JP2001035363A

JP2001035363A - プラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法

Info

Publication number: JP2001035363A
Application number: JP20245299A
Authority: JP
Inventors: Masaru Sasaki; 賢佐々木; Kenji Yamada; 研二山田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-07-16
Filing date: 1999-07-16
Publication date: 2001-02-09

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、プラズマディスプレイパネルの低
価格化および高精細化に対応するプラズマディスプレイ
パネルの製造装置および製造方法を提供することを目的
とする。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルの
製造装置は、プラズマディスプレイ用の基板上に電極の
厚膜パターンを成形する為の第１の型ロールと、当該基
板の同一の面側にリブの厚膜パターンを成形する為の第
２の型ロールと、第１の型ロールに対応して電極の厚膜
パターン材料を供給する第１の供給部と、第２の型ロー
ルに対応してリブの厚膜パターン材料を供給する第２の
供給部と、を有することを特長とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の型ロールを
用いてガラス等の基板上にプラズマディスプレイパネル
の電極、誘電体層、リブ（隔壁とも呼ぶ）を形成するプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法に
関する発明である。

【０００２】

【従来の技術】公開特許公報を基にして従来技術を説明
する。「プラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法」
（特開平１―１３７５３４号）には、プラズマディスプ
レイパネルの隔壁（リブ）と同一形状に配置された溝を
有する治具を用意して、この治具に隔壁（リブ）形成材
料を充填して、隔壁（リブ）を形成する方法である。

【０００３】また、「プラズマ表示装置用基板及びその
製造方法」（特開平９―１３４６７６号）には、セラミ
ックス又はガラスの粉体とバインダーとの混合物をリブ
用の凹部を有する成形型中に充填して得た成形体と、セ
ラミックス又はガラスからなる背面板とを一体化して成
るプラズマ表示装置用基板とそれを製造する技術が示さ
れている。

【０００４】また、「自立したガラス構造物を製造する
方法」（特開平１０―１０１３７３号）には、自立した
ガラス構造物を製造する方法であって、成形可能なガラ
ス、セラミック、またはガラスセラミックのフリット含
有材料を凹部パターンと接触させ、それによって、該フ
リット含有材料を所望の自立した構造物の形状に形成
し、該形状を維持するのに十分に該フリット含有材料を
固化させる各工程からなることを特徴とする自立したガ
ラス構造物を製造する方法が示されている。

【０００５】従来技術には、プラズマディスプレイパネ
ル上に形成する厚膜パターンについて型ロールを用いて
連続的に成形する技術について記載されていない。この
為にプラズマディスプレイパネルのリブのみを従来技術
に示される型ロール等で安価に製造することはできて
も、他の厚膜パターンは別の製造方法で製造していた
為、生産効率が悪いという第１の問題があった。特に焼
成工程を含めると個々の厚膜パターン毎に焼成するた
め、さらに生産効率が悪かった。

【０００６】また、従来技術には、厚膜パターン成形用
の型ロール上に形成したアライメントマークを用いて、
型ロールの位置制御を行う技術については示されていな
い。もちろん、楔形のアライメントマークを検出して制
御する技術は示されていない。この為、プラズマディス
プレイパネルの同一の面側に複数の膜厚パターンを成形
する時に各膜厚パターンの位置がずれてしまうという
（又は、高精度化に対応できないという）第２の問題点
があった。また、楔形のアライメントマークを用いてい
ない為、マークの縦横の位置情報の同時検出ができなか
った。

【０００７】また、従来技術には、膜厚パターン材料の
供給に関して、前記膜厚パターン材料の液面の位置情報
（液面レベル）に基づいて前記膜厚パターン材料の供給
を制御する技術は示されていない。この為、膜厚パター
ン材料の供給をオペレータが常に気にしていないと、気
が付かない内に前記膜厚パターン材料がなくなってしま
い膜厚パターンの成形ができなくなるという第３の問題
点があった。

【０００８】また、従来技術には、ブレードで形成され
る供給部に保持された膜厚パターン材料をかき混ぜる技
術は示されていない。この為、前記膜厚パターン材料を
放置しておくと、前記膜厚パターン材料の表面が硬化す
るという第４の問題点があった。また、型ロールの回転
軸方向に沿って、前記膜厚パターン材料の使用量が異な
る場合は、前記膜厚パターン材料をかき混ぜることによ
り前記膜厚パターン材料の液面レベルを均一化する必要
がある。これを行わないと膜厚パターン材料の使用量が
多いところでは、膜厚パターン成形に必要な膜厚パター
ン材料量が供給されない場合が発生する。

【０００９】これらの問題点の為、従来技術では高精度
で微細なピッチを有する４０インチ以上の大型のプラズ
マディスプレイパネルを簡単な工程で、安価に、生産効
率よく、そして、高精度に製造することは困難であっ
た。

【００１０】今後、プラズマディスプレイパネルの低価
格化および高精細化に対応する為には、プラズマディス
プレイ用の基板上に形成される種々の厚膜パターンの低
価格化および高精細化が必須となっていく。この為に、
上記問題点を解決する手段が求められている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点に鑑みてなされたものであって、プラズマディス
プレイパネルの低価格化および高精細化に対応するプラ
ズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法を提
供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造装置は、プラズマディスプレイ用の
基板上に電極の厚膜パターンを成形する為の第１の型ロ
ールと、当該基板の同一の面側にリブの厚膜パターンを
成形する為の第２の型ロールと、第１の型ロールに対応
して電極の厚膜パターン材料を供給する第１の供給部
と、第２の型ロールに対応してリブの厚膜パターン材料
を供給する第２の供給部と、を有することを特長とす
る。

【００１３】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置は、プラズマディスプレイ用の基板の同一
の面側に複数の厚膜パターンを成形する為の複数の型ロ
ールと、当該型ロールに対応して厚膜パターン材料を供
給する供給部と、を有するプラズマディスプレイパネル
の製造装置であって、初めに成形する厚膜パターンの型
ロールの凹部の深さが、後に成形する厚膜パターンの型
ロールの凹部の深さより浅いことを特徴とする。

【００１４】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置は、第１の型ロールと、当該第１の型ロー
ルに基づいて成形された第１の厚膜パターンを硬化させ
る第１の硬化部と、第２の型ロールと、当該第２の型ロ
ールに基づいて成形された第２の厚膜パターンを硬化さ
せる第２の硬化部とを順番に設けたことを特徴とする。

【００１５】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置は、プラズマディスプレイ用の基板の同一
の面側に少なくとも２種類の厚膜パターンを成形する為
の型ロールと、厚膜パターン材料を型ロールに供給する
供給部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造
装置であって、第１の厚膜パターンを成形するアライメ
ントマーク付き第１の型ロールと、当該マークを検出す
る第１の検出部と、第２の厚膜パターンを成形するアラ
イメントマーク付き第２の型ロールと、当該マークを検
出する第２の検出部と、両検出部からの信号に基づいて
第１または第２の厚膜パターンを成形する型ロールを制
御する制御部と、当該制御部からの信号に基づいて第１
または第２の厚膜パターンを成形する型ロールを制御す
る制御機構とを有することを特長とする。

【００１６】さらに、アライメントマークが楔形アライ
メントマークであることが望ましい。

【００１７】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置は、プラズマディスプレイ用の基板の同一
の面側にそれぞれ異なる厚膜パターンを成形する為の少
なくとも２種類の型ロールと、当該型ロールにより前記
基板上に順次成形されたそれぞれ異なる厚膜パターンを
同時に焼成する焼成部と、を有することを特長とする。

【００１８】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置は、プラズマディスプレイ用の基板の同一
の面側に少なくとも２種類の厚膜パターンを成形する為
の型ロールと、厚膜パターン材料を型ロールに供給する
供給部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造
装置であって、厚膜パターン材料を型ロールに供給する
供給部の近傍に設けた厚膜パターン材料の液面の位置情
報を検出する検出部と、前記液面の位置情報に基づいて
前記供給部に厚膜パターン材料の供給を制御する制御部
とを有することを特長とする。

【００１９】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置は、プラズマディスプレイ用の基板の同一
の面側に少なくとも２種類の厚膜パターンを成形する為
の型ロールと、厚膜パターン材料を型ロールに供給する
供給部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造
装置であって、厚膜パターン材料を型ロールに供給する
供給部の近傍に設けた厚膜パターン材料をかき混ぜるか
き混ぜ棒と、所定の制御信号に基づいて前記かき混ぜ棒
を駆動する駆動部と、を有することを特長とする。

