JP2001039732A - 導電性ガラス組成物およびハードディスク用磁気記録媒体のアース用部品 - Google Patents
導電性ガラス組成物およびハードディスク用磁気記録媒体のアース用部品Info
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- JP2001039732A JP2001039732A JP21220099A JP21220099A JP2001039732A JP 2001039732 A JP2001039732 A JP 2001039732A JP 21220099 A JP21220099 A JP 21220099A JP 21220099 A JP21220099 A JP 21220099A JP 2001039732 A JP2001039732 A JP 2001039732A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１００ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する導電性
ガラス組成物を提供する。 【解決手段】下記組成を主成分とするガラス組成物であ
って、このガラス組成物の比抵抗が、１００ＭΩ・ｃｍ
以下であることを特徴とする、導電性ガラス組成物（Ｓ
ｉＯ2 ：４０ 〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜
７．０重量％、Ｌｉ 2 Ｏ：６．０〜１２．０重量％、Ｓ
ｎＯ2 ：２３ 〜３５重量％）。ガラス組成物は、Ｓｂ
2 Ｏ3 ：０．１〜１０．０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１−
１２．０重量％を含有していてよい。
ガラス組成物を提供する。 【解決手段】下記組成を主成分とするガラス組成物であ
って、このガラス組成物の比抵抗が、１００ＭΩ・ｃｍ
以下であることを特徴とする、導電性ガラス組成物（Ｓ
ｉＯ2 ：４０ 〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜
７．０重量％、Ｌｉ 2 Ｏ：６．０〜１２．０重量％、Ｓ
ｎＯ2 ：２３ 〜３５重量％）。ガラス組成物は、Ｓｂ
2 Ｏ3 ：０．１〜１０．０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１−
１２．０重量％を含有していてよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１００ＭΩ・ｃｍ
以下の比抵抗値を有する導電性ガラス組成物、およびこ
れを利用したハードディスク用磁気記録媒体のアース用
部品に関するものである。
以下の比抵抗値を有する導電性ガラス組成物、およびこ
れを利用したハードディスク用磁気記録媒体のアース用
部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブの記録密
度の向上が急激に進んでいる。記録密度を高くするため
には、磁気記録媒体（メディア）に記録された信号のト
ラック幅を狭くし、あるいは、ビット長を短くする必要
がある。これは、メディア表面に記録された磁場が、非
常に弱くなってきていることを意味している。この記録
密度向上の背景には、弱い信号でも読み出せる、感度の
高い、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）や巨大磁気
抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）に代表される磁気ヘ
ッド技術の改良がある。また、トラック幅やビット長を
小さくしても大きな磁場を残せるような、磁気特性の高
い磁性膜を形成する技術に代表されるメディアの改良が
ある。更に、弱い信号を読み書きするために、ハードデ
ィスクドライブ動作時の、磁気ヘッドとメディアとの距
離（ヘッド浮上量）を小さくすることも、不可欠な技術
となっている。例えば、最近では、ヘッド浮上量５０ｎ
ｍ、メディア表面の突起物の最大高さ２５ｎｍのスペッ
クのハードディスクドライブが使用され始めてきてい
る。
度の向上が急激に進んでいる。記録密度を高くするため
には、磁気記録媒体（メディア）に記録された信号のト
ラック幅を狭くし、あるいは、ビット長を短くする必要
がある。これは、メディア表面に記録された磁場が、非
常に弱くなってきていることを意味している。この記録
密度向上の背景には、弱い信号でも読み出せる、感度の
高い、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）や巨大磁気
抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）に代表される磁気ヘ
ッド技術の改良がある。また、トラック幅やビット長を
小さくしても大きな磁場を残せるような、磁気特性の高
い磁性膜を形成する技術に代表されるメディアの改良が
ある。更に、弱い信号を読み書きするために、ハードデ
ィスクドライブ動作時の、磁気ヘッドとメディアとの距
離（ヘッド浮上量）を小さくすることも、不可欠な技術
