JPH1184332A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH1184332A JPH1184332A JP23681697A JP23681697A JPH1184332A JP H1184332 A JPH1184332 A JP H1184332A JP 23681697 A JP23681697 A JP 23681697A JP 23681697 A JP23681697 A JP 23681697A JP H1184332 A JPH1184332 A JP H1184332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像のコントラストむら特性の向上が可能
な、多面取りによるアクティブマトリクス基板および対
向基板を用いて形成される液晶表示装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 複数のアクティブマトリクス基板を形成
する石英基板11上に、ポリシリコンTFT、付加容
量、画素電極等で構成する表示部と、信号サンプルホー
ルド回路部と、垂直走査回路部等により構成される駆動
素子部10を形成し、その後オフセット印刷法により、
駆動素子部10上のみに、第1の配向膜50を形成する
ための配向膜形成溶液を塗布し、続いて第1の配向膜5
0上のみに、第2の配向膜51を形成するための配向膜
形成溶液を、短時間の塗布間隔を置いて塗布すること
で、第1の配向膜50と第2の配向膜51とで構成され
る配向膜52表面を平坦化する。
な、多面取りによるアクティブマトリクス基板および対
向基板を用いて形成される液晶表示装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 複数のアクティブマトリクス基板を形成
する石英基板11上に、ポリシリコンTFT、付加容
量、画素電極等で構成する表示部と、信号サンプルホー
ルド回路部と、垂直走査回路部等により構成される駆動
素子部10を形成し、その後オフセット印刷法により、
駆動素子部10上のみに、第1の配向膜50を形成する
ための配向膜形成溶液を塗布し、続いて第1の配向膜5
0上のみに、第2の配向膜51を形成するための配向膜
形成溶液を、短時間の塗布間隔を置いて塗布すること
で、第1の配向膜50と第2の配向膜51とで構成され
る配向膜52表面を平坦化する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に関し、さらに詳しくは、多面取り法でアクティブ
マトリクス基板および対向基板を形成する際の、配向膜
の形成方法に特徴を有する液晶表示装置の製造方法に関
する。
方法に関し、さらに詳しくは、多面取り法でアクティブ
マトリクス基板および対向基板を形成する際の、配向膜
の形成方法に特徴を有する液晶表示装置の製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、カメラ一体型V
TR用のビューファインダやプロジェクタ用の小型表示
装置から、TVモニタ用やパソコンの表示用等の大型表
示装置まで各種の表示装置として盛んに用いられてい
る。この液晶表示装置で、特にアクティブマトリクス基
板を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置はカラ
ー画面化、高画素数化、高画質化の実現を目指す研究開
発が進められており、実用化もなされている。
TR用のビューファインダやプロジェクタ用の小型表示
装置から、TVモニタ用やパソコンの表示用等の大型表
示装置まで各種の表示装置として盛んに用いられてい
る。この液晶表示装置で、特にアクティブマトリクス基
板を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置はカラ
ー画面化、高画素数化、高画質化の実現を目指す研究開
発が進められており、実用化もなされている。
【0003】上述したアクティブマトリクス型液晶表示
装置の高画質化を実現するために、画素数や画素間等の
液晶の電界配向性等に関係する解像度の向上や、スイッ
チイング用素子としてのTFT(Thin Film
Transistor)特性の分布や液晶の配向性分布
等に関係した画像のコントラストむら(カラー表示にお
いては色むら)の低減や、スイッチイングTFT特性不
良や液晶の配向性不良に関係する画像欠陥の低減等への
検討がなされている。
装置の高画質化を実現するために、画素数や画素間等の
液晶の電界配向性等に関係する解像度の向上や、スイッ
チイング用素子としてのTFT(Thin Film
Transistor)特性の分布や液晶の配向性分布
等に関係した画像のコントラストむら(カラー表示にお
いては色むら)の低減や、スイッチイングTFT特性不
良や液晶の配向性不良に関係する画像欠陥の低減等への
検討がなされている。
【0004】ここで、カメラ一体型VTR用のビューフ
ァインダ等に使用される液晶表示装置で、従来の多面取
り法により形成されるアクティブマトリクス基板および
対向基板を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法の例を、図8〜図14を参照して説明する。
まず、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の形成
法を説明する。図8(a)に示すように、アクティブマ
トリクス基板を多面取りするための、透明な石英基板1
1上に、マトリクスアレイ状に配列した、スイッチイン
グ素子用TFT、例えばポリシリコンTFT、付加容
量、液晶に対向する透明電極、例えばITO(Indi
um Tin Oxide)膜の透明電極による画素電
極等で構成された複数の画素部がマトリクス状に配列し
ている表示部、表示部の各水平ラインごとの信号を与え
るための、ポリシリコンTFT回路で構成された信号サ
ンプルホールド回路部、および各水平ラインを切り換え
る、ポリシリコンTFT回路構成の垂直走査回路部とを
有して構成された、液晶表示装置のアクティブマトリク
ス基板の駆動素子部10を複数形成する。
ァインダ等に使用される液晶表示装置で、従来の多面取
り法により形成されるアクティブマトリクス基板および
