JP2001033979A - 微細パターンの転写加工方法 - Google Patents
微細パターンの転写加工方法Info
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- JP2001033979A JP2001033979A JP21095099A JP21095099A JP2001033979A JP 2001033979 A JP2001033979 A JP 2001033979A JP 21095099 A JP21095099 A JP 21095099A JP 21095099 A JP21095099 A JP 21095099A JP 2001033979 A JP2001033979 A JP 2001033979A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アスペクト比の高い微細パターンの形成が可
能な微細パターンの転写加工方法を提供する。 【解決手段】 基板１１上に比較的厚い膜厚の高分子材
料膜１２を形成し、該高分子材料膜１２上に薄い導電体
膜１３を形成し、該薄い導電体膜１３上に更に薄いレジ
スト膜１４を形成し、該薄いレジスト膜１４にリソグラ
フィ技術を用いて、微細パターンを形成し、前記薄い導
電体膜１３に対してエッチングを行い前記微細パターン
を転写し、該薄い導電体膜１３に転写された微細パター
ン１３ａをマスクとして前記比較的厚い膜厚の高分子材
料膜１２に対して反応性を有するガスを用いた高速原子
線の照射によって、該高分子材料膜のエッチングを行
い、該高分子材料膜に前記微細パターンを転写する。
能な微細パターンの転写加工方法を提供する。 【解決手段】 基板１１上に比較的厚い膜厚の高分子材
料膜１２を形成し、該高分子材料膜１２上に薄い導電体
膜１３を形成し、該薄い導電体膜１３上に更に薄いレジ
スト膜１４を形成し、該薄いレジスト膜１４にリソグラ
フィ技術を用いて、微細パターンを形成し、前記薄い導
電体膜１３に対してエッチングを行い前記微細パターン
を転写し、該薄い導電体膜１３に転写された微細パター
ン１３ａをマスクとして前記比較的厚い膜厚の高分子材
料膜１２に対して反応性を有するガスを用いた高速原子
線の照射によって、該高分子材料膜のエッチングを行
い、該高分子材料膜に前記微細パターンを転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンの転
写加工方法に係り、特に光の波長限界以下の微細パター
ンを含む、且つアスペクト比の高い微細な凹凸構造の形
成方法に関する。
写加工方法に係り、特に光の波長限界以下の微細パター
ンを含む、且つアスペクト比の高い微細な凹凸構造の形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンの転写加工の代表例とし
て、半導体基板上に微細パターンを形成する製造方法が
一般的に広く知られている。これは半導体基板上に感光
性材料（ホトレジスト）を塗布し、縮小投影露光法によ
りマスクパターンに従った投影パターンの光を感光性材
料であるホトレジストに照射して露光する。そして、露
光されたホトレジストパターンを現像することにより、
ホトレジスト膜の微細パターンを形成し、これをマスク
としてエッチング加工を行うことにより微細な絶縁膜又
は導電体膜のパターンを形成する。このようなエッチン
グ方法としては、等方性又は異方性のプラズマエッチン
グ、イオンビームエッチング及びウェットエッチング等
が用いられている。しかしながら、これらのエッチング
方法は、必ずしもエッチングの直進性が十分ではなく、
アスペクト比の高い微細パターンの形成が困難であっ
た。
て、半導体基板上に微細パターンを形成する製造方法が
一般的に広く知られている。これは半導体基板上に感光
性材料（ホトレジスト）を塗布し、縮小投影露光法によ
りマスクパターンに従った投影パターンの光を感光性材
料であるホトレジストに照射して露光する。そして、露
光されたホトレジストパターンを現像することにより、
ホトレジスト膜の微細パターンを形成し、これをマスク
としてエッチング加工を行うことにより微細な絶縁膜又
は導電体膜のパターンを形成する。このようなエッチン
グ方法としては、等方性又は異方性のプラズマエッチン
グ、イオンビームエッチング及びウェットエッチング等
が用いられている。しかしながら、これらのエッチング
方法は、必ずしもエッチングの直進性が十分ではなく、
アスペクト比の高い微細パターンの形成が困難であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に鑑みて為されたもので、アスペクト比の高い微細パタ
