JP2001023920A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

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JP2001023920A
JP2001023920A JP11194996A JP19499699A JP2001023920A JP 2001023920 A JP2001023920 A JP 2001023920A JP 11194996 A JP11194996 A JP 11194996A JP 19499699 A JP19499699 A JP 19499699A JP 2001023920 A JP2001023920 A JP 2001023920A
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和則 山崎
Hiroshi Tanabe
浩 田邉
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のレーザ光源を組み合わせた場合にも、
効率的に加工光を照射することができ、精度の高い加工
を可能にするレーザ加工装置。 【解決手段】 合成光学系３０は、ナイフエッジミラー
３１、３２からなり、第１ビームＬＢ1を一対のナイフ
エッジ３１ａ、３２ａ間に通過させるとともに第２ビー
ムＬＢ2を一対のナイフエッジ３１ａ、３２ａによって
分割する。ダイバージェンス光学系７１は第１ビームＬ
Ｂ1についてホモジナイザ４１による結像位置を微調整
する。テレスコープ光学系７２は、第２ビームＬＢ2の
ビームサイズを第１ビームＬＢ1のビームサイズと一致
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、照射光を所望の
ビーム形状で対象面に入射させるためのビーム形成装置
を用いたレーザ加工装置に関するものであり、特にアニ
ーリング装置、表面改質装置等に応用して好適である。
【０００２】
【従来の技術】例えばアモルファスＳｉ膜を多結晶化す
るレーザアニーリング装置は、アモルファスＳｉ膜を形
成した基板上にアニーリング光を照射させるためのビー
ム整形装置として、ホモジナイザと呼ばれる光学系を備
える。特に、レーザアニーリング装置が線状のレーザビ
ームを基板上で短軸方向に１軸スキャン照射するスキャ
ンタイプのものである場合、矩形ビームから線条ビーム
を形成する線条ビームホモジナイザが用られる。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかし、上記のようなレーザ
アニーリング装置では、単一の光源を使用していたた
め、レーザ光源の特性に依存した加工光を照射せざるを
得なかった。ここで、加工光の特性を多様に設定するた
めには、複数のレーザ光源を組み合わせることが考えら
れる。
【０００４】例えば一対のレーザ光源を組み合わせて合
成光を得る場合、ホモジナイザに入射させる前に、偏光
ビームスプリッタを用いて一対の光源からの２本のビー
ムを重ね合わせることが考えられる。このような構成を
とった場合、例えば一方の光源からの第１ビームのうち
ｐ偏光成分が偏光ビームスプリッタの合成面を透過して
ホモジナイザに入射すると考えると、他方の光源からの
第２ビームのうちｓ偏光成分が、この合成部で反射され
てホモジナイザに入射することになる。つまり、第１ビ
ームのｓ偏光成分と第２ビームのｐ偏光成分とはホモジ
ナイザに入射せず、これらの偏光成分は使用されずロス
されることになる。
【０００５】そこで、本発明は、複数のレーザ光源を組
み合わせた場合にも、効率的に加工光を照射することが
でき、精度の高い加工を可能にするレーザ加工装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置は、一対の異なる光源から
の一対の照射光をそれぞれ略同一サイズのビームとして
マスクに重畳して照射するビーム形成装置と、ワークを
載置するステージと、マスクの像をステージ上のワーク
に投影する投影光学系と、マスクとワークとを相対的に
移動させる走査手段とを備える。
【０００７】この装置では、ビーム形成装置が一対の異