【００２０】さらに、かき混ぜ棒を駆動する為の所定の
信号は、型ロールの回転軸方向に沿って配置された、厚
膜パターン材料の液面の位置情報を検出する複数の検出
部からの信号に基づいた制御信号であることが望まし
い。

【００２１】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、少なくとも２種類の型ロールを用いて
プラズマディスプレイ用の基板の同一の面側にそれぞれ
異なる厚膜パターンを成形する為のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法であって所望の膜厚で第１の厚膜パ
ターンを成形する第１の工程と、第１の膜厚パターンよ
り厚い膜厚で第２の厚膜パターンを成形する第２の工程
とを有することを特徴とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態の例を図
面を参照して詳細に説明する。

【００２３】図１は、本発明の実施の形態の例に係るプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置を示す図である。
図１において、１は、プラズマディスプレイパネルの電
極である第１の厚膜パターンを形成する第１の型ロール
である。２は、プラズマディスプレイパネルのリブであ
る第２の厚膜パターンを形成する第２の型ロールであ
る。これらの型ロールには凹部が形成されており、この
凹部により厚膜パターンの成形を行う。４は、厚膜パタ
ーン材料を保持しながら、型ロールの凹部に厚膜パター
ン材料を供給して充填するブレードである。

【００２４】このように型ロール１、２に厚膜パターン
材料を供給する供給部は、ブレード４とこのブレードの
側面に図示しない側板とにより構成される。このように
構成される前記供給部の液溜めに厚膜パターン材料を溜
めて、前記ブレードに接するように位置する型ロールに
供給して充填している。そして、前記材料がブレード４
等からこぼれ落ちたり、垂れたりした場合に下側にある
基板Ｇや各種設備に付着しないように受け皿を前記供給
部の下側に配置するとよい。

【００２５】５は、型ロールにより基板Ｇ上に形成され
た厚膜パターンを所望の形で硬化させる硬化部である。
厚膜パターンが紫外線で硬化させる場合、硬化部５は、
紫外線照射装置である。型ロール１、２において成形し
た電極やリブを基板Ｇ上に形成した後、紫外線硬化材料
である厚膜パターンに紫外線を照射することにより前記
厚膜パターンを所望の形にて硬化させる。ここで、紫外
線照射装置が照射する紫外線が周囲に漏れて供給部等に
ある厚膜パターン材料を硬化させないように遮光板を設
けておく。図１では、硬化部５の中心の「○」の図形は
紫外線光源をイメージし、周囲の「コ」の字型の図形は
遮光板をイメージしている。もちろん、紫外線硬化に限
定するものではない。

【００２６】さらに、第１の厚膜パターンを硬化した
後、誘電体層を第１の厚膜パターン上に積層する方が、
積層により第１の厚膜パターンが変形しないのでよい。
また、誘電体層を硬化した後、第２の厚膜パターンを誘
電体層上に積層する方が、積層により第２の厚膜パター
ンが転倒しないのでよい。また、第１の厚膜パターン
（電極）が厚いとその上に形成した誘電体層に凹凸が発
生する。この為、誘電体層の上に形成する第２の厚膜パ
ターン（リブ）が転倒しやすくなる。よって、型ロール
の凹部の深さは、初めに成形する厚膜パターンの型ロー
ルの凹部の深さが、後に成形する厚膜パターンの型ロー
ルの凹部の深さより浅い方がよい。

【００２７】６は、基板Ｇ上に形成した第１の厚膜パタ
ーン（電極パターン）の上に誘電体層を積層する為のダ
イヘッド（塗布装置）である。７は、型ロールに形成し
た位置合わせマーク（アライメントマークとも呼ぶ）を
検出するマーク検出器である。各型ロール１、２の両側
に設けてある。これらの位置合わせマークを検出して第
１の型ロールと第２の型ロールの位置合わせを行う。こ
れにより製造時に第１の厚膜パターンである電極と第２
の厚膜パターンであるリブとの位置関係がずれることな
く所望の位置関係で正確に製造できる。８は、厚膜パタ
ーン材料の保持量をチェックする為のレベルセンサであ
る。供給部であるブレード４の上方に設け、ブレード４
の中央と両側に設けてある。これにより厚膜パターン材
料が不足してきたら警報を出したり、自動的に材料の補
充等を行えばよい。９は、基板検出器であり、ダイヘッ
ドの手前に設けてある。これにより、基板Ｇの検出後、
基板Ｇとダイヘッドとの相対的な移動のタイミングに合
わせながら、基板Ｇがダイヘッドの下に到達した時点で
誘電体層の材料の塗布を開始する。そして、所定の時間
経過後、塗布を停止する。これにより必要量だけ誘電体
を塗布できる。

【００２８】１０は、第１、２の型ロール１、２とダイ
ヘッド６等を一体化している多層厚膜形成ユニット１０
である。この形成ユニット１０は基板Ｇに対して相対的
に移動することで各厚膜パターンを基板Ｇ上に形成す
る。つまり、形成ユニット１０を固定しておいて基板Ｇ
を移動しながら厚膜パターンを形成してもよいし、逆
に、基板Ｇを固定しておいて形成ユニット１０を移動し
ながら厚膜パターンを形成してもよい。いずれも、前者
の場合は、型ローラ１、２の回転タイミングと基板Ｇの
搬送タイミングとは同期して駆動する。後者の場合は、
型ローラ１、２の回転タイミングと多層厚膜形成ユニッ
ト１０の移動タイミングとは同期して駆動する。

【００２９】プラズマディスプレイ用の基板Ｇには、３
ｍｍ厚のソーダライムガラス基板を用いる。この他、１
ｍｍ〜１０ｍｍの厚みで透明または半透明のガラス板、
セラミック板、結晶化ガラス板、ソーダライムガラス
板、磁器基板などを用いることができる。特に、焼成す
る時に変形等のゆがみを起こさない高ひずみ点ガラス板
は、高精細のプラズマディスプレイパネルを効率よく生
産するのに適している。

【００３０】第１の厚膜パターンである電極材料とし
て、平均粒径０．０１〜２μｍ程度、より好ましくは平
均粒径０．０３〜１μｍ程度の導電粒子（具体的には、
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ等の粉体の
単独又は混合物）等を含む厚膜パターンの材料を用い
る。また、粉体の凝集をおさえる為、粉体に表面処理を
したり、凝集防止剤または分散剤を厚膜パターン材料に
入れると上記効果がより大きくなる。さらに、厚膜パタ
ーン材料にガラス粉体を入れることによりガラス基板と
の密着性を良くすることができる。

【００３１】誘電体の材料としては、ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 系の誘電体材料のように実質的に酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）を主成分とする低融点ガラスである。これに所定
量の導電材料の粒子が混入するとよい。具体的な比率
は、導電材料粒子と酸化鉛（ＰｂＯ）との重量比で１０
０：１〜５程度がよい。導電粒子を混入した事により、
誘電体としての性質を実質的には維持したまま、膜厚方
向の導電性の性質を持つことになる。その結果、誘電体
層上に蓄積される電荷は、混入されている導電材料の粒
子を介して常時少量づつ電極にリークして、偶発放電や
ラッチアップの原因となる蓄積電荷を適度に除くことが
できる。

【００３２】ここで混入する導電材料の粒子としては、
平均粒径０．１〜２０μｍ程度のＣｒ、Ｎｉ等の酸化し
にくい金属材料が使用できる。誘電体層の形成プロセス
での焼成の工程などで導電材料粒子の表面が酸化される
のは、そのリーク作用をなくすことになり好ましくない
からである。又は、導電性酸化物（酸化インジウム（Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ）、酸化すず（ＳｎＯ2 ）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）等の金属酸化物に不純物をドープした半導体が有
用である。）を使用するとさらに酸化されて導電性が失
われることがほとんどないのでよい。

