JP2001052141A - 外部記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性が高く、またアクセス時間も速く、さ
らに構造の簡易化、小型化並びに薄型化が図られ、しか
も着脱性にも優れた外部記憶装置を提供する。 【解決手段】 IC素子7dを備えた外部記憶装置ユニット
本体７内に挿入して情報の入出力を行う記憶装置であっ
て、基板３の表面3aの第１領域3bに装着され、且つ電極
が第１領域3bで配線パターンと接続されたフラッシュ不
揮発性半導体メモリ装置２と、メモリ装置２を密封する
ように基板３の表面3aの第１領域3bにのみ形成されたト
ランスファーモールド層５と、基板３の裏面3dに形成さ
れ、スルーホールを介して配線パターンに接続された平
板状の外部接続用端子1bとを有する薄型外部記憶装置モ
ジュール1aを備え、JEIDA標準で規定されているカード
サイズの半分以下の面積で且つ１ｍｍ以下の厚さで形成
され、モジュール1aを支持するカード状支持体６を具備
する外部記憶装置１′（１）を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、外部記憶媒体とし
て交換使用が可能な外部記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】各種データなどの記録・保存が可能な記
憶装置、ないしは記憶素子としては、情報処理機器等の
機器本体に固定内蔵した形式のものと、機器本体に任意
に着脱可能（もしくは交換可能）なものとがある。そし
て、後者の形式、すなわち自由に取り外しができる外部
記憶装置、たとえばフロッピー（登録商標）ディスク装
置などの場合は、ワンタッチで着脱することができ、目
的や対象などに対応して、媒体であるフロッピーディス
クを使い分けてデータ類を記録・保存し得るので、整理
など行い易いという大きな利点がある。

【０００３】しかし、前記フロッピーディスクの場合
は、データ類の記録・保存において、信頼性の面で不安
があるばかりでなく、アクセス時間も遅いという不都合
がある。また、軽薄短小化の動向に対応してコンパクト
化すると、必然的に記憶媒体の面積が小さくなり、記憶
容量も低減するので、小型でかつ高容量化には限界があ
る。一方、半導体メモリー装置を外部記憶装置（たとえ
ばＩＣメモリーカード）とした場合は、前記フロッピー
ディスクにおける欠点、すなわちデータ類の記録・保存
の信頼性や、アクセス時間が遅いという問題点を大幅に
解消し得るという利点がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ＩＣメ
モリーカードは、半導体メモリー装置（素子）を含む回
路部品がボード基板面上に搭載・実装されて成る機能回
路部と、前記機能回路部を内蔵的に装着する樹脂製ケー
スと、前記樹脂製ケースの両開口面を被覆・封止するカ
バーと、前記樹脂製ケースの一辺に装着されて機能回路
部と機器本体側とを電気的に接続する外部接続用端子
（たとえば２ピースコネクター）とを具備した構成を成
している。

【０００５】換言するならば、従来のＩＣメモリカード
は、半導体メモリ装置（素子）と、この半導体メモリ装
置（素子）を制御する制御回路素子、及びこのＩＣメモ
リカードと機器本体、例えば情報処理機器等との入出力
のための回路が内蔵された樹脂製ケースと、この樹脂製
ケースの開口面を被覆・封止するカバーと、この樹脂製
ケースの一辺に装着されて機能回路部と情報処理機器側
とを電気的に接続する外部接続用端子（例えば２ピース
コネクタ）とを具備した構成を成している。

【０００６】しかしながら、このようなＩＣメモリーカ
ードは、上記したように、多くの構成部品の組み立てで
あるため、その構成が比較的複雑ないし繁雑で、かつ厚
さにも限界があって、コスト面や量産における歩留まり
などの点で、実用上不都合な問題を呈しているばかりで
なく、情報処理機器等の機器本体に対する着脱性の容易
さに欠ける面やバラツキを生じ易いという不都合もあ
る。

【０００７】また、従来のＩＣメモリカードでは、半導
体メモリ装置（素子）と、この半導体メモリ装置（素
子）を制御する制御回路素子と、このＩＣメモリカード
と情報処理機器等との入出力のための回路とをカードに
備えているため、カードサイズが大きくなるとの問題が
ある。これは、部品の小型化といった技術の潮流に反す
ることとなる。

