JP2001034906A - 摺動型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の摺動型薄膜磁気ヘッドは、テープ対向
面をテープが摺動する際に、保護基板の結晶粒が脱粒し
て、磁気テープに付着し、磁気テープを劣化させるとい
う問題があった。 【解決手段】 基板２１上に、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２
２、インダクティブヘッド２３、および第１の保護膜で
ある絶縁層２４が薄膜形成され、アルミナチタンカーバ
イドからなる保護基板２５の絶縁層２４に対向する面上
に、第２の保護膜である絶縁層２６がスパッタ法などの
真空成膜法によって薄膜形成され、さらに、絶縁層２４
と絶縁層２６とが、接着剤２７によって接合されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープに記録
信号を記録し、再生する映像機器の磁気記録再生装置、
またはコンピュータ用のデータ磁気記録再生装置などを
構成する摺動型薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁気テープ
が、磁気ヘッドのテープ対向面を摺動する際に、前記テ
ープ対向面が損傷することを防止することができ、磁気
テープの磁気記録特性を向上させることのできる摺動型
薄膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】映像機器での磁気記録再生装置、または
コンピュータ用のデータを書き込む磁気記録再生装置な
どでは、回転ヘッド装置の回転ドラムに磁気ヘッドが搭
載され、磁気テープが前記回転ドラムにヘリカル軌跡で
接触して走行するとともに前記回転ドラムが回転して、
磁気テープに対してヘリカルスキャン方式で記録動作が
行なわれる。

【０００３】図８は従来の磁気ヘッドの一例を示す斜視
図、図９は前記磁気ヘッドが搭載された磁気記録再生装
置の回転ヘッド装置を示す平面図である。

【０００４】図８に示すように、磁気ヘッドＨ１は、フ
ェライトなどの高透磁率の磁性材料で形成されたコア１
と２を有しており、磁気テープＴとのテープ対向面Ｈ１
Ａにおいて、コア１と２との対向部に磁性材料層が介装
されて磁気ギャップＧが形成されている。前記コア１，
２には記録・再生用のコイル３，４が卷かれている。ま
たテープ対向面Ｈ１Ａにおいてコア１と２の両側部には
Ｖ字状のギャップ規制溝５，５が形成され、磁気ギャッ
プＧのトラック幅Ｔｗが規定されている。なお、このギ
ャップ規制溝５，５内には耐磨耗性の非磁性材料例えば
接合ガラスや、ＳｉＯ₂などが充填されている。

【０００５】図９に示す磁気記録再生装置に設けられる
回転ヘッド装置１０では、固定ドラム（図示せず）が固
定され、前記固定ドラム上に、これと同軸の回転ドラム
１０ａが回転自在に支持され、モータの動力により回転
ドラム１０ａが矢印方向へ回転駆動される。磁気記録媒
体である磁気テープＴは、回転ヘッド装置１０にヘリカ
ル軌跡にて所定角度巻付けられて矢印方向へ走行する。
この間、回転ドラム１０ａが回転し、この回転ドラム１
０ａに搭載された磁気ヘッドが磁気テープＴを走査す
る。図９の回転ヘッド装置では、１組の磁気ヘッドＨ
１，Ｈ１が互いに対向する位置に設けられている。

【０００６】図８に示された磁気ヘッドＨ１では、コア
１とコア２との対向部が研削加工されることにより、磁
気ギャップＧが所定のトラック幅Ｔｗで形成されてい
る。

【０００７】近年、映像機器の磁気記録再生装置やコン
ピュータ用のデータ磁気記録再生装置などにおいて、磁
気記録媒体への高記録密度化を実現するためによりトラ
ック幅を狭くする狭トラック化や高周波化が図られてい
る。

【０００８】狭トラック化のためには、磁気ギャップの
トラック幅Ｔｗを小さくする必要がある。また、狭トラ
ック化を進めるにつれて、磁気ギャップの加工精度を向
上させる必要がある。特に、最近では、トラック幅Ｔｗ
が１０μｍ以下のフォーマットも提案されるようになっ
てきている。しかし、図８に示された磁気ヘッドＨ１で
は、磁気ギャップＧを研削加工によって形成しているた
め、狭トラック化を進めていくにつれて、加工精度を向
上させることが困難になってきた。

