JP2001008492A - 故障保護回路を備えたモータコントローラ - Google Patents
故障保護回路を備えたモータコントローラInfo
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Abstract
チングデバイスのソフトシャットダウンを実施し、付加
的なスイッチング動作およびミラー効果に起因する問題
を防ぐ。 【解決手段】 モータコントローラ用の故障保護回路
は、ソフトシャットダウン回路と短絡保護回路とを備え
る。モータコントローラインバータの全6個のスイッチ
ングデバイスのソフトシャットダウンが故障状態におい
て生じる。したがってさらにスイッチング動作を生じる
ことなく、さらなるスイッチング動作およびそれに関連
するミラー効果に起因する故障によりターンオンする問
題を避けられる。短絡保護回路は、ゲートドライバIC
のDESAT(脱飽和)回路を用いて、IGBT36の
VCEを検知する。短絡の発生時に、IGBTは、低オン
状態電圧から引き上げられ、出力特性が引き上げられ
る。
Description
えたモータコントローラに関し、より詳細にはモータコ
ントローラの過電流状態(例えば短絡)に応答するソフ
トシャットダウン回路、およびモータコントローラ用の
脱飽和(DESAT:desaturation)短絡保護回路を備え
たモータコントローラに関する。
変調型モータコントローラインバータ回路2が示され
る。モータコントローラ回路2は、6個のIGBTまた
はFETスイッチングデバイス4,6,8,10,12
および14を備える3相モータコントローラブリッジで
ある。スイッチングデバイスは、制御ブロック16に含
まれるゲートドライブ回路により生成される適当なパル
ス幅変調(PWM)波形により切り替えられる。各スイ
ッチ対(U:4および6、V:8および10、W:12
および14)はそれぞれ高位側(high side)スイッチ
(4、8、12)と低位側(low side)スイッチ(6、1
0、14)とを備える。これらスイッチは、典型的に
は、高位側スイッチがオンする場合に、低位側スイッチ
がオフするように、またその逆も成り立つように制御さ
れる。
が、図2の状態図に示される。U,V,W信号のハイ状
態は、対応する脚回路(レッグ)内で高位側スイッチが
オンし、低位側スイッチがオフすることを示し、各レッ
グ信号のロー状態は、対応するレッグの高位側スイッチ
がオフし、そのレッグの低位側スイッチがオンすること
を表している。
の状態の瞬間における、スイッチ4,6,8,10,1
2および14の状態を示す従来のインバータ回路2であ
る。一般的に従来の回路では、過電流状態が検出される
場合、閉じたあるいは導通したスイッチングデバイス
(4,10および14)のみが緩やかにターンオフし
て、弱いプルダウン状態になり、一方、他のスイッチ
(6,8および12)はアクティブ状態のままであり、
到来するPWMゲート入力信号に従う。
るOC状態の後にローからハイに遷移する場合、スイッ
チ8と10の間の点の電位は、スイッチ8がターンオン
する結果、DCBUS(−)からDCBUS(+)まで
高速に遷移することになる。このスイッチ8の高速切り
替えにより、スイッチ10がターンオン状態に誘導さ
れ、スイッチ10ゲート上に位置するソフトシャットダ
ウン高インピーダンスと組み合わされたミラー容量に起
因して新たなシュートスルー短絡状態(shoot-through s
hort circuit condition)が作り出される。
ントローラインバータ回路に関する別の問題は、絶縁破
壊の結果、地絡(earth-fault)が生じるようになること
である。これによりシャーシと接触して短絡が発生す
る。地絡状態では、負のDCバスレール内に短絡電流が
流れない。したがって、高位側スイッチのみが地絡に対
する保護を必要とする。
回路17が示されている。地絡時には、電流の上昇速度
は、電圧源18とパワートランジスタ19との間の電流
パスのインダクタンスLに依存する。しかしながら、電
流パスのインダクタンスLは、実際の絶縁破壊の位置に
