JP2001043785A - 端子ブロックの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 帯状圧延材Ｗを長手方向に送りつつ端子
パターン５１Ａを打抜き、センタ軸Ｃに対称に端子部５
２，５３を起立させ、次に、対向する端子間距離を所定
の距離に短縮するためにセンタ軸Ｃに向って端子パター
ン５１Ｄを幅寄せし、幅寄せした端子パターン５１Ｅに
上下から樹脂金型５６を被せて樹脂を注入し、得られた
樹脂ブロック５５の周囲の不要部分をカットし、帯状圧
延材Ｗから端子ブロック４０を切り離すようにした。 【効果】 １枚の帯状圧延材から複数列の端子部を形成
することができるので、製造コストの低減を図ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は端子ブロックの製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６（ａ），（ｂ）は従来の端子ブロッ
クの組立工程図である。（ａ）において、端子台１０１
に第１オープン端子１０２、第１コンタクト端子１０３
及び第１接点ばね１０４を矢印の如く圧入し、端子台１
０１に第２オープン端子１０５、第２コンタクト端子１
０６及び第２接点ばね１０７を矢印の如く圧入し、端子
ブロック一次加工品１１０を組立る。（ｂ）において、
組み立てた端子ブロック一次加工品１１０を密封するた
めに液状エポキシ樹脂１０９を流し、この液状エポキシ
樹脂１０９を乾燥する必要から（ａ）に示す端子ブロッ
ク一次加工品１１０を加熱し、端子ブロック１００を完
成するものであった。

【０００３】しかし、液状エポキシ樹脂１０９を乾燥す
るために端子ブロック一次加工品１１０を加熱すると、
第１・第２オープン端子１０２，１０５、第１・第２コ
ンタクト端子１０３，１０６及び第１・第２接点ばね１
０４，１０７の位置精度のばらつきが発生する。この結
果、これらの位置精度のばらつきは、端子ブロック１０
０の完成品となるリレーの特性、例えば、感動電圧、開
放電圧、接点圧力などのばらつきを引き起こす要因とも
なっていた。

【０００４】これを解決する技術として、例えば、特公
平１−１３６２５号公報「リレー用ベースの製造方法」
が知られている。上記技術は、同公報の第１図及び第２
図によれば、端子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを有し、これ
らの端子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを接続片１で繋いだ端
子部材９を２枚並べ、ベース８の成形時に２組の端子２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄをインサートするものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ベース８の成
形時に２組の端子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄをインサート
するには、これらの端子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを接続
片１で繋いだ端子部材９を２枚用意し、２枚の端子部材
９を別々に搬送し、インサートしなければならず、製造
コストが高騰する。また、２枚の端子部材９を縦置きに
して搬送し、ベース８の成形時に２組の端子２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄをインサートしなければならず、成形金
型の金型構造が複雑になる。

【０００６】そこで、本発明の目的は、製造コストを低
減でき、金型構造を簡素化できる端子ブロックの製造方
法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の端子ブロックの製造方法は、帯状圧延材を
長手方向に送りつつ端子パターンを打抜き、センタ軸に
対称に端子部を起立させ、次に、対向する端子間距離を
所定の距離に短縮するためにセンタ軸に向って端子パタ
ーンを幅寄せし、幅寄せした端子パターンに上下から樹
脂金型を被せて樹脂を注入し、得られた樹脂ブロックの
周囲の不要部分をカットし、帯状圧延材から端子ブロッ
クを切り離すことで、帯状圧延材から等ピッチで端子ブ
ロックを製造することを特徴とする。

【０００８】帯状圧延材を長手方向に送りつつ端子パタ
ーンを打抜き、センタ軸に対称に端子部を起立させるよ
うにし、例えば、１枚の帯状圧延材から複数列の端子部
を形成し、製造コストの低減を図る。対向する端子間距
離を所定の距離に短縮するためにセンタ軸に向って端子
パターンを幅寄せするようにし、例えば、端子パターン
を形成するときの端子部の形状、端子部の位置などの設
計上の自由度の拡大を図る。

