JP2001036209A - 配線基板のビアオンビア構造 - Google Patents
配線基板のビアオンビア構造Info
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- JP2001036209A JP2001036209A JP11210128A JP21012899A JP2001036209A JP 2001036209 A JP2001036209 A JP 2001036209A JP 11210128 A JP11210128 A JP 11210128A JP 21012899 A JP21012899 A JP 21012899A JP 2001036209 A JP2001036209 A JP 2001036209A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サイズ，工程，導通性のいずれにも優れたビ
アオンビア構造を有する配線基板を提供すること。 【解決手段】 内層ビア１５の内部を銀ペースト１７で
充填するとともに，内部とランド１９に跨って上層ビア
１８を設けた。このため，ビアオンビア構造の面内寸法
が小さく抑えられている。また，内層ビア１５にふため
っきを形成しなくても，配線パターン１４が内層ビア１
５のランド１９（配線パターン１１）に直に接触してお
り，導通が確実である。また製造工程も簡素なもので済
む。また，内層ビア１５の充填材が銀ペースト１７であ
るため，上層ビア１８の形成のためのレーザ加工の際に
内層ビア１５の内部が受けるダメージが最小限で済む。
アオンビア構造を有する配線基板を提供すること。 【解決手段】 内層ビア１５の内部を銀ペースト１７で
充填するとともに，内部とランド１９に跨って上層ビア
１８を設けた。このため，ビアオンビア構造の面内寸法
が小さく抑えられている。また，内層ビア１５にふため
っきを形成しなくても，配線パターン１４が内層ビア１
５のランド１９（配線パターン１１）に直に接触してお
り，導通が確実である。また製造工程も簡素なもので済
む。また，内層ビア１５の充填材が銀ペースト１７であ
るため，上層ビア１８の形成のためのレーザ加工の際に
内層ビア１５の内部が受けるダメージが最小限で済む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，導体層と絶縁層と
を交互に積層してなる配線基板に関する。さらに詳細に
は，導体層と導体層とを導通させるビアとその上層のビ
アとを近接して配置するビアオンビア構造に関するもの
である。
を交互に積層してなる配線基板に関する。さらに詳細に
は，導体層と導体層とを導通させるビアとその上層のビ
アとを近接して配置するビアオンビア構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のビアオンビア構造の例としては，
図５に示すフルオフセット型のものと，図６に示すふた
めっき型のものとがあった。図５のものは，上層ビア１
０２を内層ビア１０１に対してオフセットさせた構造の
ものである。これは，上層ビア１０２を内層ビア１０１
のランド部分１０６にコンタクトさせることにより，導
体層１０４と導体層１０５との確実な導通を図ったもの
である。図６のものは，内層ビア１１１の樹脂部分１１
３とランド部分１１６とをふためっき層１１７で覆い，
その直上に上層ビア１１２を設けた構造のものである。
これは，樹脂部分１１３を導電性のふためっき層１１７
で覆うことにより，上層ビア１１２で導体層１１４と導
体層１１５とが確実に導通するようにしたものである。
図５に示すフルオフセット型のものと，図６に示すふた
めっき型のものとがあった。図５のものは，上層ビア１
０２を内層ビア１０１に対してオフセットさせた構造の
ものである。これは，上層ビア１０２を内層ビア１０１
のランド部分１０６にコンタクトさせることにより，導
体層１０４と導体層１０５との確実な導通を図ったもの
である。図６のものは，内層ビア１１１の樹脂部分１１
３とランド部分１１６とをふためっき層１１７で覆い，
その直上に上層ビア１１２を設けた構造のものである。
これは，樹脂部分１１３を導電性のふためっき層１１７
で覆うことにより，上層ビア１１２で導体層１１４と導
体層１１５とが確実に導通するようにしたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記し
