JP2001057301A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
抵抗器およびその製造方法Info
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- JP2001057301A JP2001057301A JP11231094A JP23109499A JP2001057301A JP 2001057301 A JP2001057301 A JP 2001057301A JP 11231094 A JP11231094 A JP 11231094A JP 23109499 A JP23109499 A JP 23109499A JP 2001057301 A JP2001057301 A JP 2001057301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低ＴＣＲ、抵抗値および信頼特性の向上した
抵抗器およびその製造方法を提供するものである。 【解決手段】 基体１の凹部２にＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層
４を有し、この抵抗層４と電気的に接続する一対の上面
電極層５を備え、抵抗層４を覆うように酸化物層６を介
して保護層７を設けるものである。
抵抗器およびその製造方法を提供するものである。 【解決手段】 基体１の凹部２にＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層
４を有し、この抵抗層４と電気的に接続する一対の上面
電極層５を備え、抵抗層４を覆うように酸化物層６を介
して保護層７を設けるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体ペーストを
用いた抵抗器およびその製造方法に関するものである。
用いた抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の抵抗器としては、銅−ニッケル合
金箔をアルミナなどの基材の上に張り付けて形成する方
法で実現されている。この方法による抵抗器は合金箔作
製、形状加工、組立と材料−工程コストがかかり、抵抗
体のパターン変更をするのに非常に手間がかかる。ま
た、レーザを用いたトリミングができないため従来から
確立されているトリミングラインを活用できない。
金箔をアルミナなどの基材の上に張り付けて形成する方
法で実現されている。この方法による抵抗器は合金箔作
製、形状加工、組立と材料−工程コストがかかり、抵抗
体のパターン変更をするのに非常に手間がかかる。ま
た、レーザを用いたトリミングができないため従来から
確立されているトリミングラインを活用できない。
【０００３】他方、抵抗体ペーストを基材上に印刷、焼
成して抵抗器をつくる技術としては、特開平２−３０８
５０１号公報に開示されているが、抵抗体膜とセラミッ
ク基材の接着や抵抗値の調整にガラスを用いており、
銅、ニッケル以外の成分が多量に存在していることか
ら、温度係数が銅−ニッケル合金の物性値と異なってい
る。また、ガラス成分は焼成条件によって金属成分中や
焼結粒子界面への拡散挙動が異なるため安定した抵抗値
特性が得られにくい。
成して抵抗器をつくる技術としては、特開平２−３０８
５０１号公報に開示されているが、抵抗体膜とセラミッ
ク基材の接着や抵抗値の調整にガラスを用いており、
銅、ニッケル以外の成分が多量に存在していることか
ら、温度係数が銅−ニッケル合金の物性値と異なってい
る。また、ガラス成分は焼成条件によって金属成分中や
焼結粒子界面への拡散挙動が異なるため安定した抵抗値
特性が得られにくい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の抵抗器は、
１００ｍΩ以下の抵抗値レンジを扱うため給電部の端子
電極の特性や抵抗体／電極界面の構造が抵抗器としての
特性を大きく左右し、また、１０ｍΩ以下の超低抵抗値
レンジでは抵抗体膜厚を数十〜数百μｍオーダーで形成
しなければならないという課題があった。
１００ｍΩ以下の抵抗値レンジを扱うため給電部の端子
電極の特性や抵抗体／電極界面の構造が抵抗器としての
特性を大きく左右し、また、１０ｍΩ以下の超低抵抗値
レンジでは抵抗体膜厚を数十〜数百μｍオーダーで形成
しなければならないという課題があった。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、低ＴＣＲ、低抵抗値および信頼特性の向上した抵抗
