JP2001044487A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体装置に関し、単位画素面内に発光或
いは受光の波長域を異にする複数の光半導体素子を形成
できるようにして集積度の向上、及び、配線構造の簡易
化を実現しようとする。 【解決手段】 単位画素面内にｐｎ接合或いはショット
キ接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長
域を異にする第一の活性層１２及び第二の活性層１３な
ど複数の活性層が含まれ且つ各活性層のうち少なくとも
一つ、即ち、第二の活性層１３は選択再成長されたもの
である。
いは受光の波長域を異にする複数の光半導体素子を形成
できるようにして集積度の向上、及び、配線構造の簡易
化を実現しようとする。 【解決手段】 単位画素面内にｐｎ接合或いはショット
キ接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長
域を異にする第一の活性層１２及び第二の活性層１３な
ど複数の活性層が含まれ且つ各活性層のうち少なくとも
一つ、即ち、第二の活性層１３は選択再成長されたもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子に依っ
て光学的画像信号を表示したり、或いは、検出する光半
導体装置に関する。
て光学的画像信号を表示したり、或いは、検出する光半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、高密度情報通信技術、即ち、マル
チメディア技術の発展に伴い、画像情報、特にカラーの
画像情報を電気信号として取り込んだり、或いは、表示
する装置の小型化及び多機能化が希求されている。
チメディア技術の発展に伴い、画像情報、特にカラーの
画像情報を電気信号として取り込んだり、或いは、表示
する装置の小型化及び多機能化が希求されている。
【０００３】カラー画像情報を電気信号として取り込む
場合、通常、「光の三原色」の各波長に対応する分光信
号強度を取り出し、それぞれをＲＧＢ信号として処理す
ることが行なわれている。
場合、通常、「光の三原色」の各波長に対応する分光信
号強度を取り出し、それぞれをＲＧＢ信号として処理す
ることが行なわれている。
【０００４】そこで、これらのＲＧＢ信号を表示（発
光）或いは検出（受光）する場合、それぞれの波長にの
み感度を有する光半導体素子を二次元平面に配列するこ
とが必要となる。
光）或いは検出（受光）する場合、それぞれの波長にの
み感度を有する光半導体素子を二次元平面に配列するこ
とが必要となる。
【０００５】この場合、発光或いは受光する光半導体素
子としては、それぞれの波長域に於いてのみ発光特性を
もつか或いは感度をもつ素子をＲＧＢのそれぞれに対し
て使用しなければならないから、少なくとも三種類が必
要である。
子としては、それぞれの波長域に於いてのみ発光特性を
もつか或いは感度をもつ素子をＲＧＢのそれぞれに対し
て使用しなければならないから、少なくとも三種類が必
要である。
【０００６】このように、発光特性或いは感度波長域を
異にする三種類の光半導体素子を用いる場合、例えば発
光（表示）装置に於いては、白色光に対し、ＲＧＢそれ
ぞれの波長域の透過特性をもつフィルタを対応させ、そ
こを透過する光の相対強度を例えば液晶を用いて変化さ
せている。
異にする三種類の光半導体素子を用いる場合、例えば発
光（表示）装置に於いては、白色光に対し、ＲＧＢそれ
ぞれの波長域の透過特性をもつフィルタを対応させ、そ
こを透過する光の相対強度を例えば液晶を用いて変化さ
せている。
【０００７】また、受光（検出）装置に於いては、入力
光を分光し、それぞれの波長域の強度分布、即ち、コン
トラストとして検出する方法が採られている。
光を分光し、それぞれの波長域の強度分布、即ち、コン
トラストとして検出する方法が採られている。
【０００８】このような光半導体装置を実現しようとす
る場合、その装置の発光特性、或いは、感度波長域は、
使用する半導体層の禁制帯幅、即ち、材料自体に依って
決定づけられる。
る場合、その装置の発光特性、或いは、感度波長域は、
使用する半導体層の禁制帯幅、即ち、材料自体に依って
決定づけられる。
【０００９】ところが、通常の半導体装置では、二次元
面内に於ける材料は同一である為、それぞれの波長域に
対応する独立した光半導体素子を集合、即ち、ハイブリ
ッド集積化するか（前者）、或いは、層構造化して積層
形成するか（後者）の何れかの手段を採らざるを得な
い。
面内に於ける材料は同一である為、それぞれの波長域に
対応する独立した光半導体素子を集合、即ち、ハイブリ
ッド集積化するか（前者）、或いは、層構造化して積層
形成するか（後者）の何れかの手段を採らざるを得な
い。
【００１０】前者の場合、集積化の度合いに制限があ
り、光学原理的限界、即ち、分光装置の空間分解能にま
で集積化することは困難であり、装置全体としては肥大
