JP2001042001A - Icソケット - Google Patents

Icソケット

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JP2001042001A
JP2001042001A JP11215550A JP21555099A JP2001042001A JP 2001042001 A JP2001042001 A JP 2001042001A JP 11215550 A JP11215550 A JP 11215550A JP 21555099 A JP21555099 A JP 21555099A JP 2001042001 A JP2001042001 A JP 2001042001A
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JP
Japan
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contact
contacts
socket
gnd
capacitor
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JP11215550A
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Inventor
Yukihiro Takahata
幸弘 高畑
Kazuo Nakaizumi
一雄 中泉
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、高周波測定における電流の
変化により発生する電圧をより小さくし、より高い測定
精度の高周波測定を可能とするICソケットを提供する
ことである。 【解決手段】 ハウジング5の上に接触子1の配列に沿
って各接触子1の先端部6から最短距離にGND層2を
設け、絶縁層12により、接触子1とGND層2とを絶
縁する。そして、GND層2上にコンデンサ3を設置
し、ICソケット10の複数の接触子1の内、電源ライ
ンに接続する接触子1とGND層2との間にコンデンサ
3を半田8によって接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC(Integrated
Circuit)テスト装置における被測定デバイス測定時に
使用するICソケットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ICテスト装置においてICを測
定する際に、プリント基板に実装されたICソケットが
用いられている。図4は、従来のICソケットの構成例
を示す図である。この図4において、従来のICソケッ
ト20は、プリント基板24に実装され、ハウジング2
5に固定された複数の接触子21により構成されてい
る。
【0003】図5は、図4の接触子21の拡大図であ
る。接触子21の先端部26は、被測定デバイスである
IC(図示省略)の接続ピンと接触し、接触子21の遠
端部27は、図4に示すようにプリント基板24に設け
られたスルーホール29に差し込まれてプリント基板2
4に接続され、プリント基板24を介してICテスト装
置(図示省略)のピンに接続される。
【0004】一般に、高周波測定を行なう場合には、電
流変動により発生する電圧がノイズとなり、このノイズ
を平滑し、除去するために電源ラインには、コンデンサ
が接続される。図6は、図4のプリント基板24の裏面
を示す平面図である。この図6に示すように、従来は、
プリント基板24のスルーホール29の近傍に、コンデ
ンサ23を取り付け、図7に拡大して示すように、スル
ーホール29とコンデンサ23とをパターン30により
接続することにより、電源ラインにコンデンサ23を接
続していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ICソケット20において高周波測定時の電流の変化に
より発生する電圧は、接触子21の先端部26からコン
デンサ23が接続される接続点までの間のインダクタン
スL3に比例し、V=L3(di/dt)の式で表され
る。そのため、接触子21の先端部26からコンデンサ
23が接続される接続点までの距離が長くなると、イン
ダクタンスL3が大きくなり、発生する電圧V=L3
(di/dt)の値も大きくなり、コンデンサ23の平
滑能力でノイズを除去することができず、測定精度が悪
くなるという問題があった。
【0006】図8は、従来のICソケット20を用いて
測定した場合の被測定デバイスであるICの出力データ
と、電源電圧Vccに含まれるノイズ成分とのタイミン
グを示すタイミングチャートである。この図8におい
て、例えば、被測定デバイスであるICの出力データ
は、周期T1、振幅V1で出力され、期間T2で“L”
→“H”あるいは“H”→“L”に変化する。そのた
め、期間T2において電流の変化が生じ、ノイズ成分と
なる電圧V3が発生する。この期間T2における電流の
変化により発生する電圧V3は、V3=L3(di/d
t)であるため、例えば、接触子21の先端部26から
コンデンサ23が接続される接続点までの間のインダク
タンスL3が10[nH]であり、期間T2における電
流の変化速度di/dtが100[mA]/1[nS]
である場合には、電流の変化により発生する電圧V3
は、V3=10[nH]×100[mA]/1[nS]
=1[V]となる。そのため、電源電圧Vccは、1
[V]ものノイズ成分である電圧V3により、期間T3
において不安定となるため、測定結果である出力データ
に及ぼす影響も大きくなり、測定精度が悪くなるという
問題があった。
【0007】本発明の課題は、上記問題を解決するため
に、高周波測定における電流の変化により発生する電圧
をより小さくし、より高い測定精度の高周波測定を可能