対向基板を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法の例を、図8〜図14を参照して説明する。
まず、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の形成
法を説明する。図8(a)に示すように、アクティブマ
トリクス基板を多面取りするための、透明な石英基板1
1上に、マトリクスアレイ状に配列した、スイッチイン
グ素子用TFT、例えばポリシリコンTFT、付加容
量、液晶に対向する透明電極、例えばITO(Indi
um Tin Oxide)膜の透明電極による画素電
極等で構成された複数の画素部がマトリクス状に配列し
ている表示部、表示部の各水平ラインごとの信号を与え
るための、ポリシリコンTFT回路で構成された信号サ
ンプルホールド回路部、および各水平ラインを切り換え
る、ポリシリコンTFT回路構成の垂直走査回路部とを
有して構成された、液晶表示装置のアクティブマトリク
ス基板の駆動素子部10を複数形成する。
【0005】上記の駆動素子部10が形成された状態の
石英基板11の概略平面構造を示したのが図9で、図9
(a)は石英基板11全体の概略平面図であり、図9
(b)は駆動素子部10を拡大した概略平面図である。
即ち、図9(b)に示す、表示部10a、信号サンプル
ホールド回路部10bおよび垂直走査回路部10cとで
構成される駆動素子部10が、図9(a)に示すよう
に、石英基板11上に複数配列された状態となってい
る。
石英基板11の概略平面構造を示したのが図9で、図9
(a)は石英基板11全体の概略平面図であり、図9
(b)は駆動素子部10を拡大した概略平面図である。
即ち、図9(b)に示す、表示部10a、信号サンプル
ホールド回路部10bおよび垂直走査回路部10cとで
構成される駆動素子部10が、図9(a)に示すよう
に、石英基板11上に複数配列された状態となってい
る。
【0006】次に、図8(b)に示すように、石英基板
11上の駆動素子部10のみに、配向膜形成溶液を塗布
して配向膜12を形成し、その後配向膜12中に含まれ
ている溶媒を除去するための加熱焼成を行う。次に、こ
の配向膜12表面を布等で一方向に摩擦する(ラビング
処理)工程を行う。この配向膜12の形成と、この配向
膜12のラビング処理工程とは、液晶分子にプレチルト
角(液晶分子の分子軸と配向膜表面のなす角)を予め与
え、液晶への電圧印加時に、液晶を一軸方向に配向させ
ることができる。
11上の駆動素子部10のみに、配向膜形成溶液を塗布
して配向膜12を形成し、その後配向膜12中に含まれ
ている溶媒を除去するための加熱焼成を行う。次に、こ
の配向膜12表面を布等で一方向に摩擦する(ラビング
処理)工程を行う。この配向膜12の形成と、この配向
膜12のラビング処理工程とは、液晶分子にプレチルト
角(液晶分子の分子軸と配向膜表面のなす角)を予め与
え、液晶への電圧印加時に、液晶を一軸方向に配向させ
ることができる。
【0007】上記の配向膜形成溶液の塗布方法は、図1
0に示す配向膜塗布装置30によるオフセット印刷法を
用い、下記のようにして塗布する。ここで図10は、配
向膜塗布装置30の概略斜視図である。まず、図10に
示す配向膜塗布装置30の配向膜溶液の入った容器31
より、グラビアローラ32とドクターローラ33が密着
して回転している密着部付近に配向膜溶液を滴下する。
この滴下された配向膜溶液は密着して回転しているグラ
ビアローラ32とドクターローラ33とにより均一にな
るように引き伸ばされ、グラビアローラ32表面上に均
一な配向膜が形成される。次に、グラビアローラ32を
版胴34の方向に移動させ、版胴34上の、上述した石
英基板11の駆動素子部10に対応させて凸部36が設
けられた印刷版35の、凸部36表面に配向膜を転写さ
せる。次に、上述の駆動素子部10が形成された石英基
板11を載置した移動台37を版胴34の方向に移動さ
せて、版胴34の印刷版35の凸部36表面の配向膜を
石英基板11上の駆動素子部10上に転写することで、
駆動素子部10上にのみ、配向膜形成溶液が塗布された
状態で配向膜12が形成される。
0に示す配向膜塗布装置30によるオフセット印刷法を
用い、下記のようにして塗布する。ここで図10は、配
向膜塗布装置30の概略斜視図である。まず、図10に
示す配向膜塗布装置30の配向膜溶液の入った容器31
より、グラビアローラ32とドクターローラ33が密着
して回転している密着部付近に配向膜溶液を滴下する。
この滴下された配向膜溶液は密着して回転しているグラ
ビアローラ32とドクターローラ33とにより均一にな
るように引き伸ばされ、グラビアローラ32表面上に均
一な配向膜が形成される。次に、グラビアローラ32を
版胴34の方向に移動させ、版胴34上の、上述した石
英基板11の駆動素子部10に対応させて凸部36が設
けられた印刷版35の、凸部36表面に配向膜を転写さ
せる。次に、上述の駆動素子部10が形成された石英基
板11を載置した移動台37を版胴34の方向に移動さ
せて、版胴34の印刷版35の凸部36表面の配向膜を
石英基板11上の駆動素子部10上に転写することで、
駆動素子部10上にのみ、配向膜形成溶液が塗布された
状態で配向膜12が形成される。
【0008】ラビング処理工程終了後に、駆動素子部1
0が形成された石英基板11をカッテングすることで、
駆動素子部10を含む部分を各々分離させ、複数個のア
クティブマトリクス基板を形成する。図12は、この石
英基板11のカッテングで形成されたアクティブマトリ
クス基板1の概略断面図である。
0が形成された石英基板11をカッテングすることで、
駆動素子部10を含む部分を各々分離させ、複数個のア
クティブマトリクス基板を形成する。図12は、この石
英基板11のカッテングで形成されたアクティブマトリ
クス基板1の概略断面図である。
【0009】一方、液晶表示装置の対向基板の形成法は
下記のようにする。図11(a)に示すように、対向基
板を多面取りするための、透明なガラス基板21上に、
上述した駆動素子部10の表示部10aに対応する部分
の顔料等によるカラーフィルタと、上述した駆動素子部
10に対応する部分のアクリル系樹脂による平坦化膜
と、液晶に対向する透明電極、例えばITO電極とで構
成された、駆動素子部10の対応する、対向基板の対向
電極部20を形成する。
下記のようにする。図11(a)に示すように、対向基