【０００８】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、信頼性が高く、またアクセス時間も速く、さらに構
造の簡易化、小型化並びに薄型化が図られ、しかも着脱
性にも優れた外部記憶装置、特にカード型外部記憶装置
の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る外部記憶装置は、少なくとも内部の一
部に空間を有する筐体と、この筐体内に配置された少な
くとも１つのＩＣを有する駆動制御手段とを備えた外部
記憶装置ユニットの前記筐体内に挿入して情報の入出力
を行う外部記憶装置であって、第１面及び第２面を有
し、前記第１面は、第１領域及び第２領域を有し、前記
第１領域から前記第２領域まで延長されている配線パタ
ーンが前記第１面に形成されていて、少なくとも１つの
スルーホールを有する基板と、入出力端子を有し、前記
基板の前記第１面の前記第１領域に装着されているとと
もに、前記入出力端子が前記第１領域で前記配線パター
ンと接続され、データが前記入出力端子を介して電気的
に記録され得るフラッシュ不揮発性半導体メモリ装置
と、前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置を密封す
るように前記基板上の前記第１面の前記第１領域にのみ
形成された密封樹脂と、前記基板の前記第２面に形成さ
れ、前記スルーホールを介して前記配線パターンに接続
された平板型外部接続端子とを有する薄型外部記憶装置
モジュールを備え、この薄型外部記憶装置モジュールを
支持する１ｍｍ以下の厚さである支持体を具備すること
を特徴とする。

【００１０】また、本発明に係る外部記憶装置は、少な
くとも内部の一部に空間を有する筐体と、この筐体内に
配置された少なくとも１つのＩＣを有する駆動制御手段
とを備えた外部記憶装置ユニットの前記筐体内に挿入し
て情報の入出力を行う外部記憶装置であって、第１面及
び第２面を有し、前記第１面は、第１領域及び第２領域
を有し、前記第１領域から前記第２領域まで延長されて
いる配線パターンが前記第１面に形成されていて、少な
くとも１つのスルーホールを有する基板と、電極を有
し、前記基板の前記第１面の前記第１領域に装着されて
いるとともに、前記電極が前記第１領域で前記配線パタ
ーンと接続され、データが電気的に記録され得るフラッ
シュ不揮発性半導体メモリ装置と、前記フラッシュ不揮
発性半導体メモリ装置を密封するように前記基板と前記
フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置上に形成される密
封樹脂と、前記基板の前記第２面に形成され、前記スル
ーホールを介して前記配線パターンに接続された平板型
外部接続端子とを有する前記電極、前記配線パターン及
び前記スルーホールを通じて前記フラッシュ不揮発性半
導体メモリ装置から前記平板型外部接続端子への直接的
なデータ伝送路が形成された薄型外部記憶装置モジュー
ルを備え、ＪＥＩＤＡ標準で規定されているカードサイ
ズの半分以下の面積で且つ１ｍｍ以下の厚さで形成さ
れ、前記薄型外部記憶装置モジュールを支持する支持体
を具備することを特徴とする。

【００１１】さらに、本発明に係る外部記憶装置は、前
記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置が、ＮＡＮＤ型
フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置であることを特徴
とする。

【００１２】また、本発明に係る外部記憶装置は、前記
ＮＡＮＤ型フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置を含む
前記薄型外部記憶装置モジュールの主面全面に渡って前
記平板型外部接続端子が形成されていることを特徴とす
る。

【００１３】さらに、本発明に係る外部記憶装置は、前
記支持体が、カード型に形成され、厚さがほぼ０．７６
ｍｍであることを特徴とする。

【００１４】また、本発明に係る外部記憶装置は、前記
支持体が、カード型であって、且つ前記平板型外部接続
端子が表面に露出されるように前記薄型外部記憶装置モ
ジュールを位置決めするための凹部を有していることを
特徴とする。

【００１５】さらに、本発明に係る外部記憶装置は、前
記平板型外部接続端子の表面が前記カード型の支持体の
表面と実質的に同一平面になるように前記外部記憶装置
モジュールが前記カード型の前記支持体の凹部と勘合す
ることを特徴とする。

