JPH0643457A - 液晶用配向膜の形成方法 - Google Patents
液晶用配向膜の形成方法Info
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- JPH0643457A JPH0643457A JP4192533A JP19253392A JPH0643457A JP H0643457 A JPH0643457 A JP H0643457A JP 4192533 A JP4192533 A JP 4192533A JP 19253392 A JP19253392 A JP 19253392A JP H0643457 A JPH0643457 A JP H0643457A
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- liquid crystal
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高コントラストで高品位な液晶表示素子が得
られる、ラビング処理などとは異なる新しい高度な液晶
配向能力を有する液晶用配向膜の形成方法。 【構成】 第１の基板１上に、すでに配向処理された第
２基材４を圧着させ、加熱し、ついで冷却する液晶用配
向膜の形成方法。第１の基板には高分子膜が形成されて
いてもよく、第２の基材には配向処理された高分子膜が
形成されていてもよい。
られる、ラビング処理などとは異なる新しい高度な液晶
配向能力を有する液晶用配向膜の形成方法。 【構成】 第１の基板１上に、すでに配向処理された第
２基材４を圧着させ、加熱し、ついで冷却する液晶用配
向膜の形成方法。第１の基板には高分子膜が形成されて
いてもよく、第２の基材には配向処理された高分子膜が
形成されていてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に用いら
れる高分子配向膜の形成方法に関する。
れる高分子配向膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子用配向膜は、ポリイ
ミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等の高分子の
薄膜を、スピンコート法、印刷法、ディッピング法等に
よって形成し、硬化させた後、布等で一方向にラビング
処理することによって得られ、該液晶配向膜によって、
液晶分子を一方向に配列させていた。上記高分子薄膜の
うちポリイミドやポリアミドが一般的に用いられてい
る。
ミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等の高分子の
薄膜を、スピンコート法、印刷法、ディッピング法等に
よって形成し、硬化させた後、布等で一方向にラビング
処理することによって得られ、該液晶配向膜によって、
液晶分子を一方向に配列させていた。上記高分子薄膜の
うちポリイミドやポリアミドが一般的に用いられてい
る。
【０００３】上記ラビング法は、ナイロン等の布で表面
を擦るために発塵する問題があり、これらの発塵はセル
の厚みを変化させ、歩留を低下させるのみならず、不純
物としてセル内に留まり、信頼性を低下させる原因とも
なっている。
を擦るために発塵する問題があり、これらの発塵はセル
の厚みを変化させ、歩留を低下させるのみならず、不純
物としてセル内に留まり、信頼性を低下させる原因とも
なっている。
【０００４】そのため、ラビング法に代わる種々な方法
が試みられているが、その代表的なものとしてラングミ
ュア、ブロジェット（ＬＢ）法がある。この方法は石鹸
のような分子を含む溶液を水面に滴下し、単分子膜を水
面上に形成し、それを基板上に移し取るという方法であ
る。特開昭６２−２０９４１５号公報ではポリイミドを
用いたＬＢ膜の液晶の配向膜に使用した方法が示されて
いる。しかし、その配向を制御するために多大の時間を
要し、実用上の問題点となっている。
が試みられているが、その代表的なものとしてラングミ
ュア、ブロジェット（ＬＢ）法がある。この方法は石鹸
のような分子を含む溶液を水面に滴下し、単分子膜を水
面上に形成し、それを基板上に移し取るという方法であ
る。特開昭６２−２０９４１５号公報ではポリイミドを
用いたＬＢ膜の液晶の配向膜に使用した方法が示されて
いる。しかし、その配向を制御するために多大の時間を
要し、実用上の問題点となっている。
【０００５】また液晶性高分子は、その分子が液晶状態
となる外部の力により容易に配向することが知られてお
り、ラビングのいらない配向膜として期待検討されてい
る。例えば特開昭６１−４２６１８号公報では磁場によ
って配向させる方法が示され、特開平２−１２３３３１
号公報には液晶性高分子の薄膜を、ずり応力で処理する
ことによって高分子薄膜を配向させる方法が示されてい
る。
となる外部の力により容易に配向することが知られてお
り、ラビングのいらない配向膜として期待検討されてい
る。例えば特開昭６１−４２６１８号公報では磁場によ
って配向させる方法が示され、特開平２−１２３３３１
号公報には液晶性高分子の薄膜を、ずり応力で処理する
ことによって高分子薄膜を配向させる方法が示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記磁
場によって配向させる方法は、基材が大きくなった場
合、極めて大きい磁場と多大な時間を必要とし、実施が
困難で、またずり応力で処理する方法は、応力を印加す
る際に精密な駆動部が必要となり、装置が高価となるこ
とが予想され、さらにずり応力によって表面が損傷さ
れ、表示品位が低下する等の不都合があった。