器およびその製造方法を提供するものである。
で、低ＴＣＲ、低抵抗値および信頼特性の向上した抵抗
器およびその製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の凹部内
に設けられたＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層と、この抵抗層と電
気的に接続するように前記基板に設けられた一対の上面
電極層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設けられ
た酸化物層と、この酸化物層を覆うように設けられた保
護層とからなるものである。
に設けられたＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層と、この抵抗層と電
気的に接続するように前記基板に設けられた一対の上面
電極層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設けられ
た酸化物層と、この酸化物層を覆うように設けられた保
護層とからなるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、一方の面に凹部を有する基板と、この基板の凹部内
に設けられたＣｕ−Ｎｉ系からなる抵抗層と、この抵抗
層と電気的に接続するように前記基板に設けられた一対
の上面電極層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設
けられた酸化物層と、この酸化物層を覆うように設けら
れた保護層とからなるもので、低ＴＣＲができるととも
に、レーザトリミングが可能でさらに酸化物層を有する
ことにより耐酸化性に優れるという作用を有するもので
ある。
は、一方の面に凹部を有する基板と、この基板の凹部内
に設けられたＣｕ−Ｎｉ系からなる抵抗層と、この抵抗
層と電気的に接続するように前記基板に設けられた一対
の上面電極層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設
けられた酸化物層と、この酸化物層を覆うように設けら
れた保護層とからなるもので、低ＴＣＲができるととも
に、レーザトリミングが可能でさらに酸化物層を有する
ことにより耐酸化性に優れるという作用を有するもので
ある。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、両方の面
に凹部を有する基板と、この基板のそれぞれの凹部内に
設けられたＣｕ−Ｎｉ系からなる抵抗層と、この抵抗層
と電気的に接続するように前記基板にそれぞれ設けられ
た一対の上面電極層と、少なくとも前記抵抗層を覆うよ
うに設けられた酸化物層と、この酸化物層を覆うように
設けられた保護層とからなるもので、低ＴＣＲができる
とともに、レーザトリミングが可能でさらに酸化物層を
有することにより耐酸化性に優れるという作用を有する
ものである。
に凹部を有する基板と、この基板のそれぞれの凹部内に
設けられたＣｕ−Ｎｉ系からなる抵抗層と、この抵抗層
と電気的に接続するように前記基板にそれぞれ設けられ
た一対の上面電極層と、少なくとも前記抵抗層を覆うよ
うに設けられた酸化物層と、この酸化物層を覆うように
設けられた保護層とからなるもので、低ＴＣＲができる
とともに、レーザトリミングが可能でさらに酸化物層を
有することにより耐酸化性に優れるという作用を有する
ものである。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または２記載の基板の凹部は、内壁面に段部を備えたも
ので、抵抗層の焼結による上面電極層との接合部の段差
が緩和され電極切れが起こりにくいという作用を有する
ものである。
または２記載の基板の凹部は、内壁面に段部を備えたも
ので、抵抗層の焼結による上面電極層との接合部の段差
が緩和され電極切れが起こりにくいという作用を有する
ものである。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
または２記載の基板の凹部は、内壁面に傾斜部を備えた
もので、抵抗層の焼結による上面電極層との接合部の段
差が無いので、電極切れが起こりにくいという作用を有
するものである。
または２記載の基板の凹部は、内壁面に傾斜部を備えた
もので、抵抗層の焼結による上面電極層との接合部の段
