JP2001002992A - 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ４５０℃以下での硬化可能であり、得られる
膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性
に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにお
ける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）Ｒ² Ｒ³ Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₂ および
／またはＲ² Ｓｉ（ＯＲ ¹ ）₃ ならびにＳｉ（ＯＲ¹ ）
₄ （Ｒ¹ 〜Ｒ³ は、同一でも異なっていてもよく、それ
ぞれ１価の有機基を示す）、で表される化合物、これら
の加水分解物および／またはこれらの縮合物、（Ｂ）
（メタ）アクリレート系重合体、ならびに（Ｃ）アルコ
ール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステ
ル系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種の溶媒、を含
有する膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、４５０℃以下での硬化が可能な
組成物であって、半導体素子などにおける層間絶縁膜材
料として、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サ
イズが小さい塗膜が形成可能な膜形成用組成物に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶
縁膜が開発されている。しかしながら、半導体素子など
のさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間
の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低誘
電率でかつクラック耐性に優れる層間絶縁膜材料が求め
られるようになっている。

【０００３】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低誘電率の絶縁膜形成
用塗布型組成物が開示されている。この塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマーを主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。しかしながら、従来の無機系層間絶縁膜材料
の誘電率は、３．０以上であり、高集積化には不充分で
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、低温で硬化可能であり、得られる塗膜が、半導体素
子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを
有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズ
が小さい、膜形成用組成物を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ａ）（Ａ−
１）下記一般式（１）で表される化合物（以下「化合物
（１）」ともいう）ならびに／または（Ａ−２）下記一
般式（２）で表される化合物（以下「化合物（２）」と
もいう）、ならびに（Ａ−３）下記一般式（３）で表さ
れる化合物（以下「化合物（３）」ともいう）、その加
水分解物および／またはその縮合物（以下それぞれ
「（Ａ−１）成分」「（Ａ−２）成分」「（Ａ−３）成
分」ともいう）、 Ｒ² Ｒ³ Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₂ （１） Ｒ² Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₃ （２） Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₄ （３） （Ｒ¹ 〜Ｒ³ は、同一でも異なっていてもよく、それぞ
れ１価の有機基を示す。） （Ｂ）アルコキシシリル基を含むラジカル重合性モノマ
ーを０．１〜１０モル％含むモノマーを重合してなる
（メタ）アクリレート系重合体、ならびに （Ｃ）アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒
およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種
の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物に関
する。ここで、完全加水分解縮合物に換算した各成分の
割合で、（Ａ−３）／｛〔（Ａ−１）および／または
（Ａ−２）〕＋（Ａ−３）｝が５〜６０重量％であり
｛ただし、〔（Ａ−１）および／または（Ａ−２）〕＋
（Ａ−３）＝１００重量％｝、かつ（Ａ−１）＜（Ａ−
２）であることが好ましい。また、（Ｂ）（メタ）アク
リレート系重合体は、アルコキシシリル基を含有するモ
ノマーを０．１〜１０モル％共重合してなり、かつ溶解
度パラメーターが９〜１３であることが好ましい。さら
に、（Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体は、炭素数１
２以下の脂肪族アクリレートおよび／またはメタクリレ
ートを５０モル％以上含むことが好ましい。次に、本発
明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加熱するこ
とを特徴とする膜の形成方法に関する。ここで、上記膜
の形成方法としては、上記膜形成用組成物を基板に塗
布し、（Ｂ）成分の分解温度未満の温度で加熱して
（Ａ）成分を一部硬化させ、次いで上記（Ｂ）成分の分
解温度以上の温度で加熱を行い硬化させるか、上記膜
形成用組成物を基板に塗布し、（Ｂ）成分の分解温度以
上の温度で加熱を行い硬化させることが好ましい。次
に、本発明は、上記膜の形成方法によって得られる低密
度化膜に関する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、膜を形成するベースポ
リマーとして、（Ａ）成分〔化合物（１）〜（３）、こ
れらの加水分解物および／またはこれらの縮合物〕を、
また多孔質を形成する材料として（Ｂ）（メタ）アクリ
レート系重合体を用い、（Ａ）〜（Ｂ）成分の溶剤とし
て（Ｃ）溶媒を用いる。かくて、（Ａ）〜（Ｃ）成分を
含有する本発明の組成物は、４５０℃以下での硬化が可
能な組成物であり、この組成物を、浸漬またはスピンコ
ート法などにより、シリコンウエハなどの基材に塗布
し、そして、加熱により、（Ｂ）（メタ）アクリレート
系重合体および（Ｃ）溶媒の除去と、（Ａ）成分の熱重
縮合を行なうと、（Ａ）成分がガラス質または巨大高分
子の膜を形成するとともに、（Ｂ）（メタ）アクリレー
ト系重合体が分解・除去されることにより、微細孔が形
成される。得られる膜は、塗膜均一性に優れ、空隙サイ
ズが小さい多孔質の低密度膜であり、誘電率が低く、低
吸水性のため電気的特性の安定性に優れ、層間絶縁膜材
料を形成することができる。

【０００７】ここで、（Ａ）成分における上記加水分解
物とは、上記（Ａ）成分を構成する化合物（１）〜
（３）中のＲ¹ Ｏ−基すべてが加水分解されている必要
はなく、例えば、１個だけが加水分解されているもの、
２個以上が加水分解されているもの、あるいは、これら
の混合物であってもよい。また、（Ａ）成分における上
記縮合物は、（Ａ）成分の加水分解物のシラノール基が
縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが、
本発明では、シラノール基がすべて縮合している必要は
なく、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合
の程度が異なっているものの混合物などをも包含した概
念である。