場によって配向させる方法は、基材が大きくなった場
合、極めて大きい磁場と多大な時間を必要とし、実施が
困難で、またずり応力で処理する方法は、応力を印加す
る際に精密な駆動部が必要となり、装置が高価となるこ
とが予想され、さらにずり応力によって表面が損傷さ
れ、表示品位が低下する等の不都合があった。
【０００７】本発明は上記の事情に鑑みなされたもの
で、高コントラストで高品位な液晶表示素子が得られ
る、新しい高度な液晶配向能力を有する配向膜の形成方
法を提供することを目的とする。
で、高コントラストで高品位な液晶表示素子が得られ
る、新しい高度な液晶配向能力を有する配向膜の形成方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる液晶用配
向膜の形成方法においては、第１の基板上に、すでに配
向処理された膜が被覆されている第２の基材を圧着さ
せ、加熱し、ついで冷却することにより、第１の基板に
液晶配向能を持たせる事を問題解決の手段とした。
向膜の形成方法においては、第１の基板上に、すでに配
向処理された膜が被覆されている第２の基材を圧着さ
せ、加熱し、ついで冷却することにより、第１の基板に
液晶配向能を持たせる事を問題解決の手段とした。
【０００９】
【作用】本発明の液晶用配向膜の形成方法は上記の構成
となっているので、ラビング工程を行なわないで、配向
処理を施した膜を別の高分子膜に圧着し、加熱するだけ
で配向膜を得ることができる。
となっているので、ラビング工程を行なわないで、配向
処理を施した膜を別の高分子膜に圧着し、加熱するだけ
で配向膜を得ることができる。
【００１０】
【実施例】本発明による具体的な配向方法としては図１
に示すように、第１の基板（例えばガラス或いはプラス
チック基板）１を用意する。この第１の基板には高分子
の希薄溶液をスピンコート法、ロールコート法、オフセ
ット印刷法、或いはディップコート法等の公知の方法で
塗布し溶媒を乾燥させることにより第１の高分子薄膜２
を形成する。第１の基板１には、このように高分子薄膜
２を形成するもののみならず、例えば透明電極を設けた
ガラス基板をそのまま使用し、この表面に直接、後述の
加熱処理を施して第２の基材上の配向処理された高分子
膜の配向された表面分子を転写して配向能を付与するこ
ともできる。
に示すように、第１の基板（例えばガラス或いはプラス
チック基板）１を用意する。この第１の基板には高分子
の希薄溶液をスピンコート法、ロールコート法、オフセ
ット印刷法、或いはディップコート法等の公知の方法で
塗布し溶媒を乾燥させることにより第１の高分子薄膜２
を形成する。第１の基板１には、このように高分子薄膜
２を形成するもののみならず、例えば透明電極を設けた
ガラス基板をそのまま使用し、この表面に直接、後述の
加熱処理を施して第２の基材上の配向処理された高分子
膜の配向された表面分子を転写して配向能を付与するこ
ともできる。
【００１１】本発明において第１の基板に形成される高
分子としては、ポリイミドや１５０℃以上で液晶性を示
す液晶性高分子等があげられる。液晶性高分子として
は、全芳香族系ポリエステル、屈曲鎖が芳香族環の間に
挿入されたポリエステル（例えばイーストマンコダック
社：Ｘ７Ｇ）等のポリエステル、ポリエステルアミド、
芳香族ポリアミド、ポリアクリル酸等のビニル系ポリマ
ー等が挙げられる。
分子としては、ポリイミドや１５０℃以上で液晶性を示
す液晶性高分子等があげられる。液晶性高分子として
は、全芳香族系ポリエステル、屈曲鎖が芳香族環の間に
挿入されたポリエステル（例えばイーストマンコダック
社：Ｘ７Ｇ）等のポリエステル、ポリエステルアミド、
芳香族ポリアミド、ポリアクリル酸等のビニル系ポリマ
ー等が挙げられる。
【００１２】また、これとは別に図２に示すようなラビ
ング処理などによってすでに配向処理された第２の高分
子薄膜３を形成したガラスまたはプラスチックなどから
なる第２の基材４を用意する。これを図３に示すように
第１の基板１に第２の基材４を重ね合わせる。
ング処理などによってすでに配向処理された第２の高分
子薄膜３を形成したガラスまたはプラスチックなどから
なる第２の基材４を用意する。これを図３に示すように
第１の基板１に第２の基材４を重ね合わせる。
【００１３】この重ね合わせた一対の基板と基材４をオ
ーブン等に入れ加熱する。加熱時間は１０分〜１時間の
範囲で、通常３０分程度がよい。加熱の際荷重をかける
と第１の基板および第２の高分子膜の密着性が向上す
る。熱処理後は、室温まで冷却し、次いで第１の基板１
と第２の基材４を分離する。上記操作により図４に示す
ように第１の基板の第１の高分子薄膜２′は、液晶配向
能をもつ。
ーブン等に入れ加熱する。加熱時間は１０分〜１時間の
範囲で、通常３０分程度がよい。加熱の際荷重をかける
と第１の基板および第２の高分子膜の密着性が向上す
る。熱処理後は、室温まで冷却し、次いで第１の基板１
と第２の基材４を分離する。上記操作により図４に示す
ように第１の基板の第１の高分子薄膜２′は、液晶配向
能をもつ。
【００１４】上記のようにして得られた第１の基板１を
２枚、厚さを一定とするため、スペーサを介して対向さ
せて重ね合わせ、液晶をその間隙に注入させ、液晶表示
素子が得られる。
２枚、厚さを一定とするため、スペーサを介して対向さ
せて重ね合わせ、液晶をその間隙に注入させ、液晶表示
素子が得られる。
【００１５】上記説明において第２の高分子薄膜が形成
された基材４として平板状のものを用いたが、平板状で
なくともよく、図５に示すように第２の高分子薄膜３を
形成したプラスチックシート４′を巻付けたローラ５で