た従来のビアオンビア構造には，いずれも問題点があっ
た。すなわち，図５のフルオフセット型構造の場合に
は，図中横方向の全体サイズがかなり大きくなってしま
う。このため，配線パターンのファイン化に対する障害
となるのである。図６のふためっき構造の場合には，サ
イズ的には問題ないものの，ふためっき層１１７を形成
する分工程数が多くなってしまう。また，ふためっき層
１１７は剥離しやすいので，実際にはさほど導通はよく
ない。その原因は，上層ビア１１２を形成するために絶
縁層１１８をレーザ加工するときの熱作用にある。樹脂
部分１１３は通常，１００％樹脂成分であるため，レー
ザの熱で揮発成分がふためっき層１１７との間に気泡を
なし，そのためにふためっき層１１７が少しリフトされ
るからである。
た従来のビアオンビア構造には，いずれも問題点があっ
た。すなわち，図５のフルオフセット型構造の場合に
は，図中横方向の全体サイズがかなり大きくなってしま
う。このため，配線パターンのファイン化に対する障害
となるのである。図６のふためっき構造の場合には，サ
イズ的には問題ないものの，ふためっき層１１７を形成
する分工程数が多くなってしまう。また，ふためっき層
１１７は剥離しやすいので，実際にはさほど導通はよく
ない。その原因は，上層ビア１１２を形成するために絶
縁層１１８をレーザ加工するときの熱作用にある。樹脂
部分１１３は通常，１００％樹脂成分であるため，レー
ザの熱で揮発成分がふためっき層１１７との間に気泡を
なし，そのためにふためっき層１１７が少しリフトされ
るからである。
【０００４】本発明は，前記した従来のビアオンビア構
造が有する問題点を解決するためになされたものであ
る。すなわちその課題とするところは，サイズ，製造プ
ロセス，導通性のいずれにも優れたビアオンビア構造を
有する配線基板を提供することにある。
造が有する問題点を解決するためになされたものであ
る。すなわちその課題とするところは，サイズ，製造プ
ロセス，導通性のいずれにも優れたビアオンビア構造を
有する配線基板を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題の解決を目的と
してなされた本発明は，第１導体層と，第２導体層と，
それらの間の第１絶縁層と，第２導体層の上に被着され
た第２絶縁層と，第２絶縁層の上に形成された第３導体
層とを有する配線基板において，第１導体層と第２導体
層とを導通させるとともに内部が充填された第１ビア
と，第２導体層と第３導体層とを導通させるとともに第
１ビアの内部とその周囲のランド部分とに跨って形成さ
れた第２ビアとを有してなるビアオンビア構造である。
してなされた本発明は，第１導体層と，第２導体層と，
それらの間の第１絶縁層と，第２導体層の上に被着され
た第２絶縁層と，第２絶縁層の上に形成された第３導体
層とを有する配線基板において，第１導体層と第２導体
層とを導通させるとともに内部が充填された第１ビア
と，第２導体層と第３導体層とを導通させるとともに第
１ビアの内部とその周囲のランド部分とに跨って形成さ
れた第２ビアとを有してなるビアオンビア構造である。
【０００６】かかるビアオンビア構造を有する配線基板
では，上層ビアである第２ビアが，内層ビアである第１
ビアのランド部分にかかっている。このため，ふためっ
き層を形成しなくても第２導体層と第３導体層との導通
が確実である。よって，ふためっき層を形成しなくても
よい分工程数は少なくて済む。具体的には，図５に示し
たフルオフセット型構造の場合と同等の工程数で済む。
また，第２ビアは第１ビアの内部にもかかっている。こ
のため，第１ビアの内部から第２ビアがはみ出す量はさ
ほど大きくない。よって，サイズの問題も最小限で済
む。
では，上層ビアである第２ビアが，内層ビアである第１
ビアのランド部分にかかっている。このため，ふためっ
き層を形成しなくても第２導体層と第３導体層との導通
が確実である。よって，ふためっき層を形成しなくても
よい分工程数は少なくて済む。具体的には，図５に示し
たフルオフセット型構造の場合と同等の工程数で済む。
また，第２ビアは第１ビアの内部にもかかっている。こ
のため，第１ビアの内部から第２ビアがはみ出す量はさ
ほど大きくない。よって，サイズの問題も最小限で済
む。
【０００７】本発明のビアオンビア構造においては，第
１ビアの内部が導電性ペーストで充填されていることが
望ましい。なぜなら，第１ビアの内部が単なる樹脂だ
と，第２ビアの形成のために第２絶縁層をレーザ加工す