ーンの形成が可能な微細パターンの転写加工方法を提供
することを目的とする。
に鑑みて為されたもので、アスペクト比の高い微細パタ
ーンの形成が可能な微細パターンの転写加工方法を提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上に比較的厚い膜厚の高分子材料膜を形成し、
該高分子材料膜上に薄い導電体膜を形成し、該薄い導電
体膜上に更に薄いレジスト膜を形成し、該薄いレジスト
膜にリソグラフィ技術を用いて、微細パターンを形成
し、前記薄い導電体膜に対してエッチングを行い前記微
細パターンを転写し、該薄い導電体膜に転写された前記
微細パターンをマスクとして前記比較的厚い膜厚の高分
子材料膜に対して反応性を有するガスを用いた高速原子
線の照射によって、該高分子材料膜のエッチングを行
い、該高分子材料膜に前記微細パターンを転写すること
を特徴とするものである。
は、基板上に比較的厚い膜厚の高分子材料膜を形成し、
該高分子材料膜上に薄い導電体膜を形成し、該薄い導電
体膜上に更に薄いレジスト膜を形成し、該薄いレジスト
膜にリソグラフィ技術を用いて、微細パターンを形成
し、前記薄い導電体膜に対してエッチングを行い前記微
細パターンを転写し、該薄い導電体膜に転写された前記
微細パターンをマスクとして前記比較的厚い膜厚の高分
子材料膜に対して反応性を有するガスを用いた高速原子
線の照射によって、該高分子材料膜のエッチングを行
い、該高分子材料膜に前記微細パターンを転写すること
を特徴とするものである。
【０００５】上述した本発明によれば、薄い導電体膜に
形成された微細パターンをマスクとして、比較的厚い膜
厚の高分子材料膜に対して高速原子線の照射によってエ
ッチングを行うので、高速原子線の有する高い直進性及
び電荷の蓄積という問題を生じないことから、アスペク
ト比の高い微細パターンの形成が可能である。これによ
り、比較的厚い高分子材料膜に対して、例えば１μｍ程
度の微細なパターン幅で、且つアスペクト比が１０以上
というアスペクト比の高い凹凸構造の形成が可能であ
る。
形成された微細パターンをマスクとして、比較的厚い膜
厚の高分子材料膜に対して高速原子線の照射によってエ
ッチングを行うので、高速原子線の有する高い直進性及
び電荷の蓄積という問題を生じないことから、アスペク
ト比の高い微細パターンの形成が可能である。これによ
り、比較的厚い高分子材料膜に対して、例えば１μｍ程
度の微細なパターン幅で、且つアスペクト比が１０以上
というアスペクト比の高い凹凸構造の形成が可能であ
る。
【０００６】請求項２に記載の発明は、前記導電体膜の
エッチングは、該導電体膜に対して反応性を有するガス
を用いた高速原子線の照射によって、行われることを特
徴とするものである。
エッチングは、該導電体膜に対して反応性を有するガス
を用いた高速原子線の照射によって、行われることを特
徴とするものである。
【０００７】前記高分子材料膜に形成された微細パター
ンに基づいて、前記基板の加工を行うことが好ましい。
ンに基づいて、前記基板の加工を行うことが好ましい。
【０００８】請求項３に記載の発明は、前記高分子材料
膜に形成された微細パターンを備えた基板上に異種材料
膜を被着し、前記高分子材料膜を溶解することで、リフ
トオフにより異種材料膜の微細パターンを前記基板上に
形成することを特徴とするものである。
膜に形成された微細パターンを備えた基板上に異種材料
膜を被着し、前記高分子材料膜を溶解することで、リフ
トオフにより異種材料膜の微細パターンを前記基板上に
形成することを特徴とするものである。
【０００９】請求項４に記載の発明は、前記異種材料膜
の微細パターンとして、前記基板上に導電材料からなる
コイルが形成されたことを特徴とするものである。
の微細パターンとして、前記基板上に導電材料からなる
コイルが形成されたことを特徴とするものである。
【００１０】これにより、アスペクト比の高い光の波長
以下を含めた微細なパターンを基板上に形成できるの
で、高い導電性を有する導電材料からなるコイルを形成
することで、微細な構造にも係わらず、高い電流容量が
得られる。従って、微細構造のコイルでありながら、強
い磁場を局部的に形成することができる。
以下を含めた微細なパターンを基板上に形成できるの
で、高い導電性を有する導電材料からなるコイルを形成
することで、微細な構造にも係わらず、高い電流容量が
得られる。従って、微細構造のコイルでありながら、強
い磁場を局部的に形成することができる。
【００１１】請求項５に記載の発明は、前記基板上には
半導体素子が形成され、前記異種材料膜の微細パターン
として良好な導電性を有する導電材料からなる微細配線