【０００８】以下、本発明に用いられる（Ａ）〜（Ｃ）
成分などについて説明し、次いで、本発明の組成物の調
製方法などについて詳述する。

【０００９】（Ａ）成分 （Ａ）成分は、（Ａ−３）成分を必須成分として使用
し、これに（Ａ−１）および／または（Ａ−２）を併用
する。上記一般式（１）〜（３）において、１価の有機
基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリ
シジル基などを挙げることができる。ここで、アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、こ
れらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さ
らに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよ
い。一般式（１）〜（３）において、アリール基として
は、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、
フルオロフェニル基などを挙げることができる。

【００１０】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキ
シシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメ
チル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−
ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
メチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラ
ン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−プ
ロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチル−
ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−
ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシ
シラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピ
ルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシ
シラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、
ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエ
トキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−
ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシ
シラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ
−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ
−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ
−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジフェニ
ルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキシシラ
ン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニ
ル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−
ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジフェニルジフェノキシシランなどが挙げられる。

【００１１】また、一般式（２）で表される化合物の具
体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−
ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチル
トリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシ
シラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチ
ルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリメ
トキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−
プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−プロピル
トリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｉ−プ
ロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プロピル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラン、ｎ−
ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシ
ラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブ
チルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ
−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチル
トリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリエトキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブ
チル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル
−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−
トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、
ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリフェ
ノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェ
ニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、フェニルトリフェノキシシランなどのほか、ビ
ニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエ
トキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど
が挙げられる。

【００１２】さらに、一般式（３）で表される化合物の
具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキ
シシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ
ｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、
テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなどが挙げら
れる。

【００１３】化合物（１）〜（３）のうち、好ましく
は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メ
チルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリメ
トキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチル
ジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェ
ニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランで
あり、特に好ましくは、テトラメトキキシラン、テトラ
エトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシランである。これらは、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００１４】上記（Ａ）成分を構成する化合物（１）〜
（３）を加水分解、縮合させる際に、Ｒ¹ Ｏ−で表され
る基１モル当たり、０．２５〜３モルの水を用いること
が好ましく、０．３〜２．５モルの水を加えることが特
に好ましい。添加する水の量が０．２５〜３モルの範囲
内の値であれば、塗膜の均一性が低下する恐れが無く、
また、加水分解及び部分縮合反応中のポリマーの析出や
ゲル化の恐れが少ないためである。

【００１５】（Ａ）成分を構成する化合物（１）〜
（３）を加水分解、縮合させる際には、触媒を使用して
もよい。この際に使用する触媒としては、金属キレート
化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基を挙げる
ことができる。

【００１６】金属キレート化合物としては、例えば、ト
リエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ト
リ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チ
タン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナ
ート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルア
セトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ
・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポ
キシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ
−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセト
ナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセ
トナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（ア
セチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・
トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブ
トキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ
−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）
チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）
チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキ
シ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタ
ン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセト
アセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブト
キシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、
モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ
−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテ
ート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）
チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチル
アセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナー
ト）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタンなどのチタンキレート化合物；

【００１７】トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−
ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・
トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−
ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジ
ルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトア
セテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・
ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ
−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モ
ノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−
ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・
トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テト
ラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ
（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物；

【００１８】トリス（アセチルアセトナート）アルミニ
ウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム
などのアルミニウムキレート化合物；などを挙げること
ができる。

【００１９】有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオ
ン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン
酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレ
イン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没
食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、
２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リ
ノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−
アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ
酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン
酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸などを挙げ
ることができる。無機酸としては、例えば、塩酸、硝
酸、硫酸、フッ酸、リン酸などを挙げることができる。

【００２０】有機塩基としては、例えば、ピリジン、ピ
ロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリ
ン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノ
ールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシク
ロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドなどを挙げることができ
る。無機塩基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カ
ルシウムなどを挙げることができる。

【００２１】これら触媒のうち、金属キレート化合物、
有機酸、無機酸が好ましく、より好ましくは、有機酸を
挙げることができる。有機酸としては、特に酢酸、シュ
ウ酸、マレイン酸、マロン酸が好ましい。触媒として、
有機酸を用いると、加水分解及び部分縮合反応中のポリ
マーの析出やゲル化の恐れが少なく好ましい。これらの
触媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよ
い。

【００２２】上記触媒の使用量は、化合物（１）〜
（３）のＲ¹ Ｏ−で表される基の総量１モルに対して、
通常、０．００００１〜０．０５モル、好ましくは０．
００００１〜０．０１モルである。

【００２３】（Ａ）成分が、化合物（１）〜（３）の縮
合物である場合には、その分子量は、ポリスチレン換算
の重量平均分子量で、通常、５００〜３００，０００、
好ましくは、７００〜２００，０００、さらに好ましく
は１，０００〜１００，０００程度である。

【００２４】また、（Ａ）成分中の（Ａ−１）〜（Ａ−
３）の割合は、完全加水分解縮合物に換算した各成分の
割合で、（Ａ−３）／｛〔（Ａ−１）および／または
（Ａ−２）〕＋（Ａ−３）｝が５〜６０重量％、好まし
くは５〜５０重量％、特に好ましくは５〜４０重量％で
有り｛ただし、〔（Ａ−１）および／または（Ａ−
２）〕＋（Ａ−３）＝１００重量％｝、かつ（Ａ−１）
＜（Ａ−２）である。完全加水分解縮合物に換算した各
成分の割合で、（Ａ−３）／｛〔（Ａ−１）および／ま
たは（Ａ−２）〕＋（Ａ−３）｝が５重量％未満では得
られる塗膜の機械的強度が低下し、６０重量％を超える
と吸水性が高くなり電気的特性が低下する。なお、本発
明において、完全加水分解縮合物とは、化合物（１）〜
（３）のＳｉＯＲ¹ 基が１００％加水分解してＳｉＯＨ
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。