る際にこの樹脂が大きくえぐれてしまうからである。導
電性ペーストは樹脂に金属などの導電性の粉末を分散し
たものであり，単なる樹脂よりもレーザの影響に対する
耐性がある。このため，第１ビアの内部の充填材を導電
性ペーストとすることにより，レーザ加工によるえぐれ
を防止できるのである。また，第２ビアにおける第２導
体層と第３導体層との間の抵抗もより小さくできる。
１ビアの内部が導電性ペーストで充填されていることが
望ましい。なぜなら，第１ビアの内部が単なる樹脂だ
と，第２ビアの形成のために第２絶縁層をレーザ加工す
る際にこの樹脂が大きくえぐれてしまうからである。導
電性ペーストは樹脂に金属などの導電性の粉末を分散し
たものであり，単なる樹脂よりもレーザの影響に対する
耐性がある。このため，第１ビアの内部の充填材を導電
性ペーストとすることにより，レーザ加工によるえぐれ
を防止できるのである。また，第２ビアにおける第２導
体層と第３導体層との間の抵抗もより小さくできる。
【０００８】さらに，本発明のビアオンビア構造におい
ては，第２ビアが第１ビアのランド部分から外部へはみ
出ないように形成することもまた好ましい。第２ビアが
第１ビアのランド部分から外部へはみ出ていると，第２
ビアの形成のために第２絶縁層をレーザ加工する際に，
はみ出し部分では第１絶縁層も加工されてしまうからで
ある。このためには，第１ビアのランド部分を，第２ビ
アが形成される方へ向けて少し広げておけばよい。
ては，第２ビアが第１ビアのランド部分から外部へはみ
出ないように形成することもまた好ましい。第２ビアが
第１ビアのランド部分から外部へはみ出ていると，第２
ビアの形成のために第２絶縁層をレーザ加工する際に，
はみ出し部分では第１絶縁層も加工されてしまうからで
ある。このためには，第１ビアのランド部分を，第２ビ
アが形成される方へ向けて少し広げておけばよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下，本発明を具体化した実施の
形態について，図面を参照しつつ詳細に説明する。本実
施の形態に係る配線基板は，図１に示すビアオンビア構
造を有している。この配線基板は，コア絶縁層１０と，
その表裏の配線パターン層１１，１２と，配線パターン
層１１の上に被着された層間絶縁層１３と，層間絶縁層
１３の上に形成された配線パターン層１４とを有してい
る。
形態について，図面を参照しつつ詳細に説明する。本実
施の形態に係る配線基板は，図１に示すビアオンビア構
造を有している。この配線基板は，コア絶縁層１０と，
その表裏の配線パターン層１１，１２と，配線パターン
層１１の上に被着された層間絶縁層１３と，層間絶縁層
１３の上に形成された配線パターン層１４とを有してい
る。
【００１０】そして，配線パターン層１１と配線パター
ン層１２とを導通させるための内層ビア１５が設けられ
ている。内層ビア１５は，コア絶縁層１０にドリル穴を
形成し，その壁面から表裏面にわたるめっき層１６を形
成して配線パターン層１１と配線パターン層１２との導
通をとり，さらに内部を銀ペースト１７で充填したもの
である。なお，配線パターン層１１のうち，内層ビア１
５の近傍の部分をランド１９という。
ン層１２とを導通させるための内層ビア１５が設けられ
ている。内層ビア１５は，コア絶縁層１０にドリル穴を
形成し，その壁面から表裏面にわたるめっき層１６を形
成して配線パターン層１１と配線パターン層１２との導
通をとり，さらに内部を銀ペースト１７で充填したもの
である。なお，配線パターン層１１のうち，内層ビア１
５の近傍の部分をランド１９という。
【００１１】そして，内層ビア１５の図中すぐ左上の位
置に，上層ビア１８が設けられている。上層ビア１８
は，層間絶縁層１３にレーザ加工で穴を開けて配線パタ
ーン層１１および銀ペースト１７を部分的に露出させ，
この穴の内外にわたるめっき層を形成したものである。
これにより，配線パターン層１１と配線パターン層１４
との導通がとられている。
置に，上層ビア１８が設けられている。上層ビア１８
は，層間絶縁層１３にレーザ加工で穴を開けて配線パタ
ーン層１１および銀ペースト１７を部分的に露出させ，
この穴の内外にわたるめっき層を形成したものである。
これにより，配線パターン層１１と配線パターン層１４
との導通がとられている。
【００１２】この配線基板において，コア絶縁層１０の
厚さは５００μｍであり，層間絶縁層１３の厚さは５０
μｍである。また，内層ビア１５のめっき層１６の厚さ
