線に延在し
た電極３１３が薄膜トランジスタのソース３０６とチャ
ネル形成領域３０８とを覆うように形成されているの
で、チャネル形成領域に光が照射されることがなく、光
照射による薄膜トランジスタの特性変化や劣化がない構
成を実現することができる。

【００４０】特に本実施例のようにアルミニウムを主成
分とする電極の周囲に酸化物層を設けた構成を採用した
場合には、ソースに接続された配線・電極でチャネル形
成領域を覆う構成が有用である。アルミニウムの酸化物
層は透光性を有しているので、何ら遮光層が存在してい
ない場合、ゲイト電極側から照射された光がオフセット
ゲイト領域（チャネル形成領域３０８において、ゲイト
電極３０４が覆っていない領域）を通して、もしくは、
屈折してチャネル形成領域に照射されてしまう。従っ
て、本実施例のように電極配線３１３を形成することに
より、オフセットゲイト領域やチャンネル形成領域に光
が照射されない構成とすることができる。

【００４１】加えて、実施例１の場合にはゲイト電極と
ソース線の間には層間絶縁物しか存在しなかった。しか
しながら、薄膜トランジスタの部分は構造が複雑で、段
差が多く、単一の層間絶縁物では段差被覆性に問題が生
じることもあり、絶縁性が不十分なこともあった。しか
し、本実施例では、層間絶縁物に加えて、ゲイト電極の
上面および側面に耐圧の十分な陽極酸化物が被覆されて
おり、ソース線とゲイト電極との間のリーク電流を極
力、低減させることが可能であった。

【００４２】本実施例では、燐を不純物として用いたた
めにＮチャネル型のＴＦＴとなった。しかしながら、一
般にＮチャネル型ＴＦＴはリーク電流が大きいことから
アクティブマトリクスの画素としては、Ｐチャネル型Ｔ
ＦＴの方が好ましい。その場合には図３（Ｃ）の工程に
おいて、燐の代わりにホウ素をドーピングすればよい。

【００４３】〔実施例３〕 図５に本実施例を示す。実
施例１および２においては、画素とＴＦＴのドレインと
は金属配線で接続されていたが、図５のように、ＩＴＯ
によって直接、接続されてもよい。本実施例では、ＩＴ
Ｏの存在する層とソース線の存在する層とを異なるよう
に設計した。この場合には、ＩＴＯのパターニングの際
の電蝕反応を抑制することができる。ソース線形成まで
の作製方法は実施例２とほぼ同様である。

【００４４】図５において、基板／下地酸化膜５００上
にソース５０６、チャネル形成領域５０８、ドレイン５
０７を有する多結晶シリコン活性層が形成され、さら
に、酸化珪素のゲイト絶縁膜５０３が形成されている。
ソース／ドレインはＰ型とした。そして、チャネル形成
領域上にはゲイト電極５０４が設けられ、ゲイト電極の
周囲には陽極酸化膜５０５が存在する。このＴＦＴを覆
って、層間絶縁物５０９が形成される。そして、まず、
ソース５０６に対してコンタクトホール５１２を形成
し、ここにソース線５１３を設ける。この場合もソース
線の延長の金属配線・電極５１３はチャネル形成領域を
覆っている。

【００４５】次に第２の層間絶縁物５１４を形成し、ド
レイン５０７に対してコンタクホール５１１を形成す
る。第２の層間絶縁物の材料としては、酸化珪素より
は、パッシベーション膜として用いられる窒化珪素、酸
化アルミニウム、窒化アルミニウムの方が好ましい。そ
して、ドレイン５０７に直接、ＩＴＯ膜の画素電極５１
０が接続されている。

【００４６】〔実施例４〕 図６に本実施例を示す。実
施例１乃至３においては、ＴＦＴの上方からの光の入射
に対してＴＦＴのチャネル形成領域を保護するものであ
ったが、図６のようにＴＦＴの下方からの光をも遮光す
る構造と組み合わせてもよい。本実施例は、ＴＦＴの下
方に遮光膜６１４設けたことを特徴とする。これはクモ
ム等の金属で形成され、接地されている。図６におい
て、基板５００上に、遮光膜６１４を形成し、その上に
酸化珪素の下地膜６０２を設けた。さらに、ソース６０
６、チャネル形成領域６０８、ドレイン６０７を有する
多結晶シリコン活性層が形成され、さらに、酸化珪素の
ゲイト絶縁膜６０３が形成されている。

【００４７】そして、チャネル形成領域上にはゲイト電
極６０４が設けられ、ゲイト電極の周囲には陽極酸化膜
６０５が存在する。このＴＦＴを覆って、層間絶縁物６
０９が形成され、コンタクトホール６１１、６１２が、
ドレイン、ソースにそれぞれに対して設けられている。
そして、ソース６０６には金属電極・配線６１３が、ド
レイン６０７にはＩＴＯ膜の画素電極６１０が接続され
ている。この場合もソース線の延長の金属配線・電極６
１３はチャネル形成領域を覆っている。なお、図６で
は、ソース線と画素電極が同じ層に存在するが、、実施
例３と同様に異なる層に存在するようにしてもよい。

【００４８】

【発明の効果】薄膜トランジスタのソース配線によっ
て、当該薄膜トランジスタのチャネル形成領域とを覆う
状態で形成することにより、この薄膜トランジスタの上
面から照射される光がチャネル形成領域に照射すること
を防ぐことができ、光照射による薄膜トランジスタの特
性変化や劣化を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例の画素部分と、そこに形成された薄膜
トランジスタの上面図とその回路図を示す。

【図２】 実施例の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。

【図３】 実施例の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。

【図４】 画素部分に形成された従来技術における薄膜
トランジスタの構成を示す。

【図５】 実施例の薄膜トランジスタの構造を示す。

【図６】 実施例の薄膜トランジスタの構造を示す。

【符号の説明】

１０１・・・・ゲイト線 １０２・・・・ソース線 １０３・・・・画素電極 １０４・・・・ソース １０５・・・・チャネル形成領域 １０６・・・・ドレイン １０７・・・・ゲイト電極 １０８・・・・コンタクト部 １０９・・・・コンタクト部 １１０・・・・薄膜トランジスタ １１１・・・・液晶 １１２・・・・ソース電極配線 ２００・・・・ガラス基板 ２０１・・・・アモルファスシリコン半導体層 ２０２・・・・活性層（結晶性シリコン層） ２０３・・・・ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁表面上に形成され、ソース領域、ドレ
   イン領域及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、 前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、 前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、 前記ゲイト電極上方に形成された有機樹脂膜又は酸化珪
   素膜と有機樹脂膜とでなる多層膜でなる第１の層間絶縁
   膜と、 前記ソース領域に接続され、前記第１の層間絶縁膜上に
   形成されたソース電極と、 前記第１の層間絶縁膜に形成され、前記ソース電極を間
   に挟む第２の層間絶縁膜とを有し、 前記ソース電極はチャネル形成領域に照射される光を遮
   光し、 前記第２の層間絶縁膜は窒化珪素、窒化アルミニウム及
   び酸化アルミニウムのいずれかであることを特徴とする
   半導体装置。
2. 【請求項２】請求項１において、 前記半導体膜の下に遮光膜を有することを特徴とする半
   導体装置。
3. 【請求項３】請求項２において、 前記遮光膜は接地されていることを特徴とする半導体装
   置。
4. 【請求項４】請求項１において、 前記画素電極は第１及び第２の層間絶縁膜に形成された
   コンタクトホールを通して前記ドレイン領域に接続され
   ていることを特徴とする半導体装置。