【０００９】そこで、狭トラック化に対応するために、
薄膜形成プロセスによって形成される薄膜磁気ヘッドを
用いることが提案されている。

【００１０】図１０は摺動型薄膜磁気ヘッドの斜視図で
ある。この、摺動型薄膜磁気ヘッドＨ２は、アルミナチ
タンカーバイドからなる基板１１上に、再生用のＭＲ型
薄膜磁気ヘッド１２、記録用のインダクティブヘッド１
３、および保護膜である絶縁層１４が薄膜形成プロセス
によって形成され、さらに、絶縁層１４上に、エポキシ
系接着剤１５によって、アルミナチタンカーバイドから
なる保護基板１６が接着されている。

【００１１】ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２の磁気ギャップ
およびインダクティブヘッド１３の磁気ギャップは、摺
動型薄膜磁気ヘッドＨ２のテープ対向面Ｈ２Ａに露出し
ている。ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２とインダクティブヘ
ッド１３に流される電流は、電極１７を通じて与えられ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１１は、図１０の摺
動型薄膜磁気ヘッドＨ２のＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２お
よびインダクティブヘッド１３周辺の拡大部分正面図で
ある。

【００１３】再生用のＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２は、ア
ルミナチタンカーバイドからなる基板１１に、下地層で
ある絶縁層１２ａを介して、下部シールド層１２ｂ、下
部ギャップ層１２ｃ、ＭＲ素子層１２ｄ、ハードバイア
ス層１２ｅ、電極層１２ｆ、上部ギャップ層１２ｇおよ
び、上部シールド層１２ｈが積層されて形成されてい
る。

【００１４】再生用のＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２の上に
設けられる記録用のインダクティブヘッド１３は、上部
シールド層と兼用の下部コア層１３ａ上に、絶縁層１３
ｂ、コイル層１３ｃ、および上部コア層１３ｄが積層さ
れて形成されている。

【００１５】さらに、インダクティブヘッド１３上に絶
縁層１４が積層され、絶縁層１４上に、エポキシ樹脂系
接着剤１５によって、アルミナチタンカーバイドからな
る保護基板１６が接着されている。なお、絶縁層１４
は、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂によって形成されている。

【００１６】保護基板１６は、摺動型薄膜磁気ヘッドＨ
２のテープ対向面Ｈ２Ａ上を磁気テープが走行するとき
に、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２やインダクティブヘッド
１３が過剰に摩耗することや、破損することを防止する
目的で形成されている。

【００１７】アルミナチタンカーバイドは、アルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）中にチタンカーバイドの結晶粒を含有して
いる非磁性材料である。アルミナチタンカーバイドは、
硬い材質であるので、保護基板１６の材料として適して
いるが、チタンカーバイドの結晶粒が脱粒しやすいとい
う特性を有している。

【００１８】磁気テープは、摺動型薄膜磁気ヘッドＨ２
のテープ対向面Ｈ２Ａ上を、例えば９．０ｍ／ｓのテー
プ走行速度で、図１０の矢印方向に走行する。この時、
保護基板１６が、アルミナチタンカーバイドなどの結晶
粒を含有する非磁性材料によって形成されていると、保
護基板１６からチタンカーバイドなどの結晶粒が脱粒す
るという問題が生じていた。

【００１９】このような脱粒が生じると、脱粒したチタ
ンカーバイドなどの結晶粒が、磁気テープに付着し、磁
気テープを劣化させる。結果として、磁気記録再生装置
の記録再生特性が大きく劣化するという問題を生じさせ
ていた。

【００２０】また、保護基板１６が、結晶粒を含む磁性
材料で形成された場合も同様の問題が生じる。

【００２１】本発明は、上記従来の課題を解決するため
のものであり、摺動型薄膜磁気ヘッドのテープ対向面を
磁気テープが走行する際に、保護基板の脱粒が生じるこ
とを防止することにより、記録再生特性を向上させるこ
とができる摺動型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料また
は非磁性材料によって形成された基板上に、絶縁性材料
からなる下地層、薄膜磁気ヘッド、結晶粒を含まない絶
縁性材料からなる保護膜、および結晶粒を含む磁性材料
または非磁性材料によって形成された保護基板を有し、
前記薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップが、前記磁気ヘッド
のテープ対向面に露出されている摺動型薄膜磁気ヘッド
において、前記保護膜は、第１の保護膜と第２の保護膜
とを有し、前記第１の保護膜は、前記基板上に積層され
た薄膜磁気ヘッド上に真空成膜法によって薄膜形成され
たものであり、前記第２の保護膜は、前記保護基板に真
空成膜法によって薄膜形成されたものであり、かつ前記
第１の保護膜および前記第２の保護膜が、接着剤によっ
て接合されていることを特徴とするものである。

