JP2001007642A - 発振器及びその発振特性調整方法 - Google Patents

発振器及びその発振特性調整方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発振器モジュールのより小型化を図る。 【解決手段】 内部に誘電体層を有する回路基板の表側
主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面にその大部分
の面を覆って裏側導体を配し、更にこの裏側導体から誘
電体層の一部を介して、発振回路を構成するインダクタ
ー素子の少なくとも一部分を内装し、前記裏側導体が、
その一部に形成され、それを介してレーザー光線で前記
誘電体層と共に前記インダクター素子の内装された一部
分を部分的に切除することにより発振特性を調整可能な
スリットもしくはピンホールを有する発振器。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振器及びその発
振特性調整方法に関し、更に詳しくは、携帯電話、携帯
型情報端末、無線ＬＡＮ送受信機、衛星通信端末、ＧＰ
Ｓ受信機等の高周波帯を利用する各種無線通信機器に搭
載される小型の発振器及びその発振特性調整方法に関す
るものであり、特に数百ＭＨｚ以上の高周波用途におい
て、発振器の主要部であるモジュールを小型化するのに
好適なものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
携帯電話に代表される高周波通信システム用端末機器の
小型化に伴い、これら機器に搭載される高周波部品の１
つである電圧制御発振器（ＶＣＯ）等の発振回路モジュ
ールの小型化が一段と進んでいる。これらの高周波用
（特に数百ＭＨｚ以上の高周波用途）小型発振器モジュ
ールにおいては、搭載される部品特性や、基板の配線パ
ターンの寸法のばらつきが無視できず、個々のモジュー
ルに対して調整を施し、発振周波数等の特性を所定の設
計仕様に合わせることが実用上不可欠となっている。
【０００３】これら調整の手段としては、一般に回路基
板の部品実装表面上に形成された回路パターンの一部
を、サンドブラスターなどの機械的手段もしくはレーザ
ー光などの光学的手段によって切除することで、導体パ
ターンの長さや幅を変えて発振回路を構成するインダク
ターの調整を行う方法（特開平６−１３８０７号公報）
が用いられているほか、モジュールのより小型化を図る
べく、回路基板を多層化することによって、発振回路を
構成するインダクター（特許第２６６２７４８号）やコ
ンデンサの一部分を基板内部に内装化する手段（特許第
２５３１０００号）も用いられている。
【０００４】図１７、１８は発振器を構成するインダク
ターの一部分を基板表面に引き出している発振器の事例
の構成説明図であり、プリント配線基板２１内に裏面接
地導体２２と、内装接地導体２３と、これらの導体に挟
まれたインダクター導体２４とからなるトリプレート構
造のストリップラインを形成し、このストリップライン
のインダクター導体２４ａの一部がスルーホール２５を
介して基板表面上に設けられた導体パッド２４ｂへ接続
されており、その基板表面上の導体パッド２４ｂに対し
ては、図１８の２６に示したようなトリミングが施され
ることで、当該インダクターの電気長を変更し、インダ
クタンスの調整、すなわち発振周波数などの発振（器）
特性の調整を実施している。
【０００５】また、図１９は、発振器を構成するコンデ
ンサを基板に内装し、基板表面上に配した当該コンデン
サの一方の電極のトリミングを行い、コンデンサの容量
を調整することで、発振特性の調整を行う発振器の事例
の断面構造図である。本事例では共振回路を構成するイ
ンダクターは上記の事例と同様プリント配線基板２１の
内部にトリプレート構造でストリップライン２４として
内装されており、その一端はスルーホール２５を介して
基板表面上に表面電極２８として引き出されている。す
なわち、インダクターに並列接続され、共振回路を構成
するコンデンサ２７は基板内装接地導体２３と誘電体基
板を介して対向する表面電極２８によって基板に内装さ
れており、当該表面電極２８に対してトリミングを行
い、電極面積を調整することでコンデンサ容量の調整、
すなわち発振器の調整が行われる。
【０００６】しかしながら、上記の両先行事例において
は、小型化を図るべく回路の一部分を基板内部に内装化
しているものの、個々のモジュールの調整を行うに当た
っては内装の導体パターンの一部分を基板の部品実装表
面上に引き出して、該部分に対してトリミングなどを行
う手段が用いられており（図１７の２４ｂの部分及び図
１９の２８の部分）、部品実装面においてトリミングパ
ッドがある程度の面積を専有することは、内装化の手法
を用いない場合に同じである。
【０００７】また、これらのモジュールはほとんどの場
合、搭載される隣接パーツとの電磁界的な相互干渉を避
け、実装部品を保護するため、部品実装面をカバーする
金属製のキャップシールドが設けられているが、このよ
うに部品実装面側の基板表面をトリミングする場合、キ
ャップシールドを被せることに起因する特性のずれを予
め見込んで調整を行った後でキャップシールドを被せる
か、トリミング用のスリットや孔を設けたキャップシー
ルドを基板上にかけた後レーザーなどでトリミングを行
い、その後で導電性のシールなどでキャップシールドの
スリットや孔を塞ぐ手法が用いられる。前者において
は、キャップシールドをかけることによってモジュール
の発振周波数などの特性にずれが生じるため、予めこれ
らのずれを予測したトリミング調整を行うことが必要と
なるが、先にも記したとおり、これらモジュール特性の
個別のばらつきがもともと大きいため、一律なオフセッ
トでは対応しきれないのが現実であり、精密な調整は不
可能である。また、後者においては、キャップシールド
を被せた後でレーザートリミングを行うため、トリミン
グによって飛散したトリミング部分の塵がキャップ内部
に閉じ込められ、周辺部に付着する事態を生じやすく、
信頼性を損なう結果を招く。
【０００８】上記の問題を解決する手段として、基板裏
面側へ内装導体を引き出してトリミングを行うことが考
えられるが、このような構造を採った場合、裏面側にあ
る程度の面積でトリミング用のパッドを設けることが必
要となる。この結果、モジュール裏面のシールドが困難
となり、実装面側と同様のキャップシールドを設ける対
策が必要となり、小型化が要求される本用途では実用的
な方法とは言い難い。また、同様に、上記問題点を解決
する方法として、基板の裏面から内部に向かって垂直方
向に、レーザートリミングを行うことで、多層構成とし
た内装コンデンサの電極面積を調整し、発振器の調整を