が形成され、前記半導体素子を接続することを特徴とす
るものである。
半導体素子が形成され、前記異種材料膜の微細パターン
として良好な導電性を有する導電材料からなる微細配線
が形成され、前記半導体素子を接続することを特徴とす
るものである。
【００１２】これにより、光の波長以下を含めた微細な
寸法で、且つアスペクト比の高い導電性の良好な金属配
線を形成できる。このような微細配線は、近年の高集積
度の半導体集積回路の素子構造は、立体的な構造に近付
いており、これらの素子間を接続する配線として、好適
に利用することができる。
寸法で、且つアスペクト比の高い導電性の良好な金属配
線を形成できる。このような微細配線は、近年の高集積
度の半導体集積回路の素子構造は、立体的な構造に近付
いており、これらの素子間を接続する配線として、好適
に利用することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照しながら説明する。
て添付図面を参照しながら説明する。
【００１４】図１は、本発明の実施の形態の微細パター
ンの転写加工方法を示す。図１（ａ）に示すように、例
えばシリコンからなる半導体基板１１に、例えば１０μ
ｍ程度の比較的厚い高分子材料膜１２を塗布する。この
高分子材料膜としては、ホトレジスト膜又はポリイミド
等の樹脂膜が好適である。そして更にその上層にタング
ステン（Ｗ）薄膜を厚さ２０ｎｍ程度形成して、薄い導
電体膜１３とする。更にその上層に電子線に感光性を有
する薄いレジスト膜１４を塗布する。
ンの転写加工方法を示す。図１（ａ）に示すように、例
えばシリコンからなる半導体基板１１に、例えば１０μ
ｍ程度の比較的厚い高分子材料膜１２を塗布する。この
高分子材料膜としては、ホトレジスト膜又はポリイミド
等の樹脂膜が好適である。そして更にその上層にタング
ステン（Ｗ）薄膜を厚さ２０ｎｍ程度形成して、薄い導
電体膜１３とする。更にその上層に電子線に感光性を有
する薄いレジスト膜１４を塗布する。
【００１５】そして、図１（ｂ）に示すように、薄いレ
ジスト膜１４にリソグラフィ技術を用いて微細パターン
を形成する。これは、極端に波長の短い電子線を用いて
描画することにより、薄いレジスト膜に電子線による微
細な露光パターンを形成し、これを現像することにより
薄いレジスト膜による島状の微細パターン１４ａを形成
すると共に、導電体膜１３の露出部分を形成する。そし
て、例えばＳＦ６ガスによる高速原子線（ＦＡＢ）を用
いて、この基板の表面を照射することにより、薄い導電
体膜１３の露出部分とレジストパターン１４ａの両方が
エッチングされる。しかしながら、レジストパターン１
４ａが導電体膜１３に対してマスクとして作用し、導電
体膜の露出部分のエッチング終了時には、レジストパタ
ーン１４ａで被覆されていた部分が、エッチングされず
に残り、図１（ｃ）に示すように、導電体膜の転写パタ
ーン１３ａが厚い高分子材料膜１２上に形成される。従
って、導電体膜パターン１３ａはレジスト膜パターン１
４ａと同一の形状のパターンとなる。
ジスト膜１４にリソグラフィ技術を用いて微細パターン
を形成する。これは、極端に波長の短い電子線を用いて
描画することにより、薄いレジスト膜に電子線による微
細な露光パターンを形成し、これを現像することにより
薄いレジスト膜による島状の微細パターン１４ａを形成
すると共に、導電体膜１３の露出部分を形成する。そし
て、例えばＳＦ６ガスによる高速原子線（ＦＡＢ）を用
いて、この基板の表面を照射することにより、薄い導電
体膜１３の露出部分とレジストパターン１４ａの両方が
エッチングされる。しかしながら、レジストパターン１
４ａが導電体膜１３に対してマスクとして作用し、導電
体膜の露出部分のエッチング終了時には、レジストパタ
ーン１４ａで被覆されていた部分が、エッチングされず
に残り、図１（ｃ）に示すように、導電体膜の転写パタ
ーン１３ａが厚い高分子材料膜１２上に形成される。従
って、導電体膜パターン１３ａはレジスト膜パターン１
４ａと同一の形状のパターンとなる。
【００１６】尚、導電体膜パターン１３ａは、高速原子
線によるエッチングを用いずに、通常の気相又は液相の
エッチングを用いて形成しても勿論良い。
線によるエッチングを用いずに、通常の気相又は液相の
エッチングを用いて形成しても勿論良い。
【００１７】次に、図１（ｄ）に示すように、高分子材
料膜１２に対して良好なエッチング特性を有する、例え
ばＯ２ガスを用いた高速原子線により、高分子材料膜１
２のエッチング加工を行う。高速原子線は中性の粒子線
であり、例えば平行平板型のビーム源を用いることによ
り、極めて直進性の高いビームが得られる。又、中性の