もよい。また高分子のフィルムを延伸によって配向させ
たものを第２の高分子薄膜３としても使用できる。
された基材４として平板状のものを用いたが、平板状で
なくともよく、図５に示すように第２の高分子薄膜３を
形成したプラスチックシート４′を巻付けたローラ５で
もよい。また高分子のフィルムを延伸によって配向させ
たものを第２の高分子薄膜３としても使用できる。
【００１６】また、予め配向処理された膜として、第２
の基材４としてのガラス基板等上に形成されたＳｉＯの
斜方蒸着膜やあるいはガラス基板等に一定方向のマイク
ログルーブを刻設したものを用いても、同様に、第１の
基板１上の高分子薄膜２に配向能を付与することができ
る。したがって、上述のマイクログルーブを刻設したガ
ラス基板等を用いるものでは、第２の基材４自体が配向
処理された膜として機能することにもなる。
の基材４としてのガラス基板等上に形成されたＳｉＯの
斜方蒸着膜やあるいはガラス基板等に一定方向のマイク
ログルーブを刻設したものを用いても、同様に、第１の
基板１上の高分子薄膜２に配向能を付与することができ
る。したがって、上述のマイクログルーブを刻設したガ
ラス基板等を用いるものでは、第２の基材４自体が配向
処理された膜として機能することにもなる。
【００１７】本発明の方法で高分子膜が液晶配向能を有
する理由は、次のように思料する。すなわち、第１の基
板が、すでに配向している第２の高分子膜と接し、加熱
処理されることにより、第２の高分子膜の表面分子が第
１の基板へと転写される。その結果、第１の基板は液晶
配向能をもつ。また、第１の基板に高分子膜を形成した
場合、加熱処理によって第１の高分子膜が軟化し、すで
に配向している第２の膜が接することにより、その表面
形状が転写され、液晶の配向に必要な形状が、配向処理
をしていない膜にも形成されると考えることもできる。
特に液晶性高分子を用いた場合、液晶温度下で配向して
いる面に接すると、表面形状のみならず、分子の配向も
得られる。実際、上記方法で得られ液晶性高分子配向膜
の複屈折を測定したところ図６、図７に処理前、処理後
を示し、圧着させたポリイミドラビング膜を図８に示す
ように、対向する基板の配向方法と同じ方向に配向して
いることが確認できた。図６ないし図８は、光学的異方
性の面内分布を示したもので図６は処理前の第１の高分
子膜、図７は処理後の第１の高分子膜、図８は第１の高
分子膜と圧着させたポリイミドラビング膜（第２の高分
子膜）のデータである。これら図６ないし図８におい
て、線分の向きが進相軸、円の大きさが異方性の大きさ
に対応する。測定波長は６３２．８ｎｍである
する理由は、次のように思料する。すなわち、第１の基
板が、すでに配向している第２の高分子膜と接し、加熱
処理されることにより、第２の高分子膜の表面分子が第
１の基板へと転写される。その結果、第１の基板は液晶
配向能をもつ。また、第１の基板に高分子膜を形成した
場合、加熱処理によって第１の高分子膜が軟化し、すで
に配向している第２の膜が接することにより、その表面
形状が転写され、液晶の配向に必要な形状が、配向処理
をしていない膜にも形成されると考えることもできる。
特に液晶性高分子を用いた場合、液晶温度下で配向して
いる面に接すると、表面形状のみならず、分子の配向も
得られる。実際、上記方法で得られ液晶性高分子配向膜
の複屈折を測定したところ図６、図７に処理前、処理後
を示し、圧着させたポリイミドラビング膜を図８に示す
ように、対向する基板の配向方法と同じ方向に配向して
いることが確認できた。図６ないし図８は、光学的異方
性の面内分布を示したもので図６は処理前の第１の高分
子膜、図７は処理後の第１の高分子膜、図８は第１の高
分子膜と圧着させたポリイミドラビング膜（第２の高分
子膜）のデータである。これら図６ないし図８におい
て、線分の向きが進相軸、円の大きさが異方性の大きさ
に対応する。測定波長は６３２．８ｎｍである
【００１８】次に実施例、比較例を示して本発明を具体
的に説明する。 （実施例１）透明電極付きガラス基板を２枚用意し、こ
れの一方を第１の基板とし、他方を第２の基板とした。
第２の基板には高分子配向膜を形成するが、ここではポ
リイミド系配向材料ＡＬ−１０５１（日本合成ゴム製）
を使用した。これをガラス基板にスピナーにより回転数
１５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時
間乾燥したところ、約１００ｎｍ厚の高分子膜を得るこ
とができた。次にこれをナイロン布で一定の方向にラビ
ング処理し、表面の高分子鎖を配向させた。これらの基
板を密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧力をかけなが
ら２００℃で１時間の熱処理をした。その後そのままの
状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２枚の基板を分
離した。こうして得た第１の基板を２枚用いてＴＮセル
を作製し、ネマティック液晶ＧＴ−５００１（チッソ
製）を注入したところ良好な配向が得られた。
的に説明する。 （実施例１）透明電極付きガラス基板を２枚用意し、こ
れの一方を第１の基板とし、他方を第２の基板とした。
第２の基板には高分子配向膜を形成するが、ここではポ
リイミド系配向材料ＡＬ−１０５１（日本合成ゴム製）
を使用した。これをガラス基板にスピナーにより回転数
１５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時
間乾燥したところ、約１００ｎｍ厚の高分子膜を得るこ
とができた。次にこれをナイロン布で一定の方向にラビ