行う方法が提案されている（特開平９−１５３７３７号
公報）。
【０００９】図２０は、本事例のモジュール全体の断面
図であり、共振回路を構成するコンデンサ２７は、基板
の誘電体層を挟んで層状に電極２７ａ及び２７ｂを重ね
合わせることで基板へ内装化されている。本事例では図
２１の２８に示したごとく、モジュール裏面側から垂直
方向にレーザートリミングを行うことで、内装コンデン
サ２７の電極２７ａ及び２７ｂの面積調整を行い、モジ
ュールの調整を行う。
【００１０】本方法によると、上記問題は解決されるも
のの、ある程度の容量範囲の調整を行うためにはコンデ
ンサの電極構造を少なくとも３層〜４層以上の多層構造
とする必要があり、結局、回路基板全体が多層化し、基
板厚みの増加、コストの上昇を招く結果となる。
【００１１】また、レーザー光によるトリミングにおい
ては、トリミングに十分なパワーが得られ、かつ数十μ
ｍ程度のスポットへの集光が可能な特性を有することよ
り、ＹＡＧレーザーが用いられることが多い反面、ＹＡ
Ｇレーザーの基本波長１．０６μｍでは第２２図に示す
ように、トリミング対象となる導体を構成するＣｕなど
の金属に対しては非常に反射率が高く、加工を行うにあ
たって、より大きなパワーで加工を行う必要があり、結
果的にトリミングを行う導体裏側の基板へオーバートリ
ミングを生じ易く、該部分の炭化などによって、充分な
絶縁が得られないなど、期待されるトリミング効果が得
られない事態が生じることもある。また、特に、上記の
先行例のように誘電体中の内装導体を誘電体と一度にト
リミングする場合においては、特に最適な加工パワーの
調整が困難となる。
【００１２】上記のような問題に鑑み、本発明の目的の
一つは、主に共振回路のインダクターを構成する内装導
体パターンのトリミングを基板裏面から直接行う構造
の、小型、高性能、高信頼性の発振器（モジュール）及
びその高密度調整方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部に誘電体
層を有する回路基板の表側主面上に発振回路部品を実装
し、裏側主面にその大部分の面を覆って裏側導体を配
し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、発
振回路を構成するインダクター素子の少なくとも一部分
を内装し、前記裏側導体が、その一部に形成され、それ
を介してレーザー光線で前記誘電体層と共に前記インダ
クター素子の内装された一部分を部分的に切除すること
により発振特性を調整可能なスリットもしくはピンホー
ルを有する発振器を提供する。
【００１４】すなわち本発明は、回路基板の裏面主面を
覆う裏側導体に、スリットもしくはピンホールを設け、
これらのスリットもしくはピンホールを通して、内装さ
れたインダクター素子の一部をレーザー光線によって、
裏側導体と内装導体（内装されたインダクター素子の一
部：導体パターン）との間の誘電体層ごと一緒に切除
（トリミング）し、それによって発振特性を所望のもの
に調整できるようにするものである。ここでスリット
は、レーザー光の照射スポット径の２倍以上の幅がレー
ザー光線の通過に適合し、同２倍〜３倍の幅がより適合
する。一方、ピンホールは、同じくレーザー光線の通過
に対して直径がレーザー光照射スポット径の２倍以上が
好ましい
【００１５】また、本発明では、回路基板の誘電体層部
分が、有機系材料、具体的には融点数百度以下のガラス
エポキシ（樹脂）、アラミド系樹脂などを主成分として
形成されるのが好ましく、これは、トリミングに際し
て、ターゲットとなる内装インダクター導体部分の上部
にある誘電体層部分をトリミング用レーザーで容易に焼
き切ることが可能であり、トリミングの作業効率を高め
ることが可能となるほか、トリミング過程で溶融した周
囲の誘電体層部分がトリミングレーザー照射終了後、流
動してトリミング導体部分の上部（基板裏面のスリット
側）をカバーした状態で固まり、耐湿性の悪化を防止す
る効果があるからである。
【００１６】また、本発明では、裏側導体（例えば接地
導体）に設けられたスリットもしくはピンホール内部に
露出している部分の誘電体層の部分に凹部を設け、スリ
ットの設けられていない部分の当該誘電体層の厚みより
薄くした構造としてもよく、それによって、トリミング
に際して、内装導体上部（裏面スリット側）の誘電体層
をより容易に焼き切ることが可能となるため、一層のト
リミング作業の効率アップが可能となるほか、基板の誘
電体材料としてセラミックなどの、高いエネルギーを要
する材質の採用も可能となり、基板材料の選択の自由度
が広がる。
【００１７】更に、本発明では、内装導体の少なくとも
トリミング対象となる部分にトリミングに用いられるレ
ーザー光の波長域の吸収を高めるための着色処理を施し
てもよく、それによって内装導体におけるレーザー光の
反射が減少し、より少ないパワーで内装導体のトリミン
グが可能となり、更に、発振器裏面のトリミング用スリ
ットとトリミング対象の内装導体の間の誘電体基板部分
と、内装導体を一度に焼き切って、かつ内装導体のトリ
ミングスリットの反対側へのオーバートリミングを避け
るための最適なレーザー光パワーの調整が容易になる。
【００１８】具体的な着色処理としては、通常この分野
で適用される処理が適用できるが、例えば内装導体のト
リミング対象部分を予め酸化処理によって黒色化させる
こともできる。
【００１９】本発明は、更に、インダクター素子から誘
電体層の他の一部を介して表側に、少なくとも前記スリ
ットもしくはピンホールに対向して、レーザー光線ブロ
ック用導体（又は第２の導体層）を内装するよう構成す
ると、内装インダクターの所定のトリミングポイントに
重なる位置の裏面上にスリットもしくはピンホールが設
けられているので、トリミングの際、このスリットやピ
ンホールを目印として、表面からは直接見ることができ
ない内装インダクターに対する位置合わせを行うことが
可能となる。また、発振器裏面のスリットもしくはピン
ホールから入射するトリミングレーザー光が、トリミン
グ開始ポイント近傍などで、トリミングターゲットの内
装インダクタ導体層がない部分に当たり、基板の表側
（レーザー光が入射するのと反対側）へオーバートリミ
ングを生じる場合においても、スリットもしくはピンホ
ールの直下に（対向して）レーザー光線ブロック用導体
が設けられているため、レーザー光線はブロック用導体
によってブロックされ、反対側の基板実装面側表面の配
線パターンや、搭載部品にダメージを与えることが防止
される。
【００２０】本発明は、さらに、レーザー光線ブロック
用導体の肉厚を、インダクター素子のそれより大きくす
ると、発振器の性能への影響を少なくできる。すなわ
ち、第２の導体層を貫通するためには、内装インダクタ
