JP2001013503A - 液晶表示素子の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像表示ムラのない液晶表示素子の作製方法
を提供する。 【解決手段】 配向膜６、８の形成の際、基板２及び透
明基板１０上にワニス１１を塗布後、熱処理を行ってポ
リイミド１３を形成し、ローラー１８と、ステージ１７
とからなる装置１４を用いて、ローラー１８に布１９を
巻回し、ステージ１７上にポリイミド１３を上方に向け
て基板２又は透明基板１０を載置した後、ローラー１８
を基板２、１０に接触させ、ローラー１８を回転させる
一方、ステージ１７を稼動させて、布１９でポリイミド
１３を擦って行ない、ローラー１８の回転数Ｍ、布１９
の厚さとローラー１８半径を加算した半径Ｒ、布１９が
ポリイミド１３と面接触する部分の長さＬ、ステージ１
７の移動速度Ｖ、ステージ１７の始点から終点まで移動
する稼動回数Ｎとする時、擦り量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）
を３０００〜１０００００ｍｍの範囲にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の作
製方法に関し、特にこの液晶表示素子の配向膜の形成方
法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】最近、液晶表示素子を用いた液晶表示装
置の開発が盛んに行われている。この液晶表示素子は、
投射型液晶表示装置やヘッドマウントディスプレイ、携
帯情報端末及びカメラのビューファインダ等に用いられ
るミニチュアディスプレイ等の直視型液晶ディスプレイ
に広く利用される。このような液晶表示素子について図
３を用いて説明する。図３に示すように、液晶表示素子
１は、シリコン基板２上に形成されたアクティブマトリ
クス駆動回路３と、このアクティブマトリクス駆動回路
３によって選択的に制御駆動される画素電極４をマトリ
クス状に規則的に配列せしめた画素電極層５と、配向膜
６と、液晶層７と、配向膜８及び透明電極９を備えた透
明ガラス板１０とを順次積層した構成を有している。

【０００３】ここで、液晶層７には、負の誘電率異方性
を有するネマティック液晶が用いられ、このネマティッ
ク液晶の中で、特に、長い電荷保持時間を有するフッ素
系液晶化合物が用いられている。このネマチック液晶
は、初期状態（電圧を印加しない状態）でその液晶分子
の長軸がシリコン基板２及び透明ガラス板１０の表面に
対して垂直あるいは垂直から僅かな傾きをもつホメオト
ロピック配向を有している。このネマチック液晶の光変
調率は、液晶分子の長軸がシリコン基板２及び透明ガラ
ス板１０の表面に対する法線となす角を大きくすること
によって、大きくすることができる。

【０００４】一般に、液晶分子の配向制御は液晶層７に
入射する光の波面の方向に対して最もリタデーションが
大きくなる４５°方向が選択される。なお、液晶層７の
リタデーションは液晶層７の屈折率異方性とその厚さの
積として表わされる。

【０００５】次に、液晶表示素子１の作製方法について
説明する。予め、シリコン基板２上に形成された画素電
極層５及び透明ガラス板１０上に形成された透明電極９
に斜方蒸着法によりＳｉＯ₂を蒸着して、それぞれ配向
膜６、８を形成する。更に、所定の間隙を有して、配向
膜６と配向膜８とを対向配置し、この間隙に液晶層７を
注入後、封止して図３に示す液晶表示素子１を作製す
る。

【０００６】配向膜６、８は、斜方蒸着法の代わりにラ
ビング処理により形成することもできる。以下に、ラビ
ング処理について説明する。まず、シリコン基板２上に
形成された画素電極層５表面及び透明ガラス板１０上に
形成された透明電極９表面にポリイミドワニスを塗布す
る。次に、このポリイミドワニスの熱処理を行って、イ
ミド化反応を促進させてポリイミドを形成し、このポリ
イミドをラビング布で擦るラビング処理を行って配向膜
６、８を得る。