【００２３】本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドでは、前記
保護基板の１端面上に、前記第２の保護膜が、スパッタ
法などの真空成膜法によって薄膜形成され、この第２の
保護膜と、前記基板上に積層された薄膜磁気ヘッド上に
形成されている前記第１の保護膜とが接着剤によって接
合される構造になっている。

【００２４】スパッタ法などの真空成膜法によって薄膜
形成された前記第２の保護膜の前記保護基板に対する接
合力は、前記第２の保護膜と前記保護基板を接着剤によ
って接合したときの接合力よりも強い。

【００２５】接着剤による接合では、前記保護基板と前
記第２の保護膜の間に介在する接着剤が、前記保護基板
の表面および前記第２の保護膜の表面に存在する凹凸部
に入り込み、主に接着剤を構成する分子と前記保護基板
および前記第２の保護膜を構成する分子間に分子間力
（ファン・デル・ワールス力）が働くことによって、接
合力が発生する。

【００２６】一方、スパッタ法では、一定の水準以上の
エネルギー、例えば、１０ｅＶ以上のエネルギーをもっ
た前記第２の保護膜の材料原子が、前記保護基板上に打
ち込まれる。このとき、前記第２の保護膜の材料原子と
前記保護基板の構成原子とを共有結合させることができ
る。したがって、前記保護基板と前記第２の保護膜の接
合力が強力になる。

【００２７】従って、前記保護基板が、結晶粒を含む材
料によって形成されていても、結晶粒が、脱粒するとい
う問題を防止できる。

【００２８】なお、本発明では、前記基板上に薄膜形成
された第１の保護膜と、保護基板上に薄膜形成された第
２の保護膜を、接着剤によって接合しているが、本発明
では第１の保護膜と第２の保護膜は、Ａｌ₂Ｏ₃など結晶
粒を含まない絶縁性材料で形成されている。したがっ
て、第１の保護膜と、保護基板上に薄膜形成された第２
の保護膜を、接着剤によって接合しても、第２の保護膜
が脱粒するという問題は生じない。

【００２９】本発明では、前記薄膜磁気ヘッドが、再生
用のＭＲ型薄膜磁気ヘッドであってもよいし、再生用の
ＭＲ型薄膜磁気ヘッドと記録用のインダクティブ磁気ヘ
ッドの複合型薄膜磁気ヘッドであってもよい。

【００３０】再生用のＭＲ型薄膜磁気ヘッドの上層に、
記録用のインダクティブヘッドが積層された複合型薄膜
磁気ヘッドであれば、一つの磁気ヘッドによって、記録
および再生を行うことができる。また、前記インダクテ
ィブヘッドは、レジストフォトリソグラフィーなどの薄
膜形成プロセスによって形成されるので、磁気ギャップ
の加工精度を向上させることが容易であり、狭トラック
化が容易になる。ただし、インダクティブヘッドが発生
させる磁界の強さは、従来、磁気テープに信号を記録す
るためによく用いられてきた、磁性材料のコアと、この
コアに巻かれた銅線等からなるバルク型磁気ヘッドが発
生させる磁界の強さよりも弱い。したがって、インダク
ティブヘッドを、磁気テープに記録信号を記録するため
の磁気ヘッドとして用いる場合には、磁気テープのテー
プ厚を薄くするなどして、磁気テープ側の記録感度を高
める必要がある。

【００３１】前記保護基板を形成する非磁性材料には、
例えば、アルミナチタンカーバイド、チタンカルシウ
ム、カルシウムフェライトなどがある。

【００３２】前記保護基板は、摺動型薄膜磁気ヘッドの
テープ対向面上を磁気テープが走行するときに、ＭＲ型
薄膜磁気ヘッドやインダクティブヘッドが過剰に摩耗す
ることや、破損することを防止する目的で形成されてい
る。

【００３３】上述した非磁性材料は、硬い材質であるの
で、前記保護基板を形成する材料として適している。

【００３４】また、前記第１の保護膜および前記第２の
保護膜を形成する結晶粒を含まない絶縁性材料には、例
えば、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂がある。

【００３５】また、前記接着剤は、エポキシ系接着剤ま
たは低融点ガラス系接着剤であることが好ましい。

【００３６】図８に示されるような、従来の磁気ヘッド
の製造には、高融点ガラス系接着剤が用いられてきた。
しかし、高融点ガラス系接着剤は、接合時に約８００℃
の温度で加熱することが必要になる。ところが、８００
℃もの高温に曝されると、本発明を構成するＭＲ型薄膜
磁気ヘッドの特性が劣化してしまう。したがって、本発
明においては、接着工程をＭＲ型薄膜磁気ヘッドの特性
が劣化しない３００℃以下で行うことのできるエポキシ
系接着剤または低融点ガラス系接着剤によって、前記第
１の保護膜と前記第２の保護膜が接合されていることが
好ましい。

【００３７】また、本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドの製
造方法は、（ａ） 磁性材料または非磁性材料によって
形成された基板上に、絶縁性材料からなる下地層を薄膜
形成する工程と、（ｂ） 前記下地層上に、薄膜磁気ヘ
ッドを薄膜形成する工程と、（ｃ） 前記薄膜磁気ヘッ
ド上に、結晶粒を含まない絶縁性材料からなる第１の保
護膜を、スパッタ法などの真空成膜法によって薄膜形成
する工程と、（ｄ） 結晶粒を含む磁性材料または非磁
性材料によって形成された前記保護基板上に、結晶粒を
含まない絶縁性材料からなる第２の保護膜を、スパッタ
法などの真空成膜法によって、薄膜形成する工程と、
（ｅ） 前記第１の保護膜が形成された基板と、前記第
２の保護膜が形成された保護基板を、前記第１の保護膜
と前記第２の保護膜とを対向させて接着する工程と、を
有することを特徴とするものである。

【００３８】なお、本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドの製
造方法においては、一枚の基板上に複数の薄膜磁気ヘッ
ドを形成し、さらに第１の保護膜を積層した後に、この
基板を切断してスライダバーにし、第２の保護膜が形成
された保護基板を切断して形成したスライダバーと接着
してから、個々の摺動型薄膜磁気ヘッドに分離してもよ
い。

【００３９】または、第１の保護膜に覆われた複数のＭ
Ｒ型磁気ヘッドおよびインダクティブヘッドが形成され
ているスライダバーを切断して、個々のＭＲ型磁気ヘッ
ドおよびインダクティブヘッドに分離した後に、第２の
保護膜が形成された保護基板と接着してもよい。

【００４０】なお、前記（ｂ）の工程において形成され
る前記薄膜磁気ヘッドとして、再生用のＭＲ型薄膜磁気
ヘッドのみを形成してもよいし、再生用のＭＲ型薄膜磁
気ヘッドの上層に、記録用のインダクティブ磁気ヘッド
が積層された複合型薄膜磁気ヘッドを形成してもよい。

【００４１】また、前記（ｄ）の工程において用いられ
る前記保護基板は、例えば、アルミナチタンカーバイ
ド、チタンカルシウム、カルシウムフェライトなどの硬
い材質の非磁性材料を用いて形成されていることが好ま
しい。

【００４２】また、前記（ｃ）および前記（ｄ）の工程
において用いられる前記第１の保護膜および前記第２の
保護膜を形成する結晶粒を含まない絶縁性材料には、例
えば、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂がある。

【００４３】なお、前記（ｅ）の工程において、前記第
１の保護膜が形成されている基板と、前記第２の保護膜
が形成されている基板を、前記第１の保護膜と前記第２
の保護膜とを、エポキシ系接着剤または低融点ガラス系
接着剤によって接着することにより接合することが好ま
しい。

【００４４】エポキシ系接着剤または低融点ガラス系接
着剤は、接着工程をＭＲ型薄膜磁気ヘッドの特性が劣化
しない３００℃以下で行うことができるので、本発明を
構成するＭＲ型薄膜素子の特性を劣化させることがな
い。

【００４５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態を示
す摺動型薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【００４６】この、摺動型薄膜磁気ヘッドＨ３は、アル
ミナチタンカーバイドからなる基板２１上に、Ａｌ₂Ｏ₃
やＳｉＯ₂などの絶縁性材料からなる下地層を介して、
再生用のＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２、記録用のインダク
ティブヘッド２３、および第１の保護膜であるＡｌ₂Ｏ₃
からなる絶縁層２４が薄膜形成プロセスによって形成さ
れている。また、アルミナチタンカーバイドからなる保
護基板２５の絶縁層２４に対向する面上に、第２の保護
膜であるＡｌ₂Ｏ₃からなる絶縁層２６が、スパッタ法に
よって薄膜形成され、さらに、絶縁層２４と絶縁層２６
とが、接着剤２７によって接着されている。