となっている。例えば、最近では、ヘッド浮上量５０ｎ
ｍ、メディア表面の突起物の最大高さ２５ｎｍのスペッ
クのハードディスクドライブが使用され始めてきてい
る。
【０００３】ヘッド浮上量の減少に対応するため、各種
のガラス基板が提案されている。しかし、一般的に、ガ
ラス基板には導電性がないため、基板の表面に静電気が
たまり易い傾向がある。このため、磁気ディスクを生産
する際に、基板表面にゴミが付着し、メディアの収率が
低下することがある。
のガラス基板が提案されている。しかし、一般的に、ガ
ラス基板には導電性がないため、基板の表面に静電気が
たまり易い傾向がある。このため、磁気ディスクを生産
する際に、基板表面にゴミが付着し、メディアの収率が
低下することがある。
【０００４】また、アルミニウム製基板の場合には、基
板上に磁性膜をスパッタリングする時に、バイアス電圧
を印加できる。しかし、ガラス基板の場合には、このと
きにバイアス電圧を印加できない。そして、バイアス電
圧を印加した場合には、バイアス電圧を印加しない場合
よりも、得られる磁性膜の磁気特性が良好であるので、
導電性のあるガラス基板が求められる。
板上に磁性膜をスパッタリングする時に、バイアス電圧
を印加できる。しかし、ガラス基板の場合には、このと
きにバイアス電圧を印加できない。そして、バイアス電
圧を印加した場合には、バイアス電圧を印加しない場合
よりも、得られる磁性膜の磁気特性が良好であるので、
導電性のあるガラス基板が求められる。
【０００５】また、メディア周辺の部材、例えばスピン
ドル、クランプ、スペーサーリング等には、アルミニウ
ムやステンレス等の金属材料が使われている。特にスペ
ーサーリングやクランプは、メディアと密着し、一体化
した状態で使用される。この結果、金属材料とガラスと
の熱膨張係数の差から、ドライブ動作中の発熱によって
熱歪が生じ、記録されたトラックを正確に読み取れな
い、サーマル・オフ・トラックの問題が指摘されて来て
いる。
ドル、クランプ、スペーサーリング等には、アルミニウ
ムやステンレス等の金属材料が使われている。特にスペ
ーサーリングやクランプは、メディアと密着し、一体化
した状態で使用される。この結果、金属材料とガラスと
の熱膨張係数の差から、ドライブ動作中の発熱によって
熱歪が生じ、記録されたトラックを正確に読み取れな
い、サーマル・オフ・トラックの問題が指摘されて来て
いる。
【０００６】この問題を解決するために、スペーサーリ
ングに、アルミナやフォルステライト等のセラミックを
使用したハードディスクドライブもある。しかし、これ
らのセラミックは多結晶体であり、０．５％以上の気孔
率がある。この気孔内に加工中の研摩くず等が詰まり、
入念に洗浄しても、その研摩くずを完全に除去すること
は出来ず、ドライブ動作中に飛び出し、ヘッドクラッシ
ュを発生させるという問題がある。
ングに、アルミナやフォルステライト等のセラミックを
使用したハードディスクドライブもある。しかし、これ
らのセラミックは多結晶体であり、０．５％以上の気孔
率がある。この気孔内に加工中の研摩くず等が詰まり、
入念に洗浄しても、その研摩くずを完全に除去すること
は出来ず、ドライブ動作中に飛び出し、ヘッドクラッシ
ュを発生させるという問題がある。
【０００７】また、磁気抵抗素子（ＭＲ素子）や巨大磁
気抵抗素子（ＧＭＲ素子）を使用する場合、メディア表
面に静電気がたまると、これらの素子が静電破壊してし
まうので、メディア表面は、アースを取る必要がある。
メディア表面は、スペーサー、クランプハブ材を介して
アースされる。従って、スペーサー用の材料には、導電
性が求められる。その値は比抵抗値で１００ＭΩ・ｃｍ
以下である。このため、アルミナ等、導電性のないセラ
ミックスは、特殊な用途を除いて使用されていない。
気抵抗素子（ＧＭＲ素子）を使用する場合、メディア表
面に静電気がたまると、これらの素子が静電破壊してし
まうので、メディア表面は、アースを取る必要がある。
メディア表面は、スペーサー、クランプハブ材を介して
アースされる。従って、スペーサー用の材料には、導電
性が求められる。その値は比抵抗値で１００ＭΩ・ｃｍ
以下である。このため、アルミナ等、導電性のないセラ
ミックスは、特殊な用途を除いて使用されていない。
【０００８】これらの理由から、特に、高密度（即ち、
低浮上量）用の、スペーサーやクランプなどの材料とし
て、パーティクルの発生しない、かつ好ましくは熱膨張
係数が（７０±１０）×１０-7／℃（動作環境：−５０
〜７０℃）の材料が必要とされている。
低浮上量）用の、スペーサーやクランプなどの材料とし
て、パーティクルの発生しない、かつ好ましくは熱膨張
係数が（７０±１０）×１０-7／℃（動作環境：−５０
〜７０℃）の材料が必要とされている。
【０００９】本発明の課題は、１００ＭΩ・ｃｍ以下の
比抵抗を有する導電性ガラス組成物を提供することであ
る。
比抵抗を有する導電性ガラス組成物を提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記組成を主
成分とするガラス組成物であって、このガラス組成物の
比抵抗値が、１００ＭΩ・ｃｍ以下であることを特徴と
