JP2001052312A - 低減されたヨーク長及び短いフラックス立上り時間を有する高密度マルチコイ磁気書込みヘッド - Google Patents
低減されたヨーク長及び短いフラックス立上り時間を有する高密度マルチコイ磁気書込みヘッドInfo
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】磁気ディスクデータ記憶システムの磁気書込み
トランスデューサ及び製造方法を提供する。 【解決手段】第1及び第2の極の間に配置された複数の
コイルを有し、単一のバイファイラコイルの形式で巻上
げられた第2及び第3のコイルは書込みギャップ物質の
上に供給され、各々が内部接点及び外部接点部分を有し
ている。第1のコイルと第2のコイルの内部接点の電気
的接続は、書込みギャップ物質内の通路を介して行われ
る。絶縁層はその上のコイルを分離させている。第4の
コイルは第2の絶縁層の中の通路を介して第2のコイル
の外側接点と電気的に接続されている。第3の絶縁層は
第4のコイルの上に溶着され、第1及び第2の極は後部
ギャップ部分において電気的に接続している。
トランスデューサ及び製造方法を提供する。 【解決手段】第1及び第2の極の間に配置された複数の
コイルを有し、単一のバイファイラコイルの形式で巻上
げられた第2及び第3のコイルは書込みギャップ物質の
上に供給され、各々が内部接点及び外部接点部分を有し
ている。第1のコイルと第2のコイルの内部接点の電気
的接続は、書込みギャップ物質内の通路を介して行われ
る。絶縁層はその上のコイルを分離させている。第4の
コイルは第2の絶縁層の中の通路を介して第2のコイル
の外側接点と電気的に接続されている。第3の絶縁層は
第4のコイルの上に溶着され、第1及び第2の極は後部
ギャップ部分において電気的に接続している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は、概して磁気ディ
スクデータ記憶システムに関し、より特定的には磁気書
込みトランスデューサ及び同トランスデューサの製造方
法に関する。
スクデータ記憶システムに関し、より特定的には磁気書
込みトランスデューサ及び同トランスデューサの製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスクドライブは、コンピュータ
のようなデジタル電子装置のためのデータを記憶及び検
索するために使用されている。図1には先行技術による
磁気ディスクデータ記憶システム10が示されており、
同システムは、密閉されたエンクロージャ12と、ディ
スクドライブモータ14と、モータ14のドライブスピ
ンドルS1によって回転を支持されている磁気ディスク
16と、アクチュエータ18と、アクチュエータ18の
アクチュエータスピンドルS2に取り付けられたアーム
20とを含んでいる。サスペンション22は、一端をア
ーム20に結合され、多端を読み/書きヘッドまたはト
ランスデューサ24に結合されている。トランスデュー
サ24(これについては、図2を参照して詳述する)
は、典型的にはセンサ読取り要素を有する誘導性書込み
要素を含んでいる。モータ14が矢印Rによって指示さ
れるように磁気ディスク16を回転させると、トランス
デューサ24の下に空気ベアリングが形成され、トラン
スデューサ24は磁気ディスク16の表面から僅かに持
ち上がる、もしくは技術用語でいうように磁気ディスク
16より上に「飛び上がる」。代替として、「接触ヘッ
ド」として知られるトランスデューサの中には、ディス
クの表面上に載っているものもある。情報の様々な磁気
「トラック」の磁気ディスク16への書込み及び/また
は磁気ディスク16からの読取りは、アクチュエータ1
8がトランスデューサ24を矢印Pが示すような短い弧
状で枢動しながら行うことができる。磁気ディスクデー
タ記憶システムの設計及び製造は、当業者には周知であ
る。
のようなデジタル電子装置のためのデータを記憶及び検
索するために使用されている。図1には先行技術による
磁気ディスクデータ記憶システム10が示されており、
同システムは、密閉されたエンクロージャ12と、ディ
スクドライブモータ14と、モータ14のドライブスピ
ンドルS1によって回転を支持されている磁気ディスク
16と、アクチュエータ18と、アクチュエータ18の
アクチュエータスピンドルS2に取り付けられたアーム
20とを含んでいる。サスペンション22は、一端をア
ーム20に結合され、多端を読み/書きヘッドまたはト
ランスデューサ24に結合されている。トランスデュー
サ24(これについては、図2を参照して詳述する)
は、典型的にはセンサ読取り要素を有する誘導性書込み
要素を含んでいる。モータ14が矢印Rによって指示さ
れるように磁気ディスク16を回転させると、トランス
デューサ24の下に空気ベアリングが形成され、トラン
スデューサ24は磁気ディスク16の表面から僅かに持
ち上がる、もしくは技術用語でいうように磁気ディスク
16より上に「飛び上がる」。代替として、「接触ヘッ
ド」として知られるトランスデューサの中には、ディス
クの表面上に載っているものもある。情報の様々な磁気
「トラック」の磁気ディスク16への書込み及び/また
は磁気ディスク16からの読取りは、アクチュエータ1
8がトランスデューサ24を矢印Pが示すような短い弧
状で枢動しながら行うことができる。磁気ディスクデー
タ記憶システムの設計及び製造は、当業者には周知であ
る。
【0003】図2は、基板25を含み、その上に読取り
要素26と書込み要素28とが配置されている磁気読取
り/書込みヘッド24を描いている。読取り要素26及
び書込み要素28の端部はまた、平面29に空気ベアリ
ング表面ABSを限定している。これは、磁気ディスク
16の表面と直面するように整合されることが可能であ
る(図1参照)。読取り要素26は、第1のシールド3
0と、第2のシールドとして機能する中間層32と、第
1のシールド30と第2のシールド32との間の誘電媒
体35内に位置する読取りセンサ34とを含んでいる。
磁気読取り/書込みヘッド24に使用される最も一般的
なタイプの読取りセンサ34は、読取りセンサにおける
抵抗の変化を通じて磁気媒体から磁場信号を検出するた
めに使用される磁気抵抗(AMRまたはGMR)センサ
である。
要素26と書込み要素28とが配置されている磁気読取
り/書込みヘッド24を描いている。読取り要素26及
び書込み要素28の端部はまた、平面29に空気ベアリ
ング表面ABSを限定している。これは、磁気ディスク
16の表面と直面するように整合されることが可能であ
る(図1参照)。読取り要素26は、第1のシールド3
0と、第2のシールドとして機能する中間層32と、第
1のシールド30と第2のシールド32との間の誘電媒
体35内に位置する読取りセンサ34とを含んでいる。
磁気読取り/書込みヘッド24に使用される最も一般的
なタイプの読取りセンサ34は、読取りセンサにおける