【００４７】ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２の磁気ギャップ
およびインダクティブヘッド２３の磁気ギャップは、摺
動型薄膜磁気ヘッドＨ３のテープ対向面Ｈ３Ａに露出し
ている。ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２とインダクティブヘ
ッド２３に流される電流は、電極２８を通じて与えられ
る。

【００４８】図２は、図１の摺動型薄膜磁気ヘッドのＭ
Ｒ型薄膜磁気ヘッド２２およびインダクティブヘッド２
３周辺の拡大部分正面図である。

【００４９】再生用のＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２は、ア
ルミナチタンカーバイドからなる基板２１に、薄膜形成
プロセスによって、下地層である絶縁層２２ａを介し
て、下部シールド層２２ｂ、下部ギャップ層２２ｃ、Ｍ
Ｒ素子層２２ｄ、ハードバイアス層２２ｅ、電極層２２
ｆ、上部ギャップ層２２ｇおよび、上部シールド層２２
ｈが積層されて形成されている。

【００５０】ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２上に設けられる
記録用のインダクティブヘッド２３は、ＭＲ型薄膜磁気
ヘッド２２と同様に薄膜形成プロセスによって、上部シ
ールド層と兼用の下部コア層２３ａ上に、ギャップ層２
３ｂ、コイル層２３ｃ、および上部コア層２３ｄが積層
されて形成されている。

【００５１】絶縁層２２ａ、下部ギャップ層２２ｃ、上
部ギャップ層２２ｇ、ギャップ層２３ｂは、Ａｌ₂Ｏ₃に
よって形成されている。また、下部シールド層２２ｂ、
上部シールド層２２ｈ（下部コア層２３ａ）、上部コア
層２３ｄは、パーマロイなどの軟磁性材料によってメッ
キ形成されている。電極層２２ｆ、コイル層２３ｃは、
Ｃｕなどの導電性材料によって形成されている。ハード
バイアス層２２ｅは、ＰｔＣｏなどの硬磁性材料によっ
て形成されている。

【００５２】さらに、インダクティブヘッド２３上に、
第１の保護膜である絶縁層２４が積層されている。

【００５３】また、アルミナチタンカーバイドからなる
保護基板２５の絶縁層２４に対向する面上に、第２の保
護膜である絶縁層２６が、スパッタ法により薄膜形成さ
れ、さらに、絶縁層２４と絶縁層２６とが、接着剤２７
によって接合されている。なお、絶縁層２４および絶縁
層２６は、Ａｌ₂Ｏ₃によって形成されている。

【００５４】図１および図２に示された本発明の実施の
形態を示す摺動型薄膜磁気ヘッドは、図３に示されるよ
うな、回転ヘッド装置に設置することができる。

【００５５】図３に示す磁気記録再生装置に設けられる
回転ヘッド装置３０では、固定ドラム（図示せず）が固
定され、前記固定ドラム上に、これと同軸の回転ドラム
３０ａが回転自在に支持され、モータの動力により回転
ドラム３０ａが矢印方向へ回転駆動される。磁気記録媒
体である磁気テープＴは、回転ヘッド装置３０にヘリカ
ル軌跡にて所定角度巻付けられて矢印方向へ走行する。
この間、回転ドラム３０ａが回転し、この回転ドラム３
０ａに搭載された摺動型薄膜磁気ヘッドＨ３が磁気テー
プＴを走査する。

【００５６】図３では、一組の摺動型薄膜磁気ヘッドＨ
３を、回転ドラム３０ａ上に、互いに対向する位置に設
置しているが、３個以上の摺動型薄膜磁気ヘッドＨ３を
設置してもよい。

【００５７】また、磁気テープは、図１の矢印方向、す
なわち基板２１から保護基板２５に向かう方向に走行す
る。磁気テープＴの走行速度は、例えば、９．０ｍ／ｓ
である。

【００５８】本実施の形態において、保護基板２５を形
成するために用いられるアルミナチタンカーバイドは、
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）中に、チタンカーバイドの結晶粒
を含有している非磁性材料である。