する、導電性ガラス組成物に係るものである。 ＳｉＯ2 ：４０ 〜７０ 重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜 ７．０重量％ Ｌｉ2 Ｏ ：６．０〜１２．０重量％ ＳｎＯ2 ：２３ 〜３５ 重量％
成分とするガラス組成物であって、このガラス組成物の
比抵抗値が、１００ＭΩ・ｃｍ以下であることを特徴と
する、導電性ガラス組成物に係るものである。 ＳｉＯ2 ：４０ 〜７０ 重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜 ７．０重量％ Ｌｉ2 Ｏ ：６．０〜１２．０重量％ ＳｎＯ2 ：２３ 〜３５ 重量％
【００１１】また、本発明は、前記導電性ガラス組成物
からなることを特徴とする、ハードディスク用磁気記録
媒体のアース用部品に係るものである。
からなることを特徴とする、ハードディスク用磁気記録
媒体のアース用部品に係るものである。
【００１２】本発明者は、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｌｉ
2 Ｏ系ガラスにおいて、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｌｉ2
Ｏ−ＳｎＯ2 を主成分とし、その割合をも上記のように
限定することによって、１００ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗
を有する導電性ガラス組成物を提供することに成功し
た。しかも、この組成物は、通常は、熱膨張係数が（７
０±１０）×１０-7／℃（動作環境：−５０〜７０℃）
の範囲に調節可能である。
2 Ｏ系ガラスにおいて、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｌｉ2
Ｏ−ＳｎＯ2 を主成分とし、その割合をも上記のように
限定することによって、１００ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗
を有する導電性ガラス組成物を提供することに成功し
た。しかも、この組成物は、通常は、熱膨張係数が（７
０±１０）×１０-7／℃（動作環境：−５０〜７０℃）
の範囲に調節可能である。
【００１３】ＳｉＯ2 は、ガラスを形成するための主成
分である。ＳｉＯ2 が４０重量％未満では、ガラスを安
定に溶かすことが困難になる。また７０重量％を超える
と、ガラスの粘性が高くなり、量産的に成形することが
困難になる。また、本組成物には、２３〜３５重量％の
ＳｎＯ2 が含まれていることに起因して、ガラスの粘性
がもともと高い傾向にあるため、ＳｉＯ2 は少ない方が
好ましく、その上限は６５重量％とするのが好ましい。
分である。ＳｉＯ2 が４０重量％未満では、ガラスを安
定に溶かすことが困難になる。また７０重量％を超える
と、ガラスの粘性が高くなり、量産的に成形することが
困難になる。また、本組成物には、２３〜３５重量％の
ＳｎＯ2 が含まれていることに起因して、ガラスの粘性
がもともと高い傾向にあるため、ＳｉＯ2 は少ない方が
好ましく、その上限は６５重量％とするのが好ましい。
【００１４】Ａｌ2 Ｏ3 は、ガラスに耐水性を持たせる
ためと、本組成物を熱処理して結晶を析出させる時に必
要な成分であり、結晶を析出させるためには、最低２重
量％、好ましくは２．５重量％必要である。また、Ａｌ
2 Ｏ3 もガラスの粘性を高くするため、その上限は７重
量％であり、特に好ましくは４．０重量％である。
ためと、本組成物を熱処理して結晶を析出させる時に必
要な成分であり、結晶を析出させるためには、最低２重
量％、好ましくは２．５重量％必要である。また、Ａｌ
2 Ｏ3 もガラスの粘性を高くするため、その上限は７重
量％であり、特に好ましくは４．０重量％である。
【００１５】Ｌｉ2 Ｏは、ガラスの粘性を下げるととも
に、本ガラス組成物を熱処理して結晶を析出させる時に
必要な成分である。ガラスの粘性を本組成物に対して効
果的に下げるためには、最低６．０重量％以上必要とさ
れるが、１２重量％以上添加すると、ガラスの耐水性が
低下し、Ｌｉ+ イオンが溶出しやすくなるので、１２重
量％を上限として使用するのが好ましい。
に、本ガラス組成物を熱処理して結晶を析出させる時に
必要な成分である。ガラスの粘性を本組成物に対して効
果的に下げるためには、最低６．０重量％以上必要とさ
れるが、１２重量％以上添加すると、ガラスの耐水性が
低下し、Ｌｉ+ イオンが溶出しやすくなるので、１２重
量％を上限として使用するのが好ましい。
【００１６】ＳｎＯ2 は、導電性を出すために必須の成
分である。ＳｎＯ2 が２３重量％未満になると、比抵抗
値が所望の値以下になる。３５重量％を超えると、ガラ
スの粘性が高くなりすぎて、量産的に成形することが困
難になる。
分である。ＳｎＯ2 が２３重量％未満になると、比抵抗
値が所望の値以下になる。３５重量％を超えると、ガラ
スの粘性が高くなりすぎて、量産的に成形することが困
難になる。
【００１７】Ｓｂ2 Ｏ3 は、ＳｎＯ2 の導電性を一層高
める作用を有している。ただし、１０．０重量％を超え
てＳｂ2 Ｏ3 を添加しても、導電性はそれ以上は向上し
ないので、この点から１０重量％以下とする。