ング処理し、表面の高分子鎖を配向させた。これらの基
板を密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧力をかけなが
ら２００℃で１時間の熱処理をした。その後そのままの
状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２枚の基板を分
離した。こうして得た第１の基板を２枚用いてＴＮセル
を作製し、ネマティック液晶ＧＴ−５００１（チッソ
製）を注入したところ良好な配向が得られた。
【００１９】（実施例２）第１の高分子として液晶性の
主鎖型全芳香族系ポリエステルを使用した。この高分子
は２００℃付近で液晶相を示す液晶性高分子である。こ
れを２ｗｔ％添加したＮ−メチルピロリドン溶液を調整
し、透明電極付きガラス基板にスピナーにより回転数１
５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時間
乾燥したところ約１００ｎｍ厚さの液晶性高分子膜を得
ることができた。
主鎖型全芳香族系ポリエステルを使用した。この高分子
は２００℃付近で液晶相を示す液晶性高分子である。こ
れを２ｗｔ％添加したＮ−メチルピロリドン溶液を調整
し、透明電極付きガラス基板にスピナーにより回転数１
５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時間
乾燥したところ約１００ｎｍ厚さの液晶性高分子膜を得
ることができた。
【００２０】また、他方の基板には第２の高分子の配向
膜を形成するが、ここではポリイミド系配向材料ＡＬ−
１０５１（日本合成ゴム製）を使用した。これをガラス
基板にスピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒間
塗布した後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１０
０ｎｍ厚さの高分子膜を得ることができた。次にこれを
ナイロン布で一定の方向にラビング処理し、表面の高分
子鎖を配向させた。
膜を形成するが、ここではポリイミド系配向材料ＡＬ−
１０５１（日本合成ゴム製）を使用した。これをガラス
基板にスピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒間
塗布した後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１０
０ｎｍ厚さの高分子膜を得ることができた。次にこれを
ナイロン布で一定の方向にラビング処理し、表面の高分
子鎖を配向させた。
【００２１】次いで上記第１の高分子の膜面と、第２の
高分子の膜面とを密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧
力をかけながら２００℃で１時間の熱処理をした。その
後そのままの状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２
枚の基板を分離した。液晶性高分子側の基板の複屈折を
ＡＤＲ１００ＸＹ（オーク製作所製）で測定したとこ
ろ、位相差１０ｎｍ（測定波長６３２．８ｎｍ）であっ
た。また、進相軸の向きはラビングポリイミド基板と同
じ（ラビング方向と垂直）であった。こうして得た液晶
性高分子配向膜を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマテ
ィック液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したとこ
ろ良好な配向が得られた。
高分子の膜面とを密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧
力をかけながら２００℃で１時間の熱処理をした。その
後そのままの状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２
枚の基板を分離した。液晶性高分子側の基板の複屈折を
ＡＤＲ１００ＸＹ（オーク製作所製）で測定したとこ
ろ、位相差１０ｎｍ（測定波長６３２．８ｎｍ）であっ
た。また、進相軸の向きはラビングポリイミド基板と同
じ（ラビング方向と垂直）であった。こうして得た液晶
性高分子配向膜を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマテ
ィック液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したとこ
ろ良好な配向が得られた。
【００２２】（実施例３）第１の高分子膜は、実施例２
と同様の液晶性高分子を使用し作製した。一方、第２の
高分子としてポリイミド系配向材料ＡＬ−１０５１（日
本合成ゴム製）をポリイミドシート（宇部興産製）にス
ピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した
後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１００ｎｍ厚
さの高分子膜を得ることができた。次にこれをナイロン
布で一定の方向にラビング処理し、表面の高分子鎖を配
向させた。これをローラに接着し、ローラを２００℃で
加熱し、１ｃｍ／１ｍｉｎ．の速度で基板上を移動させ
た。液晶性高分子側の基板の複屈折をＡＤＲ１００ＸＹ
（オーク製作所製）で測定したところ、位相差１０ｎｍ
（測定波長６３２．８ｎｍ）であった。また、進相軸の
向きはラビング方向に垂直であった。こうして得た液晶