板を多面取りするための、透明なガラス基板21上に、
上述した駆動素子部10の表示部10aに対応する部分
の顔料等によるカラーフィルタと、上述した駆動素子部
10に対応する部分のアクリル系樹脂による平坦化膜
と、液晶に対向する透明電極、例えばITO電極とで構
成された、駆動素子部10の対応する、対向基板の対向
電極部20を形成する。
【0010】次に、図11(b)に示すように、ガラス
基板21上の対向電極部20のみに、上述した石英基板
11の駆動素子部10への配向膜12の形成と同様にし
て、配向膜22を形成し、その後配向膜22中に含まれ
ている溶媒を除去するための加熱焼成を行う。次に、こ
の配向膜22表面を布等で一方向に摩擦する(ラビング
処理)工程を行う。
基板21上の対向電極部20のみに、上述した石英基板
11の駆動素子部10への配向膜12の形成と同様にし
て、配向膜22を形成し、その後配向膜22中に含まれ
ている溶媒を除去するための加熱焼成を行う。次に、こ
の配向膜22表面を布等で一方向に摩擦する(ラビング
処理)工程を行う。
【0011】ラビング処理工程終了後に、対向電極部2
0が形成されたガラス基板21をカッテングすること
で、対向電極部20を含む部分を各々分離させ、複数個
の対向基板を形成する。図13は、このガラス基板21
をカッテングして形成した対向基板2の概略断面図であ
る。
0が形成されたガラス基板21をカッテングすること
で、対向電極部20を含む部分を各々分離させ、複数個
の対向基板を形成する。図13は、このガラス基板21
をカッテングして形成した対向基板2の概略断面図であ
る。
【0012】次に、図14に示すように、アクティブマ
トリクス基板1と対向基板2とを所定間隔をおいて対向
させ、アクティブマトリクス基板1や対向基板2の外周
部に塗布されたシール材3によりシールし、アクティブ
マトリクス基板1と対向基板2間に液晶4を封入し、そ
の後アクティブマトリクス基板1と対向基板2とに、図
14に示すように偏光板5、6を貼り合わせて、液晶表
示装置100を作製する。
トリクス基板1と対向基板2とを所定間隔をおいて対向
させ、アクティブマトリクス基板1や対向基板2の外周
部に塗布されたシール材3によりシールし、アクティブ
マトリクス基板1と対向基板2間に液晶4を封入し、そ
の後アクティブマトリクス基板1と対向基板2とに、図
14に示すように偏光板5、6を貼り合わせて、液晶表
示装置100を作製する。
【0013】しかしながら、上述した石英基板11に複
数のアクティブマトリクス基板1を形成し、ガラス基板
21に複数の対向基板2を形成し、これらのアクティブ
マトリクス基板1と対向基板2とを用いて形成する液晶
表示装置の製造方法においては、この製法で作製された
液晶表示装置100の画像特性、特に液晶の配向性の不
均一に起因した、画像のコントラストむら特性は、必ず
しも良好な状態とならないという問題があり、この画像
のコントラストむら特性の不良は、液晶表示装置100
の製造歩留を低下させるという問題を発生させる。
数のアクティブマトリクス基板1を形成し、ガラス基板
21に複数の対向基板2を形成し、これらのアクティブ
マトリクス基板1と対向基板2とを用いて形成する液晶
表示装置の製造方法においては、この製法で作製された
液晶表示装置100の画像特性、特に液晶の配向性の不
均一に起因した、画像のコントラストむら特性は、必ず
しも良好な状態とならないという問題があり、この画像
のコントラストむら特性の不良は、液晶表示装置100
の製造歩留を低下させるという問題を発生させる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した液
晶表示装置の製造方法における問題点を解決することを
その目的とする。即ち本発明の課題は、画像のコントラ
ストむら特性の向上が可能な、多面取り法によるアクテ
ィブマトリクス基板および対向基板を用いて形成される
液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
晶表示装置の製造方法における問題点を解決することを
その目的とする。即ち本発明の課題は、画像のコントラ
ストむら特性の向上が可能な、多面取り法によるアクテ
ィブマトリクス基板および対向基板を用いて形成される
液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、上述の課題を解決するために提案するもの
であり、第1の被処理基板に複数のアクティブマトリク
ス基板を形成し、第2の被処理基板に複数の対向基板を
形成し、アクティブマトリクス基板と対向基板を有して
形成される液晶表示装置の製造方法において、第1の被
処理基板上に、複数のアクティブマトリクス基板の駆動
素子部を形成する工程と、第1の被処理基板上の複数の
駆動素子部上に、複数回に分けて配向膜形成溶液を塗布
し、配向膜を形成する工程とを有すると共に、第2の被
処理基板に、アクティブマトリクス基板の駆動素子部に
対応する、複数の対向基板の対向電極部を形成する工程
と、第2の被処理基板上の複数の対向電極部上に、複数
回に分けて配向膜形成溶液を塗布し、配向膜を形成する
工程とを有し、第1の被処理基板および第2の被処理基
板を各々分割し、アクティブマトリクス基板および対向
基板を形成する工程と、アクティブマトリクス基板と対
向基板とを対向させ、アクティブマトリクス基板と対向
基板間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とす
るものである。
製造方法は、上述の課題を解決するために提案するもの
であり、第1の被処理基板に複数のアクティブマトリク
ス基板を形成し、第2の被処理基板に複数の対向基板を
形成し、アクティブマトリクス基板と対向基板を有して
形成される液晶表示装置の製造方法において、第1の被
処理基板上に、複数のアクティブマトリクス基板の駆動
素子部を形成する工程と、第1の被処理基板上の複数の
駆動素子部上に、複数回に分けて配向膜形成溶液を塗布
し、配向膜を形成する工程とを有すると共に、第2の被
処理基板に、アクティブマトリクス基板の駆動素子部に
対応する、複数の対向基板の対向電極部を形成する工程
と、第2の被処理基板上の複数の対向電極部上に、複数
回に分けて配向膜形成溶液を塗布し、配向膜を形成する
工程とを有し、第1の被処理基板および第2の被処理基