める作用を有している。ただし、１０．０重量％を超え
てＳｂ2 Ｏ3 を添加しても、導電性はそれ以上は向上し
ないので、この点から１０重量％以下とする。
【００１８】Ｂ2 Ｏ3 は、ガラスの粘性を下げるために
使用される。本組成物においては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 等のガラスの粘性を上昇させる成分と、Ｌｉ2Ｏのよ
うに粘性を下げる成分との各配合量に応じて、Ｂ2 Ｏ3
の配合量が設定される。特に、本組成物では、必須成分
であるＳｎＯ2 がガラスの粘性を高めているため、Ｂ2
Ｏ3 を３．０重量％以上添加することが特に好ましい。
また、Ｂ2Ｏ3 が１０．０重量％を超えると、ガラスの
化学的耐久性が低下する。
使用される。本組成物においては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 等のガラスの粘性を上昇させる成分と、Ｌｉ2Ｏのよ
うに粘性を下げる成分との各配合量に応じて、Ｂ2 Ｏ3
の配合量が設定される。特に、本組成物では、必須成分
であるＳｎＯ2 がガラスの粘性を高めているため、Ｂ2
Ｏ3 を３．０重量％以上添加することが特に好ましい。
また、Ｂ2Ｏ3 が１０．０重量％を超えると、ガラスの
化学的耐久性が低下する。
【００１９】本発明のガラス中には、前記した主成分の
他、他の成分を含有させることができる。Ｐ2 Ｏ5 を１
−３重量％（特に好ましくは１−２重量％）含有させる
ことができる。また、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 等の金属酸化
物または白金等の金属、フッ化物を、単独で、または２
種以上混合して、含有することができる。
他、他の成分を含有させることができる。Ｐ2 Ｏ5 を１
−３重量％（特に好ましくは１−２重量％）含有させる
ことができる。また、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 等の金属酸化
物または白金等の金属、フッ化物を、単独で、または２
種以上混合して、含有することができる。
【００２０】また、Ｋ2 Ｏを０〜７重量％（特に好まし
くは１−３重量％）含有させることができる。これは、
ガラスの溶融、成形温度を低下させるのと共に、成形時
のガラスの失透を抑制する効果がある。この作用を発揮
させるには、この含有量を１重量％以上とすることが更
に好ましい。また、この含有量が７重量％を越えると、
ガラスの強度が低下する傾向がある。
くは１−３重量％）含有させることができる。これは、
ガラスの溶融、成形温度を低下させるのと共に、成形時
のガラスの失透を抑制する効果がある。この作用を発揮
させるには、この含有量を１重量％以上とすることが更
に好ましい。また、この含有量が７重量％を越えると、
ガラスの強度が低下する傾向がある。
【００２１】Ａｓ2 Ｏ3 とＳｂ2 Ｏ3 との一方または双
方を、合計で０〜２重量％含有させることもできる。こ
れらは、ガラス溶融の際の清澄剤である。
方を、合計で０〜２重量％含有させることもできる。こ
れらは、ガラス溶融の際の清澄剤である。
【００２２】その他、ＣａＯを０〜３重量％、ＳｒＯを
０〜３重量％、ＢａＯを０〜３重量％含有させることが
できる。
０〜３重量％、ＢａＯを０〜３重量％含有させることが
できる。
【００２３】本発明の導電性ガラス組成物は、１００Ｍ
Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する。この比抵抗は、７０Ｍ
Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、５０ＭΩ・ｃｍ以
下であることが特に好ましい。
Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する。この比抵抗は、７０Ｍ
Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、５０ＭΩ・ｃｍ以
下であることが特に好ましい。
【００２４】本発明のガラス組成物の一つの実施形態に
おいては、ガラス相中に、酸化スズ結晶相が析出してい
る。ガラス相の主成分は、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3、Ｌｉ2
Ｏ等である。
おいては、ガラス相中に、酸化スズ結晶相が析出してい
る。ガラス相の主成分は、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3、Ｌｉ2
Ｏ等である。
【００２５】本発明の導電性ガラス組成物は、種々の用
途に適用できる。特に、ハードディスク用磁気記録媒体
のアース用部品や、磁気ディスク用基板に最適である。
途に適用できる。特に、ハードディスク用磁気記録媒体
のアース用部品や、磁気ディスク用基板に最適である。
【００２６】スペーサーリングを製造する際には、前記
した組成の原料ガラスを溶融して溶融ガラスを得、この
溶融ガラスを成形してガラス成形体を得る。この成形体
は、板状、円柱状、または中空の円筒状等、任意の形状
に成形することができるが、好ましくは、最終形状に近