【０００７】次に、この液晶表示素子１の作用を説明す
る。画像信号電圧が液晶層７に印加された状態で、読み
出し光を透明ガラス板１０側から入射させると、この読
み出し光は、画像信号電圧に応じて液晶層７で光変調さ
れた後、画素電極層５によって反射され、再び液晶層７
で光変調されて透明ガラス板１０から画像情報光として
出射する。この透明ガラス板１０から放出された画像情
報光を図示しないスクリーン上に投射することによって
画像表示を行うことができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示素子１の配向膜６、８の形成方法には以下の問題を生
じていた。配向膜６、８を斜方蒸着法により形成する場
合、シリコン基板２又は透明ガラス板１０の形状が大き
いと、斜方角のバラツキを生じる。このため、配向膜
６、８の成膜方向にバラツキを生じるので、液晶層７の
液晶分子の配向乱れを生じ、画像表示ムラを生じてい
た。また、ＳｉＯ₂の形成を図示しない真空装置内で行
うため、このＳｉＯ₂を蒸着するたびに前記真空装置内
を真空にする必要があるので、生産性を低下させてい
た。

【０００９】また、前記したラビング処理を用いる方法
では、液晶分子の長軸のシリコン基板２及び透明ガラス
板１０に対する傾きを均一に発現することが難しいた
め、画像表示ムラを生じていた。更に、ポリイミドワニ
スが疎水性であるので、シリコン基板２上に形成された
画素電極層５及び透明ガラス板１０上に形成された透明
電極９への塗布が難しく、印刷ムラが発生しやすかっ
た。このため、液晶層７の不均一な配向による画像表示
ムラを生じていた。そこで、本発明は、上記問題に鑑み
てなされたものであり、生産性を低下させずに、画像表
示ムラのない液晶表示素子の作製方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子の
作製方法の第１の発明は、少なくとも、基板及び透明基
板上にそれぞれポリイミドワニスを塗布後、熱処理を行
ってポリイミドを形成し、次にこのポリイミドのラビン
グ処理を行って前記基板上に第１配向膜を、前記透明基
板上に第２配向膜を形成し、引き続いて所定の間隙を有
して前記第１配向膜と前記第２配向膜とを対向配置し、
この間隙に負の誘電率異方性を有するネマチック液晶か
らなり、かつ前記ネマチック液晶中の液晶分子の長軸が
前記基板及び透明基板の表面に対して垂直から僅かな傾
きを有するホメオトロピック配向を有する液晶層を注入
して得られる液晶表示素子の作製方法において、前記ラ
ビング処理は、上下動できる回転ローラーと、稼動可能
なステージとからなる装置を用いて、前記回転ローラー
にラビング布を巻回し、前記ステージ上に前記ポリイミ
ドを上方に向けて前記基板又は前記透明基板を載置した
後、前記回転ローラーを前記基板又は前記透明基板に接
触させ、次に前記回転ローラーを回転させる一方、前記
ステージを前記回転ローラーと接する接線方向に往復運
動させながら行い、かつ前記ローラーの回転数をＭ（回
／ｓ）、前記ラビング布の厚さと前記回転ローラー半径
を加算した半径をＲ（ｍｍ）、前記ラビング布がポリイ
ミドと面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）、前記ステー
ジの移動速度をＶ（ｍｍ／ｓ）、前記ステージが始点か
ら終点まで移動する稼動回数をＮ（回）とする時、擦り
量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）が３０００ｍｍ乃至１００００
０ｍｍの範囲であることを特徴とする。第２の発明とし
て、請求項１記載の液晶表示素子の作製方法において、
前記ステージの稼動回数Ｎは、５回乃至１００回の範囲
であることを特徴とする。第３の発明として、請求項１
記載の液晶表示素子の作製方法において、前記ラビング
布が前記基板又は前記透明基板に押し込み量をＤとする
時、前記押し込み量Ｄは、０．２ｍｍ乃至１．０ｍｍの
範囲であることを特徴とする。第４の発明として、請求
項１記載の液晶表示素子の作製方法において、前記ロー
ラーの回転数Ｍ（回／ｓ）は、１回／ｓ乃至１０回／ｓ
未満の範囲であることを特徴とする。第５の発明とし
て、請求項１記載の液晶表示素子の作製方法において、
前記ステージの移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）は、１ｍｍ／ｓ
乃至４０ｍｍ／ｓ未満の範囲であることを特徴とする。
第６の発明として、請求項１記載の液晶表示素子の作製
方法において、前記ポリイミドワニスは、少なくともブ
チルセルゾルブ、Ｎ―メチルピロリドン、ポリアミック
酸を主成分とするポリイミドからなり、前記ブチルセル
ゾルブは前記Ｎ―メチルピロリドンよりも重量比割合が
多いことを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示素子の作
製方法について、図１及び図２を用いて説明する。従来
技術と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略す
る。図１は、本発明の液晶表示素子の作製方法の製造工
程を示す図である。図２は、ラビング装置を示す概略図
である。 （ポリイミドワニス塗布及び熱処理工程）予めアクティ
ブマトリクス駆動回路３と画素電極層５が形成されたシ
リコン基板２と透明電極９が形成された透明ガラス板１
０を用意する。この後、図１（Ａ）に示すように、フレ
キソ印刷法やグラビア印刷法により、酸無水物とポリア
ミック酸とを反応させて作製したポリイミドワニス１１
（例えば、ＳＥ―１２１１ 日産化学工業（株）製）を
シリコン基板２上に形成された画素電極層５表面及び透
明ガラス板１０上に形成された透明電極９表面に塗布す
る。次に、図１（Ｂ）に示すように、ポリイミドワニス
１１が塗布されたシリコン基板２及び透明ガラス板１０
をホットプレート１２上で８０℃、１８０秒間加熱して
ポリイミドワニス１１中の溶媒を蒸発させる。引き続
き、図１（Ｃ）に示すように、これを図示しないオーブ
ン中に入れ、１８０℃、２時間の熱処理を行って、イミ
ド化反応を促進させてポリイミド１３を形成する。