【００５９】保護基板２５は、摺動型薄膜磁気ヘッドＨ
３のテープ対向面Ｈ３Ａ上を磁気テープが走行するとき
に、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２やインダクティブヘッド
２３が過剰に摩耗することや、破損することを防止する
目的で形成されている。

【００６０】アルミナチタンカーバイドは、硬い材質で
あるので、保護基板２５を形成する材料として適してい
る。

【００６１】本実施の形態では、保護基板２５の絶縁層
２４に対向する面上に、絶縁層２６が、スパッタ法によ
って、薄膜形成されている。スパッタ法によって薄膜形
成された絶縁層２６の保護基板２５に対する接合力は、
絶縁層２６と保護基板２５を接着剤によって接合したと
きの接合力よりも強い。

【００６２】接着剤による接合では、保護基板２５と絶
縁層２６の間に介在する接着剤が、保護基板２５の表面
および絶縁層２６の表面に存在する凹凸部に入り込み、
主に接着剤を構成する分子と保護基板２５および絶縁層
２６を構成する分子間に分子間力（ファン・デル・ワー
ルス力）が働くことによって、接合力が発生する。

【００６３】一方、スパッタ法では、一定の水準以上の
エネルギー、例えば、１０ｅＶ以上のエネルギーをもっ
た絶縁層２６の材料原子である、Ａｌ₂Ｏ₃が、保護基板
２５上に打ち込まれる。このとき、絶縁層２６の材料原
子と保護基板２５の構成原子とを共有結合させることが
できる。したがって、保護基板２５と絶縁層２６の接合
力が強力になる。

【００６４】従って、本実施の形態では、磁気テープ
が、摺動型磁気ヘッドＨ３のテープ対向面Ｈ３Ａ上を走
行する時、絶縁層２６と保護基板２５の接合面におい
て、保護基板２５の一部、例えば結晶粒などが、脱落す
るという問題を防止できる。

【００６５】なお、基板２１上に薄膜形成された絶縁層
２４と、保護基板２５上に薄膜形成された絶縁層２６
を、接着剤２７によって接合しているが、絶縁層２４と
絶縁層２６は、Ａｌ₂Ｏ₃によって形成されているので結
晶粒を含まない。したがって、絶縁層２４と絶縁層２６
を、接着剤によって接合しても、脱粒は生じない。

【００６６】保護基板２５を形成する材料には、アルミ
ナチタンカーバイドのほか、チタンカルシウム、カルシ
ウムフェライトなどの硬い材質の非磁性材料を用いても
よい。また、保護基板２５を形成する材料に、磁性材料
を用いてもよい。

【００６７】また、接着剤２７には、ＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッド２２の特性を劣化させないように３００℃以下で接
着工程を行うことのできるエポキシ系接着剤や低融点ガ
ラス系接着剤などを用いることが好ましい。

【００６８】また、絶縁層２２ａ、下部ギャップ層２２
ｃ、上部ギャップ層２２ｇ、ギャップ層２３ｂ、絶縁層
２４、および絶縁層２６は、ＳｉＯ₂によって形成され
てもよい。

【００６９】なお、下部シールド層２２ｂと上部シール
ド層２２ｈに挟まれた記録媒体との対向部になる部分
が、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２の磁気ギャップＧａとな
る。また、下部コア層２３ａと上部コア層２３ｄに挟ま
れた記録媒体との対向部になるギャップ層２３ｂの部分
が、インダクティブヘッド２３の磁気ギャップＧｂとな
る。

【００７０】本実施の形態では、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
２２の磁気ギャップＧａとインダクティブヘッド２３の
磁気ギャップＧｂが、摺動型薄膜磁気ヘッドＨ３のテー
プ対向面Ｈ３Ａに露出している。

【００７１】なお、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２のトラッ
ク幅Ｔｗ１は、上部ギャップ層２２ｇと接するＭＲ素子
層２２ｄの上面の幅である。また、インダクティブヘッ
ド２３のトラック幅Ｔｗ２は、上部コア層２３ｄの幅と
等しい。本実施の形態では、Ｔｗ１＝Ｔｗ２である。