ー層を貫通するより多くのパワーが必要となる上に、第
２の導体層は内装インダクター層よりもレーザー入射面
から見て深いところにある。このため、内装インダクタ
ーが存在する部分において、内装インダクターおよびそ
の直下の誘電体基板の一部までで深さ方向のトリミング
がストップするよう、レーザー光のパワーが適正に設定
されている条件においては、トリミングスタートポイン
トなどの内装インダクターがない部分でも、第２の導体
層を貫通してしまうことはなく、発振器の性能への影響
を少なくできる。
【００２１】本発明は、さらに、レーザー光線ブロック
用導体を、裏側導体としての接地導体を含む発振回路か
ら電気的に絶縁すると、発振器の万一の事態が発生して
も、性能への影響を少なくできるので、好ましい。すな
わち、内装インダクターの所定の部分より深い方向にト
リミングが進み、下層の誘電体層の切除が第２の導体ま
で到達した場合、特に、内装インダクターの下層の誘電
体層が樹脂などの有機物の場合には、切除部分周辺に炭
化物が残留することがあるので、これらの炭化物が導体
となり、トリミング部分の内装インダクターと第２の導
体間が、電気的に短絡する可能性が生じるが、万一、こ
のような事態が発生した場合でも、トリミング部分直下
の第２の導体は、接地導体も含めて発振器を構成する回
路パターンとは絶縁されているため、発振器の性能に及
ぼす影響を最小限とすることができる。
【００２２】本発明は、さらに、レーザー光線のスリッ
トもしくはピンホールの最大隣接円の径が照射スポット
径の２倍以上にすると、切除部分が、内装インダクター
導体に到達するまでの誘電体部分に関しても、同様に残
留炭化物が基板裏面のスリットもしくはピンホールのエ
ッジと内装インダクターを短絡する可能性があるが、ス
リットもしくはピンホールの幅又は直径がトリミングレ
ーザー光の照射スポット径の２倍以上の寸法であるた
め、切除部分とスリットもしくはピンホールの間のスペ
ースが大きくなり、短絡の危険性を減少することができ
る。
【００２３】更に、裏側導体のスリットもしくはピンホ
ールが形成されている領域が発振器を構成する他の接地
領域（接地導体）を含むすべての回路と絶縁されている
と、万一、スリットもしくはピンホールのエッジと内装
インダクター部分の短絡が発生した場合でも発振器の性
能に及ぼす影響を最小限にすることができる。
【００２４】更に、トリミングレーザー光を照射するス
リットもしくはピンホールの近傍の裏側導体にヒートシ
ンク（温度上昇を抑えるための吸・放熱部材又は装置）
を接触させながらレーザー光照射を行うと、トリミング
の際に発生する温度上昇を抑えることが可能であり、レ
ーザー光照射部周辺の誘電体基板の溶融などのダーメー
ジの発生や基板裏側導体からの伝熱によるキャップシー
ル固定半田の溶融などの不具合を抑えることが可能とな
る。
【００２５】本発明は、異なる観点によれば、内部に誘
電体層を有する回路基板の表側主面上に発振回路部品を
実装し、裏側主面にその大部分の面を覆って裏側導体を
配し、更にこの裏側導体から誘電体層の一部を介して、
発振回路を構成するインダクター素子の少なくとも一部
分を内装した発振器の発振特性を調整するに際して、予
め前記裏側導体の一部にスリットもしくはピンホールを
形成し、これらのスリットもしくはピンホールを介し
て、レーザー光線で前記誘電体層及びインダクター素子
の内装された一部分を部分的に切除する発振器の発振特
性調整方法を提供する。
【００２６】かかる発振器の調整方法は、発振回路の主
にインダクタンス成分を構成する内装導体パターンを基
板表面に引き出すことなく、内装面で、基板裏側導体
（例えば接地導体）のスリットもしくはピンホールを通
して導入したレーザー光でトリミングしその長さ、幅の
変更を行い、それによってインダクタンスの調整して発
振周波数などの発振器特性の調整を行う。更に内装導体
一層の長さあるいは幅を調整することによって十分なイ
ンダクタンスの可変が可能であり、トリミング電極多層
化などの構造は不要であり、薄い基板をもっての調整が
可能である。
【００２７】また、本発明の調整方法では、基板表面上
の部品実装面に対してキャップシールドを被せた後でト
リミングを行うことができるので、トリミングを行った
後でキャップシールドを被せた場合のような調整点のず
れの問題がなくなり、精度の高い調整を行うことが可能
である。
【００２８】また、本発明の調整方法では、望ましくは
そのトリミング加工に際して、ＹＡＧレーザー光の基本
発振光を非線形光学素子に通して得られる二次以上の高
調波光を用いる。これによって、加工レーザー光の波長
として、ＹＡＧレーザー基本波長１．０６μｍの１／
２、１／３などの短い波長を用いることが可能となるた
め、第１３図に示したごとく、トリミング対象となる内
装導体においてレーザー光の吸収率を向上することが可
能であり、より少ないパワーでの内装導体のトリミング
が可能になり、これによって発振器裏面のトリミング用
スリットとトリミング対象の内装導体の間の誘電体基板
部分と、内装導体を一度に焼き切って、かつ内装導体の
トリミングスリットの反対側へのオーバートリミングを
避けるための最適なレーザー光パワーの調整が容易にな
る。
【００２９】更に、内装されたインダクター素子の少な
くとも一部分をスリットもしくはピンホールを介して部
分的に切除するに際して、トリミングレーザー光を照射
するスリットもしくはピンホールの近傍の裏側導体にヒ
ートシンクを接触させながらレーザー光照射をおこなう
と、トリミングの際に発生する温度上昇を抑えることが
可能であり、レーザー照射部周辺の誘電体基板の溶融等
のダメージの発生や基板裏側導体からの電熱によるキャ
ップシール固定半田の溶融等の不具合を抑えることが可
能となる。
【００３０】本発明は、更に別の観点によれば、内部に
誘電体層を有する回路基板の表側主面上に発振回路部品
を実装し、裏面主面にその大部分を覆って裏側導体（例
えば接地導体）を配し、更にこの裏側導体から誘電体層
の一部を介して、発振回路を構成するインダクター素子
の少なくとも一部分を内装し、かつ前記裏側導体が、発
振特性の調整のために、裏側導体に形成されたスリット
もしくはピンホールを介して誘電体層と共に一部切除さ
れた発振器を提供する。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による発振器の実施
の形態を図面に基づいて説明する。 ［実施の形態１］図１は、本発明による発振器の１つの
実施の形態として内装導体パターンを有する電圧制御発
振器（ＶＣＯ）のモジュールの分解斜視図、図２は図１
の断面図である。