は１５μｍである。配線パターン層１１，１２の厚さ
は，銅箔の１２μｍとめっきの１５μｍとの合計で２７
μｍである。内層ビア１５の径（ドリル穴径）は３００
μｍであり，上層ビア１８の径（レーザ加工径）は１０
０μｍである。配線パターン層１４の厚さは１５μｍで
ある。
厚さは５００μｍであり，層間絶縁層１３の厚さは５０
μｍである。また，内層ビア１５のめっき層１６の厚さ
は１５μｍである。配線パターン層１１，１２の厚さ
は，銅箔の１２μｍとめっきの１５μｍとの合計で２７
μｍである。内層ビア１５の径（ドリル穴径）は３００
μｍであり，上層ビア１８の径（レーザ加工径）は１０
０μｍである。配線パターン層１４の厚さは１５μｍで
ある。
【００１３】この配線基板において上層ビア１８は，内
層ビア１５に対し部分的にオーバラップして設けられて
いる。この様子を，図２の平面透視図に示す。図２に
は，内層ビア１５と，そのランド１９と，上層ビア１８
とが示されている。ランド１９は，内層ビア１５の周囲
に設けられているが，上層ビア１８の方へ少し広げられ
ている。内層ビア１５および上層ビア１８にわたる図２
中の最大寸法Ｄ1 は，内層ビア１５と上層ビア１８との
それぞれの径の合計よりもオーバラップの分小さく，３
５０μｍ程度である。そして，ランド１９の幅を１５０
μｍとすれば，図２中横方向のランド径Ｄ2 は６５０μ
ｍとなる。なお，図２中縦方向のランド径Ｄ3 は６００
μｍとなる。もし，図５のようなフルオフセット型構造
をとると，Ｄ1が５５０μｍ程度，Ｄ2が８５０μｍ程度
必要となってしまう。本実施の形態では，上層ビア１８
と内層ビア１５とをオーバラップさせることにより，配
線パターンのファイン化に対する障害が取り除かれてい
るのである。
層ビア１５に対し部分的にオーバラップして設けられて
いる。この様子を，図２の平面透視図に示す。図２に
は，内層ビア１５と，そのランド１９と，上層ビア１８
とが示されている。ランド１９は，内層ビア１５の周囲
に設けられているが，上層ビア１８の方へ少し広げられ
ている。内層ビア１５および上層ビア１８にわたる図２
中の最大寸法Ｄ1 は，内層ビア１５と上層ビア１８との
それぞれの径の合計よりもオーバラップの分小さく，３
５０μｍ程度である。そして，ランド１９の幅を１５０
μｍとすれば，図２中横方向のランド径Ｄ2 は６５０μ
ｍとなる。なお，図２中縦方向のランド径Ｄ3 は６００
μｍとなる。もし，図５のようなフルオフセット型構造
をとると，Ｄ1が５５０μｍ程度，Ｄ2が８５０μｍ程度
必要となってしまう。本実施の形態では，上層ビア１８
と内層ビア１５とをオーバラップさせることにより，配
線パターンのファイン化に対する障害が取り除かれてい
るのである。
【００１４】次に，図１の配線基板の製造プロセスを説
明する。図３に示すのは，内層ビア１５に銀ペースト１
７を充填してその表面を平坦化し，さらに層間絶縁層１
３を被着した状態である。この状態を得るまでの工程は
公知技術の組み合わせなので説明は避ける。ただし注意
すべきは，層間絶縁層１３を被着する前に内層ビア１５
をふためっきで覆う必要がないことである。上層ビア１
８が内層ビア１５のランド１９に係って設けられるの
で，ふためっきがなくても配線パターン層１１と配線パ
ターン層１４との導通が十分確実にとられるからであ
る。もし，ふためっきを形成するとなると，触媒付与や
無電解めっき，電気めっきといった具合にかなり工程数
が増えてしまう。本実施の形態では，ふためっきを形成
しないことにより，余分な工程を踏まずに済んでいるの
である。
明する。図３に示すのは，内層ビア１５に銀ペースト１
７を充填してその表面を平坦化し，さらに層間絶縁層１
３を被着した状態である。この状態を得るまでの工程は
公知技術の組み合わせなので説明は避ける。ただし注意
すべきは，層間絶縁層１３を被着する前に内層ビア１５
をふためっきで覆う必要がないことである。上層ビア１
８が内層ビア１５のランド１９に係って設けられるの
で，ふためっきがなくても配線パターン層１１と配線パ
ターン層１４との導通が十分確実にとられるからであ
る。もし，ふためっきを形成するとなると，触媒付与や
無電解めっき，電気めっきといった具合にかなり工程数
が増えてしまう。本実施の形態では，ふためっきを形成
しないことにより，余分な工程を踏まずに済んでいるの
である。
【００１５】図４に示すのは，レーザ加工により層間絶
縁層１３に穴１８を形成した状態である。このとき，加
