JP2001052458A - 磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法 - Google Patents
磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法Info
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- JP2001052458A JP2001052458A JP11226498A JP22649899A JP2001052458A JP 2001052458 A JP2001052458 A JP 2001052458A JP 11226498 A JP11226498 A JP 11226498A JP 22649899 A JP22649899 A JP 22649899A JP 2001052458 A JP2001052458 A JP 2001052458A
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- G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
- G11B21/02—Driving or moving of heads
- G11B21/12—Raising and lowering; Back-spacing or forward-spacing along track; Returning to starting position otherwise than during transducing operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B19/04—Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
Abstract
(57)【要約】
【課題】ランプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度低
下、キャリッジ移動動作の一時停止を回避し、安定した
ヘッドアンロードを実現する。 【解決手段】ヘッドをアンロードさせる際、制御対象４
２としてのＶＣＭの駆動力を受けてヘッドを駆動するキ
ャリッジの速度ωを、当該ＶＣＭのコイルに発生する逆
起電圧から検出し、その速度ωと速度制御器４１から制
御対象４２（ＶＣＭ）側にフィードバックされる制御操
作量の少なくとも一方をもとに、ヘッドがランプに当た
るランプ衝突をランプ衝突判定器４４にて判定し、ラン
プ衝突を判定した場合には、ゲイン切り替え器４３を制
御して速度制御器４１による速度フィードバックのゲイ
ンを高ゲイン側に切り替えることで、追従性を上げる構
成とする。
下、キャリッジ移動動作の一時停止を回避し、安定した
ヘッドアンロードを実現する。 【解決手段】ヘッドをアンロードさせる際、制御対象４
２としてのＶＣＭの駆動力を受けてヘッドを駆動するキ
ャリッジの速度ωを、当該ＶＣＭのコイルに発生する逆
起電圧から検出し、その速度ωと速度制御器４１から制
御対象４２（ＶＣＭ）側にフィードバックされる制御操
作量の少なくとも一方をもとに、ヘッドがランプに当た
るランプ衝突をランプ衝突判定器４４にて判定し、ラン
プ衝突を判定した場合には、ゲイン切り替え器４３を制
御して速度制御器４１による速度フィードバックのゲイ
ンを高ゲイン側に切り替えることで、追従性を上げる構
成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘッドのランプロ
ード／アンロード方式を適用する磁気ディスク装置に係
り、特にヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御
に好適な磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時
のキャリッジ移動制御方法に関する。
ード／アンロード方式を適用する磁気ディスク装置に係
り、特にヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御
に好適な磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時
のキャリッジ移動制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ヘッドにより情報の記録再生を行
う、例えば小型磁気ディスク装置では、コンタクト・ス
タート・ストップ方式（ＣＳＳ方式）を適用するのが一
般的であった。このＣＳＳ方式の特徴は次の通りであ
る。
う、例えば小型磁気ディスク装置では、コンタクト・ス
タート・ストップ方式（ＣＳＳ方式）を適用するのが一
般的であった。このＣＳＳ方式の特徴は次の通りであ
る。
【０００３】まず、装置の非動作状態、即ち記録メディ
アとしての磁気ディスク媒体（ディスク単板）が回転し
ていない状態では、ヘッドは当該ディスクと接触してい
る。そしてディスク媒体の回転が始まると、ヘッドは、
ディスク媒体との間に生じる空気流（によるエアベアリ
ング作用）によってディスク媒体から浮上する。したが
って、ディスク媒体の回転開始時と停止時には、ヘッド
はディスク媒体上を摺動して、ディスク媒体上のデータ
エリアに「傷」等の損傷を与える可能性がある。
アとしての磁気ディスク媒体（ディスク単板）が回転し
ていない状態では、ヘッドは当該ディスクと接触してい
る。そしてディスク媒体の回転が始まると、ヘッドは、
ディスク媒体との間に生じる空気流（によるエアベアリ
ング作用）によってディスク媒体から浮上する。したが
って、ディスク媒体の回転開始時と停止時には、ヘッド
はディスク媒体上を摺動して、ディスク媒体上のデータ
エリアに「傷」等の損傷を与える可能性がある。
【０００４】そこでＣＳＳ方式では、ディスク媒体が回
転停止状態にある期間、ヘッドはディスク媒体上のデー
タゾーンとは異なる箇所、例えばデータゾーンの内周側
に確保された専用のリング状の退避ゾーン（ＣＳＳエリ
ア）に置かれる。そして装置への電源が供給された場
合、或いは（ディスク媒体を高速回転させる）スピンド
ルモータ（ＳＰＭ）の回転がホストシステムより指示さ
れた場合には、ヘッドをＣＳＳエリアに位置付けたまま
スピンドルモータを定常速度まで立ち上げ、その後、つ
まりヘッドがディスク媒体から浮上した後、ヘッドをデ
ータゾーンに移動させる。一方、ヘッドがデータゾーン
に位置している状態でホストシステムからスピンドルモ
ータの停止指示が与えられると、ヘッドをＣＳＳエリア
にリトラクトし、しかる後にスピンドルモータの停止処
理を行う。ヘッドをＣＳＳエリアにリトラクトした場
合、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）の駆動力によりヘッ
ド移動機構としてのキャリッジ（アクチュエータ）がス
トッパ（内周ストッパ）に衝突し、これによりヘッドが
ＣＳＳエリアから飛び出すのが防止される。
転停止状態にある期間、ヘッドはディスク媒体上のデー
タゾーンとは異なる箇所、例えばデータゾーンの内周側
に確保された専用のリング状の退避ゾーン（ＣＳＳエリ
ア）に置かれる。そして装置への電源が供給された場
合、或いは（ディスク媒体を高速回転させる）スピンド
ルモータ（ＳＰＭ）の回転がホストシステムより指示さ
れた場合には、ヘッドをＣＳＳエリアに位置付けたまま
スピンドルモータを定常速度まで立ち上げ、その後、つ
まりヘッドがディスク媒体から浮上した後、ヘッドをデ
ータゾーンに移動させる。一方、ヘッドがデータゾーン
に位置している状態でホストシステムからスピンドルモ
ータの停止指示が与えられると、ヘッドをＣＳＳエリア
にリトラクトし、しかる後にスピンドルモータの停止処
理を行う。ヘッドをＣＳＳエリアにリトラクトした場
合、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）の駆動力によりヘッ
ド移動機構としてのキャリッジ（アクチュエータ）がス
トッパ（内周ストッパ）に衝突し、これによりヘッドが
ＣＳＳエリアから飛び出すのが防止される。
【０００５】さて近年は、耐衝撃性能向上、記録密度向
上の点から、従来から用いられている上述のＣＳＳ技術
に代わって、ディスク媒体の回転停止状態においてヘッ
ドと当該ディスク媒体とを接触させない、ヘッドのラン
プロード／アンロード方式が提案されている。この方式
の特徴は、ディスク媒体の回転停止時には、ディスク媒
体外に設けられた傾斜を持ったランプ（カム）に沿って
キャリッジのサスペンションの先端部（タブ）を摺動さ
せることで、ヘッドをディスク媒体から持ち上げ、媒体
外へ退避（アンロード）させ、ディスク媒体の回転開始
時には定常速度に達した後にヘッドをランプからディス
ク媒体上に移動（ロード）させる点にある。この方式
は、ディスク媒体の表面性を良くしてヘッドの浮上量を
下げ記録密度を向上させるのに有効である。つまり、デ
ィスク媒体の表面性を良くすると、スピンドルモータの
停止時にヘッドとディスク媒体とが接触するＣＳＳ方式
は、ヘッドとディスク媒体との吸着を招くため適用でき
ない。そこで、スピンドルモータの停止時にはディスク
媒体外のランプにヘッドをアンロードさせて、ヘッドと
ディスク媒体とが非接触状態になるようにするヘッドの
ランプロード／アンロード方式の適用が不可欠となって
くる。
上の点から、従来から用いられている上述のＣＳＳ技術