【００７２】図４から図７は、本発明の摺動型薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【００７３】まず、アルミナチタンカーバイドからなる
基板２１上に、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁性材料か
らなる下地層をスパッタ法により薄膜形成する。次に、
この下地層上に、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドとインダクティ
ブヘッドを順次薄膜形成する。インダクティブヘッドが
形成された後に、Ａｌ₂Ｏ₃からなる第１の保護膜である
絶縁層２４を、スパッタ法によって薄膜形成する。図４
は、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド（図示せず）とインダクティ
ブヘッド２３上に、絶縁層２４が積層された様子を示し
ている。なお、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドおよびインダクテ
ィブヘッドを形成するときに、Ｃｕなどの導電性材料の
メッキによって電極２８も形成する。

【００７４】図４では、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド（図示せ
ず）、インダクティブヘッド２３、および電極２８が一
定の間隔をおいて基板上一面に形成されている（図４に
はそのうち一部のみ図示している）。

【００７５】円形状の基板２１は点線で切断され図５の
ようにスライダバーになる。一方、図６に示すように、
アルミナチタンカーバイドからなる保護基板２５の表面
上に、Ａｌ₂Ｏ₃からなる第２の保護膜である絶縁層２６
を、スパッタ法によって薄膜形成する。保護基板２５は
点線で切断されスライダバーになる。

【００７６】スライダバーに切断された基板２１と保護
基板２５とを、図７のように絶縁層２４と絶縁層２６と
を対向させて、接着剤２７によって接着する。

【００７７】図７のスライダバーのテープ対向面Ａを、
円筒研削またはならい研削することによってＲ形状に加
工し、更に点線で切断し、図１に示されるような個々の
摺動型薄膜磁気ヘッドＨ３にする。

【００７８】なお、基板２１および保護基板２５を、チ
タンカルシウム、カルシウムフェライトなどによって形
成してもよい。また、基板２１および保護基板２５は、
磁性材料によって形成してもよい。また、絶縁層２４と
絶縁層２６を、ＳｉＯ₂によって形成してもよい。

【００７９】また、基板２１と基板２５を接着する接着
剤には、エポキシ系接着剤や低融点ガラス系接着剤を用
いることが好ましい。

【００８０】このように、本実施の形態の摺動型薄膜磁
気ヘッドＨ３は、薄膜形成プロセスによって形成される
ので、一度に大量生産でき、小型化も容易である。ま
た、トラック幅Ｔｗ１およびＴｗ２を１０μｍ以下にす
る場合でも、磁気ギャップの加工精度を、必要なだけ向
上させることができる。

【００８１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、結
晶粒を含む材料によって形成された保護基板と絶縁性材
料からなる保護膜とが、スパッタ法などの薄膜形成プロ
セスによって接合されるので、前記保護基板と前記保護
膜とが、接着剤によって接合された場合よりも、両者の
接合力が強くなる。したがって、前記保護基板と前記保
護膜との界面において、前記保護基板が脱粒することを
防止できる。

【００８２】したがって、脱粒したチタンカーバイドな
どの結晶粒が、磁気テープに付着し、磁気テープを劣化
させることを防ぐことができる。すなわち、磁気記録再
生装置の記録再生特性の劣化を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す摺動型薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図。

【図２】図１の摺動型薄膜磁気ヘッドの、ＭＲ型磁気ヘ
ッドおよびインダクティブヘッド周辺部の部分拡大正面
図。

【図３】図１の摺動型薄膜磁気ヘッドが設置された回転
ヘッド型磁気記録再生装置の平面図。

【図４】本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
ける、基板上にＭＲ型薄膜磁気ヘッド、インダクティブ
ヘッド、および、第１の保護膜である絶縁層が積層され
た状態を示す斜視図。