なる光源からの一対の照射光をそれぞれ略同一サイズの
ビームとしてマスクに重畳して照射するので、加工光の
特性を多様に設定することができ、加工光の生成に際し
てのロスも少ない。
【０００８】また、上記装置の好ましい態様では、マス
クが、所定方向に延びるスリットを有し、走査手段が、
マスクを投影光学系に対して例えば所定方向と直交する
方向に移動させる。
【０００９】この場合、マスクによって簡易に線条ビー
ムを形成することができ、スリットの移動によってこの
線条ビームをワーク上で走査することができる。
【００１０】また、上記装置の好ましい態様では、ビー
ム形成装置が、マスクが配置される所定面上の矩形の領
域に一対の照射光をそれぞれ入射させる。
【００１１】この場合、矩形のマスクを均一かつ効率的
に照明することができ、かかるマスクに形成されたパタ
ーンをワーク上に均一に投影することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
【００１３】〔第１実施形態〕図１は、本発明の第１実
施形態に係るレーザ加工装置であるレーザアニール装置
の構造を説明する図である。このレーザアニール装置
は、アモルファス状Ｓｉ等の半導体薄膜を表面上に形成
したガラス板であるワークＷを載置して３次元的に滑ら
かに移動可能なステージ１０と、一対の特性の異なるレ
ーザビームＬＢ1、ＬＢ2をそれぞれ発生する一対のレー
ザ光源２１、２２と、これらのレーザビームＬＢ1、Ｌ
Ｂ2を合成する合成光学系３０と、合成光学系３０によ
って合成された合成光ＣＬを線条ビームＡＢにして所定
の照度でワークＷ上に入射させる照射光学系４０と、照
射光学系４０中に設けたマスクを移動させてワーク上に
投射した線条ビームＡＢをワークＷ上で走査させる走査
手段であるマスク駆動装置５０と、ワークＷを載置した
ステージ１０を照射光学系４０等に対して必要量だけ適
宜移動させるステージ駆動装置６０と、レーザアニール
装置全体の各部の動作を統括的に制御する主制御装置１
００とを備える。
【００１４】一対のレーザ光源２１、２２は、ともにワ
ークＷ上の半導体薄膜を加熱するためのエキシマレーザ
その他のパルス光源であり、発光時間やピーク強度、或
いは波長等の特性が互いに異なる一対のレーザビームＬ
Ｂ1、ＬＢ2をそれぞれ個別に発生する。
【００１５】合成光学系３０は、両レーザ光源２１、２
２からの一対のレーザビームＬＢ1、ＬＢ2を空間的に継
ぎ合わせて合成光ＣＬを形成するためのもので、一対の
平行に配置されたナイフエッジミラー３１、３２からな
る。なお、合成光学系３０と両レーザ光源２１、２２と
の間には、それぞれダイバージェンス光学系７１とテレ
スコープ光学系７２とを調整装置として設けている。ダ
イバージェンス光学系７１は、レーザ光源２１からの第
１ビームＬＢ1について、照射光学系４０に設けたホモ
ジナイザ４１による光軸方向結像位置（ビーム形成位
置）を微調整する調整光学系としての役割を有する。テ
レスコープ光学系７２は、レーザ光源２２からの第２ビ
ームＬＢ2について、そのビームサイズを調節して合成
光学系３０に入射する第１ビームＬＢ1のビームサイズ
と一致させるアフォーカル光学系としての役割を有す
る。
【００１６】図２は、合成光学系３０によって形成され
る合成光ＣＬを説明する図である。合成光学系３０は、
レーザ光源２１からの第１ビームＬＢ1を、照射光学系
４０の入射瞳Ｐのうち光軸ＯＡを含む中央側瞳領域ＣＡ
に入射させる。また、合成光学系３０は、レーザ光源２
２からの第２ビームＬＢ2を、２つに分割し、照射光学
系４０の入射瞳Ｐのうち中央側瞳領域ＣＡの両端に設け
た一対の外側瞳領域ＳＡ1、ＳＡ2にそれぞれ入射させ
る。
【００１７】図１に戻って、照射光学系４０は、合成光
学系３０からの合成光ＣＬを一旦複数に分割するととも
にこれらの分割光を矩形のビームにして所定面上に重畳
して均一に入射させるホモジナイザ４１と、スリット状
の透過パターンを有するとともに、所定面上に配置され
て合成光ＣＬを遮るマスク４２と、マスク４２に形成さ
れた透過パターンを線条ビームＡＢとしてワークＷ上に
縮小投影する投影レンズ４３とを備える。
【００１８】図３は、マスク４２に形成された透過パタ
ーンを説明する図である。図からも明らかなように、マ