よるため、回路設計者が予測することはできない。
のアプローチは、正のDCバスレール上に配置された検
知抵抗20を用いることである。光結合素子22が、高
位側/低位側を分離し、故障情報を低位側に転送する。
正のDCバスレール電流が、故障検出回路のトリップレ
ベル(trip level)を超える場合、インバータが停止す
る。このトリップレベルは、故障状態の発生を正確に規
定するレベルに設定されなければならない。この実現は
比較的簡単に行える。
つの問題は、大きなインダクタンスが電流の上昇速度を
遅くし、その後トリップレベルまで高めるのに時間がか
かりすぎることである。図6を参照されたい。その結
果、高電流がIGBTトランジスタスイッチ内を流れ、
過剰に電力を浪費し、シリコンの限界値より高く温度が
上昇するようになる。したがって、IGBTは、故障検
出を行う前に、損傷を受けるようになる。
は、上述の点に鑑み、故障状態の発生時にモータ制御回
路におけるスイッチングデバイスのソフトシャットダウ
ンを実施し、付加的なスイッチング動作およびミラー効
果に起因する誤動作を防止するようにした、故障保護回
路を備えたモータコントローラを提供することにある。
めに、請求項1に係る本発明は、ゲート駆動信号として
パルス幅変調波形を生成するゲートドライバ回路により
切り替えられるパワートランジスタスイッチングデバイ
スと、前記モータコントローラの過電流状態に応答し
て、高インピーダンスの抵抗を前記パワートランジスタ
スイッチングデバイスの前記ゲート駆動信号のパスに切
り替えるソフトシャットダウン回路とを具備したモータ
コントローラである。
前記パワートランジスタスイッチングデバイスのVCEを
検知し、かつ短絡状態に応答して前記ゲートドライバ回
路のDESAT回路を用いて故障信号を伝送するための
回路を備えたものである。
有する。
時にモータコントローラ回路の全6個のスイッチングデ
バイスのソフトシャットダウンを実施し、全スイッチン
グ動作を終了することにより、上記のような従来技術が
もつ問題点を解決する。したがって、付加的なスイッチ
ング動作および関連するミラー効果に起因して誤動作に
よりオンする問題が生じる危険性はない。さらに本発明
は、ゲートドライバIC内のDESAT回路を用いて、
パワートランジスタスイッチングデバイスのV CEを検知
する短絡保護用回路を提供する。短絡の発生時に、パワ
ートランジスタスイッチは、その低オン状態電圧から引
き上げられ(プルアウトされ)、出力特性が引き上げら
れる。DESAT機能は各高位側IGBTに与えられ
る。しかしながら、それはIGBTがオンしている場合
にのみ可能である。
面を参照しつつ、以下の発明に関する説明から明らかに
なるであろう。
イバ出力回路30を示すブロック図。この回路30は、
IGBTスイッチ36に接続されるドライブ回路ブロッ
ク32を備える。ドライブ回路ブロック32は、ゲート
ドライバICにより生成されて前置ドライバ(pre-drive
r)41により給送される信号にしたがって、高位側ドラ
イバプルアップ出力38および低位側ドライバプルアッ
プ出力40にパルス幅変調波形のスイッチングを与え
る。
図2)の間の線間短絡状態のような過電流状態が発生す
る場合、最初に検出信号がDESAT故障(DESAT faul
t:DESAT障害とも言う)論理回路42に転送され
る。過電流検出は、スイッチ36端子間の飽和電圧、も
しくは検知抵抗44端子間の電圧、またはその両方によ
り行うことができる。ひとたび故障論理回路が過電流状
態を認識すれば、スイッチ36に対する“ソフト”シャ
ットダウン動作が開始されることになる。
続されている高インピーダンス直列抵抗48により、ゆ
っくりターンオフされる。ゆっくり遷移してターンオフ
した後、各スイッチングデバイスのゲート入力が弱くプ
ルダウンされ、故障リセット信号が故障論理回路に加わ
るまで、この状態が保持される。したがって、図2にお
いて破線で示したように、活性化した保留状態の(activ
ated and pending)PWM信号入力が生じたとしても、
シャットダウンモードにおいて付加的なスイッチング動