【００１６】また、本発明に係る外部記憶装置は、前記
カード型の支持体の前記凹部は段差を有し、前記段差と
前記基板の前記第２領域とは対向していることを特徴と
する。

【００１７】さらに、本発明に係る外部記憶装置は、前
記外部記憶装置モジュールの前記フラッシュ不揮発性半
導体メモリ装置が、耐静電素子を含むことを特徴とす
る。

【００１８】また、本発明に係る外部記憶装置は、前記
外部記憶装置モジュールの前記平板型外部接続端子の表
面が、金メッキ層で被覆されていることを特徴とする。

【００１９】さらに、本発明に係る外部記憶装置は、前
記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置は、フリップチ
ップボンディングによって前記平板型外部接続端子に電
気的に接続されていることを特徴とする。

【００２０】また、本発明に係る外部記憶装置は、前記
フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置が、ワイヤボンデ
ィングによって前記平板型外部接続端子に電気的に接続
されていることを特徴とする。

【００２１】さらに、本発明に係る外部記憶装置は、半
導体素子が前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置の
みで構成されていることを特徴とする。

【００２２】このように、本発明は、従来のボード基板
上に半導体メモリー装置（素子）などを搭載・実装する
形の発想を転換する一方、不揮発性半導体メモリー装置
（素子）が、ワンチップで16Ｍビット容量になると、フ
ロッピーディスクの 2Ｍバイトに対応することに着目し
て達成されたものである。

【００２３】そして、本発明に係る外部記憶装置は、前
記片面封止形のパッケージ構成の形態で用いてもよい
が、取扱い易くするために、カード型の形態で用いるの
が好ましい。また、外部記憶装置ユニットは、制御機能
をなす半導体素子など制御回路部品の一部もしくは全て
を組み込み内蔵している。

【００２４】したがって、本発明に係る外部記憶装置
は、集積度が高くワンチップで16Ｍビット程度のメモリ
ー容量を有するとともに、記憶保持のための電源を要し
ない不揮発性半導体メモリー装置をメモリー本体とし、
かつこのメモリー本体を片面封止形にパッケージ化した
薄型の外部記憶装置モジュール（もしくは本体）の構成
を採ったことを骨子としている。

【００２５】つまり、前記外部記憶装置モジュールは、
トランスファーモールド方式などにより、薄形化および
低コスト化が容易に達成される。また、カード型外部記
憶装置の薄形化は勿論のこと、外部記憶装置ユニットに
対する装着を、カード型にした外部記憶装置ユニット側
面側での挿入方式で行い得る。

【００２６】さらに、外部接続端子も外部記憶装置の裏
面側に平面的に導出・設置されているため、外部記憶装
置ユニットに対するワンタッチ方式での着脱（装着・離
脱）においても、信頼性の高い電気的な接続も容易にな
し得る。

【００２７】そして、カード型の外部記憶装置は、外部
記憶装置ユニットに対して容易に着脱でき、フロッピー
ディスク装置の機能をそのまま実現できるとともに、着
脱に伴う電気的な接離の信頼性向上なども図られる。ま
た、共にカード型に構成された外部記憶装置を装着した
外部記憶装置ユニットにおいては、情報処理機器等の機
器本体に対し優れた着脱性が発揮される。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
(a)〜 (c)、図２ (a)， (b)、図３ (a)， (b)および図
４ (a)， (b)に基づき説明する。

【００２９】図１(a)〜 (c)は、本発明に係る薄型の外
部記憶装置モジュールの概略構成例を示したものであ
る。ここで、図１ (a)はトランスファモールドで片面封
止された面側の斜視図、図１ (b)はトランスファモール
ドで片面封止された裏面側の斜視図、また図１ (c)は図
１ (a)のA-A線に沿った断面図である。

【００３０】この実施形態においては、カード型の外部
記憶装置モジュール１は次のように構成されている。た
とえば、16ＭビットのＮＡＮＤ型フラッシュタイプの不
揮発性半導体メモリー装置２を含む記憶媒体系素子が、
いわゆるスルホール型の樹脂系配線基板３面にワイヤボ
ンディング４されている。