化したものになってしまう。
り、光学原理的限界、即ち、分光装置の空間分解能にま
で集積化することは困難であり、装置全体としては肥大
化したものになってしまう。
【００１１】後者の場合、集積化は比較的容易である
が、積層された半導体層のそれぞれから信号を取り出し
たり、或いは、入力する為の配線構造が複雑となり、作
製は困難である。
が、積層された半導体層のそれぞれから信号を取り出し
たり、或いは、入力する為の配線構造が複雑となり、作
製は困難である。
【００１２】図６は発光或いは受光の波長域を異にする
光半導体素子を積層形成してなる光半導体装置を表す要
部切断側面図である。
光半導体素子を積層形成してなる光半導体装置を表す要
部切断側面図である。
【００１３】図に於いて、１は第一の信号電極形成層を
兼ねた基板、２は第一の活性層、３は共通電極形成層、
４は第二の活性層、５は第二の信号電極形成層をそれぞ
れ示している。
兼ねた基板、２は第一の活性層、３は共通電極形成層、
４は第二の活性層、５は第二の信号電極形成層をそれぞ
れ示している。
【００１４】図示の光半導体装置に於ける各半導体層を
形成する技術は、多用されつつあるＨＢＴ（ｈｅｔｅｒ
ｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）などを製造する上で実績があるので、その適用
には何らの問題もないが、図からも看取できるように電
極や配線の構造は複雑化を免れない。
形成する技術は、多用されつつあるＨＢＴ（ｈｅｔｅｒ
ｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）などを製造する上で実績があるので、その適用
には何らの問題もないが、図からも看取できるように電
極や配線の構造は複雑化を免れない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、単位画素
面内に発光或いは受光の波長域を異にする複数の光半導
体素子を形成できるようにして集積度の向上、及び、配
線構造の簡易化を実現しようとする。
面内に発光或いは受光の波長域を異にする複数の光半導
体素子を形成できるようにして集積度の向上、及び、配
線構造の簡易化を実現しようとする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明では、選択再成長
技術を用い、単位画素面内の同一平面上に発光或いは受
光の波長域が異なる複数の光半導体素子を形成すること
が基本になっている。
技術を用い、単位画素面内の同一平面上に発光或いは受
光の波長域が異なる複数の光半導体素子を形成すること
が基本になっている。
【００１７】図１は本発明の原理を説明する光半導体装
置を表す要部切断側面図であり、図に於いて、１１は基
板、１２は第一の活性層、１３は第二の活性層、１４は
第一の電極形成層、１５は第二の電極形成層、１６は素
子間分離溝、１７は共通電極をそれぞれ示している。
置を表す要部切断側面図であり、図に於いて、１１は基
板、１２は第一の活性層、１３は第二の活性層、１４は
第一の電極形成層、１５は第二の電極形成層、１６は素
子間分離溝、１７は共通電極をそれぞれ示している。
【００１８】また、基板１１、第一の活性層１２、第一
の電極形成層１４を含んで構成される光半導体素子を第
一の光半導体素子Ｑ１、基板１１、第二の活性層１３、
第二の電極形成層１５を含んで構成される光半導体素子
を第二の光半導体素子Ｑ２として示してあり、第一の光
半導体素子Ｑ１からは第一の波長に関する信号光或いは
電気信号を、そして、第二の光半導体素子Ｑ２からは第
二の波長に関する信号光或いは電気信号をそれぞれ取り
出すことができる。
の電極形成層１４を含んで構成される光半導体素子を第
一の光半導体素子Ｑ１、基板１１、第二の活性層１３、
第二の電極形成層１５を含んで構成される光半導体素子
を第二の光半導体素子Ｑ２として示してあり、第一の光
半導体素子Ｑ１からは第一の波長に関する信号光或いは
電気信号を、そして、第二の光半導体素子Ｑ２からは第
二の波長に関する信号光或いは電気信号をそれぞれ取り
出すことができる。
【００１９】図示の光半導体装置に於ける光半導体素子
の集積密度は、それぞれの材料乃至構造の加工可能な寸
法まで向上させることができ、現状では、この作製可能
な寸法は、目的とする波長に依って相違するが、分光装
置の空間分解能と同程度か、或いは、大きくなる。
の集積密度は、それぞれの材料乃至構造の加工可能な寸
法まで向上させることができ、現状では、この作製可能
な寸法は、目的とする波長に依って相違するが、分光装
置の空間分解能と同程度か、或いは、大きくなる。
【００２０】然しながら、例えばハイブリッド集積化に
於ける作製可能寸法、即ち、人手で直接操作できる寸法
範囲程度と比較した場合には充分に小さくすることがで
き、また、このような構成にすることで、電気的に見
て、各光半導体素子が完全に並列関係となり、図６につ
いて説明した従来の積層型構造に見られる電極や配線が