抵抗の変化を通じて磁気媒体から磁場信号を検出するた
めに使用される磁気抵抗(AMRまたはGMR)センサ
である。
【0004】書込み要素28は、典型的には、第1の極
として機能する中間層32と、第1の極32よりも上に
配置された第2の極38とを含む誘導書込み要素であ
る。第1の極32と第2の極38とは後部ギャップ部分
40によって互いに結合され、これらの3要素が集合
し、ヨーク41を形成している。ABSに近い第1の極
のチップ部分43と第2の極のチップ部分45との組み
合わせは、時にヨークチップ部分46と呼ばれている。
書込みギャップ36は、ヨーク先端部分46の第1及び
第2の極32、38の間で形成されている。書込みギャ
ップ36は、書込みギャップ物質層37を形成する非磁
性電気絶縁材料で充填されている。この非磁性物質は、
第2のヨーク38より下に存在し、かつヨークチップ部
分46から後部ギャップ部分40へと伸張する第1の絶
縁層47と一体式である(図が示すように)か、もしく
はこれと分離したもののいずれかであることが可能であ
る。
として機能する中間層32と、第1の極32よりも上に
配置された第2の極38とを含む誘導書込み要素であ
る。第1の極32と第2の極38とは後部ギャップ部分
40によって互いに結合され、これらの3要素が集合
し、ヨーク41を形成している。ABSに近い第1の極
のチップ部分43と第2の極のチップ部分45との組み
合わせは、時にヨークチップ部分46と呼ばれている。
書込みギャップ36は、ヨーク先端部分46の第1及び
第2の極32、38の間で形成されている。書込みギャ
ップ36は、書込みギャップ物質層37を形成する非磁
性電気絶縁材料で充填されている。この非磁性物質は、
第2のヨーク38より下に存在し、かつヨークチップ部
分46から後部ギャップ部分40へと伸張する第1の絶
縁層47と一体式である(図が示すように)か、もしく
はこれと分離したもののいずれかであることが可能であ
る。
【0005】書込み要素28にはまた、各々がワインド
高さHwを有する多数のワインド49で形成される導電
コイル48が含まれている。コイル48は、図2が示す
ように、時として1つのコイルのワインドの前端から次
のコイルのワインドの前端までの距離であるワインドピ
ッチPと称される寸法によって特徴づけられることが可
能である。図が示す通り、ワインドピッチPは、ワイン
ド厚さTwの和と隣接するワインドSwの離隔距離とに
よって限定される。導電コイル48は、第1の絶縁層4
7の上にあるコイル絶縁層50内に配置されている。こ
れにより第1の絶縁層47は第1の極32からコイル層
を電気絶縁し、同時にコイル絶縁層50はワインド49
を互いに、かつ第2の極38から電気絶縁する。
高さHwを有する多数のワインド49で形成される導電
コイル48が含まれている。コイル48は、図2が示す
ように、時として1つのコイルのワインドの前端から次
のコイルのワインドの前端までの距離であるワインドピ
ッチPと称される寸法によって特徴づけられることが可
能である。図が示す通り、ワインドピッチPは、ワイン
ド厚さTwの和と隣接するワインドSwの離隔距離とに
よって限定される。導電コイル48は、第1の絶縁層4
7の上にあるコイル絶縁層50内に配置されている。こ
れにより第1の絶縁層47は第1の極32からコイル層
を電気絶縁し、同時にコイル絶縁層50はワインド49
を互いに、かつ第2の極38から電気絶縁する。
【0006】導電コイル48のこの配列は、図2の線2
B−2Bに沿って描かれた図3が示す読取り/書込みヘ
ッド24の平面図を参照すればより良く理解することが
できる。導電コイルは第1及び第2の極を越えて伸張し
ているため、導電コイルを他の構造体から電気的に絶縁
するためには、導電コイルの上下双方を絶縁する必要が
あると思われる。例えば、図2の線2C−2Cに沿って
描かれた図である図4が示すように、第1の極に隣接
し、かつ導電コイル層48より下にビルドアップ絶縁層
52を形成することができる。当業者には周知であるよ
うに、こうした要素は磁気ディスク16等の磁気媒体に
磁気によってデータを書き込む働きをする(図1参
照)。
B−2Bに沿って描かれた図3が示す読取り/書込みヘ
ッド24の平面図を参照すればより良く理解することが
できる。導電コイルは第1及び第2の極を越えて伸張し
ているため、導電コイルを他の構造体から電気的に絶縁
するためには、導電コイルの上下双方を絶縁する必要が
あると思われる。例えば、図2の線2C−2Cに沿って
描かれた図である図4が示すように、第1の極に隣接
し、かつ導電コイル層48より下にビルドアップ絶縁層
52を形成することができる。当業者には周知であるよ
うに、こうした要素は磁気ディスク16等の磁気媒体に
磁気によってデータを書き込む働きをする(図1参
照)。
【0007】より特定的には、図2−4に示されている
もののような誘導書込みヘッドは、導電コイル層48に
書込み電流を通すことによって作動する。ヨーク41の
磁気特性により、コイル層48に通った書込み電流によ
って第1及び第2の極32、38には磁束が誘導され
る。書込みギャップ36は、磁束にヨーク41を縁取ら
せ(こうして縁をなすギャップフィールドを形成さ
せ)、ABSの近くに配置された磁気記録媒体を横断さ
せる。磁気書込み要素の決定的パラメータは、磁束の立
上り時間である。当業者には認識されるであろうが、磁
束立上り時間の短縮は記録速度の増加を許容している。
磁束立上り時間の短縮は、図5が示すようにヨーク長Y
Lを短縮することによって達成可能であることが認めら
れている。従って、より速い記録速度、延てはより高い
データ伝送率を取得するためには、より短いヨーク長Y
Lを有することが望ましいと思われる。この関係は、図
5が示すヨーク長YLに対する磁束立上り時間のグラフ
を見れば分かる。
もののような誘導書込みヘッドは、導電コイル層48に
書込み電流を通すことによって作動する。ヨーク41の
磁気特性により、コイル層48に通った書込み電流によ
って第1及び第2の極32、38には磁束が誘導され
る。書込みギャップ36は、磁束にヨーク41を縁取ら
せ(こうして縁をなすギャップフィールドを形成さ
せ)、ABSの近くに配置された磁気記録媒体を横断さ
せる。磁気書込み要素の決定的パラメータは、磁束の立
上り時間である。当業者には認識されるであろうが、磁
束立上り時間の短縮は記録速度の増加を許容している。
磁束立上り時間の短縮は、図5が示すようにヨーク長Y
Lを短縮することによって達成可能であることが認めら
れている。従って、より速い記録速度、延てはより高い
データ伝送率を取得するためには、より短いヨーク長Y
Lを有することが望ましいと思われる。この関係は、図
5が示すヨーク長YLに対する磁束立上り時間のグラフ
を見れば分かる。
【0008】書込み要素の他のパラメータは、書込み要
素の磁気原動力(MMF)を決定するコイル層48内の