【００３１】なお、この記憶媒体系素子には、要すれ
ば、前記ＮＡＮＤ型フラッシュタイプの不揮発性半導体
メモリー装置２の入出力用の静電破壊防止用耐静電素子
を含める。また、前記ワイヤボンディング４に代えて、
基板３面にメモリー素子の裏面側を直接張り合わせるフ
リップチップボンディングで行ってもよい。

【００３２】前記ＮＡＮＤ型フラッシュタイプの不揮発
性半導体メモリー装置２を含む記憶媒体系素子を搭載・
実装した樹脂系配線基板３は、例えば第１面としての表
面3a側に第１領域3b及び第２領域3cが設けられており、
トランスファーモールド層５にてこの表面3a側の第１領
域3bが片面封止され、全体の厚さが1mm程度以下にパッ
ケージ化された薄型の平板状の構成を採った外部記憶装
置モジュール１（このまま外部記憶装置本体となる場合
もある）を成している。また、配線基板３には、例えば
表面3a側の第１領域3bから第２領域3cまで延長されてい
る配線パターンが設けられており、この配線パターン
は、前述した不揮発性半導体メモリー装置２を含む記憶
媒体系素子の電極（入出力端子）と第１領域3bで電気的
に接続されている。

【００３３】一方、前記片面封止されたスルホール型の
樹脂系配線基板３、換言すると外部記憶装置モジュール
1a（１）の第２面としての裏面3d側には、前記スルホー
ルを介して導出された平面状（平面型）の端子1bが配置
されて外部記憶装置１を構成している。そして、前記平
面状の端子1bは、表面に金（Ａｕ）めっきが施されてお
り、後述する外部記憶装置ユニットの接触子と電気的な
接続を行う外部接続用端子として機能する。したがっ
て、外部記憶装置モジュール1a（１）には、不揮発性半
導体メモリー装置２を含む記憶媒体系素子の電極、並び
に配線基板３に形成された配線パターン及びスルーホー
ルを通じて、記憶媒体系素子から外部接続用端子1bへの
直接的なデータ伝送路が形成されている。

【００３４】図２ (a)〜 (b)は、前記構成の薄型の外部
記憶装置モジュール1a（１）を、カード状支持体６に装
着して成るカード型の外部記憶装置１′の概略構成例を
示したもので、図２ (a)は斜視図、図２ (b)は図２ (a)
の B-B線に沿った断面図である。

【００３５】この構成例においては、取扱いなど簡易化
するため、たとえば JEIDAで規定されたカードサイズの
半分の長さ42.8mm，幅27mm以下，厚さ0.76mmのカード状
支持体６に、前記薄型の外部記憶装置モジュール１を組
み込んだ構成を成している。つまり、前記外部記憶装置
モジュール１は、予めカード状支持体６に形設してある
嵌入・装着し得る段差6aを有する凹部6bに、外部接続用
端子1b面が、カード状支持体６主面と同一平面を成して
嵌入・装着されて、カード型の外部記憶装置１′を構成
している。

【００３６】さらに、図３ (a)〜 (b)は、前記構成のカ
ード型の外部記憶装置１′を、外部記憶装置ユニット本
体７に装着したときの概略構成例を示したもので、図３
(a)は平面図、図３ (b)は図３ (a)の C-C線に沿った断
面図である。

【００３７】この構成例においては、前記カード型の外
部記憶装置１′が一方の構成要素となる。すなわち、少
なくとも不揮発性半導体メモリーチップ２を含む記憶媒
体系素子をトランスファーモールドで片面封止した構成
の外部記憶装置モジュール1a（１）を、カード状支持体
６に嵌入・装着して成るカード型の外部記憶装置１′が
前提になっている。

【００３８】そして、前記カード型の外部記憶装置１′
は、外部記憶装置ユニット本体７に着脱自在に装着・組
み込みすることにより、外部記憶装置ユニット８を構成
している。ここで、外部記憶装置ユニット本体７は、前
記カード型の外部記憶装置１′上で、外部記憶装置モジ
ュール１に設けられた平面的な外部接続用端子1bに対
し、電気的な接続が可能な機構およびカード型の外部記
憶装置１′を着脱自在に装着し得る機構を備えている。