工の末期には内層ビア１５を充填している銀ペースト１
７にもレーザの熱の影響が及ぶ。しかし銀ペースト１７
は単なる樹脂に比べてはるかに熱に強いので，ほとんど
変形しない。また，穴１８が形成される範囲は，内層ビ
ア１５のランド１９からはみ出していない。もしはみ出
していると，はみ出した部分では層間絶縁層１３ばかり
かコア絶縁層１０までも加工されてしまうおそれがあ
る。本実施の形態ではこのようなおそれはない。図４の
状態に対し，穴１８の内外にわたるめっき層を形成し，
パターン加工を施すと，図１に示すように配線パターン
１４が得られる。
縁層１３に穴１８を形成した状態である。このとき，加
工の末期には内層ビア１５を充填している銀ペースト１
７にもレーザの熱の影響が及ぶ。しかし銀ペースト１７
は単なる樹脂に比べてはるかに熱に強いので，ほとんど
変形しない。また，穴１８が形成される範囲は，内層ビ
ア１５のランド１９からはみ出していない。もしはみ出
していると，はみ出した部分では層間絶縁層１３ばかり
かコア絶縁層１０までも加工されてしまうおそれがあ
る。本実施の形態ではこのようなおそれはない。図４の
状態に対し，穴１８の内外にわたるめっき層を形成し，
パターン加工を施すと，図１に示すように配線パターン
１４が得られる。
【００１６】以上詳細に説明したように本実施の形態に
係る配線基板のビアオンビア構造では，内層ビア１５の
内部とランド１９に跨って上層ビア１８を設けている。
このため，ビアオンビア構造の面内寸法が小さく抑えら
れている。また，内層ビア１５にふためっきを形成しな
くても，配線パターン１４が内層ビア１５のランド１９
（配線パターン１１）に直に接触しており，導通が確実
である。また製造工程も簡素なもので済む。また，内層
ビア１５の充填材が銀ペースト１７であるため，上層ビ
ア１８の形成のためのレーザ加工の際に内層ビア１５の
内部が受けるダメージが最小限で済んでいる。また，配
線パターン１４と配線パターン１１との間のコンタクト
抵抗も，銀ペースト１７が導電性を持つ分低下してい
る。さらに，上層ビア１８がランド１９からはみ出さな
いようにされているので，上層ビア１８の形成のための
レーザ加工の際にコア絶縁層１０までも加工されてしま
うおそれが排除されている。かくして，サイズ，工程，
導通性のいずれにも優れた配線基板のビアオンビア構造
が実現されている。
係る配線基板のビアオンビア構造では，内層ビア１５の
内部とランド１９に跨って上層ビア１８を設けている。
このため，ビアオンビア構造の面内寸法が小さく抑えら
れている。また，内層ビア１５にふためっきを形成しな
くても，配線パターン１４が内層ビア１５のランド１９
（配線パターン１１）に直に接触しており，導通が確実
である。また製造工程も簡素なもので済む。また，内層
ビア１５の充填材が銀ペースト１７であるため，上層ビ
ア１８の形成のためのレーザ加工の際に内層ビア１５の
内部が受けるダメージが最小限で済んでいる。また，配
線パターン１４と配線パターン１１との間のコンタクト
抵抗も，銀ペースト１７が導電性を持つ分低下してい
る。さらに，上層ビア１８がランド１９からはみ出さな
いようにされているので，上層ビア１８の形成のための
レーザ加工の際にコア絶縁層１０までも加工されてしま
うおそれが排除されている。かくして，サイズ，工程，
導通性のいずれにも優れた配線基板のビアオンビア構造
が実現されている。
【００１７】なお，本実施の形態は単なる例示にすぎ
ず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良，変形が可能である。例えば，各部分の寸法は別の値
でもよい。また，内層ビア１５の充填材としては銀ペー
ストに代えて銅ペーストなど他の金属を用いたものを採
用してもよい。
ず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良，変形が可能である。例えば，各部分の寸法は別の値
でもよい。また，内層ビア１５の充填材としては銀ペー
ストに代えて銅ペーストなど他の金属を用いたものを採
用してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば，サイズ，製造プロセス，導通性のいずれにも優
れたビアオンビア構造を有する配線基板が提供されてい
る。
よれば，サイズ，製造プロセス，導通性のいずれにも優
れたビアオンビア構造を有する配線基板が提供されてい
る。
【図１】実施の形態に係るビアオンビア構造を有する配