ワインド49の数である。第1及び第2の極32、38
間のワインド49の数が増えるほど、フリンジフィール
ドはより強力であり、従って書込み機能は増大する。但
しワインド数は、図2が示すヨーク長YL及び隣接する
ワインド49間のピッチPによって限定される。従っ
て、速い書込み速度を維持しながらコイルワインドの数
を最大化するためには、書込み要素の設計に際してピッ
チPを最小にすることが望ましい。しかしながら最小ピ
ッチは、製造及びコスト等の実際的考慮によって限定さ
れる。
素の磁気原動力(MMF)を決定するコイル層48内の
ワインド49の数である。第1及び第2の極32、38
間のワインド49の数が増えるほど、フリンジフィール
ドはより強力であり、従って書込み機能は増大する。但
しワインド数は、図2が示すヨーク長YL及び隣接する
ワインド49間のピッチPによって限定される。従っ
て、速い書込み速度を維持しながらコイルワインドの数
を最大化するためには、書込み要素の設計に際してピッ
チPを最小にすることが望ましい。しかしながら最小ピ
ッチは、製造及びコスト等の実際的考慮によって限定さ
れる。
【0009】小さいヨーク長を維持しながらワインド数
を増大させるために使用されてきた1つの方法は、1つ
のコイルが他のコイル上に積み上げられた多重コイルを
使用することである。しかしながら、先行技術による多
重コイル書込みヘッドの場合はコイル間の相互接続にセ
ンタータップの使用が求められ、これが製造コストの増
大及び積み重ね高さの増大をもたらしてきた。従って、
依然として短いヨーク長を有するヨーク内に比較的多数
のワインドを供給することが可能であり、かつセンター
タップを使用しない書込みヘッドが求められている。こ
うした装置は、組み立て費用が比較的安価で、小さな積
み重ね高さを有することが望ましいであろう。
を増大させるために使用されてきた1つの方法は、1つ
のコイルが他のコイル上に積み上げられた多重コイルを
使用することである。しかしながら、先行技術による多
重コイル書込みヘッドの場合はコイル間の相互接続にセ
ンタータップの使用が求められ、これが製造コストの増
大及び積み重ね高さの増大をもたらしてきた。従って、
依然として短いヨーク長を有するヨーク内に比較的多数
のワインドを供給することが可能であり、かつセンター
タップを使用しない書込みヘッドが求められている。こ
うした装置は、組み立て費用が比較的安価で、小さな積
み重ね高さを有することが望ましいであろう。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高磁気原動
力を出すと同時に短い磁束立上り時間をも供給する磁気
書込み要素及び当該要素を製造するための方法を提供す
る。本発明は、バイファイラコイルの使用を含み、1つ
のコイルの上に他のコイルが積み上げられた多重コイル
を使用することによってこれを達成する。多数のコイル
は、センタータップを使用せず、一度に1つの絶縁層し
か渡らない通路を介してコイルを接続することにより相
互に接続されている。言い換えれば、コイルは各々、隣
接するコイルのみに接続されている。従って、かなりの
製造コストが節約され、書込みヘッドの積み重ね高さが
最小化される。
力を出すと同時に短い磁束立上り時間をも供給する磁気
書込み要素及び当該要素を製造するための方法を提供す
る。本発明は、バイファイラコイルの使用を含み、1つ
のコイルの上に他のコイルが積み上げられた多重コイル
を使用することによってこれを達成する。多数のコイル
は、センタータップを使用せず、一度に1つの絶縁層し
か渡らない通路を介してコイルを接続することにより相
互に接続されている。言い換えれば、コイルは各々、隣
接するコイルのみに接続されている。従って、かなりの
製造コストが節約され、書込みヘッドの積み重ね高さが
最小化される。
【0011】書込み用ヘッドは、セラミック基板の上に
構築された読取り/書込み組み結合ヘッドとして構成さ
れている。読取り/書込みヘッドの書込み要素は、磁気
材料で構成された第1の極を含んでいる。第1の極の上
には第1の絶縁物質が溶着され、この第1の絶縁層の上
に内部接点及び外部接点を有する第1のコイルがプレー
ティングされている。第1のコイルの上には、第1のコ
イルとの電気接触を可能にする媒体である通路を含む書
込みギャップ物質が供給されている。次いでこの書込み
ギャップ物質の上には、各々が内部接点及び外部接点を
含み、かつ単一のバイファイラコイルとして形成された
第2及び第3のコイルが形成されている。第2のコイル
の内部接点は、書込みギャップ物質内の通路を介して第
1のコイルの内部接点と電気接触を行う。
構築された読取り/書込み組み結合ヘッドとして構成さ
れている。読取り/書込みヘッドの書込み要素は、磁気
材料で構成された第1の極を含んでいる。第1の極の上
には第1の絶縁物質が溶着され、この第1の絶縁層の上
に内部接点及び外部接点を有する第1のコイルがプレー
ティングされている。第1のコイルの上には、第1のコ
イルとの電気接触を可能にする媒体である通路を含む書
込みギャップ物質が供給されている。次いでこの書込み
ギャップ物質の上には、各々が内部接点及び外部接点を
含み、かつ単一のバイファイラコイルとして形成された
第2及び第3のコイルが形成されている。第2のコイル
の内部接点は、書込みギャップ物質内の通路を介して第
1のコイルの内部接点と電気接触を行う。
【0012】第2及び第3のコイルの上には第2の絶縁
層が供給されており、第1の絶縁層の場合と同様に、こ
れには電気接触を実行可能な媒体である通路が備わって
いる。この第2の絶縁層の上には、内部接点及び外部接
点を有する第4のコイルが供給されている。第4のコイ
ルの外部接点は、第2の絶縁層に形成された通路の1つ
を介して第2のコイルの外部接点と電気接続を行ない、
かつ第4のコイルの内部接点は、第3のコイルの内部接
点と電気接続を行う。
層が供給されており、第1の絶縁層の場合と同様に、こ
れには電気接触を実行可能な媒体である通路が備わって
いる。この第2の絶縁層の上には、内部接点及び外部接
点を有する第4のコイルが供給されている。第4のコイ
ルの外部接点は、第2の絶縁層に形成された通路の1つ
を介して第2のコイルの外部接点と電気接続を行ない、
かつ第4のコイルの内部接点は、第3のコイルの内部接
点と電気接続を行う。
【0013】次に第4のコイルの上には第3の絶縁層が
供給され、この第3の絶縁層に渡って第2の極が形成さ
れている。第2の極は、後部ギャップ部分で第1の極と
磁気的に接続している。電気信号は、第1のコイルの外
部接点及び第3のコイルの外部接点を介してコイルアッ
センブリに供給されることが可能である。当業者には、
説明された書込み要素が、センタータップの必要なし
に、かつ互いに隣接し合ったコイル同士のみを接続しな
がら多重コイルアッセンブリを供給し、これにより短い
ヨーク長と、高い磁気原動力と、比較的短い積み重ね高