粒子線であるため、イオンビームのような電荷の蓄積と
いう問題を生じない。これにより、例えばアスペクト比
５〜１００程度が可能であり、線幅／間隔はレジストパ
ターン１４ａの描画精度で決まり、電子線露光を用いる
ことにより、５０ｎｍ程度の微細パターンの形成も可能
である。
料膜１２に対して良好なエッチング特性を有する、例え
ばＯ２ガスを用いた高速原子線により、高分子材料膜１
２のエッチング加工を行う。高速原子線は中性の粒子線
であり、例えば平行平板型のビーム源を用いることによ
り、極めて直進性の高いビームが得られる。又、中性の
粒子線であるため、イオンビームのような電荷の蓄積と
いう問題を生じない。これにより、例えばアスペクト比
５〜１００程度が可能であり、線幅／間隔はレジストパ
ターン１４ａの描画精度で決まり、電子線露光を用いる
ことにより、５０ｎｍ程度の微細パターンの形成も可能
である。
【００１８】尚、高速原子線はＯ２ガスから直接形成さ
れたものでなくても、例えばＡｒガスから形成された原
子線にＯ２ガスを流すことにより、高分子材料膜の原子
線の照射部位にＯ２ガスを作用させて、エッチングを進
行させるようにしても良い。この高分子材料膜１２の高
速原子線のエッチングに際して、例えばタングステン
（Ｗ）からなる導電体パターン１３ａが強い耐性を有す
るマスクとして働き、これにより比較的厚い高分子材料
膜の選択的なエッチングが可能となり、アスペクト比の
高い加工が可能となる。
れたものでなくても、例えばＡｒガスから形成された原
子線にＯ２ガスを流すことにより、高分子材料膜の原子
線の照射部位にＯ２ガスを作用させて、エッチングを進
行させるようにしても良い。この高分子材料膜１２の高
速原子線のエッチングに際して、例えばタングステン
（Ｗ）からなる導電体パターン１３ａが強い耐性を有す
るマスクとして働き、これにより比較的厚い高分子材料
膜の選択的なエッチングが可能となり、アスペクト比の
高い加工が可能となる。
【００１９】これにより、例えば線幅１μｍ程度、高さ
１０μ程度のアスペクト比の高い、高分子材料からなる
凸状部をシリコン基板上に櫛の歯状に形成することがで
きる。更に、この凸状部をマスクとして直進性の高い高
速原子線を用いてエッチング加工することにより、シリ
コン基板自体に高アスペクト比の微細構造物を形成する
ことができる。
１０μ程度のアスペクト比の高い、高分子材料からなる
凸状部をシリコン基板上に櫛の歯状に形成することがで
きる。更に、この凸状部をマスクとして直進性の高い高
速原子線を用いてエッチング加工することにより、シリ
コン基板自体に高アスペクト比の微細構造物を形成する
ことができる。
【００２０】図２は、図１（ｄ）の高分子材料膜に基づ
いて、電気伝導性の良好な例えばＣｕからなるアスペク
ト比の高い微細パターンの形成方法を示している。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ＳＦ６ガスを用いた高速
原子線を照射することにより、マスクとして作用してい
た薄い導電体膜パターン１３ａを除去する。これによ
り、図２（ａ）に示すように、櫛の歯状に高分子材料か
らなる凸状部１２ａがシリコン基板１１上に形成され
る。
いて、電気伝導性の良好な例えばＣｕからなるアスペク
ト比の高い微細パターンの形成方法を示している。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ＳＦ６ガスを用いた高速
原子線を照射することにより、マスクとして作用してい
た薄い導電体膜パターン１３ａを除去する。これによ
り、図２（ａ）に示すように、櫛の歯状に高分子材料か
らなる凸状部１２ａがシリコン基板１１上に形成され
る。
【００２１】次に図２（ｂ）に示すように、Ｃｕ材の蒸
着又はスパッタリングにより、例えば厚さが高分子材料
膜と略同等な程度に厚いＣｕ膜１５を全面に被着する。
このＣｕ膜１５は、シリコン基板１１が露出した部分に
おいてはその露出部に、高分子材料からなる凸状部１２
ａにおいては、その凸状部上に被着される。
着又はスパッタリングにより、例えば厚さが高分子材料
膜と略同等な程度に厚いＣｕ膜１５を全面に被着する。
このＣｕ膜１５は、シリコン基板１１が露出した部分に
おいてはその露出部に、高分子材料からなる凸状部１２
ａにおいては、その凸状部上に被着される。
【００２２】そして、図２（ｃ）に示すように高分子材
料膜を適当なその溶解液に浸漬することにより、凸状部
１２ａが溶解除去され、その上のＣｕ膜がリフトオフに
より除去される。従って、図に示すようになＣｕ膜の線
幅／間隔が微細で、且つアスペクト比の高い凸状部１５
ａが形成される。
料膜を適当なその溶解液に浸漬することにより、凸状部