【００１２】この際、ポリイミドワニス１１の組成が、
ブチルセルゾルブ５０重量％、Ｎ―メチルピロリドン重
量４５％、ポリアミック酸を主成分とするポリイミド重
量５％であるといったように、ブチルセルゾルブがＮ―
メチルピロリドンよりも重量比で多い場合には、ポリイ
ミド１３の印刷ムラの発生は大幅に低減する。

【００１３】（ラビング処理工程）まずは、ラビング処
理を説明する前にラビング装置について説明する。図２
は、ラビング装置を示す概略図である。図２に示すよう
にラビング装置１４は、固定台１５と、この固定台１５
上に固定されたレール１６と、このレール１６上を稼動
するステージ１７と、このステージ１７上方に設けら
れ、上下動でき、かつ回転自在な回転ローラー１８とか
らなる。ここで、回転ローラー１８の半径Ｒ₀は、６５
ｍｍである。

【００１４】次に、このラビング装置１４を用いたラビ
ング処理について説明する。まず、ラビング装置１４の
回転ローラー１８にラビング布１９を巻回して固定す
る。このラビング布１９の材料はナイロン、ポリエステ
ル及び綿等であり、この厚さは４ｍｍである。次に、ス
テージ１７上にポリイミド１３が塗布されたシリコン基
板２をポリイミド１３側が上方を向くようにして固定す
る。このラビング布１９をポリイミド１３が塗布された
シリコン基板２に面接触するように回転ローラー１８を
下方に移動する。この状態で、回転ローラー１８を回転
させると共にレール１６上でステージ１７を始点から終
点まで移動させ、ステージ１７が終点まで到達した後、
回転ローラー１８を上方に移動し、ポリイミド１３が塗
布されたシリコン基板２から回転ローラー１８を切り離
し、ポリイミド１３上をラビング布１９で擦る１回の工
程を終了する。次に、図１（Ｄ）に示すように、ステー
ジ１７を始点に戻し、再び回転ローラー１８を下方に移
動し、このラビング布１９をポリイミド１３が塗布され
たシリコン基板２に面接触させ前記したと同様な工程の
繰り返しを行って、配向膜６を形成する。更に、シリコ
ン基板２の代わりにポリイミド１３が塗布された透明ガ
ラス板１０をステージ１７上に固定し、上記と同様な操
作を行って、配向膜８を形成する。