【００２５】（Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体 本発明において、（Ｂ）成分はアルコキシシリル基とラ
ジカル重合性不飽和二重結合を有するモノマーとアクリ
ル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル
酸エステルより構成される。

【００２６】アルコキシシリル基とラジカル重合性不飽
和二重結合を有するモノマーは、１分子中にアルコキシ
シリル基とラジカル重合性不飽和二重結合をおのおの１
個以上有する化合物であり、特に限定されない。アルコ
キシシリル基とラジカル重合性不飽和二重結合を有する
モノマーの具体例としては、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシ
シラン、ビニルトリブトキシシラン、ビニルメチルジメ
トキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニル
ジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラ
ンなどのビニルアルコキシシラン類；

【００２７】アリルトリメトキシシラン、アリルトリエ
トキシシラン、アリルトリプロポキシシラン、アリルト
リブトキシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、ア
リルメチルジエトキシシラン、アリルジメチルメトキシ
シラン、アリルジメチルエトキシシランなどのアリルア
ルコキシシラン類；ブテニルトリメトキシシラン、ブテ
ニルトリエトキシシラン、ブテニルトリプロポキシシラ
ン、ブテニルトリブトキシシラン、ブテニルメチルジメ
トキシシラン、ブテニルメチルジエトキシシラン、ブテ
ニルジメチルメトキシシラン、ブテニルジメチルエトキ
シシランなどのブテニルアルコキシシラン類；

【００２８】（３−アクリロキシプロピル）トリメトキ
シシラン、（３−アクリロキシプロピル）トリエトキシ
シラン、（３−アクリロキシプロピル）トリプロポキシ
シラン、（３−アクリロキシプロピル）トリブトキシシ
ラン、（３−アクリロキシプロピル）メチルジメトキシ
シラン、（３−アクリロキシプロピル）メチルジエトキ
シシラン、（３−アクリロキシプロピル）ジメチルメト
キシシラン、（３−アクリロキシプロピル）ジメチルエ
トキシシランなどの（３−アクリロキシプロピル）アル
コキシシラン類；（メタクリロキシメチル）トリメトキ
シシラン、（メタクリロキシメチル）トリエトキシシラ
ン、（メタクリロキシメチル）トリプロポキシシラン、
（メタクリロキシメチル）トリブトキシシラン、（メタ
クリロキシメチル）メチルジメトキシシラン、（メタク
リロキシメチル）メチルジエトキシシラン、（メタクリ
ロキシメチル）ジメチルメトキシシラン、（メタクリロ
キシメチル）ジメチルエトキシシランなどの（メタクリ
ロキシメチル）アルコキシシラン類；

【００２９】（２−メタクリロキシエチル）トリメトキ
シシラン、（２−メタクリロキシエチル）トリエトキシ
シラン、（２−メタクリロキシエチル）トリプロポキシ
シラン、（２−メタクリロキシエチル）トリブトキシシ
ラン、（２−メタクリロキシエチル）メチルジメトキシ
シラン、（２−メタクリロキシエチル）メチルジエトキ
シシラン、（２−メタクリロキシエチル）ジメチルメト
キシシラン、（２−メタクリロキシエチル）ジメチルエ
トキシシランなどの（２−メタクリロキシエチル）アル
コキシシラン類；（３−メタクリロキシプロピル）トリ
メトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）トリ
エトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）トリ
プロポキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）ト
リブトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）メ
チルジメトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピ
ル）メチルジエトキシシラン、（３−メタクリロキシプ
ロピル）ジメチルメトキシシラン、（３−メタクリロキ
シプロピル）ジメチルエトキシシランなどの（３−メタ
クリロキシプロピル）アルコキシシラン類；

【００３０】（スチニルエチル）トリメトキシシラン、
（スチニルエチル）トリエトキシシラン、（スチニルエ
チル）トリプロポキシシラン、（スチニルエチル）トリ
ブトキシシラン、（スチニルエチル）メチルジメトキシ
シラン、（スチニルエチル）メチルジエトキシシラン、
（スチニルエチル）ジメチルメトキシシラン、（スチニ
ルエチル）ジメチルエトキシシランなどの（スチニルエ
チル）アルコキシシラン類；などが挙げられる。これら
は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。

【００３１】これらの中で、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシ
ラン、アリルトリエトキシシラン、ブテニルトリメトキ
シシラン、ブテニルトリエトキシシラン（３−アクリロ
キシプロピル）トリメトキシシラン、（３−アクリロキ
シプロピル）トリエトキシシラン、（メタクリロキシメ
チル）トリメトキシシラン、（メタクリロキシメチル）
トリエトキシシラン、（２−メタクリロキシエチル）ト
リメトキシシラン、（２−メタクリロキシエチル）トリ
エトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）トリ
メトキシシラン、（３−メタクリロキシプロピル）トリ
エトキシシラン、（スチニルエチル）トリメトキシシラ
ン、（スチニルエチル）トリエトキシシラン、が特に好
ましい。