さとを有する書込み要素が提供されることが認識される
であろう。さらにこれらの改良点は、比較的製造費の安
い装置において実現される。
供給され、この第3の絶縁層に渡って第2の極が形成さ
れている。第2の極は、後部ギャップ部分で第1の極と
磁気的に接続している。電気信号は、第1のコイルの外
部接点及び第3のコイルの外部接点を介してコイルアッ
センブリに供給されることが可能である。当業者には、
説明された書込み要素が、センタータップの必要なし
に、かつ互いに隣接し合ったコイル同士のみを接続しな
がら多重コイルアッセンブリを供給し、これにより短い
ヨーク長と、高い磁気原動力と、比較的短い積み重ね高
さとを有する書込み要素が提供されることが認識される
であろう。さらにこれらの改良点は、比較的製造費の安
い装置において実現される。
【0014】本発明のこれらの優位点及び他の優位点
は、本発明に関する以下の説明を読み、幾つかの図面を
検討すれば、当業者には明らかとなるであろう。
は、本発明に関する以下の説明を読み、幾つかの図面を
検討すれば、当業者には明らかとなるであろう。
【0015】本発明は、添付の図面に関連する以下の詳
細な説明によって容易に理解されるであろう。但し、図
面を通して同じ参照番号は同じ要素を指示している。
細な説明によって容易に理解されるであろう。但し、図
面を通して同じ参照番号は同じ要素を指示している。
【0016】図7を参照すると、本発明は、磁気記録媒
体上に信号を与えるための磁束を供給する多重コイルを
有する、概して400として言及されている磁気読取り
/書込みヘッドを提供している。読取り/書込みヘッド
400は、基板406の上に配置された読取り要素40
2と、書込み要素404とを含んでいる。先行技術の場
合と同様に、読取り/書込みヘッド400の読取り要素
402は、第1及び第2のシールド412及び414間
各々に配置された誘電媒体410内に読取りセンサ40
8を含んでいる。誘電媒体410は、第1のシールド4
12の裏面416及び第2のシールド414の裏面41
8を越えて伸張し、平面422で上面420を形成して
いる。
体上に信号を与えるための磁束を供給する多重コイルを
有する、概して400として言及されている磁気読取り
/書込みヘッドを提供している。読取り/書込みヘッド
400は、基板406の上に配置された読取り要素40
2と、書込み要素404とを含んでいる。先行技術の場
合と同様に、読取り/書込みヘッド400の読取り要素
402は、第1及び第2のシールド412及び414間
各々に配置された誘電媒体410内に読取りセンサ40
8を含んでいる。誘電媒体410は、第1のシールド4
12の裏面416及び第2のシールド414の裏面41
8を越えて伸張し、平面422で上面420を形成して
いる。
【0017】引き続き図7を参照すると、読取り要素4
02のシールド414はまた、書込み要素404の第1
の極414としても機能する。第1の極414は、その
底面428が平面422の高さまで伸張するチャンネル
426を有する概して平面である上面424を有してい
る。第1の極の後端は、第1の後部ギャップ部分429
で終わっている。第1の絶縁層430は、チャンネル4
26の底面428上と、誘電媒体410の上面420上
とに溶着されている。第1の絶縁層は、第1の極414
の上面424の下の高さまで伸張している。
02のシールド414はまた、書込み要素404の第1
の極414としても機能する。第1の極414は、その
底面428が平面422の高さまで伸張するチャンネル
426を有する概して平面である上面424を有してい
る。第1の極の後端は、第1の後部ギャップ部分429
で終わっている。第1の絶縁層430は、チャンネル4
26の底面428上と、誘電媒体410の上面420上
とに溶着されている。第1の絶縁層は、第1の極414
の上面424の下の高さまで伸張している。
【0018】図7をさらに参照すると、第1のコイル4
32は、第1の絶縁層430上へと付着されている。コ
イル432は、多数のコイルワインド434を含んでい
る。第1のコイル432は、第1の極414の上面42
4と概して同一表面上にある上面436を有している。
当該コイルは、銅等の任意の適正な導電材料で作られる
ことが可能である。
32は、第1の絶縁層430上へと付着されている。コ
イル432は、多数のコイルワインド434を含んでい
る。第1のコイル432は、第1の極414の上面42
4と概して同一表面上にある上面436を有している。
当該コイルは、銅等の任意の適正な導電材料で作られる
ことが可能である。
【0019】書込みギャップ物質438は、第1のコイ
ル434及び第1の極414の上に配置されており、ア
ルミナ等の適正な非磁性絶縁体で形成されることが可能
である。この意味で、書込みギャップ物質438は第2
の絶縁層として作用する。書込みギャップ物質438
は、後に明らかにされる理由によって第1の極414の
後部ギャップ部分429ではとぎれており、さらに第1
の極414の上ではない部分を含む第1のコイル全体を
カバーしている。
ル434及び第1の極414の上に配置されており、ア
ルミナ等の適正な非磁性絶縁体で形成されることが可能
である。この意味で、書込みギャップ物質438は第2
の絶縁層として作用する。書込みギャップ物質438
は、後に明らかにされる理由によって第1の極414の
後部ギャップ部分429ではとぎれており、さらに第1
の極414の上ではない部分を含む第1のコイル全体を
カバーしている。
【0020】書込みギャップ物質層438の上には、第
2及び第3のコイル440及び442が各々溶着されて
いる。図8を参照すると、第2及び第3のコイルは、別
々のコイルではあるが単一のバイファイラコイル444
の形式で同一平面上にあり、同心である。第2及び第3
のコイルを単一のバイファイラコイルとして配置するこ
とは、必要な積み重ね高さSHを最小にしながら電気的
原動力を増大させる。書込みギャップ物質438は、第
1のコイルを第2及び第3のコイルから電気絶縁してい
る。さらに、第2及び第3のコイル440及び442
は、第2及び第3のコイルを被覆することに加えてこれ
らの間を流れて互いを電気絶縁させる第3の絶縁層44
6で被覆される。
2及び第3のコイル440及び442が各々溶着されて
いる。図8を参照すると、第2及び第3のコイルは、別
々のコイルではあるが単一のバイファイラコイル444
の形式で同一平面上にあり、同心である。第2及び第3
のコイルを単一のバイファイラコイルとして配置するこ
とは、必要な積み重ね高さSHを最小にしながら電気的
原動力を増大させる。書込みギャップ物質438は、第
1のコイルを第2及び第3のコイルから電気絶縁してい
る。さらに、第2及び第3のコイル440及び442
は、第2及び第3のコイルを被覆することに加えてこれ
らの間を流れて互いを電気絶縁させる第3の絶縁層44
6で被覆される。