【００３９】そして、前記カード型の外部記憶装置１′
を着脱自在とする装着機構は、外部記憶装置ユニット本
体７に、カード型の外部記憶装置１′の形状・寸法に対
応した凹部を形設し、その凹設面にカード型の外部記憶
装置１′の外部接続用端子1bに対応させた接触子7aを配
置する一方、カード型の外部記憶装置１′の着脱をスム
ースに行うためのガイド機構7bおよびワンタッチ機構7c
を備えた構成を採っている。

【００４０】この構成例において、カード型の外部記憶
装置１′を矢印方向に挿入・装着するとき、もしくは取
り去るときは、挿入出方向の側面側に設置されているガ
イド機構7bによって、スムースに挿入出が行われるとと
もに、挿入方向の先端部に配置されているワンタッチ機
構7cによって、機械的且つ電気的な接続、若しくはこれ
らの解除がなされる。

【００４１】また、要すれば、前記ワンタッチ機構7cに
は、カード型の外部記憶装置１′へ電気を供給するマイ
クロスイッチ機構を設けてもよい。図において7dは、前
記カード型の外部記憶装置１′が具備する不揮発性半導
体メモリーチップ２を含む記憶媒体系素子の駆動・制御
用回路の一部を成すIC素子群である。さらに、外部接続
用端子1bと電気的に接続される接触子7aは、たとえばス
プリング機構をもつピン型接触子とする。

【００４２】なお、前記構成のカード型の外部記憶装置
１′を装着した外部記憶装置ユニット８の構成は、前記
例示に限定されるものでなく、図４ (a)に平面的に、図
４ (b)に断面的にそれぞれ示すような構成を成してもよ
い。

【００４３】すなわち、一端側にピンコネクション9aを
装備した外装体９、たとえば縦85.6mm，幅（横）54.0m
m，厚さ 3.3mmサイズの外装体９に、側面側から挿出入
により装着し得る構成としてもよい。

【００４４】つまり、前記カード型の外部記憶装置１′
を、側面側から挿出入により装着が可能な挿出入部（空
間部ないし空隙部）9bを、前記外部記憶装置ユニット本
体７に設けた構成とし、外装体９に配置した押し釦9cの
操作により着脱するようにしてもよい。

【００４５】本実施形態の外部記憶装置１′は、フラッ
シュ不揮発性半導体メモリ装置のみを密封しているの
で、その形状は従来のICメモリカードよりも安価に小型
化、また超薄型化に出来るとの効果がある。すなわち、
JEIDAで規定されたカードサイズの半分の長さ42.8mm、
幅27mm以下、厚さ0.76mmのカードとなる効果がある。

【００４６】このように、JEIDAで規定されたカードサ
イズの半分の長さにすることにより、フラッシュ不揮発
性半導体メモリ装置を制御する制御回路素子と、このIC
メモリカードと情報処理機器等の機器本体との入出力の
ための回路とをJEIDAで規定されたカードサイズである
外部記憶装置ユニツト本体７に配置することにより、次
の効果が生じる。

【００４７】即ち、情報処理機器の一般的なICメモリカ
ードを挿入する入り口（ポート）に本実施形態の外部記
憶装置１′を挿着した外部記憶装置ユニット８を挿入す
ることにより、情報処理機器の既存の入り口（ポート）
をそのまま使用することが出来る、といった効果もあ
る。

【００４８】したがって、本実施形態の外部記憶装置
１′を用いることにより、部品の小型化といった技術の
潮流を簡易に満たすとともに、既存の情報処理機器のIC
メモリカードを挿入する入り口（ポート）を変更しなく
ても済み資源の有効利用を図ることができる。

【００４９】特に、カード型の外部記憶装置１′を、外
部記憶装置ユニット本体７の側面側から挿出入する構成
の場合は、表面にカード型の外部記憶装置１′装着用の
凹部を形設したりする場合に較べ、その分外部記憶装置
の装着に要する外表面の拡大化も不要となり、カード型
の外部記憶装置１′の内蔵（内装）化に伴うコンパクト
化、美観向上あるいは信頼性向上などを、容易に図り得
ることになる。