板を各々分割し、アクティブマトリクス基板および対向
基板を形成する工程と、アクティブマトリクス基板と対
向基板とを対向させ、アクティブマトリクス基板と対向
基板間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とす
るものである。
【0016】本発明によれば、多面取り法によるアクテ
ィブマトリクス基板の配向膜を、短時間の塗布間隔をお
いた、配向膜形成溶液の複数回の塗布により形成し、又
多面取りによる対向基板の配向膜も、短時間の塗布間隔
をおいた、配向膜形成溶液の複数回の塗布により形成す
ることで、各々の配向膜表面を平坦化できるため、これ
ら配向膜のラビング後における、配向膜上の液晶分子は
プレチルト角の面内分布が殆どなく、均一な配向性を示
す。従って、この様にして作製したアクティブマトリク
ス基板と対向基板とを用いて形成される液晶表示装置の
画像は、コントラストむらの殆どない良好な画像が得ら
れ、液晶表示装置の製造歩留が向上する。
ィブマトリクス基板の配向膜を、短時間の塗布間隔をお
いた、配向膜形成溶液の複数回の塗布により形成し、又
多面取りによる対向基板の配向膜も、短時間の塗布間隔
をおいた、配向膜形成溶液の複数回の塗布により形成す
ることで、各々の配向膜表面を平坦化できるため、これ
ら配向膜のラビング後における、配向膜上の液晶分子は
プレチルト角の面内分布が殆どなく、均一な配向性を示
す。従って、この様にして作製したアクティブマトリク
ス基板と対向基板とを用いて形成される液晶表示装置の
画像は、コントラストむらの殆どない良好な画像が得ら
れ、液晶表示装置の製造歩留が向上する。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図8〜図14中の構成部分と同様の構
成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図8〜図14中の構成部分と同様の構
成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
【0018】本実施の形態例は、多面取り法により形成
されるアクティブマトリクス基板および対向基板を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置に本発明を適用
した例であり、これを従来の説明で使用した図9および
図10と、図1〜図7を参照して説明する。まず、液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板の形成法を説明す
る。図1に示すように、アクティブマトリクス基板を多
面取りするための第1の被処理基板、例えば透明な石英
基板11上に、マトリクスアレイ状に配列した、スイッ
チイング用TFT、例えばポリシリコンTFT、付加容
量、液晶に対向する透明電極、例えばITO(Indi
um Tin Oxide)膜の透明電極による画素電
極等で構成された複数の画素部が配列している表示部、
表示部の各水平ラインごとの信号を与えるための、ポリ
シリコンTFT回路で構成された信号サンプルホールド
回路部、および各水平ラインを切り換える、ポリシリコ
ンTFT回路構成の垂直走査回路部とを有して構成され
た、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の駆動素
子部10を複数形成する。なお、上記の駆動素子部10
が形成された状態の石英基板11の概略平面構造は、従
来の説明で使用した図9の様な構成である。
されるアクティブマトリクス基板および対向基板を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置に本発明を適用
した例であり、これを従来の説明で使用した図9および
図10と、図1〜図7を参照して説明する。まず、液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板の形成法を説明す
る。図1に示すように、アクティブマトリクス基板を多
面取りするための第1の被処理基板、例えば透明な石英
基板11上に、マトリクスアレイ状に配列した、スイッ
チイング用TFT、例えばポリシリコンTFT、付加容
量、液晶に対向する透明電極、例えばITO(Indi
um Tin Oxide)膜の透明電極による画素電
極等で構成された複数の画素部が配列している表示部、
表示部の各水平ラインごとの信号を与えるための、ポリ
シリコンTFT回路で構成された信号サンプルホールド
回路部、および各水平ラインを切り換える、ポリシリコ
ンTFT回路構成の垂直走査回路部とを有して構成され
た、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の駆動素
子部10を複数形成する。なお、上記の駆動素子部10
が形成された状態の石英基板11の概略平面構造は、従
来の説明で使用した図9の様な構成である。
【0019】次に、図1(b)に示すように、石英基板
11上の駆動素子部10上のみに、第1の配向膜50
を、従来の説明で使用した図10の配向膜塗布装置30
によるオフセット印刷法により形成する。上記の配向膜
塗布装置30によるオフセット印刷法での第1の配向膜
50の形成は、まず、図10に示す配向膜塗布装置30
を用い、配向膜形成溶液、例えばガンマーブチルラクト
ンで希釈されたポリイミド系樹脂で、粘度ηが5cP≦
η≦30cPの配向膜形成溶液の入った容器31より、
グラビアローラ32とドクターローラ33が密着して回
転している密着部付近に配向膜溶液を滴下する。この滴
下された配向膜形成溶液は密着して回転しているグラビ
アローラ32とドクターローラ33とにより均一になる
ように引き伸ばされ、グラビアローラ32表面上に均一
な配向膜(配向膜形成溶液)が形成される。
11上の駆動素子部10上のみに、第1の配向膜50
を、従来の説明で使用した図10の配向膜塗布装置30
によるオフセット印刷法により形成する。上記の配向膜
塗布装置30によるオフセット印刷法での第1の配向膜
50の形成は、まず、図10に示す配向膜塗布装置30
を用い、配向膜形成溶液、例えばガンマーブチルラクト
ンで希釈されたポリイミド系樹脂で、粘度ηが5cP≦
η≦30cPの配向膜形成溶液の入った容器31より、
グラビアローラ32とドクターローラ33が密着して回