【0021】引き続き図7を参照すると、第3の絶縁層
446の上に第4のコイル448が溶着され、第4のコ
イルの上に第4の絶縁層450が溶着されている。
446の上に第4のコイル448が溶着され、第4のコ
イルの上に第4の絶縁層450が溶着されている。
【0022】次に、第4の絶縁層450の上に第2の極
452が供給されている。第2の極の後部は、第1の極
414の第1の後部ギャップ部分429と接触する第2
の後部ギャップ部分454内で終わっている。第1及び
第2の極414及び452は各々が合わさって、概して
456として言及されるヨークを形成する。第2の後部
ギャップ部分454から遠位であり、読取り/書込みヘ
ッド400の前端にある、第2の極452が書込みギャ
ップ物質438の上に載っているため、書込みギャップ
物質438は第1及び第2の極414及び452各々の
間に挟まれている。第1及び第2の極414及び452
間に挟まれた書込みギャップ物質438のこの前部は、
書込みギャップ458を限定する。読取り/書込みヘッ
ドの最前面は平面であり、空気ベアリング表面(AB
S)を形成している。
452が供給されている。第2の極の後部は、第1の極
414の第1の後部ギャップ部分429と接触する第2
の後部ギャップ部分454内で終わっている。第1及び
第2の極414及び452は各々が合わさって、概して
456として言及されるヨークを形成する。第2の後部
ギャップ部分454から遠位であり、読取り/書込みヘ
ッド400の前端にある、第2の極452が書込みギャ
ップ物質438の上に載っているため、書込みギャップ
物質438は第1及び第2の極414及び452各々の
間に挟まれている。第1及び第2の極414及び452
間に挟まれた書込みギャップ物質438のこの前部は、
書込みギャップ458を限定する。読取り/書込みヘッ
ドの最前面は平面であり、空気ベアリング表面(AB
S)を形成している。
【0023】次に図8を参照して、様々なコイルの接続
について説明する。図8が示すコイルは、その個々の幾
何学的配置をより明確に示す目的で分解され、並行して
置かれたものである。第1のコイル434は、その外端
にある第1の接点460及びその内端にある第2の接点
462で終わっている。第2のコイル440は、その内
端にある第1の接点463及びその外端にある第2の接
点464で終わっている。第4のコイルは、その外端に
ある第1の接点466及びその内端にある第2の接点4
68で終わっている。第3のコイル442は、その内端
にある第1の接点470及びその外端にある第2の接点
472で終わっている。
について説明する。図8が示すコイルは、その個々の幾
何学的配置をより明確に示す目的で分解され、並行して
置かれたものである。第1のコイル434は、その外端
にある第1の接点460及びその内端にある第2の接点
462で終わっている。第2のコイル440は、その内
端にある第1の接点463及びその外端にある第2の接
点464で終わっている。第4のコイルは、その外端に
ある第1の接点466及びその内端にある第2の接点4
68で終わっている。第3のコイル442は、その内端
にある第1の接点470及びその外端にある第2の接点
472で終わっている。
【0024】引き続き図8を参照すると、読取り/書込
みヘッド400内に設置された第1のコイル434の第
2の端子462は、第2のコイルの第1の接点463と
電気的な接触状態にある。電気的接続は、書込みギャッ
プ物質438内に供給された通路(図示されていない)
を介して伸張する導電物質によって達成される。通路
は、物質が通って溶着されることが可能な空胴である。
同様に、第2のコイルの第2の接点464は、第4のコ
イルの第1の接点466に電気的に接続されている。電
気的接続は、第3の絶縁層446を介して溶着される導
電物質によって達成される。第4のコイルの第2の接点
468は同様に、第3のコイル442の第1の接点46
3と電気的接続状態にある。この場合もやはり、電気接
続は、第3の絶縁層446を通る通路内の電気導体によ
って達成される。
みヘッド400内に設置された第1のコイル434の第
2の端子462は、第2のコイルの第1の接点463と
電気的な接触状態にある。電気的接続は、書込みギャッ
プ物質438内に供給された通路(図示されていない)
を介して伸張する導電物質によって達成される。通路
は、物質が通って溶着されることが可能な空胴である。
同様に、第2のコイルの第2の接点464は、第4のコ
イルの第1の接点466に電気的に接続されている。電
気的接続は、第3の絶縁層446を介して溶着される導
電物質によって達成される。第4のコイルの第2の接点
468は同様に、第3のコイル442の第1の接点46
3と電気的接続状態にある。この場合もやはり、電気接
続は、第3の絶縁層446を通る通路内の電気導体によ
って達成される。
【0025】これにより、第1のコイルの第1の接点4
60及び第3のコイルの第2の接点472が接続されな
いまま残る。これらの接点460及び472は次に、接
続されたコイル内に電流を誘導する目的で、読取り/書
込みヘッドより外部にある電流源に電気的に接続される
ことが可能である。認識されるとおり、接続されたコイ
ルを流れる電流は、全コイルで同時に同一方向へ、時計
回りまたは反時計回りに流れる。
60及び第3のコイルの第2の接点472が接続されな
いまま残る。これらの接点460及び472は次に、接
続されたコイル内に電流を誘導する目的で、読取り/書
込みヘッドより外部にある電流源に電気的に接続される
ことが可能である。認識されるとおり、接続されたコイ
ルを流れる電流は、全コイルで同時に同一方向へ、時計
回りまたは反時計回りに流れる。
【0026】図9は、本発明による読取り/書込みヘッ
ド400を作るための工程600を示している。本工程
は、読取り/書込み要素400が上に構築される基板4
06を供給するステップ602で始まる。次にステップ
604で、基板上に第1のシールド412がプレーティ
ングされる。ステップ606でシールド及び基板上に誘
電媒体410の層が溶着される。誘電層は、アルミナ等
の任意の適正材料で形成されることが可能である。ステ
ップ606は、読取り要素408の誘電媒体410への
挿入を含んでいる。次にステップ608では、ステップ
606で溶着された誘電媒体の上に第2のシールド/第
1の極414が供給される。ステップ610では、第1
の極414をカバーするためにさらに誘電媒体が溶着さ
れる。この誘電層は次いでステップ612で平面化さ
れ、第1の極414が露出され、平面422が限定され
る。この平面化のステップは、化学的−機械的研磨(C
MP)等の適正技術によって、実質的にさほどの公差な
しに達成されることが可能である。こうした工程は、集
束されたイオンビーム(FIB)等のより高性能な書込
み要素を生み出すために使用される先行技術による方法
よりも高速かつ安価であることが可能である。マスキン