【００１５】（貼り合わせ工程）この後、所定の間隙を
有して配向膜６と配向膜８とを対向配置し、この間隙に
液晶層７を注入して図３に示す液晶表示素子１を得る。

【００１６】ここで、前記した液晶表示素子１の作製方
法における画像表示ムラを生じないラビング処理条件に
ついて説明する。まず始めに、ポリイミド１３に対する
ラビング布１９の擦り量をＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）と表わ
す時、この擦り量を変化させて、ポリイミド１３のラビ
ング処理を行って配向膜６、８を形成した後、作製され
た液晶表示素子１の画像表示ムラについて調べた。ここ
で、回転ローラー１８の回転数をＭ（ｒ／ｓ）、ラビン
グ布１９の厚さと回転ローラー１８半径Ｒ₀を加算した
半径をＲ（ｍｍ）、ラビング布１９がポリイミド１３と
面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）、ステージ１７の移
動速度をＶ（ｍｍ／ｓ）、ステージ１７の始点から終点
まで移動する稼動回数をＮ（回）とする。

【００１７】この結果、擦り量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）が
３０００ｍｍ以上では画像表示ムラの発生がなかった。
実用的には、擦り量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）が１００００
０ｍｍ以上では処理時間が大幅に増し、生産性が低下す
るため、生産性を考慮すると、擦り量ＮＬ（２πＲＭ／
Ｖ）は３０００ｍｍ乃至１０００００ｍｍの範囲が良
い。一方、擦り量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）が３０００ｍｍ
未満では、液晶層７の液晶分子のプレチルト角のバラツ
キが大きく画像表示ムラが発生した。以上のように、擦
り量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）が、３０００ｍｍ乃至１００
０００ｍｍの範囲でポリイミド１３をラビング処理して
配向膜６、８を形成すれば、生産性を低下させることな
く、画像表示ムラの発生のない液晶表示素子１を得るこ
とができる。

【００１８】次に、前記した擦り量ＮＬ（２πＲＭ／
Ｖ）が３０００ｍｍ乃至１０００００ｍｍの範囲となる
ように回転ローラー１８の回転数Ｍ（回／ｓ）、ステー
ジ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）及びラビング布１９が
ポリイミド１３と面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）を
一定とした場合、ステージ１７の始点から終点まで移動
する稼動回数をＮ（回）を変化させて、ポリイミド１３
のラビング処理を行って配向膜６、８を形成した後、作
製された液晶表示素子１の画像表示ムラについて調べ
た。この結果、稼動回数Ｎ（回）が５回以上では画像表
示ムラの発生がなかったが、５回未満では、画像表示ム
ラが発生した。稼動回数Ｎ（回）は、１００回以上では
処理時間が大幅に増し、生産性を低下させるだけでなく
ポリイミド１３が剥離してしまうといった不具合を生じ
るため、稼動回数Ｎ（回）は、５回乃至１００回未満の
範囲がよい。以上のように、ポリイミド１３を稼動回数
Ｎ（回）が５回乃至１００回未満の範囲でラビング処理
して配向膜６、８を形成すれば、生産性を低下させるこ
となく、画像表示ムラの発生のない液晶表示素子１を得
ることができる。

【００１９】次に、前記した擦り量ＮＬ（２πＲＭ／
Ｖ）が３０００ｍｍ乃至１０００００ｍｍの範囲となる
ように回転ローラー１８の回転数Ｍ（回／ｓ）、ステー
ジ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）及びラビング布１９が
ポリイミド１３と面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）を
一定とした場合、ラビング布１９がシリコン基板２や透
明ガラス板１０に押し込まれる押し込み量をＤ（ｍｍ）
とし、この押し込み量Ｄ（ｍｍ）を変化させて、ポリイ
ミド１３のラビング処理を行って配向膜６、８を形成し
た後、作製された液晶表示素子１の画像表示ムラについ
て調べた。ここで、押し込み量Ｄ（ｍｍ）とは、ラビン
グ布１９がシリコン基板２や透明ガラス板１０に押し付
けられて押しつぶされる厚さである。押し込み量Ｄは、
ラビング布１９が硬い剛体とすると、このラビング布１
９がシリコン基板２中に食い込んだ量に相当するので、
図２中では、押し込み量Ｄを食い込んだ量として表わし
ている。