性高分子配向膜を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマテ
ィック液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したとこ
ろ良好な配向が得られた。
と同様の液晶性高分子を使用し作製した。一方、第２の
高分子としてポリイミド系配向材料ＡＬ−１０５１（日
本合成ゴム製）をポリイミドシート（宇部興産製）にス
ピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した
後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１００ｎｍ厚
さの高分子膜を得ることができた。次にこれをナイロン
布で一定の方向にラビング処理し、表面の高分子鎖を配
向させた。これをローラに接着し、ローラを２００℃で
加熱し、１ｃｍ／１ｍｉｎ．の速度で基板上を移動させ
た。液晶性高分子側の基板の複屈折をＡＤＲ１００ＸＹ
（オーク製作所製）で測定したところ、位相差１０ｎｍ
（測定波長６３２．８ｎｍ）であった。また、進相軸の
向きはラビング方向に垂直であった。こうして得た液晶
性高分子配向膜を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマテ
ィック液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したとこ
ろ良好な配向が得られた。
【００２３】（実施例４）液晶性高分子の代わりにポリ
イミド系配向材料ＡＬ−１０５１（日本合成ゴム製）を
使用した。これをガラス基板にスピナーにより回転数１
５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時間
乾燥したところ、約１００ｎｍ厚さの高分子膜を得るこ
とができた。次に一方の基板のみをナイロン布で一定の
方向にラビング処理し、表面の高分子鎖を配向させた。
これらの膜面を密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧力
をかけながら２００℃で１時間の熱処理をした。その後
そのままの状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２枚
の基板を分離した。こうして配向処理された高分子膜を
２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティック液晶ＧＴ−
５００１（チッソ製）を注入したところ良好な配向が得
られた。
イミド系配向材料ＡＬ−１０５１（日本合成ゴム製）を
使用した。これをガラス基板にスピナーにより回転数１
５００ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時間
乾燥したところ、約１００ｎｍ厚さの高分子膜を得るこ
とができた。次に一方の基板のみをナイロン布で一定の
方向にラビング処理し、表面の高分子鎖を配向させた。
これらの膜面を密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧力
をかけながら２００℃で１時間の熱処理をした。その後
そのままの状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２枚
の基板を分離した。こうして配向処理された高分子膜を
２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティック液晶ＧＴ−
５００１（チッソ製）を注入したところ良好な配向が得
られた。
【００２４】（実施例５）高分子として液晶性の主鎖型
全芳香族系ポリエステルを使用した。この高分子は２０
０℃付近で液晶相を示す液晶性高分子である。これを２
ｗｔ％添加したＮ−メチルピロリドン溶液を調整し、透
明電極付きガラス基板にスピナーにより回転数１５００
ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時間乾燥し
たところ、約１００ｎｍ厚の液晶性高分子膜を得ること
ができた。（第１の基板） 第２の基材には、フォトリソグラフィーにより一定方向
にマイクログルーブが形成されたソーダガラス基板を使
用した。走査型原子間力顕微鏡で表面形状を観察した結
果、グルーブピッチ１００ｎｍ、グルーブ幅５００ｎ
ｍ、グルーブ深さ５０ｎｍであることが確認された。こ
れらの膜面を密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧力を
かけながら２００℃で１時間の熱処理をした。その後そ
のままの状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２枚の
基板を分離した。こうして得た液晶性高分子配向膜（第
１の基板）を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティッ
ク液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したところ良
好な配向が得られた。
全芳香族系ポリエステルを使用した。この高分子は２０
０℃付近で液晶相を示す液晶性高分子である。これを２
ｗｔ％添加したＮ−メチルピロリドン溶液を調整し、透
明電極付きガラス基板にスピナーにより回転数１５００
ｒｐｍ，３０秒間塗布した後、１８０℃で１時間乾燥し
たところ、約１００ｎｍ厚の液晶性高分子膜を得ること
ができた。（第１の基板） 第２の基材には、フォトリソグラフィーにより一定方向