【図５】図４の基板が、点線で切断されてスライダバー
にされた状態を示す斜視図。

【図６】保護基板となる基板上に、第２の保護膜である
絶縁層が積層された状態を示す斜視図。

【図７】図６の基板が点線で切断されてスライダバーに
され、図４のスライダバーと接合された状態を示す斜視
図。

【図８】従来の磁気ヘッドの斜視図。

【図９】回転ヘッド型磁気記録再生装置の平面図。

【図１０】従来の摺動型薄膜磁気ヘッドの斜視図。

【図1１】図１０の摺動型薄膜磁気ヘッドの、ＭＲ型磁
気ヘッドおよびインダクティブヘッド周辺部の部分拡大
正面図。

【符号の説明】

２１ 基板 ２２ ＭＲ型薄膜磁気ヘッド ２３ インダクティブヘッド ２４、２６ 絶縁層 ２５ 保護基板 ２７ 接着剤 ２８ 電極

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｋ 5/39 5/39 5/40 5/40 Ｆターム(参考） 5D033 BA11 BA15 BA62 BA63 CA03 CA04 DA01 DA03 5D034 BA02 BA17 BA19 CA01 DA07 5D093 AA01 AD12 BD01 BD08 DA04 FA16 FA21 HA17 HB13 HB15 HC20 JB03 5D111 AA17 AA22 BB16 BB42 BB48 FF14 FF15 FF21 FF33 GG14 JJ04 JJ05 JJ32 JJ38 KK09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁性材料または非磁性材料によって形成
   された基板上に、絶縁性材料からなる下地層、薄膜磁気
   ヘッド、結晶粒を含まない絶縁性材料からなる保護膜、
   および結晶粒を含む磁性材料または非磁性材料によって
   形成された保護基板を有し、前記薄膜磁気ヘッドの磁気
   ギャップが、前記磁気ヘッドのテープ対向面に露出され
   ている摺動型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護膜は、
   第１の保護膜と第２の保護膜とを有し、前記第１の保護
   膜は、前記基板上に積層された薄膜磁気ヘッド上に真空
   成膜法によって薄膜形成されたものであり、前記第２の
   保護膜は、前記保護基板に真空成膜法によって薄膜形成
   されたものであり、かつ前記第１の保護膜および前記第
   ２の保護膜が、接着剤によって接合されていることを特
   徴とする摺動型薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記薄膜磁気ヘッドが、ＭＲ型薄膜磁気
   ヘッドである請求項１に記載の摺動型薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記薄膜磁気ヘッドが、ＭＲ型薄膜磁気
   ヘッドとインダクティブ磁気ヘッドの複合型薄膜磁気ヘ
   ッドである請求項１に記載の摺動型薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記保護基板が、アルミナチタンカーバ
   イド、チタンカルシウム、カルシウムフェライトなどの
   非磁性材料によって形成されている請求項１ないし請求
   項３のいずれかに記載の摺動型薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第１の保護膜および前記第２の保護
   膜は、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂によって形成されている
   請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の摺動型薄膜
   磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記接着剤は、エポキシ系接着剤または
   低融点ガラス系接着剤である請求項１ないし請求項５の
   いずれかに記載の摺動型薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 （ａ）磁性材料または非磁性材料によっ
   て形成された基板上に、絶縁性材料からなる下地層を薄
   膜形成する工程と、（ｂ） 前記下地層上に、薄膜磁気
   ヘッドを形成する工程と、（ｃ） 前記薄膜磁気ヘッド
   上に、結晶粒を含まない絶縁性材料からなる第１の保護
   膜を真空成膜法によって薄膜形成する工程と、（ｄ）
   結晶粒を含む磁性材料または非磁性材料によって形成さ
   れた保護基板上に、結晶粒を含まない絶縁性材料からな
   る第２の保護膜を真空成膜法によって薄膜形成する工程
   と、（ｅ） 前記第１の保護膜が形成された基板と、前
   記第２の保護膜が形成された保護基板を、前記第１の保
   護膜と前記第２の保護膜とを対向させて接着する工程
   と、を有することを特徴とする摺動型薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。
8. 【請求項８】 前記（ｂ）の工程において形成される前
   記薄膜磁気ヘッドが、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドである請求
   項７に記載の摺動型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 前記（ｂ）の工程において形成される前
   記薄膜磁気ヘッドが、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドとインダク
   ティブ磁気ヘッドの複合型薄膜磁気ヘッドである請求項
   ７に記載の摺動型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記（ｄ）の工程において用いられる
    前記保護基板が、アルミナチタンカーバイド、チタンカ
    ルシウム、カルシウムフェライトなどの非磁性材料によ
    って形成されている請求項７ないし請求項９のいずれか
    に記載の摺動型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記（ｃ）および前記（ｄ）の工程に
    おいて、前記第１の保護膜および前記第２の保護膜を、
    Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂によって形成する請求項７ない
    し請求項１０のいずれかに記載の摺動型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記（ｅ）の工程において、前記第１
    の保護膜と前記第２の保護膜とを、エポキシ系接着剤ま
    たは低融点ガラス系接着剤によって接着する請求項７な
    いし請求項１１のいずれかに記載の摺動型薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。