【０００９】幅寄せした端子パターンに樹脂を注入する
ときに、樹脂金型を上下から被せるようにして、金型構
造の簡素化を図る。得られた樹脂ブロックの周囲の不要
部分をカットし、帯状圧延材から端子ブロックを切り離
すようにし、端子パターンの形成及び樹脂ブロックの形
成を連続的に行ない、端子ブロックの生産性の向上を図
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を添付図に基
づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見る
ものとする。図１は本発明に係る端子ブロックの製造方
法を用いて製造したリレーの分解斜視図である。リレー
１０は、ヒンジばね１１を介して端子ブロック組立体３
０に電磁石ブロック２０を組立て、これらの電磁石ブロ
ック２０、端子ブロック組立体３０及びヒンジばね１１
をカバー１２で覆ったものである。ヒンジばね１１は、
後述する鉄芯２２の一端２２ａを支持する部材であり、
カバー１２は、電磁石ブロック２０、端子ブロック組立
体３０及びヒンジばね１１を上方から覆うことで、リレ
ー１０を構成する部品を保護するものである。

【００１１】図２は本発明に係る端子ブロックの製造方
法を用いて製造したリレーの電磁石ブロックの分解斜視
図である。電磁石ブロック２０は、励磁コイル２１に径
方向にスイング可能に鉄芯２２を挿入し、この鉄芯２２
に駆動片２３を取付けたものである。励磁コイル２１
は、ボビン２４にコイル２５を巻き、このコイル２５の
両端を接続するためにピン端子２６，２６をボビン２４
に取付けたものである。鉄芯２２は、図１に示すように
一端２２ａをヒンジばね１１を介して端子ブロク組立体
３０に支持させ、他端２２ｂをスイング可能に配置し、
他端２２ｂに駆動片２３を取付けたものである。駆動片
２３は、端子ブロック組立体３０（図１参照）の構成部
品を駆動し、スイッチングする部材である。

【００１２】図３は本発明に係る端子ブロックの製造方
法を用いて製造した端子ブロック組立体の分解斜視図で
ある。端子ブロック組立体３０は、端子ブロック４０に
マグネット３１を挿入し、このマグネット３１の上方か
らＬ字型継鉄３２を挿入し、端子ブロック４０にＵ字型
継鉄３３を挿入し、後述する端子ブロック４０の第１・
第２コモン端子４６，４７にそれぞれ第１・第２接点ば
ね３４，３５を溶接したものである。端子ブロック４０
は、樹脂性の端子台４１に第１・第２オープン端子４
２，４３をインサートし、端子台４１に第１・第２コン
タクト端子４４，４５をインサートし、端子台４１に第
１・第２コモン端子４６，４７をインサートしたもので
ある。

【００１３】なお、第１オープン端子４２、第１コンタ
クト端子４４、第１コモン端子４６及び第１コモン端子
４６に取付けた第１接点ばね３４で第１スイッチ機構４
８を構成し、第２オープン端子４３、第２コンタクト端
子４５、第２コモン端子４７及び第２コモン端子４７に
取付けた第２接点ばね３５で第２スイッチ機構４９を構
成するものである。

【００１４】次に、リレー１０の動作を説明する。図４
は本発明に係る端子ブロックの製造方法を用いて製造し
たリレーの平面断面図であり、励磁コイル２１に通電前
のリレー１０の状態を示す。リレー１０は、Ｌ字型継鉄
３２の一端３２ａ側に鉄芯２２の他端２２ｂが吸着した
状態にあり、駆動片２３は第１接点ばね３４を押した状
態にある。従って、第１スイッチ機構４８は、第１コン
タクト端子４４と第１コモン端子４６とが第１接点ばね
３４を介してＯＮ状態にあり、第１オープン端子４２と
第１コモン端子４６はＯＦＦ状態にある。また、第２ス
イッチ機構４９は、駆動片２３が第２接点ばね３５を押
していないので、第２コンタクト端子４５と第２コモン
端子４７とがＯＦＦ状態にあり、第２オープン端子４３
と第２コモン端子４７が第２接点ばね３５を介してＯＮ
状態にある。