とするICソケットを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
例えば、図1に示すように、被測定デバイスであるIC
の各接続ピンに接触するように複数の接触子(例えば、
接触子1)をハウジング(例えば、ハウジング5)上に
配置したICソケットにおいて、前記各接触子の近傍の
ハウジング上に、該各接触子とGNDラインとの間にG
ND層を形成するGND部材(例えば、GND層2)を
配置したことを特徴としている。
【0009】この請求項1記載の発明によれば、被測定
デバイスであるICの各接続ピンに接触するように複数
の接触子をハウジング上に配置したICソケットにおい
て、前記各接触子の近傍のハウジング上に、該各接触子
とGNDラインとの間にGND層を形成するGND部材
を配置する。
【0010】したがって、GND部材上にコンデンサを
取り付けることができ、各接触子の先端部から最短距離
にコンデンサを接続することができる。そのため、接触
子の先端部から、コンデンサが接続される接続点までの
間のインダクタンスを小さくすることができ、高周波測
定における電流の変化により発生する電圧をより小さく
することができる。その結果、電源電圧のノイズ成分を
より小さくすることができるため、より高い測定精度の
高周波測定が可能となる。
【0011】この場合、上記目的は、例えば、請求項2
記載の発明のように、請求項1記載のICソケットにお
いて、前記GND部材は、前記各接触子からの距離がそ
れぞれ最短になるように、該各接触子の配置に沿って平
行に配置するようにしてもよい。
【0012】また、例えば、請求項3記載の発明のよう
に、請求項1記載のICソケットにおいて、前記GND
部材の上端の高さは、前記各接触子の上端の高さと等し
い高さに形成してもよい。
【0013】さらに、例えば、請求項4記載の発明のよ
うに、請求項1記載のICソケットにおいて、前記GN
D部材は、前記各接触子からの距離がそれぞれ最短にな
るように、該GND部材と該各接触子との間に絶縁層
(例えば、絶縁層12)を配置するようにしてもよい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図3を参照して本発
明に係るICソケットの実施の形態を詳細に説明する。
まず構成を説明する。
【0015】図1は、本発明を適用した一実施の形態と
してのICソケット10の概略構成を示す外観図であ
る。この図1において、ICソケット10は、プリント
基板4上に実装され、接触子1、GND(Ground)層
2、コンデンサ3、ハウジング5、金属板11、及び絶
縁層12により構成される。
【0016】接触子1は、先端部6が被測定デバイスで
あるIC(図示省略)の接続ピンに接触するように配置
され、プリント基板4上に設けられたハウジング5によ
り固定される。また、接触子1の遠端部7(図2参照)
は、プリント基板4に設けられたスルーホール9に差し
込まれ、プリント基板4を通じてICテスト装置(図示
省略)に接続される。
【0017】GND層2は、ハウジング5上に設けら
れ、GND線(図示省略)によりプリント基板4上のG
NDライン(図示省略)に接続される。また、このGN
D層2は、各接触子1の先端部6に対して最短距離にな
るような位置に設けられ、このGND層2上にコンデン
サ3及び金属板11を取り付けることが可能である。G
ND層2と接触子1との間には、絶縁層12が設けら
れ、GND層2と接触子1とは、この絶縁層12により
絶縁される。
【0018】金属板11は、ICソケット10の有する
複数の接触子1の内、GNDラインに接続する接触子1
とGND層2とを短絡する。図1は、例えば、GNDラ
インに接続する2つの接触子1が金属板11によりそれ
ぞれGND層2に短絡された場合を示す。
【0019】コンデンサ3は、ICソケット10の有す
る複数の接触子の内、電源ラインに接続する接触子1の
先端部6から最短距離のGND層2上に実装される。図
1は、例えば、電源ラインに接続する接触子1として、
2つの接触子1にコンデンサ3を接続した場合を示して
いる。図2に拡大して示すように、各コンデンサ3は、
一端が接触子1に半田8によって接続され、もう一端が
GND層2に半田8によって接続される。すなわち、接
触子1の先端部6から接触子1とコンデンサ3とが接続
される接続点までの距離は、非常に短い距離になる。
【0020】ハウジング5は、プリント基板4上に設け
られ、接触子1の配列に沿って各接触子1に接してお
り、接触子1を固定するとともに、上面にGND層2及
び絶縁層12が取り付けられる。なお、ハウジング5
は、電気的に絶縁特性を有する部材により形成される。
【0021】次に動作を説明する。図3は、図1のIC
ソケット10を用いて被測定デバイスであるICの高周
波測定を行なった際の出力データと、電源電圧Vccに
含まれるノイズ成分とのタイミングを示すタイミングチ
ャートである。図3において、出力データは、周期T
1、振幅V1の高周波信号であり、期間T2で“L”→
“H”または、“H”→“L”に変化する。そのため、
期間T2において、接触子1を流れる電流が変化し、こ
の電流の変化により電圧V2が発生する。この電圧V2
は、接触子1の先端部6から接触子1とコンデンサ3と
が接続される接続点までの間のインダクタンスL2に比
例し、V2=L2(di/dt)で表される。
【0022】図2に示すように、コンデンサ3は、接触
子1の先端部6から最短距離に接続されるため、接触子
1の先端部6からコンデンサ3が接続される接続点まで
の間のインダクタンスL2は、非常に小さい値となる。
例えば、L2が1[nH]であり、電流の変化速度di
/dtが100[mA]/1[nS]である場合には、
V2=1[nH]×100[mA]/1[nS]=0.