差が無いので、電極切れが起こりにくいという作用を有
するものである。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
または２記載の基板の凹部は、内壁面を粗面化した粗面
化面を備えたもので、抵抗層が粗面化面に強固に接着す
るという作用を有するものである。
または２記載の基板の凹部は、内壁面を粗面化した粗面
化面を備えたもので、抵抗層が粗面化面に強固に接着す
るという作用を有するものである。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、基板の一
方の面の凹部内にＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層を形成し、この
抵抗層に電気的に接続して前記基板の上面に一対の上面
電極層を形成し、ホウ酸を添加したケイフッ化水素酸溶
液に浸漬して中性から酸性雰囲気で焼成して少なくとも
前記抵抗層を覆うように酸化物層を形成した後、この酸
化物層を覆う保護層を形成してなるもので、生産性が向
上するという作用を有するものである。
方の面の凹部内にＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層を形成し、この
抵抗層に電気的に接続して前記基板の上面に一対の上面
電極層を形成し、ホウ酸を添加したケイフッ化水素酸溶
液に浸漬して中性から酸性雰囲気で焼成して少なくとも
前記抵抗層を覆うように酸化物層を形成した後、この酸
化物層を覆う保護層を形成してなるもので、生産性が向
上するという作用を有するものである。
【００１３】また、請求項７に記載の発明は、基板の両
方の面のそれぞれの凹部内にＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層を形
成し、このそれぞれの抵抗層に電気的に接続して前記基
板の上面にそれぞれ一対の上面電極層を形成し、ホウ酸
を添加したケイフッ化水素酸溶液に浸漬して中性から酸
性雰囲気で焼成して少なくとも前記抵抗層を覆う酸化物
層を形成した後、この酸化物層を覆う保護層を形成して
なるもので、生産性が向上するという作用を有するもの
である。
方の面のそれぞれの凹部内にＣｕ−Ｎｉ系の抵抗層を形
成し、このそれぞれの抵抗層に電気的に接続して前記基
板の上面にそれぞれ一対の上面電極層を形成し、ホウ酸
を添加したケイフッ化水素酸溶液に浸漬して中性から酸
性雰囲気で焼成して少なくとも前記抵抗層を覆う酸化物
層を形成した後、この酸化物層を覆う保護層を形成して
なるもので、生産性が向上するという作用を有するもの
である。
【００１４】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
態１における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【００１５】図１は本発明の実施の形態１における抵抗
器の断面図である。
器の断面図である。
【００１６】図において、１は一方の面に凹部２を有す
るセラミック質からなる基体である。この基体１の凹部
２の内底面には、ガラス層３を備えている。また、凹部
２を充填して（表１）に示す少なくともＣｕ−Ｎｉ合金
を含有する抵抗層４を備えている。この抵抗層４と電気
的に接続して基体１の上面の側部まで延出する一対の上
面電極層５を備えている。また、少なくとも抵抗層４を
覆うとともに一部が上面電極層５に重畳するように酸化
物層６を備えている。少なくともこの酸化物層６を覆う
ように樹脂からなる保護層７を備えている。
るセラミック質からなる基体である。この基体１の凹部
２の内底面には、ガラス層３を備えている。また、凹部
２を充填して（表１）に示す少なくともＣｕ−Ｎｉ合金
を含有する抵抗層４を備えている。この抵抗層４と電気
的に接続して基体１の上面の側部まで延出する一対の上
面電極層５を備えている。また、少なくとも抵抗層４を
覆うとともに一部が上面電極層５に重畳するように酸化
物層６を備えている。少なくともこの酸化物層６を覆う
ように樹脂からなる保護層７を備えている。
【００１７】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を説明する。
以下にその製造方法を説明する。
【００１８】まず、基体１の凹部２の内底面に、ガラス
層３を形成する。
層３を形成する。
【００１９】次に、基体１の凹部２に抵抗ペーストを刷
り切り印刷し、約１００℃で約１０分間乾燥させてＣｕ