に代わって、ディスク媒体の回転停止状態においてヘッ
ドと当該ディスク媒体とを接触させない、ヘッドのラン
プロード／アンロード方式が提案されている。この方式
の特徴は、ディスク媒体の回転停止時には、ディスク媒
体外に設けられた傾斜を持ったランプ（カム）に沿って
キャリッジのサスペンションの先端部（タブ）を摺動さ
せることで、ヘッドをディスク媒体から持ち上げ、媒体
外へ退避（アンロード）させ、ディスク媒体の回転開始
時には定常速度に達した後にヘッドをランプからディス
ク媒体上に移動（ロード）させる点にある。この方式
は、ディスク媒体の表面性を良くしてヘッドの浮上量を
下げ記録密度を向上させるのに有効である。つまり、デ
ィスク媒体の表面性を良くすると、スピンドルモータの
停止時にヘッドとディスク媒体とが接触するＣＳＳ方式
は、ヘッドとディスク媒体との吸着を招くため適用でき
ない。そこで、スピンドルモータの停止時にはディスク
媒体外のランプにヘッドをアンロードさせて、ヘッドと
ディスク媒体とが非接触状態になるようにするヘッドの
ランプロード／アンロード方式の適用が不可欠となって
くる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ヘッドのランプロード
／アンロード方式では、ヘッドをアンロードする際に、
ヘッドをディスク媒体に接触させないように、ヘッドを
低い速度で且つ一定速で動かす必要がある。通常、電源
がオン状態にある場合のヘッドのランプロード／アンロ
ード制御においては、ボイスコイルモータに発生する逆
起電圧を観測してマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）で処理
し、キャリッジの移動速度ωを低速な目標速度に制御す
るのが一般的である。この制御には、目標速度ωrを達
成できるように、従来から図１０のアンロード速度制御
ブロック図に示すような速度フィードバック系による速
度フィードバック制御が用いられる。
／アンロード方式では、ヘッドをアンロードする際に、
ヘッドをディスク媒体に接触させないように、ヘッドを
低い速度で且つ一定速で動かす必要がある。通常、電源
がオン状態にある場合のヘッドのランプロード／アンロ
ード制御においては、ボイスコイルモータに発生する逆
起電圧を観測してマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）で処理
し、キャリッジの移動速度ωを低速な目標速度に制御す
るのが一般的である。この制御には、目標速度ωrを達
成できるように、従来から図１０のアンロード速度制御
ブロック図に示すような速度フィードバック系による速
度フィードバック制御が用いられる。
【０００７】ところが、よく知られているように、速度
フィードバック系においては、追従に遅れが生じる。こ
の点について、ヘッドのアンロードについて考える。ま
ず、ディスク媒体上をヘッドが外周方向（ランプの方
向）に移動中は、ヘッドを支持するサスペンションの先
端のタブに及ぼす摩擦が殆どないため、キャリッジに働
く外力は小さい。これに対し、ヘッド（タブ）がランプ
上を移動する状態では、タブとランプとの摩擦があり、
負荷変動が外乱として働く。特に、ヘッドに現在主流と
なっている負圧ヘッドを用いた構成では、ヘッドがディ
スク媒体上からランプに引き上げられる際、ヘッドとデ
ィスク媒体との間に生じる負圧を解除するために外力が
必要であり、これがアンロードを妨げる負荷となる。
フィードバック系においては、追従に遅れが生じる。こ
の点について、ヘッドのアンロードについて考える。ま
ず、ディスク媒体上をヘッドが外周方向（ランプの方
向）に移動中は、ヘッドを支持するサスペンションの先
端のタブに及ぼす摩擦が殆どないため、キャリッジに働
く外力は小さい。これに対し、ヘッド（タブ）がランプ
上を移動する状態では、タブとランプとの摩擦があり、
負荷変動が外乱として働く。特に、ヘッドに現在主流と
なっている負圧ヘッドを用いた構成では、ヘッドがディ
スク媒体上からランプに引き上げられる際、ヘッドとデ
ィスク媒体との間に生じる負圧を解除するために外力が
必要であり、これがアンロードを妨げる負荷となる。
【０００８】このようにヘッドのランプロード／アンロ
ード方式を適用する磁気ディスク装置では、ヘッドのア
ンロード動作時においてヘッドがディスク媒体から離れ
る際にアンロードを妨げる方向に急に外力が働く。この
ため、ボイスコイルモータに発生する逆起電圧を計測し
てヘッド（キャリッジ）移動速度ωを求め、当該移動速
度ωを目標速度ωrに近付けるように速度フィードバッ
ク制御する、従来の磁気ディスク装置において適用され
る図１０に示したような速度フィードバック系では、追
従遅れが生じて、ヘッド（キャリッジ）の移動速度が低
下するという問題があった。このような速度フィードバ
ック系では、最悪の場合、ランプへの登り際で、つまり
ランプとの衝突時に、ヘッド（キャリッジ）の動きが一
時停止する現象が発生する。
ード方式を適用する磁気ディスク装置では、ヘッドのア
ンロード動作時においてヘッドがディスク媒体から離れ
る際にアンロードを妨げる方向に急に外力が働く。この
ため、ボイスコイルモータに発生する逆起電圧を計測し
てヘッド（キャリッジ）移動速度ωを求め、当該移動速
度ωを目標速度ωrに近付けるように速度フィードバッ
ク制御する、従来の磁気ディスク装置において適用され
る図１０に示したような速度フィードバック系では、追
従遅れが生じて、ヘッド（キャリッジ）の移動速度が低
下するという問題があった。このような速度フィードバ
ック系では、最悪の場合、ランプへの登り際で、つまり
ランプとの衝突時に、ヘッド（キャリッジ）の動きが一
時停止する現象が発生する。
【０００９】このアンロード動作時の現象をヘッド浮上
の観点から見ると、ヘッドは当該ヘッドにかけられた荷
重がとれた状態でディスク媒体上に存在するため、この
状態、つまりランプへの登り際で、動きが一時停止する
状態が長く（スピンドルモータの１回転以上の期間）発
生すると、ディスク媒体のＲＵＮ ＯＵＴ（ディスク媒
体の上下変動）でヘッドとディスク媒体とが吸着したり
離れたりするといった、浮上が不安定な状態が発生す
る。このような不安定な状態では、ヘッドとディスク媒
体とが接触して、ディスク媒体に傷を付ける危険があ
り、問題であった。
の観点から見ると、ヘッドは当該ヘッドにかけられた荷
重がとれた状態でディスク媒体上に存在するため、この
状態、つまりランプへの登り際で、動きが一時停止する
状態が長く（スピンドルモータの１回転以上の期間）発
生すると、ディスク媒体のＲＵＮ ＯＵＴ（ディスク媒
体の上下変動）でヘッドとディスク媒体とが吸着したり
離れたりするといった、浮上が不安定な状態が発生す
る。このような不安定な状態では、ヘッドとディスク媒
体とが接触して、ディスク媒体に傷を付ける危険があ
り、問題であった。
【００１０】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
でその目的は、ヘッドをアンロードさせる際には、ヘッ
ドがランプに当たるランプ衝突の判定を行い、ランプ衝
突検出時には、速度フィードバックゲインを大きい値に
切り替えて追従性を上げることにより、或いはフィード
フォワード駆動力をボイスコイルモータに印加すること
により、ランプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度低
下、キャリッジ移動動作の一時停止を回避し、安定した
ヘッドアンロードが実現できる磁気ディスク装置及びヘ
ッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法を提供
することにある。
でその目的は、ヘッドをアンロードさせる際には、ヘッ
ドがランプに当たるランプ衝突の判定を行い、ランプ衝
突検出時には、速度フィードバックゲインを大きい値に
切り替えて追従性を上げることにより、或いはフィード
フォワード駆動力をボイスコイルモータに印加すること
により、ランプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度低
下、キャリッジ移動動作の一時停止を回避し、安定した
ヘッドアンロードが実現できる磁気ディスク装置及びヘ
ッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ボイスコイル
モータ（ＶＣＭ）のコイルに誘起される逆起電圧を観測
することでキャリッジの移動速度（ＶＣＭ速度）を検出
する速度検出手段と、ヘッドをディスク媒体外に配置さ
れたランプにアンロードするヘッドアンロード動作時
に、上記速度検出手段によって検出されるキャリッジ移
動速度に基づいてフィードバック制御することでアンロ
ード速度を制御する速度制御手段とを備えたヘッドのラ
ンプロード／アンロード方式の磁気ディスク装置におい
て、上記ヘッドアンロード動作時に、上記速度検出手段
の速度検出結果または上記速度制御手段からＶＣＭ側に
フィードバックされる制御操作量の少なくとも一方に基
づいてヘッドがランプに当たるランプ衝突の判定を行う
ランプ衝突判定手段と、このランプ衝突判定手段による
ランプ衝突判定に応じて上記速度制御手段による速度フ
ィードバックのゲインを高ゲイン側に切り替えるゲイン
切り替え手段とを備えたことを特徴とする。
モータ（ＶＣＭ）のコイルに誘起される逆起電圧を観測
することでキャリッジの移動速度（ＶＣＭ速度）を検出
する速度検出手段と、ヘッドをディスク媒体外に配置さ