【００３２】アクリル酸エステルの具体例としては、メ
チルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピル
アクリレート、ｉｓｏ−プロピルアクリレート、ｎ−ブ
チルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｓｅ
ｃ−ブチルアクリレート、ｔｅｒ−ブチルアクリレー
ト、アミルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプ
チルアクリレート、オクチルアクリレート、ノニルアク
リレート、デシルアクリレート、ドデシルアクリレー
ト、テトラデシルアクリレート、ヘキサデシルアクリレ
ート、オクタデシルアクリレート、シクロヘキシルアク
リレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート、ジエチレングリコールアク
リレート、ポリエチレングリコールアクリレート、２−
メトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリ
コールアクリレート、メトキシポリエチレングリコール
アクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、エト
キシジエチレングリコールアクリレート、エトキシポリ
エチレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、ジプロピレングリコールアクリレー
ト、ポリプロピレングリコールアクリレート、２−メト
キシプロピルアクリレート、メトキシジプロピレングリ
コールアクリレート、メトキシポリプロピレングリコー
ルアクリレート、２−エトキシプロピルアクリレート、
エトキシジプロピレングリコールアクリレート、エトキ
シポリプロピレングリコールアクリレート、ベンジルア
クリレート、フェニルカルビトールアクリレート、ノニ
ルフェニルアクリレート、ノニルフェニルカルビトール
アクリレート、２−ジメチルアミノエチルアクリレー
ト、２−ジエチルアミノエチルアクリレート、ｎ−ビニ
ルピロリドン、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボ
ルニルアクリレート、グリシジルアクリレートなどのモ
ノアクリレート類；

【００３３】エチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジア
クリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，６−
ヘキサングリコールジアクリレート、２，２−ビス（４
−アクリロキシプロピロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（４−アクリロキシジエトキシフェニル）プロ
パンなどのジアクリレート類；トリメチロールエタント
リアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレートなどのト
リアクリレート類；ペンタエリスリトールテトラアクリ
レートなどのテトラアクリレート類；などが挙げられ
る。これらは、１種または２種以上を同時に使用しても
よい。

【００３４】メタクリル酸エステルの具体例としては、
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プ
ロピルメタクリレート、ｉｓｏ−プロピルメタクリレー
ト、ｎ−ブチルメタクリレート、ｉｓｏ−ブチルメタク
リレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、ｔｅｒ−ブ
チルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシル
メタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメ
タクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリ
レート、ドデシルメタクリレート、テトラデシルメタク
リレート、ヘキサデシルメタクリレート、オクタデシル
メタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−
エチルヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレー
ト、ポリエチレングリコールメタクリレート、２−メト
キシエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコール
メタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、
エトキシジエチレングリコールメタクリレート、エトキ
シポリエチレングリコールメタクリレート、２−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、ジプロピレングリコール
メタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレ
ート、２−メトキシプロピルメタクリレート、メトキシ
ジプロピレングリコールメタクリレート、メトキシポリ
プロピレングリコールメタクリレート、２−エトキシプ
ロピルメタクリレート、エトキシジプロピレングリコー
ルメタクリレート、エトキシポリプロピレングリコール
メタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルカ
ルビトールメタクリレート、ノニルフェニルメタクリレ
ート、ノニルフェニルカルビトールメタクリレート、２
−ジメチルアミノエチルメタクリレート、２−ジエチル
アミノエチルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキ
シエチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、イソボルニルメタクリレート、グリシジル
メタクリレートなどのモノメタクリレート類；

【００３５】エチレングリコールジメタクリレート、ジ
エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレング
リコールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジ
メタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリ
レート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレー
ト、１，４−ブチレングリコールジメタクリレート、ネ
オペンチルグリコールジメタクリレート、１，６−ヘキ
サングリコールジメタクリレート、２，２−ビス（４−
メタクリロキシジエトキシフェニル）プロパンなどのジ
メタクリレート類；トリメチロールエタントリエタクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレートな
どのトリメタクリレート類；などが挙げられる。これら
は、１種または２種以上を同時に使用してもよい。

【００３６】本発明において、アルコキシシリル基とラ
ジカル重合性不飽和二重結合を有するモノマーは、（メ
タ）アクリレート系重合体を構成する全モノマーに、通
常、０．１〜１０モル％、好ましくは０．１〜８モル％
の割合で含まれる。アルコキシシリル基を有するモノマ
ーが０．１モル％未満の場合は得られる硬化物塗膜中の
空隙のサイズが大きくなり微細配線間の層間絶縁膜材料
として好ましくなく、１０モル％を超える場合は加水分
解及び部分縮合反応中にゲル化が生じやすくなり好まし
くない。

【００３７】本発明の膜形成用組成物において、（Ｂ）
成分中の上記アルコキシシリル基の一部または全部が上
記（Ａ）成分と反応した状態で組成物中に存在すること
が好ましい。

【００３８】本発明において、（メタ）アクリレート系
重合体は、上記アクリル酸エステル、メタクリル酸エス
テルおよびアルコキシシリル基を有するモノマー以外の
ラジカル重合性モノマーを４０モル％以下共重合してい
てもよい。ラジカル重合性モノマーとしては、アクリル
酸、メタクリル酸などの不飽和カルボン酸、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルア
ミドなどの不飽和アミド、アクリロニトリルなどの不飽
和ニトリル、メチルビニルケトンなどの不飽和ケトン、
スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族化合物など
を挙げることができる。

【００３９】本発明において、（メタ）アクリレート系
重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、１，０００
〜２００，０００、好ましくは１，０００〜５０，００
０である。

【００４０】また、本発明において、（メタ）アクリレ
ート系重合体のＳＰ値（溶解度パラメーター）は、好ま
しくは９〜１３である。ＳＰ値がこの範囲にあると、得
られる塗膜の密度が低くなり低誘電となると共に、塗膜
中の空隙サイズが小さい（＜１０ｎｍ、ＢＪＨ法）た
め、微細配線間の層間絶縁膜材料として好ましい。