スク４２には、透過パターンとして例えばＸ方向に延び
る複数のスリット４２ａが形成されている。マスク４２
が図１のマスク駆動装置５０に駆動されてＹ方向に滑ら
かに移動すると、ワークＷ上に投影されてＸ方向に延び
る線条ビーム（スリット像）ＡＢは、その長手方向に直
交するＹ方向に走査される。なお、かかる走査に際して
マスク４２をＹ方向に移動させる量は、これらスリット
４２ａ設ける周期距離とする。
【００１９】図１に戻って、ステージ駆動装置６０は、
ステージ１０を駆動してワークＷ上の所定領域を照射光
学系４０に対して位置合わせするアライメントを行う。
また、ステージ駆動装置６０は、マスク駆動装置５０に
よって線条ビームＡＢがワークＷ上の所定領域で走査さ
れて所定領域のレーザアニールが終了した段階で、ワー
クＷを上記の所定領域に隣接する領域にステップ移動さ
せるアライメントを行う。なお、ステージ駆動装置６０
によるステージ１０の駆動量は、位置検出装置８０によ
って常時監視されている。
【００２０】以下、図１の装置の動作について説明す
る。まず、レーザアニール装置のステージ１０上にワー
クＷを搬送して載置する。次に、照射光学系４０に対し
てステージ１０上のワークＷをアライメントする。次
に、照射光学系４０のマスク４２を移動させながら、一
対のレーザ光源２１、２２から得た合成光ＣＬを線条ビ
ームＡＢにしてワークＷ上の所定領域に入射させる。ワ
ークＷ上には、非晶質半導体のアモルファスＳｉ等の薄
膜が形成されており、線条ビームＡＢの照射及び走査に
よって半導体の所定領域がアニール、再結晶化され、電
気的特性の優れた半導体薄膜を提供することができる。
以上のようなレーザアニールは、ワークＷに設けた複数
の所定領域で繰返され、ワークＷに設けた複数の所定領
域で半導体薄膜がアニールされる。
【００２１】この際、上記装置では、合成光学系３０が
一対のレーザ光源２１、２２からの一対のレーザビーム
ＬＢ1、ＬＢ2を空間的に継ぎ合わせて合成光ＣＬを形成
するので、一対のレーザビームＬＢ1、ＬＢ2をロスを最
小限に抑えて合成することができ、合成後は、ホモジナ
イザ４１によって一対のレーザビームＬＢ1、ＬＢ2につ
いて均一な矩形ビームをそれぞれ所定面であるマスク４
２上に形成することができる。さらに、ワークＷ上に入
射する線条ビームＡＢは、レーザビームＬＢ1、ＬＢ2を
効率的に合成したものであり、多様なレーザアニールが
可能になる。
【００２２】図４は、合成光学系３０及びその周辺の構
造を説明する図である。既に説明したように、合成光学
系３０は、一対のナイフエッジミラー３１、３２からな
り、第１ビームＬＢ1を一対のナイフエッジ３１ａ、３
２ａ間に通過させるとともに第２ビームＬＢ2を一対の
ナイフエッジ３１ａ、３２ａによって分割する。第１ビ
ームＬＢ1についてホモジナイザ４１による結像位置を
微調整するダイバージェンス光学系７１は、凸レンズ７
１ａと凹レンズ７１ｂとを組み合わせたアフォーカル系
となっている。第２ビームＬＢ2のビームサイズを第１
ビームＬＢ1のビームサイズと一致させるテレスコープ
光学系７２も、凹レンズ７２ａと凸レンズ７２ｂとを組
み合わせたアフォーカル系となっている。テレスコープ
光学系７２と合成光学系３０との間には、ターンミラー
３３を設けて第２ビームＬＢ2を案内している。一方、
両レーザビームＬＢ1、ＬＢ2を合成した合成光ＣＬが入
射するホモジナイザ４１は、第１〜第４シリンドリカル
レンズアレイＣＡ1〜ＣＡ4と、凸レンズのコンデンサレ
ンズ４１ａとからなる。ここで、第１及び第３シリンド
リカルレンズアレイＣＡ1、ＣＡ3は、紙面に平行な断面
に曲率を有し、第２及び第４シリンドリカルレンズアレ
イＣＡ2、ＣＡ4は、紙面に垂直で光軸を含む断面に曲率
を有する。
【００２３】以下、動作の概要について説明する。第１
ビームＬＢ1は、ナイフエッジ３１ａ、３２ａ間、すな
わちホモジナイザ４１の光軸ＯＡを含む中央側瞳領域を
通り、第２ビームＬＢ2は、ナイフエッジミラー３１、
３２によって２つに分割されて第１ビームＬＢ1の両
端、すなわちホモジナイザ４１の一対の外側瞳領域を通
って、それぞれホモジナイザ４１に入射する。ホモジナ
イザ４１は、合成光ＣＬが入射できるようにビーム２つ
分の入射瞳のサイズにしてあり、コンデンサレンズ４１