【００３２】図１、２において、電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）のモジュールＭは、ガラスエポキシ（樹脂）製銅プ
リント配線基板（回路基板）１の表面上に発振回路部品
としてチップ抵抗、チップ型コンデンサ、トランジス
タ、バリキャップダイオードの表面実装型部品２をリフ
ローはんだ付けによって実装し、その上部より、金属製
薄板を曲げ加工したキャップシールド３を被せた構造と
なっている。
【００３３】さらに、プリント配線基板１は、表側（表
側主面）の部品実装導体パターン面（層）１−ａ、内装
接地導体層１−ｂと裏面（裏側主面）の接地導体層１−
ｄとに挟まれたトリプレート構造の内装ストリップライ
ン導体パターン層１−ｃよりなる４層構造の貼り合わせ
積層基板構造となっており、導体パターンの厚みは約１
０〜３０μｍ、表側の部品実装パターン面１−ａと内装
接地導体層１−ｂの間及び内装導体パターン層１−ｃと
裏面の接地導体層１−ｄ間の基板（誘電体層：ガラスエ
ポキシ）厚みはそれぞれ約１５０μｍ、内装接地導体層
１−ｂと内装導体パターン層１−ｃの間の基板（誘電体
層：ガラスエポキシ）厚みは約２００μｍとなってい
る。内装導体パターン層１−ｃの一端は基板側面に設け
られ、表面の導体パターン面１−ａ、内装接地導体層１
−ｂ及び裏面の接地導体層１−ｄを接続する切り欠き
（スルーホールを半分に割ったもの）内壁に設けられた
導体１−ｅを介して接地されており、他方端は上部の内
装接地導体層１−ｂの一部をカットして設けられた窓１
１の中央部を貫いて表面の導体パターン１−ａへＶＩＡ
１−ｆによって電気的に接続されている。また、上記以
外に基板上面の配線である導体パターン面１−ａのＶｃ
ｃ（４）、制御端子（５）、ＲＦ出力端子（６）のそれ
ぞれの端子は、基板側面に設けられた切り欠き（スルー
ホールを半分に割ったもの）内壁に設けられた導体１−
ｇ、１−ｈ、１−ｉを介して基板裏面側に引き回されて
いる。
【００３４】図３は、本モジュールＭの回路図である。
図３に示す本モジュールＭの回路を構成するトランジス
タＴｒ、抵抗Ｒ、バリキャップダイオードＶｃ、コンデ
ンサＣは、プリント配線基板（回路基板）１の表面上に
実装される部品類２によって構成され、発振回路を構成
するインダクターＬは主にトリプレート構造で基板内部
に内装されるストリップライン導体パターン層１−ｃに
よって構成される。同モジュールＭは、同図に示す制御
端子５に加える電圧を制御することで、バリキャップダ
イオードＶｃの容量を変化させ、ＲＦ出力端子６より得
られるＲＦ信号の発振周波数を変化させる。
【００３５】しかしながら、回路を構成する個別の素子
特性のばらつきや、プリント配線基板の寸法のばらつ
き、部品実装時の物理的条件のばらつきにより、個々の
モジュールにおいて発振周波数にばらつきが生じるた
め、バリキャップダイオードが設計目標とする発振周波
数範囲を所定の制御電圧の印加によって達成するよう、
モジュールの製造工程において発振回路を構成するイン
ダクター素子としてのインダクターＬのインダクタンス
調整を個々のモジュールに対して行う。このインダクタ
ーＬのインダクタンスの調整はインダクターＬを構成す
る内装導体パターン層１−ｃの長さ及び幅を調整するこ
とによって行う。
【００３６】図４は本例における内装導体パターン層１
−ｃをモジュールＭの表面側から見た平面図であり、基
板の切り欠きの導体１−ｅ側が基板側面を通じて接地さ
れており、ＶＩＡ１−ｆを介して基板表面上に実装され
る他の発振器構成素子としての部品２と接続されてい
る。この導体は、図４の太線８で示す部分をトリミング
する（切除する）ことにより、その電気長をおよそ２α
分だけ長くするとともに、幅も狭くすることができる。
分布定数型高周波回路の並列接地導体で構成されるイン
ダクターにおいて、その電気長を長くするか、もしくは
その幅を狭くすることで、そのインダクタンスを高くす
ることが可能であるので、本例においては、予めトリミ
ングを行わない状態でのモジュールの発振周波数を所要
値より高めに設定しておき、該部分８のトリミングを行
うことによって発振器を構成するインダクタンスＬを大
きく変化させ、それによって発振周波数を下げて所要の
発振周波数を得る調整を行う。本例におけるトリミング
部分の幅は約数十μｍ、長さは０〜１ｍｍ程度である。
【００３７】図５は、本例モジュールを裏面側より見た
平面図であり、Ｖｃｃ端子４、制御端子５、ＲＦ出力端
子６及びその周囲の絶縁帯９を除く大部分は接地導体層
１−ｄでカバーされているが、内装導体パターン層１−
ｃのトリミングターゲットとなる部分に重なる部分には
幅３００μｍ、長さ１ｍｍの寸法で導体層を設けないト
リミング用のスリット１０が設けられている。
【００３８】図６は第４図の２点鎖線Ｂ−Ｂ’に沿った
断面のトリミング部分付近の拡大図であり、前記のスリ
ット１０を介して、ＹＡＧレーザーのＳＨＧ（第２次高
調波）光１２（波長５３０ｎｍ）の照射を行い、内装導
体パターン層１−ｃをスリット１０の間にあるガラスエ
ポキシ製基板ごと焼き切ることでトリミングを実施す
る。レーザー光１２のパワーは、照射部分の発振器裏側
のトリミング用スリット１０とトリミング対象となる内
装導体パターンの間のガラスエポキシ層及び内装導体の
銅配線パターン１−ｃは完全にバーンアウトして除去
し、該導体パターンのレーザー照射サイドの反対側のガ
ラスエポキシ基板は炭化による絶縁不良などを生じない
ようなレベルに適切にコントロールされる。ＹＡＧレー
ザーのＳＨＧ光１２の使用は、図２２に示したごとく、
基本波長（１．０６μｍ）の場合に比較して、トリミン
グ対象となる内装銅（Ｃｕ）配線パターン８におけるレ
ーザー光の大幅な反射率低減を可能とするため、トリミ
ング達成のためのパワー低減が図られ、レーザー照射側
より裏側のガラスエポキシ製基板へのオーバートリミン
グの低減など、周辺のトリミング不要部分へのダメージ
を抑え、必要部分のみをトリミングする最適パワー調整
をより容易に行うことを可能とする。
【００３９】一方、レーザー光の照射によってバーンア
ウトする内装導体パターンからスリット側のガラスエポ
キシ製基板の周囲の近接部分においてはエポキシ樹脂の
溶融が生じ、トリミング終了後のごく短時間において、
当該部分の溶融樹脂がトリミング部分に流入し、該部分
をコートした状態で硬化することによる封止効果も得ら
れ、耐湿特性の悪化が防止される。ここで、封止効果を
より確実に得るため、トリミング後のスリット部分に、
封止用の樹脂を充填することもある。また、内装導体パ
ターン層１−ｃを形成する銅の裏面側（スリット側）の
表面は基板の積層貼り合わせ前に酸化処理によって表面
が黒色化しており、レーザー光の反射率が低減され、よ
り少ないパワーでの加工が可能となっており、先に説明