【００４１】本発明の（Ｂ）（メタ）アクリレート系重
合体が、炭素数１２以下の脂肪族アクリレートおよび／
またはメタクリレートを５０モル％以上含むことが好ま
しい。（Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体として、こ
の重合体を構成する（メタ）アクリル酸エステルをこの
ように限定することにより、４５０℃以下の温度で焼成
した場合に誘電率の低い硬化物が得られるため好まし
い。

【００４２】（Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体の使
用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００
重量部に対し、通常、１〜８０重量部、好ましくは５〜
６５重量部である。１重量部未満では、誘電率を下げる
効果が小さく、一方、８０重量部を超えると、機械的強
度が低下する。

【００４３】（Ｃ）溶媒 本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分および（Ｂ）
（メタ）アクリレート系重合体を、（Ｃ）アルコール
系、ケトン系、アミド系およびエステル系溶媒の群から
選ばれた少なくとも１種の溶媒に溶解または分散してな
る。ここで、アルコール系溶媒としては、メタノール、
エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ
−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、
ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノー
ル、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ
−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサ
ノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノー
ル、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘ
プタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサ
ノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコー
ル、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノー
ル、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニル
アルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ
−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサ
ノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジア
セトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒；

【００４４】エチレングリコール、１，２−プロピレン
グリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることが
できる。

【００４５】これらアルコール系溶媒は１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。これらアルコールの
内、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタ
ノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メ
チルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノ
ール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２
−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エ
チルブタノール、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレング
リコールモノブチルエーテルなどが好ましい。

【００４６】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−
ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチ
ルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−
ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどの他、アセチルアセトン、２，４
−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−
ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オ
クタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナン
ジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらはケトン系溶媒は１種あるいは２種以上を同時に
使用してもよい。

【００４７】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオン
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリ
ン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジ
ン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジ
ン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
はアミド系溶媒は１種あるいは２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００４８】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は１種
あるいは２種以上を同時に使用してもよい。これらの
（Ｃ）溶媒は、１種あるいは２種以上を混合して使用す
ることができる。

【００４９】なお、（Ｃ）溶媒として、アルコール系溶
媒および／またはケトン系溶媒を用いると、塗布性が良
好でかつ貯蔵安定性に優れた組成物が得られる点で好ま
しい。

【００５０】本発明の膜形成用組成物は、上記の（Ｃ）
溶媒を含有するが、（Ａ）成分を構成する化合物（１）
〜（３）を加水分解および／または縮合する際に、同様
の溶媒を使用することができる。

【００５１】具体的には、（Ａ）成分を構成する化合物
（１）〜（３）を溶解させた溶媒中に水または上記
（Ｃ）溶媒中で希釈した水を断続的あるいは連続的に添
加する。この際、触媒は、溶媒中に予め添加しておいて
もよいし、水添加時に水中に溶解あるいは分散させてお
いてもよい。この際の反応温度としては、通常、０〜１
００℃、好ましくは１５〜９０℃である。

【００５２】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらにコロイド
状シリカ、コロイド状アルミナ、界面活性剤などの成分
を添加してもよい。コロイド状シリカとは、例えば、高
純度の無水ケイ酸を上記親水性有機溶媒に分散した分散
液であり、通常、平均粒径が５〜３０ｍμ、好ましくは
１０〜２０ｍμ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度の
ものである。このような、コロイド状シリカとしては、
例えば、日産化学工業（株）製、メタノールシリカゾル
およびイソプロパノールシリカゾル；触媒化成工業
（株）製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アル
ミナとしては、日産化学工業（株）製のアルミナゾル５
２０、同１００、同２００；川研ファインケミカル
（株）製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル１０、
同１３２などが挙げられる。界面活性剤としては、例え
ば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、
さらには、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオ
キシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤などを挙げる
ことができる。

【００５３】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、例え
ば、（Ｃ）溶媒中、（Ａ）成分を構成する化合物（１）
〜（３）および（Ｂ）成分を混合して、水を連続的また
は断続的に添加して、加水分解し、縮合すればよく、特
に限定されない。

【００５４】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記〜の方法などを挙げることができる。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、および
（Ｃ）溶媒からなる混合物に、所定量の水を加えて、加
水分解・縮合反応を行ったのち、（Ｂ）成分を混合しさ
らに加水分解・縮合反応を行う方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）および
（Ｃ）成分からなる混合物に、所定量の水を連続的ある
いは断続的に添加して、加水分解・縮合反応を行なった
のち、（Ｂ）成分を混合しさらに加水分解・縮合反応を
行う方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、（Ｂ）
成分および（Ｃ）成分からなる混合物に、所定量の水を
加えて加水分解・縮合反応を行う方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、（Ｂ）
成分および（Ｃ）成分からなる混合物に、所定量の水を
連続的あるいは断続的に添加して、加水分解、縮合反応
を行なう方法。

【００５５】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要で有れば濃縮及び上記
（Ｃ）溶媒による希釈によって行われる。また、本発明
の組成物は、貯蔵安定性に優れ、例えば、ガラス製密閉
容器中、４０℃で１ヶ月放置前後の塗布膜厚の変化を測
定した場合、その変化率が１０％以内である。