複雑化する問題は解消され、そのような構造の単純化
は、当然、信頼性の向上に結び付いてくる。
於ける作製可能寸法、即ち、人手で直接操作できる寸法
範囲程度と比較した場合には充分に小さくすることがで
き、また、このような構成にすることで、電気的に見
て、各光半導体素子が完全に並列関係となり、図６につ
いて説明した従来の積層型構造に見られる電極や配線が
複雑化する問題は解消され、そのような構造の単純化
は、当然、信頼性の向上に結び付いてくる。
【００２１】前記したところから、本発明に依る光半導
体装置に於いては、 （１）単位画素面内にｐｎ接合或いはショットキ接合或
いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異に
する複数の活性層（例えば第一の活性層１２、第二の活
性層１３：図１参照）が含まれ且つ該各活性層のうち少
なくとも一つは選択再成長されたものであることを特徴
とするか、又は、
体装置に於いては、 （１）単位画素面内にｐｎ接合或いはショットキ接合或
いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異に
する複数の活性層（例えば第一の活性層１２、第二の活
性層１３：図１参照）が含まれ且つ該各活性層のうち少
なくとも一つは選択再成長されたものであることを特徴
とするか、又は、
【００２２】（２）前記（１）に於いて、前記活性層が
多重量子井戸からなる場合に於いて、前記活性層は井戸
層に於ける価電子帯及び伝導帯にそれぞれ生成されるサ
ブバンド間で起こる遷移で定まる波長に対応する構造を
もつことを特徴とするか、又は、
多重量子井戸からなる場合に於いて、前記活性層は井戸
層に於ける価電子帯及び伝導帯にそれぞれ生成されるサ
ブバンド間で起こる遷移で定まる波長に対応する構造を
もつことを特徴とするか、又は、
【００２３】（３）前記（１）に於いて、前記活性層が
多重量子井戸からなる場合に於いて、前記活性層は井戸
層に於ける価電子帯に生成されるサブバンド間或いは伝
導帯に生成されるサブバンド間で起こる遷移で定まる波
長に対応する構造をもつことを特徴とする。
多重量子井戸からなる場合に於いて、前記活性層は井戸
層に於ける価電子帯に生成されるサブバンド間或いは伝
導帯に生成されるサブバンド間で起こる遷移で定まる波
長に対応する構造をもつことを特徴とする。
【００２４】前記手段を採ることに依り、多波長の画像
表示、或いは、多波長の光検出を行なう光半導体装置に
於ける光半導体素子の集積密度を向上させて小型化する
ことができ、また、電極や配線の構造を簡単化すること
ができるので製造は容易になって信頼性も向上する。
表示、或いは、多波長の光検出を行なう光半導体装置に
於ける光半導体素子の集積密度を向上させて小型化する
ことができ、また、電極や配線の構造を簡単化すること
ができるので製造は容易になって信頼性も向上する。
【００２５】
【発明の実施の形態】図２乃至図５は本発明に依る光半
導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光半導体装置を表す要部切断側面図であり、以下、こ
れ等の図を参照しつつ説明する。
導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光半導体装置を表す要部切断側面図であり、以下、こ
れ等の図を参照しつつ説明する。
【００２６】図２（Ａ）参照 ２−（１） 例えば、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法を適用することに依り、基板２１上に緩衝層２２、多
重量子井戸からなる活性層２３、電極形成層２４を成長
させる。
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法を適用することに依り、基板２１上に緩衝層２２、多
重量子井戸からなる活性層２３、電極形成層２４を成長
させる。
【００２７】尚、多重量子井戸からなる活性層２３に於
いては、その井戸層に於ける価電子帯と伝導帯とにそれ
ぞれサブバンドが生成されるので、そのサブバンド間に
於ける遷移波長が所望の波長域と一致するように構成す
るものであり、具体的には井戸層の厚さを適切に選択す
る。
いては、その井戸層に於ける価電子帯と伝導帯とにそれ
ぞれサブバンドが生成されるので、そのサブバンド間に
於ける遷移波長が所望の波長域と一致するように構成す
るものであり、具体的には井戸層の厚さを適切に選択す
る。
【００２８】ここでの各半導体に関する主要なデータを
例示すると次の通りである。 基板２１について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 緩衝層２２について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 厚さ：１００〔ｎｍ〕 活性層２３について 材料：ＡｌＧａＡｓ（バリヤ層）／ＧａＡｓ（井戸層） 厚さ：３０〔ｎｍ〕／５〔ｎｍ〕 周期：５０ 電極形成層２４について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１００〔ｎｍ〕