れたランプにアンロードするヘッドアンロード動作時
に、上記速度検出手段によって検出されるキャリッジ移
動速度に基づいてフィードバック制御することでアンロ
ード速度を制御する速度制御手段とを備えたヘッドのラ
ンプロード／アンロード方式の磁気ディスク装置におい
て、上記ヘッドアンロード動作時に、上記速度検出手段
の速度検出結果または上記速度制御手段からＶＣＭ側に
フィードバックされる制御操作量の少なくとも一方に基
づいてヘッドがランプに当たるランプ衝突の判定を行う
ランプ衝突判定手段と、このランプ衝突判定手段による
ランプ衝突判定に応じて上記速度制御手段による速度フ
ィードバックのゲインを高ゲイン側に切り替えるゲイン
切り替え手段とを備えたことを特徴とする。
【００１２】即ち本発明においては、ＶＣＭに発生する
逆起電圧から検出されるキャリッジ移動速度または速度
制御手段からＶＣＭ側にフィードバックされる制御操作
量が、図５または図６に示すようにランプ衝突を反映す
ることに着目し、上記キャリッジ移動速度またはＶＣＭ
に対する制御操作量の少なくとも一方を監視することで
ランプ衝突の判定を行い、ランプ衝突を検出した場合
に、速度フィードバックゲインを高ゲイン側に切り替え
るようにしている。
逆起電圧から検出されるキャリッジ移動速度または速度
制御手段からＶＣＭ側にフィードバックされる制御操作
量が、図５または図６に示すようにランプ衝突を反映す
ることに着目し、上記キャリッジ移動速度またはＶＣＭ
に対する制御操作量の少なくとも一方を監視することで
ランプ衝突の判定を行い、ランプ衝突を検出した場合
に、速度フィードバックゲインを高ゲイン側に切り替え
るようにしている。
【００１３】このように本発明においては、ランプ衝突
を検出し、その際に速度フィードバックゲインを高ゲイ
ン側に切り替えて、速度フィードバックの追従性を上げ
ることにより、ランプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速
度の低下とキャリッジ移動動作の一時停止の発生を回避
して、安定したヘッドアンロード動作の実現を図ること
が可能となる。
を検出し、その際に速度フィードバックゲインを高ゲイ
ン側に切り替えて、速度フィードバックの追従性を上げ
ることにより、ランプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速
度の低下とキャリッジ移動動作の一時停止の発生を回避
して、安定したヘッドアンロード動作の実現を図ること
が可能となる。
【００１４】ここで、上記ランプ衝突の判定は、（ＶＣ
Ｍに発生する逆起電圧から検出される）上記キャリッジ
移動速度、または（速度制御手段からＶＣＭ側にフィー
ドバックされる）上記制御操作量のいずれか一方のみに
基づいて行うことも可能であるが、両方に基づいて行う
ならば、判定精度が向上する。この場合、上記ランプ衝
突判定手段を、上記キャリッジ移動速度に基づいて第１
のランプ衝突判定を行う第１の判定手段と、上記制御操
作量に基づいて第２のランプ衝突判定を行う第２の判定
手段と、これら２つのランプ衝突判定結果を総合して最
終的にランプ衝突を判定する第３の判定手段とから構成
するとよい。この第３の判定手段では、上記２つのラン
プ衝突判定結果が共にランプ衝突を示している場合にラ
ンプ衝突を判定する第１の判定論理、または少なくとも
一方の判定結果がランプ衝突を示している場合にランプ
衝突を判定する第２の判定論理のいずれか一方を適用す
るとよい。
Ｍに発生する逆起電圧から検出される）上記キャリッジ
移動速度、または（速度制御手段からＶＣＭ側にフィー
ドバックされる）上記制御操作量のいずれか一方のみに
基づいて行うことも可能であるが、両方に基づいて行う
ならば、判定精度が向上する。この場合、上記ランプ衝
突判定手段を、上記キャリッジ移動速度に基づいて第１
のランプ衝突判定を行う第１の判定手段と、上記制御操
作量に基づいて第２のランプ衝突判定を行う第２の判定
手段と、これら２つのランプ衝突判定結果を総合して最
終的にランプ衝突を判定する第３の判定手段とから構成
するとよい。この第３の判定手段では、上記２つのラン
プ衝突判定結果が共にランプ衝突を示している場合にラ
ンプ衝突を判定する第１の判定論理、または少なくとも
一方の判定結果がランプ衝突を示している場合にランプ
衝突を判定する第２の判定論理のいずれか一方を適用す
るとよい。
【００１５】上記第１の判定論理は、ランプ衝突が発生
していないのに、ノイズ等の影響で誤ってランプ衝突と
判定される不具合を防止して、ランプ衝突を高精度で判
定できる。また、上記第２の判定論理は、ランプ衝突が
発生しているのに誤ってランプ衝突と判定されない不具
合を防止して、ランプ衝突を高精度で判定できる。第１
または第２の判定論理の何れを適用するかは、誤ってラ
ンプ衝突と判定されることと、誤ってランプ衝突と判定
されないことの、いずれを重要視するかによって決めれ
ばよい。
していないのに、ノイズ等の影響で誤ってランプ衝突と
判定される不具合を防止して、ランプ衝突を高精度で判
定できる。また、上記第２の判定論理は、ランプ衝突が
発生しているのに誤ってランプ衝突と判定されない不具
合を防止して、ランプ衝突を高精度で判定できる。第１
または第２の判定論理の何れを適用するかは、誤ってラ
ンプ衝突と判定されることと、誤ってランプ衝突と判定
されないことの、いずれを重要視するかによって決めれ
ばよい。
【００１６】また、アンロード動作開始時から一定時間
をタイマ等で計測し、その一定時間を経過する前にラン
プ衝突が判定された場合、その判定を無視（キャンセ
ル）することによっても、ランプ衝突が発生していない
のに誤ってランプ衝突と判定される不具合を防止でき
る。
をタイマ等で計測し、その一定時間を経過する前にラン
プ衝突が判定された場合、その判定を無視（キャンセ
ル）することによっても、ランプ衝突が発生していない
のに誤ってランプ衝突と判定される不具合を防止でき
る。
【００１７】この他に、上記ランプ衝突の判定を、キャ
リッジに働く外力の大きさまたは（当該外力の）変動量
に基づいて行うことも可能である。このキャリッジに働
く外力は、上記キャリッジ移動速度と上記制御操作量と
をもとに算出することができる。
リッジに働く外力の大きさまたは（当該外力の）変動量
に基づいて行うことも可能である。このキャリッジに働
く外力は、上記キャリッジ移動速度と上記制御操作量と
をもとに算出することができる。
【００１８】また、上記ゲイン切り替え手段に代えてフ
ィードフォワード補償手段を設け、ランプ衝突判定手段
によるランプ衝突判定に応じて所定のフィードフォワー
ド操作量を上記ＶＣＭ側にフィードバックされる制御操
作量に加える構成としてもよい。
ィードフォワード補償手段を設け、ランプ衝突判定手段
によるランプ衝突判定に応じて所定のフィードフォワー
ド操作量を上記ＶＣＭ側にフィードバックされる制御操
作量に加える構成としてもよい。
【００１９】このように、ランプ衝突の検出時に、速度
制御手段からの制御操作量に加えて所定のフィードフォ
ワード操作量をＶＣＭ側に与えることによっても、ラン
プ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度の低下とキャリッ
ジ移動動作の一時停止の発生を回避して、安定したヘッ
ドアンロード動作を実現することが可能となる。
制御手段からの制御操作量に加えて所定のフィードフォ
ワード操作量をＶＣＭ側に与えることによっても、ラン
プ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度の低下とキャリッ
ジ移動動作の一時停止の発生を回避して、安定したヘッ
ドアンロード動作を実現することが可能となる。
【００２０】ここで、磁気ディスク装置の製造段階で当
該装置に固有のフィードフォワード操作量を算出して、
その駆動力を示す情報を記憶手段に記憶しておくなら
ば、上記ランプ衝突の検出時には、この記憶手段に記憶
されているフィードフォワード操作量を示す情報を読み
出すことにより、対応するフィードフォワード操作量を
発生してＶＣＭに加えることができる。特に、フィード
フォワード操作量を再計算する動作を、磁気ディスク装
置の使用状態において適宜、例えば装置立ち上げ時毎に
行うならば、常に装置に適合した最適なフィードフォワ
ード操作量を取得することが可能となる。
該装置に固有のフィードフォワード操作量を算出して、
その駆動力を示す情報を記憶手段に記憶しておくなら
ば、上記ランプ衝突の検出時には、この記憶手段に記憶
されているフィードフォワード操作量を示す情報を読み
出すことにより、対応するフィードフォワード操作量を
発生してＶＣＭに加えることができる。特に、フィード
フォワード操作量を再計算する動作を、磁気ディスク装
置の使用状態において適宜、例えば装置立ち上げ時毎に
行うならば、常に装置に適合した最適なフィードフォワ
ード操作量を取得することが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２２】［概略構成］図１は本発明の一実施形態に
係るヘッドのランプロード／アンロード方式を適用する
磁気ディスク装置の筐体内の概略構造を示す平面図であ
る。
係るヘッドのランプロード／アンロード方式を適用する
磁気ディスク装置の筐体内の概略構造を示す平面図であ
る。
【００２３】図１において、１１はデータが記録される
ディスク媒体（磁気ディスク）である。ディスク媒体１
１の各面（記録面）には同心円状の多数のトラック（図