【００１５】励磁コイル２１に通電すると、Ｕ字型鉄芯
３３の一端３３ａ側に鉄芯２２の一端２２ｂが吸着す
る。すなわち、駆動片２３は第１接点ばね３４を離れ、
第２接点ばね３５を押すことになるので、上記第１・第
２スイッチ機構４８、４９のＯＮ／ＯＦＦ状態は反転す
る。励磁コイル２１の通電を解除することで、初期状態
（図４に図示する状態）に戻る。

【００１６】以上に述べたリレー１０の端子ブロック４
０の製造方法を次に説明する。図５は本発明に係る端子
ブロックの製造方法のフローチャートである。なお、Ｓ
Ｔ××はステップ番号を示す。 ＳＴ０１：端子パターン５１Ａの打抜きをする。すなわ
ち、帯状圧延材Ｗを長手方向に送りつつ端子パターン５
１Ａを打抜く。ここで、端子パターン５１Ａとは、図３
に示す第１・第２オープン端子４２，４３、第１・第２
コンタクト端子４４，４５、第１・第２コモン端子４
６，４７を形成する端子部５２，５３と、これらの端子
部５２，５３のそれぞれのエッジ５２ａ，５３ａを連結
する連結部５４とからなる。また、次ステップから加工
を加えることにより変形する端子パターン５１Ａを端子
パターン５１Ｂ〜５１と記載する。

【００１７】ＳＴ０２：端子パターン５１Ａの切り離し
をする。形成した端子パターン５１Ａの所定の箇所をセ
ンタ軸Ｃに沿って切り離す。ここで形成した端子パター
ンを５１Ｂとする。

【００１８】ＳＴ０３：端子パターン５１Ｂの端子部５
２，５３の曲げ成形をする。すなわち、センタ軸Ｃに対
称に端子部５２，５３を起立させる。ここで形成した端
子パターンを５１Ｃとする。すなわち、ＳＴ０１〜ＳＴ
０３において、帯状圧延材Ｗを長手方向に送りつつ端子
パターン５１Ａを打抜き、センタ軸Ｃに対称に端子部５
２，５３を起立させるようにした。例えば、１枚の帯状
圧延材Ｗから複数列の端子部５２，５３を形成すること
ができるので、製造コストの低減を図ることができる。

【００１９】ＳＴ０４：端子パターン５１Ｃの連結部５
４の切り離しをする。ここで形成した端子パターンを５
１Ｄとする。なお、連結部５４を切り離した端子パター
ン５１Ｄを連続的に複数形成することで、次のステップ
で行なう端子パターン５１Ｄの幅寄せを可能にする。

【００２０】ＳＴ０５：端子パターン５１Ｄの幅寄せを
する。ここで形成した端子パターンを５１Ｅとする。す
なわち、対向する端子間距離Ｓ１を所定の距離Ｓ２に短
縮するためにセンタ軸Ｃに向って端子パターン５１Ｄを
幅寄せする。対向する端子間距離Ｓ１を所定の距離Ｓ２
に短縮するためにセンタ軸Ｃに向って端子パターン５１
Ｄを幅寄せするようにしたので、例えば、端子パターン
５１Ａを形成するときの端子部５２，５３の形状、端子
部５２，５３の位置などの制約を取り去ることができる
ので、設計上の自由度の拡大を図ることができる。

【００２１】ＳＴ０６：樹脂ブロック５５（図３に示す
端子台４１と同一部品である。成形中のため、ここでは
「樹脂ブロック５５」と呼ぶ）に端子パターン５１Ｅを
インサートする。すなわち、幅寄せした端子パターン５
１Ｅに上下から樹脂金型５６を被せて樹脂を注入する。
端子パターン５１Ｅに樹脂金型５６を上下から被せるよ
うにしたので、金型構造の簡素化を図ることができる。