−Ｎｉ合金を含有する抵抗層４を形成する。この抵抗層
４を形成する抵抗ペーストは平均粒子径２μｍのアトマ
イズ粉からなる銅−ニッケル系合金粉に、ガラスを添加
し混合粉体を無機組成物とする。また、ビヒクルに有機
バインダであるエチルセルロースをターピネオールで溶
かしたものを用い有機組成物とする。これら有機組成物
と無機組成物とを三本ロールにて混練し、抵抗ペースト
とするものである。この際、抵抗ペーストの組成は（表
１）に示す。
り切り印刷し、約１００℃で約１０分間乾燥させてＣｕ
−Ｎｉ合金を含有する抵抗層４を形成する。この抵抗層
４を形成する抵抗ペーストは平均粒子径２μｍのアトマ
イズ粉からなる銅−ニッケル系合金粉に、ガラスを添加
し混合粉体を無機組成物とする。また、ビヒクルに有機
バインダであるエチルセルロースをターピネオールで溶
かしたものを用い有機組成物とする。これら有機組成物
と無機組成物とを三本ロールにて混練し、抵抗ペースト
とするものである。この際、抵抗ペーストの組成は（表
１）に示す。
【００２０】次に、抵抗層４に電気的に接続して基体１
の上面の側部まで延出するように、電極ペーストをスク
リーン印刷・乾燥させ窒素雰囲気にて約９００℃で約１
０分間焼成して上面電極層５を形成する。この上面電極
層５を形成する電極ペーストは、平均粒子径約２μｍの
銅粉を無機組成物とする。また、ビヒクルに有機バイン
ダであるエチルセルロースをターピネオールで溶かした
ものを用い有機組成物とする。これら、有機組成物と無
機組成物とを三本ロールにて混練し、電極ペーストとす
るものである。
の上面の側部まで延出するように、電極ペーストをスク
リーン印刷・乾燥させ窒素雰囲気にて約９００℃で約１
０分間焼成して上面電極層５を形成する。この上面電極
層５を形成する電極ペーストは、平均粒子径約２μｍの
銅粉を無機組成物とする。また、ビヒクルに有機バイン
ダであるエチルセルロースをターピネオールで溶かした
ものを用い有機組成物とする。これら、有機組成物と無
機組成物とを三本ロールにて混練し、電極ペーストとす
るものである。
【００２１】次に、ホウ酸を添加したケイフッ化水素酸
溶液中に浸漬させ、中性から弱酸性雰囲気で約２００℃
で約６０分間焼成して酸化物層６を形成する。
溶液中に浸漬させ、中性から弱酸性雰囲気で約２００℃
で約６０分間焼成して酸化物層６を形成する。
【００２２】最後に、少なくとも酸化物層６を覆うよう
に、樹脂を印刷・硬化させて保護層７を形成するもので
ある。
に、樹脂を印刷・硬化させて保護層７を形成するもので
ある。
【００２３】また、必要により保護層７を形成した後、
上面電極層５をブラスト処理するものである。
上面電極層５をブラスト処理するものである。
【００２４】以上のように構成・作製された抵抗器につ
いて、以下にその抵抗器を評価する。評価方法は、抵抗
器の端子間の上面電極層５の距離は４．０ｍｍで形成
し、この上面電極層５にプローブを固定し４端子法で端
子間抵抗値を求める。ＴＣＲ特性は、抵抗器を恒温槽に
入れ２５℃と１２５℃の抵抗値を測定しその変化率を求
める。高温放置における抵抗値変化は１６０℃で１００
０時間放置したときの抵抗値変化率を求める。また、作
製した抵抗器の断面部を走査電子顕微鏡、電子線マイク
ロアナライザ、Ｘ線微小回折計を用いて構造を明らかに
する。その結果を（表１）に示す。
いて、以下にその抵抗器を評価する。評価方法は、抵抗
器の端子間の上面電極層５の距離は４．０ｍｍで形成
し、この上面電極層５にプローブを固定し４端子法で端
子間抵抗値を求める。ＴＣＲ特性は、抵抗器を恒温槽に
入れ２５℃と１２５℃の抵抗値を測定しその変化率を求
める。高温放置における抵抗値変化は１６０℃で１００
０時間放置したときの抵抗値変化率を求める。また、作
製した抵抗器の断面部を走査電子顕微鏡、電子線マイク
ロアナライザ、Ｘ線微小回折計を用いて構造を明らかに
する。その結果を（表１）に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】（表１）より明らかなように、低抵抗値、
低ＴＣＲ、信頼性に優れた抵抗器が得られる。また、抵
抗値にあわせトリミングを通常ＹＡＧレーザーを用いて
行われる場合、金属箔や金属線を用いた抵抗体はＹＡＧ
レーザーのエネルギーを反射するためレーザトリミング
を行うことができないが、本発明の抵抗器はレーザトリ
ミング可能である。また、凹型の基体で焼成膜をセラミ
ック基体の５面に接触させることにより剥離を抑制する
ことができた。
低ＴＣＲ、信頼性に優れた抵抗器が得られる。また、抵