示せず）が形成され、各トラックには、ヘッドのシーク
・位置決め等に用いられるサーボデータが記録されたサ
ーボエリアが等間隔で配置されている。このサーボエリ
ア間はユーザエリアとなっており、当該ユーザエリアに
は記録単位としてのセクタ（データセクタ）が複数配置
されている。各サーボエリアは、ディスク媒体１１上で
は中心から各トラックを渡って放射状に等間隔で配置さ
れている。なお本実施形態では、単一枚のディスク媒体
１１が配置された磁気ディスク装置を想定しているが、
複数枚のディスク媒体が積層配置された構成であっても
構わない。
ディスク媒体（磁気ディスク）である。ディスク媒体１
１の各面（記録面）には同心円状の多数のトラック（図
示せず）が形成され、各トラックには、ヘッドのシーク
・位置決め等に用いられるサーボデータが記録されたサ
ーボエリアが等間隔で配置されている。このサーボエリ
ア間はユーザエリアとなっており、当該ユーザエリアに
は記録単位としてのセクタ（データセクタ）が複数配置
されている。各サーボエリアは、ディスク媒体１１上で
は中心から各トラックを渡って放射状に等間隔で配置さ
れている。なお本実施形態では、単一枚のディスク媒体
１１が配置された磁気ディスク装置を想定しているが、
複数枚のディスク媒体が積層配置された構成であっても
構わない。
【００２４】ディスク媒体１１の各面（記録面）側に
は、当該ディスク媒体１１からのデータ読み出し（デー
タ再生）及び当該ディスク媒体１１へのデータ書き込み
（データ記録）に用いられるヘッド（磁気ヘッド）１２
がそれぞれ設けられている。
は、当該ディスク媒体１１からのデータ読み出し（デー
タ再生）及び当該ディスク媒体１１へのデータ書き込み
（データ記録）に用いられるヘッド（磁気ヘッド）１２
がそれぞれ設けられている。
【００２５】ヘッド１２はロータリ型アクチュエータと
してのキャリッジ（ヘッド移動機構）１３に取り付けら
れており、当該キャリッジ１３の角度回転に従ってディ
スク媒体１１の半径方向に移動する。これにより、ヘッ
ド１２は、目標トラック上にシーク・位置決めされるよ
うになっている。
してのキャリッジ（ヘッド移動機構）１３に取り付けら
れており、当該キャリッジ１３の角度回転に従ってディ
スク媒体１１の半径方向に移動する。これにより、ヘッ
ド１２は、目標トラック上にシーク・位置決めされるよ
うになっている。
【００２６】ディスク媒体１１の外周側には、（ＳＰＭ
１５の回転停止に伴う当該ディスク媒体１１の回転停止
状態において）ヘッド１２を退避させておくためにラン
プ（退避部）１４が配置されている。ランプ１４は、図
２に示すように、ディスク媒体１１に近接して、且つキ
ャリッジ１３に取り付けられたサスペンション１３１の
先端部（タブ）１３１ａの移動経路上の所定位置に設け
られている。
１５の回転停止に伴う当該ディスク媒体１１の回転停止
状態において）ヘッド１２を退避させておくためにラン
プ（退避部）１４が配置されている。ランプ１４は、図
２に示すように、ディスク媒体１１に近接して、且つキ
ャリッジ１３に取り付けられたサスペンション１３１の
先端部（タブ）１３１ａの移動経路上の所定位置に設け
られている。
【００２７】ディスク媒体１１はＳＰＭ（スピンドルモ
ータ）１５により高速に回転する。キャリッジ１３は、
ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）１６により駆動される。
ータ）１５により高速に回転する。キャリッジ１３は、
ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）１６により駆動される。
【００２８】ＳＰＭ１５の回転を停止させる場合には、
図３に示すＣＰＵ３２の制御によりＶＣＭ１６のコイル
に電流を流して、キャリッジ１３を矢印Ａで示すように
ディスク媒体１１の半径方向に移動させることで、ヘッ
ド１２をディスク媒体１１上からランプ１４に退避する
アンロード制御を行う。このヘッドアンロード制御で
は、ヘッド１２がランプ１４に当たったことを、ＶＣＭ
１６に発生する逆起電圧（から求められるキャリッジ１
３の移動速度ω）、或いは当該逆起電圧（から求められ
るキャリッジ１３の移動速度ω）とＶＣＭ１６側に与え
られる制御操作量により検出して、速度フィードバック
ゲインを大きい値に切り替えて追従性を上げることによ
り、或いはフィードフォワード駆動力をＶＣＭ１６側に
印加することにより、ランプ衝突時のキャリッジ１３の
大幅な移動速度低下、キャリッジ１３の移動動作の一時
停止を回避するようにしている。
図３に示すＣＰＵ３２の制御によりＶＣＭ１６のコイル
に電流を流して、キャリッジ１３を矢印Ａで示すように
ディスク媒体１１の半径方向に移動させることで、ヘッ
ド１２をディスク媒体１１上からランプ１４に退避する
アンロード制御を行う。このヘッドアンロード制御で
は、ヘッド１２がランプ１４に当たったことを、ＶＣＭ
１６に発生する逆起電圧（から求められるキャリッジ１
３の移動速度ω）、或いは当該逆起電圧（から求められ
るキャリッジ１３の移動速度ω）とＶＣＭ１６側に与え
られる制御操作量により検出して、速度フィードバック
ゲインを大きい値に切り替えて追従性を上げることによ
り、或いはフィードフォワード駆動力をＶＣＭ１６側に
印加することにより、ランプ衝突時のキャリッジ１３の
大幅な移動速度低下、キャリッジ１３の移動動作の一時
停止を回避するようにしている。
【００２９】［逆起電圧検出回路の構成］さて本実施形
態では、単にキャリッジ１３の移動速度ωを検出するだ
けでなく、ヘッド１２（を支持するサスペンション１３
１の先端部をなすタブ１３１ａ）がランプ１４に当たっ
たこと、つまりヘッド１２のランプ衝突を検出するため
に、ＶＣＭ１６に発生する逆起電圧を検出する図３に示
す構成の逆起電圧検出回路３０が設けられている。
態では、単にキャリッジ１３の移動速度ωを検出するだ
けでなく、ヘッド１２（を支持するサスペンション１３
１の先端部をなすタブ１３１ａ）がランプ１４に当たっ
たこと、つまりヘッド１２のランプ衝突を検出するため
に、ＶＣＭ１６に発生する逆起電圧を検出する図３に示
す構成の逆起電圧検出回路３０が設けられている。
【００３０】逆起電圧検出回路３０は、ＶＣＭ１６のコ
イルの一端、当該ＶＣＭ１６のコイルの他端とセンス抵
抗１７の一端との共通接続点、及びセンス抵抗１７の他
端と接続されており、ＶＣＭ１６のコイルに誘起される
逆起電圧（ＢＥＭＦ）を検出する。逆起電圧検出回路３
０は、差動アンプ３０１，３０２、及び抵抗３０３〜３
０８からなる。抵抗３０３，３０４の抵抗値はＲ1，Ｒ
2、抵抗３０５，３０６の抵抗値はいずれもＲ3、そして
抵抗３０７，３０８の抵抗値はいずれもＲ4である。
イルの一端、当該ＶＣＭ１６のコイルの他端とセンス抵
抗１７の一端との共通接続点、及びセンス抵抗１７の他
端と接続されており、ＶＣＭ１６のコイルに誘起される
逆起電圧（ＢＥＭＦ）を検出する。逆起電圧検出回路３
０は、差動アンプ３０１，３０２、及び抵抗３０３〜３
０８からなる。抵抗３０３，３０４の抵抗値はＲ1，Ｒ
2、抵抗３０５，３０６の抵抗値はいずれもＲ3、そして
抵抗３０７，３０８の抵抗値はいずれもＲ4である。
【００３１】図３において、センス抵抗１７と逆起電圧
検出回路３０内の抵抗３０３との共通接続点の電圧をＶ
とすると、この電圧Ｖは、次式 Ｖ＝ｉ（Ｒr＋Ｒvcm）＋Ｌvcmｄｉ／ｄＴ＋ＢＥＭＦ …（１） Ｒr ：センス抵抗 Ｒvcm ：ＶＣＭコイル抵抗 ｉ ：ＶＣＭに流れる電流 Ｌvcm ：ＶＣＭコイルインダクタンス ＢＥＭＦ：ＶＣＭ逆起電圧 で表される。
検出回路３０内の抵抗３０３との共通接続点の電圧をＶ
とすると、この電圧Ｖは、次式 Ｖ＝ｉ（Ｒr＋Ｒvcm）＋Ｌvcmｄｉ／ｄＴ＋ＢＥＭＦ …（１） Ｒr ：センス抵抗 Ｒvcm ：ＶＣＭコイル抵抗 ｉ ：ＶＣＭに流れる電流 Ｌvcm ：ＶＣＭコイルインダクタンス ＢＥＭＦ：ＶＣＭ逆起電圧 で表される。
【００３２】ここで、ｉの時間変化が小さい場合（ラン
プ衝突までの間）、Ｌvcmの項の影響は少ないので無視
でき、 Ｌvcmｄｉ／ｄＴ≒０ …（２） となる。したがって、上記（１）式は、 Ｖ＝ｉ（Ｒr＋Ｒvcm）＋ＢＥＭＦ …（３） のように表される。
プ衝突までの間）、Ｌvcmの項の影響は少ないので無視
でき、 Ｌvcmｄｉ／ｄＴ≒０ …（２） となる。したがって、上記（１）式は、 Ｖ＝ｉ（Ｒr＋Ｒvcm）＋ＢＥＭＦ …（３） のように表される。
【００３３】この（３）式より、ＶＣＭ１６の逆起電圧
ＢＥＭＦは、 ＢＥＭＦ＝Ｖ−ｉ（Ｒr＋Ｒvcm） ＝Ｖ−ｉＲr−ｉＲvcm …（４） として求められる。
ＢＥＭＦは、 ＢＥＭＦ＝Ｖ−ｉ（Ｒr＋Ｒvcm） ＝Ｖ−ｉＲr−ｉＲvcm …（４） として求められる。
【００３４】ここで、ＶＣＭ１６のコイル端の電圧をＶ
vcmとすると、 Ｖvcm＝Ｖ−ｉＲr …（５） であることから、上記（４）式は、 ＢＥＭＦ＝Ｖvcm−ｉＲvcm …（６） のように表される。
vcmとすると、 Ｖvcm＝Ｖ−ｉＲr …（５） であることから、上記（４）式は、 ＢＥＭＦ＝Ｖvcm−ｉＲvcm …（６） のように表される。
【００３５】一方、図３中の逆起電圧検出回路３０の出
力電圧ＶBは、次式 ＶB＝(Ｒ4／Ｒ3){ｉＲr(Ｒ2／Ｒ1)−Ｖvcm}＋Ｖref …（７） Vref ：リファレンス電圧（基準電圧）で表される。
力電圧ＶBは、次式 ＶB＝(Ｒ4／Ｒ3){ｉＲr(Ｒ2／Ｒ1)−Ｖvcm}＋Ｖref …（７） Vref ：リファレンス電圧（基準電圧）で表される。