【００５０】なお、本発明は上記例示の構成に限定され
るものではなく、たとえばカード型の外部記憶装置は、
カード状支持体６に装着せずに、そのままの形で使用し
てもよい。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る外部
記憶装置は、集積度が高く、ワンチップでもメモリー容
量の大きい不揮発性半導体メモリー装置をメモリー本体
とし、かつこのメモリー本体を片面封止型にトランスフ
ァーモールドしたコンパクトな構成であることを基本と
している。

【００５２】そして、片面封止型方式および不揮発性半
導体メモリー装置の利用により、外部記憶装置の薄型化
および自由に取り外し持ち運び可能となるなど取扱い易
くなっているばかりでなく、前記外部記憶装置本体の薄
形化ないしコンパクトな構成なども簡略になし得るの
で、低コスト化を図り得る。

【００５３】また、本発明の外部記憶装置を外部記憶装
置ユニットと組み合わせて用いる場合、特にそれぞれを
カード型とした場合、良好な滑性により着脱性に優れ、
外部接続用端子の損傷・接続不良化なども回避でき、信
頼性の向上などを図ることが可能となる。さらに、本発
明に係る外部記憶装置は、外的な損傷を受けることなど
を懸念することなく持ち運びし得ること、コンパクトで
ありながらデータの記録・保存容量も大きいことなどの
点は、実用上多くの利点をもたらすものであると言え
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る外部記憶装置の構成例
の要部を示すもので、(a)は表面斜視図，(b)は裏面斜視
図，(c)は (a)斜視図の A-A線に沿った拡大断面図。

【図２】図１に示した外部記憶装置と構成の異なる他の
外部記憶装置の構成例の要部を示すもので、(a)は表面
斜視図，(b)は(a)斜視図の B-B線に沿った拡大断面図。

【図３】図２に示した外部記憶装置を組み込んだカード
型の外部記憶装置ユニットの構成例の要部を示すもの
で、(a)は平面図，(b)は(a)平面図のC-C線に沿った断面
図。