抗値にあわせトリミングを通常ＹＡＧレーザーを用いて
行われる場合、金属箔や金属線を用いた抵抗体はＹＡＧ
レーザーのエネルギーを反射するためレーザトリミング
を行うことができないが、本発明の抵抗器はレーザトリ
ミング可能である。また、凹型の基体で焼成膜をセラミ
ック基体の５面に接触させることにより剥離を抑制する
ことができた。
【００２７】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
態２における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【００２８】図２は本発明の実施の形態２における抵抗
器の断面図である。
器の断面図である。
【００２９】図において、１１は両方の面に凹部１２を
有するセラミック質からなる基体である。この基体１１
の両方の凹部１２の内底面には、ガラス層１３を備えて
いる。また、それぞれの凹部１２を充填して（表２）に
示す少なくともＣｕ−Ｎｉ合金を含有する抵抗層１４を
備えている。このそれぞれの抵抗層１４と電気的に接続
して基体１１の上面の側部まで延出する一対の上面電極
層１５を備えている。また、それぞれの少なくとも抵抗
層１４を覆うとともに一部がそれぞれの上面電極層１５
に重畳するように酸化物層１６を備えている。少なくと
もこのそれぞれの酸化物層１６を覆うように樹脂からな
る保護層１７を備えている。また、必要により基体１１
の上下面の上面電極層１５とを電気的に接続するよう
に、基体１１の側面に側面電極層１８を備えている。
有するセラミック質からなる基体である。この基体１１
の両方の凹部１２の内底面には、ガラス層１３を備えて
いる。また、それぞれの凹部１２を充填して（表２）に
示す少なくともＣｕ−Ｎｉ合金を含有する抵抗層１４を
備えている。このそれぞれの抵抗層１４と電気的に接続
して基体１１の上面の側部まで延出する一対の上面電極
層１５を備えている。また、それぞれの少なくとも抵抗
層１４を覆うとともに一部がそれぞれの上面電極層１５
に重畳するように酸化物層１６を備えている。少なくと
もこのそれぞれの酸化物層１６を覆うように樹脂からな
る保護層１７を備えている。また、必要により基体１１
の上下面の上面電極層１５とを電気的に接続するよう
に、基体１１の側面に側面電極層１８を備えている。
【００３０】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を説明する。
以下にその製造方法を説明する。
【００３１】まず、基体１１の両方の凹部１２の内底面
に、ガラス層１３を形成する。
に、ガラス層１３を形成する。
【００３２】次に、基体１１の両方の凹部１２に抵抗ペ
ーストを刷り切り印刷し、約１００℃で約１０分間乾燥
させてＣｕ−Ｎｉ合金を含有する抵抗層１４を形成す
る。この抵抗層１４を形成する抵抗ペーストは、実施の
形態１で説明したものと同様のものを形成する。
ーストを刷り切り印刷し、約１００℃で約１０分間乾燥
させてＣｕ−Ｎｉ合金を含有する抵抗層１４を形成す
る。この抵抗層１４を形成する抵抗ペーストは、実施の
形態１で説明したものと同様のものを形成する。
【００３３】次に、抵抗層１４に電気的に接続して基体
１１の上面の側部まで延出するように、電極ペーストを
スクリーン印刷・乾燥させ窒素雰囲気にて約９００℃で
約１０分間焼成して上面電極層１５を形成する。
１１の上面の側部まで延出するように、電極ペーストを
スクリーン印刷・乾燥させ窒素雰囲気にて約９００℃で
約１０分間焼成して上面電極層１５を形成する。
【００３４】次に、ホウ酸を添加したケイフッ化水素酸
溶液中に浸漬させ、中性から弱酸性雰囲気で約２００℃
で約６０分間焼成して酸化物層１６を形成する。
溶液中に浸漬させ、中性から弱酸性雰囲気で約２００℃
で約６０分間焼成して酸化物層１６を形成する。
【００３５】以上のように構成・作製された抵抗器につ
いて、以下にその抵抗器を評価する。評価方法は、実施
の形態１と同様に行うものとする。
いて、以下にその抵抗器を評価する。評価方法は、実施
の形態１と同様に行うものとする。
【００３６】
【表２】
【００３７】（表２）より明らかなように、低抵抗値、
低ＴＣＲ、信頼性の向上した抵抗器が得られる。
低ＴＣＲ、信頼性の向上した抵抗器が得られる。
【００３８】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