例示すると次の通りである。 基板２１について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 緩衝層２２について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 厚さ：１００〔ｎｍ〕 活性層２３について 材料：ＡｌＧａＡｓ（バリヤ層）／ＧａＡｓ（井戸層） 厚さ：３０〔ｎｍ〕／５〔ｎｍ〕 周期：５０ 電極形成層２４について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１００〔ｎｍ〕
【００２９】図２（Ｂ）参照 ２−（２） ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法を適用することに依り、電極形成層２４上
に厚さ１００〔ｎｍ〕のＳｉＮ膜２５を形成する。尚、
このＳｉＮ膜２５は後に半導体層を選択再成長する際の
マスクとして作用する。
ｔｉｏｎ）法を適用することに依り、電極形成層２４上
に厚さ１００〔ｎｍ〕のＳｉＮ膜２５を形成する。尚、
このＳｉＮ膜２５は後に半導体層を選択再成長する際の
マスクとして作用する。
【００３０】２−（３） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、波長を異にする光半導体素子の形成予定
部分に例えば４０〔μｍ〕□の開口をもつレジスト膜
（図示せず）を形成する。
ることに依り、波長を異にする光半導体素子の形成予定
部分に例えば４０〔μｍ〕□の開口をもつレジスト膜
（図示せず）を形成する。
【００３１】２−（４） エッチング・ガスをＣＦ4 ＋Ｏ2 とするドライ・エッチ
ング法を適用することに依り、レジスト膜をマスクとし
てＳｉＮ膜２５のエッチングを行なって開口２５Ａを形
成する。
ング法を適用することに依り、レジスト膜をマスクとし
てＳｉＮ膜２５のエッチングを行なって開口２５Ａを形
成する。
【００３２】２−（５） 工程２−（３）で形成したレジスト膜を剥離する。
【００３３】図３（Ａ）参照 ３−（１） エッチング・ガスをＳｉＣｌ4 とするドライ・エッチン
グ法を適用することに依り、ＳｉＮ膜２５をマスクとし
て電極形成層２４の表面から基板２１の表面に達するエ
ッチングを行なってリセス２２Ａを形成する。
グ法を適用することに依り、ＳｉＮ膜２５をマスクとし
て電極形成層２４の表面から基板２１の表面に達するエ
ッチングを行なってリセス２２Ａを形成する。
【００３４】尚、この場合、基板２１と緩衝層２２との
界面にＩｎＧａＰからなる薄層を介挿しておけば、上記
エッチング・ガスを用いたドライ・エッチングに対する
エッチング停止層の役割を果たすので、エッチング制御
が容易になる。
界面にＩｎＧａＰからなる薄層を介挿しておけば、上記
エッチング・ガスを用いたドライ・エッチングに対する
エッチング停止層の役割を果たすので、エッチング制御
が容易になる。
【００３５】図３（Ｂ）参照 ３−（２） ＣＶＤ法を適用することに依り、リセス２２Ａ内も含め
た全面に厚さ１００〔ｎｍ〕のＳｉＮ膜２６を形成す
る。
た全面に厚さ１００〔ｎｍ〕のＳｉＮ膜２６を形成す
る。
【００３６】図４（Ａ）参照 ４−（１） エッチング・ガスをＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 とするドライ・エ
ッチング法を適用することに依り、ＳｉＮ膜２６の異方
性エッチングを行なって、リセス２２を画成する壁面に
サイド・ウォール２６Ａを形成する。尚、このサイド・
ウォール２６Ａも後に半導体層を選択再成長する際のマ
スクとして作用する。
ッチング法を適用することに依り、ＳｉＮ膜２６の異方
性エッチングを行なって、リセス２２を画成する壁面に
サイド・ウォール２６Ａを形成する。尚、このサイド・
ウォール２６Ａも後に半導体層を選択再成長する際のマ
スクとして作用する。
【００３７】このエッチングでは、ＳｉＮ膜２５を残す
ことになるので、当然、時間制御になり、また、エッチ
ング技術としては、前記した異方性エッチング、即ち、
エッチ・バックを適用することの他に通常のリソグラフ
ィ技術を適用してマスクを用いたエッチングを行なって
も良い。
ことになるので、当然、時間制御になり、また、エッチ
ング技術としては、前記した異方性エッチング、即ち、
エッチ・バックを適用することの他に通常のリソグラフ
ィ技術を適用してマスクを用いたエッチングを行なって
も良い。
【００３８】図４（Ｂ）参照 ４−（２） ＭＯＣＶＤ法を適用することに依り、ＳｉＮ膜２５及び
ＳｉＮからなるサイド・ウォール２６Ａをマスクとして
選択再成長を行ない、リセス２２Ａ内に第二の光半導体
素子用として、緩衝層２２Ａ、多重量子井戸からなる活
性層２３Ａ、電極形成層２４Ａを成長させる。