したＳＨＧレーザー光の使用と併せて、最適レーザー光
パワーの調整の容易化に寄与している。もちろん、該表
面の黒化などによるレーザー光の吸収率の改善は染料な
ど着色剤による手法を用いても良い。
【００４０】本トリミングは、モジュールの組立がすべ
て終了した後に、第６図に示したごとくモジュールの裏
面側からＹＡＧレーザーを用いて行う。トリミングにお
いては、実際にモジュールの各端子にプローブをあて
て、モジュールを動作させた状態で発振周波数をモニタ
ーしながら行い、トリミングポイントをスリットに沿っ
て図４のＡ方向に移動させながらトリミング長さを増加
させ、所定の発振周波数になったところでトリミングを
停止するファンクショントリミングを実施する。この場
合、モジュールは既にキャップシール３が取り付けられ
ているので、部品実装面側からトリミングを行った後、
キャップシールを被せる手法のように、キャップシール
を被せたことに起因する発振周波数などの特性のずれ分
を予め考慮する必要はなく、精度の高いトリミング調整
が可能となっている。もちろん、スリット部分のうちト
リミングが行われない部分については、ガラスエポキシ
製基板がそのまま残るので、その部分の内装導体パター
ン層１−ｃが外部へ露出することはなく、耐湿性の悪化
などを防止できる。
【００４１】［実施の形態の変形例］次に、上記実施の
形態の変形の形態について以下に説明を行う。図７は本
例のトリミング部分断面図である。本変形例において
は、上記実施の形態に裏面の接地導体層１−ｄに設けら
れたトリミング用のスリット１０の底部に露出している
ガラスエポキシ製基板の部分に凹部が設けられており、
スリットのない部分に比較してその部分の厚さが薄くな
っている。本例では、当該部分の厚さは、約２０μｍで
あり、より少ないレーザーパワーで、よりシャープな形
状でのトリミングを可能としている。その他の部分の構
造に関しては、すべて上記実施の形態と同じとなってい
る。
【００４２】本例の基板の製造方法に関しては、基板の
積層を行う前に、部品実装導体パターン層１−ｃ上部
（裏面のスリット側）に２０μｍの厚さで樹脂（例えば
エポキシ樹脂）コーティングを実施し、その上にスリッ
ト１０にあたる部分に貫通孔を設けたガラスエポキシ製
基板を積層する手法を用いているが、もちろん、積層後
に当該部分にエッチングなどの化学的手法や、機械的な
手法で凹部を設ける手法を用いてもよい。
【００４３】また、本例のように、トリミング部分の内
装導体のスリット側にある誘電体層（上記例ではエポキ
シ樹脂など）が非常に薄い構造となる場合、当該部分を
バーンアウトするのにあまり大きなパワーが必要ないの
で、例えばこの部分が、低温焼成ガラスセラミック（焼
結温度８００〜９００℃程度）で形成されている場合に
も本発明の適用が可能である。これら低温焼成ガラスセ
ラミック基板の場合、その製造法はこれらセラミックに
有機性可塑剤やバインダーを加えたグリーンシートの状
態で導体の印刷、スリットのくり抜き、圧着積層を行っ
た後、一括焼成することで、上記のような内装導体パタ
ーンやスリットを擁する配線基板を得ることができる。
その他の製造法及び調整法は上記実施の形態と同じであ
る。
【００４４】〔第２の実施の形態〕図８は本発明による
内装導体パターンを有する電圧制御発振器（ＶＣＯ）の
モジュールの構造分解斜視図、図９は図８の断面図であ
る。図８、９において、本モジュールは、ガラスエポキ
シ（樹脂）製銅プリント配線基板１の表面上にチップ抵
抗、チップ型コンデンサ、トランジスタ、バリキャップ
ダイオードの表面実装型部品２をリフロー半田付けによ
って実装し、その上部より、金属製薄板を曲げ加工した
キャップシールド３を被せた構造となっている。
【００４５】さらに、プリント配線基板１は、表側の部
品実装パターン面（層）１−ａ、内装接地導体層１−ｂ
と裏面の接地導体層１−ｄとに挟まれたトリプレート構
造の内装ストリップライン導体パターン層１−ｃよりな
る４層構造の貼り合わせ積層基板構造となっており、各
導体パターンの厚みは、基板表面及び裏面のパターン面
（層）１−ａ、１−ｄ及び内装インダクターが形成され
ている導体パターン層１−ｃが約２０μｍ、内装接地導
体が形成されている第２の内装接地導体層１−ｂが約３
５μｍとなっている。また、表側の部品実装パターン面
１−ａと内装接地導体層１−ｂの間１−ｍおよび内装導
体パターン層１−ｃと裏面の接地導体層１−ｄ間の１−
ｏのガラスエポキシ基板厚みは約１５０μｍ、内装接地
導体層１−ｂと内装導体パターン層１−ｃの間の１−ｎ
の基板厚みは約２００μｍとなっている。
【００４６】内装導体パターン層１−ｃの一端は、基板
側面に設けられ、表面のパターン面（層）１−ａ、内装
接地導体層１−ｂおよび裏面の接地導体層１−ｄを接続
する切り欠き内壁に設けられた導体（スルーホールを半
分に割ったもの）１−ｅを介して接地されており、他方
端は上部の内装接地導体層１−ｂの一部をカットして設
けられた窓１７の中央部を貫いて表面の導体パターン面
１−ａへＶＩＡ１−ｆによって電気的に接続されてい
る。また、上記以外に基板上面の配線パターン面１−ａ
層のＶｃｃ（４）、制御端子（５）、ＲＦ出力端子
（６）のそれぞれの端子は、基板側面に設けられた切り
欠き（スルーホールを半分に割ったもの）内壁に設けら
れた導体１−ｇ、１−ｈ、１−ｉを介して基板裏面側に
引き回されている。
【００４７】本モジュールの回路図は、第１の実施の形
態に示した図３と同じ回路図で表され、本モジュールの
回路を構成するトランジスタＴｒ、抵抗Ｒ、バイキャッ
プダイオードＶｃ、コンデンサＣは、回路基板１の表面
上に実装される部品類２によって構成され、発振回路を
構成するインダクターＬは主にトリプレート構造で基板
内部に内装されるストリップライン内装導体パターン１
−ｃによって構成される。同モジュールは、同図に示す
制御端子５に加える電圧を制御することで、バイキャッ
プダイオードＶｃの容量を変化させ、ＲＦ出力端子６よ
り得られるＲＦ信号の発振周波数を変化させる。
【００４８】しかしながら、回路を構成する個別の素子
特性のばらつきや、プリント配線基板の寸法のばらつ
き、部品実装時の物理的条件のばらつきにより、個々の
モジュールにおいて発振周波数にばらつきが生じるた
め、バリキャップダイオードが設計目標とする発振周波
数範囲を所定の制御電圧の印加によって達成するよう、
モジュールの製造工程において発振回路を構成するイン
ダクターＬのインダクタンス調整を個々のモジュールに
対して行う。このインダクターＬのインダクタンスの調
整は、インダクターＬを構成する内装導体パターン１−
ｃの長さおよび幅を調整することによって行う。
【００４９】図１０は本例における内装導体パターン層
１−ｃをモジュール表面側から見た平面図を示し、基板