転している密着部付近に配向膜溶液を滴下する。この滴
下された配向膜形成溶液は密着して回転しているグラビ
アローラ32とドクターローラ33とにより均一になる
ように引き伸ばされ、グラビアローラ32表面上に均一
な配向膜(配向膜形成溶液)が形成される。
【0020】次に、グラビアローラ32を版胴34の方
向に移動させ、版胴34上の、上述した石英基板11の
駆動素子部10に対応させて凸部36が設けられた印刷
版35の、凸部36表面に配向膜を転写させる。次に、
上述の駆動素子部10が形成された石英基板11を載置
した移動台37を版胴34の方向に移動させて、版胴3
4の印刷版35の凸部36表面の配向膜を石英基板11
上の駆動素子部10上に転写することで、駆動素子部1
0上に第1の配向膜50を形成する。
向に移動させ、版胴34上の、上述した石英基板11の
駆動素子部10に対応させて凸部36が設けられた印刷
版35の、凸部36表面に配向膜を転写させる。次に、
上述の駆動素子部10が形成された石英基板11を載置
した移動台37を版胴34の方向に移動させて、版胴3
4の印刷版35の凸部36表面の配向膜を石英基板11
上の駆動素子部10上に転写することで、駆動素子部1
0上に第1の配向膜50を形成する。
【0021】この第1の配向膜50が形成された状態に
おける、図1(b)のP部の拡大図が図2である。図2
に示すように、第1の配向膜50表面は、駆動素子部の
表面形状の影響や、配向膜が塗布されている版胴34の
印刷版35の凸部36表面と石英基板11上の駆動素子
部10表面との接触圧力の変化等による転写の不均一性
の影響等を受けて、凹凸のある表面となってしまうこと
が多い。
おける、図1(b)のP部の拡大図が図2である。図2
に示すように、第1の配向膜50表面は、駆動素子部の
表面形状の影響や、配向膜が塗布されている版胴34の
印刷版35の凸部36表面と石英基板11上の駆動素子
部10表面との接触圧力の変化等による転写の不均一性
の影響等を受けて、凹凸のある表面となってしまうこと
が多い。
【0022】次に、図1(c)に示すように、石英基板
11上の駆動素子部10の第1の配向膜50上のみに、
第2の配向膜51を、従来の説明で使用した図10の配
向膜塗布装置30によるオフセット印刷法で形成する。
この第2の配向膜51の形成は、移動台37に載置され
た石英基板11上の駆動素子部10上への第1の配向膜
50形成後、直ちに、移動台37を元の位置に移動し
て、その後上述した配向膜塗布装置30による第1の配
向膜50形成と同様の工程を経ることで行われる。第1
の配向膜50形成のための、1回目の配向膜形成溶液の
塗布と、次に第2の配向膜51形成のための、2回目の
配向膜形成溶液の塗布との塗布間隔Tは、3sec≦T
≦30secとする。
11上の駆動素子部10の第1の配向膜50上のみに、
第2の配向膜51を、従来の説明で使用した図10の配
向膜塗布装置30によるオフセット印刷法で形成する。
この第2の配向膜51の形成は、移動台37に載置され
た石英基板11上の駆動素子部10上への第1の配向膜
50形成後、直ちに、移動台37を元の位置に移動し
て、その後上述した配向膜塗布装置30による第1の配
向膜50形成と同様の工程を経ることで行われる。第1
の配向膜50形成のための、1回目の配向膜形成溶液の
塗布と、次に第2の配向膜51形成のための、2回目の
配向膜形成溶液の塗布との塗布間隔Tは、3sec≦T
≦30secとする。
【0023】この第2の配向膜51が形成された状態に
おける、図1(c)のQ部の拡大図が図3である。図3
に示すように、第1の配向膜50と第2の配向膜51と
で構成される配向膜52表面は平坦化された状態とな
る。この配向膜52表面が平坦化される理由は明らかで
はないが、上述した粘度による配向膜形成溶液を用い
て、第1の配向膜50の塗布後に、短時間の塗布間隔を
おいて、第2の配向膜を塗布する時点で、第2の配向膜
となる、版胴34の印刷版35の凸部36表面に塗布さ
れている配向膜が第1の配向膜50表面に接すると、第
1の配向膜50表面が部分的に溶融状態となり、この状
態で第1の配向膜50上に第2の配向膜51が形成され
ることと関係するものと推察される。
おける、図1(c)のQ部の拡大図が図3である。図3
に示すように、第1の配向膜50と第2の配向膜51と
で構成される配向膜52表面は平坦化された状態とな
る。この配向膜52表面が平坦化される理由は明らかで
はないが、上述した粘度による配向膜形成溶液を用い
て、第1の配向膜50の塗布後に、短時間の塗布間隔を
おいて、第2の配向膜を塗布する時点で、第2の配向膜
となる、版胴34の印刷版35の凸部36表面に塗布さ
れている配向膜が第1の配向膜50表面に接すると、第
1の配向膜50表面が部分的に溶融状態となり、この状
態で第1の配向膜50上に第2の配向膜51が形成され
ることと関係するものと推察される。
【0024】次に、配向膜52中の溶媒を除去するため
の加熱焼成、例えば約160℃、90minの加熱焼成
を行う。なお、この加熱焼成後の配向膜52表面は平坦
であり、膜厚としては、約50nm程度である。その
後、この配向膜52表面を布等で一方向に摩擦する(ラ
ビング処理)工程を行う。
の加熱焼成、例えば約160℃、90minの加熱焼成
を行う。なお、この加熱焼成後の配向膜52表面は平坦
であり、膜厚としては、約50nm程度である。その
後、この配向膜52表面を布等で一方向に摩擦する(ラ
ビング処理)工程を行う。
【0025】次に、駆動素子部10が形成された石英基
板11をカッテングすることで、駆動素子部10を含む
部分を各々分離させ、複数個のアクティブマトリクス基
板を形成する。石英基板11のカッテングで形成された
アクティブマトリクス基板1の構造を示したのが図5で
ある。
板11をカッテングすることで、駆動素子部10を含む
部分を各々分離させ、複数個のアクティブマトリクス基
板を形成する。石英基板11のカッテングで形成された
アクティブマトリクス基板1の構造を示したのが図5で
ある。
【0026】一方、液晶表示装置の対向基板の形成法は
下記のようにする。図4(a)に示すように、対向基板
を多面取りするための第2の被処理基板、例えば透明な
ガラス基板21上に、例えば駆動素子部10の表示部に
対応する部分の顔料等によるカラーフィルタと、駆動素
子部10に対応する部分のアクリル系樹脂による平坦化