【００３６】ここで、Ｒr，Ｒ2，Ｒ1の値（定数）を、 Ｒr(Ｒ2／Ｒ1)＝Ｒvcm …（８） となるように設定すると、上記（７）式は、 ＶB＝（Ｒ4／Ｒ3）（ｉＲvcm−Ｖvcm）＋Ｖref …（９） のように表される。
【００３７】更に、（６）式からＢＥＭＦ＝Ｖvcm−ｉ
Ｒvcmであることから、上記（９）式は、 ＶB＝（Ｒ4／Ｒ3）（−ＢＥＭＦ）＋Ｖref …（１０） のように表される。
Ｒvcmであることから、上記（９）式は、 ＶB＝（Ｒ4／Ｒ3）（−ＢＥＭＦ）＋Ｖref …（１０） のように表される。
【００３８】この（１０）式から明らかなように、逆起
電圧検出回路３０の出力電圧ＶBは、リファレンス電圧
（基準電圧）Ｖrefを中心として、ＶＣＭ１６の逆起電
圧ＢＥＭＦに比例した電圧となる。つまり、逆起電圧検
出回路３０により、ＶＣＭ１６の逆起電圧ＢＥＭＦを検
出できる。
電圧検出回路３０の出力電圧ＶBは、リファレンス電圧
（基準電圧）Ｖrefを中心として、ＶＣＭ１６の逆起電
圧ＢＥＭＦに比例した電圧となる。つまり、逆起電圧検
出回路３０により、ＶＣＭ１６の逆起電圧ＢＥＭＦを検
出できる。
【００３９】逆起電圧検出回路３０の出力電圧ＶBはＡ
／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器３１によりデジタル
値に変換されて、図１の磁気ディスク装置全体を制御す
るＣＰＵ（マイクロプロセッサ）３２に送られる。な
お、Ａ／Ｄ変換器３１をＣＰＵ３２に内蔵させることも
可能である。
／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器３１によりデジタル
値に変換されて、図１の磁気ディスク装置全体を制御す
るＣＰＵ（マイクロプロセッサ）３２に送られる。な
お、Ａ／Ｄ変換器３１をＣＰＵ３２に内蔵させることも
可能である。
【００４０】ＣＰＵ３２は、Ａ／Ｄ変換器３１を介して
送られる逆起電圧検出回路３０の出力電圧ＶBを定期的
に読み込み、その電圧ＶBからＶＣＭ１６の逆起電圧Ｂ
ＥＭＦを算出する。ＶＣＭ１６の速度、つまりキャリッ
ジ１３の移動速度（キャリッジ移動速度）ωは、この逆
起電圧ＢＥＭＦに対応（比例）する。そこでＣＰＵ３２
は、ＶＣＭ１６の逆起電圧ＢＥＭＦに所定の比例係数を
乗じることで、キャリッジ移動速度ωを算出する。な
お、ＶBとＢＥＭＦとの間、ＢＥＭＦとキャリッジ移動
速度ωとの間には、上記の如くそれぞれ一定の関係があ
ることから、これらの関係を考慮して逆起電圧検出回路
３０の出力段を構成することで、逆起電圧検出回路３０
の出力が（上記の例のような間接的にではなくて）直接
キャリッジ移動速度ωを表すようにすることもできる。
送られる逆起電圧検出回路３０の出力電圧ＶBを定期的
に読み込み、その電圧ＶBからＶＣＭ１６の逆起電圧Ｂ
ＥＭＦを算出する。ＶＣＭ１６の速度、つまりキャリッ
ジ１３の移動速度（キャリッジ移動速度）ωは、この逆
起電圧ＢＥＭＦに対応（比例）する。そこでＣＰＵ３２
は、ＶＣＭ１６の逆起電圧ＢＥＭＦに所定の比例係数を
乗じることで、キャリッジ移動速度ωを算出する。な
お、ＶBとＢＥＭＦとの間、ＢＥＭＦとキャリッジ移動
速度ωとの間には、上記の如くそれぞれ一定の関係があ
ることから、これらの関係を考慮して逆起電圧検出回路
３０の出力段を構成することで、逆起電圧検出回路３０
の出力が（上記の例のような間接的にではなくて）直接
キャリッジ移動速度ωを表すようにすることもできる。
【００４１】［速度フィードバック系を構成するアンロ
ード速度制御ブロックの一例］図４に、図１の磁気ディ
スク装置で適用される速度フィードバック系を構成す
る、ゲイン切り替えタイプのアンロード速度制御ブロッ
クを示す。
ード速度制御ブロックの一例］図４に、図１の磁気ディ
スク装置で適用される速度フィードバック系を構成す
る、ゲイン切り替えタイプのアンロード速度制御ブロッ
クを示す。
【００４２】図４のゲイン切り替えタイプのアンロード
速度制御ブロックの特徴は、速度制御器４１と制御対象
４２（としての図１、図３に示すＶＣＭ１６）との間
に、速度フィードバックゲインを切り替えるゲイン切り
替え器４３を備えると共に、制御対象４２の実際の速度
ω、つまりキャリッジ移動速度（ＶＣＭ速度）ωを監視
することでヘッド１２がランプ１４に衝突したことを検
出するランプ衝突判定器４４を備えていることにある。
なお本実施形態において、速度制御器４１、ゲイン切り
替え器４３及びランプ衝突判定器４４は、ＣＰＵ３２の
制御プログラム処理により実現される機能ブロックであ
るが、ハードウェア構成により実現することも可能であ
る。
速度制御ブロックの特徴は、速度制御器４１と制御対象
４２（としての図１、図３に示すＶＣＭ１６）との間
に、速度フィードバックゲインを切り替えるゲイン切り
替え器４３を備えると共に、制御対象４２の実際の速度
ω、つまりキャリッジ移動速度（ＶＣＭ速度）ωを監視
することでヘッド１２がランプ１４に衝突したことを検
出するランプ衝突判定器４４を備えていることにある。
なお本実施形態において、速度制御器４１、ゲイン切り
替え器４３及びランプ衝突判定器４４は、ＣＰＵ３２の
制御プログラム処理により実現される機能ブロックであ
るが、ハードウェア構成により実現することも可能であ
る。
【００４３】次に、図１の構成の磁気ディスク装置にお
いて、ヘッド１２をランプ１４にアンロードする場合の
速度フィードバックによるアンロード制御について、図
５乃至図７を参照して説明する。なお、図５はＶＣＭ制
御操作量の時間変化を示す図、図６はキャリッジ移動速
度（ＶＣＭ速度）の時間変化を示す図、図７はアンロー
ド動作時のタブ１３１ａの移動経路を示す図である。
いて、ヘッド１２をランプ１４にアンロードする場合の
速度フィードバックによるアンロード制御について、図
５乃至図７を参照して説明する。なお、図５はＶＣＭ制
御操作量の時間変化を示す図、図６はキャリッジ移動速
度（ＶＣＭ速度）の時間変化を示す図、図７はアンロー
ド動作時のタブ１３１ａの移動経路を示す図である。
【００４４】今、ディスク媒体１１上に位置しているヘ
ッド１２を当該ヘッド１２の外周方向に移動させ、更に
ランプ１４上にアンロードさせるアンロード制御を行う
ものとする。この場合、ＶＣＭ１６のコイルに発生する
逆起電圧を図３の逆起電圧検出回路３０により検出し、
その逆起電圧をＡ／Ｄ変換器３１を介してＣＰＵ３２が
定期的に取り込んでＶＣＭ１６の駆動速度（ＶＣＭ速
度）、つまりキャリッジ１３の（ディスク媒体１１の半
径方向への）移動速度ωを算出する。ＣＰＵ３２は、こ
の算出したキャリッジ移動速度ωが目標速度ωrとなる
ように、速度フィードバック制御を行う。
ッド１２を当該ヘッド１２の外周方向に移動させ、更に
ランプ１４上にアンロードさせるアンロード制御を行う
ものとする。この場合、ＶＣＭ１６のコイルに発生する
逆起電圧を図３の逆起電圧検出回路３０により検出し、
その逆起電圧をＡ／Ｄ変換器３１を介してＣＰＵ３２が
定期的に取り込んでＶＣＭ１６の駆動速度（ＶＣＭ速
度）、つまりキャリッジ１３の（ディスク媒体１１の半
径方向への）移動速度ωを算出する。ＣＰＵ３２は、こ
の算出したキャリッジ移動速度ωが目標速度ωrとなる
ように、速度フィードバック制御を行う。
【００４５】さて、図１０に示した従来の速度フィード
バック系（をなすアンロード速度制御ブロック）による
アンロード動作時の速度フィードバック制御（アンロー
ド制御）では、（図４中の速度制御器４１に相当する）
制御器１０１がＰＩ（比例積分）制御器であるものとす
ると、当該制御器１０１から（図４中の制御対象４２に
相当する）制御対象１０２、つまり（図１、図３中のＶ
ＣＭ１６に相当する）ＶＣＭ側に与えられるＶＣＭ制御
操作量の時間変化は、図５のようになる。また、その際
の、制御対象１０２の移動速度、つまりキャリッジ移動
速度（ＶＣＭ速度）ωの時間変化は、図６のようにな
る。
バック系（をなすアンロード速度制御ブロック）による
アンロード動作時の速度フィードバック制御（アンロー
ド制御）では、（図４中の速度制御器４１に相当する）
制御器１０１がＰＩ（比例積分）制御器であるものとす
ると、当該制御器１０１から（図４中の制御対象４２に
相当する）制御対象１０２、つまり（図１、図３中のＶ
ＣＭ１６に相当する）ＶＣＭ側に与えられるＶＣＭ制御
操作量の時間変化は、図５のようになる。また、その際
の、制御対象１０２の移動速度、つまりキャリッジ移動
速度（ＶＣＭ速度）ωの時間変化は、図６のようにな
る。
【００４６】図から明らかなように、ヘッド１２がディ
スク媒体１１上を移動している期間Ｔ１では、ＶＣＭ制
御操作量はほぼ一定で、キャリッジ移動速度（ＶＣＭ速
度）ωも、ほぼ一定である。
スク媒体１１上を移動している期間Ｔ１では、ＶＣＭ制
御操作量はほぼ一定で、キャリッジ移動速度（ＶＣＭ速
度）ωも、ほぼ一定である。
【００４７】これに対し、ヘッド１２（を支持するサス
ペンション１３１の先端をなすタブ１３１ａ）が図７に
おいて符号７１で示すようにランプ１４に当たると、外
力が働くため、図６のＡ２部のようにキャリッジ移動速
度（ＶＣＭ速度）ωが低下し、これによりＶＣＭ制御操
作量が図５のＡ１部のように増加する。このような状態
では、外力（負荷）が大きい場合には、キャリッジ移動
速度（ＶＣＭ速度）ωが０となり、ヘッド１２（キャリ
ッジ１３）の動きが一時停止することもあり得る。
ペンション１３１の先端をなすタブ１３１ａ）が図７に
おいて符号７１で示すようにランプ１４に当たると、外