態３における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【００３９】図３は本発明の実施の形態３における抵抗
器の断面図である。ここで、本実施の形態と実施の形態
１の図１と同一構成要素は同一符号を付し説明は省略す
る。本実施の形態と実施の形態１の図１と相違する点
は、凹部２の内壁面に段部３１を有する点で異なる。
器の断面図である。ここで、本実施の形態と実施の形態
１の図１と同一構成要素は同一符号を付し説明は省略す
る。本実施の形態と実施の形態１の図１と相違する点
は、凹部２の内壁面に段部３１を有する点で異なる。
【００４０】図において、１は凹部２を有する基体であ
る。この基体１の凹部２は、その内壁面に段部３１を有
している。この段部３１を有する凹部２の内底面にガラ
ス層３を備えている。他の構成は実施の形態１の図１と
同一構成であるので説明は省略する。
る。この基体１の凹部２は、その内壁面に段部３１を有
している。この段部３１を有する凹部２の内底面にガラ
ス層３を備えている。他の構成は実施の形態１の図１と
同一構成であるので説明は省略する。
【００４１】また、本実施の形態では凹部の内壁面に段
部を有するように構成したが、図４に示すように凹部２
の内壁面に傾斜部４１を設けても同様の効果を奏するも
のである。
部を有するように構成したが、図４に示すように凹部２
の内壁面に傾斜部４１を設けても同様の効果を奏するも
のである。
【００４２】また、図５に示すように凹部２の内壁面お
よび底面を粗面化した粗面化面５１としても同様の効果
を奏するものである。
よび底面を粗面化した粗面化面５１としても同様の効果
を奏するものである。
【００４３】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
態４における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【００４４】図６は本発明の実施の形態４における抵抗
器の断面図である。ここで、本実施の形態と実施の形態
２の図２と同一構成要素は同一符号を付し説明は省略す
る。本実施の形態と実施の形態２の図２と相違する点
は、凹部１２の内壁面に段部６１を有する点で異なる。
器の断面図である。ここで、本実施の形態と実施の形態
２の図２と同一構成要素は同一符号を付し説明は省略す
る。本実施の形態と実施の形態２の図２と相違する点
は、凹部１２の内壁面に段部６１を有する点で異なる。
【００４５】図において、１１は凹部１２を有する基体
である。この基体１１の凹部１２は、その内壁面に段部
６１を有している。この段部６１を有する凹部１２の内
底面にガラス層１３を備えている。他の構成は実施の形
態１の図１と同一構成であるので説明は省略する。
である。この基体１１の凹部１２は、その内壁面に段部
６１を有している。この段部６１を有する凹部１２の内
底面にガラス層１３を備えている。他の構成は実施の形
態１の図１と同一構成であるので説明は省略する。
【００４６】また、本実施の形態では凹部の内壁面に段
部を有するように構成したが、図７に示すように凹部１
２の内壁面に傾斜部７１を設けても同様の効果を奏する
ものである。
部を有するように構成したが、図７に示すように凹部１
２の内壁面に傾斜部７１を設けても同様の効果を奏する
ものである。
【００４７】また、図８に示すように凹部１２の内壁面
および底面を粗面化した粗面化面８１としても同様の効
果を奏するものである。
および底面を粗面化した粗面化面８１としても同様の効
果を奏するものである。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明は、低ＴＣＲ、低抵
抗値および信頼性の向上した抵抗器およびその製造方法
を提供できるという作用を有するものである。
抗値および信頼性の向上した抵抗器およびその製造方法
を提供できるという作用を有するものである。
【図１】本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図
【図２】本発明の実施の形態２における抵抗器の断面図
【図３】本発明の実施の形態３における抵抗器の断面図
【図４】本発明の他の実施の形態における抵抗器の断面
図
図
【図５】本発明の他の実施の形態における抵抗器の断面
図
図
【図６】本発明の実施の形態４における抵抗器の断面図
【図７】本発明の他の実施の形態における抵抗器の断面
図
図
【図８】本発明の他の実施の形態における抵抗器の断面
図
図