にマイクログルーブが形成されたソーダガラス基板を使
用した。走査型原子間力顕微鏡で表面形状を観察した結
果、グルーブピッチ１００ｎｍ、グルーブ幅５００ｎ
ｍ、グルーブ深さ５０ｎｍであることが確認された。こ
れらの膜面を密着させ、さらに５０ｇ／ｃｍ2 の圧力を
かけながら２００℃で１時間の熱処理をした。その後そ
のままの状態で室温まで冷却した後、加圧を止め２枚の
基板を分離した。こうして得た液晶性高分子配向膜（第
１の基板）を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティッ
ク液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したところ良
好な配向が得られた。
【００２５】（実施例６）高分子膜は実施例５と同様に
液晶性高分子を使用し作製した。一方、第２の基材はス
テンレス板の表面に一定方向の微小な溝を形成し、これ
をローラーに接着したものを用いた。ローラーを２００
℃で加熱し、１ｃｍ／１ｍｉｎ．の速度で基板上を移動
させた。こうして得た液晶性高分子配向膜（第１の基
板）を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティック液晶
ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したところ良好な配
向が得られた。
液晶性高分子を使用し作製した。一方、第２の基材はス
テンレス板の表面に一定方向の微小な溝を形成し、これ
をローラーに接着したものを用いた。ローラーを２００
℃で加熱し、１ｃｍ／１ｍｉｎ．の速度で基板上を移動
させた。こうして得た液晶性高分子配向膜（第１の基
板）を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティック液晶
ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したところ良好な配
向が得られた。
【００２６】（比較例１）高分子として実施例２と同じ
液晶性高分子材料を使用した。これを２ｗｔ％添加した
Ｎ−メチルピロリドン溶液を調整し、透明電極付きガラ
ス基板にスピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒
間塗布した後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１
００ｎｍ厚の液晶性高分子膜を得ることができた。他方
の基板も実施例１と同じく、ポリイミド系配向材料ＡＬ
−１０５１（日本合成ゴム性）を使用した。ガラス基板
にスピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒間塗布
した後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１００ｎ
ｍ厚の高分子膜を得ることができた。次にこれをナイロ
ン布で一定の方向にラビング処理し、表面の高分子鎖を
配向させた。これらの膜面を密着させ、室温下で５０ｇ
／ｃｍ2 の圧力を１時間加えた。その後加圧を止め２枚
の基板を分離した。液晶性高分子側の基板の複屈折をＡ
ＤＲ１００ＸＹ（オーク製作所製）で測定したところ、
位相差は発生しなかった。こうして得た液晶性高分子膜
を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティック液晶ＧＴ
−５００１（チッソ製）を注入したところ液晶は配向し
なかった。
液晶性高分子材料を使用した。これを２ｗｔ％添加した
Ｎ−メチルピロリドン溶液を調整し、透明電極付きガラ
ス基板にスピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒
間塗布した後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１
００ｎｍ厚の液晶性高分子膜を得ることができた。他方
の基板も実施例１と同じく、ポリイミド系配向材料ＡＬ
−１０５１（日本合成ゴム性）を使用した。ガラス基板
にスピナーにより回転数１５００ｒｐｍ，３０秒間塗布
した後、１８０℃で１時間乾燥したところ、約１００ｎ
ｍ厚の高分子膜を得ることができた。次にこれをナイロ
ン布で一定の方向にラビング処理し、表面の高分子鎖を
配向させた。これらの膜面を密着させ、室温下で５０ｇ
／ｃｍ2 の圧力を１時間加えた。その後加圧を止め２枚
の基板を分離した。液晶性高分子側の基板の複屈折をＡ
ＤＲ１００ＸＹ（オーク製作所製）で測定したところ、
位相差は発生しなかった。こうして得た液晶性高分子膜
を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマティック液晶ＧＴ
−５００１（チッソ製）を注入したところ液晶は配向し
なかった。
【００２７】（比較例２）第１の基板、第２の基板とも
に実施例５と同じものを使用した。これらの膜面を密着
させ、室温下で５０ｇ／ｃｍ2 の圧力を１時間加えた。
その後加圧を止め２枚の基板を分離した。こうして得た
液晶性高分子膜を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマテ
ィック液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したとこ
ろ液晶は配向しなかった。
に実施例５と同じものを使用した。これらの膜面を密着
させ、室温下で５０ｇ／ｃｍ2 の圧力を１時間加えた。
その後加圧を止め２枚の基板を分離した。こうして得た