力が働くため、図６のＡ２部のようにキャリッジ移動速
度（ＶＣＭ速度）ωが低下し、これによりＶＣＭ制御操
作量が図５のＡ１部のように増加する。このような状態
では、外力（負荷）が大きい場合には、キャリッジ移動
速度（ＶＣＭ速度）ωが０となり、ヘッド１２（キャリ
ッジ１３）の動きが一時停止することもあり得る。
【００４８】そこで本実施形態で適用する、図４の速度
フィードバック系（をなすゲイン切り替えタイプアンロ
ード速度制御ブロック）では、ランプ衝突判定器４４に
より制御対象４２の実際の速度、つまりキャリッジ１３
の移動速度（ＶＣＭ速度）ωを監視し、図６のＡ２部の
ように、当該速度ωがランプ衝突判定基準速度ＴＨωを
下回った場合に、ヘッド１２（を支持するサスペンショ
ン１３１の先端をなすタブ１３１ａ）がランプ１４に衝
突したと判定するようにしている。
フィードバック系（をなすゲイン切り替えタイプアンロ
ード速度制御ブロック）では、ランプ衝突判定器４４に
より制御対象４２の実際の速度、つまりキャリッジ１３
の移動速度（ＶＣＭ速度）ωを監視し、図６のＡ２部の
ように、当該速度ωがランプ衝突判定基準速度ＴＨωを
下回った場合に、ヘッド１２（を支持するサスペンショ
ン１３１の先端をなすタブ１３１ａ）がランプ１４に衝
突したと判定するようにしている。
【００４９】そして、ランプ衝突判定器４４によりラン
プ衝突が判定された場合には、そのランプ衝突判定に応
じてゲイン切り替え器４３を制御し、速度フィードバッ
クゲインを低（Ｌｏｗ）ゲインから高（Ｈｉｇｈ）ゲイ
ンに切り替える。すると、速度フィードバック系の応答
速度が速くなり、キャリッジ移動速度ωの低下を回避で
きる。
プ衝突が判定された場合には、そのランプ衝突判定に応
じてゲイン切り替え器４３を制御し、速度フィードバッ
クゲインを低（Ｌｏｗ）ゲインから高（Ｈｉｇｈ）ゲイ
ンに切り替える。すると、速度フィードバック系の応答
速度が速くなり、キャリッジ移動速度ωの低下を回避で
きる。
【００５０】なお、ランプ衝突判定器４４によるランプ
衝突判定方法として、キャリッジ１３の移動速度（ＶＣ
Ｍ速度）ωではなくて、制御対象４２に与えられるＶＣ
Ｍ制御操作量を監視し、図５のＡ１部のように、当該Ｖ
ＣＭ制御操作量がランプ衝突判定基準操作量ＴＨoを超
えた場合にランプ衝突を判定する方法を適用することも
可能である。
衝突判定方法として、キャリッジ１３の移動速度（ＶＣ
Ｍ速度）ωではなくて、制御対象４２に与えられるＶＣ
Ｍ制御操作量を監視し、図５のＡ１部のように、当該Ｖ
ＣＭ制御操作量がランプ衝突判定基準操作量ＴＨoを超
えた場合にランプ衝突を判定する方法を適用することも
可能である。
【００５１】また、ランプ衝突判定器４４を、図８
（ａ）に示すように、キャリッジ１３の移動速度（ＶＣ
Ｍ速度）ωを監視してランプ衝突を判定する第１の判定
部４４１と、ＶＣＭ制御操作量を監視してランプ衝突を
判定する第２の判定部４４２と、両判定部４４１，４４
２のランプ衝突判定結果を総合して最終的にランプ衝突
を判定する第３の判定部４４３から構成することも可能
である。
（ａ）に示すように、キャリッジ１３の移動速度（ＶＣ
Ｍ速度）ωを監視してランプ衝突を判定する第１の判定
部４４１と、ＶＣＭ制御操作量を監視してランプ衝突を
判定する第２の判定部４４２と、両判定部４４１，４４
２のランプ衝突判定結果を総合して最終的にランプ衝突
を判定する第３の判定部４４３から構成することも可能
である。
【００５２】ここで、第３の判定部４４３は論理回路
（例えば論理積回路または論理和回路）により構成さ
れ、判定部４４１，４４２の両判定結果が共にランプ衝
突を示している場合にランプ衝突を判定する第１の判定
論理、または判定部４４１，４４２の少なくとも一方の
判定結果がランプ衝突を示している場合にランプ衝突を
判定する第２の判定論理のいずれかが適用可能である。
（例えば論理積回路または論理和回路）により構成さ
れ、判定部４４１，４４２の両判定結果が共にランプ衝
突を示している場合にランプ衝突を判定する第１の判定
論理、または判定部４４１，４４２の少なくとも一方の
判定結果がランプ衝突を示している場合にランプ衝突を
判定する第２の判定論理のいずれかが適用可能である。
【００５３】上記第１の判定論理は、ランプ衝突が発生
していないのに誤ってランプ衝突と判定されるのを防止
して、ランプ衝突を高精度で判定するのに適している。
これに対して上記第２の判定論理は、ランプ衝突が発生
しているのに誤ってランプ衝突していないと判定される
のを防止して、ランプ衝突を高精度で判定するのに適し
ている。第１または第２の判定論理の何れを適用するか
は、誤ってランプ衝突と判定されることと、誤ってラン
プ衝突していないと判定されることの、いずれを重要視
するかによって決めればよい。
していないのに誤ってランプ衝突と判定されるのを防止
して、ランプ衝突を高精度で判定するのに適している。
これに対して上記第２の判定論理は、ランプ衝突が発生
しているのに誤ってランプ衝突していないと判定される
のを防止して、ランプ衝突を高精度で判定するのに適し
ている。第１または第２の判定論理の何れを適用するか
は、誤ってランプ衝突と判定されることと、誤ってラン
プ衝突していないと判定されることの、いずれを重要視
するかによって決めればよい。
【００５４】また、基準時間を計測するタイマ等により
アンロード制御開始時から時間カウントを開始し、基準
時間を計測し終える前のランプ衝突判定は無視するよう
にしても、ランプ衝突の判定精度を上げることができ
る。
アンロード制御開始時から時間カウントを開始し、基準
時間を計測し終える前のランプ衝突判定は無視するよう
にしても、ランプ衝突の判定精度を上げることができ
る。
【００５５】この他に、ランプ衝突判定器４４を、図８
（ｂ）に示すように、制御系（制御対象４２）に加わっ
た外力（外乱）を、キャリッジ移動速度ω（速度情報）
と制御操作量とから算出する外力算出部４４４と、算出
した外力が基準値を超えた場合にランプ衝突を判定する
判定部４４５とから構成することも可能である。ここで
外力算出部４４４での外力の算出は次のように行えばよ
い。
（ｂ）に示すように、制御系（制御対象４２）に加わっ
た外力（外乱）を、キャリッジ移動速度ω（速度情報）
と制御操作量とから算出する外力算出部４４４と、算出
した外力が基準値を超えた場合にランプ衝突を判定する
判定部４４５とから構成することも可能である。ここで
外力算出部４４４での外力の算出は次のように行えばよ
い。
【００５６】まず、外力をｄ、キャリッジ１３の位置
（回転角）をθとする。この場合、キャリッジ移動速度
ωはｄθ／ｄｔで表される。但し、ｔは時間である。次
に、目標速度をωrとすると共に、速度制御器４１とし
て簡単のためにＰ制御器（比例制御器）を想定して、そ
のフィードバックゲインをＫとすると、制御操作量はＫ
（ωr−ω）で表される。
（回転角）をθとする。この場合、キャリッジ移動速度
ωはｄθ／ｄｔで表される。但し、ｔは時間である。次
に、目標速度をωrとすると共に、速度制御器４１とし
て簡単のためにＰ制御器（比例制御器）を想定して、そ
のフィードバックゲインをＫとすると、制御操作量はＫ
（ωr−ω）で表される。
【００５７】すると、外力ｄは、キャリッジ１３のイナ
ーシャをＩとすると、次式 ｄ＝Ｉｄω／ｄｔ−Ｋ（ωr−ω） …（１１） により算出される。
ーシャをＩとすると、次式 ｄ＝Ｉｄω／ｄｔ−Ｋ（ωr−ω） …（１１） により算出される。
【００５８】このようにして外力算出部４４４にて外力
ｄを定期的に算出し、その都度判定部４４５にて上記の
如く基準値と比較することで、ランプ衝突を判定するこ
とができる。この他に、（外力ｄの大きさではなくて）
外力ｄの変化（変動）を監視し、基準値以上の変化があ
った場合にランプ衝突を判定することも可能である。
ｄを定期的に算出し、その都度判定部４４５にて上記の
如く基準値と比較することで、ランプ衝突を判定するこ
とができる。この他に、（外力ｄの大きさではなくて）
外力ｄの変化（変動）を監視し、基準値以上の変化があ
った場合にランプ衝突を判定することも可能である。
【００５９】［速度フィードバック系を構成するアンロ
ード速度制御ブロックの他の例］以上に述べた実施形態
では、速度フィードバック系にゲイン切り替えタイプの
アンロード速度制御ブロックを適用した場合について説
明したが、これに限るものではない。例えば、図９に示
すような、フィードフォワードタイプのアンロード速度
制御ブロックを用いることも可能である。なお、図９の
構成において図４と同一部分には同一符号を付してあ
る。
ード速度制御ブロックの他の例］以上に述べた実施形態
では、速度フィードバック系にゲイン切り替えタイプの
アンロード速度制御ブロックを適用した場合について説
明したが、これに限るものではない。例えば、図９に示
すような、フィードフォワードタイプのアンロード速度
制御ブロックを用いることも可能である。なお、図９の
構成において図４と同一部分には同一符号を付してあ
る。
【００６０】図９のフィードフォワードタイプのアンロ
ード速度制御ブロックの特徴は、ランプ衝突判定器４４
によるランプ衝突判定に応じて、予め定められたフィー
ドフォワード駆動力を補償操作量として、速度制御器４
１からの通常のフィードバック制御出力であるＶＣＭ制
御操作量に加えるフィードフォワード補償器９１を備え
ていることにある。
ード速度制御ブロックの特徴は、ランプ衝突判定器４４
によるランプ衝突判定に応じて、予め定められたフィー
ドフォワード駆動力を補償操作量として、速度制御器４