１２ａが溶解除去され、その上のＣｕ膜がリフトオフに
より除去される。従って、図に示すようになＣｕ膜の線
幅／間隔が微細で、且つアスペクト比の高い凸状部１５
ａが形成される。
【００２３】図３は、係る製造方法により形成したマイ
クロコイルの例を示す。例えば、１本のコイルの線幅が
１μｍ程度で、その高さが１０μｍ程度で、材料として
電気伝導性の極めて良好なＣｕを用いたコイルを形成す
ることができる。このコイルは図示するように高さｈが
１０μｍ程度と高いので、例えば１０μＡ／コイル線、
程度の電流容量が得られ、これにより磁束密度が数Ｇ〜
数百Ｇ程度の十分な大きさの局部的な起磁力の発生が可
能であり、例えばＨＤＤのヘッドとして利用することが
可能である。尚、コイルの全幅ｋとしては、１μｍ〜１
ｍｍ程度が好適であり、高さｈとしては、０．１μｍ〜
５００μｍ程度が好適である。
クロコイルの例を示す。例えば、１本のコイルの線幅が
１μｍ程度で、その高さが１０μｍ程度で、材料として
電気伝導性の極めて良好なＣｕを用いたコイルを形成す
ることができる。このコイルは図示するように高さｈが
１０μｍ程度と高いので、例えば１０μＡ／コイル線、
程度の電流容量が得られ、これにより磁束密度が数Ｇ〜
数百Ｇ程度の十分な大きさの局部的な起磁力の発生が可
能であり、例えばＨＤＤのヘッドとして利用することが
可能である。尚、コイルの全幅ｋとしては、１μｍ〜１
ｍｍ程度が好適であり、高さｈとしては、０．１μｍ〜
５００μｍ程度が好適である。
【００２４】図４は、コイルを図示するように螺旋状に
形成した例である。ここでコイルの全幅ｋは、例えば１
μｍ〜１ｍｍ程度であり、その厚みは０．０１μｍ〜５
００μｍに形成することが可能であり、アスペクト比も
１０程度の凸状構造を容易に得ることができる。このコ
イルにおいても、コイルの両端ＡとＢとの間に比較的大
きな電流を流すことにより、微細なコイルにおいて、比
較的大きな磁界を形成することができる。又、微細な線
間隔にコイルを形成することが可能であり、比較的イン
ダクタンス値の高いコイルを形成することが可能であ
る。
形成した例である。ここでコイルの全幅ｋは、例えば１
μｍ〜１ｍｍ程度であり、その厚みは０．０１μｍ〜５
００μｍに形成することが可能であり、アスペクト比も
１０程度の凸状構造を容易に得ることができる。このコ
イルにおいても、コイルの両端ＡとＢとの間に比較的大
きな電流を流すことにより、微細なコイルにおいて、比
較的大きな磁界を形成することができる。又、微細な線
間隔にコイルを形成することが可能であり、比較的イン
ダクタンス値の高いコイルを形成することが可能であ
る。
【００２５】また、Ｃｕ膜を半導体集積回路の微細配線
として用いることもできる。半導体集積回路は、集積密
度の向上に伴い素子構造が微細化して、アスペクト比の
高い立体的な構造に近付いている。上述したように、本
発明によれば、配線幅が０．０１μｍ〜１００μｍで、
アスペクト比が１０程度の導電性が極めて良好なＣｕ膜
による微細配線の形成が可能である。従って、半導体基
板上にトランジスタ等の半導体素子を形成し、これらを
電気的に接続する配線層として、好適に利用可能であ
る。係る配線層によれば、微細構造で且つ電流容量が大
きく、抵抗損失を小さくすることができる。
として用いることもできる。半導体集積回路は、集積密
度の向上に伴い素子構造が微細化して、アスペクト比の
高い立体的な構造に近付いている。上述したように、本
発明によれば、配線幅が０．０１μｍ〜１００μｍで、
アスペクト比が１０程度の導電性が極めて良好なＣｕ膜
による微細配線の形成が可能である。従って、半導体基
板上にトランジスタ等の半導体素子を形成し、これらを
電気的に接続する配線層として、好適に利用可能であ
る。係る配線層によれば、微細構造で且つ電流容量が大
きく、抵抗損失を小さくすることができる。
【００２６】尚、以上の説明は本発明の好適な実施例を
述べたものであり、本発明の趣旨を逸脱することなく種
々の変形実施例が可能なことは勿論である。
述べたものであり、本発明の趣旨を逸脱することなく種
々の変形実施例が可能なことは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
微細な線幅で且つアスペクト比の高い微細構造物を比較
的容易に製造することができる。
微細な線幅で且つアスペクト比の高い微細構造物を比較
的容易に製造することができる。
【図１】本発明の実施の形態の微細パターンの転写加工
方法の前半部を示す図である。
方法の前半部を示す図である。
【図２】本発明の実施例の形態の微細パターンの転写加
工方法の後半部を示す図である。