【００３３】第２の厚膜パターンであるリブ材料とし
て、平均粒径０．１〜２０μｍ程度、より好ましくは平
均粒径０．５〜３μｍ程度のセラミックス粒子（具体的
には、アルミナ、ジルコニア等の粉体の単独又は混合
物）または、ガラス粒子（具体的には、ケイ酸塩を主成
分とし、鉛、硫黄、セレン等の粉体の単独又は混合物）
としては、等を含む厚膜パターンの材料を用いる。ま
た、粉体の凝集をおさえる為、粉体に表面処理をした
り、凝集防止剤または分散剤を厚膜パターン材料に入れ
るとよい（具体的には、ポリエチレングリコールエーテ
ル等の界面活性剤を添加）。さらに、厚膜パターン材料
の接着性向上のために、シランカップリング剤やチタネ
ートカップリング剤等を用いることができる。

【００３４】これらの電極材料、誘電体材料、リブ材料
に添加する有機性添加物としては、尿素樹脂、メラミン
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、エボナイト、
ポリシロキ酸シリケート等が挙げられる。そして、これ
らの有機性添加物を反応硬化させる手段としては、加熱
硬化、紫外線照射硬化、Ｘ線照射硬化、電子線照射硬化
等がある。さらに、バインダーには硬化反応促進剤また
は重合開始剤等と称される硬化触媒を添加することがで
きる。

【００３５】図１に示してはいないが、位置合わせマー
ク（アライメントマークとも呼ぶ）が、型ロール１、２
の両端にそれぞれ１個ずつ形成されている。この位置合
わせマークの形状は、「十」字型の位置合わせマークで
も「ー」字型の位置合わせマークでもよいが、特に楔形
の位置合わせマークが利用上便利である。マーク検出器
７は、前記位置合わせマークを検出する為の検出部であ
る。そして、マーク検出器７は、位置合わせマークが前
記検出器７の前を通過するタイミングを検出する。

【００３６】この他、図１には記載していないが、型ロ
ール１、２と前記マーク検出器７との距離を計測する為
の距離センサがマーク検出器７に隣接して設けてある。
前記距離が異なると前記マーク検出器７でのタイミング
検出に誤差がでる為、距離センサでマーク検出器７と型
ロール１、２との距離を一定に調整する。この距離セン
サで前記距離を計測するタイミングは、型ロール１、２
上に形成された位置合わせマークが前記マーク検出器７
の前を通過するタイミングに合わせて計測するのがよ
い。これに基づいて型ロール１、２の位置を制御して前
記距離を所定値にすると、型ロール１、２の中心が偏心
していても常に位置合わせマークとマーク検出器７との
距離が所定値になるため、前記検出器７でのタイミング
検出に誤差はでない。

【００３７】なお、型ロール１、２の位置制御は、これ
らの各検出器や図２に示す位置制御機構によりガラス基
板Ｇの一方の面に順次積層成形される厚膜パターンの位
置合わせ制御を行う。具体的には、図２、図３等を用い
て後述する。また、厚膜パターンを成形する型ロール
１、２の位置合わせ制御のよる移動により、それぞれの
型ロール１、２と、それぞれに対応したブレード４等に
より構成された厚膜パターン材料の供給部との位置関係
が少しずれる為、前記供給部も型ロールに併せて移動で
きる機構にしてある。

【００３８】型ロール１、２に厚膜パターン材料を供給
する供給部には、この厚膜パターン材料を溜めてあり、
供給部の近くには、当該厚膜パターン材料の液面の位置
情報（または、液面のレベル）を検出するレベルセンサ
８と、このセンサ８からの信号に基づいて厚膜パターン
材料を供給する供給ノズル（図示せず）とが配置されて
いる。

【００３９】また、図１には示していないが、かき混ぜ
棒が供給部内の前記厚膜パターン材料の供給部の中に前
記棒の先端が差し込まれて配置されている。この棒は、
必要に応じて供給部の中を移動して、厚膜パターン材料
の表面が硬化しないように、または、空気等にふれて膜
が形成されないように前記厚膜パターン材料をかき混ぜ
る。

【００４０】このような図１に示す多層厚膜形成ユニッ
ト１０を用いて基板Ｇの上に所定の厚膜パターンを順次
積層形成する流れを説明する。ここで製造ラインのイメ
ージとしては、図１２（Ａ）である。この図１２（Ａ）
では、前工程よりガラス基板Ｇがローラで搬送され、多
層厚膜形成ユニット１０で後述するように厚膜パターン
を順次積層形成され、ガラス基板上に形成された多層の
厚膜パターンを焼成炉１２１で多層同時焼成を行い、次
工程へこのガラス基板Ｇは搬送されていく。そして、形
成されるプラズマディスプレイパネルの断面図（一部）
を、図１８（Ａ）に示す。この図１８（Ａ）では、ガラ
ス基板Ｇ上に厚さ１０μｍの電極１８１が形成され、そ
の上に厚さ２０μｍの誘電体層が形成され、その上に高
さ１２０μｍのリブが形成されている。ここでは、プラ
ズマディスプレイパネルの厚膜パターンの材料としては
３種類（電極、誘電体層、リブ）とも紫外線硬化樹脂を
用いる。厚膜パターンを形成する基板Ｇはガラス基板で
ある。前記形成ユニット１０は固定で基板Ｇがローラで
搬送される。また、各層の膜厚は初めの層の膜厚より後
の方の膜厚が厚い方が各層のパターン変形や剥がれが無
くてよい。これは、膜厚が焼成時に収縮する為、下側に
形成した層の膜厚が厚いと収縮が大きくなり、大きく変
形する。この為、その上に形成した層が併せて変形しや
すくなったり、剥離しやすくなると考えられる。この
為、型ロールの凹部の深さについては、初めの型ロール
の凹部の深さが後の型ロールの凹部の深さより浅い方が
よい。例えば、第１の型ロール１の凹部の深さが第２の
型ロール２の凹部の深さより浅い方がよい。

【００４１】まず、多層厚膜形成ユニット１０では、ガ
ラス基板の一方の面に第１の型ロール１を用いて第１の
厚膜パターン（電極パターン）を形成する。その後、紫
外線照射装置である硬化部５で第１の厚膜パターンを硬
化する。第１の厚膜パターンを形成したガラス基板が基
板検出器９の下に移動して来たことを検出して、タイミ
ングをとりながら、ダイヘッド６から前記ガラス基板の
上に誘電体層を所定の膜厚で一定時間塗布する。その
後、紫外線照射装置である硬化部５で前記ガラス基板上
の誘電体層を硬化する。すでに第１の厚膜パターンと誘
電体層が形成されたガラス基板の面と同じ側に第２の型
ロール２を用いて第２の厚膜パターン（リブパターン）
を形成する。その後、紫外線照射装置である硬化部５で
第２の厚膜パターンを硬化する。ここで用いる２つの型
ロール１、２は、それぞれの型ロール上に形成された位
置合わせマーク（利用したのは、楔型マーク）をマーク
検出器７により検出して、そのマーク検出タイミング等
が一致するように図示していない型ロール用の位置制御
機構で制御してある。これらによりガラス基板上に順次
積層形成される複数の厚膜パターンの位置が所定位置に
決めることができ、良品を製造できる。

【００４２】そして、ガラス基板上に厚膜パターンであ
る電極、誘電体層、リブが順次積層形成された後、この
ガラス基板を焼成炉１２１にて３層同時焼成する。この
焼成炉は、昇温処理部、恒温処理部、徐冷処理部、急冷
処理部から構成される。焼成炉に投入されたガラス基板
は、まず昇温処理部にて搬送されながら徐々に６００℃
まで昇温される。その後、恒温処理部にて搬送されなが
ら一定時間、一定温度６００℃で保持される。そして、
徐冷処理部にて搬送されながら徐々に４００℃まで冷却
される。その後、急冷処理部にて搬送されながら常温ま
たは、その近くの温度まで急激に冷却される。そして、
厚膜パターンを形成された基板は焼成されて次工程に搬
送される。

【００４３】図２は、本発明の実施の形態の例に係るプ
ラズマディスプレイパネルの厚膜パターンの型ロールの
位置制御機構を示す図である。

【００４４】型ロール２９用の位置制御機構は、固定部
２１により多層厚膜形成ユニット１０のフレームに固定
する。前記位置制御機構の要素は、固定部２１に対し
て、型ロールの回転軸方向に型ロールを移動するＹ方向
移動部２２、Ｙ方向に直交して水平方向に移動するＸ方
向移動部２３、Ｙ方向に直交して上下方向に移動するＺ
方向移動部２４、型ロールの回転軸方向に移動する回転
方向移動部２５より構成される。これらの各移動部は図
示しないモータで移動制御する。ここでの位置制御機構
は、型ロール２９の片側にのみ設置されており、１ミク
ロンから２ミリ程度のわずかな変位しか調整はできな
い。もちろん、これに限る必要はなく、型ロールの両側
に位置制御機構を設けてもよいし、各移動部の移動量も
大きくして大きな変位に対応できるようにしてもよい。