１からの通常のフィードバック制御出力であるＶＣＭ制
御操作量に加えるフィードフォワード補償器９１を備え
ていることにある。
【００６１】このように、図９のフィードフォワードタ
イプのアンロード速度制御ブロックからなる速度フィー
ドバック系を用い、ランプ衝突判定器４４によりランプ
衝突が判定された場合に、予め定められたフィードフォ
ワード補償操作量を、速度制御器４１からのＶＣＭ制御
操作量にフィードフォワード補償器９１により加えて制
御対象４２としてのＶＣＭ１６を駆動することで、ラン
プ衝突時の速度低下を回避できる。
イプのアンロード速度制御ブロックからなる速度フィー
ドバック系を用い、ランプ衝突判定器４４によりランプ
衝突が判定された場合に、予め定められたフィードフォ
ワード補償操作量を、速度制御器４１からのＶＣＭ制御
操作量にフィードフォワード補償器９１により加えて制
御対象４２としてのＶＣＭ１６を駆動することで、ラン
プ衝突時の速度低下を回避できる。
【００６２】なお本実施形態では、フィードフォワード
補償器９１により加えられるフィードフォワード操作量
の値は、図１の磁気ディスク装置の製造時等において予
めアンロード動作時の負荷（アンロード負荷）を測定し
て、その負荷から当該アンロード動作時の負荷に見合っ
た補償操作量として算出されたものであり、フラッシュ
メモリ等の不揮発性メモリ９２に予め記憶されている。
これによりフィードフォワード補償器９１は、ランプ衝
突判定器４４によるランプ衝突判定時には、不揮発性メ
モリ９２から補償操作量を読み出すことでフィードフォ
ワード駆動力を印加することができる。
補償器９１により加えられるフィードフォワード操作量
の値は、図１の磁気ディスク装置の製造時等において予
めアンロード動作時の負荷（アンロード負荷）を測定し
て、その負荷から当該アンロード動作時の負荷に見合っ
た補償操作量として算出されたものであり、フラッシュ
メモリ等の不揮発性メモリ９２に予め記憶されている。
これによりフィードフォワード補償器９１は、ランプ衝
突判定器４４によるランプ衝突判定時には、不揮発性メ
モリ９２から補償操作量を読み出すことでフィードフォ
ワード駆動力を印加することができる。
【００６３】なお、フィードフォワード補償操作量の算
出方法としては、ランプ衝突後の理想速度曲線（ランプ
ロードモデル）を設計値として予め与えておく一方、フ
ィードバック補償のみでの速度曲線と操作量により、ア
ンロード動作時の外力を算出し、上記ランプロードモデ
ルと上記算出されたアンロード動作時の外力とにより、
必要なフィードフォワード補償操作量を算出する方法が
適用可能である。
出方法としては、ランプ衝突後の理想速度曲線（ランプ
ロードモデル）を設計値として予め与えておく一方、フ
ィードバック補償のみでの速度曲線と操作量により、ア
ンロード動作時の外力を算出し、上記ランプロードモデ
ルと上記算出されたアンロード動作時の外力とにより、
必要なフィードフォワード補償操作量を算出する方法が
適用可能である。
【００６４】また、フィードフォワード操作量（補償操
作量）の精度を更に上げるために、算出したフィードフ
ォワード操作量を適用してアンロード動作を実施し、ラ
ンプロードモデルとの誤差から当該モデルを修正してフ
ィードフォワード操作量を再計算する動作（つまりフィ
ードフォワード操作量の学習動作）を繰り返すことによ
り、最適なフィードフォワード操作量を求めることも可
能である。この動作は、例えば磁気ディスク装置の立ち
上げ時毎に行うとよい。また、フィードフォワード操作
量の値をディスク媒体１１の（ユーザからは使用できな
いシステム専用の）特定領域に記憶するようにしても構
わない。
作量）の精度を更に上げるために、算出したフィードフ
ォワード操作量を適用してアンロード動作を実施し、ラ
ンプロードモデルとの誤差から当該モデルを修正してフ
ィードフォワード操作量を再計算する動作（つまりフィ
ードフォワード操作量の学習動作）を繰り返すことによ
り、最適なフィードフォワード操作量を求めることも可
能である。この動作は、例えば磁気ディスク装置の立ち
上げ時毎に行うとよい。また、フィードフォワード操作
量の値をディスク媒体１１の（ユーザからは使用できな
いシステム専用の）特定領域に記憶するようにしても構
わない。
【００６５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ヘ
ッドをアンロードさせる際、ＶＣＭに発生する逆起電圧
から検出されるキャリッジ移動速度またはＶＣＭ側にフ
ィードバックされる制御操作量の少なくとも一方に基づ
いて、或いはキャリッジに働く外力の大きさまたは変動
量に基づいて、ランプ衝突の判定を行い、ランプ衝突検
出時には、速度フィードバックゲインを大きい値に切り
替えて追従性を上げる、或いはフィードフォワード駆動
力をボイスコイルモータに印加するようにしたので、ラ
ンプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度低下、キャリッ
ジ移動動作の一時停止を回避し、安定したヘッドアンロ
ードが実現できる。
ッドをアンロードさせる際、ＶＣＭに発生する逆起電圧
から検出されるキャリッジ移動速度またはＶＣＭ側にフ
ィードバックされる制御操作量の少なくとも一方に基づ
いて、或いはキャリッジに働く外力の大きさまたは変動
量に基づいて、ランプ衝突の判定を行い、ランプ衝突検
出時には、速度フィードバックゲインを大きい値に切り
替えて追従性を上げる、或いはフィードフォワード駆動
力をボイスコイルモータに印加するようにしたので、ラ
ンプ衝突時の大幅なキャリッジ移動速度低下、キャリッ
ジ移動動作の一時停止を回避し、安定したヘッドアンロ
ードが実現できる。
【図１】本発明の一実施形態に係るヘッドのランプロー
ド／アンロード方式を適用する磁気ディスク装置の筐体
内の概略構造を示す平面図。
ド／アンロード方式を適用する磁気ディスク装置の筐体
内の概略構造を示す平面図。
【図２】ヘッドのランプロード／アンロード方式を説明
するための図。
するための図。
【図３】図１の磁気ディスク装置に適用される逆起電圧
検出回路３０の回路構成例を示す図。
検出回路３０の回路構成例を示す図。
【図４】図１の磁気ディスク装置で適用される速度フィ
ードバック系の一例としてのゲイン切り替えタイプのア
ンロード速度制御ブロックを示す図。
ードバック系の一例としてのゲイン切り替えタイプのア
ンロード速度制御ブロックを示す図。
【図５】ＶＣＭ制御操作量の時間変化を示す図。
【図６】キャリッジ移動速度（ＶＣＭ速度）の時間変化
を示す図。
を示す図。
【図７】アンロード動作時のタブ１３１ａの移動経路を
示す図。
示す図。
【図８】ランプ衝突判定器４４の変形例を示すブロック
構成図。
構成図。
【図９】図１の磁気ディスク装置で適用される速度フィ
ードバック系の他の例としてのフィードフォワードタイ
プのアンロード速度制御ブロックを示す図。
ードバック系の他の例としてのフィードフォワードタイ
プのアンロード速度制御ブロックを示す図。
【図１０】従来のアンロード速度制御ブロックを示す
図。
図。
１１…ディスク媒体 １２…ヘッド １３…キャリッジ １４…ランプ １５…ＳＰＭ（スピンドルモータ） １６…ＶＣＭ（ボイスコイルモータ） ３０…逆起電圧検出回路（速度検出手段） ３２…ＣＰＵ（速度検出手段） ４１…速度制御器 ４２…制御対象 ４３…ゲイン切り替え器 ４４…ランプ衝突判定器 ９１…フィードフォワード補償器 ９２…不揮発性メモリ（記憶手段） １３１…サスペンション １３１ａ…タブ ４４１…第１の判定部 ４４２…第２の判定部 ４４３…第３の判定部 ４４４…外力算出部 ４４５…判定部
Claims (9)
- 【請求項１】 ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動
させるための駆動力を発生するボイスコイルモータと、
前記ボイスコイルモータの駆動力を受けて前記ヘッドを
前記媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、前記ボ
イスコイルモータのコイルに誘起される逆起電圧を観測
することで前記キャリッジの移動速度を検出する速度検
出手段と、前記ヘッドを前記媒体外に配置されたランプ
にアンロードするヘッドアンロード動作時に、前記速度
検出手段によって検出されるキャリッジ移動速度に基づ
いてフィードバック制御することでアンロード速度を制
御する速度制御手段とを備えたヘッドのランプロード／
アンロード方式の磁気ディスク装置において、 前記ヘッドアンロード動作時に、前記速度検出手段の速
度検出結果または前記速度制御手段から前記ボイスコイ
ルモータ側にフィードバックされる制御操作量の少なく
とも一方に基づいて前記ヘッドが前記ランプに当たるラ
ンプ衝突の判定を行うランプ衝突判定手段と、 前記ランプ衝突判定手段によるランプ衝突判定に応じて
前記速度制御手段による速度フィードバックのゲインを
高ゲイン側に切り替えるゲイン切り替え手段とを具備す
ることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動
させるための駆動力を発生するボイスコイルモータと、
前記ボイスコイルモータの駆動力を受けて前記ヘッドを
前記媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、前記ボ
イスコイルモータのコイルに誘起される逆起電圧を観測
することで前記キャリッジの移動速度を検出する速度検
