JP2001053226A - 半導体装置における抵抗の製造方法 - Google Patents
半導体装置における抵抗の製造方法Info
- Publication number
- JP2001053226A JP2001053226A JP11223660A JP22366099A JP2001053226A JP 2001053226 A JP2001053226 A JP 2001053226A JP 11223660 A JP11223660 A JP 11223660A JP 22366099 A JP22366099 A JP 22366099A JP 2001053226 A JP2001053226 A JP 2001053226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- width
- resistance
- length
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスタスライス方式によって抵抗を形成する
場合、一定の長さおよび幅の抵抗素子に任意の抵抗値を
作ることができる半導体製造装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 同一拡散上の一定の長さおよび幅の抵抗
素子の全てまたは一部分に、追加の拡散工程を行なうこ
とにより、一定の長さの抵抗素子に任意の抵抗値を作
る。
場合、一定の長さおよび幅の抵抗素子に任意の抵抗値を
作ることができる半導体製造装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 同一拡散上の一定の長さおよび幅の抵抗
素子の全てまたは一部分に、追加の拡散工程を行なうこ
とにより、一定の長さの抵抗素子に任意の抵抗値を作
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスタスライス方
式の半導体装置における抵抗の製造方法に関するもので
ある。
式の半導体装置における抵抗の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２に、一般的に用いられる従来の抵抗
パターンの平面概略図を示す。同図において、１はコン
タクト部、２は抵抗部である。
パターンの平面概略図を示す。同図において、１はコン
タクト部、２は抵抗部である。
【０００３】従来のマスタスライス方式は、半導体基板
上に複数の半導体素子（トランジスタ等）や複数の特定
定数の抵抗などを予め配置し、所定の回路構成に従いこ
れらの素子間を結線するものである。この場合、素子間
を結線する以前の工程を共通とし、結線を変えるだけで
各種の回路構成を実現することができるという利点があ
る。しかし、抵抗などの定数が予め決められているの
で、所定の抵抗定数を得るためには、これらの複数の抵
抗を組み合わせて結線する必要がある。ここで、抵抗の
形成としては、図２（ａ）の抵抗を図２（ｂ）のように
抵抗部２のパターンの長さＬ１を長さＬ２を変える、図
２（ｃ）のように抵抗パターンの幅Ｗ１を幅Ｗ３を変え
る。または、同じパターンで拡散条件を変える方法が取
られる。これらの組み合わせにより複数の特定定数の抵
抗を形成するが、予め配置する抵抗値の種類が多いと所
定の回路を構成する場合に必要な定数の選択が容易にな
るが、使用しない素子が多くなり素子の使用効率は低下
する。一方、必要とする抵抗値の種類が多いと必要な定
数を構成するために多くの抵抗素子間を結線する必要が
生じ、使用する素子が多くなり多くの結線を必要とす
る。
上に複数の半導体素子（トランジスタ等）や複数の特定
定数の抵抗などを予め配置し、所定の回路構成に従いこ
れらの素子間を結線するものである。この場合、素子間
を結線する以前の工程を共通とし、結線を変えるだけで
各種の回路構成を実現することができるという利点があ
る。しかし、抵抗などの定数が予め決められているの
で、所定の抵抗定数を得るためには、これらの複数の抵
抗を組み合わせて結線する必要がある。ここで、抵抗の
形成としては、図２（ａ）の抵抗を図２（ｂ）のように
抵抗部２のパターンの長さＬ１を長さＬ２を変える、図
２（ｃ）のように抵抗パターンの幅Ｗ１を幅Ｗ３を変え
る。または、同じパターンで拡散条件を変える方法が取
られる。これらの組み合わせにより複数の特定定数の抵
抗を形成するが、予め配置する抵抗値の種類が多いと所
定の回路を構成する場合に必要な定数の選択が容易にな
るが、使用しない素子が多くなり素子の使用効率は低下
する。一方、必要とする抵抗値の種類が多いと必要な定
数を構成するために多くの抵抗素子間を結線する必要が
生じ、使用する素子が多くなり多くの結線を必要とす
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、所定の
抵抗値を得る結線の容易さと素子の使用効率は相反する
関係にあり、これが従来のマスタスライス方式の欠点で
あり、全体の実装効率の低下をもたらしていた。
抵抗値を得る結線の容易さと素子の使用効率は相反する
関係にあり、これが従来のマスタスライス方式の欠点で
あり、全体の実装効率の低下をもたらしていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの欠点を