ａ等のレンズ系はその入射瞳に合わせて収差補正がされ
ている。
【００２４】ホモジナイザ４１に入射した合成光ＣＬ
は、第１〜第４シリンドリカルレンズアレイＣＡ1〜Ｃ
Ａ4によって、シリンドリカルレンズを構成するセグメ
ント数に分割された２次光源を形成する。分割された２
次光源からの光ビームは、コンデンサレンズ４１ａに入
射し、コンデンサレンズ４１ａのバックフォーカス位置
に配置された被照射面ＩＳで重ね合わされて均一な矩形
ビームを形成する。
【００２５】ここで、ダイバージェンス光学系７１やテ
レスコープ光学系７２は、第１ビームＬＢ1と第２ビー
ムＬＢ2のビーム特性やその相違等に起因して、ホモジ
ナイザ４１によって形成される矩形ビームについてフォ
ーカス位置の違いやビームサイズの違い、さらにユニフ
ォーミティの違いが生じてしまうことを防止している。
【００２６】前者のダイバージェンス光学系７１は、ホ
モジナイザ４１に入射する第１ビームＬＢ1のＮＡを僅
かに変えてホモジナイザ４１によるベストフォーカス位
置及びビームサイズを調整する。後者のテレスコープ光
学系７２は、ホモジナイザ４１に入射する第１ビームＬ
Ｂ1のビームサイズに第２ビームＬＢ2のビームサイズを
一致させる。これにより、両レーザビームＬＢ1、ＬＢ2
について、シリンドリカルレンズアレイＣＡ1〜ＣＡ4に
よる分割数を一致させて同様のユニフォーミティを得る
ことができる。
【００２７】以下、動作の詳細について説明する。第１
ビームＬＢ1は、図示してないビームデリバリー（ター
ンミラー等）を経て第１ビーム用のダイバージェンス光
学系７１に入射する。このダイバージェンス光学系７１
は、ほぼ等倍のアフォーカル系であり、２つのレンズ７
１ａ、７１ｂのレンズ間距離を変えることにより、この
ダイバージェンス光学系７１から出射する第１ビームＬ
Ｂ1のビームサイズをほとんど変えることなく、この第
１ビームＬＢ1のＮＡを僅かに変えることができる。具
体的な実施例では、ダイバージェンス光学系７１による
出射ＮＡ（第１ビームＬＢ1の広がり角）の可変調節範
囲を数ｍｒａｄ程度とした。なお、２枚のレンズ７１
ａ、７１ｂは凸凹の２群系であり、各々のパワーも小さ
いため、両レンズ７１ａ、７１ｂの間隔を変えても収差
の変化はほとんど生じない。
【００２８】ダイバージェンス光学系７１を出射した第
１ビームＬＢ1は、２枚のナイフエッジミラー３１、３
２の間、すなわちホモジナイザ４１の光軸中心側を通過
するのみである。ナイフエッジミラー３１、３２間を通
過した第１ビームＬＢ1は、その後ホモジナイザ４１の
シリンドリカルレンズアレイＣＡ1の中央部（第１ビー
ムＬＢ1に割り当てられたシリンドリカルレンズ）に入
射し、シリンドリカルレンズの個数（図４では６本）に
分割される。分割された各ビームは、コンデンサレンズ
４１ａにより重ね合わされて被照射面ＩＳで均一ビーム
を形成する。
【００２９】一方、第２ビームＬＢ2は、図示していな
いビームデリバリーを経て第２ビーム用のテレスコープ
光学系７２に入射する。このテレスコープ光学系７２に
入射した第２ビームＬＢ2は、本光学系で拡大または縮
小されて第１ビームＬＢ1と同一のビームサイズとなっ
てここから出射して合成光学系３０に向かう。合成光学
系３０では、ナイフエッジミラー３１、３２によって第
２ビームＬＢ2が２つのビーム部分ＬＢ2a、ＬＢ2bに分
割され、それぞれ第１ビームＬＢ1の両端を通過してホ
モジナイザ４１へと向かう。両ビーム部分ＬＢ2a、ＬＢ
2bは、ホモジナイザ４１の光軸中心の外側、すなわちホ
モジナイザ４１のシリンドリカルレンズアレイＣＡ1の
両端部（第２ビームＬＢ2に割り当てられたシリンドリ
カルレンズ）に入射し、シリンドリカルレンズの個数
（図４では上下３本ずつの計６本）に分割される。分割
された各ビームは、コンデンサレンズ４１ａにより重ね
合わせられて被照射面ＩＳで均一ビームを形成する。
【００３０】以上の説明では、第１ビームＬＢ1及び第
２ビームＬＢ2共に「被照射面ＩＳで均一ビームを形成
する」と記したが、実は両者のベストフォーカス位置
は、主に光源から出射するビームの拡がり角等の特性の
違いにより異なることがある。また、このようにベスト
フォーカスが異なっている場合、ビームサイズも異なっ