グ及びプレーティングステップ614では、第1の極4
14がさらに形成されて、リセス426を残しながら第
1の極414の後部ギャップ429及び書込みギャップ
部分の厚さが増大される。工程は、読取り/書込みヘッ
ド上にこれまで形成されていた通りに絶縁層を裏込める
ステップ616へと続く。次にステップ618で、当該
絶縁層には第1のコイル432を第1の絶縁層430へ
と接着させる銅またはチタン銅等の物質がシードされ
る。次にはマスキング及びプレーティングステップ62
2によって第1のコイルを作り上げることが可能であ
り、続いてステップ624でシード物質が除去される。
他の絶縁溶着ステップ626は、第1のコイル432の
複数のワインド434間に絶縁体を溶着することによっ
て、第1の絶縁層430の残りを充填する。次いでステ
ップ628で第1の絶縁層430はCMPまたは他の適
正な処理によって平坦化され、第1のコイル432の上
面436が暴露される。次にステップ630では、後部
ギャップ429をカバーしないように、かつ第1のコイ
ル434の接点460及び462の位置に通路を残すよ
うに確認しながら書込みギャップ物質438を溶着させ
ることができる。第1のコイル434の接点の位置に通
路を残す作業は、後部ギャップ及び接点をマスキングす
ることによって達成することができる。
ド400を作るための工程600を示している。本工程
は、読取り/書込み要素400が上に構築される基板4
06を供給するステップ602で始まる。次にステップ
604で、基板上に第1のシールド412がプレーティ
ングされる。ステップ606でシールド及び基板上に誘
電媒体410の層が溶着される。誘電層は、アルミナ等
の任意の適正材料で形成されることが可能である。ステ
ップ606は、読取り要素408の誘電媒体410への
挿入を含んでいる。次にステップ608では、ステップ
606で溶着された誘電媒体の上に第2のシールド/第
1の極414が供給される。ステップ610では、第1
の極414をカバーするためにさらに誘電媒体が溶着さ
れる。この誘電層は次いでステップ612で平面化さ
れ、第1の極414が露出され、平面422が限定され
る。この平面化のステップは、化学的−機械的研磨(C
MP)等の適正技術によって、実質的にさほどの公差な
しに達成されることが可能である。こうした工程は、集
束されたイオンビーム(FIB)等のより高性能な書込
み要素を生み出すために使用される先行技術による方法
よりも高速かつ安価であることが可能である。マスキン
グ及びプレーティングステップ614では、第1の極4
14がさらに形成されて、リセス426を残しながら第
1の極414の後部ギャップ429及び書込みギャップ
部分の厚さが増大される。工程は、読取り/書込みヘッ
ド上にこれまで形成されていた通りに絶縁層を裏込める
ステップ616へと続く。次にステップ618で、当該
絶縁層には第1のコイル432を第1の絶縁層430へ
と接着させる銅またはチタン銅等の物質がシードされ
る。次にはマスキング及びプレーティングステップ62
2によって第1のコイルを作り上げることが可能であ
り、続いてステップ624でシード物質が除去される。
他の絶縁溶着ステップ626は、第1のコイル432の
複数のワインド434間に絶縁体を溶着することによっ
て、第1の絶縁層430の残りを充填する。次いでステ
ップ628で第1の絶縁層430はCMPまたは他の適
正な処理によって平坦化され、第1のコイル432の上
面436が暴露される。次にステップ630では、後部
ギャップ429をカバーしないように、かつ第1のコイ
ル434の接点460及び462の位置に通路を残すよ
うに確認しながら書込みギャップ物質438を溶着させ
ることができる。第1のコイル434の接点の位置に通
路を残す作業は、後部ギャップ及び接点をマスキングす
ることによって達成することができる。
【0027】第2及び第3のコイルは、上述の方法と同
様にして形成されることが可能である。ステップ632
では書込みギャップ物質の上にシード物質が溶着され、
続いてステップ634で第2及び第3のコイルのマスキ
ング及びプレーティングが行われる。第2及び第3のコ
イルを溶着する際には、ステップ630で形成された通
路へと導電物質が溶着されて、第1のコイル434の端
子462と第2のコイル440の接点463との電気接
続を可能にすることは認識されるであろう。次にステッ
プ638ではシード物質が除去され、ステップ640で
第2の絶縁層が溶着される。第2の絶縁層を溶着する際
には、第2のコイルの接点464及び第3のコイルの接
点470及び472の位置に通路を供給することが可能
である。さらに、後に明白となる理由により、第2の絶
縁層は第1の極414の後部ギャップ部分429をカバ
ーしてはならない。
様にして形成されることが可能である。ステップ632
では書込みギャップ物質の上にシード物質が溶着され、
続いてステップ634で第2及び第3のコイルのマスキ
ング及びプレーティングが行われる。第2及び第3のコ
イルを溶着する際には、ステップ630で形成された通
路へと導電物質が溶着されて、第1のコイル434の端
子462と第2のコイル440の接点463との電気接
続を可能にすることは認識されるであろう。次にステッ
プ638ではシード物質が除去され、ステップ640で
第2の絶縁層が溶着される。第2の絶縁層を溶着する際
には、第2のコイルの接点464及び第3のコイルの接
点470及び472の位置に通路を供給することが可能
である。さらに、後に明白となる理由により、第2の絶
縁層は第1の極414の後部ギャップ部分429をカバ
ーしてはならない。
【0028】次にステップ642では、第2の絶縁層は
第4のコイル448の溶着の準備として銅またはチタン
銅でシードされることが可能である。このシード層が付
着されると、ステップ644でシード層上に第4のコイ
ルをマスキング及びプレーティングすることが可能であ
り、ステップ648ではシード層を除去することができ
る。第4のコイルのプレーティングが行われるにつれ
て、第2の絶縁層内に供給された通路に導電物質が進入
するため、第4のコイルの接点466が第2のコイルの
接点464と電気的に接触し、第4のコイルの接点46
8が第3のコイルの接点470と電気的に接触すること
は認識されるであろう。
第4のコイル448の溶着の準備として銅またはチタン
銅でシードされることが可能である。このシード層が付
着されると、ステップ644でシード層上に第4のコイ
ルをマスキング及びプレーティングすることが可能であ
り、ステップ648ではシード層を除去することができ
る。第4のコイルのプレーティングが行われるにつれ
て、第2の絶縁層内に供給された通路に導電物質が進入
するため、第4のコイルの接点466が第2のコイルの
接点464と電気的に接触し、第4のコイルの接点46
8が第3のコイルの接点470と電気的に接触すること
は認識されるであろう。