除去し、特定の長さおよび幅の第一の拡散による抵抗素
子の全てまたは一部分に、追加拡散を行ない、一定の長
さおよび幅の抵抗素子に任意の抵抗値を作るものであ
る。
除去し、特定の長さおよび幅の第一の拡散による抵抗素
子の全てまたは一部分に、追加拡散を行ない、一定の長
さおよび幅の抵抗素子に任意の抵抗値を作るものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１を
用いて説明する。
用いて説明する。
【０００７】本図において、１：コンタクト部、２：抵
抗部、３：追加拡散部である。
抗部、３：追加拡散部である。
【０００８】図１（ａ）の抵抗は、コンタクト部１と抵
抗部２からなり、抵抗部２は第一の拡散で長さＬ１、幅
Ｗ１の抵抗を形成し、さらに長さＬ３、幅Ｗ１の第二の
拡散が追加拡散部３で行なわれている。
抗部２からなり、抵抗部２は第一の拡散で長さＬ１、幅
Ｗ１の抵抗を形成し、さらに長さＬ３、幅Ｗ１の第二の
拡散が追加拡散部３で行なわれている。
【０００９】図１（ｂ）には、図１（ａ）の抵抗部２の
断面構造を示す。ここで、第二の拡散が第一の拡散と同
じ導電形の拡散の場合、第一の拡散のみで構成されてい
る部分の面積抵抗率すなわちシート抵抗をρ１、第二の
拡散を行なった部分のシート抵抗をρ２とすると、この
抵抗全体の抵抗値は、 ρ１×（（Ｌ１−Ｌ３）／Ｗ１）＋ρ２×Ｌ３／Ｗ１ と表される。この場合、第二の拡散を行なった部分の不
純物濃度は高くなり、ρ１＜ρ２である。この式より、
同一幅Ｗ１のときは、Ｌ３の長さを変化させることによ
り、全体の抵抗値を小さくすることができる。
断面構造を示す。ここで、第二の拡散が第一の拡散と同
じ導電形の拡散の場合、第一の拡散のみで構成されてい
る部分の面積抵抗率すなわちシート抵抗をρ１、第二の
拡散を行なった部分のシート抵抗をρ２とすると、この
抵抗全体の抵抗値は、 ρ１×（（Ｌ１−Ｌ３）／Ｗ１）＋ρ２×Ｌ３／Ｗ１ と表される。この場合、第二の拡散を行なった部分の不
純物濃度は高くなり、ρ１＜ρ２である。この式より、
同一幅Ｗ１のときは、Ｌ３の長さを変化させることによ
り、全体の抵抗値を小さくすることができる。
【００１０】図１（ｃ）は、図１（ａ）における第二の
拡散の幅を第一の拡散の幅とは異なるＷ２にした場合で
ある。この場合、Ｗ２−Ｗ１の部分のシート抵抗をρ３
とすると、Ｌ３の部分における抵抗は、ρ２×Ｌ３／Ｗ
１とρ３×Ｌ３／（Ｗ２−Ｗ１）の並列となり、全体の
抵抗値は、 ρ１×（Ｌ１−Ｌ３）／Ｗ１＋１／（１／（ρ２×Ｌ３
／Ｗ１））＋（１／（ρ３×Ｌ３／（Ｗ２−Ｗ１））） となる。
拡散の幅を第一の拡散の幅とは異なるＷ２にした場合で
ある。この場合、Ｗ２−Ｗ１の部分のシート抵抗をρ３
とすると、Ｌ３の部分における抵抗は、ρ２×Ｌ３／Ｗ
１とρ３×Ｌ３／（Ｗ２−Ｗ１）の並列となり、全体の
抵抗値は、 ρ１×（Ｌ１−Ｌ３）／Ｗ１＋１／（１／（ρ２×Ｌ３
／Ｗ１））＋（１／（ρ３×Ｌ３／（Ｗ２−Ｗ１））） となる。
【００１１】この式より、Ｗ２の幅を変化させることに
より、全体の抵抗値を任意に変えることが可能である。
より、全体の抵抗値を任意に変えることが可能である。
【００１２】一方、第二の拡散が第一の拡散と異なる導
電形の拡散を行なった場合にも、この部分のシート抵抗
ρを同時に変化させることが可能となる。
電形の拡散を行なった場合にも、この部分のシート抵抗
ρを同時に変化させることが可能となる。
【００１３】ただし、異なる導電形の拡散の幅ＷがＷ１
＝ＷのときとＷ１＜Ｗのときとでは、全体の抵抗値は同
じになる。
＝ＷのときとＷ１＜Ｗのときとでは、全体の抵抗値は同
じになる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば第一の拡散
で抵抗を形成し、さらに第二の拡散の長さおよび幅を変
化させることにより一定の長さの抵抗素子に任意の抵抗
値を作ることができる。
で抵抗を形成し、さらに第二の拡散の長さおよび幅を変
化させることにより一定の長さの抵抗素子に任意の抵抗
値を作ることができる。
【００１５】その結果マスタスライス方式でレイアウト
する場合には、所定の抵抗値を得るために複数の抵抗を
組み合わせて結線する必要がなくなり、抵抗の使用効率
が上がり、レイアウトが容易になる。
する場合には、所定の抵抗値を得るために複数の抵抗を
組み合わせて結線する必要がなくなり、抵抗の使用効率
が上がり、レイアウトが容易になる。
【図１】本発明の一実施例を示す構造図
【図２】従来の一実施例を示す構造図
【符号の説明】 １：コンタクト部、２：抵抗部、３：追加拡散部。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置における抵抗の製造方法にお
いて、 第一の導電形の拡散で形成した抵抗素子の全てまたは一
部分に、第二の拡散を行なうマスタスライス方式の半導
体装置であって、該第二の拡散は前記第一の導電形の拡
散と同一の拡散条件の拡散を行ない、前記第二の拡散の
幅および長さを第一の拡散の幅および長さと異なる拡散