1[V]となる。すなわち、接触子1の先端部6からコ
ンデンサ3が接続される接続点までの間のインダクタン
スL2の値が小さいため、電流の変化により発生する電
圧V2の値も非常に小さくなる。
【0023】電源電圧Vccの期間T3に現れるノイズ
成分である電圧V2の値が小さくなるため、電源電圧V
ccがより安定した状態において測定を行なうことがで
きる。その結果、ノイズの影響が少ない、より高い精度
の測定結果を得ることができる。
【0024】以上のように、ハウジング5の上に接触子
1の配列に沿って各接触子1の先端部6から最短距離に
GND層2を設け、絶縁層12により、接触子1とGN
D層2とを絶縁する。そして、GND層2上にコンデン
サ3を設置し、ICソケット10の複数の接触子1の
内、電源ラインに接続する接触子1とGND層2との間
にコンデンサ3を半田8によって接続する。
【0025】したがって、プリント基板4にコンデンサ
3を取り付けた場合に比べて、接触子1の先端部6から
コンデンサ3が接続される接続点までの距離が短くなる
ため、電流の変化により、接触子1において発生する電
圧V2に影響を与えるインダクタンスL2がより小さい
値となり、電流の変化により発生する電圧V2の値もよ
り小さくなる。すなわち、電源電圧Vccに含まれるノ
イズ成分となる電圧V2の値が小さくなるため、電源電
圧Vccは、より安定した状態になり、精度の高い測定
を行なうことができる。
【0026】なお、上記実施の形態において、どの接触
子1にコンデンサ3を接続するかは、被測定デバイスで
あるICの電源ラインに接続される接続ピンに応じて設
定し、どの接触子1を金属板11によりGND層2と短
絡するかは、被測定デバイスであるICのGNDライン
に接続される接続ピンに応じて設定すれば良く、コンデ
ンサ3あるいは金属板11を取り付ける接触子1の位
置、数等は、特に限定されるものではない。例えば、G
NDラインに接続する接触子1の数、あるいはコンデン
サ3を接続する接触子1の数が多い場合には、金属板1
1あるいはコンデンサ3を更に増加して取り付けること
も可能である。
【0027】
【発明の効果】請求項1〜4記載の発明によれば、GN
D部材上にコンデンサを取り付けることができ、各接触
子の先端部から最短距離にコンデンサを接続することが
できる。そのため、接触子の先端部から、コンデンサが
接続される接続点までの間のインダクタンスを小さくす
ることができ、高周波測定における電流の変化により発
生する電圧をより小さくすることができる。その結果、
電源電圧のノイズ成分をより小さくすることができるた
め、より高い測定精度の高周波測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した一実施の形態としてのICソ
ケット10の概略構成を示す外観図である。
【図2】図1の接触子1の拡大図である。
【図3】図1のICソケット10を用いて高周波測定を
行なった際の出力データと発生するノイズ成分とのタイ
ミングを示すタイミングチャートである。
【図4】従来のICソケット20の構成例を示す外観図
である。
【図5】図4の接触子21の拡大図である。
【図6】図4のプリント基板24の裏面を示す平面図で
ある。
【図7】図6のスルーホール29及びコンデンサ23の
拡大図である。
【図8】図4のICソケット20を用いて高周波測定を
行なった際のICの出力データと発生するノイズ成分と
のタイミングを示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 接触子 2 GND層 3 コンデンサ 4 プリント基板 5 ハウジング 6 先端部 7 遠端部 8 半田 9 スルーホール 10 ICソケット 11 金属板 12 絶縁層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被測定デバイスであるICの各接続ピンに
    接触するように複数の接触子をハウジング上に配置した
    ICソケットにおいて、 前記各接触子の近傍のハウジング上に、該各接触子とG
    NDラインとの間にGND層を形成するGND部材を配
    置したことを特徴とするICソケット。
  2. 【請求項2】前記GND部材は、前記各接触子からの距
    離がそれぞれ最短になるように、該各接触子の配置に沿
    って平行に配置したことを特徴とする請求項1記載のI
    Cソケット。
  3. 【請求項3】前記GND部材の上端の高さは、前記各接
    触子の上端の高さと等しい高さに形成したことを特徴と
    する請求項1記載のICソケット。
  4. 【請求項4】前記GND部材は、前記各接触子からの距
    離がそれぞれ最短になるように、該GND部材と該各接
    触子との間に絶縁層を配置したことを特徴とする請求項
    1記載のICソケット。
JP11215550A 1999-07-29 1999-07-29 Icソケット Pending JP2001042001A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110548701A (zh) * 2019-09-12 2019-12-10 江苏硕阳电子科技有限公司 一种适用于空心电抗器的质量检测装置及质量检测方法

Cited By (2)

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CN110548701A (zh) * 2019-09-12 2019-12-10 江苏硕阳电子科技有限公司 一种适用于空心电抗器的质量检测装置及质量检测方法
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