【0029】ステップ650では、第4のコイル448
が所定位置にある状態で、第3の絶縁層は、第2の極4
52の後部ギャップ部分454のための開口を確実に残
しながら付着されることが可能である。次いでステップ
652で、後部ギャップ部分454を含む第2の極45
2は、読取り/書込みヘッドの上にメッキされることが
可能である。第1、第2及び第3の絶縁層430、44
6及び450の各々、及び書き込みギャップ物質438
は、第1の極414の後部ギャップ部分429をカバー
しないように構成されているため、第1及び第2の極の
後部ギャップ部分429及び454は各々磁気接触を行
うことができる。
が所定位置にある状態で、第3の絶縁層は、第2の極4
52の後部ギャップ部分454のための開口を確実に残
しながら付着されることが可能である。次いでステップ
652で、後部ギャップ部分454を含む第2の極45
2は、読取り/書込みヘッドの上にメッキされることが
可能である。第1、第2及び第3の絶縁層430、44
6及び450の各々、及び書き込みギャップ物質438
は、第1の極414の後部ギャップ部分429をカバー
しないように構成されているため、第1及び第2の極の
後部ギャップ部分429及び454は各々磁気接触を行
うことができる。
【0030】要約すれば、コイルの配置に起因して全て
のコイルは電気的接続状態にあり、先行技術による方法
を使用した場合に要求されるであろうセンタータップを
必要とせずに同時的な磁気原動力を伝えることが可能で
あるため、読取り/書込みヘッドのより効率的かつ安価
な製造が見込まれる。本明細書では、本発明を好適な実
施形態に関連して説明してきた。本明細書に記述された
実施形態の代替物、修正物、置換及び同等物を含む本発
明の他の実施形態は、明細書の考慮、図面の検討及び本
発明の実践を通して当業者には明白となるであろう。例
えば、上述の書込み要素は、書込みギャップ物質上に配
置された全てのコイルと共に組み込まれることが可能で
ある。さらに、本発明によるコイルの相互接続を実践し
ながらも、コイル数を増加させる、もしくは1つ以上の
バイファイラコイルを使用することが可能である。本発
明は添付の特許請求の範囲によって限定されており、上
述の好適な実施形態は例示的なものとして考慮されなけ
ればならない。従って請求の範囲は、こうした代替物、
修正物、置換及び同等物を全て本発明の真の精神及び範
囲に入るものとして包含している。
のコイルは電気的接続状態にあり、先行技術による方法
を使用した場合に要求されるであろうセンタータップを
必要とせずに同時的な磁気原動力を伝えることが可能で
あるため、読取り/書込みヘッドのより効率的かつ安価
な製造が見込まれる。本明細書では、本発明を好適な実
施形態に関連して説明してきた。本明細書に記述された
実施形態の代替物、修正物、置換及び同等物を含む本発
明の他の実施形態は、明細書の考慮、図面の検討及び本
発明の実践を通して当業者には明白となるであろう。例
えば、上述の書込み要素は、書込みギャップ物質上に配
置された全てのコイルと共に組み込まれることが可能で
ある。さらに、本発明によるコイルの相互接続を実践し
ながらも、コイル数を増加させる、もしくは1つ以上の
バイファイラコイルを使用することが可能である。本発
明は添付の特許請求の範囲によって限定されており、上
述の好適な実施形態は例示的なものとして考慮されなけ
ればならない。従って請求の範囲は、こうした代替物、
修正物、置換及び同等物を全て本発明の真の精神及び範
囲に入るものとして包含している。
【図1】 ある磁気データ記憶システムを示すもので、
同図(A)はある磁気データ記憶システムの部分断面正
面図、同図(B)は同図(A)の線1B−1Bに沿って
描かれた上面図である。
同図(A)はある磁気データ記憶システムの部分断面正
面図、同図(B)は同図(A)の線1B−1Bに沿って
描かれた上面図である。
【図2】 図1の磁気ディスクドライブアッセンブリの
先行技術による読取り/書込みヘッドの断面図である。
先行技術による読取り/書込みヘッドの断面図である。
【図3】 図2の線2B−2Bに沿って描かれた平面図
である。
である。
【図4】 図2の線2C−2Cに沿って描かれたABS
の図である。
の図である。
【図5】 ヨーク長と磁束立上り時間との関係を表すグ
ラフである。
ラフである。
【図6】 先行技術による書込み要素を形成するための
方法の工程図である。
方法の工程図である。
【図7】 本発明の一実施形態による書込み要素の側断
面図である。
面図である。
【図8】 本発明の一実施形態による個々のコイルの平
面図である。
面図である。
【図9】 本発明の一実施形態による書込み要素を形成
するための方法の工程図である。
するための方法の工程図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クルー,ビリー ダブリュー ジュニア アメリカ合衆国 ペンシルバニア州 15222,ピッツバーグ #909,リバティー アベニュー 1100 (72)発明者 シ,ジュペイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95138,サンノゼ シャトー ドゥ ラッ ク 3245 (72)発明者 トラン,ソニー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035,ミルピタス スカイライン 2247
Claims (21)
- 【請求項1】 短いヨーク長と高い磁気原動力とを有す
る薄膜磁気書込みヘッドであって、 頂部表面と、それに隣接する後部とを有する第1の磁極
と、 上記第1の極の上記頂部表面上に溶着された第1の絶縁
層と、 上記絶縁層の上に溶着された第1のコイルとを備え、上
記第1のコイルは概してその周辺部に第1の接点を有し
かつその中心に第2の接点を有する螺旋として形成さ
れ、 上記第1のコイルの上に形成された第2の絶縁層と、 その中心に第1の接点を有し、かつその周辺部に第2の
接点を有する第2の概して螺旋状であるコイルとを備
え、 上記第1のコイルの上記第2の接点及び上記第2のコイ
ルの上記第1の接点は、上記第2の絶縁層を介して電気
的に接続された状態にあり、 その周辺部に第1の接点を有し、かつその中心に第2の
接点を有する、上記第2のコイルと同一平面でありかつ
同軸である第3の概して螺旋状であるコイルと、 上記第2及び第3のコイルの上に形成された第3の絶縁
層と、 その周辺部に第1の接点を有し、かつその中心に第2の
接点を有する、上記第3の絶縁層の上に形成された第4
の概して螺旋状であるコイルとを備え、 上記第2のコイルの上記第1及び第2の接点は、上記第
3の絶縁層を介して上記第4のコイルの上記第1の接点
と電気的接触状態にあり、 上記第4のコイルの上記第2の接点は、上記第3の絶縁
層を介して上記第3のコイルの上記第1の接点と電気的