とすることを特徴とする半導体装置における抵抗の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223660A JP2001053226A (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | 半導体装置における抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223660A JP2001053226A (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | 半導体装置における抵抗の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053226A true JP2001053226A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16801663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11223660A Pending JP2001053226A (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | 半導体装置における抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001053226A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005332967A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN104094403A (zh) * | 2011-12-23 | 2014-10-08 | 英特尔公司 | 具有使用者可选值的工艺可调式电阻器 |
-
1999
- 1999-08-06 JP JP11223660A patent/JP2001053226A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005332967A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN104094403A (zh) * | 2011-12-23 | 2014-10-08 | 英特尔公司 | 具有使用者可选值的工艺可调式电阻器 |
| CN104094403B (zh) * | 2011-12-23 | 2017-03-22 | 英特尔公司 | 具有使用者可选值的工艺可调式电阻器 |
| US9679686B2 (en) | 2011-12-23 | 2017-06-13 | Intel Corporation | Process tunable resistor with user selectable values |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001053226A (ja) | 半導体装置における抵抗の製造方法 | |
| JPH0817227B2 (ja) | 個性化可能な半導体チップ | |
| JPS6267851A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2007503727A (ja) | 抵抗構造を形成するための方法 | |
| JPH0422026B2 (ja) | ||
| JPH0795590B2 (ja) | セミカスタム半導体集積回路の設計方法 | |
| JP3113202B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0376585B2 (ja) | ||
| JPH06151786A (ja) | マスタースライス方式集積回路装置 | |
| JPH0120538B2 (ja) | ||
| JPH0387057A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6387745A (ja) | マスタスライス方式大規模半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0513685A (ja) | 下地固定式セミカスタムｌｓｉの抵抗構成 | |
| JPH10335584A (ja) | 集積回路の抵抗構造 | |
| JP2792460B2 (ja) | マスタスライスｌｓｉ | |
| JP2825046B2 (ja) | 特性測定用素子 | |
| JPH07211867A (ja) | 抵抗素子 | |
| KR19990053608A (ko) | 반도체 회로의 저항 디바이드단 | |
| JP2639599B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3934752B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5844601Y2 (ja) | デュアル型電界効果トランジスタ | |
| JPH04287969A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001068653A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS59172249A (ja) | モノリシツク集積回路 | |
| JPH11274402A (ja) | 半導体抵抗の製造方法 |