【００２２】ＳＴ０７：端子ブロック４０の切り離しを
する。すなわち、得られた端子パターン５１Ｅ及び樹脂
ブロック５５の周囲の不要部分をカットし、帯状圧延材
Ｗから端子ブロック４０を切り離すことで、帯状圧延材
Ｗから等ピッチで端子ブロック４０を製造する。得られ
た樹脂ブロック５５の周囲の不要部分をカットし、帯状
圧延材Ｗから端子ブロック４０を切り離すようにし、端
子パターン５１Ａ〜５１Ｅの形成及び樹脂ブロック５５
の形成を連続的に行なうようにしたので、端子ブロック
４０の生産性の向上を図ることができる。

【００２３】尚、実施例では、図５に示すように、ＳＴ
０１で端子パターン５１Ａの打抜き、ＳＴ０２でセンタ
軸Ｃに沿って端子パターン５１Ａの切り離しを行なった
が、これに限るものではなく、端子パターン５１Ａの打
抜き及び端子パターン５１Ａの切り離しを同一工程で行
なうものであってもよい。実施例では、図５に示すよう
に、ＳＴ０４で端子パターン５１Ｃの連結部５４の切り
離しを行なったが、これに限るものではなく、端子パタ
ーン５１Ａの打抜き及び端子パターン５１Ａの切り離し
などの工程に組込んだものであってもよい。

【００２４】

【発明の効果】本発明は上記構成により次の効果を発揮
する。請求項１は、帯状圧延材を長手方向に送りつつ端
子パターンを打抜き、センタ軸に対称に端子部を起立さ
せるようにしたので、例えば、１枚の帯状圧延材から複
数列の端子部を形成することができるので、製造コスト
の低減を図ることができる。対向する端子間距離を所定
の距離に短縮するためにセンタ軸に向って端子パターン
を幅寄せするようにしたので、例えば、端子パターンを
形成するときの端子部の形状、端子部の位置などの制約
を取り去ることができるので、設計上の自由度の拡大を
図ることができる。

【００２５】幅寄せした端子パターンに樹脂金型を上下
から被せるようにしたので、金型構造の簡素化を図るこ
とができる。従って、金型コストの低減を図ることがで
きる。帯状圧延材から端子ブロックを切り離すように
し、端子パターンの形成及び樹脂ブロックの形成を連続
的に行なうようにしたので、端子ブロックの生産性の向
上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る端子ブロックの製造方法を用いて
製造したリレーの分解斜視図

【図２】本発明に係る端子ブロックの製造方法を用いて
製造したリレーの電磁石ブロックの分解斜視図

【図３】本発明に係る端子ブロックの製造方法を用いて
製造した端子ブロック組立体の分解斜視図

【図４】本発明に係る端子ブロックの製造方法を用いて
製造したリレーの平面断面図

【図５】本発明に係る端子ブロックの製造方法のフロー
チャート

【図６】従来の端子ブロックの組立工程図

【符号の説明】

４０…端子ブロック、５１Ａ〜５１Ｅ…端子パターン、
５２，５３…端子部、５５…樹脂ブロック、５６…樹脂
金型、Ｃ…センタ軸、Ｓ１…端子間距離、Ｓ２…所定の
距離。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 帯状圧延材を長手方向に送りつつ端子パ
   ターンを打抜き、センタ軸に対称に端子部を起立させ、
   次に、対向する端子間距離を所定の距離に短縮するため
   にセンタ軸に向って端子パターンを幅寄せし、幅寄せし
   た端子パターンに上下から樹脂金型を被せて樹脂を注入
   し、得られた樹脂ブロックの周囲の不要部分をカット
   し、帯状圧延材から端子ブロックを切り離すことで、帯
   状圧延材から等ピッチで端子ブロックを製造する端子ブ
   ロックの製造方法。