ＳｉＮからなるサイド・ウォール２６Ａをマスクとして
選択再成長を行ない、リセス２２Ａ内に第二の光半導体
素子用として、緩衝層２２Ａ、多重量子井戸からなる活
性層２３Ａ、電極形成層２４Ａを成長させる。
【００３９】ここで選択再成長させた各半導体層の材料
は、さきに成長した緩衝層２２、活性層２３、電極形成
層２４と変わりなく、層厚は活性層２３Ａが僅かに相違
するのみで、他は殆ど同じである。
は、さきに成長した緩衝層２２、活性層２３、電極形成
層２４と変わりなく、層厚は活性層２３Ａが僅かに相違
するのみで、他は殆ど同じである。
【００４０】ところで、活性層２３Ａのみは、井戸層に
於ける価電子帯と伝導帯とに生成されるサブ・バンド間
に於ける遷移波長が所望の波長域と一致するように構成
しなければならないから、井戸層の厚さは活性層２３に
於ける井戸層の厚さとは異なったものになる。
於ける価電子帯と伝導帯とに生成されるサブ・バンド間
に於ける遷移波長が所望の波長域と一致するように構成
しなければならないから、井戸層の厚さは活性層２３に
於ける井戸層の厚さとは異なったものになる。
【００４１】図５参照 ５−（１） この後、通常の技法を適用することに依り、基板２１に
共通電極を形成したり、第一の光半導体素子Ｑ１及び第
二の光半導体素子Ｑ２から光信号或いは電気信号を取り
出す為の電極や配線などを形成して完成する。
共通電極を形成したり、第一の光半導体素子Ｑ１及び第
二の光半導体素子Ｑ２から光信号或いは電気信号を取り
出す為の電極や配線などを形成して完成する。
【００４２】本発明では、前記実施の形態に限られず、
特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、
他に多くの改変を実現することができる。
特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、
他に多くの改変を実現することができる。
【００４３】例えば、前記実施の形態では、主として検
出装置を対象として説明したが、基板及び緩衝層の導電
型をｎ型とし、電極形成層の導電型をｐ型とすれば、ｐ
ｉｎ型の光半導体装置にすることができる。
出装置を対象として説明したが、基板及び緩衝層の導電
型をｎ型とし、電極形成層の導電型をｐ型とすれば、ｐ
ｉｎ型の光半導体装置にすることができる。
【００４４】また、光半導体素子Ｑ１の活性層に用いた
多重量子井戸及び光半導体素子Ｑ２の活性層に用いた多
重量子井戸のそれぞれに於ける発光或いは受光の波長域
を定める要素として、価電子帯及び伝導帯にそれぞれ生
成されるサブバンド間遷移の他に価電子帯に生成される
複数のサブバンド間或いは伝導帯に生成される複数のサ
ブバンド間での遷移、或いは、サブバンドと連続準位間
での遷移を基にした波長を利用することも可能である。
多重量子井戸及び光半導体素子Ｑ２の活性層に用いた多
重量子井戸のそれぞれに於ける発光或いは受光の波長域
を定める要素として、価電子帯及び伝導帯にそれぞれ生
成されるサブバンド間遷移の他に価電子帯に生成される
複数のサブバンド間或いは伝導帯に生成される複数のサ
ブバンド間での遷移、或いは、サブバンドと連続準位間
での遷移を基にした波長を利用することも可能である。
【００４５】また、活性層は、発光乃至受光について機
能するものであれば、通常のｐｎ接合に於ける少数キャ
リヤを利用するもの、或いは、ショットキ接合に於ける
少数キャリヤを利用するものなどで構成されるようにし
ても良い。
能するものであれば、通常のｐｎ接合に於ける少数キャ
リヤを利用するもの、或いは、ショットキ接合に於ける
少数キャリヤを利用するものなどで構成されるようにし
ても良い。
【００４６】また、前記実施の形態では、リセス内に形
成されたサイド・ウォールが素子間分離の役割を果たし
ているが、諸半導体層の選択再成長を行なう為のマスク
が不要であるか、或いは、素子間分離を行なう必要がな
い場合には形成する必要がない。
成されたサイド・ウォールが素子間分離の役割を果たし
ているが、諸半導体層の選択再成長を行なう為のマスク
が不要であるか、或いは、素子間分離を行なう必要がな
い場合には形成する必要がない。
【００４７】
【発明の効果】本発明に依る光半導体装置に於いては、
単位画素面内にｐｎ接合或いはショットキ接合或いは多
重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異にする複
数の活性層が含まれ且つ該各活性層のうち少なくとも一
つは選択再成長されたものである。
単位画素面内にｐｎ接合或いはショットキ接合或いは多
重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異にする複
数の活性層が含まれ且つ該各活性層のうち少なくとも一
つは選択再成長されたものである。
【００４８】前記手段を採ることに依り、多波長の画像
表示、或いは、多波長の光検出を行なう光半導体装置に
於ける光半導体素子の集積密度を向上させて小型化する
ことができ、また、電極や配線の構造を簡単化すること