【００２０】この結果、押し込み量Ｄ（ｍｍ）が０．２
ｍｍ乃至１．０ｍｍ未満の範囲では、画像表示ムラの発
生がなかったが、０．２ｍｍ以下では、画像表示ムラが
発生した。押し込み量Ｄ（ｍｍ）が１．０ｍｍ以上で
は、ラビング布１９がシリコン基板２や透明ガラス板１
０を強く押し付けた状態で、ポリイミド１３上を摺動す
るので、ポリイミド１３に傷を生じたり、剥離を生じた
りといった問題を生じた。なお、押し込み量Ｄ（ｍｍ）
が０．２ｍｍの時、ラビング布１９がポリイミド１３と
面接触する部分の長さＬは１０ｍｍである。本発明の実
施形態では、ラビング布１９がポリイミド１３と面接触
する部分の長さＬは１３ｍｍの時、再現性の良好な結果
を得た。以上のように、押し込み量Ｄ（ｍｍ）が０．２
ｍｍ乃至１．０ｍｍ未満の範囲でラビング処理して配向
膜６、８を形成すれば、画像表示ムラの発生のない液晶
表示素子１を得ることができる。

【００２１】次に、前記した擦り量ＮＬ（２πＲＭ／
Ｖ）が３０００ｍｍ乃至１０００００ｍｍの範囲となる
ように回転ローラー１８の回転数Ｍ（回／ｓ）、ステー
ジ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）及びラビング布１９が
ポリイミド１３と面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）を
一定とした場合、回転ローラー１８の回転数Ｍ（回／
ｓ）を変化させて、ポリイミド１３のラビング処理を行
って配向膜６、８を形成した後、作製された液晶表示素
子１の画像表示ムラについて調べた。この結果、回転ロ
ーラー１８の回転数Ｍ（回／ｓ）が１回／ｓ以上１０回
／ｓ未満の範囲では画像表示ムラの発生がなかったが、
１０回／ｓ以上では、画像表示ムラが発生した。回転ロ
ーラー１８の回転数Ｍ（回／ｓ）が１０回／ｓ以上で
は、ポリイミド１３が剥離してしまうといった不具合を
生じた。以上のように、ポリイミド１３を回転ローラー
１８の回転数Ｍ（回／ｓ）が１回／ｓ乃至１０回／ｓ未
満の範囲でラビング処理して配向膜６、８を形成すれ
ば、画像表示ムラの発生のない液晶表示素子１を得るこ
とができる。

【００２２】次に、前記した擦り量ＮＬ（２πＲＭ／
Ｖ）が３０００ｍｍ乃至１０００００ｍｍの範囲となる
ように回転ローラー１８の回転数Ｍ（回／ｓ）、ステー
ジ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）及びラビング布１９が
ポリイミド１３と面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）を
一定とした場合、ステージ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／
ｓ）を変化させて、ポリイミド１３のラビング処理を行
って配向膜６、８を形成した後、作製された液晶表示素
子１の画像表示ムラについて調べた。この結果、ステー
ジ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）が１ｍｍ／ｓ乃至４０
ｍｍ／ｓ未満の範囲では、画像表示ムラが発生しなかっ
たが、４０ｍｍ／ｓ以上では、画像表示ムラが発生し
た。また、ステージ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）が４
０ｍｍ／ｓ以上では、ポリイミド１３が剥離してしまう
といった不具合を生じた。以上のように、ポリイミド１
３をステージ１７の移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）が１ｍｍ／
ｓ乃至４０ｍｍ／ｓ未満の範囲でラビング処理して配向
膜６、８を形成すれば、画像表示ムラの発生のない液晶
表示素子１を得ることができる。更に、ポリイミドワニ
ス１１の組成が、ブチルセルゾルブ５０重量％、Ｎ―メ
チルピロリドン重量４５％、ポリアミック酸を主成分と
するポリイミド重量５％であり、かつブチルセルゾルブ
がＮ―メチルピロリドンよりも重量比で多いので、ポリ
イミド１３の印刷ムラの発生が大幅に低減できる。