膜と、透明電極、例えばITO電極とで構成された駆動
素子部10の対応する、対向基板の対向電極部20を形
成する。
下記のようにする。図4(a)に示すように、対向基板
を多面取りするための第2の被処理基板、例えば透明な
ガラス基板21上に、例えば駆動素子部10の表示部に
対応する部分の顔料等によるカラーフィルタと、駆動素
子部10に対応する部分のアクリル系樹脂による平坦化
膜と、透明電極、例えばITO電極とで構成された駆動
素子部10の対応する、対向基板の対向電極部20を形
成する。
【0027】次に、図4(b)に示すように、ガラス基
板21上の対向電極部20上のみに、第1の配向膜60
を、従来の説明で使用した図10の配向膜塗布装置30
によるオフセット印刷法で、形成する。この第1の配向
膜60の形成方法は、上述した石英基板11上の駆動素
子部10上への第1の配向膜50の形成方法と同様なの
で、説明を省略する。
板21上の対向電極部20上のみに、第1の配向膜60
を、従来の説明で使用した図10の配向膜塗布装置30
によるオフセット印刷法で、形成する。この第1の配向
膜60の形成方法は、上述した石英基板11上の駆動素
子部10上への第1の配向膜50の形成方法と同様なの
で、説明を省略する。
【0028】次に、図4(c)に示すように、第1の配
向膜60形成後、直ちに、対向電極部20上の第1の配
向膜60上のみに、第2の配向膜61を、従来の説明で
使用した図10の配向膜塗布装置30によるオフセット
印刷法で、形成する。この第2の配向膜61の形成方法
は、第1の配向膜60の形成方法と同様である。なお、
この第1の配向膜60形成のための、1回目の配向膜形
成溶液の塗布と、次に第2の配向膜61形成のための、
2回目の配向膜形成溶液の塗布との塗布間隔Tは、3s
ec≦T≦30secとする。上述した第1の配向膜6
0と第2の配向膜61とで構成される配向膜62表面
は、上述した駆動素子部10上の配向膜52表面と同様
に、平坦化された表面となっている。
向膜60形成後、直ちに、対向電極部20上の第1の配
向膜60上のみに、第2の配向膜61を、従来の説明で
使用した図10の配向膜塗布装置30によるオフセット
印刷法で、形成する。この第2の配向膜61の形成方法
は、第1の配向膜60の形成方法と同様である。なお、
この第1の配向膜60形成のための、1回目の配向膜形
成溶液の塗布と、次に第2の配向膜61形成のための、
2回目の配向膜形成溶液の塗布との塗布間隔Tは、3s
ec≦T≦30secとする。上述した第1の配向膜6
0と第2の配向膜61とで構成される配向膜62表面
は、上述した駆動素子部10上の配向膜52表面と同様
に、平坦化された表面となっている。
【0029】次に、配向膜62中の溶媒を除去するため
の加熱焼成、例えば約160℃、90minの加熱焼成
を行う。なお、この加熱焼成後の配向膜62表面は平坦
であり、膜厚としては、約50nmである。その後、こ
の配向膜62表面を布等で一方向に摩擦する(ラビング
処理)工程を行う。
の加熱焼成、例えば約160℃、90minの加熱焼成
を行う。なお、この加熱焼成後の配向膜62表面は平坦
であり、膜厚としては、約50nmである。その後、こ
の配向膜62表面を布等で一方向に摩擦する(ラビング
処理)工程を行う。
【0030】次に、対向電極部20が形成されたガラス
基板21をカッテングすることで、対向電極部20を含
む部分を各々分離させ、複数個の対向基板を形成する。
このガラス基板21のカッテングで形成された対向基板
2の構造を示したのが図6である。
基板21をカッテングすることで、対向電極部20を含
む部分を各々分離させ、複数個の対向基板を形成する。
このガラス基板21のカッテングで形成された対向基板
2の構造を示したのが図6である。
【0031】次に、図7に示すように、アクティブマト
リクス基板1と対向基板2とを所定間隔で対向させ、ア
クティブマトリクス基板1や対向基板2の外周部に塗布
されたシール材3によりシールし、アクティブマトリク
ス基板1と対向基板2間に液晶4を封入し、その後アク
ティブマトリクス基板1と対向基板2とに、図7に示す
ように偏光板5、6を貼り合わせて、液晶表示装置10
0を作製する。
リクス基板1と対向基板2とを所定間隔で対向させ、ア
クティブマトリクス基板1や対向基板2の外周部に塗布
されたシール材3によりシールし、アクティブマトリク
ス基板1と対向基板2間に液晶4を封入し、その後アク
ティブマトリクス基板1と対向基板2とに、図7に示す
ように偏光板5、6を貼り合わせて、液晶表示装置10
0を作製する。
【0032】上述した液晶表示装置の製造方法によれ
ば、石英基板11より複数のアクティブマトリクス基板
1を形成する際の、アクティブマトリクス基板1の配向
膜52を、短時間の塗布間隔をおいた、上述した粘度の
配向膜形成溶液の複数回の塗布により形成することで、
配向膜52表面を平坦化でき、又ガラス基板21より複
数の対向基板2を形成する際の、対向基板2の配向膜
も、短時間の塗布間隔をおいた、上述した粘度の配向膜
形成溶液の複数回の塗布により形成することで、配向膜
62表面を平坦化できるため、これら配向膜52、62
のラビング後における、配向膜52、62上の配向膜上
の液晶分子はプレチルト角の面内分布が殆どなく、均一
な配向性を示す。従って、この様にして作製したアクテ
ィブマトリクス基板1と対向基板2とを用いて形成され
る液晶表示装置の画像は、コントラストむらの殆どない
良好な画像が得られ、液晶表示装置の製造歩留が向上す
る。
ば、石英基板11より複数のアクティブマトリクス基板
1を形成する際の、アクティブマトリクス基板1の配向
膜52を、短時間の塗布間隔をおいた、上述した粘度の
配向膜形成溶液の複数回の塗布により形成することで、
配向膜52表面を平坦化でき、又ガラス基板21より複
数の対向基板2を形成する際の、対向基板2の配向膜
も、短時間の塗布間隔をおいた、上述した粘度の配向膜
形成溶液の複数回の塗布により形成することで、配向膜
62表面を平坦化できるため、これら配向膜52、62
のラビング後における、配向膜52、62上の配向膜上
の液晶分子はプレチルト角の面内分布が殆どなく、均一
な配向性を示す。従って、この様にして作製したアクテ
ィブマトリクス基板1と対向基板2とを用いて形成され
る液晶表示装置の画像は、コントラストむらの殆どない