の切り欠き１−ｅ側が基板側面を通じて接地されてお
り、ＶＩＡ１−ｆを介して基板表面上に実装される他の
発振器の構成素子としての部品２と接続されている。こ
の導体は、図１０の太線で示す部分２８をトリミングす
ることにより、その電気長をおよそ２αだけ長くすると
共に、幅も狭くすることができる。分布定数型高周波回
路の並列接地導体で構成されるインダクターにおいて、
その電気長を長くする、もしくはその幅を狭くすること
で、そのインダクタンスを高くすることが可能であるの
で、本例においては、予めトリミングを行わない状態で
のモジュールの発振周波数を所定値より高めに設定して
おき、該部分２８のトリミングを行うことによって、発
振器を構成するインダクタンスＬを高く変化させ、それ
によって発振周波数を下げて所要の発振周波数を得る調
整を行う。本例におけるトリミング部分２８の幅は約数
十μｍ、長さは０〜１ｍｍ程度である。
【００５０】図１１は本例モジュールの裏面図であり、
Ｖｃｃ端子４、制御端子５、ＲＦ出力端子６およびその
周囲の絶縁帯２９を除く、大部分は接地導体１−ｄでカ
バーされているが、内装導体パターン１−ｃのトリミン
グターゲットとなる部分に重なる部分は幅２００μｍ、
長さ１ｍｍの寸法で導体層を設けないトリミング用のス
リット３０が設けられており、さらにそのスリットが設
けられている部分の導体１−ｄ２は絶縁体２９を介して
接地導体１−ｄと電気的に絶縁されている。
【００５１】図１２は図１０の２点鎖線Ｂ−Ｂ’に沿っ
た断面のトリミング部分付近の拡大図であり、前記のス
リット３０を介して、ＹＡＧレーザー光１２（波長１．
０６μｍ）の照射を行い、内装導体パターン１−ｃをス
リット３０との間にあるガラスエポキシ基板１−ｏごと
焼き切ることでトリミングを実施する。レーザー光１２
のパワーは、照射部分発振器裏側のトリミング用スリッ
ト３０とトリミング対象となる内装導体パターンの間の
ガラスエポキシ層１−ｏおよび内装導体１−ｃの銅配線
パターン１−ｃが完全にバーンアウトによって除去さ
れ、内装導体該導体パターンのレーザー照射サイドの裏
側のガラスエポキシ基板１−ｎの途中でトリミングが止
まるようなレベルに適切にコントロールされる。
【００５２】トリミングによって生じる溝８の、内装導
体パターンからスリット側のガラスエポキシ基板層１−
ｏ部分は、レーザー照射スポット周辺部への伝熱により
近接部分においてはエポキシ樹脂の溶融や燃焼が生じ、
形成される溝の幅はスポット径より概ね２倍以上の大き
さとなる。また溝の周辺部には、炭化したエポキシ樹脂
の残留物８−ｂが付着する場合もあり、この炭化残留物
８−ｂが吸湿などによって導体となり、スリット３０の
エッジ部分と内装導体のトリミング部分を短絡する危険
性が生じるが、本例においては、スリット３０の幅はレ
ーザースポット径の５０μｍより４倍大きな２００μｍ
であり、スリット３０のエッジ部分とトリミングにより
形成される溝の開口エッジ部分が接触する危険性は少な
くなっている。
【００５３】また、スリット３０が形成されている裏面
導体１−ｄ２は周囲の接地導体１−ｄと絶縁帯２９（図
１１参照）を介して電気的に絶縁されているため、万一
スリットエッジ部分と内装導体のトリミング部分との短
絡が生じた場合でも、発振器の性能への影響は最小限に
抑えられる。
【００５４】トリミング工程においては、実際にモジュ
ールの各端子にプローブをあてて、モジュールを動作さ
せた状態で発振周波数をモニターしながら行い、図１０
および図１１に示したように、裏面上のスリット３０の
一端の中点Ａ−ｓをスタートポイントとしてレーザー光
スポット１２の照射ポイントの位置合わせを行なった
後、該スポットをスリットに沿って同図Ａ方向に移動さ
せながらトリミング長さを増加させ、所定の発振周波数
になったところでトリミンングを停止するファンクショ
ントリミングを実施する。
【００５５】なお、このファンクショントリミング実施
の際、図１６に示したようにモジュールの各端子へのプ
ロービングを行うためのプローバー１９と同時に、レー
ザー照射を行うスリット３０近傍の基板裏面導体１−ｄ
２に銅、アルミニウムなどの熱伝導性の高い材質で形成
されたヒートシンク２０が接触するようにセットされ、
トリミング時に発生する熱の放熱を行い、周辺部への伝
熱によるトリミング部近傍のガラスエポキシ基板のダメ
ージ発生や、トリミング部分に比較的近い部分にあるキ
ャップシールドと基板の半田付けポイントにおける半田
の再溶融などの不具合の原因となる可能性が高い現象の
発生を抑える。
【００５６】図１０に示したように、導体パッドに切り
込みを入れることで電気長を伸ばす場合、トリミング開
始ポイントＡ−ｓは内装インダクターの導体パターン１
−ｃの外側となり、トリミング部分が、レーザー照射ス
ポットの走査によって導体部分にかかるまでの間（図１
０のβの部分）は内装導体がない部分に対してトリミン
グを行うこととなる。
【００５７】図１３は、上記β部分に該当する図１０に
おける２点鎖線Ｃ−Ｃ’に沿った断面のトリミング部分
付近の拡大図を示している。本例のトリミングに使用し
ているＹＡＧレーザー光（波長：１．０６μｍ）の内装
導体である銅に対する反射率は非常に大きく（９０数
％）、照射レーザーパワーの大部分が当該導体層のトリ
ミングのために費やされるため、図１３のようにターゲ
ットとなる内装インダクターの導体層がない部分におい
ては、トリミング域は、ガラスエポキシ層１−ｎを貫通
し、レーザー照射面から見て、もう１層下にある第２の
内装導体１−ｂ２にまで到達するが、この第２の内装導
体層（１−ｂおよび１−ｂ２）の厚さは、トリミングタ
ーゲットである内装インダクター１−ｃよりも１．７５
倍程度厚いため、この導体層を貫通することはない。ま
た、トリミングターゲットの内装インダクター層１−ｃ
がある部分に対するトリミング（図１２）において、多
少のレーザーパワーの変動や、基板の厚さのばらつきな
どが生じ、トリミングがより深く進んだ場合において
も、第２の導体層１−ｂが、レーザー光線に対するブロ
ック層として作用し、基板表面側への貫通などの最悪の
事態を回避できる。
【００５８】また、上記のごとく、トリミングが第２の
導体層に及んだ場合、前述の残留炭化物８−ｂに起因す
る内装インダクター１−ｃと裏面スリットエッジの短絡
の可能性と同様に、第２の内装導体層１−ｃと内装イン
ダクター１−ｃとの短絡の可能性を生じる。本例におい
ては、第２の導体層１−ｂの大部分は、裏面接地導体１
−ｄとの組み合わせにより、内装導体層１−ｃに対して
トリプレート構造の内装インダクターを形成するための
接地導体層であるが、裏面スリット１０に重なるトリミ
ングが行われる可能性のある部分は、絶縁帯９を介して
接地導体１−ｃと電気的に絶縁された構造１−ｂ２とな