ていることが多い。したがって、第１ビームＬＢ1及び
第２ビームＬＢ2の特性の差を補償する必要がある。こ
のため、第２ビームＬＢ2のベストフォーカス位置を真
の被照射面ＩＳ（基準面）として、この基準面に第１ビ
ームＬＢ1のベストフォーカス位置を一致させる。具体
的には、ダイバージェンス光学系７１により第１ビーム
ＬＢ1の出射ＮＡ、すなわちホモジナイザ４１から見た
場合の入射ＮＡを変える。ホモジナイザ４１から見た入
射ＮＡを変更すると、それに応じてホモジナイザ４１通
過後のベストフォーカス位置が変わる。これにより、第
１ビームＬＢ1のベストフォーカス位置を微調し、第２
ビームＬＢ2のそれに一致させることができる。なお、
ホモジナイザ４１のレンズ構成によって出射ＮＡとベス
トフォーカス位置のずれとの対応は異なるのでかかる調
整の詳細な説明は省略する。
【００３１】〔第２実施形態〕以下、第２実施形態のレ
ーザ加工装置について説明する。第２実施形態の装置
は、第１実施形態の装置の一部として組み込まれたビー
ム形成装置を変形したものであり、同一部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。図５は、ビーム形成
装置の要部を説明する図である。このビーム形成装置
は、第１実施形態の図４に対応するものであるが、同図
において第１ビームＬＢ1の光路中に配置されているダ
イバージェンス光学系７１を除いた構成となっている。
【００３２】この場合、テレスコープ光学系７２を構成
する一対のレンズ７２ａ、７２ｂのレンズ間隔を変える
ことにより、ホモジナイザ４１に入射する第２ビームＬ
Ｂ2のＮＡを微妙に変えることができる。この実施形態
では、テレスコープ光学系７２が、図４の第１ビーム用
のダイバージェンス光学系７１の役割、すなわち第１ビ
ームＬＢ1と第２ビームＬＢ2とのフォーカス位置の調整
も行う。
【００３３】〔第３実施形態〕以下、第３実施形態のレ
ーザ加工装置について説明する。第３実施形態の装置
は、第１実施形態の装置の一部を変形したものである。
図６は、第３実施形態のレーザ加工装置を構成するビー
ム形成装置の要部を説明する図である。このビーム形成
装置は、第１実施形態の図４に対応するものであるが、
同図において第２ビームＬＢ2中に配置されているテレ
スコープ光学系７２を除いた構成となっている。
【００３４】使用する２つのレーザビームＬＢ1、ＬＢ2
のビームサイズがほとんど同じ場合、ビームサイズを一
致させるための図４に示すようなテレスコープ光学系７
２を配置する必要がなくなる。また、使用する２つのレ
ーザビームＬＢ1、ＬＢ2のビームサイズが異なっていて
もよい用途の場合も、図４に示すようなテレスコープ光
学系７２は不要となる。
【００３５】〔第４実施形態〕以下、第４実施形態のレ
ーザ加工装置について説明する。第４実施形態の装置
は、第１実施形態の装置の一部を変形したものである。
図７は、第４実施形態のビーム形成装置を構成するビー
ム形成装置の要部を説明する図である。このビーム形成
装置では、分割光学系１３０として、一対のナイフエッ
ジミラーの代わりにナイフエッジプリズム１３５を用い
る。ホモジナイザ４１通過後のビームの均一性に関して
対称性等が間題にならない場合、本実施形態のようにナ
イフエッジプリズム１３５のナイフエッジ部１３５ａを
利用して、ホモジナイザ４１の光軸ＯＡから上側に第１
ビームＬＢ1を入射させ、ホモジナイザ４１の光軸ＯＡ
から下側に第２ビームＬＢ2を入射させる。つまり、両
レーザビームＬＢ1、ＬＢ2を単に並べて配置しただけの
ものとすることができる。なお、第１ビームＬＢ1と第
２ビームＬＢ2とを対向する方向からナイフエッジプリ
ズム１３５に入射させるためのビームデリバリーについ
ては図示を省略している。
【００３６】〔第５実施形態〕以下、第５実施形態のレ
ーザ加工装置について説明する。第５実施形態の装置
は、第１実施形態の装置の一部を変形したものである。
図８は、第５実施形態のレーザ加工装置を構成するビー
ム形成装置の要部を説明する図である。このビーム形成
装置では、分割光学系２３０として、一対のナイフエッ
ジミラー１３１、１３２のナイフエッジ部１３１ａ、１
３２ａ同士を突き合わせるようにしたものを用いる。
【００３７】以上、実施形態に即してこの発明を説明し