【００４５】型ローラ２９の両脇には、第１のクラッチ
２７と第２のクラッチ２６があり、型ローラ２９と２つ
のクラッチとの接続を外すと型ローラが自由に回転がで
きるようになる。これにより、型ローラ２９を交換する
場合にはクラッチ２６、２７との接続を外して交換す
る。また、型ロール２９を回転駆動する為の駆動モータ
２８は第１のクラッチ２７を介して前記型ロール２９に
接続する。型ローラの駆動モータでなく、駆動用のメイ
ンシャフトに接続されていてもよい。また、回転方向移
動部２５に接続された回転軸が、第２のクラッチ２６を
介して型ロール２９に接続している。

【００４６】図３は、本発明の実施の形態の例に係るプ
ラズマディスプレイパネル用の厚膜パターンの型ロール
の位置制御のアルゴリズムを示す図である。具体的に
は、図１に示すプラズマディスプレイパネルの製造装置
において、マーク検出器等を用いて図２に示す型ロール
の位置制御機構を用いて位置制御するアルゴリズムであ
る。

【００４７】各型ロール１、２、３（ここでは、後述す
る図１６に示すように、各型ロールを３種類使用する場
合もあるので型ロール３についても加えてある）の両端
の近傍には、第１のセンサ４１、第２のセンサ４２を配
置する。第１のセンサは、マーク検出器ＳＮ１と距離セ
ンサＳＤ１により構成される。第２のセンサは、マーク
検出器ＳＮ２と距離センサＳＤ２により構成される。

【００４８】第１ステップ（Ｓ１）として、図４（ａ）
に示すように各型ロールにおいて、マーク検出器ＳＮ
１、ＳＮ２が型ロールに形成された位置合わせマークＭ
（楔型マーク）を検出するタイミングで型ロールの両端
近傍に配置した２つの距離センサＳＤ１、ＳＤ２を用い
て、距離センサと型ロール表面との距離を計測する。こ
の結果は、距離センサＳＤ１では、距離ｄ０となり、距
離センサＳＤ２では、距離ｄ１となる。そして、前記結
果に基づいて、図２に示した型ロール３の位置制御機構
により距離センサと型ロール表面との距離を予め設定し
た所定値にする。ここでは図４（ｂ）に示すごとく、第
１のセンサ４１と型ロールの表面との距離ｄ０に合わせ
るように、Ｘ方向制御を行って、第２のセンサ４２と型
ロールの表面との距離ｄ１を所定値ｄ０にする。プラズ
マディスプレイパネルの厚膜パターン成形する第１、第
２等の各型ロールで同時に行うと時間が短縮できてよ
い。

【００４９】第２ステップ（Ｓ２）として、図５（ａ）
に示すように距離センサと型ロール表面との距離は所定
値ｄ０になっている状態で、各型ロールの両端に形成し
てある２つの位置合わせマークＭ（楔型マーク）をマー
ク検出器ＳＮ１、ＳＮ２を用いて検出する。楔型マーク
は、傾斜線と水平線とから構成される。つまり、図５
（ｂ）のごとく型ロールの両端（左右）に形成した楔型
マークの水平線をマーク検出器ＳＮ１、ＳＮ２を用いて
検出する。この時、当該検出器が検出した前記水平線の
検出タイミングの差ｔ１がＺ方向の検出タイミングズレ
となる。マーク検出センサＳＮ１、ＳＮ２で前記水平線
の検出タイミングを検出しながら、前記検出タイミング
ズレを０にするように、図２に示した型ロールの位置制
御機構によりＺ方向制御を行う。そして、図５（ａ）に
示すように検出タイミングズレを０にする。。プラズマ
ディスプレイパネルの厚膜パターン成形する第１、第２
等の各型ロールで同時に行うと時間が短縮できてよい。

【００５０】上記Ｓ１、Ｓ２では、個々の型ロールで位
置検出、位置制御を実行した。第３ステップ（Ｓ３）と
して、図６（ａ）に示す第１の型ロール１と、当該型ロ
ール上に形成した楔型マークＭの水平線を図示していな
いマーク検出器７で検出して、検出タイミングを検知す
る。その検知ラインを第１の検知ライン６１として波線
で示す。同時に、図６（ｂ）に示す第２の型ロール２
と、当該型ロール上に形成した楔型マークＭの水平線を
図示していないマーク検出器７で検出して、検出タイミ
ングを検知する。その検知ラインを第２の検知ライン６
２として波線で示す。この図６（ｂ）に第１の型ロール
１の検知ライン６１に対応するタイミングライン６３を
示す。第１の型ロール１の検知ライン６１に対応するタ
イミングライン６３と第２の型ロール２の検知ライン６
２とを比較する。この結果、第１型ロールと第２型ロー
ルとのマーク検出タイミング差（時間差）Ｔが生じてい
る。２つの型ロール１、２の回転方向のマーク検出タイ
ミングを一致するようにする為に、一方の型ロールの回
転方向の位置制御を行う。型ロール１の回転制御を行っ
ても良いが、ここでは型ロール２の第２の検知ラインが
型ロール１の第１の検知ラインに合うように、型ロール
２の回転方向の位置制御を行う。これにより、図６
（ｃ）に示すごとく２つの型ロール１、２のマーク検出
タイミング差（時間差）Ｔを０にする。この回転方向の
位置制御は図２に示した型ロールの位置制御機構により
行う。この時、図２に示す駆動モータ２８と型ロール２
９とを接続する第１のクラッチ２７は一時的に外して回
転方向制御を行う。

【００５１】第４ステップ（Ｓ４）として、図７（ａ）
に示す第１の型ロール１において、当該型ロール上に形
成した楔型マークＭの傾斜線と水平線との間隔を、図示
していないマーク検出器７を用いて、マーク検出器７
（ＳＮ１）の検出ラインＳＬに従いながら検出する。同
時に、図７（ｂ）に示す第２の型ロール２において、当
該型ロール上に形成した楔型マークＭの傾斜線と水平線
との間隔を、図示していないマーク検出器７を用いて、
マーク検出器７（ＳＮ２）の検出ラインＳＬに従いなが
ら検出する。それぞれの間隔をｔ０、ｔ２とする。ここ
では、各型ロール用のマーク検出器７の検出ラインＳＬ
は同一のラインとみなす。その後、第１、第２の型ロー
ル１、２の楔型マークＭの傾斜線と水平線との間隔（共
に一定回転速度であれば検出時間としてもよい。）ｔ
０、ｔ２を比較して、予め設定した所定値ｔ０にする。
つまり、図２に示した型ロールの位置制御機構によりＹ
方向制御を行って図７（ｃ）に示すように楔型マークＭ
の傾斜線と水平線との間隔ｔ２を予め設定した所定値ｔ
０にする。ここで、マークＭと厚膜パターンがずれてい
る場合（このズレをｄｔ０とする）もあるので、上記所
定値はｔ０に限らず、ｔ０＋ｄｔ０としてマークＭと厚
膜パターンとのずれを考慮する場合もある。

【００５２】図８は、厚膜パターンを成形する第１、第
２の型ロール１、２と、当該型ロール上に形成した位置
合わせマーク８３、８４と、当該マークを検出するそれ
ぞれの検出部（第１、第２、第３、第４のセンサ）と、
各検出部からの信号に基づいて第１または第２の型ロー
ルを制御する制御部８５と、当該制御部からの信号に基
づいて第１または第２の型ロールを制御する制御機構
（モータ／移動位置検出部、Ｘ、Ｙ、Ｚ、回転方向移動
部２３、２２、２４、２５）とを有するプラズマディス
プレイパネルの製造装置を示した図である。