線基板の断面図である。
線基板の断面図である。
【図２】ビアオンビア構造の平面透視図である。
【図３】相間絶縁層を被着した状態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】上層ビアの形成のためのレーザ加工を行った状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図５】従来のビアオンビア構造の例（フルオフセット
型）を示す断面図である。
型）を示す断面図である。
【図６】従来のビアオンビア構造の例（ふためっき型）
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１０ コア絶縁層 １１，１２，１４ 配線パターン １３ 層間絶縁層 １５ 内層ビア １７ 銀ペースト １８ 上層ビア １９ ランド
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導体層と，第２導体層と，それらの
間の第１絶縁層と，前記第２導体層の上に被着された第
２絶縁層と，前記第２絶縁層の上に形成された第３導体
層とを有する配線基板において，前記第１導体層と前記
第２導体層とを導通させるとともに，内部が充填された
第１ビアと，前記第２導体層と前記第３導体層とを導通
させるとともに，前記第１ビアの内部とその周囲のラン
ド部分とに跨って形成された第２ビアとを有することを
特徴とする配線基板のビアオンビア構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載する配線基板のビアオン
ビア構造において，前記第１ビアの内部が導電性ペース
トで充填されていることを特徴とする配線基板のビアオ
ンビア構造。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載する配線
基板のビアオンビア構造において，前記第２ビアが，前
記第１ビアのランド部分から外部へはみ出ないように形
成されていることを特徴とする配線基板のビアオンビア
構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21012899A JP4330712B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 配線基板のビアオンビア構造 |
| PCT/JP2000/004880 WO2001008458A1 (fr) | 1999-07-26 | 2000-07-19 | Structure de tableau de cablage a traversees superposees |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21012899A JP4330712B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 配線基板のビアオンビア構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001036209A true JP2001036209A (ja) | 2001-02-09 |
| JP4330712B2 JP4330712B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9666931B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-05-30 | Nidec Elesys Corporation | Radio frequency electric power conversion mechanism |
-
1999
- 1999-07-26 JP JP21012899A patent/JP4330712B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US9666931B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-05-30 | Nidec Elesys Corporation | Radio frequency electric power conversion mechanism |
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