っており、万一短絡が生じた場合にも、発振器の性能へ
の影響は最小限に抑えられる。
【００５９】本トリミングは、モジュールの組立てがす
べて終了した後に、モジュールの裏面側からＹＡＧレー
ザーを照射することによって行われるので、部品実装面
側からトリミングを行なった後、キャップシールを被せ
る手法のように、キャップシールを被せたことに起因す
る発振周波数などの特性のずれ分を予め考慮する必要は
なく、精度の高いトリミング調整が可能となっている。
なお、トリミングの後、トリミング溝８への異物の侵入
や、残留炭化物８−ｂの吸湿を防止するため、エポキシ
樹脂などを用いて該部分の封止を行う場合がある。
【００６０】〔第２の実施の形態の第１の変形例〕次
に、上記実施の形態の第１の変形例について、以下に説
明を行う。図１４は、第１の変形例のモジュール断面図
である。本変形例は、上記実施の形態における第２の内
装導体層１−ｂの厚さが、内装インダクター１−ｃと同
じ厚さの約２０μｍとなっている。この変形例の第２の
内装導体層においても、トリミングスリット３０に重な
る部分は、上記実施の形態と同様に同層の大部分を占め
る内装接地導体と電気的に絶縁されたランド状のパター
ン１−ｂ２となっているが、当該ランドパターン部分１
−ｂ２には、ランド部分と同種の厚さ約２０μｍの銅箔
１−ｂ３がトリミングレーザー光入射方向の裏側に密着
積層して形成されている。結果的にこの部分の第２の導
体層の厚さが、トリミングターゲットである内装インダ
クター１−ｂ積層基板の約２倍の厚さを有する構造とな
っており、前記実施の形態において、第２の内装導体全
体を厚くしたのと同様、深さ方向のオーバートリミング
に対するブロック効果を得ることが可能となっている。
【００６１】本変形例においては、トリミング部分に重
なる第２の導体層のランド部分１−ｂ２の厚みを増す手
法として、積層基板１の製造工程において、ガラスエポ
キシ製コア基板１−ｎの両面に銅箔１−ｂ、１−ｃを貼
り付けた後、それぞれの銅箔に内装接地導体層（第２の
内装導体層）および内装インダクター層のパターンをエ
ッチングプロセスなどによって形成した後、第２の内装
導体層が形成されている側の導体ランド部分１−ｂ２上
に銅箔１−ｂ３を貼り付け、このコア基板両面上にガラ
スエポキシ板を圧着し、ガラスエポキシ層１−ｍ、１−
ｏを形成する手法を採っているが、銅箔１−ｂ３を貼り
付けるかわりに、印刷によって当該部分に銅の層を形成
し、厚みを増す手法を用いてもよい。
【００６２】また、コア基板１−ｎの表面側（トリミン
グレーザー光入射の反対側）に積層圧着するガラスエポ
キシ板１−ｍのコア基板に対向する側の面上に予め第２
の内装導体層１−ｂを形成し、そのランド部分１−ｂ２
上に銅箔１−ｂ３を貼り付け、もしくは印刷形成した
後、コア基板に圧着する手順を採ってもよい。この場合
には、トリミング部に重なる第２の導体層のランド部分
の厚みは、図１４と反対に、基板裏側方向（レーザー入
射面側）へ増加する構造となる。
【００６３】また、本変形例において、第２の内装導体
層のランド部分１−ｂ２に密着積層形成する箔もしくは
層１−ｂ３の材質は、上記の銅以外にも、トリミングに
使用するＹＡＧレーザー光に対して反射率の高い各種金
属の利用が可能である。その他の部分の構造および作用
に関しては、すべて上記実施の形態と同じとなってい
る。
【００６４】〔第２の実施の形態の第２の変形例〕次
に、上記実施の形態の第２の変形例について、以下に説
明を行う。図１５は第２の変形例のモジュールの断面図
である。上記実施の形態及びその第１の変形例におい
て、内装接地導体パターン１−ｂと当該パターンから絶
縁されたランド部分１−ｂ２は同一面内に形成されてい
るのに対し、本第２の変形例においては、トリミング部
分に重なり、深さ方向のオーバートリミングのブロック
作用を担う第２の導体層１−ｂ２は、基板裏面上に形成
される接地導体１−ｄと併せて、内装導体層１−ｃに対
してトリプレート構造の内装インダクター素子を形成す
るための内装接地導体パターン１−ｂと別の層に形成さ
れている。
【００６５】本例の構造によれば、トリミング部分背面
の第２の内装導体１−ｂ２は、前記第２の実施の形態及
びその第１の変形例同様に、接地も含めてすべての発振
回路と絶縁された構造となっているので、前記の第２の
実施の形態で述べた短絡による不具合発生の危険性を抑
える効果が得られ、かつ、内装接地導体１−ｂは、前記
の第２の実施の形態及びその第１の変形例のように、ト
リミング部分に重なる場所においても途切れることがな
いため、基板厚みが厚くなる欠点はあるが、より安定し
た発振特性を得ることが可能となる。その他の部分の構
造および作用に関しては、すべて上記実施の形態と同じ
になっている。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、接地導体のスリットも
しくはピンホールを介して内装された状態のインダクタ
ー素子をトリミングできるので、基板上の部品実装表面
上にトリミング用の導体パッドを引き出す必要がなく、
発振器（モジュール）のより小型化が可能となる。ま
た、トリミングは回路基板の裏面の大部分を覆う接地導
体（層）の一部に開けられたスリットもしくはピンホー
ルを通して行われるため、基板裏面のシールドは概ね保
たれ、裏面に新たなシールドケースなどを設ける必要も
生じない。また、トリミングを行わない部分に関して
は、内装導体が外部に露出した構造とならないため、耐
湿性の悪化を防止でき、高い信頼性を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発振器の１つの実施の形態による
電圧制御発振器の分解斜視図である。
【図２】図１の電圧制御発振器の断面図である。
【図３】図１の電圧制御発振器の回路図である。
【図４】図１の電圧制御発振器に用いるプリント基板の
内装導体パターン層の平面図である。
【図５】同じくプリント基板の底面図である。
【図６】本発明の実施の形態におけるプリント基板トリ
ミング部断面図である。
【図７】本発明の実施の形態の変形例におけるプリント
基板トリミング部断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態による電圧制御発振
器の斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による電圧制御発振
器の断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるプリント
配線基板内装導体の平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による電圧制御発