【００２３】

【発明の効果】本発明の液晶表示素子の作製方法の請求
項１乃至５の構成によれば、生産性を低下させることな
く、画像表示ムラの発生のない液晶表示素子を得ること
ができる。請求項６の構成によれば、ポリイミドの印刷
ムラの発生が大幅に低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示素子の作製方法を示す工程図
である。

【図２】本発明の液晶表示素子の作製方法に用いられる
ラビング装置の概略図である。

【図３】一般的な液晶表示素子を示す図である。

【符号の説明】

１…液晶表示素子、２…シリコン基板（基板）、３…ア
クティブマトリクス駆動回路、４…画素電極、５…画素
電極層、６…配向膜（第１配向膜）、８…配向膜（第２
配向膜）、７…液晶層（光変調層）、９…透明電極、１
０…透明ガラス板（透明基板）、１１…ポリイミドワニ
ス、１２…ホットプレート、１３…ポリイミド、１４…
ラビング装置、１５…固定台、１６…レール、１７…ス
テージ、１８…回転ローラー、１９…ラビング布

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも、基板及び透明基板上にそれぞ
   れポリイミドワニスを塗布後、熱処理を行ってポリイミ
   ドを形成し、次にこのポリイミドのラビング処理を行っ
   て前記基板上に第１配向膜を、前記透明基板上に第２配
   向膜を形成し、引き続いて所定の間隙を有して前記第１
   配向膜と前記第２配向膜とを対向配置し、この間隙に負
   の誘電率異方性を有するネマチック液晶からなり、かつ
   前記ネマチック液晶中の液晶分子の長軸が前記基板及び
   透明基板の表面に対して垂直から僅かな傾きを有するホ
   メオトロピック配向を有する液晶層を注入して得られる
   液晶表示素子の作製方法において、 前記ラビング処理は、稼動可能なステージと、このステ
   ージ上方に配置された上下動できる回転ローラーとから
   なる装置を用いて、前記回転ローラーにラビング布を巻
   回し、前記ステージ上に前記ポリイミドを上方に向けて
   前記基板又は前記透明基板を載置した後、前記回転ロー
   ラーを下方に移動し、前記基板又は前記透明基板に接触
   させ、次に前記回転ローラーを回転させる一方、前記ス
   テージを前記回転ローラーと接する接線方向に稼動させ
   て、前記回転ローラーに巻回されたラビング布で前記ポ
   リイミドを擦って行い、かつ前記回転ローラーの回転数
   をＭ（回／ｓ）、前記ラビング布の厚さと前記回転ロー
   ラー半径を加算した半径をＲ（ｍｍ）、前記ラビング布
   がポリイミドと面接触する部分の長さをＬ（ｍｍ）、前
   記ステージの移動速度をＶ（ｍｍ／ｓ）、前記ステージ
   が始点から終点まで移動する稼動回数をＮとする時、擦
   り量ＮＬ（２πＲＭ／Ｖ）が３０００ｍｍ乃至１０００
   ００ｍｍの範囲であることを特徴とする液晶表示素子の
   作製方法。
2. 【請求項２】前記ステージの稼動回数Ｎは、５回乃至１
   ００回の範囲であることを特徴とする請求項１記載の液
   晶表示素子の作製方法。
3. 【請求項３】前記ラビング布が前記基板又は前記透明基
   板に押し込み量をＤとする時、前記押し込み量Ｄは、
   ０．２ｍｍ乃至１．０ｍｍの範囲であることを特徴とす
   る請求項１記載の液晶表示素子の作製方法。
4. 【請求項４】前記ローラーの回転数Ｍ（回／ｓ）は、１
   回／ｓ乃至１０回／ｓ未満の範囲であることを特徴とす
   る請求項１記載の液晶表示素子の作製方法。
5. 【請求項５】前記ステージの移動速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）
   は、１ｍｍ／ｓ乃至４０ｍｍ／ｓ未満の範囲であること
   を特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の作製方法。
6. 【請求項６】前記ポリイミドワニスは、少なくともブチ
   ルセルゾルブ、Ｎ―メチルピロリドン、ポリアミック酸
   を主成分とするポリイミドからなり、前記ブチルセルゾ
   ルブは前記Ｎ―メチルピロリドンよりも重量比割合が多
   いことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の作製
   方法。