１，１１ 基体 ２，１２ 凹部 ３，１３ ガラス層 ４，１４ 抵抗層 ５，１５ 上面電極層 ６，１６ 酸化物層 ７，１７ 保護層 ３１，６１ 段部 ４１，７１ 傾斜部 ５１，８１ 粗面化面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桧森 剛司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E032 BA07 BB01 BB13 CA02 CC06 CC14 CC16 CC18 DA03 5E033 AA18 AA22 BA03 BB02 BC01 BD01 BD03 BD12 BE02 BE04 BG02 BH02
Claims (7)
- 【請求項１】 一方の面に凹部を有する基板と、この基
板の凹部内に設けられたＣｕ−Ｎｉ系からなる抵抗層
と、この抵抗層と電気的に接続するように前記基板に設
けられた一対の上面電極層と、少なくとも前記抵抗層を
覆うように設けられた酸化物層と、この酸化物層を覆う
ように設けられた保護層とからなる抵抗器。 - 【請求項２】 両方の面に凹部を有する基板と、この基
板のそれぞれの凹部内に設けられたＣｕ−Ｎｉ系からな
る抵抗層と、この抵抗層と電気的に接続するように前記
基板にそれぞれ設けられた一対の上面電極層と、少なく
とも前記抵抗層を覆うように設けられた酸化物層と、こ
の酸化物層を覆うように設けられた保護層とからなる抵
抗器。 - 【請求項３】 基板の凹部は、内壁面に段部を備えた請
求項１または２記載の抵抗器。 - 【請求項４】 基板の凹部は、内壁面に傾斜部を備えた
請求項１または２記載の抵抗器。 - 【請求項５】 基板の凹部は、内壁面を粗面化した粗面
化面を備えた請求項１または２記載の抵抗器。 - 【請求項６】 基板の一方の面の凹部内にＣｕ−Ｎｉ系
の抵抗層を形成し、この抵抗層に電気的に接続して前記
基板の上面に一対の上面電極層を形成し、ホウ酸を添加
したケイフッ化水素酸溶液に浸漬して中性から酸性雰囲
気で焼成して少なくとも前記抵抗層を覆うように酸化物
層を形成した後、この酸化物層を覆う保護層を形成して
なる抵抗器の製造方法。 - 【請求項７】 基板の両方の面のそれぞれの凹部内にＣ
ｕ−Ｎｉ系の抵抗層を形成し、このそれぞれの抵抗層に
電気的に接続して前記基板の上面にそれぞれ一対の上面
電極層を形成し、ホウ酸を添加したケイフッ化水素酸溶
液に浸漬して中性から酸性雰囲気で焼成して少なくとも
前記抵抗層を覆う酸化物層を形成した後、この酸化物層
を覆う保護層を形成してなる抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231094A JP2001057301A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231094A JP2001057301A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057301A true JP2001057301A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16918208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11231094A Pending JP2001057301A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001057301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028405A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2013175523A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 |
-
1999
- 1999-08-18 JP JP11231094A patent/JP2001057301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028405A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2013175523A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 |
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