【００５６】本発明の組成物を用いて膜を形成するに
は、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成す
る。ここで、本発明の組成物を塗布することができる基
板としては、半導体、ガラス、セラミックス、金属など
が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコー
ト、ディッピング、ローラーブレードなどが挙げられ
る。本発明の組成物は、特にシリコンウエハ、ＳｉＯ₂
ウエハ、ＳｉＮウエハなどの上に塗布され、絶縁膜とす
ることに適している。

【００５７】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０５〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。形
成する塗膜の厚さは、通常、０．２〜２０μｍである。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブ
ン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気
としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空
下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうこ
とができる。この加熱方法としては、形成した塗膜を、
上記（Ｂ）成分の分解温度未満の温度で加熱して
（Ａ）成分を一部硬化させ、次いで上記（Ｂ）成分の分
解温度以上の温度から最終硬化温度まで加熱し、低密度
の硬化物とする方法、上記（Ｂ）成分の分解温度以上
の温度で加熱を行い硬化させ、低密度の硬化物とする方
法などが挙げられる。

【００５８】また、上記の（Ａ）成分の硬化速度と
（Ｂ）成分の分解速度を制御するため、必要に応じて、
段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰
囲気を選択することができる。通常、（Ｂ）成分の分解
温度は、通常、２００〜４５０℃、好ましくは２００〜
３５０℃であるので、塗膜は最終的にはこの温度以上に
加熱される工程を含む。この工程は、減圧状態もしくは
不活性ガス下で行われるのが好ましい。

【００５９】このようにして得られる本発明の低密度化
膜は、膜密度が、通常、０．３５〜１．２ｇ／ｃｍ³ 、
好ましくは０．４〜１．１ｇ／ｃｍ³ 、さらに好ましく
は０．５〜１．０ｇ／ｃｍ³ である。０．３５ｇ／ｃｍ
³ 未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一方、１．２
ｇ／ｃｍ³ を超えると、低誘電率が得られない。この膜
密度の調整は、本発明における膜形成用組成物中の
（Ｂ）成分の含有量により、容易に調整することができ
る。

【００６０】さらに、本発明の低密度化膜は、ＢＪＨ法
による細孔分布測定において１０ｎｍ以上の空孔が認め
られず、微細配線間の層間絶縁膜材料として好ましい。
この塗膜中の微細孔は、本発明における（Ｂ）成分を用
いることで達成できる。

【００６１】さらに、本発明の低密度化膜は、吸水性が
低い点に特徴を有し、たとえば、塗膜を１２７℃、２．
５ａｔｍ、１００％ＲＨ、の環境に１時間放置した場
合、放置後の塗膜のＩＲスペクトル観察からは塗膜への
水の吸着は認められない。この吸水性は、本発明におけ
る膜形成用組成物中の（Ａ−３）成分の含有量を本発明
記載の範囲とする事で達成することができる。

【００６２】さらに、本発明の低密度化膜の誘電率は、
低誘電率であり、通常、２．６〜１．２、好ましくは
２．５〜１．２、さらに好ましくは２．４〜１．２であ
る。この誘電率は、本発明の塗膜形成用組成物中の
（Ｂ）成分の含有量により調製することができる。

【００６３】本発明の低密度膜は、絶縁性に優れ、塗布
膜の均一性、誘電率特性、塗膜の耐クラック性、塗膜の
表面硬度に優れることから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、
ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭな
どの半導体素子用層間絶縁膜、半導体素子の表面コート
膜などの保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示
素子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用である。

【００６４】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。また、実施例お
よび比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量％であることを示している。

【００６５】製造例１ （Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体の調製；容量１０
０ｍｌのフラスコに、イソブチルメタクリレート１８．
３２ｇ、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリ
レート１．６８ｇ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩ
ＢＮ）０．３３ｇ、２−メルカプトエタノール０．２０
ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル３０
ｇを入れ溶解させた。系内を窒素ガスで置換したのち、
８０℃のオイルバスで加熱しながら、７時間撹拌すると
粘稠なポリマー溶液が得られた。ＧＰＣでポリスチレン
換算の平均分子量を測定すると、数平均分子量が５，０
００、重量平均分子量が９，０００であった。また、Ｓ
Ｐ値の計算値は９．３であった。 製造例２ （Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体の調製；上記製造
例１において、イソブチルメタクリレート１８．３２ｇ
を用いずにテトラヒドロフルフリルメタクリレート１
８．３２ｇを用いた他は同様の操作を行い粘稠なポリマ
ー溶液が得られた。ＧＰＣでポリスチレン換算の平均分
子量を測定すると、数平均分子量が８，４００、重量平
均分子量が１８，１００であった。また、ＳＰ値の計算
値は１０．８であった。 製造例３ （Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体の調製；上記製造
例１において、イソブチルメタクリレート１８．３２ｇ
を用いずに２−ヒドロキシプロピルメタクリレート１
８．３２ｇを用いた他は同様の操作を行い粘稠なポリマ
ー溶液が得られた。ＧＰＣでポリスチレン換算の平均分
子量を測定すると、数平均分子量が５，０００、重量平
均分子量が８，６００であった。また、ＳＰ値の計算値
は１２．６であった。 実施例１ テトラメトキシシシラン１０１．３ｇ（完全加水分解縮
合物換算：４０．０ｇ）、メチルトリメトキシシラン２
０３．０ｇ（完全加水分解縮合物換算：１００．０
ｇ）、ジメチルジメトキシシラン９７．３ｇ（完全加水
分解縮合物換算：６０．０ｇ）、製造例１記載の（Ｂ）
成分２１４．３ｇ（固形分含有量：４０％）、プロピレ
ングリコールモノプロピルエーテル５５９．３ｇ、メチ
ル−ｎ−ペンチルケトン２３９．７ｇの混合溶液に、マ
レイン酸１．０ｇ（触媒／ＳｉＯＲ¹＝０．００１ｍｏ
ｌ比）を水１５７．７ｇ（Ｈ₂ Ｏ／ＳｉＯＲ¹ ＝１．０
ｍｏｌ比）に溶かした水溶液を室温で１時間かけて滴下
した。混合物の滴下終了後、さらに６０℃で２時間反応
させたのち、減圧下で全溶液量１，０００ｇとなるまで
濃縮し、固形分含有量２０％の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物を８インチシリコンウエハ上にスピンコ
ート法により塗布し、大気中８０℃で５分間、次いで窒
素下２００℃で５分間加熱したのち、さらに真空下で３
４０℃、３６０℃、３８０℃の順でそれぞれ３０分間ず
つ加熱し、さらに真空下４２５℃で１時間加熱し、無色
透明の膜を形成した。さらに、得られた膜を、下記のと
おり評価した。結果を表１に示す。