振器の裏面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態におけるプリント
基板トリミング部（図１０のＢ−Ｂ’断面）の拡大断面
図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態におけるプリント
基板トリミング部（図１０のＣ−Ｃ’断面）の拡大断面
図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態の第１の変形例に
よる電圧制御発振器の断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態の第１の変形例に
よる電圧制御発振器の断面図である。
【図１６】本発明のトリミングを説明する説明斜視図で
ある。
【図１７】従来の発振器の構成説明図である。
【図１８】図１７の発振器の電極のトリミング部分詳細
説明図である。
【図１９】従来の発振器の構成説明図である。
【図２０】従来の発振器の構成説明図である。
【図２１】図２０の発振器におけるトリミング部断面詳
細説明図である。
【図２２】代表的金属の反射特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１ プリント配線基板 ２ 表面実装型部品 ３ キャップシールド １−ａ 表面部品実装面配線パターン １−ｂ 内装接地導体 １−ｃ 内装導体パターン（内装されたインダクター
素子） １−ｄ 裏面接地導体 １−ｅ 側面接地導体 １−ｆ ＶＩＡホール １−ｇ 側面Ｖｃｃ端子導体 １−ｈ 側面制御端子導体 １−ｉ 側面出力端子導体 ４ Ｖｃｃ端子 ５ 制御端子 ６ ＲＦ出力端子 ７ 接地端子 Ｔｒ： トランジスタ Ｒ： 抵抗 Ｖｃ： バリキャップダイオード Ｃ： コンデンサ Ｌ： インダクター ８ 内装導体トリミングエリア ９ 絶縁帯 １０ トリミング用スリット １１ 内装接地導体絶縁窓 １２ レーザー光（線） ２０ ヒートシンク ２９ 絶縁体 ３０ トリミング用スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯田 浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 池田 雅和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HB04 HB13 HB21 HB22 LA11 MA04 NA07 PA03 PA06 5J081 AA11 BB01 BB07 CC22 CC25 EE09 JJ23 KK02 KK11 KK25 LL05

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部に誘電体層を有する回路基板の表側
    主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面にその大部分
    の面を覆って裏側導体を配し、更にこの裏側導体から誘
    電体層の一部を介して、発振回路を構成するインダクタ
    ー素子の少なくとも一部分を内装し、 前記裏側導体が、その一部に形成され、それを介してレ
    ーザー光線で前記誘電体層と共に前記インダクター素子
    の内装された一部分を部分的に切除することにより発振
    特性を調整可能なスリットもしくはピンホールを有する
    発振器。
  2. 【請求項２】 誘電体層が、有機系材料を主成分として
    形成されてなる請求項１の発振器。
  3. 【請求項３】 誘電体層が、裏側導体のスリットもしく
    はピンホールを介して露出する部分に、レーザー光線に
    よる切除を容易にするための凹部を有する請求項１の発
    振器。
  4. 【請求項４】 インダクター素子が、その内装された一
    部分の表面にレーザー光線の反射を低減させる着色処理
    を施されてなる請求項１の発振器。
  5. 【請求項５】 裏側導体が、接地導体である請求項１の
    発振器。
  6. 【請求項６】 更にスリットもしくはピンホールに対向
    してインダクター素子から表側に誘電体層の他の一部を
    介してレーザー光線ブロック用導体を内装してなる請求
    項１の発振器。
  7. 【請求項７】 レーザー光線ブロック用導体が、その肉
    厚をインダクター素子のそれより大きくしてなる請求項
    ６の発振器。
  8. 【請求項８】 裏側導体が接地導体であり、レーザー光
    線ブロック用導体が、前記接地導体を含む発振回路から
    電気的に絶縁されてなる請求項６の発振器。
  9. 【請求項９】 スリットもしくはピンホールが、その幅
    又は径をレーザー光線の照射スポットの２倍以上として
    なる請求項６の発振器。
  10. 【請求項１０】 裏側導体が、接地領域と、スリットも
    しくはピンホールを有し、前記接地領域を含む発振器を
    構成する回路から電気的に絶縁された非接地領域とから
    なる請求項６の発振器。
  11. 【請求項１１】 内部に誘電体層を有する回路基板の表
    側主面上に発振回路部品を実装し、裏側主面にその大部
    分の面を覆って裏側導体を配し、更にこの裏側導体から
    誘電体層の一部を介して、発振回路を構成するインダク
    ター素子の少なくとも一部分を内装した発振器の発振特
    性を調整するに際して、予め前記裏側導体の一部にスリ
    ットもしくはピンホールを形成し、これらのスリットも
    しくはピンホールを介して、レーザー光線で前記誘電体
    層及びインダクター素子の内装された一部分を部分的に
    切除する発振器の発振特性調整方法。
  12. 【請求項１２】 レーザー光線として、ＹＡＧレーザー
    の発振波の二次以上の高調波を使用する請求項１１の発
    振器の発振特性調整方法。
  13. 【請求項１３】 内装されたインダクター素子の少なく
    とも一部分をスリットもしくはピンホールを介して部分
    的に切除するに際して、裏側導体の前記スリットもしく
    はピンホールの近傍にヒートシンクを接触させる請求項
    １１の発振器の発振特性調整方法。
  14. 【請求項１４】 裏側導体が、接地領域と、スリットも
    しくはピンホールを有し、前記接地領域を含む発振器を
    構成する回路から電気的に絶縁された非接地領域とから
    なり、ヒートシンクを前記非接地領域に接触させる請求
    項１３の発振器の発振特性調整方法。
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