たが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。上記実施形態では、ダイバージェンス光学系７１や
テレスコープ光学系７２が球面系であるように説明した
が、Ｘ軸若しくはＹ軸に直交する断面の一方に作用する
シリンドリカルレンズ系とすることができる。シリンド
リカルレンズ系とした場合は、より重要な断面に注目し
て、その断面でのフォーカス調整を行うことになる。通
常のエキシマレーザの場合、電極方向とそれに直行する
方向とでは拡がり角等のビーム特性が異なり、一方の断
面に注目してシリンドリカル系を配置することが多い。
さらに、両断面のベストフォーカスを個別に一致させる
ために、シリンドリカルレンズ系で構成したダイバージ
ェンス光学系やテレスコープ光学系を直交する断面ごと
に個別に配置しても良い。
【００３８】また、上記実施形態の照射光学系４０は、
ホモジナイザ４１によってマスク４２を照明し、マスク
４２の像を投影レンズ４３に照射することとしたが、ホ
モジナイザ４１の被照射面ＩＳに直接ワークＷを配置す
ることもできる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のレーザ加工装置によれば、ビーム形成装置が一対の異
なる光源からの一対の照射光をそれぞれ略同一サイズの
ビームとしてマスクに重畳して照射するので、加工光の
特性を多様に設定することができ、加工光の生成に際し
てのロスも少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態のレーザアニール装置の構造を示
す図である。
【図２】図１の合成光学系によって形成される合成光を
説明する図である。
【図３】照射光学系を構成するマスクの透過パターンを
説明する図である。
【図４】合成光学系３０及びその周辺の詳細な構造を説
明する図である。
【図５】第２実施形態のビーム形成装置の要部を説明す
る図である。
【図６】第３実施形態のビーム形成装置の要部を説明す
る図である。
【図７】第４実施形態のビーム形成装置の要部を説明す
る図である。
【図８】第５実施形態のビーム形成装置の要部を説明す
る図である。
【符号の説明】
１０ ステージ ２１,２２ レーザ光源 ３０ 合成光学系 ３１,３２ ナイフエッジミラー ４０ 照射光学系 ４１ ホモジナイザ ４２ マスク ４３ 投影レンズ ５０ マスク駆動装置 ６０ ステージ駆動装置 ７１ ダイバージェンス光学系 ７１ａ,７１ｂ レンズ ７２ テレスコープ光学系 ７２ａ,７２ｂ レンズ ８０ 位置検出装置 １００ 主制御装置 ＡＢ 線条ビーム ＣＬ 合成光 ＬＢ1 第１ビーム ＬＢ2 第２ビーム Ｗ ワーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田邉 浩 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AH00 CD01 CD10 CE02 CE04 DA09 5F052 AA02 BA07 BA11 BA12 BA18 DA02

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の異なる光源からの一対の照射光を
    それぞれ略同一サイズのビームとしてマスクに重畳して
    照射するビーム形成装置と、 ワークを載置するステージと、 前記マスクの像を前記ステージ上のワークに投影する投
    影光学系と、 前記マスクと前記ワークとを相対的に移動させる走査手
    段と、を備えるレーザ加工装置。
  2. 【請求項２】 前記マスクは、スリットを有し、前記走
    査手段は、前記マスクを前記投影光学系に対して移動さ
    せることを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
  3. 【請求項３】 前記ビーム形成装置は、前記マスクが配
    置される所定面上の矩形の領域に前記一対の照射光をそ
    れぞれ入射させることを特徴とする請求項１記載のレー
    ザ加工装置。
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