【００６６】膜形成用組成物の評価 １．貯蔵安定性 本発明における膜形成用組成物８０ｍｌを容量１００ｍ
ｌのガラス製ねじ口瓶に入れて密閉し、４０℃オートク
レーブ中で１ヶ月放置した。放置前後のサンプルを２，
５００ｒｐｍ、３１秒のスピンコート条件で塗布し、上
記実施例１記載の方法で焼成した時の膜厚を光学式膜厚
計（Ｒｕｄｏｌｐｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、
ＳｐｅｃｔｒａＬａｓｅｒ２００）にて測定し、その変
化率｛［（放置後のサンプルの膜厚−放置前のサンプル
の膜厚）／放置前のサンプルの膜厚］×１００｝を算出
し、下記基準にて評価した。 ○：膜厚変化率＜１０％ ×：膜厚変化率≧１０％

【００６７】２．誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ誘電率測定用サンプルを作成した。該サ
ンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で、横河・ヒュー
レットパッカード（株）製、ＨＰ１６４５１Ｂ電極およ
びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣ
Ｖ法により当該塗膜の誘電率を測定した。結果を表１に
示す。

【００６８】３．膜密度 密度は、膜の膜厚と膜の面積から求めた体積と、膜の重
量から算出した。

【００６９】４．細孔分布 得られた硬化物の細孔分布を、ＣＯＵＬＴＥＲ社製 Ｏ
ＭＮＩＳＯＲＰ １００／３６０ ＳＥＲＩＥＳを用い
てＢＪＨ法で測定し、下記基準に従って評価した。 ○：１０ｎｍ以上の細孔が認められない。 ×：１０ｎｍ以上の細孔が認められる。

【００７０】５．弾性率 得られた膜を、ナノインデンターＸＰ（ナノインスツル
メント社製）を用いて、連続剛性測定法により測定し
た。 ６．吸水性 得られた塗膜を１２７℃、２．５ａｔｍ、１００％Ｒ
Ｈ、の環境に１時間放置し、放置後の塗膜のＩＲスペク
トルを観察した。放置前の塗膜のＩＲスペクトルと比較
して、３，５００ｃｍ^-1付近のＨ₂ Ｏに起因する吸収の
有無を観察し、吸水性を下記基準に従い評価した。 ○：吸収無し ×：吸収有り

【００７１】実施例２ 実施例１において、（Ｂ）成分として製造例２に記載の
組成物を用い、かつマレイン酸１．０ｇをシュウ酸０．
８ｇに代えた以外は、実施例１と同様にして、膜形成用
組成物を調製した。結果を表１に示す。 実施例３ 実施例１において、（Ｂ）成分として製造例３に記載の
組成物を用い、かつマレイン酸１．０ｇを酢酸０．５ｇ
に代えた以外は、実施例１と同様にして、膜形成用組成
物を調製した。結果を表１に示す。 実施例４ テトラメトキシシシラン１５２．０ｇ（完全加水分解縮
合物換算：６０．０ｇ）、メチルトリメトキシシラン２
８４．１ｇ（完全加水分解縮合物換算：１４０．０
ｇ）、製造例１記載の（Ｂ）成分１２５．０ｇ（固形分
含有量：４０％）、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル７９８．８ｇの混合溶液に、マレイン酸１．２ｇ
（触媒／ＳｉＯＲ¹ ＝０．００１ｍｏｌ比）を水１５
７．７ｇ（Ｈ₂Ｏ／ＳｉＯＲ¹ ＝１．０ｍｏｌ比）に溶
かした水溶液を室温で１時間かけて滴下した。混合物の
滴下終了後、さらに６０℃で２時間反応させたのち、減
圧下で全溶液量１，０００ｇとなるまで濃縮し、固形分
含有量２０％の膜形成用組成物を得た。得られた組成物
を８インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗
布し、大気中８０℃で５分間、次いで窒素下２００℃で
５分間加熱したのち、さらに真空下で３４０℃、３６０
℃、３８０℃の順でそれぞれ３０分間ずつ加熱し、さら
に真空下４２５℃で１時間加熱し、無色透明の膜を形成
した。さらに、得られた膜を、実施例１と同様に評価し
た。結果を表１に示す。 実施例５ テトラメトキシシシラン１０１．３ｇ（完全加水分解縮
合物換算：４０．０ｇ）、メチルトリメトキシシラン３
２４．７ｇ（完全加水分解縮合物換算：１６０．０
ｇ）、製造例１記載の（Ｂ）成分１２５．０ｇ（固形分
含有量：４０％）、プロピレングリコールモノプロピル
エーテル７８３．３ｇ、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）チタン（触媒／ＳｉＯＲ¹ ＝
０．００４ｍｏｌ比）の混合溶液に、水１７６．８ｇ
（Ｈ₂ Ｏ／ＳｉＯＲ¹ ＝１．０ｍｏｌ比）を６０℃加温
下で１時間かけて滴下した。混合物の滴下終了後、さら
に６０℃で２時間反応させたのち、アセチルアセトン１
００．０ｇを加え、その後、減圧下で全溶液量１，００
０ｇとなるまで濃縮し、固形分含有量２０％の膜形成用
組成物を得た。得られた組成物を８インチシリコンウエ
ハ上にスピンコート法により塗布し、大気中８０℃で５
分間、次いで窒素下２００℃で５分間加熱したのち、さ
らに真空下で３４０℃、３６０℃、３８０℃の順でそれ
ぞれ３０分間ずつ加熱し、さらに真空下４２５℃で１時
間加熱し、無色透明の膜を形成した。さらに、得られた
膜を、実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