【００５３】第１の型ロール１と第２の型ロール２の両
端に楔型マーク８３、８４を形成してある。これらの型
ロール両端の近傍には楔型マークを検出するセンサ（マ
ーク検出器ＳＮ１、ＳＮ２、ＳＮ３、ＳＮ４）と型ロー
ルとの距離を測定するセンサ（距離センサＳＤ１、ＳＤ
２、ＳＤ３、ＳＤ４）を設けている。これらのセンサの
信号を検出回路８６で検出し後、比較回路８７で２つの
センサの信号の比較を行って変位量を検出する。その
後、図２で示した位置制御機構のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方
向、回転方向の各制御を行う各移動部へ対して、前記変
位量に基づいた図３（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）で示し
たアルゴリズムで制御を行う。つまり、モータ駆動部８
８にて前記変位量に基づいた演算を行って各移動部２
３、２２、２４、２５用のモータを駆動する。この時、
各移動部の移動量を検出する移動位置検出部からの信号
を監視しながら必要な移動量のみ移動する。

【００５４】図９は、本発明の実施の形態の例に係る厚
膜パターン材料（一例として、紫外線硬化樹脂を使用）
の液面の位置情報検出部と供給ノズルとを示す平面図と
断面図である。図９（ａ）は、平面図であり、図９
（ｂ）は、平面図のＡ−Ａ断面図を示す図である。

【００５５】型ロール１、２、３（ここでは、後述する
図１６に示すように、各型ロールを３種類使用する場合
もあるので型ロール３についても加えてある）に厚膜パ
ターン形成材料を供給する供給部は、ブレード４とこの
ブレードの側面に配置される側板９４５により構成され
る。このように構成される前記供給部の液溜め９４に厚
膜パターン形成材料を溜めて、前記ブレード４に接する
ように位置する型ロールに供給している。この供給部の
近傍に設けた厚膜パターン形成材料の液面の位置情報を
検出する検出部としてレベルセンサ８が型ローラの回転
軸方向に３台配置されている。併せて前記検出部に隣接
して供給ノズル９０がそれぞれ配置されている。

【００５６】前記レベルセンサ８による液面の位置情報
に基づいた検出信号が制御装置９１に送信され、前記検
出信号に基づいて制御装置９１にて演算される。制御装
置９１は、この演算結果に基づいて制御信号をバルブ９
２に送信する。これにより、配管９３からバルブ９２を
通過して供給ノズル９０から液溜め９４へ供給される厚
膜パターン形成材料の量を制御する。これらの検出や制
御は、型ローラの回転軸方向で個々に実行されるため、
厚膜パターン形成材料の使用量の多いところがあるよう
な場合には、使用量の多いところに必要な量を供給でき
る。これにより、前記厚膜パターン形成材料の使用量に
より生じる液面の凸凹を均一化でき、部分的に前記厚膜
パターン形成材料がなくなる問題を防止できる。

【００５７】図１０は、本発明の実施の形態の例に係る
厚膜パターン形成材料（一例として、紫外線硬化樹脂を
使用）のかき混ぜ棒を示す断面図と平面図である。図１
０（ａ）は、図１０（ｂ）に示す平面図の中のＢ−Ｂ断
面図であり、図１０（ｂ）は、型ローラ等の一部を切り
取った平面図を示す図である。

【００５８】厚膜パターンを成形する為の型ロール１、
２、３（ここでは、後述する図１６に示すように、各型
ロールを３種類使用する場合もあるので型ロール３につ
いても加えてある）と厚膜パターン形成材料を型ロール
に供給する為の各ブレード４等で構成される供給部に前
記厚膜パターン形成材料が溜められている。この厚膜パ
ターン形成材料の中にかき混ぜ棒１０が入れられてい
る。かき混ぜ棒には、かき混ぜ易いように前記棒のエッ
ジ部を波形状に加工したり、凹凸形状に加工する等の工
夫がされていてもよい。かき混ぜ棒１０はブロック１０
３にネジ等で固定されている。ブロック１０３には、ブ
ロック駆動用のモータとブロックの位置を検出する検出
センサを併せた形で設置したモータ／位置検出センサ１
０１が設けられている。ブロック１０３は、前記モータ
によりガイド棒１０２に従って型ロールの回転軸方向に
移動可能になる。かき混ぜ棒１０のかき混ぜタイミング
は、タイマーにより一定時間毎に液溜め内を３回往復す
る。これらの設定は必要に応じて設定すればよい。前記
棒１０の折り返しの位置は前記位置検出センサにより認
識できるので液溜めの幅（型ローラの回転軸方向）に基
づいて決めれるとよい。

【００５９】また、かき混ぜ棒１０を駆動する為の所定
の信号は、型ロール３の回転軸方向に沿って配置された
複数のレベルセンサ８からの信号に基づいて演算された
制御信号であってもよい。例えば、厚膜パターン形成材
料の液面の位置情報から液面が低下した箇所が発生した
場合のみ、かき混ぜ棒１０を駆動してもよい。また、か
き混ぜ棒１０は、予め設定された位置の間を移動するよ
うに位置検出センサが設けられていることから、前記低
下した箇所の近傍のみ往復してもよい。さらに、これら
と前記タイマーを用いた場合と併用してもよい。

【００６０】図１１は、本発明の実施の形態の例に係る
厚膜パターン形成材料（一例として、紫外線硬化樹脂を
使用）の液面の位置情報検出部と供給ノズルとかき混ぜ
棒のブロック図である。第１の厚膜パターン形成材料供
給ユニット１１１と第２の厚膜パターン形成材料供給ユ
ニット１１２と第３の厚膜パターン形成材料供給ユニッ
ト１１３と厚膜パターン形成材料攪拌ユニット１１４と
で構成されている。

【００６１】第１〜３の厚膜パターン形成材料供給ユニ
ット１１１、１１２、１１３は、レベルセンサ８と、レ
ベルセンサ８からの信号を検出する検出部１１５と、検
出部１１５からの信号に基づいて演算する演算部１１６
と、演算部１１６の信号に基づいて各駆動部へ必要な制
御信号を送信する制御部１１７と、厚膜パターン形成材
料の供給を制御するバルブ９２と、このバルブを前記制
御信号に基づいて駆動するバルブ開閉駆動部１１８とで
構成されている。

【００６２】厚膜パターン形成材料攪拌ユニット１１４
は、かき混ぜ棒１０と、かき混ぜ棒１０をガイド棒に沿
って移動させるモータ１１１１と、かき混ぜ棒１０の移
動位置を検出する位置検出器１１１２と、モータを駆動
する駆動部１１９と、第１〜３の厚膜パターン形成材料
供給ユニット１１１、１１２、１１３の制御部からの信
号を受けるＯＲ回路と、かき混ぜ棒１０を一定時間毎に
駆動する為のタイマー１１１０とで構成される。

【００６３】厚膜パターン形成材料の液面がレベルセン
サ８により低下していると検出されると、検出部１１５
からの信号に基づいて供給すべき厚膜パターン形成材料
の量を演算部１１６にて演算する。そして、演算部１１
６の信号と予め設定した厚膜パターン形成材料の粘性等
のデータとに基づいて制御部１１７にて各駆動部へ必要
な制御信号（例えば、バルブの開閉時間等）を送信す
る。この制御信号に基づいてバルブ開閉駆動部１１８か
らの信号でバルブ９２を必要な時間だけ開閉する。ま
た、この制御信号に基づいて厚膜パターン形成材料攪拌
ユニット１１４の駆動部１１９、モータ１１１１を介し
て、かき混ぜ棒１０を駆動する。かき混ぜ棒１０は、型
ロール３の回転軸方向に沿って配置された複数のレベル
センサ８からのひとつの信号でも所定のレベルより液面
が低下した場合は、液溜め内を３回往復する。この他、
かき混ぜ棒１０は、タイマー１１１０により一定時間毎
に液溜め内を３回往復する。もちろん、かき混ぜ棒１０
の移動位置を検出する位置検出器１１１２によりかき混
ぜ棒１０が側板９５に接触しないように監視している。

【００６４】図１２は、本発明の実施の形態の例に係る
プラズマディスプレイパネルの製造装置を示す図であ
る。図１２（Ａ）は、多層厚膜形成ユニットを固定とし
た場合の装置形態を示し、図１２（Ｂ）は、多層厚膜形
成ユニットを移動する場合の装置形態を示す。図１２
（Ａ）は、既に説明したので、以下、図１２（Ｂ）につ
いて説明する。