い形状に成形する。また、この際、板状ガラスを結晶化
させ、ガラス内にリチウムダイシリケートの結晶を析出
させて使用することも可能である。次いで、必要に応じ
てガラス成形体に、切断、孔明け、円筒研削等、公知の
機械加工を施して、リング状の板状体を作製し、これを
研削加工および／または研磨加工し、その厚さを調節す
る。次いで、この内径孔に面する内周側端面と外周側の
端面とをそれぞれ面取り加工する。
した組成の原料ガラスを溶融して溶融ガラスを得、この
溶融ガラスを成形してガラス成形体を得る。この成形体
は、板状、円柱状、または中空の円筒状等、任意の形状
に成形することができるが、好ましくは、最終形状に近
い形状に成形する。また、この際、板状ガラスを結晶化
させ、ガラス内にリチウムダイシリケートの結晶を析出
させて使用することも可能である。次いで、必要に応じ
てガラス成形体に、切断、孔明け、円筒研削等、公知の
機械加工を施して、リング状の板状体を作製し、これを
研削加工および／または研磨加工し、その厚さを調節す
る。次いで、この内径孔に面する内周側端面と外周側の
端面とをそれぞれ面取り加工する。
【００２７】（実験Ａ） （ＳｎＯ2 添加量の効果）表１に示す組成になるよう
に、各種成分の炭酸塩、硝酸塩、酸化物等を秤量し、混
合し、調合物を得た。調合物をルツボに入れ、１４００
℃で溶融し、均質に溶融した後に、グラファイト製の型
に流し込んで、寸法約５０×８０×１５ｍｍのブロック
成形体を得た。この成形体をアニール後、寸法４×３×
４０ｍｍの試験試料を切り出した。この試験試料を使っ
て、スパン１７ｍｍの４端子法によって、比抵抗値を室
温下で測定した。表１および図１に測定結果を示す。
に、各種成分の炭酸塩、硝酸塩、酸化物等を秤量し、混
合し、調合物を得た。調合物をルツボに入れ、１４００
℃で溶融し、均質に溶融した後に、グラファイト製の型
に流し込んで、寸法約５０×８０×１５ｍｍのブロック
成形体を得た。この成形体をアニール後、寸法４×３×
４０ｍｍの試験試料を切り出した。この試験試料を使っ
て、スパン１７ｍｍの４端子法によって、比抵抗値を室
温下で測定した。表１および図１に測定結果を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】この結果より、ＳｎＯ2 の添加量が２３重
量％では、急激に比抵抗値が低下し、目標の１００ＭΩ
・ｃｍ以下になることがわかった。
量％では、急激に比抵抗値が低下し、目標の１００ＭΩ
・ｃｍ以下になることがわかった。
【００３０】（実験Ｂ） （Ｓｂ2 Ｏ3 添加の効果）実験Ａと同様にして、寸法４
×３×４０ｍｍの試験試料を準備し、比抵抗値を測定し
た。表２および図２に測定結果を示す。
×３×４０ｍｍの試験試料を準備し、比抵抗値を測定し
た。表２および図２に測定結果を示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】この結果から分かるように、Ｓｂ2 Ｏ3 を
全く添加しなくとも、目標の比抵抗値を満足することが
できるが、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加することによって、比抵抗
値を更に低下させることができる。
全く添加しなくとも、目標の比抵抗値を満足することが
できるが、Ｓｂ2 Ｏ3 を添加することによって、比抵抗
値を更に低下させることができる。
【００３３】また、Ｓｂ2 Ｏ3 添加による比抵抗値の低
下は、ＳｎＯ2 量が２７重量％の場合、約１ｋΩ・ｃｍ
に収束してしまい、Ｓｂ2 Ｏ3 を１．７重量％以上添加
しても、比抵抗値をこれ以上に大きく低下させることは
できない。
下は、ＳｎＯ2 量が２７重量％の場合、約１ｋΩ・ｃｍ
に収束してしまい、Ｓｂ2 Ｏ3 を１．７重量％以上添加
しても、比抵抗値をこれ以上に大きく低下させることは
できない。
【００３４】（実験Ｃ） （スペーサーリングへの応用）ＳｉＯ2 ：４５．９重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：３．０重量％、Ｌｉ2 Ｏ：８．９重量
％、ＳｎＯ2 ：２６．６重量％、Ｓｂ2 Ｏ3 ：４．７重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：７．９重量％、Ｋ2 Ｏ：１．８重量
％、Ｐ2 Ｏ5 ：１．２重量％の組成になるように、各種
成分の炭酸塩、硝酸塩、酸化物等の原料粉末を秤量し、
混合し、調合物を得た。調合物をルツボに入れ、１３０
０℃でラフメルトさせた後、溶融したガラスをルツボか
ら流水中に投入し、粗粒状のカレットを得た。このカレ
ットを、再度ルツボに入れ、１４００℃で攪拌しながら
再溶融し、ガラスを均質に溶解した後、ルツボ下に設置
したノズルからガラスを流出させ、幅１００ｍｍ、厚さ
３０ｍｍ、長さ３００ｍｍのインゴット成形体を得た。
この成形体から、以下の手法で、ハードディスクドライ
ブ用スペーサーリングを試作した。
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：３．０重量％、Ｌｉ2 Ｏ：８．９重量