【００７２】比較例１ 実施例１において、製造例１に記載の（Ｂ）成分を使用
しない以外は、実施例１と同様にして組成物を製造し、
基板に塗布し加熱して、膜を形成した。得られた膜の評
価を、実施例１と同様にして行った。結果を表１に示
す。

【００７３】比較例２ メチルトリメトキシシラン４０５．９ｇ（完全加水分解
縮合物換算：２００．０ｇ）、製造例１記載の（Ｂ）成
分２１４．３ｇ（固形分含有量：４０％）、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル７９９．０ｇの混合溶液
に、マレイン酸１．０ｇ（触媒／ＳｉＯＲ¹ ＝０．００
１ｍｏｌ比）を水１６１．１ｇ（Ｈ₂ Ｏ／ＳｉＯＲ¹ ＝
１．０ｍｏｌ比）に溶かした水溶液を室温で１時間かけ
て滴下した。混合物の滴下終了後、さらに６０℃で２時
間反応させたのち、減圧下で全溶液量１，０００ｇとな
るまで濃縮し、固形分含有量２０％の膜形成用組成物を
得た。得られた組成物を８インチシリコンウエハ上にス
ピンコート法により塗布し、大気中８０℃で５分間、次
いで窒素下２００℃で５分間加熱したのち、さらに真空
下で３４０℃、３６０℃、３８０℃の順でそれぞれ３０
分間ずつ加熱し、さらに真空下４２５℃で１時間加熱
し、無色透明の膜を形成した。さらに、得られた膜を、
実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

【００７４】比較例３ 実施例１において、製造例１に記載の（Ｂ）成分を使用
せず、代わりにポリメチルメタクリレート樹脂（分子量
２０，０００）を使用する以外は、実施例１と同様にし
て組成物を製造し、基盤に塗布し加熱して膜を形成し
た。得られた膜の評価を、実施例１と同様にして行っ
た。結果を表１に示す。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、４５０℃以下での硬化
可能であり、得られる膜が均一かつ低密度で、低誘電
率、低吸水性で、しかも空隙サイズが小さい、膜形成用
組成物を提供することができる。

フロントページの続き (72)発明者 今野 圭二 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 塩田 淳 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J038 CG141 CG142 CH031 CH032 CH041 CH042 CL001 CL002 DL021 DL022 DL031 DL032 GA07 GA12 JA17 JA26 JA32 JA55 JA62 JB12 JB27 JB30 JB37 JC31 JC32 KA03 KA06 MA07 MA09 NA07 NA17 PA19 5F058 AA04 AA10 AC03 AG01 AH01 AH02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合
   物および／または一般式（２）で表される化合物、なら
   びに、下記一般式（３）で表される化合物、その加水分
   解物および／またはその縮合物、 Ｒ² Ｒ³ Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₂ （１） Ｒ² Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₃ （２） Ｓｉ（ＯＲ¹ ）₄ （３） （Ｒ¹ 〜Ｒ³ は、同一でも異なっていてもよく、それぞ
   れ１価の有機基を示す。） （Ｂ）アルコキシシリル基を含むラジカル重合性モノマ
   ーを０．１〜１０モル％含むモノマーを重合してなる
   （メタ）アクリレート系重合体、ならびに （Ｃ）アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒
   おびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種の
   溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
2. 【請求項２】 （Ａ）成分中、完全加水分解縮合物に換
   算した各成分の割合で、（Ａ−３）／｛〔（Ａ−１）お
   よび／または（Ａ−２）〕＋（Ａ−３）｝が５〜６０重
   量％であり｛ただし、〔（Ａ−１）および／または（Ａ
   −２）〕＋（Ａ−３）＝１００重量％｝、かつ（Ａ−
   １）＜（Ａ−２）である請求項１記載の膜形成用組成
   物。
3. 【請求項３】 （Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体の
   溶解度パラメーターが９〜１３である請求項１記載の膜
   形成用組成物。
4. 【請求項４】 （Ｂ）（メタ）アクリレート系重合体
   が、炭素数１２以下の脂肪族アクリレートおよび／また
   はメタクリレートを５０モル％以上含む請求項１記載の
   膜形成用組成物。
5. 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜
   の形成方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜４いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、（Ｂ）成分の分解温度未満の
   温度で加熱して（Ａ）成分を一部硬化させ、次いで上記
   （Ｂ）成分の分解温度以上の温度で加熱を行い硬化させ
   る請求項５記載の膜の形成方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜４いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、（Ｂ）成分の分解温度以上の
   温度で加熱を行い硬化させる請求項５記載の膜の形成方
   法。
8. 【請求項８】 請求項５〜７いずれか１項記載の膜の形
   成方法によって得られる低密度化膜。