【００６５】前工程より搬送されてきたガラス基板Ｇ
は、固定されている定盤１３０の上で吸引されて保持さ
れる。このように吸引保持することにより厚膜パターン
を形成している時にガラス基板Ｇがずれないように保持
される。保持されたガラス基板Ｇの上に多層厚膜形成ユ
ニット１０が移動してきて、ガラス基板上に厚膜パター
ンである電極、誘電体層、リブが順次積層形成する。前
記形成ユニット１０による厚膜形成は、図１２（Ａ）で
述べたプラズマディスプレイパネルの製造装置の場合と
同じである。ガラス基板上に３種類の厚膜を形成した
後、前記形成ユニット１０はガラス基板の上から移動し
て基の位置に戻る。３種類の厚膜パターンが形成された
ガラス基板Ｇでは定盤１３０の吸引が終了する。ガラス
基板Ｇは２段焼成炉１４０に搬送されて２段焼成炉１４
０内にある搬送路１４７上にて停止する。このガラス基
板Ｇは２段焼成炉１４０の焼成処理部１２２に搬送され
て所定の焼成処理をされた後、ガラス基板Ｇは基の搬送
路１４７上に戻ってくる。その後、次工程に搬送され
る。

【００６６】ガラス基板Ｇを固定する定盤１３０につい
て、図１３を用いて説明する。図１３（Ａ）には定盤の
平面図を示し、図１３（Ｂ）には定盤の断面図を示す。

【００６７】図１３（Ａ）の定盤１３０の平面図に示さ
れるように、２種類の大きさのガラス基板Ｇを載置する
ことができるようになっている。この為、各基板の１つ
の角を共通に基準点１３１として第１の基板位置１３
４、第２の基板位置１３５を設けてある。ここでは、縦
方向の基板の位置決め部材１３２が２つと横方向の基板
の位置決め部材１３３が１つで各基板が所定の位置にな
るように位置を決める。もちろん、２種類の基板に限ら
ない。また、各位置決め部材１３２、１３３は円柱体で
ある為、ガラス基板との接点が３点で決まる。この為、
線で基板Ｇと接する直方体の場合より、基板の位置が決
めやすい。さらに、位置決め部材１３２、１３３で位置
決め時に、位置決め部材１３２が２個、位置決め部材１
３３が１個と決めた。この数より多く用いると位置決め
部材の位置を調整するのが難しくなる。この為、基板の
大きさにより位置決めした位置が変化する場合がでてく
る。さらに、これらの基板が固定できるように、各基板
の大きさに対応して使い分ける第１の吸引溝１３７、第
２の吸引溝１３８、第３の吸引溝１３９と各溝に対応し
た複数の吸引孔１３１０とが設けられている。

【００６８】図１３（Ｂ）には、定盤に加工された第１
の吸引溝１３７、第３の吸引溝１３９と複数の吸引孔１
３１０の断面図を示してある。このように、吸引溝の底
面に吸引孔が加工されている。そして、第１の基板位置
１３４に基板が載置された場合は、第１の吸引溝１３７
と第２の吸引溝１３８とが選択されて、これらの吸引溝
１３７、１３８に対応した吸引孔１３１０が選択されて
第１の基板位置に載置された基板Ｇを吸引し保持、固定
する。同様に、第２の基板位置１３５に基板Ｇが載置さ
れた場合は、第１の吸引溝１３７と第３の吸引溝１３９
とが選択されて、これらの吸引溝１３７、１３９に対応
した吸引孔１３１０が選択されて第２の基板位置に載置
された基板Ｇを吸引し固定する。

【００６９】所定の膜厚パターンが形成された基板を焼
成する２段焼成炉１４０について、図１４を用いて説明
する。ここでは、焼成時にガラス基板は変形してしまう
為、ガラス基板を耐熱基板の上に搭載して焼成する。図
１４（Ａ）は２段焼成炉の構成を示し、図１４（Ｂ）は
焼成時の温度プロファイルを表示している。

【００７０】ガラス基板上に厚膜パターンである電極、
誘電体層、リブが順次積層形成された後、このガラス基
板を２段焼成炉１４０にて３層同時焼成する。この焼成
炉は、昇温処理部１４１、恒温処理部１４２、第１のエ
レベータ部１４３、徐冷処理部１４４、急冷処理部１４
５、第２のエレベータ部１４６から構成される。第１の
エレベータ部１４３では、徐冷処理部１４４と同様に徐
冷処理する。または、恒温処理を行ってもよい。第２の
エレベータ部１４３は常温であるが、急冷処理部１４５
と同様に急冷処理してもよい。

【００７１】焼成炉に投入されたガラス基板は、まず昇
温処理部１４１にて搬送されながら図１４（Ｂ）に示す
ように徐々に６００℃まで昇温される。その後、恒温処
理部１４２にて搬送されながら図１４（Ｂ）に示すよう
に一定時間、一定温度６００℃で保持される。そして、
徐冷処理部１４４にて搬送されながら図１４（Ｂ）に示
すように徐々に４００℃まで冷却される。その後、急冷
処理部１４５にて搬送されながら図１４（Ｂ）に示すよ
うに常温または、その近くの温度まで急激に冷却され
る。厚膜パターンを形成された基板は、このように焼成
されて次工程に搬送される。

【００７２】図１５（Ａ）には、型ロールに加工された
厚膜パターンの型１５１を正面からみた図と、図１５
（Ｂ）には、図１５（Ａ）の側面からみた図を示す。こ
こでは、型ロールを保持する回転軸は省略する。

【００７３】図に示すように、型ロールの各型の側面が
傾斜面１５２を有する為、凹版の型に充填された厚膜パ
ターン形成材料が型から離型しやすくなる。型の中に充
填された厚膜パターン形成材料が型の内部に残存しない
ために厚膜パターンの所定の膜厚が得られる。また、、
図１５（Ｂ）に示すように厚膜パターンの端の部分は、
型のとぎれ部１５３のように形成する。また、このよう
に型を型ロールの回転軸方向と同じ方向に直線状の型が
形成されていない場合には、ブレードで塗布充填しやす
くて良い。逆に、型を型ロールの回転軸方向と同じ方向
に直線状の型が形成されている場合には、ブレードでな
く塗布充填ロールを用いるとよい。また、型内に厚膜パ
ターン形成材料が若干残存してもよいのであれば、必ず
しも型の側面が傾斜面１５２を有しなくてもよいし、部
分的に傾斜面１５２を有してもよい。

【００７４】図１６は、本発明の実施の形態に係るプラ
ズマディスプレイパネルの別の製造装置を示す。概ね図
１と同じであるが、図１では誘電体層を形成するダイヘ
ッド６があったが、図１６では型ロールを用いている。
このようにすることにより誘電体層も所望の厚膜パター
ンで形成することができる。

【００７５】多層厚膜形成ユニット１０は、第１、２、
３の型ロール１、２、３を一体化している。この形成ユ
ニット１０は基板Ｇに対して相対的に移動することで各
厚膜パターンを基板Ｇ上に形成する。つまり、形成ユニ
ット１０を固定しておいて基板Ｇを移動しながら厚膜パ
ターンを形成してもよいし、逆に、基板Ｇを固定してお
いて形成ユニット１０を移動しながら厚膜パターンを形
成してもよい。いずれも、前者の場合は、型ローラ１、
２、３の回転タイミングと基板Ｇの搬送タイミングとは
同期して駆動する。後者の場合は、型ローラ１、２、３
の回転タイミングと多層厚膜形成ユニット１０の移動タ
イミングとは同期して駆動される。

【００７６】各型ローラによってガラス基板Ｇ上に厚さ
１０μｍ程度の第１の厚膜パターン（電極）が形成さ
れ、その上に厚さ２０μｍ程度の第２の厚膜パターン
（誘電体層）が形成され、その上に高さ１２０μｍ程度
の第３の厚膜パターン（リブ）が順次積層形成される。
よって、型ロールの凹部の深さは、初めに成形する厚膜
パターンの型ロールの凹部の深さの方が、後に成形する
厚膜パターンの型ロールの凹部の深さより浅い。この
為、転倒しにくくなり生産効率がよくなる。

【００７７】図１７は、本発明の実施の形態の例に係る
プラズマディスプレイパネル用の型ロールの位置制御の
アルゴリズムを示す図である。具体的には、図１６に示
す厚膜形成ユニットのプラズマディスプレイパネルの製
造装置において、型ロールの位置制御を行う第２の位置
制御のアルゴリズムである。