ができるので製造は容易になって信頼性も向上する。
表示、或いは、多波長の光検出を行なう光半導体装置に
於ける光半導体素子の集積密度を向上させて小型化する
ことができ、また、電極や配線の構造を簡単化すること
ができるので製造は容易になって信頼性も向上する。
【図１】本発明の原理を説明する光半導体装置を表す要
部切断側面図である。
部切断側面図である。
【図２】本発明に依る光半導体装置を製造する工程を説
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
【図３】本発明に依る光半導体装置を製造する工程を説
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
【図４】本発明に依る光半導体装置を製造する工程を説
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
【図５】本発明に依る光半導体装置を製造する工程を説
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於ける光半導体装置を表す要部切
断側面図である。
【図６】発光或いは受光の波長域を異にする光半導体素
子を積層形成してなる光半導体装置を表す要部切断側面
図である。
子を積層形成してなる光半導体装置を表す要部切断側面
図である。
１１ 基板 １２ 第一の活性層 １３ 第二の活性層 １４ 第一の電極形成層 １５ 第二の電極形成層 １６ 素子間分離溝 １７ 共通電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA12 AA43 AA47 CA02 CA05 CA08 CA34 CA35 CA65 CA67 CA74 CB23 CB29 FF01 5F049 MA02 MA05 MB07 NA10 NA19 NA20 NB10 PA04 QA16 RA04 SS04 WA03 5F089 AA10 AB17 AC07 CA20
Claims (3)
- 【請求項１】単位画素面内にｐｎ接合或いはショットキ
接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域
を異にする複数の活性層が含まれ且つ該各活性層のうち
少なくとも一つは選択再成長されたものであることを特
徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】前記活性層が多重量子井戸からなる場合に
於いて、 前記活性層は井戸層に於ける価電子帯及び伝導帯にそれ
ぞれ生成されるサブバンド間で起こる遷移で定まる波長
に対応する構造をもつことを特徴とする請求項１記載の
光半導体装置。 - 【請求項３】前記活性層が多重量子井戸からなる場合に
於いて、 前記活性層は井戸層に於ける価電子帯に生成されるサブ
バンド間或いは伝導帯に生成されるサブバンド間で起こ
る遷移で定まる波長に対応する構造をもつことを特徴と
する請求項１記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21461499A JP2001044487A (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21461499A JP2001044487A (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044487A true JP2001044487A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16658651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21461499A Withdrawn JP2001044487A (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044487A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347585A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-12-05 | Nobuhiko Sawaki | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-07-29 JP JP21461499A patent/JP2001044487A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347585A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-12-05 | Nobuhiko Sawaki | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061003 |