液晶性高分子膜を２枚用いてＴＮセルを作製し、ネマテ
ィック液晶ＧＴ−５００１（チッソ製）を注入したとこ
ろ液晶は配向しなかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明における配向処理法は、膜面を擦
ることなく液晶配向能を持たせるものである。したがっ
て、膜面を傷つけ表示品位が損なわれることもなく、ラ
ビングのように発塵の問題もない。さらに、対向させる
第２の高分子膜を形成した配向処理基板は複数回の反復
使用可能であり、工業的にも有利である。
ることなく液晶配向能を持たせるものである。したがっ
て、膜面を傷つけ表示品位が損なわれることもなく、ラ
ビングのように発塵の問題もない。さらに、対向させる
第２の高分子膜を形成した配向処理基板は複数回の反復
使用可能であり、工業的にも有利である。
【図１】本発明の形成方法に用いられる第１の高分子膜
を形成した基板の縦断面図である。
を形成した基板の縦断面図である。
【図２】本発明に形成方法に用いられる第２の高分子膜
を形成した基材の縦断面図である。
を形成した基材の縦断面図である。
【図３】２枚の基板の高分子部分を合わせた縦断面図で
ある。
ある。
【図４】配向された第１の高分子膜が接着されている基
板の縦断面図である。
板の縦断面図である。
【図５】配向処理をローラで行なう装置の側面図であ
る。
る。
【図６】本発明で用いられる処理前の液晶性高分子膜の
光学的異方性の面内分布を示す図である。
光学的異方性の面内分布を示す図である。
【図７】処理後の配向した高分子膜の光学的異方性の面
内分布を示す図である。
内分布を示す図である。
【図８】液晶性高分子膜と圧着されるポリイミドラビン
グ膜の光学的異方性の面内分布を示す図である。
グ膜の光学的異方性の面内分布を示す図である。
１ 第１の基板（基板） ２ 第１の高分子の薄膜 ３ 第２の高分子の薄膜 ４ 第２の基材（基材）
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の基板に、すでに配向処理された高
分子膜が被覆されている第２の基材を圧着させ、加熱
し、ついで冷却することにより、第１の基板に液晶配向
能を持たせることを特徴とする液晶用配向膜の形成方
法。 - 【請求項２】 第１の基板上に高分子膜が形成され、こ
の高分子膜に配向能を持たせることを特徴とする請求項
１記載の液晶用配向膜の形成方法。 - 【請求項３】 配向処理された高分子膜が被覆されてい
る第２の基材が、加熱可能なローラー上に形成されてい
る請求項１又は２記載の液晶用配向膜の形成方法。 - 【請求項４】 第１の基板の高分子膜が液晶性高分子か
らなり、当該第１の高分子をその液晶への転移点以上に
加熱して、その後冷却することにより第１の高分子膜を
配向させる請求項２又は３記載の液晶用配向膜の形成方
法。 - 【請求項５】 高分子膜が形成されている第１の基板
に、すでに配向処理が施されている第２の基材を圧着さ
せ、加熱し、ついで冷却することにより、第１の基板の
高分子膜に液晶配向能を持たせる事を特徴とする液晶用
配向膜の形成方法。 - 【請求項６】 第２の基材が一定方向の微細な溝を形成
することにより配向処理されていることを特徴とする請
求項５記載の液晶用配向膜の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192533A JPH0643457A (ja) | 1992-05-27 | 1992-07-20 | 液晶用配向膜の形成方法 |
| EP92403146A EP0571681A1 (en) | 1992-05-27 | 1992-11-23 | A method of forming a film for use in alignment of liquid crystal |
| KR1019920022335A KR930023753A (ko) | 1992-05-27 | 1992-11-25 | 액정의 배향에 사용되는 막형성방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-135397 | 1992-05-27 | ||
| JP13539792 | 1992-05-27 | ||
| JP4192533A JPH0643457A (ja) | 1992-05-27 | 1992-07-20 | 液晶用配向膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0643457A true JPH0643457A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=26469254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4192533A Pending JPH0643457A (ja) | 1992-05-27 | 1992-07-20 | 液晶用配向膜の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0571681A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0643457A (ja) |
| KR (1) | KR930023753A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001277A (en) * | 1995-05-26 | 1999-12-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Liquid-crystal alignment film |