接触状態にあり、 上記第3のコイルの上に形成された第4の絶縁層と、 上記第4の絶縁層の上に形成された第2の磁極とを備
え、上記第2の極は上記第1の極の上記後部と電磁接触
している後部を有し、上記第1及び第2の極は両者間に
上記後部から遠位にある書込みギャップを限定している
薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項2】 上記書込みギャップを充填する書込みギ
ャップ物質をさらに備える請求項A1記載の薄膜磁気書
込みヘッド。 - 【請求項3】 上記第1及び第2の極は上記書込みギャ
ップと上記後部との間にヨークを形成する請求項A1記
載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項4】 上記書込みギャップ物質は上記第1のコ
イルと上記第1の極との間の上記ヨークへと伸張する請
求項A2記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項5】 上記書込みギャップ物質は、上記ヨーク
へと伸張する請求項A2記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項6】 上記第1及び第2の極の上記後部はコイ
ルの中心を介して互いに磁気接触を行う請求項A1記載
の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項7】 上記第2及び第3のコイルは上記第1及
び第4のコイルの間に配置される請求項A1記載の薄膜
磁気書込みヘッド。 - 【請求項8】 上記第2及び第3のコイルは合同でバイ
ファイラコイルを形成する請求項A7記載の薄膜磁気書
込みヘッド。 - 【請求項9】 短いヨーク長と高い磁気原動力とを有す
る薄膜磁気書込みヘッドであって、 近位端と遠位端とを有する第1の極と、 近位端と遠位端とを有する第2の極とを備え、上記第2
の極の上記遠位端は上記第1の極の上記遠位端と磁気的
に接触し、上記第1及び第2の極はヨークを限定し、 外端と内端とを有し、上記ヨーク内に部分的に配置され
た第1のコイルを備え、上記第1のコイルは上記両端を
除いて電気的に絶縁されており、 外端と内端とを有し、上記ヨーク内に部分的に配置され
た第2のコイルを備え、上記第2のコイルはその両端を
除いて電気的に絶縁されており、 上記第2のコイルの上記内端は上記第1のコイルの上記
内端と電気的に接続されており、 上記ヨーク内に部分的に配置され、かつ上記第1のコイ
ルと同一平面上にある第3のコイルを備え、上記第3の
コイルは外端と内端とを有し、上記第3のコイルはその
両端を除いて電気的絶縁状態にあり、 外端と内端とを有し、上記ヨーク内に部分的に配置され
た第4のコイルを備え、上記第4のコイルはその両端を
除いて電気的絶縁状態にあり、 上記第2のコイルの上記外端は上記第4のコイルの上記
外端と電気的接触状態にあり、 上記第4のコイルの上記内端は、上記第3のコイルの上
記内端と電気的接触状態にある薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項10】 上記ヨーク内に上記コイルを上記両極
から分離する絶縁物をさらに備える請求項9記載の薄膜
磁気書込みヘッド。 - 【請求項11】 上記絶縁物はさらにコイルを相互に分
離する請求項10記載の薄膜磁気書込みヘッド。 - 【請求項12】 上記両極の上記近位端は予め決められ
た距離を置いて分離されている請求項9記載の薄膜磁気
書込みヘッド。 - 【請求項13】 上記予め決められた距離は書込みギャ
ップを限定する請求項12記載の薄膜磁気書込みヘッ
ド。 - 【請求項14】 上記第2及び第3のコイルは合同でバ
イファイラコイルを形成する請求項9記載の薄膜磁気書
込みヘッド。 - 【請求項15】 薄膜磁気ヘッドアッセンブリの製造方
法であって、 頂部側面と遠位端とを有する第1の極を供給する段階
と、 第1の極の上に、第1の極の後端に隣接する後部ギャッ
プ通路を限定する開口部を残して書込みギャップ物質を
溶着する段階と、 書込みギャップ物質を、内端と外端とを有し、かつその
外端を第1の接点によって形成され、その外端を第2の
接点によって形成された第1のコイルの形式の導電物質
でプレーティングする段階と、 第1のコイル及び書込みギャップ物質の上に、第1及び
第2の接点の位置に第1の通路を限定する空胴を書込み
ギャップ物質内に残して第1の絶縁層を溶着する段階
と、 第1の絶縁物質の上に第2及び第3のコイルをプレーテ
ィングする段階とを含み、第2及び第3のコイルはバイ
ファイラコイルを限定し、第2のコイルは外端と内端と
を有し、かつその内端を第1の通路へと伸張して第1の
コイルの第2の接点と電気的に接触する第1の接点によ
って形成され、第2のコイルはさらにその外端を第2の
接点によって形成され、第3のコイルは内端と外端とを
有し、かつその内端を第1の接点によって形成され、そ
の外端を第2の接点によって形成され、 第2及び第3のコイル及び第1の絶縁物質の上に第2の
絶縁層を溶着する段階を含み、第2の絶縁層は第2のコ
イルの第2の接点に位置する第2の通路と第3のコイル
の第1の接点に位置する第3の通路とを限定する空胴を
有し、 第2の絶縁物質の上に第4のコイルをプレーティングす
る段階を含み、第4のコイルは内端と外端とを有し、か
つその外端を第2の通路へと伸張して第2のコイルの第
2の端と電気的に接触する第1の接点によって形成さ
れ、第4のコイルはさらに、内端を第3の通路へと伸張
して第3のコイルの第1の接点と電気的に接触する第2
の接点によって形成され、 第3のコイル及び第4の絶縁層の上に第3の絶縁層を溶
着する段階と、 第3の絶縁層の上に2の極を供給する段階とを含み、第
2の極は近位端と遠位端とを有し、その遠位端は第1の
極の遠位端と磁気的に接触した状態にあり、第1及び第
2の極の近位端はその間に間隙を限定する薄膜磁気ヘッ
ドアッセンブリの製造方法。 - 【請求項16】 コイルは写真平板処理によってメッキ
され、 シード層を溶着する段階と、 シード層をマスキングする段階と、 導電物質をメッキする段階とをさらに含む請求項15記
載の方法。 - 【請求項17】 光導電物質を溶着する段階と、 光導電物質と導電物質とを電磁放射に暴露する段階とを
さらに含む請求項15記載の方法。 - 【請求項18】 第1及び第2の極はその近位端におい
て書込みギャップを限定する請求項15記載の方法。 - 【請求項19】 第1及び第2の極は両者間にヨークを
限定する請求項15記載の方法。 - 【請求項20】 コイル及び絶縁物質が通って挿入され
ることが可能な後部ギャップ通路を供給する段階をさら
に含む請求項15記載の方法。 - 【請求項21】 後部ギャップ通路を閉鎖することをさ
らに含む請求項20記載の方法。
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