良好な画像が得られ、液晶表示装置の製造歩留が向上す
る。
【0033】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、アクテ
ィブマトリクス基板の配向膜および対向基板の配向膜を
2回の連続する配向膜形成溶液の塗布工程で形成すると
して説明したが、配向膜の膜厚をあまり厚くしない範囲
で、3回以上の連続する塗布工程で配向膜を形成しても
よい。また、本発明の実施の形態例では、対向基板の対
向電極部がカラーフィルタ、平坦化膜およびITO膜に
よる対向電極により構成されるとして説明したが、IT
O膜による対向電極のみの対向電極部であってもよい。
更に、本発明の実施の形態例では、アクティブマトリク
ス基板を形成する被処理基板を石英基板として説明した
が、駆動素子部のTFTスイッチング素子等をa−Si
TFTやエキシマレーザ照射等を用いて形成する低温ポ
リシリコンTFTで形成する場合は、ガラス基板として
のよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、プロ
セス条件は適宜変更が可能である。
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、アクテ
ィブマトリクス基板の配向膜および対向基板の配向膜を
2回の連続する配向膜形成溶液の塗布工程で形成すると
して説明したが、配向膜の膜厚をあまり厚くしない範囲
で、3回以上の連続する塗布工程で配向膜を形成しても
よい。また、本発明の実施の形態例では、対向基板の対
向電極部がカラーフィルタ、平坦化膜およびITO膜に
よる対向電極により構成されるとして説明したが、IT
O膜による対向電極のみの対向電極部であってもよい。
更に、本発明の実施の形態例では、アクティブマトリク
ス基板を形成する被処理基板を石英基板として説明した
が、駆動素子部のTFTスイッチング素子等をa−Si
TFTやエキシマレーザ照射等を用いて形成する低温ポ
リシリコンTFTで形成する場合は、ガラス基板として
のよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、プロ
セス条件は適宜変更が可能である。
【0034】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の多面取り法によるアクティブマトリクス基板および対
向基板を用いて形成される液晶表示装置の製造方法は、
アクティブマトリクス基板の配向膜および対向基板の配
向膜を、短時間の塗布間隔をおいた、配向膜形成溶液の
複数回の塗布により形成することで、各々の配向膜表面
を平坦化できるため、これら配向膜のラビング後におけ
る、配向膜上の液晶分子はプレチルト角の面内分布が殆
どなく、均一な配向性を示す。従って、この様にして作
製したアクティブマトリクス基板と対向基板とを用いて
形成される液晶表示装置の画像は、コントラストむらの
殆どない良好な画像が得られ、液晶表示装置の製造歩留
が向上する。
の多面取り法によるアクティブマトリクス基板および対
向基板を用いて形成される液晶表示装置の製造方法は、
アクティブマトリクス基板の配向膜および対向基板の配
向膜を、短時間の塗布間隔をおいた、配向膜形成溶液の
複数回の塗布により形成することで、各々の配向膜表面
を平坦化できるため、これら配向膜のラビング後におけ
る、配向膜上の液晶分子はプレチルト角の面内分布が殆
どなく、均一な配向性を示す。従って、この様にして作
製したアクティブマトリクス基板と対向基板とを用いて
形成される液晶表示装置の画像は、コントラストむらの
殆どない良好な画像が得られ、液晶表示装置の製造歩留
が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した実施の形態例のアクティブマ
トリクス基板の形成工程を工程順に説明する、複数のア
クティブマトリクス基板を含む石英基板の概略断面図
で、(a)はアクティブマトリクス基板の駆動素子部を
形成した状態、(b)は駆動素子部上に第1の配向膜を
塗布した状態、(c)は第1の配向膜上に第2の配向膜
を塗布した状態である。
トリクス基板の形成工程を工程順に説明する、複数のア
クティブマトリクス基板を含む石英基板の概略断面図
で、(a)はアクティブマトリクス基板の駆動素子部を
形成した状態、(b)は駆動素子部上に第1の配向膜を
塗布した状態、(c)は第1の配向膜上に第2の配向膜
を塗布した状態である。
【図2】図1(b)のP部の拡大図である。
【図3】図1(c)のQ部の拡大図である。
【図4】本発明を適用した実施の形態例の対向基板の形
成工程を工程順に説明する、複数の対向基板を含むガラ
ス基板の概略断面図で、(a)は対向基板の対向電極部
を形成した状態、(b)は対向電極部上に第1の配向膜
を塗布した状態、(c)は第1の配向膜上に第2の配向
膜を塗布した状態である。
成工程を工程順に説明する、複数の対向基板を含むガラ
ス基板の概略断面図で、(a)は対向基板の対向電極部
を形成した状態、(b)は対向電極部上に第1の配向膜
を塗布した状態、(c)は第1の配向膜上に第2の配向
膜を塗布した状態である。
【図5】実施の形態例のアクティブマトリクス基板の概
略断面図である。
略断面図である。
【図6】実施の形態例の対向基板の概略断面図である。
【図7】実施の形態例の液晶表示装置の概略断面図であ
る。
る。
【図8】従来例の液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板の形成工程を工程順に説明する、複数のアクティブ
マトリクス基板を含む石英基板の概略断面図で、(a)
はアクティブマトリクス基板の駆動素子部を形成した状
態、(b)は駆動素子部上に配向膜を塗布した状態であ
る。
基板の形成工程を工程順に説明する、複数のアクティブ
マトリクス基板を含む石英基板の概略断面図で、(a)
はアクティブマトリクス基板の駆動素子部を形成した状
態、(b)は駆動素子部上に配向膜を塗布した状態であ
る。
【図9】従来例の複数のアクティブマトリクス基板を含
む石英基板の、図8(a)に示す状態の平面構造図で、
(a)は全体の概略平面図、(b)は図9(a)の駆動
素子部を拡大して示した概略平面図である。
む石英基板の、図8(a)に示す状態の平面構造図で、
(a)は全体の概略平面図、(b)は図9(a)の駆動
素子部を拡大して示した概略平面図である。