作(additional switching action)が生じることはな
い。その結果として、付加的なスイッチング動作および
それに関連するミラー効果に起因してターンオンする問
題が生じる危険性はない。したがって短絡が発生する場
合、IGBT36は低オン状態電圧から引き上げられ
(プルアウトされ)、出力特性が引き上げられる。2μ
秒のブランキング期間(blanking time)50(図7)に
より、IGBTは完全にターンオンすることができる。
DESAT機能は各高位側IGBTに与えられる。しか
しながら、それはIGBTがオンしている場合にのみ可
能である。
ライバICの外部回路に備えられる。この抵抗44は、
検知抵抗44を用いない回路に比べて、以下の2つの利
点を提供する。
に、電流の上昇が比較的遅い場合、有効である。
電圧のみならず、短絡電流情報も含んでいる。短絡電流
の量は、VCE(SAT)電圧に加えて、検知抵抗44の
値およびDESATピンに対する抵抗分割回路網により
確定することができる。
から引き上げられる場合のIGBTの最大VCE(ON)
より高く設定されなければならない。
ァイア社(International Rectifier: El Segundo、Calif
ornia)により製造されたIR2137 3相ブリッジド
ライバICによる実施態様のような、図7のドライバ出
力回路を利用したゲートドライバ集積回路46を示す。
の端子間電圧VRSENSEは1.0Vであり、VCE(SA
T)は1.8Vである。もし接地事故(完全短絡)が生
じた場合、VRSENSEは3.0V、VCE(SAT)は
5.0Vになる。DESATピンに8.0Vの電圧がか
かると、ゲートシャットダウン回路がトリップ(作動)
し、ゲート駆動をターンオフすることができる。ソフト
シャットダウンが上記のように開始され、ゲート駆動回
路により制御される各パワートランジスタに対してゲー
ト駆動回路に高インピーダンス抵抗36を挿入すること
が好ましい。図8に示されるようなパワートランジスタ
対の構成では、ソフトシャットダウン信号により、ゲー
ト駆動回路が、高インピーダンス抵抗52を高位側スイ
ッチ54のゲートに、また高インピーダンス抵抗56を
低位側スイッチ58のゲートにそれぞれ挿入できる。
てきたが、多くの他の変形例および変更例並びに他の使
用例は、当業者には明らかになろう。
コントローラインバータ回路を示す図である。
流状態の瞬間における、図1の回路のスイッチの状態を
示す図である。
たときの等価回路図である。
いる従来の地絡検出アプローチを示す模式図である。
インダクタンスの影響を示すグラフである。
ある。
回路図である。
スイッチングデバイス 16 ゲート駆動および故障論理回路 17 等価回路 18 電圧源 19 パワートランジスタ 20 検知抵抗 22 光結合素子 30 ゲートドライバ出力回路 32 ドライブ回路ブロック 36 IGBTスイッチ 38 高位側ドライバプルアップ出力 40 低位側ドライバプルアップ出力 41 前置ドライバ 44 検知抵抗 46 ゲートドライバ集積回路 48 高インピーダンス直列抵抗 52 高インピーダンス抵抗 54 高位側スイッチ 56 高インピーダンス抵抗 58 低位側スイッチ
Claims (2)
- 【請求項1】 ゲート駆動信号としてパルス幅変調波形
を生成するゲートドライバ回路により切り替えられるパ
ワートランジスタスイッチングデバイスと、 前記モータコントローラの過電流状態に応答して、高イ
ンピーダンスの抵抗を前記パワートランジスタスイッチ
ングデバイスの前記ゲート駆動信号のパスに切り替える
ソフトシャットダウン回路とを具備したことを特徴とす
るモータコントローラ。 - 【請求項2】 請求項1に記載のモータコントローラに
おいて、さらに加えて、 前記パワートランジスタスイッチングデバイスのVCEを
検知し、かつ短絡状態に応答して前記ゲートドライバ回
路のDESAT回路を用いて故障信号を伝送するための
回路を備えたことを特徴とするモータコントローラ。
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