％、ＳｎＯ2 ：２６．６重量％、Ｓｂ2 Ｏ3 ：４．７重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：７．９重量％、Ｋ2 Ｏ：１．８重量
％、Ｐ2 Ｏ5 ：１．２重量％の組成になるように、各種
成分の炭酸塩、硝酸塩、酸化物等の原料粉末を秤量し、
混合し、調合物を得た。調合物をルツボに入れ、１３０
０℃でラフメルトさせた後、溶融したガラスをルツボか
ら流水中に投入し、粗粒状のカレットを得た。このカレ
ットを、再度ルツボに入れ、１４００℃で攪拌しながら
再溶融し、ガラスを均質に溶解した後、ルツボ下に設置
したノズルからガラスを流出させ、幅１００ｍｍ、厚さ
３０ｍｍ、長さ３００ｍｍのインゴット成形体を得た。
この成形体から、以下の手法で、ハードディスクドライ
ブ用スペーサーリングを試作した。
【００３５】インゴット成形体をスライスし、寸法１０
０ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍの板を得、この板から、コア
ドリルを使って、外径２３．６ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚
さ２ｍｍのリング状加工物を得た。得られたリング状加
工物をキャリアにセットし、両面ラップ板で両面を研摩
し、厚さ１．６６５ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ０．４μ
ｍに仕上げた。最終的にバレル研摩を施し、リングの内
外エッジの角に丸み付けを行って仕上げた。得られたス
ペーサーリングの比抵抗、ヤング率、抗折強度、熱膨張
係数を表３に示す。
０ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍの板を得、この板から、コア
ドリルを使って、外径２３．６ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚
さ２ｍｍのリング状加工物を得た。得られたリング状加
工物をキャリアにセットし、両面ラップ板で両面を研摩
し、厚さ１．６６５ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ０．４μ
ｍに仕上げた。最終的にバレル研摩を施し、リングの内
外エッジの角に丸み付けを行って仕上げた。得られたス
ペーサーリングの比抵抗、ヤング率、抗折強度、熱膨張
係数を表３に示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】得られたスペーサーリングは、ガラスであ
りながら、抗折強度１５４ＭＰａ、ヤング率８９ＧＰａ
の値を示しており、スペーサーリングとして使用する上
では、十分な強度を有していた。
りながら、抗折強度１５４ＭＰａ、ヤング率８９ＧＰａ
の値を示しており、スペーサーリングとして使用する上
では、十分な強度を有していた。
【００３８】このスペーサーリングからのパーティクル
の発生数量を、以下の手法で測定した。
の発生数量を、以下の手法で測定した。
【００３９】５００ｍｌの超純水を入れたパイレックス
製ビーカーの中にスペーサーを１個入れ、室温下で、３
８ｋＨｚ、４００Ｗの超音波を所定時間かけた後、ビー
カー内から超純水を、「液中パーティクルカウンター
（リオン社製）」で１０ｍｌサンプリングし、その中に
含まれる２μｍ以上のパーティクルの数を測定した。図
３の横軸の「Ｕ．Ｓ．洗浄時間」は、上記５００ｍｌの
超純水中で、３８ｋＨｚ、４００Ｗの超音波をかけた時
間のことである。
製ビーカーの中にスペーサーを１個入れ、室温下で、３
８ｋＨｚ、４００Ｗの超音波を所定時間かけた後、ビー
カー内から超純水を、「液中パーティクルカウンター
（リオン社製）」で１０ｍｌサンプリングし、その中に
含まれる２μｍ以上のパーティクルの数を測定した。図
３の横軸の「Ｕ．Ｓ．洗浄時間」は、上記５００ｍｌの
超純水中で、３８ｋＨｚ、４００Ｗの超音波をかけた時
間のことである。
【００４０】供試したスペーサーリングは、予め以下手
順で洗浄した。 （中性洗剤超音波２槽→純水超音波１槽→超純水超音波
２槽→イソプロピルアルコール超音波１槽→イソプロピ
ルアルコール蒸気乾燥：洗浄時間は各槽３分タクト）
順で洗浄した。 （中性洗剤超音波２槽→純水超音波１槽→超純水超音波
２槽→イソプロピルアルコール超音波１槽→イソプロピ
ルアルコール蒸気乾燥：洗浄時間は各槽３分タクト）
【００４１】比較のために、上記と同じ洗浄工程で仕上
けた、フォルステライト製およびアルミニウム製の各ス
ペーサーリングのパーティクルの発生数を、上記と同じ
条件下で測定した。使用したフォルステライト製とアル
ミニウム製との各スペーサーリングは、実際のハードデ
ィスクドライブに装着されるようように加工仕上げされ
たものである。パーティクルの測定結果を、図３に示
す。
けた、フォルステライト製およびアルミニウム製の各ス
ペーサーリングのパーティクルの発生数を、上記と同じ
条件下で測定した。使用したフォルステライト製とアル
ミニウム製との各スペーサーリングは、実際のハードデ
ィスクドライブに装着されるようように加工仕上げされ
たものである。パーティクルの測定結果を、図３に示