【００７８】まず、第１の型ロール１の両端の近傍に
は、第１のセンサ、第２のセンサを配置する。第１のセ
ンサは、マーク検出器ＳＮ１と距離センサＳＤ１により
構成される。第２のセンサは、マーク検出器ＳＮ２と距
離センサＳＤ２により構成される。そして、第２の型ロ
ールの両端の近傍には、第３のセンサ、第４のセンサを
配置する。第３のセンサは、マーク検出器ＳＮ３と距離
センサＳＤ３により構成される。第４のセンサは、マー
ク検出器ＳＮ４と距離センサＳＤ４により構成される。
そして、第３の型ロールの両端の近傍には、第５のセン
サ、第６のセンサを配置する。第５のセンサは、マーク
検出器ＳＮ５と距離センサＳＤ５により構成される。第
６のセンサは、マーク検出器ＳＮ６と距離センサＳＤ６
により構成される。第１、第２、第３の各型ロールに
は、図２に示す位置制御機構が設けられている。

【００７９】マーク検出器、距離センサ、型ロールの位
置制御機構等を用いて、図１７に示す第２の位置制御の
アルゴリズムによりプラズマディスプレイパネル用の第
１から第３の型ロールの位置合わせを行うことで各厚膜
パターンの位置ずれを防止する。既に述べた第１の位置
制御のアルゴリズムの説明で使用した図も利用して説明
する。

【００８０】第１ステップ（Ｓ２１）として、図４
（ａ）に示すように第１の型ロール１、第２の型ロール
２、第３の型ロール３のそれぞれにおいて、それぞれの
型ロール両側近傍に配置した２つの距離センサ（図４で
は、例として第１、第２のセンサにおけるＳＤ１、ＳＤ
２）を用いて、図４（ｂ）に示すごとくセンサと型ロー
ル表面との距離を所定値（図４では、例として距離ｄ
０）にする。Ｘ方向制御を行い、距離ｄ１をｄ０にす
る。第１の型ロール１、第２の型ロール２、第３の型ロ
ール３におけるＸ方向制御は同時に行うと検出・制御の
処理時間が短縮されてよい。

【００８１】第２ステップ（Ｓ２２）として、図５
（ａ）に示すように第１の型ロール１、第２の型ロール
２、第３の型ロール３のそれぞれにおいて、それぞれの
型ロール両側近傍に配置した２つのマーク検出器を用い
て、楔型マークの水平線の検出タイミングをそれぞれの
型ロールの左右で一致させる。図５（ｂ）のごとくＺ方
向制御を行い、左右のマーク検出タイミングズレｔ１を
０にする。第１の型ロール１、第２の型ロール２、第３
の型ロール３におけるＺ方向制御は同時に行うと検出・
制御の処理時間が短縮されてよい。

【００８２】第３ステップ（Ｓ２３）として、図６
（ａ）の状態の第１の型ロール１と、図６（ｂ）の状態
の第２の型ロール２との楔型マークの水平線を比較し
て、二つの型ロールの回転方向タイミングを同じにする
為に、一方の型ロールの回転方向制御を行い図６（ｃ）
に示すごとく第１型ロールと第２の型ロールとのマーク
検出タイミング差Ｔを０にする。

【００８３】第４ステップ（Ｓ２４）では、第３ステッ
プ（Ｓ２３）と同様のアルゴリズムで第１型ロール１と
第３型ロール３との間でのマーク検出タイミングに基づ
く型ロールの回転方向制御を行う。ここで、第１の型ロ
ールにおけるマーク検出タイミングを基準として、第２
の型ロールと第３の型ロールの検出・位置制御は同時に
行うと時間が短縮できてよい。また、第１の型ロールに
おけるマーク検出タイミングを基準として、第２の型ロ
ールの検出・位置制御を行い、第２の型ロールにおける
マーク検出タイミングを基準として、第３の型ロールの
検出・位置制御を行う場合は、制御の結果に誤差が積算
される可能性があり、好ましくない。また、これらの検
出・位置制御は誤動作の可能性があり、同時に行うこと
は好ましくない。

【００８４】第５ステップ（Ｓ２５）として、図７
（ａ）の状態の第１の型ロール１と図７（ｂ）の状態の
第２の型ロール２との楔型マークの傾斜線と水平線との
間隔を検出する。それぞれ、ｔ０、ｔ２とする。その
後、両者の検出距離（共に一定回転速度であれば時間と
してもよい。）を比較して基準値ｔ０にする為に、Ｙ方
向制御を行い図７（ｃ）とする。ここで、第１の型ロー
ルでの検出値ｔ０は基準値に一致していただけである。

【００８５】第６ステップ（Ｓ２６）では、第５ステッ
プ（Ｓ２５）と同様に第１型ロール１と第３型ロール３
との間での楔型マーク内の傾斜線と水平線の間隔を基準
値ｔ０にするようにＹ方向制御を行う。

【００８６】図１８は、形成されるプラズマディスプレ
イパネルの断面図（一部）を示す。図１８（Ａ）は既に
説明したので、残っている図１８（Ｂ）について説明す
る。

【００８７】図１８（Ｂ）には、電極１８１がガラス基
板Ｇから剥がれにくいように、また、型ロールの表面の
凹凸や型ロールの偏心をある程度をカバー（保証）でき
るようにガラス基板Ｇ上にベタ状に厚さ１０μｍの下地
層１８４を設けてある。下地層の材料はガラス粒子等の
誘電体である。その上に厚さ１０μｍの電極１８１が形
成され、その上に厚さ２０μｍの誘電体層１８２が形成
され、その上に高さ１２０μｍのリブ１８３が形成され
ている。この下地層は、ダイヘッド等で塗布すればよ
い。

【００８８】図１９は、型ロールによりガラス基板Ｇ上
に形成された厚膜パターンを平面に展開したイメージ図
を示す。もちろん、この厚膜パターンに限るわけではな
い。

【００８９】所定の厚膜パターンとして、ガラス基板Ｇ
上に電極１８１の厚膜パターンが形成され、その上に誘
電体層１８２がベタ状の厚膜パターンとして形成され、
その上にリブ１８３の厚膜パターンが形成されている。
平面的に見ると、プラズマディスプレイパネルの表示部
の電極・リブのパターン１９１が基板Ｇの中央部に形成
されている。外部回路との接続の為に設けた端子部の電
極のパターン１９２が基板Ｇの対向する両端部に形成さ
れている。次工程で被形成物である基板Ｇ上に種々の機
能を有する層（例えば、赤・青・緑の蛍光体層）を順次
重ね合わせて多層形成するために用いられる位置合わせ
用のアライメントマーク１９４が基板Ｇの四隅に形成さ
れている。この位置合わせ用のアライメントマーク１９
４は、電極の材料で形成するとよい。リブの材料では、
型ロール形成時にアライメントマークの型のみ浅く形成
する方が基板の取り扱い中に剥がれないのでよい。誘電
体層では、ダイヘッドでは形成できない。もちろん、誘
電体層も型ロールで形成すれば可能である。

【００９０】図２０は、本発明の実施の形態に係る平型
を装着するロールを示す図である。型ロール１、２、３
は、ロールの表面にバイトや化学腐食等で型である凹部
を加工するだけでなく、平型を加工してロールに装着し
て利用しても良い。

【００９１】２０１は、平型装着ロールである。これに
平型２０５を巻き付けて固定する。２０２は、平型２０
５をこのロール２０１に装着するための差込スリットで
ある。２０３ａ、２０３ｂは平型を固定するための固定
部材である。平型の一方の辺を円柱形の固定部材２０３
ａに形成されているスリットに差込む。そして、固定部
材２０３ａを時計回りに回転させて平型２０５の一方の
辺を固定する。次に、平型の他方の辺を円柱形の固定部
材２０３ｂのスリットに差込む。そして、固定部材２０
３ｂを半時計回りに回転させて他方の辺を固定する。こ
れにより、平型の両辺が固定部材２０３ａ、２０３ｂで
固定され、平型装着ロール２０１に装着できる。

【００９２】平型を製造する方法としては、平板の表面
にバイトや化学腐食等を用いて所望の凸部を加工してマ
スター型とする。所望の凸部は、所望の厚膜パターン、
位置合わせマーク等と同じ型となる。このマスター型上
にニッケル電解メッキ等でマスター型の凸部を反転した
凹部を有する平型２０５を形成する。この平型をマスタ
ー型から剥離して、前記平型装着ロール２０１に装着す
る。