| US7218367B2 (en) | 2000-04-03 | 2007-05-15 | Konica Corporation | Optical compensation sheet and liquid crystal display |
| JP2008506986A (ja) * | 2004-07-13 | 2008-03-06 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | 接触印刷を用いたメソゲンのマイクロ構造化 |
| WO2013041046A1 (zh) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模块、显示器及显示模块的制作方法 |
| WO2013058228A1 (ja) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | 富士フイルム株式会社 | ラビングローラ及び配向フィルムの製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465002B1 (en) | 2000-03-13 | 2002-10-15 | Brown University Research Foundation | Liquid crystalline polymers |
| JP2005037740A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Joyo Kogaku Kk | ラビング装置及びそれを使用して製造した液晶表示素子 |
| CN111808616A (zh) | 2019-04-12 | 2020-10-23 | 佳胜科技股份有限公司 | 改质液晶高分子的制作方法、液晶高分子组合物及改变液晶高分子的熔点的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150530A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の配向膜形成方法 |
| JPH04172320A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Seiko Instr Inc | 液晶配向膜の製作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2660601B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1997-10-08 | 日本石油株式会社 | 液晶表示素子用補償板の製造法 |
| JP2620815B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1997-06-18 | ヘキストジャパン株式会社 | 液晶表示素子 |
| DE4034468A1 (de) * | 1990-10-30 | 1992-05-07 | Hoechst Ag | Vorrichtung zur herstellung von orientierungsschichten fuer fluessigkristall-schalt- und anzeigevorrichtungen |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP4192533A patent/JPH0643457A/ja active Pending
- 1992-11-23 EP EP92403146A patent/EP0571681A1/en not_active Withdrawn
- 1992-11-25 KR KR1019920022335A patent/KR930023753A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03150530A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の配向膜形成方法 |
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| WO2013041046A1 (zh) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模块、显示器及显示模块的制作方法 |
| US8994900B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-03-31 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display module, display device and method of manufacturing the display module |
| WO2013058228A1 (ja) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | 富士フイルム株式会社 | ラビングローラ及び配向フィルムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930023753A (ko) | 1993-12-21 |
| EP0571681A1 (en) | 1993-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960910 |