す。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、１
００ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する導電性ガラス組成
物を提供することができる。
００ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する導電性ガラス組成
物を提供することができる。
【図１】実験Ａにおいて、ＳｎＯ2 の含有量とガラスの
比抵抗との関係を示すグラフである。
比抵抗との関係を示すグラフである。
【図２】実験Ｂにおいて、Ｓｂ2 Ｏ3 の含有量とガラス
の比抵抗との関係を示すグラフである。
の比抵抗との関係を示すグラフである。
【図３】実験Ｃにおいて、本発明のガラス製、ステンレ
ス製、フォルステライト製の各スペーサーリングの各パ
ーティクル発生数を示すグラフである。
ス製、フォルステライト製の各スペーサーリングの各パ
ーティクル発生数を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤井 八代 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 石黒 敏春 愛知県半田市港町４丁目５番地５ 日本フ リット株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA08 AA09 AA11 BB01 DA05 DA06 DB03 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA03 EA04 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FE04 FE05 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM10 MM27 NN24 NN29
Claims (6)
- 【請求項１】下記組成を主成分とするガラス組成物であ
って、このガラス組成物の比抵抗が、１００ＭΩ・ｃｍ
以下であることを特徴とする、導電性ガラス組成物。 ＳｉＯ2 ：４０ 〜７０ 重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜 ７．０重量％ Ｌｉ2 Ｏ ：６．０〜１２．０重量％ ＳｎＯ2 ：２３ 〜３５ 重量％ - 【請求項２】下記組成を主成分とすることを特徴とす
る、請求項１記載の導電性ガラス組成物。 ＳｉＯ2 ：４０ 〜７０ 重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜 ７．０重量％ Ｌｉ2 Ｏ ：６．０〜１２．０重量％ ＳｎＯ2 ：２３ 〜３５ 重量％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．１〜１０．０重量％ - 【請求項３】下記組成を主成分とすることを特徴とす
る、請求項１記載の導電性ガラス組成物。 ＳｉＯ2 ：４０ 〜７０ 重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２．０〜 ７．０重量％ Ｌｉ2 Ｏ ：６．０〜１２．０重量％ ＳｎＯ2 ：２３ 〜３５ 重量％ Ｂ2 Ｏ3 ：０．１−１２．０重量％ - 【請求項４】下記組成を主成分とすることを特徴とす
る、請求項１記載の導電性ガラス組成物。 ＳｉＯ2 ：４０ 〜６５ 重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２．５〜４．０ 重量％ Ｌｉ2 Ｏ ：６．０〜１２．０重量％ ＳｎＯ2 ：２３ 〜３５ 重量％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．１〜１０．０重量％ Ｂ2 Ｏ3 ：３．０〜１２．０重量％ - 【請求項５】請求項１−４のいずれか一つの請求項に記
載の導電性ガラス組成物からなることを特徴とする、ハ
ードディスク用磁気記録媒体のアース用部品。 - 【請求項６】スペーサーであることを特徴とする、請求
項５記載のハードディスク用磁気記録媒体のアース用部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21220099A JP2001039732A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 導電性ガラス組成物およびハードディスク用磁気記録媒体のアース用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21220099A JP2001039732A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 導電性ガラス組成物およびハードディスク用磁気記録媒体のアース用部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001039732A true JP2001039732A (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16618587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21220099A Pending JP2001039732A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 導電性ガラス組成物およびハードディスク用磁気記録媒体のアース用部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001039732A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001199739A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-07-24 | Kyushu Hakusui Corp | ガラス |
| WO2018088563A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体および磁気記録再生装置用ガラススペーサ |
| WO2018225725A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体基板用ガラス、情報記録媒体基板、情報記録媒体および記録再生装置用ガラススペーサ |
-
1999
- 1999-07-27 JP JP21220099A patent/JP2001039732A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001199739A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-07-24 | Kyushu Hakusui Corp | ガラス |
| JP4526146B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2010-08-18 | 九州白水株式会社 | ガラス |
| WO2018088563A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体および磁気記録再生装置用ガラススペーサ |
| CN109923083A (zh) * | 2016-11-14 | 2019-06-21 | Hoya株式会社 | 磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和磁记录再生装置用玻璃间隔物 |
| JPWO2018088563A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2019-10-10 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体および磁気記録再生装置用ガラススペーサ |
| US11081133B2 (en) | 2016-11-14 | 2021-08-03 | Hoya Corporation | Glass for magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium and glass spacer for magnetic recording and reproducing apparatus |
| CN109923083B (zh) * | 2016-11-14 | 2022-07-26 | Hoya株式会社 | 磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和磁记录再生装置用玻璃间隔物 |
| US11551714B2 (en) | 2016-11-14 | 2023-01-10 | Hoya Corporation | Glass for magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium and glass spacer for magnetic recording and reproducing apparatus |
| US12040003B2 (en) | 2016-11-14 | 2024-07-16 | Hoya Corporation | Glass for magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium and glass spacer for magnetic recording and reproducing apparatus |
| WO2018225725A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体基板用ガラス、情報記録媒体基板、情報記録媒体および記録再生装置用ガラススペーサ |
| JPWO2018225725A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体基板用ガラス、情報記録媒体基板、情報記録媒体および記録再生装置用ガラススペーサ |
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