工方法の後半部を示す図である。
【図３】図１及び図２の方法により形成されたコイルの
斜視図である。
斜視図である。
【図４】図３のコイルの変形例を示す上面図である。
１１ 基板 １２ 高分子材料膜 １２ａ 高分子材料膜の微細パターン １３ 導電体膜 １３ａ 導電体膜の微細パターン １４ レジスト膜 １４ａ レジスト膜の微細パターン １５ 高導電性金属膜 １５ａ 高導電性金属膜の微細パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一木 克則 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 佐竹 徹 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 CA20 HA11 HA15 HA28 HA30 5F004 AA04 BA20 BB01 DA18 DA26 DB10 DB25 DB26 DB27 EA02 FA04 5F046 LB10
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に比較的厚い膜厚の高分子材料膜
を形成し、該高分子材料膜上に薄い導電体膜を形成し、
該薄い導電体膜上に更に薄いレジスト膜を形成し、該薄
いレジスト膜にリソグラフィ技術を用いて、微細パター
ンを形成し、前記薄い導電体膜に対してエッチングを行
い前記微細パターンを転写し、該薄い導電体膜に転写さ
れた前記微細パターンをマスクとして前記比較的厚い膜
厚の高分子材料膜に対して反応性を有するガスを用いた
高速原子線の照射によって、該高分子材料膜のエッチン
グを行い、該高分子材料膜に前記微細パターンを転写す
ることを特徴とする微細パターンの転写加工方法。 - 【請求項２】 前記導電体膜のエッチングは、該導電体
膜に対して反応性を有するガスを用いた高速原子線の照
射によって、行われることを特徴とする請求項１に記載
の微細パターンの転写加工方法。 - 【請求項３】 前記高分子材料膜に形成された微細パタ
ーンを備えた基板上に異種材料膜を被着し、前記高分子
材料膜を溶解することで、リフトオフにより異種材料膜
の微細パターンを前記基板上に形成することを特徴とす
る請求項１又は２に記載の微細パターンの転写加工方
法。 - 【請求項４】 前記異種材料膜の微細パターンとして、
前記基板上に導電材料からなるコイルが形成されたこと
を特徴とする請求項３に記載の微細パターンの転写加工
方法。 - 【請求項５】 前記基板上には半導体素子が形成され、
前記異種材料膜の微細パターンとして良好な導電性を有
する導電材料からなる微細配線が形成され、前記半導体
素子を接続することを特徴とする請求項３に記載の微細
パターンの転写加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21095099A JP2001033979A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 微細パターンの転写加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21095099A JP2001033979A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 微細パターンの転写加工方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001033979A true JP2001033979A (ja) | 2001-02-09 |
| JP2001033979A5 JP2001033979A5 (ja) | 2004-11-04 |
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ID=16597795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21095099A Pending JP2001033979A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 微細パターンの転写加工方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001033979A (ja) |
-
1999
- 1999-07-26 JP JP21095099A patent/JP2001033979A/ja active Pending
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