出手段と、前記ヘッドを前記媒体外に配置されたランプ
にアンロードするヘッドアンロード動作時に、前記速度
検出手段によって検出されるキャリッジ移動速度に基づ
いてフィードバック制御することでアンロード速度を制
御する速度制御手段とを備えたヘッドのランプロード／
アンロード方式の磁気ディスク装置において、 前記ヘッドアンロード動作時に、前記キャリッジに働く
外力の大きさまたは変動量に基づいて前記ヘッドが前記
ランプに当たるランプ衝突の判定を行うランプ衝突判定
手段と、 前記ランプ衝突判定手段によるランプ衝突判定に応じて
前記速度制御手段による速度フィードバックのゲインを
高ゲイン側に切り替えるゲイン切り替え手段とを具備す
ることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動
させるための駆動力を発生するボイスコイルモータと、
前記ボイスコイルモータの駆動力を受けて前記ヘッドを
前記媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、前記ボ
イスコイルモータのコイルに誘起される逆起電圧を観測
することで前記キャリッジの移動速度を検出する速度検
出手段と、前記ヘッドを前記媒体外に配置されたランプ
にアンロードするヘッドアンロード動作時に、前記速度
検出手段によって検出されるキャリッジ移動速度に基づ
いてフィードバック制御することでアンロード速度を制
御する速度制御手段とを備えたヘッドのランプロード／
アンロード方式の磁気ディスク装置において、 前記ヘッドアンロード動作時に、前記速度検出手段の速
度検出結果または前記速度制御手段から前記ボイスコイ
ルモータ側にフィードバックされる制御操作量の少なく
とも一方に基づいて前記ヘッドが前記ランプに当たるラ
ンプ衝突の判定を行うランプ衝突判定手段と、 前記ランプ衝突判定手段によるランプ衝突判定に応じて
所定のフィードフォワード操作量を前記速度制御手段に
より前記ボイスコイルモータ側にフィードバックされる
制御操作量に加えるフィードフォワード補償手段とを具
備することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動
させるための駆動力を発生するボイスコイルモータと、
前記ボイスコイルモータの駆動力を受けて前記ヘッドを
前記媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、前記ボ
イスコイルモータのコイルに誘起される逆起電圧を観測
することで前記キャリッジの移動速度を検出する速度検
出手段と、前記ヘッドを前記媒体外に配置されたランプ
にアンロードするヘッドアンロード動作時に、前記速度
検出手段によって検出されるキャリッジ移動速度に基づ
いてフィードバック制御することでアンロード速度を制
御する速度制御手段とを備えたヘッドのランプロード／
アンロード方式の磁気ディスク装置において、 前記ヘッドアンロード動作時に、前記キャリッジに働く
外力の大きさまたは変動量に基づいて前記ヘッドが前記
ランプに当たるランプ衝突の判定を行うランプ衝突判定
手段と、 前記ランプ衝突判定手段によるランプ衝突判定に応じて
所定のフィードフォワード操作量を前記速度制御手段に
より前記ボイスコイルモータ側にフィードバックされる
制御操作量に加えるフィードフォワード補償手段とを具
備することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記ランプ衝突判定手段は、前記速度検
出手段の速度検出結果に基づいて第１のランプ衝突判定
を行う第１の判定手段と、前記速度制御手段からの前記
制御操作量に基づいて第２のランプ衝突判定を行う第２
の判定手段と、前記第１及び第２のランプ衝突判定結果
に基づいて最終的にランプ衝突を判定する第３の判定手
段とから構成されることを特徴とする請求項１または請
求項３記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記ランプ衝突判定手段は、前記速度検
出手段の速度検出結果及び前記速度制御手段からの前記
制御操作量に基づいて前記キャリッジに働く外力を算出
する外力算出手段を備えていることを特徴とする請求項
２または請求項４記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記磁気ディスク装置の製造段階で当該
装置に固有の前記フィードフォワード操作量を示す情報
が記憶された記憶手段を更に具備し、 前記フィードフォワード補償手段は前記記憶手段に記憶
されている前記フィードフォワード操作量を示す情報に
基づいて対応するフィードフォワード操作量を前記制御
操作量に加えることを特徴とする請求項３または請求項
４に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動
させるための駆動力を発生するボイスコイルモータと、
前記ボイスコイルモータの駆動力を受けて前記ヘッドを
前記媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、前記ボ
イスコイルモータのコイルに誘起される逆起電圧を観測
することで前記キャリッジの移動速度を検出する速度検
出手段と、前記ヘッドを前記媒体外に配置されたランプ
にアンロードするヘッドアンロード動作時に、前記速度
検出手段によって検出されるキャリッジ移動速度に基づ
いてフィードバック制御することでアンロード速度を制
御する速度制御手段とを備えたヘッドのランプロード／
アンロード方式の磁気ディスク装置に適用されるヘッド
アンロード動作時のキャリッジ移動制御方法であって、 前記ヘッドアンロード動作時に、前記速度検出手段の速
度検出結果または前記速度制御手段から前記ボイスコイ
ルモータ側にフィードバックされる制御操作量の少なく
とも一方に基づいて前記ヘッドが前記ランプに当たるラ
ンプ衝突の判定を行い、 前記ランプ衝突を判定した際には前記速度制御手段によ
る速度フィードバックのゲインを高ゲイン側に切り替え
るようにしたことを特徴とするヘッドアンロード動作時
のキャリッジ移動制御方法。 - 【請求項９】 ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動
させるための駆動力を発生するボイスコイルモータと、
前記ボイスコイルモータの駆動力を受けて前記ヘッドを
前記媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、前記ボ
イスコイルモータのコイルに誘起される逆起電圧を観測
することで前記キャリッジの移動速度を検出する速度検
出手段と、前記ヘッドを前記媒体外に配置されたランプ
にアンロードするヘッドアンロード動作時に、前記速度
検出手段によって検出されるキャリッジ移動速度に基づ
いてフィードバック制御することでアンロード速度を制
御する速度制御手段とを備えたヘッドのランプロード／
アンロード方式の磁気ディスク装置に適用されるヘッド
アンロード動作時のキャリッジ移動制御方法であって、 前記ヘッドアンロード動作時に、前記速度検出手段の速
度検出結果または前記速度制御手段から前記ボイスコイ
ルモータ側にフィードバックされる制御操作量の少なく
とも一方に基づいて前記ヘッドが前記ランプに当たるラ
ンプ衝突の判定を行い、 前記ランプ衝突を判定した際には所定のフィードフォワ
ード操作量を前記速度制御手段により前記ボイスコイル
モータ側にフィードバックされる制御操作量に加えるよ
うにしたことを特徴とするヘッドアンロード動作時のキ
ャリッジ移動制御方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226498A JP2001052458A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法 |
| US09/522,392 US6643088B1 (en) | 1999-08-10 | 2000-03-10 | Magnetic disk drive and method of controlling a movement of carriage in an unload operation of head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226498A JP2001052458A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001052458A true JP2001052458A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16846061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11226498A Pending JP2001052458A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 磁気ディスク装置及びヘッドアンロード動作時のキャリッジ移動制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6643088B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001052458A (ja) |
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