【図10】配向膜塗布装置の概略斜視図である。
【図11】従来例の液晶表示装置の対向基板の形成工程
を工程順に説明する、複数の対向基板を含むガラス基板
の概略断面図で、(a)は対向基板の対向電極部を形成
した状態、(b)は対向電極部上に配向膜を塗布した状
態である。
を工程順に説明する、複数の対向基板を含むガラス基板
の概略断面図で、(a)は対向基板の対向電極部を形成
した状態、(b)は対向電極部上に配向膜を塗布した状
態である。
【図12】従来例のアクティブマトリクス基板の概略断
面図である。
面図である。
【図13】従来例の対向基板の概略断面図である。
【図14】従来例の液晶表示装置の概略断面図である。
1…アクティブマトリクス基板、2…対向基板、3…シ
ール材、4…液晶、5,6…偏光板、10…駆動素子
部、11…石英基板、10a…表示部、10b…信号サ
ンプルホールド回路部、10c…垂直走査回路部、1
2,22,52,62…配向膜、20…対向電極部、2
1…ガラス基板、30…配向膜塗布装置、31…容器、
32…グラビアローラ、33…ドクターローラ、34…
版胴、35…印刷版、36…凸部、37…移動台、5
0,60…第1の配向膜、51,61…第2の配向膜、
100…液晶表示装置
ール材、4…液晶、5,6…偏光板、10…駆動素子
部、11…石英基板、10a…表示部、10b…信号サ
ンプルホールド回路部、10c…垂直走査回路部、1
2,22,52,62…配向膜、20…対向電極部、2
1…ガラス基板、30…配向膜塗布装置、31…容器、
32…グラビアローラ、33…ドクターローラ、34…
版胴、35…印刷版、36…凸部、37…移動台、5
0,60…第1の配向膜、51,61…第2の配向膜、
100…液晶表示装置
Claims (5)
- 【請求項1】 第1の被処理基板に複数のアクティブマ
トリクス基板を形成し、第2の被処理基板に複数の対向
基板を形成し、前記アクティブマトリクス基板と前記対
向基板を有して形成される液晶表示装置の製造方法にお
いて、 前記第1の被処理基板上に、複数の前記アクティブマト
リクス基板の駆動素子部を形成する工程と、 前記第1の被処理基板上の複数の前記駆動素子部上に、
複数回に分けて配向膜形成溶液を塗布し、配向膜を形成
する工程とを有すると共に、 前記第2の被処理基板に、前記アクティブマトリクス基
板の前記駆動素子部に対応する、複数の前記対向基板の
対向電極部を形成する工程と、 前記第2の被処理基板上の複数の前記対向電極部上に、
複数回に分けて配向膜形成溶液を塗布し、配向膜を形成
する工程とを有し、 前記第1の被処理基板および前記第2の被処理基板を各
々分割し、前記アクティブマトリクス基板および前記対
向基板を形成する工程と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを対向
させ、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板間
に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記配向膜形成溶液の塗布法は、オフセ
ット印刷法を用いることを特徴とする、請求項1に記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記配向膜形成溶液の粘度ηは、5cP
≦η≦30cPであることを特徴とする、請求項1に記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項4】 複数回に分けた前記配向膜形成溶液の塗
布間隔Tを、3sec≦T≦30secとしたことを特
徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記駆動素子部上への配向膜形成溶液の
塗布回数および前記対向電極部上への配向膜形成溶液の
塗布回数は、それぞれ2回であることを特徴とする、請
求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23681697A JPH1184332A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23681697A JPH1184332A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1184332A true JPH1184332A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17006214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23681697A Pending JPH1184332A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1184332A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002354589A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Seiko Instruments Inc | 圧電トランスデューサの製造方法及び圧電トランスデューサ |
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1997
- 1997-09-02 JP JP23681697A patent/JPH1184332A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002354589A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Seiko Instruments Inc | 圧電トランスデューサの製造方法及び圧電トランスデューサ |
JP4610790B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-01-12 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電トランスデューサの製造方法 |
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