【００９３】図２１は、プラズマディスプレイパネルの
製造装置で用いるロール方式の供給部を示す図である。
このロール方式の供給部は、既に説明したプラズマディ
スプレイパネルの製造装置で用いるブレード４等による
厚膜パターン形成材料の供給部に代わる供給部である。

【００９４】多層厚膜形成ユニット１０の中のひとつの
厚膜パターンを成形する型ローラの供給部を示す。２１
１は、型ローラを示し、厚膜パターン形成材料を保持す
る材料保持部として液溜め２１２と出しローラ２１３と
があり、液溜め２１２のブレードと出しローラ２１３と
の間には隙間を有する。その隙間から厚膜パターン形成
材料を出して、出した材料を出しローラ２１３から練り
ローラ２１４に転移する。ここでは、練りローラ２１４
は３本あり、それぞれが回転軸方向に交互に揺動するこ
とで前記材料に含まれる粉体の分散を均一に維持するこ
とができる。

【００９５】この為、厚膜パターン形成材料を型ロール
２１１へ充填する場合、凹部のない部分で前記材料供給
が不要な部分での厚膜パターン形成材料のはじきが良く
なる。また、凹部からはみだすことなく正確に凹部に充
填することが可能となる。また、微少な粒子が均一に分
散しているために型ロールへの傷等のダメージがなくな
る。また、粉体の凝集をおさえる為、粉体に表面処理を
したり、凝集防止剤または分散剤を厚膜パターン形成材
料に入れると上記効果がより大きくなる。

【００９６】そして、この材料を塗布充填ローラ２１５
により型ロール２１１に塗布し充填する。この塗布充填
ローラ２１５は２本用いる。これにより１本目の塗布充
填ローラで凹部へ塗布充填して、さらに２本目の塗布充
填ローラで凹部にきちんと充填することができる。つま
り、この２本目の塗布充填ローラ２１５は凹部への厚膜
パターン形成材料の充填が不足していれば追加充填する
ことができる。逆に、凹部への形成材料が多ければ取り
除き、再度練りローラ２１５で形成材料を練りながら均
一な流動性、粘性等の維持して再度凹部に塗布充填する
働きをする。もちろん、図示した塗布充填ローラより大
きな径を持つローラを用いて、１本の塗布充填ローラで
型ロールへの厚膜パターン形成材料の充填をしてもよ
い。

【００９７】

【発明の効果】本発明により、プラズマディスプレイパ
ネルの低価格化および高精細化に対応するプラズマディ
スプレイパネルの製造装置および製造方法を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレ
イパネルの製造装置を示す図

【図２】本発明の実施の形態に係る型ロールの位置制御
機構を示す図

【図３】本発明の実施の形態に係る第１の位置制御のア
ルゴリズムを示す図

【図４】本発明の実施の形態に係るＸ方向の位置制御の
説明図

【図５】本発明の実施の形態に係るＺ方向の位置制御の
説明図

【図６】本発明の実施の形態に係る回転方向の位置制御
の説明図

【図７】本発明の実施の形態に係るＹ方向の位置制御の
説明図

【図８】本発明の実施の形態に係る型ロール位置制御の
制御ブロックを示す図

【図９】本発明の実施の形態に係る液面レベルセンサ等
を示す図

【図１０】本発明の実施の形態に係るかき混ぜ棒等を示
す図

【図１１】本発明の実施の形態に係る液面レベルセンサ
等の制御ブロックを示す図

【図１２】本発明の実施の形態に係る装置構成を示す図

【図１３】本発明の実施の形態に係る定盤を示す図

【図１４】本発明の実施の形態に係る２段焼成炉を示す
図

【図１５】本発明の実施の形態に係る型ロールを示す図

【図１６】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプ
レイパネルの別の製造装置を示す図

【図１７】本発明の実施の形態の係る第２の位置制御の
アルゴリズムを示す図

【図１８】本発明の実施の形態のプラズマディスプレイ
パネル（一部）の断面を示す図

【図１９】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプ
レイパネルを示す平面図

【図２０】本発明の実施の形態に係る平型を装着する型
ロールを示す図

【図２１】本発明の実施の形態に係るロール方式の供給
部を示す図

【符号の説明】

１第１の型ロール２第２の型ロール３第３の型ロール４ブレード５硬化部６ダイヘッド７マーク検出器８レベルセンサ９基板検出器１０多層厚膜形成ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5C027 AA09 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC19 GF02 GF19 JA20 JA31 MA24 MA26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマディスプレイ用の基板上に電極の
厚膜パターンを成形する為の第１の型ロールと、当該基
板の同一の面側にリブの厚膜パターンを成形する為の第
２の型ロールと、第１の型ロールに対応して電極の厚膜
パターン材料を供給する第１の供給部と、第２の型ロー
ルに対応してリブの厚膜パターン材料を供給する第２の
供給部と、を有することを特長とするプラズマディスプ
レイパネルの製造装置。
【請求項２】プラズマディスプレイ用の基板の同一の面
側に複数の厚膜パターンを成形する為の複数の型ロール
と、当該型ロールに対応して厚膜パターン材料を供給す
る供給部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製
造装置であって、初めに成形する厚膜パターンの型ロールの凹部の深さ
が、後に成形する厚膜パターンの型ロールの凹部の深さ
より浅いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
の製造装置。
【請求項３】第１の型ロールと、当該第１の型ロールに
基づいて成形された第１の厚膜パターンを硬化させる第
１の硬化部と、第２の型ロールと、当該第２の型ロール
に基づいて成形された第２の厚膜パターンを硬化させる
第２の硬化部とを順番に設けたことを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの製造装置。
【請求項４】プラズマディスプレイ用の基板の同一の面
側に少なくとも２種類の厚膜パターンを成形する為の型
ロールと、厚膜パターン材料を型ロールに供給する供給
部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造装置
であって、第１の厚膜パターンを成形するアライメントマーク付き
第１の型ロールと、当該マークを検出する第１の検出部
と、第２の厚膜パターンを成形するアライメントマーク
付き第２の型ロールと、当該マークを検出する第２の検
出部と、両検出部からの信号に基づいて第１または第２
の厚膜パターンを成形する型ロールを制御する制御部
と、当該制御部からの信号に基づいて第１または第２の
厚膜パターンを成形する型ロールを制御する制御機構と
を有することを特長とするプラズマディスプレイパネル
の製造装置。
【請求項５】アライメントマークが楔形アライメントマ
ークであることを特長とする請求項４記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造装置。
【請求項６】プラズマディスプレイ用の基板の同一の面
側にそれぞれ異なる厚膜パターンを成形する為の少なく
とも２種類の型ロールと、当該型ロールにより前記基板
上に順次成形されたそれぞれ異なる厚膜パターンを同時
に焼成する焼成部と、を有することを特長とするプラズマディスプレイパネル
の製造装置。
【請求項７】プラズマディスプレイ用の基板の同一の面
側に面に少なくとも２種類の厚膜パターンを成形する為
の型ロールと、厚膜パターン材料を型ロールに供給する
供給部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造
装置であって、厚膜パターン材料を型ロールに供給する供給部の近傍に
設けた厚膜パターン材料の液面の位置情報を検出する検
出部と、前記液面の位置情報に基づいて前記供給部に厚
膜パターン材料の供給を制御する制御部とを有すること
を特長とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項８】プラズマディスプレイ用の基板の同一の面
側に少なくとも２種類の厚膜パターンを成形する為の型
ロールと、厚膜パターン材料を型ロールに供給する供給
部と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造装置
であって、厚膜パターン材料を型ロールに供給する供給部の近傍に
設けた厚膜パターン材料をかき混ぜるかき混ぜ棒と、所
定の制御信号に基づいて前記かき混ぜ棒を駆動する駆動
部と、を有することを特長とするプラズマディスプレイパネル
の製造装置。
【請求項９】かき混ぜ棒を駆動する為の所定の信号は、
型ロールの回転軸方向に沿って配置された、厚膜パター
ン材料の液面の位置情報を検出する複数の検出部からの
信号に基づいた制御信号であることを特長とする請求項
８記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項１０】少なくとも２種類の型ロールを用いてプ
ラズマディスプレイ用の基板の同一の面側にそれぞれ異
なる厚膜パターンを成形する為のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法であって所望の膜厚で第１の厚膜パタ
ーンを成形する第１の工程と、第１の膜厚パターンより
厚い膜厚で第２の厚膜パターンを成形する第２の工程と
を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル
の製造方法。