【図４】図３に示したカード型の外部記憶装置ユニット
と構成の異なる他のカード型外部記憶装置ユニットの構
成例の要部を示すもので、(a)は平面図，(b)は断面図。

【符号の説明】

１，１′…外部記憶装置、1a…外部記憶装置モジュー
ル、1b…外部接続用端子、２…不揮発性半導体メモリー
装置、３…樹脂系配線基板、3a…樹脂系配線基板の表
面、3b…表面側の第１領域、3c…表面側の第２領域、3d
…樹脂系配線基板の裏面、４…ワイヤボンディング、５
…トランスファーモールド層、６…カード状支持体、6a
…カード状支持体の段差、6b…カード状支持体の凹部、
７…外部記憶装置ユニット本体、7a…接触子、7b…ガイ
ド機構、7c…ワンタッチ機構、7d…IC素子、８…外部記
憶装置ユニット、９…外装体、9a…ピンコネクション、
9b…挿出入部、9c…押し釦。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも内部の一部に空間を有する筐
   体と、この筐体内に配置された少なくとも１つのＩＣを
   有する駆動制御手段とを備えた外部記憶装置ユニットの
   前記筐体内に挿入して情報の入出力を行う外部記憶装置
   であって、 第１面及び第２面を有し、前記第１面は、第１領域及び
   第２領域を有し、前記第１領域から前記第２領域まで延
   長されている配線パターンが前記第１面に形成されてい
   て、少なくとも１つのスルーホールを有する基板と、 入出力端子を有し、前記基板の前記第１面の前記第１領
   域に装着されているとともに、前記入出力端子が前記第
   １領域で前記配線パターンと接続され、データが前記入
   出力端子を介して電気的に記録され得るフラッシュ不揮
   発性半導体メモリ装置と、 前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置を密封するよ
   うに前記基板上の前記第１面の前記第１領域にのみ形成
   された密封樹脂と、 前記基板の前記第２面に形成され、前記スルーホールを
   介して前記配線パターンに接続された平板型外部接続端
   子とを有する薄型外部記憶装置モジュールを備え、 この薄型外部記憶装置モジュールを支持する１ｍｍ以下
   の厚さである支持体を具備することを特徴とする外部記
   憶装置。
2. 【請求項２】 少なくとも内部の一部に空間を有する筐
   体と、この筐体内に配置された少なくとも１つのＩＣを
   有する駆動制御手段とを備えた外部記憶装置ユニットの
   前記筐体内に挿入して情報の入出力を行う外部記憶装置
   であって、 第１面及び第２面を有し、前記第１面は、第１領域及び
   第２領域を有し、前記第１領域から前記第２領域まで延
   長されている配線パターンが前記第１面に形成されてい
   て、少なくとも１つのスルーホールを有する基板と、 電極を有し、前記基板の前記第１面の前記第１領域に装
   着されているとともに、前記電極が前記第１領域で前記
   配線パターンと接続され、データが電気的に記録され得
   るフラッシュ不揮発性半導体メモリ装置と、 前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置を密封するよ
   うに前記基板と前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装
   置上に形成される密封樹脂と、 前記基板の前記第２面に形成され、前記スルーホールを
   介して前記配線パターンに接続された平板型外部接続端
   子とを有する前記電極、前記配線パターン及び前記スル
   ーホールを通じて前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ
   装置から前記平板型外部接続端子への直接的なデータ伝
   送路が形成された薄型外部記憶装置モジュールを備え、 ＪＥＩＤＡ標準で規定されているカードサイズの半分以
   下の面積で且つ１ｍｍ以下の厚さで形成され、前記薄型
   外部記憶装置モジュールを支持する支持体を具備するこ
   とを特徴とする外部記憶装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の外部記憶装置にお
   いて、 前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置は、ＮＡＮＤ
   型フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置であることを特
   徴とする外部記憶装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の外部記憶装置において、 前記ＮＡＮＤ型フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置を
   含む前記薄型外部記憶装置モジュールの主面全面に渡っ
   て前記平板型外部接続端子が形成されていることを特徴
   とする外部記憶装置。
5. 【請求項５】 請求項１又は２記載の外部記憶装置にお
   いて、 前記支持体は、カード型に形成され、厚さがほぼ０．７
   ６ｍｍであることを特徴とする外部記憶装置。
6. 【請求項６】 請求項１又は２記載の外部記憶装置にお
   いて、 前記支持体は、カード型であって、且つ前記平板型外部
   接続端子が表面に露出されるように前記薄型外部記憶装
   置モジュールを位置決めするための凹部を有しているこ
   とを特徴とする外部記憶装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の外部記憶装置において、 前記平板型外部接続端子の表面が前記カード型の支持体
   の表面と実質的に同一平面になるように前記外部記憶装
   置モジュールが前記カード型の前記支持体の凹部と勘合
   することを特徴とする外部記憶装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の外部記憶装置において、 前記カード型の支持体の前記凹部は段差を有し、前記段
   差と前記基板の前記第２領域とは対向していることを特
   徴とする外部記憶装置。
9. 【請求項９】 請求項１又は２記載の外部記憶装置にお
   いて、 前記外部記憶装置モジュールの前記フラッシュ不揮発性
   半導体メモリ装置は、耐静電素子を含むことを特徴とす
   る外部記憶装置。
10. 【請求項１０】 請求項１又は２記載の外部記憶装置に
    おいて、 前記外部記憶装置モジュールの前記平板型外部接続端子
    の表面は、金メッキ層で被覆されていることを特徴とす
    る外部記憶装置。
11. 【請求項１１】 請求項１又は２記載の外部記憶装置に
    おいて、 前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置は、フリップ
    チップボンディングによって前記平板型外部接続端子に
    電気的に接続されていることを特徴とする外部記憶装
    置。
12. 【請求項１２】 請求項１又は２記載の外部記憶装置に
    おいて、 前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置は、ワイヤボ
    ンディングによって前記平板型外部接続端子に電気的に
    接続されていることを特徴とする外部記憶装置。
13. 【請求項１３】 請求項１又は２記載の外部記憶装置に
    おいて、 半導体素子が前記フラッシュ不揮発性半導体メモリ装置
    のみで構成されていることを特徴とする外部記憶装置。